JP3922378B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法に関する。

高精度に配線をパターニングすることが求められている。例えば、フレキシブル基板に配線を形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、フレキシブル基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをバリヤとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、フレキシブル基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストからの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。

これらの方法によれば、配線の寸法精度はフォトレジストの解像度に依存するため、より高精度のパターニングには限界があった。また、レーザによって触媒をパターニングすることも考えられるが、パターニング形状が微細になってくると、触媒の一部を必ずしも完全に除去できるとは限らず、触媒の再付着も考えられるので、高精度に配線をパターニングするには工程が充分ではなかった。

本発明の目的は、簡単な製造プロセスで高精度に配線をパターニングすることにある。
特開平１０−６５３１５号公報

（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）第１及び第２の領域を有する基板の前記第１の領域に残るように、界面活性剤をパターニングすること、
（ｂ）アルカリによるウエットエッチングによって、前記界面活性剤のうち前記第２の領域に生じる残さを除去すること、
（ｃ）前記基板の前記第２の領域又は前記界面活性剤のいずれかに残るように、触媒をパターニングすること、
（ｄ）前記触媒に金属層を析出させることによって、配線を形成すること、
を含む。本発明によれば、界面活性剤のうち第２の領域に生じる残さを除去するので、より高精度に界面活性剤をパターニングすることができる。したがって、微細ピッチに対応した配線を形成することができる。
（２）この配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記触媒を前記界面活性剤に残るようにパターニングし、
前記（ｄ）工程前に、酸によるウエットエッチングによって、前記触媒のうち前記第２の領域に生じる残さを除去することをさらに含んでもよい。これによれば、触媒のうち第２の領域に生じる残さを除去するので、より高精度に触媒をパターニングすることができる。
（３）この配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記触媒を前記基板の前記第２の領域に残るようにパターニングし、
前記（ｄ）工程前に、酸によるウエットエッチングによって、前記触媒のうち前記界面活性剤に生じる残さを除去することをさらに含んでもよい。これによれば、触媒のうち界面活性剤に生じる残さを除去するので、より高精度に触媒をパターニングすることができる。
（４）この配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程は、
（ａ_１）前記基板の前記第１及び第２の領域に前記界面活性剤を設けること、
（ａ_２）前記基板の前記第２の領域に真空紫外放射を照射すること、
（ａ_３）前記基板を洗浄することによって、前記第１の領域に残るように前記界面活性剤をパターニングすること、
を含んでもよい。これによれば、界面活性剤を真空紫外放射の照射によってパターニングする。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要がない。
（５）この配線基板の製造方法において、
前記基板は、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合の少なくともいずれか１つを有してもよい。
（６）この配線基板の製造方法において、
前記基板は、少なくともＣ＝Ｃ結合を有し、
前記真空紫外放射は、少なくともＣ＝Ｃ結合を分解できる性質を有してもよい。
（７）この配線基板の製造方法において、
前記真空紫外放射の光源は、Ｘｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。
（８）この配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程で、液滴吐出方式を適用することによって、前記界面活性剤をパターニングする。これによれば、界面活性剤を液滴吐出方式によってパターニングする。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要がない。
（９）この配線基板の製造方法において、
前記液滴吐出方式は、インクジェット方式であってもよい。
（１０）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）基板の所定領域に残るように触媒をパターニングすること、
（ｂ）酸によるウエットエッチングによって、前記触媒のうち前記所定領域以外の領域に生じる残さを除去すること、
（ｃ）前記触媒に金属層を析出させることによって、配線を前記所定領域に沿って形成すること、
を含む。本発明によれば、触媒のうち所定領域以外の領域に生じる残さを除去するので、より高精度に触媒をパターニングすることができる。したがって、微細ピッチに対応した配線を形成することができる。
（１１）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）基板の第１及び第２の領域に第１の界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記基板の前記第１の領域に第２の界面活性剤を設けること、
（ｃ）前記第２の界面活性剤に触媒を設けること、
（ｄ）酸によるウエットエッチングによって、前記触媒のうち前記第１の界面活性剤に生じる残さを除去すること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、配線を前記第１の領域に沿って形成すること、
を含む。本発明によれば、触媒のうち第１の界面活性剤に生じる残さを除去するので、より高精度に触媒をパターニングすることができる。したがって、微細ピッチに対応した配線を形成することができる。また、界面活性剤を２層構造にすることによって、触媒をいずれかの界面活性剤に選択的に設けるので、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要がない。
（１２）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）基板の第１及び第２の領域に第１の界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記基板の前記第１の領域に第２の界面活性剤を設けること、
（ｃ）前記第１の界面活性剤に触媒を設けること、
（ｄ）酸によるウエットエッチングによって、前記触媒のうち前記第２の界面活性剤に生じる残さを除去すること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、配線を前記第２の領域に沿って形成すること、
を含む。本発明によれば、触媒のうち第２の界面活性剤に生じる残さを除去するので、より高精度に触媒をパターニングすることができる。したがって、微細ピッチに対応した配線を形成することができる。また、界面活性剤を２層構造にすることによって、触媒をいずれかの界面活性剤に選択的に設けるので、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要がない。
（１３）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）第１及び第２の領域を有する基板の前記第２の領域に、真空紫外放射を照射することによって、前記基板における前記第２の領域の原子間結合を分解すること、
（ｂ）前記基板の前記第１及び第２の領域に触媒を設けること、
（ｃ）前記基板を洗浄することによって、前記第１の領域に残るように前記触媒をパターニングすること、
（ｄ）酸によるウエットエッチングによって、前記触媒のうち前記第２の領域に生じる残さを除去すること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、配線を前記第１の領域に沿って形成すること、
を含む。本発明によれば、触媒のうち第２の領域に生じる残さを除去するので、より高精度に触媒をパターニングすることができる。したがって、微細ピッチに対応した配線を形成することができる。また、触媒を真空紫外放射の照射によってパターニングするので、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要がない。
（１４）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、上記配線基板の製造方法を含み、
集積回路を有する半導体チップを前記配線基板に実装し、前記配線基板を回路基板に電気的に接続することをさらに含む。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図７は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。

