JP3927439B2 - パワーウィンドウの挟み込み検出装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、自動車のパワーウィンドウにおいて窓ガラスに異物が挟み込まれたことを検出するパワーウィンドウの挟み込み検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に自動車には、乗用車に代表されるように、ドアウィンドウ等の窓ガラスの開閉をスイッチ操作に応じたモータの駆動により自動的に行うパワーウィンドウが広く採用されている。近年では、パワーウィンドウに、ドアフレームと窓ガラスの間に物品や身体の一部等の異物が挟まったか否かを検出する挟み込み検出装置が付設されつつある。
【0003】
このような装置の従来例の一つとして、例えば特開2002−4717号公報に示されるパワーウインドウ駆動制御装置がある。図5はその概要を示すブロック構成図である。この装置は窓ガラスを昇降駆動するモータMに流れる電流の変化(以下、電流変化と記載する。)di/dtを検出し、この電流変化di/dtが一定以上になったときに挟み込みを検知する。
この検知方法は、ドアフレームと窓ガラスとの間に異物が挟み込まれると窓ガラスを上昇駆動しているモータに過大負荷がかかりモ−タ電流が急激に上昇するため、モータMに流れる電流変化di/dtを測定することで挟まれを検知することができる。
【0004】
従来装置の構成としては、図5に示すようにプラス電源+Vとグランド間にモータMと供に直列接続され、モータMに流れるモータ電流を検出して瞬時値insとして出力する電流センサCSと、モータ電流を一定時定数で平均化して平均値avとして出力する平均値回路AV、瞬時値insと平均値avとを比較し瞬時値insが平均値avを超えた時に挟まれ検知用の異常出力CPOUTを出力する挟まれ検知回路JD、異常出力CPOUT出力期間に、後述するモータMの負荷電流の制限を行い、モータMのトルク制御を行う電界効果トランジスタ(後述する)をON/OFF制御するON/OFF信号からなるDUMMY信号を出力するon/off制御回路CT、異常出力CPOUT出力期間中に、前記DUMMY信号のON又はOFF回数を計数し、この計数値が予め設定された挟み込み判定回数に至ったならば挟まれ判定出力JSを図示しないモータ制御回路に出力してモータMを窓ガラス開方向に回転制御させる比較器CMPを備える。
【0005】
図5に示す電流センサCSは、図6に示すように電源端子+Vとグランド間にモータMと共に直列に接続された電流センサCSを構成するシャント抵抗RSの両端電圧よりモータ電流iを電圧変換して検出し、この検出電圧を増幅器AMPで増幅した後に、ハイパスフィルタHPを通してモータ電流iの脈動成分を取り出し、波形整形回路Wにかけて脈動パルスに変換する。
【0006】
脈動パルスへの変換方法としては脈動成分の電圧レベルが予め設定したしきい値レベルを超えている間、[H]レベル信号を出力する公知のPWM方式を用いる。脈動パルスの周期はモータ回転数が上昇するほど短くなる。
【0007】
脈動パルスに変換された検出電圧は瞬時値insとして出力されると共に、図7にその構成を示すように平均値回路AVに入力され、一定の時定数が設定された平滑部で平均化され平均値avとして挟まれ検知回路JDを構成する比較器CMPの一方の入力端子に入力される。平均値回路AVは時定数を定めるコンデンサCを備える。
【0008】
また、増幅器AMPの出力端子と比較器CMPの他方の入力端子との間には、瞬時値insのレベルを常時平均値av以下に引き下げるため瞬時値insをVth(判定しきい値)分プルダウンさせるしきい値設定部(図示せず)を備える。電圧レベル引き下げ後の瞬時値insと平均値avとを比較するため比較器CMPに入力される。
【0009】
通常、平均値avは図8に示すように瞬時値insに対して判定しきい値Vth分間隔を開けて追従する。しかし、挟み込み発生による負荷の増大でモータ電流が急激に変化し、瞬時値insが急激に上昇変化すると、平均値avは瞬時値insに追従できなくなり、瞬時値insは平均値avより大きくなる。その結果、挟まれ検知回路JDを構成する比較回路CMPから挟まれ検知信号としてCPOUTが出力される。
【0010】
また、on/off制御回路CTの構成としては、図9に示すように、電源端子+Vに接続されたモータMの通電方向切換回路(図示しない)とグランドとの間にモータMと共に直列に接続された電界効果トランジスタFET1のドレインは、電流制限抵抗R13を通して挟み込み判定を行うコンパレータCMP1の非反転入力端子(+入力端子)に接続される。コンパレータCMP1の反転入力端子(−入力端子)には電源VBとグランド間に直列接続された分圧抵抗R12,R14の接続点が接続される。
【0011】
グランド側に接続された分圧抵抗R14には、抵抗R15と電界効果トランジスタFET2との直列回路が並列接続され、電界効果トランジスタFET2のゲートにはコンパレータCMP1の出力端子が接続される。
【0012】
