JP3923663B2 - 並列入力/データストロブクロックを有する同期型バースト半導体メモリ装置 - Google Patents
並列入力/データストロブクロックを有する同期型バースト半導体メモリ装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも1つの外部クロック信号に同期して動作する半導体ランダムアクセスメモリ装置に係り、より詳しくは、各々のデータワードが外部クロック信号のエッジ毎に同期して駆動される動作モードを有する同期型バーストメモリ装置に適合な内部クロック発生器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体メモリ装置はマイクロプロセッサーにおけるデータ貯蔵を提供するために常に使用されている。歴史的には半導体メモリ装置はプロセッサーによって非同期的に制御されている。これはマイクロプロセッサーがメモリ装置の入力にアドレスを置かれるようにしてRAS(row address strobe)及びCAS(column address strobe)ピンを使用してそれをストロブする。アドレスは時間の必要な最少長さで維持される。この時間中にメモリ装置はそのアドレスされた位置にアドレスして、最少遅延後に、プロセッサーからの新たなデータをその位置に書込するか或いはその位置からのデータを読出するためのプロセッサーを提供する。この時間中に、プロセッサーはラインをプリチャジする機能、アドレスをディコードする機能、データを感知する機能、出力バッファを通じてデータをルーチンアウトする機能のように様々な内部機能を遂行するため、メモリ装置で待機しなければならない。 これは高速プロセッサーが応答するためメモリ装置で待機する”待機状態(wait state)”を生成することによって全体のシステムの動作速度を低下される。
【0003】
マイクロプロセッサーは計算速度を向上させる。したがって、半導体メモリ装置はアクセス速度を増加させることが予測される。しかしながら、最近のプロセス技術が利用され、超大規模集積セットのチップサイズがアクセス速度に制限され、半導体メモリ装置はシステム設計者の条件を満足させない。
【0004】
半導体メモリの帯域幅を改善させるため、いくつかの構成が使用されている。通常使用されているものが同期型インタフェース構成である。メモリはシステムクロックの制御の下で、これらを同期させる。同期型メモリにおいて、データを保持することができる入力/出力ラッチが付加される。入力ラッチはメモリ装置の入力のアドレスと、データと、制御信号とをストロブすることができる。プリセットされたクロックサイクル以後、データはメモリから読出或いはメモリに書込するため、同期制御によってメモリ装置の出力ラッチとして利用される。同期制御はメモリ装置がシステムクロックの制御の下でプロセッサーイン及びアウトからの情報をラッチすることを意味する。クロックサイクルおいて、そのタスク(task)を完了するのには、どのくらい多くのメモリが必要であるかをプロセッサーは分かるから、メモリがその要求を処理には他のタスクに関係なく、その他のタスクを安全に遮断するか遂行するか知られる。同期型制御の主たる長所はシステムクロックエッジがシステムによってメモリに提供されなければならないタイミングストロブだけであることである。これは印刷回路基板或いはモジュールを囲む多重タイミングストロブ伝達を減少させる。
【0005】
メモリ装置が速度と帯域幅面では相当に有利であるが、プロセッサーの速度要求条件とは差が又ある。適切なメモリ帯域幅を提供するための解決方法はシステム構成に依存し、これらの応用要求条件及びプロセッサープローすべてはメモリタイプを決定することに助けられる。
【0006】
速度と帯域幅を向上させるための一つの方案はバーストアクセス技術を使用することである。バーストアクセスは内部タイミング遅延成分を減少させる。この技術に従うと、例えば、活性読出/書込命令及びプリチャジタイムは第1アクセス以後隠される。バーストメモリにおいて、初期アドレス入力以後、後続アドレスがバーストメモリに新たなアドレス情報を入力させなく、早い連続で内部的に発生されることによって、感知増幅器の一連のバーストデータワードが第1データワードのアクセス以後に速やかにクロックアウトされる。このバーストモードアクセスはメモリ装置の内部バースが外部バースより広いことが長所である。これは一連のバーストモードアドレスからのすべてのデータがバーストメモリ装置から初期アドレスのエントリ(entry)上の出力にフェト(fet)させるようにする。
【0007】
速度と帯域幅を向上させるための他の方案は”500Mbyte/sec Data Rate512Kbitsx9DRAM Using a NovelI/O Interface”という題目でKushiyama、N.、等による、1992年6月発行された”Symposium on VLSI Circuit Digest of Techinical papers”の66−67頁に記載されている。同期型メモリ装置は外部クロック信号の上昇/下降エッジ両方に応じてデータをアクセスして、メモリ装置のデータ率をダブリングする。ダブルデータ率メモリはシングルデータ率メモリの限界を克服する。メモリ装置のダブルデータ率読出動作の中に、アドレスは外部クロックの第1上昇エッジでレジストされ、初期アレーは外部データ長さの2倍をラッチする。次のサイクルの中に、データは上昇/下降クロックエッジ両方で順次的に外部データバースを駆動させる。
【0008】
確実に入力/出力同期されるために、複数のデータ率メモリがデータ出力に同期された相補入力/出力ストロブクロックを使用する。この例は1996年4月30日、Farmwald et alに許与された U.S.特許第5,513,327(”Integrated Circuit I/O Using A Performance Bus Interface”と”A 32−Bank 1Gb DRAM with 1GB/s Bandwidth” という題目で Yoo,J.H.,等による、1996年2月発行された”ISSCC Digest of Technical Papers”の378−379頁に記載されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の入力/出力データストロブクロック発生方法はシングルとダブルデータ率モードとの間の遷移とバースト読出或いは書込が遂行されている時間中にバーストの長さの変化には適用できない問題があった。
【0010】
従って、本発明の目的は、バースト長さに依存する入力/出力ストロブクロックを適切に発生させる入力/出力データストロブクロック発生器を有する同期型バーストメモリ装置を提供することにある。
【0011】
本発明の他の目的は、入力/出力データ率に依存する入力/出力ストロブクロックを適切に発生させる入力/出力データストロブクロック発生器を有する同期型バーストメモリ装置を提供することにある。
