JP3927538B2 - Ｔｐｔｐ測定方法，記録電流制御方法，コンピュータ読み取り可能な記録媒体，ハードディスクドライブ - Google Patents

Ｔｐｔｐ測定方法，記録電流制御方法，コンピュータ読み取り可能な記録媒体，ハードディスクドライブ Download PDF

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Description

本発明は，ハードディスクドライブに係り，特に，ハードディスクドライブの磁気ヘッドのＴＰＴＰ測定方法に関する。
ハードディスクドライブ（以下，「ＨＤＤ」という。）は，コンピュータで使用される補助記憶装置のうち１つであって，磁気ヘッドによって，ハードディスクの磁性体層に書き込まれたデータを読み出したり，当該磁性体層にデータを書き込んだりする装置である。
現在，ＨＤＤにおいて，記録／再生用の磁気ヘッドの材質としては金属（一般的に，パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）とＮｉ ８０％／Ｆｅ ２０％等）を使用して，磁気ヘッドを支持するスライダの材質としては非金属物質を使用している。
データの書き込み動作中には，記録電流が金属製の記録コイルを流れるときにジュール熱が発生する。この熱は，熱膨張係数が相異なる金属製の記録磁気ヘッドと，非金属製のスライダと間の熱膨張の差を引き起こす。この金属／非金属間の熱膨張の差が原因で，磁気ヘッドのポール周辺部が突出する現象がおこる。この現象をＴＰＴＰ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ：熱によるポールチップの突出現象）という。
このようなＴＰＴＰによって，ヘッドとディスクとの間隔（Ｈｅａｄ／Ｄｉｓｋ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ；以下「ＨＤＩ」という。）マージンが低減するために，ヘッドの飛行高さ（ｆｌｙｉｎｇ ｈｅｉｇｈｔ；以下「ＦＨ」という場合もある。）が低くなる。従って，過度のＴＰＴＰは，ＨＤＩに支障をきたすこととなり，顕著な場合には，ヘッドとディスクとが衝突して，ヘッドポールの損傷，サーマル・アスペリティＴＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｓｐｅｒｉｔｙ）などの原因になる場合もある。
このようなＴＰＴＰの量は，「ｉ２Ｒ」に比例する。ここで，「ｉ」は記録コイルに流れる電流（記録電流；ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）であり，「Ｒ」は記録コイルの抵抗である。従って，ＴＰＴＰを減らすためには，記録電流ｉ及び／又は抵抗Ｒを減らさねばならない。抵抗Ｒは，記録コイルの物性によって決定されるファクターであるため，製作されたヘッドで固定値となる。記録電流ｉは，ＨＤＤで使用される書き込み電流ＷＣ（ｗｒｉｔｅ ｃｕｒｒｅｎｔ）またはオーバーシュート電流ＯＳＣ（ｏｖｅｒｓｈｏｏｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）によって決定される。ＴＰＴＰの量はｉの自乗に比例するので，記録電流ｉは抵抗Ｒより敏感なファクターである。
ところで，最近，ＨＤＤが高密度化されることによって，ヘッドのＦＨも徐々に低くなっているため，ＴＰＴＰによる影響を深刻に考慮せざるを得なくなっている。例えば，特許文献１には，サーボ信号を得ることによってＦＨの異常有無を判断する方法が開示されている。
特開２００１−２２９６３７号公報
ＴＰＴＰがＦＨに問題を引き起こすことは従来からよく知られているが，ＴＰＴＰを正確に測定する方法は存在しなかった。このため，ヘッド毎に区別することなく，一律に同じＴＰＴＰ値を適用してハードディスクドライブを制御するしかなかった。
しかしながら，実際にはヘッド毎にＴＰＴＰの程度が異なるにもかかわらず，全てのヘッドに対して一律に同じＴＰＴＰ値を適用するのは無理があり，それ故，ＨＤＤを好適に制御することが困難であった。
また，従来のハードディスク最適化方法においては，ヘッドのＴＰＴＰの程度を考慮しないか，あるいは標準的な量を考慮していたために，ＨＤＤの記録チャンネルを好適に最適化できなかった。
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，ＨＤＤのヘッドのＴＰＴＰ量を測定することが可能な，新規かつ改良されたＴＰＴＰ測定方法を提供することにある。
また，本発明の他の目的は，上記ＴＰＴＰ測定方法を利用した記録電流（Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）制御方法，上記ＴＰＴＰ測定方法を実現するＨＤＤ等を提供するところにある。
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，ハードディスクドライブに設けられた磁気ヘッドのＴＰＴＰ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ：熱によるポールチップの突出現象）を測定する方法が提供される。このＴＰＴＰ測定方法は，オーバーシュート電流ＯＳＣ（ｏｖｅｒｓｈｏｏｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）のレベルを変化させながら，磁気ヘッドによってデータの記録及び再生動作を行うことによって，記録されたデータの誤差率を測定する段階と；測定された誤差率に基づいて，最小の誤差率を検出する段階と；変化されたＯＳＣの範囲における最大ＯＳＣでの誤差率を測定する段階と；最小の誤差率と最大ＯＳＣでの誤差率との差に基づいて，ＴＰＴＰの程度を判断する段階と；を含むことを特徴とする。なお，オーバーシュート電流ＯＳＣは，磁気ヘッドの記録電流の起立成分である。
また，上記誤差率の測定は，ＯＳＣと誤差率との相関関係が明白に開示されたディスクのテストゾーンで行われるようにしてもよい。また，上記テストゾーンは，ディスクの外周部に設定されるようにしてもよい。
また，上記誤差率の測定は，低気圧条件下で行われるようにしてもよい。