コンパレータCMP1の出力端子にはプルアップ抵抗R16が接続される。また、電界効果トランジスタFET1のドレインと電源VBの間には抵抗R11が接続され、ドレインに微少電流を流すようにしている。
【0013】
更に、電界効果トランジスタFET1のゲートにはゲート制御部GTが設けられ、このゲート制御部GTはDUMMY信号とCPOUTとが入力されるORゲート1、ORゲート1の出力と図示しないモータ制御部よりUPリレー出力が入力されるANDゲート2、ANDゲート2の出力と同じくモータ制御部よりDOWNリレー出力が入力されると、[H]信号をゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1のゲートに出力するORゲート3を備える。
【0014】
次に従来装置の動作の概要を説明するならば、図8に示すようにモータMに過負荷がかからない限り、平均値avは判定しきい値レベルVthを空けて瞬時値による電流変化(di/dt▲1▼)に追従する。
瞬時値insは常に平均値avより判定しきい値レベルVth以下の値を維持することから、挟まれ検知回路JDは挟まれ検知出力CPOUTを出力することはない。
【0015】
しかし、ウィンドウ全閉時に窓ガラスに指等の異物が挟ってモータMに過大負荷が係り、モータ電流が急激に増加し瞬時値insが変化(di/dt▲2▼)すると、平均値avは瞬時値insの変化に追従できず、瞬時値insは平均値avを超えて挟まれ検知回路JDに入力される。
この結果、挟まれ検知回路JDはCPOUTを比較器CMP1とon/off制御回路CTに出力する。on/off制御回路CTはCPOUTが入力されている間、H/LのON/OFF信号からなるDUMMY信号を出力する。
【0016】
比較器CMP1はCPOUTが入力されている間、on/off制御回路CTより出力されるDUMMY信号の回数を計数し、この回数と予め設定された挟まれ判定回数31とを比較し、DUMMY信号が31回計数されたならば挟まれ判定を行う。
【0017】
以下、従来装置の動作の詳細を特に図9のon/off制御回路と図10のタイミングチャートを参照して説明する。
通常の窓ガラスアップ動作時
窓ガラスに異物の挟み込みが検知されていない通常の窓ガラスアップ動作時は、図10のタイミングチャートに示すように、挟み込みが検知されずCPOUTが[H]の時に、UPリレー出力が[L」より[H]に反転すると、ORゲート1の出力は[H]となってANDゲート2の一方の入力端子に入力される。
ANDゲート2の他方の入力端子に[H]のUPリレー出力が入力されるため、ANDゲート2からの[H]の出力はORゲート3を通して[H]のゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1に入力され電界効果トランジスタFET1をONする。
【0018】
電界効果トランジスタFET1のONによりドレイン電圧は0V付近に低下し、抵抗R13を通してコンパレータCMP1の非反転入力端子に入力される。この時、コンパレータCMP1の反転入力端子には、抵抗R12,R14,R15により決まる0Vより高い電源電圧VBの分圧電圧が入力されているため、コンパレータCMP1の出力であるDUMMY信号は[L」に反転する。
【0019】
DUMMY信号は図5に示す比較器CMPに出力されると共に、ORゲート1の入力端子に戻される。ORゲート1には[H]のCPOUTが入力されているため、ORゲート1から[H]の信号がANDゲート2に入力される。ANDゲート2からの[H]の信号はORゲート3に入力される。
【0020】
ORゲート3の出力は[H]のゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1に入力されるため、電界効果トランジスタFET1はON状態を保ち、前記説明したように[L」のDUMMY信号をCPOUT信号と共に、図5に示す比較器CMPに入力する。
【0021】
しかし、この時、入力したDUMMY信号は[L」レベルを維持しているため、比較器CMPは、DUMMY信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジを判定して計数しないため、DUMMY信号は挟まれ判定に供されることはない。
【0022】
挟み込み検知時
しかし、窓ガラス全閉動作時に、挟み込みが検知されるとCPOUT信号は[H]から[L」に反転してORゲート1に入力される。この時、ORゲート1に入力されるDUMMY信号は[L」であるためORゲート1の出力は[L」に反転されてANDゲート2に入力される。この結果、ANDゲート2の出力は[L」のDOWNリレー出力が入力されているORゲート3に入力される。従って、ORゲート3からは「L」のゲート電圧VGが電界効果トランジスタFET1に入力されるため、電界効果トランジスタFET1はOFFとなる。
【0023】