【0012】
本発明のその他の目的は、ダブルデータ率モードを有し、シングルデータ率モードにおけるタイミングマージンと殆ど同一なダブルデータ率モードにおけるタイミングマージンを提供する同期型バーストメモリ装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの特徴によると、少なくとも1つの外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置が提供される。バーストメモリ装置は外部クロック信号に同期して複数の出力ストロブクロック信号を発生させるため、前記外部クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号と、外部アクセスタイプ入力信号に応じる、読出イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1と第2のアクセスタイプ制御信号と、外部データ率入力に応じる第1と第2のデータ率信号とに応答して異なるデータ率に対応する第1と第2のクロックイネーブル信号を発生すると共に、前記第1のアクセスタイプ制御信号と、前記第1と第2のクロックイネーブル信号とをディコードして異なるデータ率に対応する第1と第2のディコーディング信号を生成し、前記第1と第2の検出信号と、前記第1と第2のディコーディング信号に応答して順次的に活性化される、異なるデータ率に対応する複数の出力ストロブクロック信号を発生させるクロック発生器と、出力ストロブクロックに同期して内部データを出力するためのデータバッファとを備える。出力ストロブクロック信号は、各々のデータワードが前記外部クロック信号の上昇エッジ毎または下降エッジ毎に同期して駆動される場合、シングルデータ率モードと、各々のデータワードが前記外部クロック信号のエッジ毎に同期して駆動される場合、ダブルデータ率モードによって順次的に活性化される。複数の活性化された出力ストロブクロックがバースト読出動作のバースト長さに依存する。
【0014】
本発明のその他の特徴によると、少なくとも1つの外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置は、前記外部クロック信号に同期して複数の入力ストロブクロック信号を発生させるため、前記外部クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号と、外部アクセスタイプ入力信号に応じる、書込イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1と第2のアクセスタイプ制御信号と、外部データ率入力に応じる第1と第2のデータ率信号とに応答して異なるデータ率に対応する第1と第2のクロックイネーブル信号を発生すると共に、前記第1のアクセスタイプ制御信号と、前記第1と第2のクロックイネーブル信号とをディコードして異なるデータ率に対応する第1と第2のディコーディング信号を生成し、前記第1と第2の検出信号と、前記第1と第2のディコーディング信号に応答して順次的に活性化される、異なるデータ率に対応する複数の入力ストロブクロック信号を発生させるクロック発生器と、前記入力ストロブクロック信号に同期して内部データを入力するためのデータバッファとを備える。入力ストロブクロックは、SDRモードとDDRモードにおいて順次的に活性化される。複数の活性化された入力ストロブクロックがバースト書込動作のバースト長さに依存する。
【0015】
本発明のその他の特徴によると、互いに相補信号である1対の外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置は、前記外部クロック信号に同期して複数の出力ストロブクロック信号及び複数の入力ストロブクロック信号を発生させるため、前記クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号と、外部アクセスタイプ入力信号に応答する、読出イネーブル周期と、書込イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1ないし第3のアクセスタイプ制御信号と、外部データ率入力に応じる第1と第2のデータ率信号とに応答して異なるデータ率に対応する第1と第2のクロックイネーブル信号を発生すると共に、前記第1のアクセスタイプ制御信号と、前記第1と第2のクロックイネーブル信号とをディコードして異なるデータ率に対応する第1と第2のディコーディング信号を生成し、前記第1と第2の検出信号と、前記第1と第2のディコーディング信号に応答して順次的に活性化される、異なるデータ率に対応する複数の出力ストロブクロック信号を発生させ、更に、前記第2のアクセスタイプ制御信号と、前記第1と第2のクロックイネーブル信号とをディコードして異なるデータ率に対応する第3と第4のディコーディング信号を生成し、前記第1と第2の検出信号と、前記第3と第4のディコーディング信号に応答して順次的に活性化される、異なるデータ率に対応する複数の入力ストロブクロック信号を発生させるクロック発生器と、前記出力ストロブクロック信号に同期して内部データを出力するための第1のデータバッファと、前記入力ストロブクロック信号に同期して内部データを入力するための第2のデータバッファとを備える。入出力ストロブクロック信号は、SDRモードとDDRにおいて順次的に活性化される。複数の活性化された入出力ストロブクロック信号がバースト読出動作のバースト長さに依存する。
【0016】
本発明のその他の特徴によると、少なくとも一つの外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置は、クロックエッジ検出器と、バーストアクセスタイプ制御器と、クロックイネーブル信号発生器と、第1と第2ディコーダと、第1と第2クロック駆動器と、データアウトバッファと、データインバッファを含む。クロックエッジ検出器は上昇エッジ及び下降エッジを検出して第1と第2検出信号を発生させる。バーストアクセスタイプ制御器は外部アクセスタイプ入力信号に応答して、第1ないし第3のアクセスタイプ制御信号を発生させる。第1ないし第3検出タイプ信号は各々読出イネーブル周期と、書込イネーブル周期と、バースト連続周期を示す。データ率制御器は外部データ率入力に応じて第1と第2のデータ率信号を発生させる。クロックイネーブル信号発生器は、前記検出信号と、前記アクセスタイプ信号と前記データ率信号に応答し、SDRモードにおける第1クロックイネーブル信号と、DDRモードにおける複数の第2のクロックイネーブル信号を発生する。第1と第2クロックイネーブル信号はバースト読出動作のバースト長さに依存すると共に、順次的に活性化される。第1ディコーダは第1のアクセスタイプ制御信号と、第1クロックイネーブル信号と、第2クロックイネーブル信号とをディコードして、SDRモードにおける複数の第1ディコーディング信号とDDRモードにおける複数の第2ディコーディング信号を発生する。