（第１の実施の形態の第１例）
図１（Ａ）〜図４（Ｂ）、図６及び図７は、本実施の形態の第１例を示す図である。図１（Ａ）〜図２（Ｂ）は無電解めっきの各工程を説明する図であり、図３（Ａ）〜図４（Ｂ）は無電解めっきの各工程における基板を模式的に示す図である。

基板（シート）１０はフレキシブル基板であってもよい。フレキシブル基板として、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）と呼ばれるものや、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板又はＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用基板を使用してもよい。基板１０は、有機系材料（例えば樹脂）で形成されている。基板１０として、ポリイミド基板又はポリエステル基板を使用してもよい。基板１０は有機質の原子間結合を含む。基板１０は、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合の少なくともいずれか１つを有していてもよい。基板１０は、少なくともＣ＝Ｃ結合を有していてもよい。本実施の形態では、基板１０の一方の面に配線を形成する。あるいは、基板１０の両方の面に配線を形成してもよい。基板１０は、第１及び第２の領域１２，１４を有する（図１（Ｃ）及び図３（Ｄ）参照）。第１及び第２の領域１２，１４は、基板１０における配線形成面の領域である。

変形例として、基板１０は、無機系の材料（例えばガラス基板又はセラミック基板）から構成されていてもよいし、有機系及び無機系の複合材料（例えばガラスエポキシ基板）から構成されていてもよい。

図３（Ａ）に示すように、基板１０として、その表面電位（液中表面電位）が負電位であるものを使用してもよい。有機系材料の場合、基板１０の表面電位は負電位であることが多い。

図１（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、基板１０をアルカリ洗浄してもよい。こうすることによって、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４の表面電位のムラを負電位に均一化することができる。具体的には、基板１０をアルカリ溶液（例えば水酸化ナトリウム１ｗｔ％〜１０ｗｔ％濃度）１６に室温下において１０分〜６０分程度浸漬し、その後水洗してもよい。アルカリ洗浄によって基板１０の表層部が加水分解されている場合、表層部は加水分解層となるが、この表層部も負電位であり洗浄前より電位は均一化する。

なお、上述のアルカリ洗浄によって、基板１０のクリーニング及び表面粗化処理を同時に行うことができる。これによれば、金属層（配線）の密着性の向上を図ることができる。

図１（Ｂ）及び図３（Ｃ）に示すように、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４に界面活性剤１８を設ける。基板１０の一方の面の全部に界面活性剤１８を設けてもよい。本例では、界面活性剤１８は陽イオン化する性質を有する。界面活性剤１８として、カチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を使用してもよい。本例では、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４の表面電位は負電位であるので、カチオン系界面活性剤を使用すると、基板１０の負電位を中和又は正電位に反転させることができる。なお、界面活性剤を使用することによって、基板１０の性質に依存することなく自由に表面電位の調整を行うことができ、また、表面電位を均一にして安定した電位面を形成することができる。