OFFにより、電界効果トランジスタFET1のドレイン電圧は0V付近から電源電圧VB付近に上昇し抵抗R13を通してコンパレータCMP1の非反転入力端子に入力される。この時コンパレータCMP1の出力であるDUMMY信号は[L」となって電界効果トランジスタFET2のゲートに印加されるため、電界効果トランジスタFET2はOFFとなり、抵抗R12には抵抗R14のみが直列接続され、これら抵抗R12,R14の比で決まる電源電圧VBの分圧電圧は3*VB/4(<VB)となってコンパレータCMP1の反転入力端子に入力される。
【0024】
コンパレータCMP1の非反転入力端子には抵抗R11,R13を通して電源電圧VBが入力されているため、コンパレータCMP1の出力であるDUMMY信号は[H]に反転され電界効果トランジスタFET2のゲートに入力されて、電界効果トランジスタFET2をONすることで抵抗R12には抵抗R14,R15の並列回路が直列されることで、電源電圧VBの分圧電圧は1*VB/4(<VB)となってCMP1の反転入力端子に入力される。
【0025】
また、DUMMY信号の入力により[H]となったORゲート1の出力はANDゲート2の一方の入力端子に入力される。ANDゲート2の他方の入力端子に[H]のUPリレー出力が入力されていることから[H]の信号を、ORゲート3に入力する。この結果、ORゲート3の出力は[H]のゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1のゲートに入力されることでON動作する。
【0026】
電界効果トランジスタFET1のドレイン電圧が低下を始め、反転入力端子にかかっている1*VB/4以下になるとコンパレータCMP1は[L」に反転することからDUMMY信号も[L」となってORゲート1に入力されると前記説明したようにゲート電圧VGは[L」となって電界効果トランジスタFET1をOFFする。
DUMMY信号の[L」により電界効果トランジスタFET2はOFFとなり、コンパレータCMP1の非反転入力端子に係る電圧は3*VB/4となる。
【0027】
電界効果トランジスタFET1のOFFにより、ドレイン電圧が電源電圧VBに向けて上昇を開始し、3*VB/4以上になるとコンパレータCMP1の出力は[H]に反転し、[H]のDUMMY信号をORゲート1に入力する。DUMMY信号が[H]になるとゲート電圧VGは[L」となって電界効果トランジスタFET1は[H]となり、ドレイン電圧が再び低下し1*VB/4以下になるとコンパレータCMP1の出力であるDUMMY信号は[L」となる。
【0028】
以上のように挟み込み検知時には、ゲート電圧VGのON/OFF変化に伴ってDUMMY信号もON/OFF変化するため、DUMMY信号の例えば立ち上がりエッジ回数を比較器CMPに入力して計数し、計数値が挟まれ判定回数である31になったならば、挟み込みを判定する。
【0029】
従来の装置は以上のように、通常動作時には緩やかに変化する平均値avを瞬時値insに追従させる。そして、挟まれが発生すると、平均値avは急激に変化する瞬時値insに追従できず瞬時値insが平均値avを超えた時に、挟み込みを検知して電界効果トランジスタFET1をON/OFF制御することで負荷電流を制限してモータトルクを制御し挟まれ荷重を低減させる。
【0030】
また、一旦、挟み込みを検出した後でも、ON/OFF制御中に挟み込みが解消されるとCPOUTが「H」となり、DUMMY信号は「L」を維持するため通常動作に復帰することができる。これにより挟み込み誤判定をおそれて挟み込み荷重を高く設定する必要がなくなる。
【0031】
【発明が解決しようとする課題】
従来の挟み込み検出装置は、以上のように挟み込み検出後は、電界効果トランジスタFET1をON/OFF制御して、負荷電流の制限を行い、モータトルクの制御を行うことで挟み込み荷重を低めに設定している。しかし、挟み込み検出後は実際電界効果トランジスタFET1を数十μsec周期でターンオン、ターンオフを行うと電界効果トランジスタFET1のスイッチング特性によってはターンオフの応答性が低下し過大負荷電流が長時間流れて電界効果トランジスタFET1が発熱することがある。
【0032】
また、実際に挟み込み検出時から電界効果トランジスタFET1のON/OFF制御を開始して負荷電流の制限を行い、モータトルクを制御しながら窓ガラスを上昇駆動すると、電界効果トランジスタFET1のON/OFFの繰り返し数を31回計数して初めて挟み込みを判定してモータを逆回転する。
【0033】
これは、モータトルクを制御しながらも、ON/OFFの繰り返し数が31回に至るまで異物である例えば人の指に挟み込み荷重を与え続けることになる。
この結果、FMVSS(Federal Motor Vehicle Safety Standard)で規定されている100ニュートン以上の力が異物に加えられる前にモータを逆回転することができず、FMVSSの規定を満たすような挟み込み荷重の低減は期待できないという不具合がある。
【0034】
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、挟み込み荷重を低減できると共に、FMVSS規定を満たすことができるパワーウィンドウ挟み込み検出装置を得ることを目的とする。