第1と第2ディコーディング信号は順次的に活性化される。複数の第1と第2のディコーディング信号はバースト読出動作のバースト長さによって決定される。第1クロック駆動器は第1と第2検出信号と、第1ディコーディングと第2ディコーディング信号に応じて複数の第1ストロブクロック信号を発生する。第1ストロブクロック信号は順次的に活性化される。第1ストロブクロック信号はバースト読出動作のバースト長さによって決定される。データアウトバッファは第1ストロブクロック信号に同期され内部データを出力する。第2ディコーダは第2のアクセスタイプ制御信号と、第1クロックイネーブル信号と、第2クロックイネーブル信号とをディコードしてSDRモードにおける複数の第3ディコーディング信号とDDRモードにおける複数の第4ディコーディング信号を発生する。第3と第4ディコーディング信号は順次的に活性化される。複数の第3と第4ディコーディング信号はバースト書込動作のバースト長さによって決定される。第2クロック駆動器は第1と第2検出信号と、第3ディコーディング信号と、第4ディコーディング信号に応じて複数の第2ストロブクロック信号を発生する。第2ストロブクロッククロック信号は順次的に活性化される。複数の活性された入力ストロブクロック信号はバースト書込動作のバースト長さによって決定される。データインバッファは第2ストロブクロック信号に同期され、外部データを入力する。クロックイネーブル信号発生器は複数のスイッチ素子と複数の信号ラッチによって実現される。各々の第1と第2ディコーダは複数のロジックゲートによって実現される。
【0017】
上述したことから明らかになったように、本発明である同期型バースト半導体装置によると、データイン及び/或いはデータアウトバッファはバースト長さに依存して適切にクロックされる。加えて、入力/出力データストロブクロックは入力/出力データ率に依存して適切に発生される。又、ダブルデータ率モードにおけるタイミングマージンが十分に獲得される。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図面では公知された回路がブロック図で示している。スタティックRAM(staticRAM)、ダイナミックRAM(dynamic RAM)、マスクROM(mask ROM)、フラシュEEPROM(flashEEPROM)、強誘電体RAM(ferroelectric RAM)のような多様な種類の半導体メモリ装置が本発明の実施の形態の発明的概念を実現するため使用することができる。本発明の実施形態の以下説明において、メモリ内に貯蔵されたデータは基準クロックとして動作するシステムクロックに同期されアクセスされる。
【0019】
以下、並列のデータ入力/出力ストロブクロックが、ダブルデータ率モードにおいて、サイクル時間制限が減少されられるために発生されるのが本発明の重要な特徴である。
【0020】
本発明による同期型バースト半導体装置の入力/出力ストロブクロック発生器の実施の形態を示している図1を参照して説明する。本発明の同期型バースト半導体装置は1対の相補外部信号クロック信号K及びKバーに同期されて動作する。メモリ装置は外部クロック信号K及びKバーのエッジ毎にデータをアクセスする。メモリ装置は外部クロック信号K及びKバーと外部制御信号XB1,XB2,及びXB3を受信して、外部クロック信号K及びKバーに同期して複数のデータ出力ストロブクロック信号KOUT1,KOUT2,...,及びKOUTnと複数のデータ入力ストロブクロック信号KDIN1,KDIN2,...,及びKDINn(ここで、nは正の整数)を内部的に発生させる内部ストロブクロック発生器100を含む。メモリ装置はデータアウトバッファ110とデータインバッファ120を付加的に含む。データアウトバッファ110はデータ出力ストロブクロック信号KOUTn(k=1、2、...、n)に同期して内部データをI/Oパッド(或はピン)300に出力する。データインバッファ120はデータ入力ストロブクロック信号KDIN1,KDIN2,...,及びKDINn(k=1、2、...、n)に同期して外部データをI/Oパッド300から入力する。
【0021】
内部ストロブクロック発生器100はクロックエッジ検出器130と、バーストアクセスタイプ発生器140と、データ率制御器150と、クロックイネーブル(CKE)信号発生器160と、第1ディコーダ170と、第1クロック駆動器180と、第2ディコーダ190と、第2クロック駆動器200とを含む。クロックエッジ検出器130は外部クロック信号Kの上昇(或は下降)エッジを検出して、活性低ロジックレベルの第1検出信号KFバーを発生させる。クロックエッジ検出器は又外部クロック信号Kバーの上昇(或は下降)エッジを検出して、活性低ロジックレベルの第2検出信号KBFバーを発生させる。第1と第2の検出信号KFバーとKBFバーは短いパルスである(図8と図9を参照)。バーストアクセスタイプ発生器は外部アクセスタイプ入力信号XB1とXB2に応じて第1ないし第3アクセスタイプ制御信号RENバーと、WENバーと、CTNSを発生させる。第1ないし第3アクセスタイプ制御信号RENバーと、WENバーと、CTNSとは読出イネーブル周期と、書込イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す。データ率制御器150は外部データ率入力XB3に応じて、第1と第2データ率信号DBLとSGLを発生させる。第1データ率信号DBLは各々のデータワードが外部クロック信号KとKバーのエッジ毎に同期して駆動されるダブルデータ率DDRモードを示し、第2データ率信号SGLは各々のデータワードが外部クロック信号KとKバーの上昇エッジ毎または下降エッジ毎に同期して駆動されるシングルデータ率SDRモードを示す。クロックイネーブル(CKE)信号発生器160は検出信号KFバーとKBFバーと、アクセスタイプ信号RENバー,WENバー及びCTNSと、データ率信号DBLとSGLに応じて、SDRモードにおける複数の第1クロックイネーブル信号SCKE1バー,SCK2バー,...、とSCKEnバーと、SDRモードにおける複数の第1クロックイネーブル信号SCKE1バー,SCKE2バー,...、とSCKEnバー、DDRモードにおける複数の第2クロックイネーブル信号DCKE1バー,DCKE2バー,...、とDCKEnバーを発生する。
【0022】