図１（Ｂ）に示す例では、基板１０を界面活性剤溶液２０に浸漬させる。具体的には、基板１０を、アルキルアンモニウムクロライド系のカチオン界面活性剤溶液に室温下で１分〜１０分ほど浸漬させた後、純水で水洗する。その後、基板１０を室温雰囲気下において充分に乾燥させる。

図１（Ｃ）及び図３（Ｄ）に示すように、第１及び第２の領域１２，１４に設けられた界面活性剤１８のうち、第２の領域１４に設けられた部分を除去する。すなわち、界面活性剤１８を第１の領域１２に沿って残すようにパターニングする。

本例では、基板１０の第２の領域１４に真空紫外放射（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet radiation）２２を照射する。詳しくは、光源２４と基板１０の間にマスク２６を配置し、マスク２６を介して真空紫外放射２２を基板１０に照射する。真空紫外放射２２は、マスク２６のパターン２８によって遮蔽され、それ以外の領域を透過する。真空紫外放射２２が照射されると、基板１０の第２の領域１４の原子間結合が（化学的に）分解される。本例では、基板１０の第２の領域１４は機械的に掘削されるわけではない。これによれば、真空紫外放射２２は基板１０の原子間結合を分解する作用が主であり、基板１０を掘削する場合に比べてエネルギーを低パワー化できる。これによって、例えば、基板１０に対して熱ひずみが発生するのを防止することができる。また、基板１０の一部が飛散して他の部分に付着するのを防止することができる。

ここで、本例において、第１の領域１２は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。第２の領域１４は、基板１０の面における第１の領域１２の反転形状をなす。

真空紫外放射２２の波長は１００ｎｍ〜２００ｎｍ（例えば１００ｎｍ〜１８０ｎｍ）であってもよい。真空紫外放射２２は、有機質の原子間結合を分解可能な性質（例えば波長）を有する。真空紫外放射２２は、基板１０の少なくともＣ＝Ｃ結合を分解可能な性質（例えば波長）を有していてもよい。基板１０の原子間結合（Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合のいずれか少なくとも１つ）の全部を分解可能な性質（例えば波長）を有していてもよい。光源２４として、Ｘｅガスが封入されたエキシマランプを使用してもよい（波長１７２ｎｍ）。ランプを使用すれば、レーザ生成のための集光レンズ及びレーザによるスキャン時間が不要となるので、製造プロセスの簡略化を図ることができる。

具体的には、図１（Ｃ）に示すように、基板１０の配線形成面上にマスク２６を配置する。マスク２６は、フォトマスクであってもよいし、メタルマスクであってもよい。例えば、マスク２６として、真空紫外放射用高純度石英ガラス（真空紫外放射の透過率８０％以上）に、クロムによるパターンが形成されたものを使用する。図１（Ｃ）ではマスク２６は基板１０の上方に間隔をあけて配置されているが、実際にはマスク２６は基板１０に接触させて配置する。光源２４、マスク２６及び基板１０は、窒素雰囲気中に配置する。窒素雰囲気中であれば、真空紫外放射２２は減衰することなく、１０ｍｍ程度の距離まで照射される。基板１０自体が持つ弾性力及び反りによって、基板１０とマスク２６が均一に接触しない場合には、マスク２６の外周をホルダによって押さえ、かつ、基板１０の裏面をマスク２６と同じサイズ分の面積でマスク２６側に押し付けてもよい。光源２４は、可能な限り基板１０に接近させる（例えば１０ｍｍ以下）。光源２４としては、例えば、エキシマＶＵＶ／０３洗浄装置（メーカー名；ウシオ電機株式会社、型番；ＵＥＲ２０−１７２Ａ／Ｂ、ランプ仕様；Ｘｅガスを封入した誘電体バリア放電エキシマランプ）を使用する。基板１０の材料がポリイミドからなる場合、出力を１０ｍＷ程度として１０分間程度の照射を行う。本例では、基板１０の一方の面に真空紫外放射２２を照射するが、基板１０の両面に配線を形成する場合には基板１０の各面に順次又は同時に真空紫外放射２２を照射すればよい。