また，上記ＴＰＴＰの程度を判断する段階は，最小の誤差率と最大ＯＳＣでの誤差率との差を，所定のスレショルド値と比較する段階と；最小の誤差率と最大ＯＳＣでの誤差率の差がスレショルド値より小さい場合には，磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度が低いと判別し，最小の誤差率と最大ＯＳＣでの誤差率の差がスレショルド値より大きい場合には，磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度が高いと判別する段階と；を含むようにしてもよい。
また，上記スレショルド値は，磁気ヘッドとディスクとの間隔（ＨＤＩ；Ｈｅａｄ／Ｄｉｓｋ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ，），及び／又は品質基準に基づいて決定される値であるようにしてもよい。
また，上記スレショルド値は，誤差率の測定が行われるディスクの領域の特性に基づいて決定される値であるようにしてもよい。
また，上記誤差率は，ビット誤り率ＢＥＲ（Ｂｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）であるようにしてもよい。また，上記誤差率は，ＣＳＭ（Ｃｈａｎｎｅｌ Ｓｔａｔｉｓｔｉｃｓ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）であるようにしてもよい。
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，ハーディスクドライブを最適化するために，磁気ヘッドの記録電流を制御する方法が提供される。この記録電流制御方法は，ＯＳＣのレベルを変化させながら，磁気ヘッドによってデータの記録及び再生動作を行うことによって，記録されたデータの誤差率を測定する段階と；測定された誤差率に基づいて，最小の誤差率を検出する段階と；変化されたＯＳＣの範囲における最大ＯＳＣでの誤差率を測定する段階と；最小の誤差率と最大ＯＳＣでの誤差率との差に基づいて，ＴＰＴＰの程度を判断する段階と；判断されたＴＰＴＰの程度に基づいて，記録電流の直流成分である書き込み電流ＷＣ（ｗｒｉｔｅ ｃｕｒｒｅｎｔ）及び／又はＯＳＣを調整する段階とを含むことを特徴とする。
また，上記ＴＰＴＰの程度を判断する段階は，最小の誤差率と最大ＯＳＣでの誤差率との差を，所定のスレショルド値と比較する段階と；最小の誤差率と最大ＯＳＣでの誤差率の差がスレショルド値より小さい場合には，磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度が低いと判別し，最小の誤差率と最大ＯＳＣでの誤差率の差がスレショルド値より大きい場合には，磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度が高いと判別する段階と；を含み，上記調整段階では，ＴＰＴＰの程度が高いと判断された磁気ヘッドは，ＴＰＴＰ程度が低いと判断された磁気ヘッドと比べて，ＯＳＣの増加程度を低くするような記録電流制御パラメータを設定するようにしてもよい。
また，上記誤差率の測定は，ＯＳＣと誤差率との相関関係が明白に開示されたディスクのテストゾーンで行われるようにしてもよい。また，上記テストゾーンは，ディスクの外周部に設定されるようにしてもよい。
また，上記誤差率の測定は，低気圧条件下で行われるようにしてもよい。
また，上記誤差率は，ＢＥＲであるようにしてもよい。また，上記誤差率は，ＣＳＭであるようにしてもよい。
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，ハードディスクドライブにおいて，磁気ヘッドのＴＰＴＰのレベルに基づいて記録電流を制御する方法が提供される。この記録電流制御方法は，ＯＳＣのレベルを変化させながら，磁気ヘッドによってデータの記録及び再生動作を行うことによって，記録されたデータの誤差率を測定し，測定された誤差率に基づいて最小データ誤差率を決定する段階と；変化されたＯＳＣの範囲における最大ＯＳＣでの最大データ誤差率を測定する段階と；最小データ誤差率と最大データ誤差率間との差が所定のスレショルド値以上である場合には，ＴＰＴＰのレベルを決定する段階と，記録動作中にＴＰＴＰのレベルに基づいて記録電流を調整する段階と；を含むことを特徴とする。
また，上記ＯＳＣに基づいて最小データ誤差率を決定する段階は，ハードディスクドライブのディスク上にテストゾーンを選択する段階と；ＯＳＣを所定の範囲で変化させる度ごとにテストゾーンに対して記録／再生動作を行うことにより，複数のデータ誤差率を測定する段階と；測定された複数のデータ誤差率の中から最小データ誤差率を選択する段階と；を含むようにしてもよい。
また，上記ＴＰＴＰのレベルは，ハードディスクドライブのディスクのメンテナンスシリンダーに貯蔵されるようにしてもよい。また，上記ＴＰＴＰのレベルは，ＲＯＭに貯蔵されるようにしてもよい。また，上記ＴＰＴＰのレベルは，不揮発性メモリに貯蔵されるようにしてもよい。
また，上記最小データ誤差率と最大データ誤差率との差がスレショルド値より小さい場合には，ＴＰＴＰのレベルを記録電流の調整に使用しないようにしてもよい。
また，上記ＴＰＴＰのレベルを決定する段階は，ハードディスクドライブのバーンインテスト工程で行われるようにしてもよい。
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記記録電流制御方法を実行するコンピュータプログラムが提供される。さらに，このコンピュータプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上述したＴＰＴＰ測定方法を実行するハードディスクドライブであって，データを貯蔵するディスクと；ディスクに対してデータを記録する記録コイルを有する記録／再生ヘッドと；記録／再生ヘッドをディスクに対して相対移動させるアクチュエータと；記録／再生ヘッドのＴＰＴＰのレベルと，ＴＰＴＰのレベルに基づいた記録電流制御パラメータとを含む複数のハードディスクドライブ命令を貯蔵する少なくとも１つの貯蔵部と；貯蔵部から読み出した記録電流制御パラメータに基づいて記録／再生ヘッドの記録動作中に記録電流を制御し，ＴＰＴＰのレベルに基づいて記録電流制御パラメータを生成し，記録電流を制御しながら記録電流制御パラメータを貯蔵部に書き込むコントローラと；を具備することを特徴とする，ハードディスクドライブが提供される。