第1ディコーダ170は第1アクセス制御信号(即ち、読出イネーブル信号)RENバーと、第1クロックイネーブル信号SCKE1バー−SCKEnバーと、第2クロック信号DCKE1バー−DCKEnバーをディコードして、SDRモードにおける複数の第1ディコーディング信号RS1,RS2,...,及びRSnと、DDRモードにおける複数の第2ディコーディング信号RD1,RD2,...,RDnを発生する。第1ディコーディング信号RS1−RSnは順次的に活性化される。 第2ディコーディング信号RD1−RDnは又順次的に活性化される。複数の第1と第2のディコーディング信号の各々はバースト読出動作のバースト長さに依存する。第1クロック駆動器180は第1と第2の検出信号KFバーとKBFバーと、第1ディコーディング信号RS1−RSnと、第2ディコーディング信号RD1−RDnに応じてデータ出力ストロブクロック信号KOUT1,KOUT2,...,KOUTnを発生する。ストロブクロック信号KOUT1−KOUTnは順次的に活性化される。初期データはストロブクロック信号KOUT−KOUTnに同期してデータアウトバッファ110を経てI/Oパッド300に出力される。
【0023】
第2ディコーダ190は第2アクセス制御信号(即ち、書込イネーブル信号)WENバーと、第1クロックイネーブル信号SCKE1バー−SCKEnバーと、第2クロック信号DCKE1バー−DCKEnバーをディコードして、SDRモードにおける複数の第3ディコーディング信号WS1,WS2,...,及びWSnと、DDRモードにおける複数の第4ディコーディング信号WD1,WD2,...,WDnを発生する。第3と第4ディコーディング信号RS1−RSnとWD1−WDnは順次的に活性化される。複数の第3と第4のディコーディング信号の各々はバースト書込動作のバースト長さに依存する。第2クロック駆動器200はデータ入力ストロブクロック信号KIN1,KIN2,...,KINnを発生する。ストロブクロック信号KIN1−KINnは順次的に活性化される。I/Oパッド300からのデータはストロブクロック信号KIN1−KINnに同期してデータインバッファ120を通じて入力される。複数の活性化されたストロブクロック信号KDIN1−KDINnはバース書込動作に依存する。
【0024】
図2を参照しながら、クロックイネーブル(CKE)信号発生器160の詳細回路構成を説明する。クロックイネーブル(CKE)信号発生器160はレベル駆動器210と,経路セレクター215と,第1DRM(Data Rate Mode)−CKE信号発生器220と,第2DRM−CKE信号発生器230とを含む。レベル発生器210は第1と第2Pチャンネルプルアップ(pull−up)MOSトランジスターMP1とMP2、N−チャンネルプルダウン(pull−down)MOSトランジスターMN1,ラッチL1、バッファB1で構成される。第1プルアップトランジスターMP1は電源電圧221とノード224との間に結合されたソース−ドレーン導電経路(source−drainconduction path)(或いはチャンネル)と、バーストアクセスタイプ制御器140からの読出イネーブル信号RENバーに結合されたゲートを有する。第1プルアップトランジスターMP1は読出イネーブル信号RENバーに応じてタンオン/タンオフされる。第2プルアップトランジスターMP2は電源電圧221とノード224との間に結合されたソース−ドレーン導電経路と、バーストアクセスタイプ制御器140からの書込イネーブル信号WENバーに結合されたゲートを有する。第2プルアップトランジスターMP2は書込イネーブル信号WENバーに応じてタンオン/タンオフされる。第2プルダウントランジスターMN1はノード224と接地電圧222との間に結合されたソース−ドレーン導電経路と、バーストアクセスタイプ制御器140からのバースト連続信号CTNSに結合されたゲートを有する。第1プルダウントランジスターMN1はバースト連続信号CTNSに応じてタンオン/タンオフされる。ラッチL1はノード224に結合された入力と経路212と214に共通に結合された出力を有する。ラッチL1はノード222の電圧レベルをラッチする。バッファB1はノード224に結合された入力を有して、所定のバースト長さのバースト読出/書込動作が完了された後、リセット信号RSTを発生する。
【0025】
経路セレクター215は2つのスイッチSWDとSWSを有するが、1つのスイッチSWDがDDRモードにおける通路212に置かれ、その他のスイッチSWSがSDRモードにおける経路214に置かれる。スイッチSWDはデータ率制御器150からの第1データ率信号DBLによって制御される。スイッチSWSはデータ率制御器150からの第2データ率信号SGLによって制御される。スイッチSDWはDDRモードで閉められ、スイッチSWSはSDRモードで閉められる。
【0026】
第1DRM−CKE信号発生器220はn個のラッチ回路220−1,220−2,...,220−nを含む。図2に示したように、各ラッチ回路220−kはスイッチDSkと、ラッチDLkと、2つのインバータIDAk−IDBk(ここで、k=1,2,...,或いはnである)で構成される。各ラッチ回路220−kは1対のダブルDRM−DCK信号(DCKEk−DCKEkバー)を発生する。例えば、ラッチ回路220−1は信号DCKE1−DCKE1バーを発生し、ラッチ回路220−nはDCKEn−DCKEnバーを発生する。奇数ラッチ回路220−1,220−3、220−5,...内の各スイッチDS1,DS3,DS5,...は検出信号KBFバーによって制御され、偶数ラッチ回路220−2,220−4、220−6,...内の各スイッチDS2,DS4,DS6,...は検出信号KFバーによって制御される。ラッチDL1,DL2,...,DLnはバースト読出/書込動作が開始されるときバッファB1からの信号RSTによってリセットされる。
【0027】
第2DRM−CKE信号発生器230はn個のラッチ回路230−1,230−2,...,230−nを含む。図2に示したように、各ラッチ回路230−kは2つのスイッチSSAk及びSSBkと、2つのラッチSLAk及びSLBkと、2つのインバータISAk−ISBk(ここで、k=1,2,...,或いはnである)で構成される。各ラッチ回路230−kは1対のシングルDRM−DCK信号SCKEk−SCKEkバーを発生する。例えば、ラッチ回路230−1は信号SCKE1−SCKE1バーを発生し、ラッチ回路230−nはSCKEn−SCKEnバーを発生する。SSA1,SSA2,SSA3,...,SSAnは検出信号KBFバーによって制御され、スイッチSSB1,SSB2,...,SSBnは検出信号KFバーによって制御される。ラッチSLA1,SLA2,...,SLAnはバースト読出/書込動作が開始されるときバッファB1からの信号RSTによってリセットされる。
【0028】
信号K,Kバー,KFバー,KBFバー,RENバー,WENバー,DCKE1バー−DCKEnバーと、SCKE1バー−SCKEnバーとの間のタイミング関係は本発明の実施の形態によるメモリ装置のシングル/ダブルバースト読出/書込動作のタイミング図として図8と図9に示されている。図8と図9によると、タイミング関係はバースト長さとデータ率モードに依存することを知られる。
【0029】