真空紫外放射２２の照射後、基板１０に対して洗浄（例えば湿式洗浄）を行う。こうして、基板１０の原子間結合の分解部分を除去する。すなわち、洗浄によって、第２の領域１４上の界面活性剤１８を除去する。洗浄の方式としては、基板１０を洗浄液に浸漬させてもよいし、基板１０にシャワーを噴射してもよい。洗浄液として、アルカリ溶液（強アルカリ溶液又は弱アルカリ溶液）や純水を使用してもよい。シャワー方式としては、純水シャワー洗浄や高圧ジェット純水洗浄を適用してもよい。洗浄時に超音波振動を加えてもよい。洗浄を行うことによって、第１の領域１２には界面活性剤１８が残り、第２の領域１４には界面活性剤１８が除去されて基板１０の表面が露出する。

変形例として、基板１０が無機系の材料（ガラス又はセラミックなど）を含む場合には、真空紫外放射２２によって、界面活性剤１８の第２の領域１４上に設けられた部分が化学的に分解される。そして、その後の基板１０に対する洗浄によって、第２の領域１４上の界面活性剤１８を除去することができる。

次に、図６に示すように、アルカリによるウエットエッチングを行う。これによって、界面活性剤１８のうち第２の領域１４にわずかに生じる残さを除去する。例えば、基板１０をエッチング液（アルカリ溶液）９０に浸漬させることによって、ウエットエッチングを行ってもよい。具体的には、基板１０を、水酸化ナトリウム水溶液（５ｗｔ％〜２０ｗｔ％濃度）に３０秒〜５分程度浸漬してもよい。基板１０の全体を均一にウエットエッチングしてもよい。あるいは、第１の領域１２をマスクで覆った状態で、第２の領域１４のみをウエットエッチングしてもよい。ウエットエッチングの方式は、上述の浸漬方式を適用してもよいし、シャワー（スプレー）方式を適用してもよい。

本工程によれば、界面活性剤１８のうち第２の領域１４に生じる残さを除去するので、より高精度に界面活性剤１８をパターニングすることができる。詳しくは、第１及び第２の領域１２，１４の境界部における界面活性剤１８の有無が明確になる。したがって、微細ピッチに対応した配線を形成することができる。

図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示すように、界面活性剤１８における第１の領域１２に残された部分に、触媒（めっき触媒）３０を設ける。触媒３０は、無電解めっき液において金属層（めっき層）の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムであってもよい。触媒３０には、接着用の樹脂が含まれていなくてもよい。

図２（Ａ）に示す例では、基板１０を、錫−パラジウムを含む触媒液３２に浸漬させる。具体的には、基板１０をＰＨ１付近の錫−パラジウムコロイド触媒液で室温３０秒〜３分浸漬させ、充分に水洗する。錫−パラジウムコロイド粒子は、負の電荷を持ち、界面活性剤１８（カチオン系界面活性剤）に吸着される。その後、触媒活性化のために、基板１０をホウフッ化酸を含む溶液に室温で３０秒〜３分浸漬した後、水洗する。こうすることで、錫コロイド粒子を除去して、パラジウムのみを界面活性剤１８（カチオン系界面活性剤）に析出させることができる。

次に、図７に示すように、酸によるウエットエッチングを行う。これによって、触媒３０のうち第２の領域１４にわずかに生じる残さを除去する。例えば、基板１０をエッチング液（酸溶液）９２に浸漬させることによって、ウエットエッチングを行ってもよい。具体的には、基板１０を、塩酸水溶液（１ｗｔ％〜１０ｗｔ％濃度）に３０秒〜３分程度浸漬してもよい。基板１０の全体を均一にウエットエッチングしてもよい。第２の領域１４には電位とは異なる作用によって微量の触媒３０が吸着しており、電位による吸着に比べて吸着力が弱いので、第２の領域１４に生じる残さのみを除去することができる。あるいは、第１の領域１２をマスクで覆った状態で、第２の領域１４のみをウエットエッチングしてもよい。ウエットエッチングの方式は、上述の浸漬方式を適用してもよいし、シャワー（スプレー）方式を適用してもよい。

本工程によれば、触媒３０のうち第２の領域１４に生じる残さを除去するので、より高精度に触媒３０をパターニングすることができる。詳しくは、第１及び第２の領域１２，１４の境界部における触媒３０の有無の差が明確になる。したがって、微細ピッチに対応した配線を形成することができる。