また，上記コントローラは，記録コイルのＯＳＣ範囲に基づいた最小データ誤差率を決定し，最大ＯＳＣでの最大データ誤差率を測定し，最小データ誤差率と最大データ誤差率との差が所定のスレショルド値以上であれば，ＴＰＴＰのレベルを決定し，ＴＰＴＰのレベルに基づいて記録電流制御パラメータを決定するようにしてもよい。
また，上記貯蔵部は，ディスクのメンテナンスシリンダーであるようにしてもよい。また，上記貯蔵部は，ハードディスクドライブが具備する不揮発性メモリであるようにしてもよい。
以上説明したように本発明によれば，磁気ヘッドのＴＰＴＰを定量的に測定できる。さらに，このＴＰＴＰ測定方法を利用して，磁気ヘッドの記録電流を効果的に制御できる。このため，ＡＴＥまたはＷｅａｋ Ｗｒｉｔｅなどといったユーザー環境での致命的なデータエラーの発生を抑制し，全般的にＨＤＤの性能を向上させることができる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１の実施形態）
まず，本発明の第１の実施形態にかかるＴＰＴＰ測定方法について説明する。
本実施形態にかかるＴＰＴＰ測定方法は，例えば，バーンインテスト工程（ｂｕｒｎ−ｉｎ ｔｅｓｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）などといった，ＨＤＤの製造工程において，各ヘッドのＴＰＴＰ特性を測定する方法である。また，このように測定されたＴＰＴＰを考慮して，ＴＰＴＰが激しいヘッドについては，そうでないヘッドより低いＷＣ及びＯＳＣを使用するように調整する方法についても説明する。
ＨＤＤシステムは，回転するハードディスクに対してデータを記録／再生する少なくとも１つ以上の磁気ヘッドを具備する。この磁気ヘッドは，ハードディスク面の磁気領域を磁化または検出することによって，情報をディスクに対して書き込む／読み出す。
図１は，本実施形態にかかるＨＤＤシステムの構造を概略的に示す平面図である。図１に示すように，ＨＤＤシステム１０は，例えば，ベース１１上に回転可能に設置されて情報が記録されるハードディスク２０と，情報の記録及び再生のために磁気ヘッド（図示せず。）をハードディスク２０上の所望のトラック位置に移動させる磁気ヘッド移送装置４０と，を具備する。ここで，ハードディスク２０は，情報が記録される記録領域２２と，このハードディスク２０の回転が停止する時に，磁気ヘッドをパーキングさせるために設けられたパーキング領域２１と，に区分されている。
磁気ヘッド移送装置４０は，磁気ヘッド（図示せず。）が搭載される。この磁気ヘッド移送装置４０は，ベース１１上に設けられた回動軸３４を中心に回動可能に設置される磁気ヘッドアセンブリ３０を含む。磁気ヘッド移送装置４０では，磁気ヘッドアセンブリ３０を電磁気力によって回動させる。
磁気ヘッドアセンブリ３０は，回動軸３４に回転可能に連結されるアクチュエータアーム３２と，アクチュエータアーム３２の端部に結合されるサスペンション３１と，サスペンション３１に設置される磁気ヘッドスライダ５０と，ハードディスク２０に対して情報を書き込んだり，ハードディスク２０に記録されている情報を読み出したりするための磁気ヘッド（図示せず）と，を具備する。
磁気ヘッドスライダ５０は，サスペンション３１によってハードディスク２０の方にバイアスされており，ハードディスク２０が回転し始めると，ハードディスク２０の回転によって発生する空気動圧によって浮上し，ハードディスク２０と接触することなくハードディスク２０上を飛行する。この時，磁気ヘッドスライダ５０が浮上したまま飛行する高さ（ＦＨ）は，サスペンション３１のグラム荷重（ｇｒａｍ ｌｏａｄ）と，ハードディスク２０の回転による空気の流れによる揚力とによって決定される。
ここで，ＦＨは，磁気ヘッド（再生センサ，すなわち，ＭＲヘッド）と，ハードディスク２０表面との間の距離（隙間）である。この隙間は，ハードディスク２０の回転によって磁気ヘッドスライダ５０がハードディスク２０に対して浮上して飛行する時に，磁気ヘッドスライダ５０の先端方向に形成される。また，上記グラム荷重は，サスペンション３１によって発揮された力をいう。
図２は，本実施形態にかかる磁気ヘッド７０の構造を拡大して示す斜視図である。図２に示すように，磁気ヘッド７０は，再生のための磁気抵抗ヘッド（ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ（ＭＲ）ヘッド）７４と，記録のための誘導記録ヘッド７１〜７３を含んでいる。磁気抵抗ヘッド７４は，ハードディスク２０に書き込まれた磁気信号を感知して読み込む機能を有する。誘導記録ヘッドは，ハードディスク２０上に漏れ磁石（ｌｅａｋａｇｅ ｍａｇｎｅｔ）を形成するためのトップポール７１およびボトムポール７２と，電流の供給を受けて磁界を発生させる記録用コイル７３とを具備しており，所望の磁気信号をハードディスク２０に記録する機能を有する。
ところで，最近のハードディスク２０は，記録容量を増加させるために，ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）を増加させて，トラック幅Ｗを低減させる傾向にある。このようにハードディスク２０のトラック幅を減らそうとすれば，そこに磁気信号を記録する記録ヘッドの幅もそれに合わせて減らさねばならない。さらに，相対的に小さいサイズのトラックに書かれた磁気フィルドを読み出すために，磁気ヘッド７０のＦＨも低くする必要がある。
このように磁気ヘッド７０のＦＨを低くすると，磁気ヘッドスライダ５０とハードディスク２０間の間隔が狭まる。このため，実際に磁気ヘッドスライダ５０が，ハードディスク２０の他のトラックまたはパーキング領域２１に移動するための飛行中に，磁気ヘッドスライダ５０とハードディスク２０とが間に接触する可能性があり，これによって磁気ヘッド７０あるいはハードディスク２０が損傷する恐れがある。
図３は，従来の磁気ヘッドアセンブリ１００の一例を概略的に示す斜視図である。この図３は，本願出願人によって出願された大韓民国特許出願番号９７−３６５５９（１９９７．７．３１出願）に開示されたものである。