図2と、図8と、図9を参照すると、バースト長さ(SR1)を有するSDRバースト読出/書込命令が付与されたサイクルC11或いはC21において、読出或いは書込イネーブル信号RENバー/WENバーがバーストアクセスモードにおける中に活性化された時、トランジスターMP1とMP2のうち1つがタンオンされる。このときには、ラッチDL1−DLn及びSLA1−SLAnがバッファB1からの信号RSTによってリセットされる。次には、ラッチL1は高レベルを出力し、スイッチSWSは信号SGLによって閉められる。KBFバーが活性化された時、ラッチSLA1はラッチL1の出力をラッチすることによって、クロックイネーブル信号SCKE1バーが低レベルになる。
【0030】
バースト長さ4(DR4)を有するDDRバースト読出/書込命令が与えられたサイクルC12或いはC22において、ラッチDL1−DLn及びSLA1−SLAnがバッファB1からの信号RSTによってリセットされ、ラッチL1は高レベルを提供する。このDDRモードにおいて、スイッチSWDは信号DBLによって閉められる。ラッチDL1はラッチL1の出力をラッチすることによって、クロックイネーブル信号DCKE1バーが低レベルになる。
【0031】
バースト連続命が付与されたサイクルC13或いはC23において、トランジスタMN1はタンオンされることによって、ラッチL1は低レベルの出力を提供する。KFバーが活性化され、スイッチDS2が閉められた時、ラッチDL1の出力がスイッチDS2を経てラッチDLWに伝送されたることによってクロックイネーブル信号DCKE2バーが低レベルになる。信号KBFバーが活性化されたとき、ラッチSLA1はラッチL1の出力をラッチされることによって、クロックイネーブル信号SCKE1バーは高レベルになる。このように、DDRモードにおける信号DCKE3バーとDCKE4バーは順次的に活性化される。
【0032】
バースト長さ4のシングル読出/書込命令SR4/SW4がサイクルC14或いはC24で付与された場合、SDRモードにおける信号SCKE1バーと、SCKE2バーと、SCKE3バーと、SCKE4バーは順次的に活性化される。
【0033】
以下、図3を参照して第1ディコーダ170の詳細な回路の構成を説明する。ディコーダ170は第1グルプのNORゲートG11,G12,...,G1nと第2グルプのNORゲートG21,G22, ..,G2nを含む。NORゲートG11,G12,...,G1nの第1入力は読出イネーブル信号RENに共に結合され、その第2入力はクロックイネーブル信号SCKE1バー−SCKEnバーに各結合される。NORケートG11,G12,...,G1nは信号RENバーとSCKE1バー−SCKEnバーのロジック機能を遂行して、SDRバースト読出動作におけるディコーディング信号としてロジック出力RS1,RS2と,...,RSnとを発生する。一方、NORゲートG21,G22,...,G2nの第1入力は読出イネーブル信号RENバーに共に結合され、その第2入力はクロックイネーブル信号DCKE1バー−DCKEnバーに各結合される。NORケートG21,G22,...,G2nは信号RENバーとDCKE1バー−DCKEnバーのロジック機能を遂行してDDRバースト読出動作におけるディコーディング信号としてロジック出力RD1,RD2,...,RDnを発生する。
【0034】
図4には第2ディコーダの詳細回路構成を示す。ディコーダ190は第1グルプのNORゲートG31,G32,...,G3nと第2グルプのNORゲートG41,G42, ..,G4nを含む。NORゲートG31,G32,...,G3nの第1入力は読出イネーブル信号RENバーに共に結合され、その第2入力はクロックイネーブル信号SCKE1バー−SCKEnバーに各結合される。NORケートG31,G32,...,G3nは信号WENバーとSCKE1バー−SCKEnバーのロジック機能を遂行して、SDRバースト読出動作におけるディコーディング信号としてロジック出力WS1,WS2と,...,WSnとを発生する。一方、NORゲートG41,G42,...,G4nの第1入力は読出イネーブル信号WENバーに共に結合され、その第2入力はクロックイネーブル信号DCKE1バー−DCKEnバーに各結合される。NORケートG41,G42,...,G4nは信号WENバーとDCKE1バー−DCKEnバーのロジック機能を遂行してDDRバースト読出動作におけるディコーディング信号としてロジック出力DD1,DD2,...,DDnを発生する。第1と第2ディコーダが信号RENバーとWENバーの使用によってNORゲートによって実現されても、ディコーダが信号RENとWENを使用することによって、他のロジック回路(例えば、NANDゲートとインバータ)で実現されられることは本分野の熟練された通常の技術者には明らかである。従って、本発明は上記した請求の範囲だけに制限される。
【0035】
図5は第1クロック駆動器180を示し、図6は第2クロック駆動器200を示す。第1クロック駆動器180は図5に示したように複数のユニット駆動器RDRV1,RDRV2,...,RDRVnを含む。各ユニット駆動器RDRVk(k=1,2,...,或いはn)は4つの入力と1つの出力を有する。ユニット駆動器RDRV1,RDRV2,...,RDRVnの第1入力は第1ディコーダ170からのディコーディング信号RS1,RS2,...,RSnを備え、その第2入力はクロックエッジ検出器130からの第1検出信号KFバーを備え、その第3入力はディコーダ170からのディコーディング信号RD1,RD2,...,RDnを各々備える。奇数ユニット駆動器RDRV1,RDRV3,...の第4入力は検出信号KFバーを備えるが、その偶数ユニット駆動器WDRV2,WDRV4,...の第4入力は検出器130からの第2検出信号KBFバーを備える。図5において、nが奇数である場合、ユニット駆動器RDRVnの第4の入力はKFバーに供給され、nが偶数である場合、KBFバーに提供される。
【0036】
図6のように、第2クロック駆動器200は複数のユニット駆動器WDRV1,WDRV2,...,WDRVnを含む。各ユニット駆動器WDRVk(k=1,2,...,或いはn)は4つの入力と1つの出力を有する。ユニット駆動器WDRV1,WDRV2,...,WDRVnの第1入力は第2ディコーダ190からのディコーディング信号WS1,WS2,...,WSnを備え、その第2入力はクロックエッジ検出器130からの第1検出信号KFバーを備え、その第3入力はディコーダ170からのディコーディング信号WD1,WD2,...,WDnを各々備える。奇数ユニット駆動器WDRV1,WDRV3,...の第4入力は検出信号KFバーを備えるが、その偶数ユニット駆動器WDRV2,WDRV4,...の第4入力は検出器130からの第2検出信号KBFバーを備える。図6において、nが奇数である場合、ユニット駆動器WDRVnの第4の入力はKFバーに供給され、nが偶数である場合、KBFバーに提供される。
【0037】