図２（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すように、触媒３０に金属層３４を析出させる。触媒３０は界面活性剤１８上に設けられ、界面活性剤１８は第１の領域１２に沿って露出するので、金属層３４を第１の領域１２に沿ったパターン形状に形成することができる。金属層３４は１層から形成してもよいし、複数層から形成してもよい。金属層３４の材料は限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ＋Ｃｕ、Ｎｉ＋Ａｕ＋Ｃｕのいずれかであってもよい。析出させる金属層３４の材料に応じて触媒を選択すればよい。

図２（Ｂ）に示す例では、硫酸ニッケル六水和物が主体のめっき液３６（温度８０℃）に基板１０を１分〜３分程度浸漬し、０．１〜０．２μｍ程度の厚みのニッケル層を形成する。あるいは、塩化ニッケル六水和物が主体のめっき液（温度６０℃）に基板１０を３分〜１０分程度浸漬し、０．１〜０．２μｍ程度の厚みのニッケル層を形成してもよい。本例によれば、触媒３０が第１の領域１２に沿って設けられているので、レジスト層などでマスクを形成しなくても、金属層３４を基板１０の第１の領域１２に沿って選択的に形成することができる。

本例によれば、界面活性剤１８を真空紫外放射２２の照射によってパターニングし、触媒３０を界面活性剤１８上に設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層３４を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。

なお、上述の工程では、アルカリによるウエットエッチング工程と、酸によるウエットエッチング工程との両方を行ったが、いずれか一方の工程のみを行ってもよい。その場合であっても、より高精度に配線をパターニングすることが可能になる。

（第１の実施の形態の第２例）
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本実施の形態の第２例を示す図である。本例では、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）に示すように界面活性剤１８を第１の領域１２に設けた後、触媒３８を基板１０の第２の領域１４に設ける。すなわち、基板１０の表面のうち、界面活性剤１８から露出する第２の領域１４に、触媒３８を設ける。本例では、第２の領域１４は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。

例えば、基板１０を、正の電荷を持つ塩化錫を含む溶液に浸漬し、次いで塩化パラジウムを含む触媒液に浸漬させることにより、基板１０の第２の領域１４（負電位部分）にパラジウムを析出させることができる。なお、基板１０をこの触媒液に１分〜５分浸漬した後、純水で水洗してもよい。

次に、本例においても酸によるウエットエッチングを行ってもよい。その詳細は、上述の説明から導き出すことができる内容を含む。ただし、本例では、触媒３８を第２の領域１４に残るようにパターニングするので、ウエットエッチングによって、触媒３８のうち界面活性剤１８に生じる残さを除去する。

その後、図５（Ｂ）に示すように、触媒３８に金属層４０を析出させる。触媒３８は第２の領域１４上に設けられているので、金属層４０を第２の領域１４に沿ったパターン形状に形成することができる。

なお、本例のその他の詳細は、上述の例で説明した内容を適用することができる。

（第２の実施の形態）
図８（Ａ）〜図１２（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。本実施の形態では、液滴吐出方式を適用することによって、界面活性剤をパターニングする。

（第２の実施の形態の第１例）
図８（Ａ）〜図９（Ｂ）は無電解めっきの各工程を説明する図であり、図１０（Ａ）〜図１１（Ｂ）は無電解めっきの各工程における基板を模式的に示す図である。

図１０（Ａ）に示すように、基板１０として、その表面電位が負電位であるものを用意する。図８（Ａ）に示すように、基板１０をアルカリ溶液（例えば無機アルカリ溶液）６２に浸漬することによってアルカリ洗浄を行ってもよい。こうすることで、図１０（Ｂ）に示すように、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４の表面電位のムラを負電位に均一化することができる。アルカリ洗浄の工程の詳細は、第１の実施の形態の第１例において説明した通りである。