図３に示された磁気ヘッドアセンブリ１００は，アクチュエータアーム（図示せず。）の端部に連結され磁気ヘッドスライダ５０を磁気ディスク１０１の方にバイアスするサスペンション３１と，サスペンション３１に設置される磁気ヘッドスライダ５０と，磁気ヘッドスライダ５０とサスペンション３１とを連結し磁気ヘッドスライダ５０を支持するジンバル３６と，を備える。
サスペンション３１は，記録媒体である磁気ディスク１０１の回転によって発生する空気流動による揚力を使用して，磁気ヘッドスライダ５０のＦＨを確保して，磁気ヘッドスライダ５０の飛行を安定的に維持できるように設計されている。磁気ヘッド７０は，磁気ディスク１０１に面した磁気ヘッドスライダ５０の先端面に位置される。
かかる磁気ヘッドアセンブリ１００によって記録動作を行う時，ＴＰＴＰが所定レベルを超えた場合には，磁気ヘッド７０の記録が失敗し易くなり，また，局部的な記録失敗またはスクラッチなどが発生しうる。
図４Ａ及び図４Ｂは，ＴＰＴＰによる影響を説明するための模式図である。図４Ａは，再生動作を行う時の磁気ヘッドスライダ５０の状態を示す模式図であり，図４Ｂは，記録動作を行う時の磁気ヘッドスライダ５０の状態を示す模式図である。図４Ｂを参照すれば，図４Ａに示されたものに比べて，ＴＰＴＰにより記録ポールが突出していることが分かる。このような記録ポールの突出（ＴＰＴＰ）は，非金属で構成された磁気ヘッドスライダ５０と磁気ヘッド７０間の熱膨張係数の差が原因で発生する。このようなＴＰＴＰが生じると，実質的に磁気ヘッドスライダ５０の飛行高さが低くなり（ＦＨ→ＦＨ’），顕著な場合には磁気ヘッド７０とディスク１０１とが衝突して，ヘッドポールの損傷，ＴＡなどの原因になる場合もある。
このようなＴＰＴＰの量は，「ｉ２Ｒ」に比例する。ここで，「ｉ」は記録コイルに流れる記録電流（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）であり，「Ｒ」は記録コイルの抵抗である。従って，ＴＰＴＰを減らすためには，記録電流ｉ及び／又は抵抗Ｒを減らさねばならない。
図５は，記録電流（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）の波形を示す波形図である。図５に示すように，ディスクに記録されるデータが変わる箇所で，記録電流は鋭い起立形状を示す。このような記録電流の起立成分をオーバーシュート電流ＯＳＣ（ｏｖｅｒｓｈｏｏｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）という。また，書き込み電流ＷＣ（ｗｒｉｔｅ ｃｕｒｒｅｎｔ）は，記録電流の直流電流成分（ＤＣ成分）である。
記録電流ｉのＤＣ成分（即ち，ＷＣ）は，磁界の強さをハードディスクの保磁力（ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ）と略同程度に維持する機能を有する。また，ＯＳＣは，記録方向が転換される位置で，磁界の強さを上記保磁力以上に引き上げるトリガーとして機能する。従って，記録動作において，磁気ヘッドのＴＰＴＰに最も大きい影響を与えるのはＯＳＣである。
図６は，オーバーシュートコントロール（ｏｖｅｒｓｈｏｏｔ ｃｏｎｔｒｏｌ；オーバーシュート制御信号）の値を変えて，ＴＰＴＰの量を測定した実験結果を示すグラフである。この図６では，ＯＳＣのレベルを調整するオーバーシュート制御信号の値が，０（ａ），１（ｂ），５（ｃ），１０ｄ，１５（ｅ），２０（ｆ），２５（ｇ）及び３０（ｈ）である場合における，それぞれのＴＰＴＰの量を［ｎｍ］単位で示している。
図６に示すように，記録電流のオーバーシュートコントロールの値を変化させながら，ＴＰＴＰの量を測定した実験結果によれば，記録電流のオーバーシュートコントロールの値が大きくなるほど，ＴＰＴＰの量が大きくなっている。従って，記録電流のオーバーシュートコントロールの値が大きいほど，磁気ヘッドとディスクとの隙間が小さくなるということが分かる。また，実験によれば，記録電流のオーバーシュートコントロールの値が４ステップ変化することによって，ＴＰＴＰは１０Å程度発生することが分かる。よって，通常，ＦＨが１００Å程度であることを勘案すれば，ＷＣのオーバーシュートコントロールの値が４ステップ変化した場合には，ＦＨが約１０％程度も減少するといえる。かかる減少割合によれば，ＴＰＴＰがＨＤＤの性能に大きな影響を与えるということが分かる。
図７は，本実施形態にかかるＴＰＴＰ測定方法を示すフローチャートである。
本実施形態にかかるＴＰＴＰ測定方法は，基本的に，ＯＳＣを変化させながら所定のデータを記録及び再生して誤差率（ｒａｔｅ ｏｆ ｅｒｒｏｒｓ；エラー率）を測定し，これらの関係からＴＰＴＰの程度を判断する手法である。ここで，誤差率は，例えば，ビット誤り率ＢＥＲ（Ｂｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）またはＣＳＭ（Ｃｈａｎｎｅｌ Ｓｔａｔｉｓｔｉｃｓ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）などで表される。
本実施形態にかかるＴＰＴＰ測定は，例えば，ディスク製造工程中のバーンインテスト工程で行われることが望ましい。しかし，かかる例に限定されず，ＴＰＴＰ測定は，他の工程で行っても勿論よい。
図７に示すように，まず，７０２段階では，ハードディスク２０におけるテストゾーンが選択される（７０２段階）。テストゾーンは，ハードディスク２０の中央部（Ｍｉｄｄｌｅ Ｄｉａｍｅｔｅｒ；ＭＤ）および外周部（Ｏｕｔｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ；ＯＤ）に選定される。ＴＰＴＰは，記録周波数によっても影響され，記録周波数が高いほどＴＰＴＰの量が大きくなる。外周部ＯＤは，内周部（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ；ＩＤ）に比べて記録周波数が高いので，ＴＰＴＰ測定に適している。
また，本実施形態では，ＴＰＴＰの測定は，通常の気圧より低い気圧条件下（低圧雰囲気）で行われることが望ましい。低い気圧条件下では，空気密度が低いためＦＨが低くなり，ＴＰＴＰによる影響をより好適に測定可能である。このような低い気圧条件は，例えば，気圧チャンバ等を利用して作られる。