【0035】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明に係るパワーウィンドウの挟み込み検出装置は、図1の基本構成図に示すように、車両のウィンドウガラスWGをモータMにて開閉させるパ ワーウィンドウの異物ASの挟み込みを検出する装置であって、前記パワーウィンドウ駆動時に供給される制御信号により制御され、電源VBから前記モータM への電力供給を制御する半導体スイッチング素子SSと、前記パワーウィンドウ駆動時に、前記モータMに流れる負荷電流ILを検出する電流検出手段CDと、 前記検出された負荷電流ILの値に基づいて挟まれ検知を行う挟まれ検知手段Jと、前記挟まれが検知されている間、前記半導体スイッチング素子SSをオン/ オフ制御するオン/オフ制御信号Son/offを出力する制御信号出力手段CSと、挟まれ検知時より第1の時間に亘り、前記出力されている前記オン/オフ 制御信号Son/offの前記半導体スイッチング素子SSへの入力を無効として前記半導体スイッチング素子をオフ制御するON/OFF制御手段Con/offと、前記第1の時間が経過 した後の第2の所定時間に至っても前記オン/オフ制御信号Son/offが出力されているときに挟まれ判定を行う挟まれ判定手段DJとを備えたものである。
この発明によれば、挟まれ検知信号の出力に基づき半導体スイッチング素子SSのオン/オフ制御信号Son/offを出力すると共に、半導体スイッチング 素子SSを第1の時間オフした状態で、このオフ時間中を含めてオン/オフ制御信号Son/offの出力時間を計時し予め設定された第2の時間に至ったなら ば挟み込みを判定することで、挟まれ検知時には半導体スイッチング素子SSを第1の時間に亘ってオフすることでトータル的に半導体スイッチング素子SSへ の過大負荷電流の通電時間を減らして発熱を阻止し、また挟み込みを判定する間での第2の時間には半導体スイッチング素子SSをオフしている第1の時間も含 まれるため実際には少ない窓ガラス移動量で挟み込みを判定できるため、挟み込み荷重を低減できる。
【0036】
請求項2の発明に係るパワーウィンドウの挟み込み検出装置における前記ON/OFF制御手段Con/offが、挟まれ検知信号の入力時に前記半導体スイッチング素子SSに第1の時間に亘ってオフ制御信号を出力するタイマ手段Tmを備えたものである。この発明によれば、挟まれ検知信号の出力に基づき半導体スイッチング素子SSのオン/オフ制御信号Son/offを出力すると共に、半導体スイッチング素子SSをタイマ手段Tmによって設定した第1の時間オフしている期間中よりオン/オフ制御信号Son/offの出力時間を計時し、第1の時間が終了したならばオン/オフ制御信号Son/offにより半導体スイッチング素子SSをオン/オフ制御することで、半導体スイッチング素子SSを第1の時間の間、確実にオフ制御してからオン/オフ制御へ移行することができるため、挟まれ検知時より挟まれ判定に至るまでの間、過大負荷電流の通電時間を押さえることができる。
【0037】
請求項3の発明に係るパワーウィンドウの挟み込み検出装置における挟まれ判定手段DJは、半導体スイッチング素子SSのオフ制御開始時よりオン/オフ制御信号出力時間を計時する。
この発明によれば、挟まれ検知時より挟まれ判定に至るまでの間オン/オフ制御信号が出力されている時間は半導体スイッチング素子SSをオフ制御している時間が含まれているため、実際にオン/オフ制御信号により半導体スイッチング素子SSをオン/オフ制御してモータのトルク制御を行いながらウィンドウガラスWGを上昇移動させた場合に、挟み込み判定に至るまでのウィンドウガラス移動量を少なくできるため挟み込み荷重を低減させることができる。
【0038】
【発明の実施の形態】
実施の形態
図2は本発明による挟み込み検出装置のシステム構成を示す図である。
本装置は、例えばドアー内側の肘掛け部の上面に配置された窓ガラス閉成用スイッチSW1、窓ガラス開放用スイッチSW2の動作により窓ガラス駆動用モータ(以下、モータと記載する。)Mをアップ動作させるためのUP駆動信号SU、モータMをダウン動作させるためのDOWN駆動信号SDを出力すると共に、挟まれ検知時にモータMに流れる電流を一定範囲に制限してモータMをトルク制御するために後述する電界効果トランジスタFET1のON/OFF制御信号を出力したり、挟まれ判定信号JSを入力時にDOWN駆動信号SDを出力する制御回路CT1、モータMに流す電流の方向を切り換え、モータ回転方向を切り換えるリレーRy、UP駆動信号SUまたはDOWN駆動信号SDよりON動作してリレーRyを駆動するトランジスタQ1,Q2、リレーRyを通してモータMに接続され、モータ電流を制限してモータトルクを制御する電界効果トランジスタFET1、電界効果トランジスタFET1のソースとグランド間に接続され、電界効果トランジスタFET1に流れるモータ電流を電圧変換して検出するシャント抵抗RS、シャント抵抗RSの両端の