図7は図5と図6の各々のユニット駆動器RDRVk或いはWDRVk(k=1,2,...,或いはn)の詳細回路構成を示す。図7に示したように、ユニット駆動器はダイナミック回路構成を有し、インバータIV9,IV10、及びIV11と,PチャンネルMOSトラジスターMN2,MN3,MN4,MN5,MN6及び,MN7と、2つインバーティング遅延228と229を含む。トランジスターMP3,MN2、MMN3及びMN4のソース−ドレーン導電経路は電源供給電圧221と接地電圧222との間に直列に結合され、SDRモードにおける第1制御経路P1を形成するトランジスターMN5とMN6の導電経路はトラジスターMP3とMN2のドレーン接合225とトランジスターMN3とMN4のソース−ドレーン接合との間に直列に結合され、DDRモードにおける第2制御通路P2を形成する。ディコーディング信号RSk或いはWSk(k=1,2,...,或いはn)はトランジスターMN3のゲート(即ち、ユニット駆動器の第1入力)に印加され、検出信号KFバーはインバータのIV9の入力(即ち、ユニット駆動器の第2入力)に印加され、ディコーディング信号RDk或いはWDk(k=1,2,...,或いはn)はトランジスターMN6のゲート(即ち、ユニット駆動器の第3入力)に印加され、検出信号KFバー(kが奇数である場合)或いはKBFバーはインバータのIV9の入力(即ち、ユニット駆動器の第2入力)に印加され、ディコーディング信号RDk(kが偶数である場合)或いはWDk(k=1,2,...,或いはn)はトランジスターMN6のゲート(即ち、ユニット駆動器の第3入力)に印加され、検出信号KFバー(kが奇数である場合)或いはKBFバー(kが偶数である場合)はインバータのIV10の入力(即ち、ユニット駆動器の第4入力)に印加される。インバータIV9或いはIV10の出力はトランジスターMN2及びMN5のゲートに各結合される。インバータIV11はノード225と、データ入力/出力ストロブクロック信号KOUTk或いはKDINk(k=1,2,...,或いはn)を出力するためのノード226(即ち、ユニット駆動器の出力)との間に結合される。遅延228はノード226と結合された入力と、遅延229の入力にトランジスターMP3とMN4のゲートを経由して結合された出力を有する。遅延228はノード226のロジックレベルを遅延させ、ノード226の反転されたロジックレベルを出力する。トランジスターMN7はノード226と接地電圧222との間に結合されたソース−ドレーン導電経路と、遅延229の出力に結合されたゲートを有する。遅延229はノード227のロジックレベルを遅延させ、ノード227の反転されたロジックレベルを出力する。
【0038】
例えば、データ出力/入力ストロブ信号KOUT1或いはKDIN1が非活性(即ち、低レベル)を維持し、遅延228によって所定の時間経過後に、トランジスターMP3はタンオフされ、トランジスターMN4はタンオンされる。このときに、信号RS1或いはWS1はSDRモードにおける活性(即ち、高レベル)に進んだ場合、とトランジスターMN3はタンオンされる。その後、検出信号KFバーが非活性(即ち、低レベル)に進んだ場合、トランジスターMN2はタンオンされたことによって、データ出力/入力ストロブ信号KOUT1或いはKDIN1は活性(高レベル)になる。
それと別に、信号RD1或いはWD1はDDRモードにおける活性(即ち、高レベル)に進んだ場合、トランジスターMN6はタンオンされる。その後、検出信号KFバー或いはKBFバーが非活性(即ち、低レベル)に進んだ場合、トランジスターMN5はタンオンされたことによって、データ出力/入力ストロブ信号KOUT1或いはKDIN1は活性(高レベル)になる。
【0039】
データ出力/入力ストロブ信号KOUT1或いはKDIN1が活性(即ち、高レベル)を維持するとき、トランジスタMP3はタンオンされ、トランジスタMN4は遅延228によって所定の時間経過後に、タンオフされる。その後、遅延229による所定の時間が経過された時、トランジスターMN7はタンオンされる。その結果、データ出力/入力ストロブ信号KOUT1或いはKDIN1は非活性(低レベル)になる。
【0040】
例示的な好ましい実施例を使って本発明を説明したが、本発明の範囲は開示された実施例に限定されないことがよく理解できる。むしろ、本発明の範囲にはいろいろな変型例及びその類似な構成を全て含まれるようにすることである。従って、請求範囲はそのような変型例及びその類似な構成全てを含むことで、できるだけ幅広く解釈されなければならない。
【0041】
【発明の効果】
上述したように、本発明の同期型バースト半導体メモリ装置によると、データイン及び/或いはデータアウトバッファはバースト長さに依存して適切にクロックされる。加えて、入力/出力データストロブクロックは入力/出力データ率に依存して適切に発生される。又、ダブルデータ率モードも十分なタイミングマージンを獲得することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による同期型バースト半導体装置の有用な入力/出力ストロブクロック発生器の実施形態を示したブロック図である。
【図2】図1のクロックイネーブル信号発生器の詳細回路図である。
【図3】図1の第1のディコーダの詳細回路図である。
【図4】図1の第2のディコーダの詳細回路図である。
【図5】図1の第1のクロック駆動器のブロック図である。
【図6】図1の第2のクロック駆動器のブロック図である。
【図7】図5及び図6のユニット駆動器の詳細回路図である。
【図8】本発明によるメモリ装置のシングル/ダブルバースト読出動作のタイミング図である。
【図9】本発明によるメモリ装置のシングル/ダブルバースト書込動作のタイミング図である。
【符号の説明】
100:内部ストロブクロック発生器
110:データアウトバッファ
120:データインバッファ
130:クロックエッジ検出器
140:バーストアクセスタイプ制御器
150:データ率制御器
160:クロックイネーブル(CKE)信号発生器
170:第1ディコーダ
180:第1クロック駆動器
190:第2ディコーダ
200:第2クロック駆動器
210:レベル駆動器
215:経路セレクター
220:第1DRM−CKE信号発生器
230:第2DRM−CKE信号発生器
300:I/Oパット
Claims (17)
- 少なくとも1つの外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置において、
前記外部クロック信号に同期して複数の出力ストロブクロック信号を発生させるため、
前記外部クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号と、
外部アクセスタイプ入力信号に応じる、読出イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1と第2のアクセスタイプ制御信号と、
外部データ率入力に応じる第1と第2のデータ率信号と