次いで，７０４段階では，ＯＳＣのレベル（値）を変えながら，誤差率（ＢＥＲまたはＣＳＭ）を測定する（７０４段階）。ＯＳＣは任意の所定レベルに調整できる。本７０４段階では，例えば，ＯＳＣを最も低いレベルから高いレベル（あるいは，最も高いレベルから低いレベル）に，段階的若しくは連続的に変化させながら，各ＯＳＣのレベルでの誤差率（ＢＥＲまたはＣＳＭ）をそれぞれ測定する。
具体的には，与えられたＯＳＣの範囲において，テストゾーンとして選択されたトラックに，所定回数ｍだけ繰り返して連続的にデータを記録した後，該当トラックに記録されたデータを所定回数ｌだけ読み出し，ＢＥＲ（あるいは，ＣＳＭ）を測定する。
次いで，７０６段階では，上記７０４段階で測定された誤差率（ＴＰＴＰのプロファイル）の中から，最も小さい誤差率である最小の誤差率（ＢＥＲ＿ｍｉｎまたはＣＳＭ＿ｍｉｎ）が検出される。
さらに，７０８段階では，最大ＯＳＣでの誤差率（ＢＥＲ＿ｏｓｃｍａｘまたはＣＳＭ＿ｏｓｃｍａｘ）が得られる。この最大ＯＳＣでの誤差率は，上記７０４で測定された誤差率に基づいて検出することにより得てもよいし，或いは，本ステップで，最大ＯＳＣ時にデータの記録／再生動作を行って測定することにより得てもよい。
このようにして得られた最小の誤差率（ＢＥＲ＿ｍｉｎまたはＣＳＭ＿ｍｉｎ）と，最大ＯＳＣでの誤差率（ＢＥＲ＿ｏｓｃｍａｘまたはＣＳＭ＿ｏｓｃｍａｘ）の差は，ＴＰＴＰの程度と相関がある。
次いで，７１０段階では，最小の誤差率（ＢＥＲ＿ｍｉｎまたはＣＳＭ＿ｍｉｎ）と，最大ＯＳＣでの誤差率（ＢＥＲ＿ｏｓｃｍａｘまたはＣＳＭ＿ｏｓｃｍａｘ）との差が，所定のスレショルド値ｄより大きいか否かを判断する（７１０段階）。当該誤差率の差が所定のスレショルド値ｄより大きい場合には，磁気ヘッドに顕著なＴＰＴＰが発生している（換言すると，ＴＰＴＰの程度が高い磁気ヘッドである）と判断する（７１２段階）。一方，当該誤差率の差が所定のスレショルド値ｄ以下である場合には，磁気ヘッドに生じているＴＰＴＰの程度は低い（換言すると，ＴＰＴＰの程度が低い磁気ヘッドである）と判断する（７１４段階）。
図８は，図７の７０４段階から７０８段階で測定されたＯＳＣと誤差率（ＢＥＲ）との関係を例示するグラフである。
図８を参照すれば，ＯＳＣに対する誤差率（ＢＥＲ）は，概略的には，最小の誤差率（ＢＥＲ＿ｍｉｎ）を湾曲点とする略Ｖ字形の曲線を描く。これは，ＯＳＣが低い場合には，磁界強度が小さいため誤差率（ＢＥＲ）が高くなり，一方，ＯＳＣが高い場合には，ＴＰＴＰがひどくなるために誤差率（ＢＥＲ）が高くなると解釈される。
従って，最小の誤差率（ＢＥＲ＿ｍｉｎ）と最大ＯＳＣでの誤差率（ＢＥＲ＿ｏｓｃｍａｘ）との差が，所定のスレショルド値ｄ以上であれば，磁気ヘッドに生じているＴＰＴＰが激しいと判断できる。ここで，スレショルド値ｄは，ＨＤＤの特性及び品質基準によって変化するファクターである。また，スレショルド値ｄは，テストゾーンの位置に応じて異なる値に設定されうる。例えば，ハードディスクの外周部ＯＤでは中央部ＭＤに比べて高い記録周波数を有するため，ＴＰＴＰが発生する傾向が非常に強い。よって，外周部ＯＤの測定では，中央部ＭＤでの測定に比べて，スレショルド値ｄが小さい値に設定される。
また，一般的に高い記録周波数を有する外周部ＯＤは，中央部ＭＤや内周部ＩＤに比べてＴＰＴＰが明確に現れるが，実際には，例えば，テストゾーンは，ＯＳＣと誤差率（ＢＥＲ）との相関関係を最も好適に現すようなディスク上の領域に設定することも可能である。
図９は，図７の７０４段階から７０８段階で測定されたＯＳＣと誤差率（ＣＳＭ）との関係を例示するグラフである。図９に示されたところによって分かるように，ＯＳＣとＣＳＭとの関係は，図８に示されたＯＳＣとＢＥＲとの関係と同様な関係であることが分かる。
ここで，ＢＥＲは，磁気ヘッドによって読み出された信号に含まれた一定数のデータビットのうちで，エラーが発生しているエラービットの数を示す比率である。また，ＣＳＭは，チャンネルチップ（ｃｈａｎｎｅｌ ｃｈｉｐ）内でのエラービット率の測定によって得られたチャンネル性能測定値である（換言すると，ＣＳＭは，チャンネルチップで提供するビットエラーを測定する性能検査方法である）。誤差率としてＣＳＭを採用したほうが，ＢＥＲを採用する場合よりも，磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度をより速く測定できる。また，ＢＥＲとＣＳＭとは，概略的にはログ的な相関を有する。
従って，最小の誤差率（ＣＳＭ＿ｍｉｎ）と最大ＯＳＣでの誤差率（ＣＳＭ＿ｏｓｃｍａｘ）との差が，所定のスレショルド値ｄ以上であれば，磁気ヘッドに生じているＴＰＴＰが激しいと判断できる。
ＴＰＴＰの程度は，磁気ヘッドの特性に依存する。例えば，ＴＰＴＰの程度は，磁気ヘッドの材質，磁気ヘッドとスライダとの接着特性などに応じて変化する。
図１０は，様々な磁気ヘッドにおけるＯＳＣと誤差率（ＢＥＲまたはＣＳＭ）との関係を示すグラフである。
図１０に示すように，ＴＰＴＰの程度は，磁気ヘッドの特性によって異なることが分かる。
ＴＰＴＰの程度が高いヘッドの場合には，ＯＳＣの増加につれて誤差率（ＢＥＲ）は急増しており，最適なＯＳＣと最大ＯＳＣとの間の誤差率の差が大きい。一方，ＴＰＴＰの程度が低いヘッドの場合は，ＯＳＣの増加につれて誤差率（ＢＥＲ）は緩やかな増加あるいは減少を示しており，最適なＯＳＣと最大ＯＳＣとの間の誤差率の差が小さい。
従来の記録電流制御方法においては，磁気ヘッドのＡＴＥ（ａｄｊａｃｅｎｔ ｔｒａｃｋ ｅｒａｓｕｒｅ）特性だけを考慮して，ＷＣ（ｗｒｉｔｅ ｃｕｒｒｅｎｔ）またはＯＳＣを最適化することにより，記録電流（ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）を制御していた。より詳細には，与えられたＷＣ及びＯＳＣ範囲で，特定のトラックに対して，連続的に複数回繰り返してデータを記録した後，当該トラックから記録データを読み出して，エラーの発生有無を判断していた。エラーが発生した場合には，ＷＣまたはＯＳＣ条件を変化させながら，上記のような記録及び再生動作を繰り返して，エラーが発生しないＷＣまたはＯＳＣを，最適のＷＣまたはＯＳＣとして使用していた。