電位を検出しモータ電流の瞬時値insとして出力する電流センサCS、同じくシャント抵抗RSの両端の電位を検出して予め設定された時定数の平滑回路で平滑化し、モータ電流の平均値avとして出力する平均値回路AV、平均値avと瞬時値insとを比較し瞬時値insが平均値avを超えたとき窓ガラスと窓枠との間における異物の挟まれを検知し、異常出力CPOUTを出力する挟まれ検知回路JD、挟まれ検知時に電界効果トランジスタFET1をON/OFF動作させてモータ電流を制限し、モータMのトルクを制御するon/off制御回路CT2、電界効果トランジスタFET1のON/OFF動作に伴いon/off制御回路CT2より出力されるON/OFF信号からなるDUMMY信号を計数し、その計数値と予め設定された挟まれ判定回数とを比較し、その比較結果に基づいて挟まれ判定信号JSを制御回路CT1に出力する比較器CMP1を備える。
窓ガラス開放用スイッチSW2および窓ガラス閉成用スイッチSW1の制御回路CT1への接続側には、スイッチがOFF時に制御回路CT1の入力を「L」レベルに維持するよう一端が接地されたプルダウン抵抗R1,R2が接続されている。
【0039】
尚、平均値回路AV、電流センサCS、挟まれ検知回路JD、比較器CMPの構成、動作に関しては従来の技術で述べたものと同様である。
【0040】
リレーRyにおける各励磁コイルCL1,CL2の一端は、アノードにモータ駆動用のバッテリBTの+端子が接続された逆流防止用ダイオ−ドDのカソードに共通接続され、各励磁コイルCL1,CL2の他端はエミッタが接地されたトランジスタQ1,Q2のコレクタにそれぞれ接続される。リレーRyの各共通接点C1,C2間にはモータMが接続され、共通接点C1に対応する常開接点a1と共通接点C2に対応する常開接点a2はバッテリBTの+端子に共通接続され、共通接点C1に対応する常閉接点b1と共通接点C2に対応する常閉接点b2はモータ電流制御用の電界効果トランジスタFET1のドレインに共通接続される。
【0041】
窓ガラス閉成用スイッチSW1のON動作でトランジスタQ1をONし、窓ガラス開放用スイッチSW2を無動作でトランジスタQ2をOFFすると励磁コイルCL1が励磁されて常開接点a1は閉成する。この結果、バッテリBTより常開接点a1−モータM−常閉接点b2を通して電界効果トランジスタFET1のドレインに電流が流れ、モータMは窓ガラスを上昇(閉成)する方向に回転する。
【0042】
窓ガラス閉成用スイッチSW1の無動作でトランジスタQ1をOFFし、窓ガラス開放用スイッチSW2のON動作でトランジスタQ2をONすると励磁コイルCL2が励磁されて常開接点a2は閉成する。この結果、バッテリBTより常開接点a2−モータM−常閉接点b1を通して電界効果トランジスタFET1のドレインに電流が流れ、モータMは窓ガラスを降下(開放)する方向に回転する。この時、モータMに流れる電流の方向は窓ガラス閉成時と逆である。
【0043】
尚、窓ガラス全閉動作時および全開動作時には、電界効果トランジスタFET1のゲートには制御回路CTより[H]のゲート電圧VGが出力されているためON状態である。
【0044】
本実施の形態に係るon/off制御回路を図3に示す。図においてモータM、電界効果トランジスタFET1およびシャント抵抗RSは、図2に示すモータM、電界効果トランジスタFET1およびシャント抵抗RSを示す。
電界効果トランジスタFET1のドレインは、挟み込み判定を行うコンパレータCMP1の非反転入力端子に電流制限抵抗R13を通して接続される。反転入力端子には電源VBの+端子とグランド間に直列接続された分圧抵抗R12,R14の接続点が接続される。
【0045】
グランド側に接続された分圧抵抗R14には、抵抗R15と電界効果トランジスタFET2との直列回路が並列接続され、電界効果トランジスタFET2のゲートにはコンパレータCMP1の出力端子が接続される。
【0046】
コンパレータCMP1の出力端子にはプルアップ抵抗R16が接続される。また、電源VBの+端子と電界効果トランジスタFET1のドレインとの間には抵抗値の大きい抵抗R11が接続され、ドレインに電源VBより微少電流を流すようにしている。
【0047】
更に、電界効果トランジスタFET1のゲートにはゲート制御部GTaが設けられ、このゲート制御部GTaはDUMMY信号と挟まれ検知回路JD(図2を参照)から出力されるCPOUTとが入力されるORゲート1、ORゲート1の出力と制御回路CT1より出力されたUPリレー駆動信号SUが入力されるANDゲート2、ANDゲート2の出力と同じく制御回路CT1より出力されたDOWN駆動信号SDが入力されるORゲート3、CPOUTの立ち下がりエッジに同期して2ms間[L」信号を出力するタイマT、タイマTの出力とORゲート3の出力を入力し、その出力を電界効果トランジスタFET1のゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1のゲートに入力するANDゲート4より構成される。
【0048】