に応答して異なるデータ率に対応する第1と第2のクロックイネーブル信号を発生すると共に、
前記第1のアクセスタイプ制御信号と、前記第1と第2のクロックイネーブル信号とをディコードして異なるデータ率に対応する第1と第2のディコーディング信号を生成し、前記第1と第2の検出信号と、前記第1と第2のディコーディング信号に応答して順次的に活性化される、異なるデータ率に対応する複数の出力ストロブクロック信号を発生させるクロック発生器と、
前記出力ストロブクロック信号に同期して内部データを出力するためのデータバッファとを備えることを特徴とするメモリ装置。 - 前記出力ストロブクロック信号は、各々のデータワードが前記外部クロック信号の上昇エッジ毎または下降エッジ毎に同期して駆動される場合、シングルデータ率モードと、各々のデータワードが前記外部クロック信号のエッジ毎に同期して駆動される場合、ダブルデータ率モードによって順次的に活性化されることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記複数の活性化された出力ストロブクロック信号がバースト読出動作のバースト長さに依存することを特徴とする請求項2に記載のメモリ装置。
- 少なくとも1つの外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置において、
前記外部クロック信号に同期して複数の入力ストロブクロック信号を発生させるため、
前記外部クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号と、
外部アクセスタイプ入力信号に応じる、書込イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1と第2のアクセスタイプ制御信号と、
外部データ率入力に応じる第1と第2のデータ率信号と
に応答して異なるデータ率に対応する第1と第2のクロックイネーブル信号を発生すると共に、
前記第1のアクセスタイプ制御信号と、前記第1と第2のクロックイネーブル信号とをディコードして異なるデータ率に対応する第1と第2のディコーディング信号を生成し、前記第1と第2の検出信号と、前記第1と第2のディコーディング信号に応答して順次的に活性化される、異なるデータ率に対応する複数の入力ストロブクロック信号を発生させるクロック発生器と、
前記入力ストロブクロック信号に同期して内部データを入力するためのデータバッファとを備えることを特徴とするメモリ装置。 - 前記入力ストロブクロック信号は、各々のデータワードが前記外部クロック信号の上昇エッジ毎または下降エッジ毎に同期して駆動される場合、シングルデータ率モードと、各々のデータワードが前記外部クロック信号のエッジ毎に同期して駆動される場合、ダブルデータ率モードによって順次的に活性化されることを特徴とする請求項4に記載のメモリ装置。
- 前記複数の活性化された入力ストロブクロック信号がバースト書込動作のバースト長さに依存することを特徴とする請求項5に記載のメモリ装置。
- 互いに相補信号である1対の外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置において、
前記外部クロック信号に同期して複数の出力ストロブクロック信号及び複数の入力ストロブクロック信号を発生させるため、
前記クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号と、
外部アクセスタイプ入力信号に応答する、読出イネーブル周期と、書込イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1ないし第3のアクセスタイプ制御信号と、
外部データ率入力に応じる第1と第2のデータ率信号と
に応答して異なるデータ率に対応する第1と第2のクロックイネーブル信号を発生すると共に、
前記第1のアクセスタイプ制御信号と、前記第1と第2のクロックイネーブル信号とをディコードして異なるデータ率に対応する第1と第2のディコーディング信号を生成し、前記第1と第2の検出信号と、前記第1と第2のディコーディング信号に応答して順次的に活性化される、異なるデータ率に対応する複数の出力ストロブクロック信号を発生させ、更に、
前記第2のアクセスタイプ制御信号と、前記第1と第2のクロックイネーブル信号とをディコードして異なるデータ率に対応する第3と第4のディコーディング信号を生成し、前記第1と第2の検出信号と、前記第3と第4のディコーディング信号に応答して順次的に活性化される、異なるデータ率に対応する複数の入力ストロブクロック信号を発生させるクロック発生器と、
前記出力ストロブクロック信号に同期して内部データを出力するための第1のデータバッファと、
前記入力ストロブクロック信号に同期して内部データを入力するための第2のデータバッファとを備えることを特徴とするメモリ装置。 - 前記入出力ストロブクロック信号は、各々のデータワードが前記外部クロック信号の上昇エッジ毎または下降エッジ毎に同期して駆動される場合、シングルデータ率モードと、各々のデータワードが前記外部クロック信号のエッジ毎に同期して駆動される場合、ダブルデータ率モードによって順次的に活性化されることを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置。
- 前記複数の活性化された入出力ストロブクロック信号がバースト読出動作のバースト長さに依存することを特徴とする請求項8に記載のメモリ装置。
- 少なくとも一つの外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置において、
上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号を発生させるための前記外部クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジ全てを検出するためのクロックエッジ検出器と、
外部アクセスタイプ入力信号に応答して、読出イネーブル周期と、書込イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1ないし第3のアクセスタイプ制御信号を発生させるためのバーストアクセスタイプ制御器と、
外部データ率入力に応じて第1と第2のデータ率信号を発生させるためのデータ率制御器と、
前記検出信号と、前記アクセスタイプ信号と、前記データ率信号に応答し、各々のデータワードが前記外部クロック信号の上昇エッジ毎または下降エッジ毎に同期して駆動される場合、第1データ率モードにおける複数の第1クロックイネーブル信号と、各々のデータワードが前記外部クロック信号のエッジ毎に同期して駆動される場合、第2データ率モードにおける複数の第2のクロックイネーブル信号を発生するクロックイネーブル信号発生器と、