また，ＨＤＤでは，温度によって誤差率ＢＥＲが変化する特性を有する。ＨＤＤが低温で使われる場合には，磁性体層の保磁力が増加するので，高い保磁力に対応するように（保磁力を減少させるために），ＷＣまたはＯＳＣを増加させ，一方，ＨＤＤが高温で使われる場合には，磁性体層の保磁力が減少するので，低い保磁力に対応するように（保磁力を増加させるために）ＷＣ及びＯＳＣを減少させていた。
図１１は，ハードディスクの磁気履歴曲線（磁気ヒステリシスカーブ）を示すグラフである。図１１に示すように，磁場強度Ｈを０からａにまで増加させて，最大磁束密度Ｂｍ（Ａ点）を得る。この場合，たとえ電流を０としても，残留磁気Ｂｒ（ｂ点）が残っている。これをなくすために，電流を反対方向に流して磁場を作ると，磁場強度が−Ｈｃ（ｃ点）のときに磁速密度Ｂは０となる。次いで，逆に磁場強度を増加させれば，Ａ’点でＡ点と逆に−Ｂｍの磁束密度を得る。さらに，電流を減少させて０として最初の方向に磁化を続けると，ｂ’点，ｃ’点を通過して，Ａ点において，磁束密度Ｂは最初の最大磁束密度Ｂｍに戻る。このような現象をヒステリシス現象（磁気履歴現象）という。
また，保磁力Ｈｃは，強磁性体を飽和まで磁化させた後，その磁束密度を０とするのに必要な減磁界の強度をいう。
公知のように，ＨＤＤの動作温度が低ければ，保磁力は高まり，動作温度が高ければ，保磁力が低くなる。ハードディスクの保磁力は，材質によって異なるが，例えば，−６０℃で３２００ Ｏｅ（Ｏｅｒｓｔｅｄ；磁界強度を表す単位）程度であり，０℃で３０００ Ｏｅ程度であり，６０℃で２８００ Ｏｅ程度である。
このため，ＨＤＤは，一般的に，低温モードでは，高まる保磁力に対応するようにＷＣ及びＯＳＣを所定量増加させ，一方，高温モードでは，低くなる保磁力に対応するようにＷＣ及びＯＳＣを所定量減少させる。例えば，低温モードでは，常温モードに比べて，ＷＣを８ｍＡ，ＯＳＣを６ステップ引き上げ，一方，高温モードでは，ＯＳＣを４ステップ下げる。
しかし，従来の記録電流（Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）制御方法では，各磁気ヘッドのＴＰＴＰ特性を考慮することなく，高温／低温モードでＷＣ及びＯＳＣを一律に一定量減少／増加させていた。このため，ＴＰＴＰが激しいヘッドの場合には，ＷＣ及びＯＳＣが過度に高い，或いは低くなることがあった。この結果，ＨＤＩが不適切になり，ヘッド損傷，ＴＡ，気圧マージン（気圧によるＦＨの変化によるマージン）の激減などといった不良を起す可能性が非常に高かった。
これに対し，本実施形態では，記録電流のレベルを設定する際に，各磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度を考慮することによって，最適の記録電流制御を実現することができる。
図１２は，本実施形態にかかる記録電流（Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）制御方法を示すフローチャートである。
図１２に示すように，まず，１２０２段階では，例えば，上記図７に示したようなＴＰＴＰ測定方法によって，各磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度を測定する（１２０２段階）。
次いで，１２０４段階では，１２０２段階で測定された各磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度を参照して，各磁気ヘッドを，例えば，ＴＰＴＰの程度が高い（激しい）磁気ヘッドと，ＴＰＴＰの程度が低い（弱い）磁気ヘッドという２つのタイプに分類する（１２０４段階）。
次いで，１２０６段階では，記録電流（Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）制御パラメータを，ＴＰＴＰの程度が高い磁気ヘッドと，低い磁気ヘッドとで異なる値に設定する（１２０６段階）。例えば，ＴＰＴＰが激しい磁気ヘッドに対しては，そうでない磁気ヘッドと比べて，低温モードにおいてＷＣ及びＯＳＣをより低く増加させるように，記録電流制御パラメータを設定する。なお，この記録電流制御パラメータは，ＨＤＩ，品質基準などのファクターに応じて変化させてもよい。
このようにして，ＴＰＴＰの程度が高いヘッドと判定された場合には，ＯＳＣ及びＷＣは，ＴＰＴＰの程度及びＨＤＩの状態などを考慮して適切に調整される。
次いで，１２０８段階では，上記のように設定された記録電流制御パラメータを，例えば，ハードディスクのメンテナンスシリンダーに記録する（１２０８段階）。なお，上記設定された記録電流制御パラメータを，不揮発性メモリ等に格納してもよい。このように，メンテナンスシリンダーあるいは不揮発性メモリに記録された記録電流制御パラメータは，実際ユーザー条件で参照される。
表１は，ＴＰＴＰの程度が低いヘッドに関して，各温度範囲ごとに設定された上記記録電流制御パラメータの具体例を示す表である。また，表２は，ＴＰＴＰの程度が高いヘッドに関して，各温度範囲ごとに設定された上記記録電流制御パラメータの具体例を示す表である。なお，表１及び表２において，ＯＳＣ１は，低温モードに対して設定された基準ＯＳＣであり，ＯＳＣ２は，高温モードに対して設定された基準ＯＳＣである。
Figure 0003927538
Figure 0003927538
表１および２に示すように，低温モード（５．０°Ｃ未満）では，ＴＰＴＰの程度が低い磁気ヘッドの場合には，基準ＯＳＣ１を記録電流制御パラメータとしているのに対し，ＴＰＴＰの程度が高い磁気ヘッドの場合には，基準ＯＳＣ１から４ステップ引き下げたものを記録電流制御パラメータとしている。
また，高温モード（１０．０〜１５．０°Ｃ）では，ＴＰＴＰの程度が高い磁気ヘッドの場合には，基準ＯＳＣ２を記録電流制御パラメータとしているのに対し，ＴＰＴＰの程度が低い磁気ヘッドの場合には，基準ＯＳＣ２から４ステップ引き上げたものを記録電流制御パラメータとしている。
このように，磁気ヘッドにＴＰＴＰが生じやすいか否かに応じて，記録電流制御パラメータを変化させることで，好適にＨＤＤを動作させることができる。