図８（Ｂ）及び図１０（Ｃ）に示すように、液滴吐出方式を適用することによって、基板１０の第１の領域１２に界面活性剤６４を設ける。すなわち、液滴（界面活性剤６４）を、液滴吐出部６６から基板１０の表面に直接的に所定のパターン形状になるように吐出させる。これによれば、界面活性剤６４を選択的に設けることができ、レジスト層などでマスクを形成する必要もないので、製造プロセスが簡単である。液滴は、少なくとも一部に界面活性剤６４を含み、例えば界面活性剤６４をコアとし、その表面が樹脂（接着材料）などでコーティングされていてもよい。あるいは、液滴は、界面活性剤６４のみから構成されていてもよい。液滴吐出方式は、インクジェット方式であってもよいし、ディスペンサ塗布方式であってもよく、液滴を吐出する形態であれば限定されない。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することによって、高速かつインク（界面活性剤６４）を無駄なく経済的に設けることができる。インクジェットヘッドとしては、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいは、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェット（登録商標）タイプなどを使用することができる。

本例では、界面活性剤６４は陽イオン化する性質を有する。界面活性剤６４として、カチオン系界面活性剤を使用してもよい。本例では、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４の表面電位は負電位であるので、カチオン系界面活性剤を使用すると、基板１０の表面電位は、第１の領域１２が中和状態又は正電位となり、第２の領域１４が負電位となる。

次に、アルカリによるウエットエッチングを行い、界面活性剤６４のうち第２の領域１４に生じる残さを除去してもよい。その詳細は、第１の実施の形態の説明から導き出すことができる内容を含む。

図９（Ａ）及び図１１（Ａ）に示すように、触媒６８を基板１０の第２の領域１４に設ける。すなわち、基板１０のうち、界面活性剤６４から露出する第２の領域１４に、触媒６８を設ける。本例では、第２の領域１４は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。触媒を得るために、基板１０を塩化錫を含む溶液に浸漬し、次いで塩化パラジウムを含む触媒液７０に浸漬させてもよい。具体的には、第１の実施の形態の第２例において説明した通りである。

次に、酸によるウエットエッチングを行い、触媒６８のうち界面活性剤６４に生じる残さを除去してもよい。その詳細は、第１の実施の形態の説明から導き出すことができる内容を含む。

その後、図９（Ｂ）及び図１１（Ｂ）に示すように、触媒６８に金属層７２を析出させる。触媒６８は第２の領域１４上に設けられているので、金属層７２を第２の領域１４に沿ったパターン形状に形成することができる。なお、図９（Ｂ）に示すように、金属層の析出は、基板１０を所定の無電解めっき液７４に浸漬させることによって行ってもよく、具体的には第１の実施の形態の第１例において説明した通りである。

本例によれば、界面活性剤６４を液滴吐出方式を適用してパターニングし、触媒６８を界面活性剤６４を避けて設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層７２を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。

なお、本例のその他の詳細は、上述の実施の形態で説明した内容を適用することができる。

（第２の実施の形態の第２例）
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、本実施の形態の第２例を示す図である。本例では、図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）に示すように界面活性剤６４を液滴吐出方式によって吐出させた後、界面活性剤６４に触媒７６を設ける。界面活性剤６４は第１の領域１２に設けられているので、触媒６８も第１の領域１２に設けられる。本例では、第１の領域１２は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。本例では、基板１０の表面電位は、第１の領域１２が（カチオン系）界面活性剤６４によって中和状態又は正電位となり、第２の領域１４が基板１０の表面の露出によって負電位となる。触媒を得るために、基板１０を錫−パラジウムを含む触媒液に浸漬させてもよい。具体的には、第１の実施の形態の第１例において説明した通りである。

次に、本例においても酸によるウエットエッチングを行ってもよい。その詳細は、上述の説明から導き出すことができる内容を含む。ただし、本例では、触媒７６を界面活性剤６４に残るようにパターニングするので、ウエットエッチングによって、触媒７６のうち第２の領域１４に生じる残さを除去する。

その後、図１２（Ｂ）に示すように、触媒７６に金属層７８を析出させる。触媒７６は第１の領域１２上に設けられているので、金属層７８を第１の領域１２に沿ったパターン形状に形成することができる。

なお、本例のその他の詳細は、上述の例で説明した内容を適用することができる。

図１３は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図であり、詳しくは、配線基板を有する電子デバイスの一例が示されている。

配線基板１には、所定のパターン形状をなす金属層（図１３では省略）が形成されている。集積回路を有する半導体チップ８０を配線基板１に（例えばフェースダウン）実装してもよい。半導体チップ８０（集積回路）は、金属層に電気的に接続されている。こうして、半導体チップ８０と、配線基板１と、を含む半導体装置３を製造してもよい。その後、配線基板１（又は半導体装置３）を回路基板８２に電気的に接続する。こうして、電子デバイスを製造することができる。なお、配線基板１は図１３の矢印に示すように屈曲させてもよい。