2msの間「L」信号が出力されると、電界効果トランジスタFET1は2msの間OFFし、2ms経過した後もCPOUTが出力されている場合は、DUMMY信号に同期してON/OFF動作を従来の挟み込み検知時と同様に行う。尚、ここでコンパレータCMP1は図2のシステム構成図に示された比較器CMPと同様である。
【0049】
次に本実施の形態の動作の概要を説明する。
窓ガラスへの異物の挟まれによりモータMに過大負荷がかかり、モータ電流が急激に増加しない限り、図8に示すように平均値avは判定しきい値レベルVthを空けて瞬時値insに追従する。
そのため、瞬時値insは常に平均値avより判定しきい値レベルVth以下の値を維持することから、図7に示す挟まれ検知回路JDは挟まれ検知の異常出力CPOUTを出力することはない。
【0050】
しかし、ウィンドウ全閉時に窓ガラスに指等の異物が挟まり、モータトルクが変化することでモータMに過電流が流れると、瞬時値insは平均値回路AVの時定数より速い速度で変化(di/dt▲2▼)するため、瞬時値insは緩やかに変化している平均値avを超えて挟まれ検知回路JDに入力される。この結果、挟まれ検知回路JDはCPOUTを比較器CMP1とon/off制御回路CT2に出力する。on/off制御回路CT2はCPOUTを入力されている間、H/LのON/OFF信号からなるDUMMY信号を出力する。
【0051】
出力されたDUMMY信号が「H」に立ち上がったならば、タイマTを稼働させ電界効果トランジスタFET1を2msに亘ってOFFする信号を出力すると共にDUMMY信号の計数を開始する。2ms経過し電界効果トランジスタFET1がONに復帰した後もCPOUTが出力されDUMMY信号が出力されていたならば継続してDUMMY信号を計数する。比較器CMPはDUMMY信号の計数結果と予め設定された挟まれ判定回数31とを比較し、DUMMY信号が31回計数されたならば挟まれ判定を行う。
【0052】
次に本実施の形態の動作の詳細をon/off制御回路CT2を中心に図4のタイミングチャートに従って説明する。
通常の窓ガラスアップ動作時
窓ガラスに異物の挟み込みが検知されていない通常の窓ガラスアップ動作時は、図4のタイミングチャートに示すように、挟み込みが検知されずCPOUTが[H]の時に、UPリレー出力が[L」より[H]に反転すると、ORゲート1の出力は[H]となってANDゲート2の一方の入力端子に入力される。
【0053】
ANDゲート2の他方の入力端子に[H]のUPリレー出力が入力されるため、ANDゲート2からの[H]の出力はORゲート3を通して[H]のゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1に入力され、電界効果トランジスタFET1は導通する。
【0054】
電界効果トランジスタFET1の導通によりドレイン−ソース電圧は0V付近に低下し、抵抗R13を通してコンパレータCMP1の非反転入力端子に入力される。この時、コンパレータCMP1の反転入力端子には、抵抗R12,R14,R15により決まる0Vより高い電源電圧VBの分圧電圧が入力されているため、コンパレータCMP1出力であるDUMMY信号は[L」に反転する。
【0055】
DUMMY信号は図5に示す比較器CMPに出力されると共に、ORゲート1の入力端子に戻される。ORゲート1には[H]のCPOUTが入力されているため、ORゲート1から[H]の信号がANDゲート2に入力される。ANDゲート2からの[H]の信号はORゲート3に入力される。ORゲート3の出力は[H]のゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1に入力されるため電界効果トランジスタFET1はON状態を保ち、前記説明したように[L」のDUMMY信号をCPOUT信号と共に、図5に示す比較器CMPに入力する。しかし、この時CPOUTは[H]であるため、入力したDUMMY信号は挟まれ判定に供されることはない。
【0056】
挟み込み検知時
しかし、挟み込みが検知されると、CPOUT信号は[H]から[L」に反転する。この時、ダミー信号は[L」であるためORゲート1の出力が[L」に反転されてANDゲート2に入力されると、ANDゲート2の出力は[L」のDOWNリレー出力が入力されているORゲート3に入力される。従って、ANDゲート4の出力は「L」に反転され、電界効果トランジスタFET1のゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1に入力される。
【0057】
この結果、電界効果トランジスタFET1はOFFとなるため、ドレイン−ソース間電圧は0V付近から電源電圧VB付近に上昇してコンパレータCMP1の非反転入力端子に入力される。この時DUMMY信号は[L」であるため電界効果トランジスタFET2はOFFとなり、抵抗R12には抵抗R14のみが直列接続され、これら抵抗R12,R14の比で決まる電源電圧VBの分圧電圧は3*VB/4(<VB)となってコンパレータCMP1の反転入力端子に入力される。