前記第1データ率モードにおける複数の第1ディコーディング信号及び前記第2データ率モードにおける複数の第2ディコーディング信号を発生させるように、前記第1のアクセスタイプ制御信号と、前記第1クロックイネーブル信号と、第2クロックイネーブル信号とをディコードするディコーダと、
前記第1と第2の検出信号と、前記第1ディコーディング信号と、前記第2ディコーディング信号に応答して、順次的に活性化される複数の前記第1と第2のストロブクロック信号を発生させるためのクロック駆動器と、
前記第1ストロブクロック信号に同期して内部データを出力するためのデータアウトバッファとを備え、
複数の前記第1と第2のクロックイネーブル信号、及び複数の前記第1と第2のディコーディング信号が、バースト読出動作のバースト長さに依存すると共に、順次的に活性化される
ことを特徴とするメモリ装置。 - 前記複数の活性化された出力ストロブクロック信号が前記バースト長さに依存することを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置。
- 少なくとも一つの外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置において、
上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号を発生させるための前記外部クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジ全てを検出するためのクロックエッジ検出器と、
外部アクセスタイプ入力信号に応答して、読出イネーブル周期と、書込イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1ないし第3のアクセスタイプ制御信号を発生させるためのバーストアクセスタイプ制御器と、
外部データ率入力に応じて第1と第2のデータ率信号を発生させるためのデータ率制御器と、
前記検出信号と、前記アクセスタイプ信号と、前記データ率信号に応答し、各々のデータワードが前記外部クロック信号の上昇エッジ毎または下降エッジ毎に同期して駆動される場合、シングルデータ率(SDR)モードにおける第1クロックイネーブル信号、及び各々のデータワードが前記外部クロック信号のエッジ毎に同期して駆動される場合、ダブルデータ率(DDR)モードにおける複数の第2のクロックイネーブル信号を発生するクロックイネーブル信号発生器と、
前記第1データ率モードにおける複数の第1ディコーディング信号及び前記第2データ率モードにおける複数の第2ディコーディング信号を発生させるように、前記第2のアクセスタイプ制御信号と、前記第1クロックイネーブル信号と、第2クロックイネーブル信号とをディコードするディコーダと、
前記第1と第2の検出信号と、前記第1ディコーディング信号と、前記第2ディコーディング信号に応答して、順次的に活性化される複数の前記第1と第2のストロブクロック信号を発生させるためのクロック駆動器と、
前記ストロブクロック信号に同期して外部データを入力するためのデータインバッファとを備え、
複数の前記第1と第2のクロックイネーブル信号、及び複数の前記第1と第2のディコーディング信号が、バースト書込動作のバースト長さに依存すると共に、順次的に活性化される
ことを特徴とするメモリ装置。 - 前記複数の活性化された入力ストロブクロック信号が前記バースト長さに依存することを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置。
- 少なくとも一つの外部クロック信号に同期して動作し、外部クロック信号のエッジ毎でデータをアクセスできる同期型バースト半導体メモリ装置において、
上昇エッジ及び下降エッジを示す第1と第2の検出信号を発生させるための前記外部クロック信号の上昇エッジ及び下降エッジ全てを検出するためのクロックエッジ検出器と、
外部アクセスタイプ入力信号に応答して、読出イネーブル周期と、書込イネーブル周期と、バースト連続周期とを各々示す第1ないし第3のアクセスタイプ制御信号を発生させるためのバーストアクセスタイプ制御器と、
外部データ率入力に応じて第1と第2のデータ率信号を発生させるためのデータ率制御器と、
前記検出信号と、前記アクセスタイプ信号と、前記データ率信号に応答し、各々のデータワードが前記外部クロック信号の上昇エッジ毎または下降エッジ毎に同期して駆動される場合、シングルデータ率(SDR)モードにおける第1クロックイネーブル信号、及び各々のデータワードが前記外部クロック信号のエッジ毎に同期して駆動される場合、ダブルデータ率(DDR)モードにおける複数の第2のクロックイネーブル信号を発生するクロックイネーブル信号発生器と、
前記第1データ率モードにおける複数の第1ディコーディング信号及び前記第2データ率モードにおける複数の第2ディコーディング信号を発生させるように、前記第1のアクセスタイプ制御信号と、前記第1クロックイネーブル信号と、第2クロックイネーブル信号とをディコードする第1のディコーダと、
前記第1と第2の検出信号と、前記第1ディコーディング信号と、前記第2ディコーディング信号に応答して、順次的に活性化される複数の前記第1と第2のストロブクロック信号を発生させるための第1のクロック駆動器と、
前記第1ストロブクロック信号に同期して外部データを出力するためのデータアウトバッファと、
前記第1データ率モードにおける複数の第3ディコーディング信号及び前記第2データ率モードにおける複数の第4ディコーディング信号を発生させるように、前記第2のアクセスタイプ制御信号と、前記第1クロックイネーブル信号と、第2クロックイネーブル信号とをディコードする第2のディコーダと、
前記第1と第2の検出信号と、前記第3ディコーディング信号と、前記第4ディコーディング信号に応答して、順次的に活性化される複数の前記第3と第4のストロブクロック信号を発生させるための第2のクロック駆動器と、
前記第2ストロブクロック信号に同期して外部データを入力するためのデータインバッファとを備え、
複数の前記第1と第2のクロックイネーブル信号、及び複数の前記第1と第2のディコーディング信号が、バースト読出動作のバースト長さに依存すると共に、順次的に活性化され、
複数の前記第3と第4のクロックイネーブル信号、及び複数の前記第3と第4のディコーディング信号が、バースト書込動作のバースト長さに依存すると共に、順次的に活性化される
ことを特徴とするメモリ装置。 - 前記複数の活性化された入出力ストロブクロック信号がバースト読出動作のバースト長さに依存することを特徴とする請求項14に記載のメモリ装置。
- 前記クロックイネーブル信号発生器が複数のスイッチ素子と複数のラッチとを含むことを特徴とする請求項14に記載メモリ装置。
- 前記第1と第2のディコーダが複数の論理ゲートを含むことを特徴とする請求項14に記載メモリ装置。
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