以上，本実施形態にかかるＴＰＴＰ測定方法，およびこれを利用した記録電流制御方法について説明した。本実施形態にかかるＴＰＴＰ測定方法によれば，例えば，バーンインテスト工程で，各ヘッドのＴＰＴＰの程度を定量的に測定できる。
また，本実施形態にかかる記録電流制御方法によれば，ＴＰＴＰが発生する程度に応じて，磁気ヘッドごとに異なる記録電流制御パラメータを付与することによって，磁気ヘッドのＡＴＥ（ａｄｊａｃｅｎｔ ｔｒａｃｋ ｅｒａｓｕｒｅ），またはＷｅａｋ Ｗｒｉｔｅなどといった，ユーザー環境での致命的なデータエラーの発生を抑制し，全般的にＨＤＤの性能を向上させる効果がある。
また，本実施形態にかかる記録電流制御方法によれば，ＯＳＣ及びＷＣを過度に大きい或いは小さく設定することが原因で，ヘッド寿命が短縮したりヘッド信頼性が低下したりすることを改善できる。つまり，ＯＳＣ及びＷＣを好適なレベルに設定することができるので，ＨＤＩを最適化し，ヘッド寿命を延ばし，ヘッド信頼性を向上させることができる。
なお，上記のように図７及び図１２に示したＴＰＴＰ測定方法および記録電流制御方法は，上位のような各段階に対応した処理を規定するコンピュータプログラムに具現することができる。このプログラムは，図１に示したようなＨＤＤに設置される制御装置（コントローラ）によって使われうる。さらに，本実施形態にかかるＨＤＤは，本実施形態にかかる特徴である図７及び図１２の方法を好適に実行することができる。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は，ハードディスクドライブに適用可能であり，特に，ＨＤＤの記録電流制御方法に適用可能である。
本発明の第１の実施形態にかかるＨＤＤシステムの構造を概略的に示す平面図である。 同実施形態にかかる磁気ヘッドの構造を拡大して示す斜視図である。 従来の磁気ヘッドアセンブリの一例を概略的に示す斜視図である。 再生動作を行う時の磁気ヘッドスライダの状態を示す模式図である。 記録動作を行う時の磁気ヘッドスライダの状態を示す模式図である。 記録電流の波形を示す波形図である。 オーバーシュート制御信号の値を変えて，ＴＰＴＰの量を測定した実験結果を示すグラフである。 同実施形態にかかるＴＰＴＰ測定方法を示すフローチャートである。 図７の７０４段階から７０８段階で測定されたＯＳＣと誤差率（ＢＥＲ）との関係を例示するグラフである。 図７の７０４段階から７０８段階で測定されたＯＳＣと誤差率（ＣＳＭ）との関係を例示するグラフである。 様々な磁気ヘッドにおけるＯＳＣと誤差率（ＢＥＲまたはＣＳＭ）との関係を示すグラフである。 ハードディスクのヒステリシス曲線を示すグラフである。 同実施形態にかかる記録電流制御方法を示すフローチャートである。
符号の説明
１０ ＨＤＤ
２０ ハードディスク
３０ 磁気ヘッドアセンブリ
４０ 磁気ヘッド移送装置
５０ 磁気ヘッドスライダ
７０ 磁気ヘッド

Claims (28)

  1. ハードディスクドライブに設けられた磁気ヘッドのＴＰＴＰを測定する方法において：
    ＯＳＣのレベルを変化させながら，前記磁気ヘッドによってデータの記録及び再生動作を行うことによって，前記記録されたデータの誤差率を測定する段階と；
    前記測定された誤差率に基づいて，最小の誤差率を検出する段階と；
    前記変化されたＯＳＣの範囲における最大ＯＳＣでの誤差率を測定する段階と；
    前記最小の誤差率と前記最大ＯＳＣでの誤差率との差に基づいて，ＴＰＴＰの程度を判断する段階と；
    を含むＴＰＴＰ測定方法。
  2. 前記誤差率の測定は，前記ＯＳＣと前記誤差率との相関関係が明白に開示されたディスクのテストゾーンで行われることを特徴とする，請求項１に記載のＴＰＴＰ測定方法。
  3. 前記テストゾーンは，前記ディスクの外周部に設定されることを特徴とする，請求項２に記載のＴＰＴＰ測定方法。
  4. 前記誤差率の測定は，低気圧条件下で行われることを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載のＴＰＴＰ測定方法。
  5. 前記ＴＰＴＰの程度を判断する段階は，
    前記最小の誤差率と前記最大ＯＳＣでの誤差率との差を，所定のスレショルド値と比較する段階と；
    前記最小の誤差率と前記最大ＯＳＣでの誤差率の差が前記スレショルド値より小さい場合には，前記磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度が低いと判別し，前記最小の誤差率と前記最大ＯＳＣでの誤差率の差が前記スレショルド値より大きい場合には，前記磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度が高いと判別する段階と；
    を含むことを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載のＴＰＴＰ測定方法。
  6. 前記スレショルド値は，前記磁気ヘッドと前記ディスクとの間隔，及び／又は品質基準に基づいて決定される値であることを特徴とする，請求項５に記載のＴＰＴＰ測定方法。
  7. 前記スレショルド値は，前記誤差率の測定が行われる前記ディスクの領域の特性に基づいて決定される値であることを特徴とする，請求項５に記載のＴＰＴＰ測定方法。
  8. 前記誤差率は，ＢＥＲであることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６または７のいずれかに記載のＴＰＴＰ測定方法。
  9. 前記誤差率は，ＣＳＭであることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６または７のいずれかに記載のＴＰＴＰ測定方法。
  10. ハーディスクドライブを最適化するために，磁気ヘッドの記録電流を制御する方法において：
    ＯＳＣのレベルを変化させながら，前記磁気ヘッドによってデータの記録及び再生動作を行うことによって，前記記録されたデータの誤差率を測定する段階と；
    前記測定された誤差率に基づいて，最小の誤差率を検出する段階と；
    前記変化されたＯＳＣの範囲における最大ＯＳＣでの誤差率を測定する段階と；
    前記最小の誤差率と前記最大ＯＳＣでの誤差率との差に基づいて，ＴＰＴＰの程度を判断する段階と；