【0058】
コンパレータCMP1の非反転入力端子には抵抗R11,R13を通して電源電圧VBが入力されているため、コンパレータCMP1の出力であるDUMMY信号は[H]に反転される。DUMMY信号が[H]になると、タイマTが稼働し[L」信号を2msに亘ってANDゲート4の一方の入力端子に入力する。
【0059】
この結果、ゲート電圧VGが2ms継続して[L」となり電界効果トランジスタFET1をOFFすることで、モータ電流を確実に2msOFFしモータの駆動を停止する。電界効果トランジスタFET1のOFFによりドレイン電圧は電源電圧VBを維持する。
そしてコンパレータCMP1の非反転入力端子にはVBが印加される。このときDUMMY信号は[H」であるため電界効果トランジスタFET2はONとなり、コンパレータCMPに反転入力端子には1*VB/4が印加されるためコンパレータCMP1出力であるDUMMY信号は[H]となる。
【0060】
次に、[H]のDUMMY信号が電界効果トランジスタFET2に印加されると、コンパレータCMP1の反転入力端子には1*VB/4が印加される。このとき、抵抗14に抵抗15が並列接続され抵抗値が減る、従って電源VBより大きな電流が流れ抵抗R11による電圧降下が増加し、CMP3の非反転入力端子にかかる電位は1*VB/4より低下するためコンパレータCMP1の出力であるDUMMY信号は[L」に反転する。
【0061】
[L」に反転したDUMMY信号が電界効果トランジスタFET2のゲートに印加されるとOFFとなり、合成抵抗(抵抗R12+抵抗R14)は大きくなるため電源VBより流れる電流は少なくなる。よって、抵抗R11による電圧降下は小さく、非反転入力端子にかかる3*VB/4より大きくなりコンパレータCMP1の出力であるDUMMY信号は[H」に反転する。
【0062】
従って、電界効果トランジスタFET1がOFFでありモータ電流がOFFの間でもDUMMY信号は[H],[L」を繰り返す。このDUMMY信号は電界効果トランジスタFET1がOFFであっても計数される。
【0063】
電界効果トランジスタFET2のゲート電圧が「H」となり、電界効果トランジスタFET2がONすると抵抗12には抵抗R14,R15の並列回路が直列されることで、電源電圧VBの分圧電圧は1*VB/4(<VB)となってCMP3の反転入力端子に入力される。
【0064】
また、ダミー信号の入力により[H]となったORゲート1の出力はANDゲート2の一方の入力端子に入力される。ANDゲート2の他方の入力端子に[H]のUPリレー出力が入力されていることから、[H]の信号をORゲート3に入力すると、ORゲート3の出力は[H]のゲート電圧VGとして電界効果トランジスタFET1のゲートに入力されることでON動作する。
【0065】
この結果、電界効果トランジスタFET1のドレイン−ソース間電圧は低下を始め、1*VB/4以下になるとコンパレータCMP1は[L」に反転することからDUMMY信号も[L」となってORゲート1に入力されると前記説明したようにゲート電圧VGは[L」となって電界効果トランジスタFET1をOFFする。
【0066】
この結果、ドレイン−ソース間の電圧が電源電圧VBに向けて上昇を開始し、1*VB/4以上になるとコンパレータCMP1の出力は[H]に反転し、[H]のDUMMY信号をORゲート1に入力する。DUMMY信号が[H]になるとゲート電圧VGは[L」となって電界効果トランジスタFET1はONとなり、ドレイン−ソース間電圧は再び低下し3*VB/4以下になるとCMPの出力であるDUMMY信号は[L」となる。
【0067】
以上のように、2ms経過した時点でDUMMY信号が[H]であり、挟まれ検知によりCPOUTが出力されていると、電界効果トランジスタFET1のON/OFFに伴うドレイン−ソース間の変化でコンパレータCMPの出力(DUMMY信号)も[H],[L」を繰り返す。このDUMMY信号をゲート電流OFF期間中に計数されたDUMMY信号に引き続き計数されトータルの計数値が31であれば挟まれ判定を行う。
【0068】
このように挟まれ検知時にはモータ電流をカットしモータMの駆動を停止することで挟まれ荷重を低減できる。更にモータ電流のカット終了後から挟まれ判定に至るまではモータMの回転トルクを低減しながら窓移動量を少なくすることができるため、FMVSSを満足させる荷重低減が可能となる。
尚、本実施の形態ではDUMMY信号の計数回数が31のときの挟まれ判定を行ったが、電界効果トランジスタFET1をON/OFF制御してモータMのトルク制御を行い、トルクが100ニュートンに至るときのON/OFF制御回数を予めモータM毎に測定し、その回数に基づいてDUMMY信号の挟まれ判定回数を決める等して、100ニュートンに至ると思われるON/OFF制御回数をモータM毎に任意に変更してもよい。
また、FMVSSを満足させる荷重低減であれば、トルクは特に100ニュートンに限定することはない。従って、DUMMY信号の挟まれ判定回数も無論、設定したトルクに応じて決めることができる。
【0069】