    前記判断されたＴＰＴＰの程度に基づいて，前記記録電流の直流成分であるＷＣ及び／又はＯＳＣを調整する段階と；
    を含むことを特徴とする，記録電流制御方法。
  11. 前記ＴＰＴＰの程度を判断する段階は，
    前記最小の誤差率と前記最大ＯＳＣでの誤差率との差を，所定のスレショルド値と比較する段階と；
    前記最小の誤差率と前記最大ＯＳＣでの誤差率の差が前記スレショルド値より小さい場合には，前記磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度が低いと判別し，前記最小の誤差率と前記最大ＯＳＣでの誤差率の差が前記スレショルド値より大きい場合には，前記磁気ヘッドのＴＰＴＰの程度が高いと判別する段階と；
    を含み，
    前記調整段階では，
    前記ＴＰＴＰの程度が高いと判断された磁気ヘッドは，前記ＴＰＴＰ程度が低いと判断された磁気ヘッドと比べて，ＯＳＣの増加程度を低くするような記録電流制御パラメータを設定することを特徴とする，請求項１０に記載の記録電流制御方法。
  12. 前記誤差率の測定は，前記ＯＳＣと前記誤差率との相関関係が明白に開示されたディスクのテストゾーンで行われることを特徴とする，請求項１０または１１のいずれかに記載の記録電流制御方法。
  13. 前記テストゾーンは，前記ディスクの外周部に設定されることを特徴とする，請求項１２に記載の記録電流制御方法。
  14. 前記誤差率の測定は，低気圧条件下で行われることを特徴とする，請求項１０，１１，１２または１３のいずれかに記載の記録電流制御方法。
  15. 前記誤差率は，ＢＥＲであることを特徴とする，請求項１０，１１，１２，１３または１４のいずれかに記載の記録電流制御方法。
  16. 前記誤差率は，ＣＳＭであることを特徴とする，請求項１０，１１，１２，１３または１４のいずれかに記載の記録電流制御方法。
  17. ハードディスクドライブにおいて，磁気ヘッドのＴＰＴＰのレベルに基づいて記録電流を制御する方法であって：
    ＯＳＣのレベルを変化させながら，前記磁気ヘッドによってデータの記録及び再生動作を行うことによって，前記記録されたデータの誤差率を測定し，前記測定された誤差率に基づいて最小データ誤差率を決定する段階と；
    前記変化されたＯＳＣの範囲における最大ＯＳＣでの最大データ誤差率を測定する段階と；
    前記最小データ誤差率と前記最大データ誤差率間との差が所定のスレショルド値以上である場合には，ＴＰＴＰのレベルを決定する段階と，
    記録動作中に前記決定されたＴＰＴＰのレベルに基づいて前記記録電流を調整する段階と；
    を含むことを特徴とする，記録電流制御方法。
  18. 前記ＯＳＣに基づいて最小データ誤差率を決定する段階は，
    前記ハードディスクドライブのディスク上にテストゾーンを選択する段階と；
    ＯＳＣを所定の範囲で変化させる度ごとに前記テストゾーンに対して記録／再生動作を行うことにより，複数のデータ誤差率を測定する段階と；
    前記測定された複数のデータ誤差率の中から最小データ誤差率を選択する段階と；
    を含むことを特徴とする，請求項１７に記載の記録電流制御方法。
  19. 前記ＴＰＴＰのレベルは，前記ハードディスクドライブのディスクのメンテナンスシリンダーに貯蔵されることを特徴とする，請求項１７または１８のいずれかに記載の記録電流制御方法。
  20. 前記ＴＰＴＰのレベルは，ＲＯＭに貯蔵されることを特徴とする，請求項１７または１８のいずれかに記載の方法。
  21. 前記ＴＰＴＰのレベルは，不揮発性メモリに貯蔵されることを特徴とする，請求項１７または１８のいずれかに記載の記録電流制御方法。
  22. 前記最小データ誤差率と前記最大データ誤差率との差が前記スレショルド値より小さい場合には，前記ＴＰＴＰのレベルを前記記録電流の調整に使用しないことを特徴とする，請求項１７，１８，１９，２０または２１のいずれかに記載の記録電流制御方法。
  23. 前記ＴＰＴＰのレベルを決定する段階は，前記ハードディスクドライブのバーンインテスト工程で行われることを特徴とする，請求項１７に記載の記録電流制御方法。
  24. 請求項１７，１８，１９，２０，２１，２２または２３のいずれかに記載の記録電流制御方法を実行するコンピュータプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  25. 請求項１〜９のいずれかに記載のＴＰＴＰ測定方法を実行するハードディスクドライブであって，
    データを貯蔵するディスクと；
    前記ディスクに対してデータを記録する記録コイルを有する記録／再生ヘッドと；
    前記記録／再生ヘッドを前記ディスクに対して相対移動させるアクチュエータと；
    前記記録／再生ヘッドのＴＰＴＰのレベルと，前記ＴＰＴＰのレベルに基づいた記録電流制御パラメータとを含む複数のハードディスクドライブ命令を貯蔵する少なくとも１つの貯蔵部と；
    前記貯蔵部から読み出した前記記録電流制御パラメータに基づいて前記記録／再生ヘッドの記録動作中に記録電流を制御し，前記ＴＰＴＰのレベルに基づいて前記記録電流制御パラメータを生成し，前記記録電流を制御しながら前記記録電流制御パラメータを前記貯蔵部に書き込むコントローラと；
    を具備することを特徴とする，ハードディスクドライブ。
  26. 前記コントローラは，
    前記記録コイルのＯＳＣ範囲に基づいた最小データ誤差率を決定し，
    最大ＯＳＣでの最大データ誤差率を測定し，
    前記最小データ誤差率と前記最大データ誤差率との差が所定のスレショルド値以上であれば，ＴＰＴＰのレベルを決定し，
    前記ＴＰＴＰのレベルに基づいて前記記録電流制御パラメータを決定することを特徴とする，請求項２５に記載のハードディスクドライブ。
  27. 前記貯蔵部は，前記ディスクのメンテナンスシリンダーであることを特徴とする，請求項２５または２６のいずれかに記載のハードディスクドライブ。
  28. 前記貯蔵部は，前記ハードディスクドライブが具備する不揮発性メモリであることを特徴とする，請求項２５または２６のいずれかに記載のハードディスクドライブ。
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