【発明の効果】
この発明によれば、挟まれ検知信号の出力に基づき半導体スイッチング素子SSのオン/オフ制御信号Son/offを出力して挟み込み荷重を低減すると共に、半導体スイッチング 素子SSを第1の時間オフした状態を設け、このオフ時間中を含めてオン/オフ制御信号Son/offの出力時間を計時し予め設定された第2の時間に至ったなら ば挟み込みを判定しているので、挟まれ検知時には半導体スイッチング素子SSを第1の時間に亘ってオフすることでトータル的に半導体スイッチング素子SSへ の過大負荷電流の通電時間を減らし発熱を阻止し、また挟み込みを判定する間での第2の時間には半導体スイッチング素子SSをオフしている第1の時間も含ま れるため実際には少ない窓ガラス移動量で挟み込みを判定できるため、挟み込み荷重を低減できるという効果がある。
【0070】
この発明によれば、(挟まれ検知信号の出力に基づき半導体スイッチング素子SSのオン/オフ制御信号Son/offを出力すると共に、半導体スイッチング素子SSをタイマ手段Tmによって設定した第1の時間オフしている期間中よりオン/オフ制御信号Son/offの出力時間を計時し、第1の時間が終了したならばオン/オフ制御信号Son/offにより半導体スイッチング素子SSをオン/オフ制御することで、半導体スイッチング素子SSを第1の時間の間、確実にオフ制御してからオン/オフ制御へ移行することができるため挟まれ検知時より挟まれ判定に至るまでの間、過大負荷電流の通電時間を押さえることができるので半導体スイッチング素子SSの発熱を防止できるという効果がある。
【0071】
この発明によれば、挟まれ検知時より挟まれ判定に至るまでの間オン/オフ制御信号が出力されている時間は半導体スイッチング素子SSをオフ制御している時間が含まれているため、実際にオン/オフ制御信号により半導体スイッチング素子SSをオン/オフ制御してモータのトルク制御を行いながら窓ガスを上昇移動させた場合に、挟み込み判定に至るまでの窓ガラス移動量を少なくできるため挟み込み荷重を低減させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明に係るパワーウィンドウ挟み込み検出装置の基本構成を示す図である。
【図2】図2は本実施の形態に係るパワーウィンドウ挟み込み検出装置のシステム構成を示す図である。
【図3】図3は本実施の形態に係るon/off制御回路の構成図である。
【図4】図4は図3に示すon/off制御回路の動作を説明するタイミングチャートである。
【図5】図5は従来のパワーウィンドウ挟み込み検出装置の概要を示すブロック図である。
【図6】図6は図5に示す電流センサの動作を説明する図である。
【図7】図7は図5に示す平均値回路の動作を説明する図である。
【図8】図8は図5に示す挟まれ検知回路の動作を説明する図である。
【図9】図9は図5に示すon/off制御回路の構成を示す図である。
【図10】図10は図5に示すon/off制御回路の動作を説明するタイミングチャートである。
【符号の説明】
WG ウィンドウガラス
M モータ
AS 異物
SS 半導体スイッチング素子
IL 負荷電流
CD 電流検出手段
J 挟まれ検知手段
Son/off オン/オフ制御信号
CS 制御信号出力手段
Con/off ON/OFF制御手段
DJ 挟まれ判定手段
Soff オフ制御信号
Tm タイマ手段
Claims (3)
- 車両のウィンドウガラスをモータにて開閉させるパワーウィンドウの異物の挟み込みを検出する装置であって、
前記パワーウィンドウ駆動時に供給される制御信号により制御され、電源から電力供給を制御する半導体スイッチング素子と、
前記パワーウィンドウ駆動時に、前記モータに流れる負荷電流を検出する電流検出手段と、
前記検出された負荷電流の値に基づいて挟まれ検知を行う挟まれ検知手段と、
前記挟まれが検知されている間、前記半導体スイッチング素子をオン/オフ制御するオン/オフ制御信号を出力する制御信号出力手段と、
挟まれ検知時より第1の時間に亘り、前記出力されている前記オン/オフ制御信号の前記半導体スイッチング素子への入力を無効として前記半導体スイッチング素子をオフ制御するON/OFF制御手段と、
前記第1の時間が経過した後の第2の所定時間に至っても前記オン/オフ制御信号が出力されているときに、挟まれ判定を行う挟まれ判定手段と、を備えたことを特徴とするパワーウィンドウの挟み込み検出装置。 - 前記ON/OFF制御手段が、挟まれ検知信号の入力時に前記半導体スイッチング素子に第1の時間に亘ってオフ制御信号を出力するタイマ手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載のパワーウィンドウの挟み込み検出装置。
- 前記挟まれ判定手段は半導体スイッチング素子のオフ制御開始時よりオン/オフ制御信号の出力時間を計時することを特徴とする請求項1に記載のパワーウィンドウの挟み込み検出装置。
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