回路基板８２が電気光学パネルである場合、電子デバイスは電気光学装置である。電気光学装置は、液晶装置、プラズマディスプレイ装置、エレクトロルミネセンスディスプレイ装置などであってもよい。本実施の形態によれば、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。

（第３の実施の形態）
図１４（Ａ）〜図１９（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。図１４（Ａ）〜図１５（Ｂ）は無電解めっきの各工程を説明する図であり、図１７（Ａ）〜図１８（Ｂ）は無電解めっきの各工程における基板を模式的に示す図である。

基板（シート）１１０はフレキシブル基板であってもよい。フレキシブル基板として、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）と呼ばれるものや、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板又はＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用基板を使用してもよい。基板１１０は、有機系材料（例えば樹脂）で形成されている。基板１１０として、ポリイミド基板又はポリエステル基板を使用してもよい。基板１１０は有機質の原子間結合を含む。基板１１０は、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合の少なくともいずれか１つを有していてもよい。基板１１０は、少なくともＣ＝Ｃ結合を有していてもよい。本実施の形態では、基板１１０の一方の面に配線を形成する。あるいは、基板１１０の両方の面に配線を形成してもよい。基板１１０は、第１及び第２の領域１１２，１１４を有する（図１４（Ｃ）及び図１７（Ｃ）参照）。第１及び第２の領域１１２，１１４は、基板１１０における配線形成面の領域である。

変形例として、基板１１０は、無機系の材料（例えばガラス基板又はセラミック基板）から構成されていてもよいし、有機系及び無機系の複合材料（例えばガラスエポキシ基板）から構成されていてもよい。

図１４（Ａ）及び図１７（Ａ）に示すように、まず、基板１１０の表面の汚れを洗浄（クリーニング）してもよい。洗浄方法として、酸、アルカリ、有機溶剤又は水などの洗浄液１１６に基板１１０を浸漬させてもよい。具体的には、洗浄液１１６として、塩酸系の溶液やＩＰＡなどのアルコール類を使用してもよい。有機系材料の場合、図１７（Ａ）に示すように、基板１１０の表面電位（液中表面電位）は負電位であることが多い。あるいは、基板１１０として、その表面電位が正電位のものを使用してもよい。必要があれば、基板１１０の表面粗化処理を行ってもよい。洗浄処理及び表面粗化処理によって、金属層（配線）の密着性の向上を図ることができる。

図１４（Ｂ）及び図１７（Ｂ）に示すように、基板１１０の第１及び第２の領域１１２，１１４に第１の界面活性剤１１８を設ける。基板１１０の一方の面の全部に第１の界面活性剤１１８を設けてもよい。本実施の形態では、第１の界面活性剤１１８は陽イオン化する性質を有する。第１の界面活性剤１１８として、カチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を使用してもよい。基板１１０の表面電位が負電位である場合、カチオン系界面活性剤を使用すると、基板１１０の表面の負電位を中和又は正電位に反転させることができる。また、基板１１０の表面電位が正電位である場合、カチオン系界面活性剤を使用すると、基板１１０の表面の汚れなどによる電位の不均一性を改善し、安定した正電位面を形成することができる。

図１４（Ｂ）に示す例では、基板１１０を界面活性剤溶液１２０に浸漬させる。具体的には、基板１１０を、アルキルクロライド系のカチオン界面活性剤溶液に室温下で３０秒〜３分ほど浸漬させた後、純水で水洗する。その後、基板１１０を室温雰囲気下において十分に乾燥させる。

図１４（Ｃ）及び図１７（Ｃ）に示すように、基板１１０の第１の領域１１２に第２の界面活性剤１２２を設ける。第２の界面活性剤１２２は第２の領域１１４には設けない。第２の界面活性剤１２２は、製造過程において第２の領域１１４に全く付着させなくてもよい。これによれば、第２の界面活性剤１２２を第２の領域１１４に付着させた場合の除去工程を省略することができ、製造プロセスの簡略化を図ることができる。また、第２の領域１１４において第２の界面活性剤１２２を除去するときに、第１の界面活性剤１１８までも除去するのを防ぐことができる。したがって、第１の界面活性剤１１８を確実に残すことができ、後述するように第１及び第２の界面活性剤１１８，１２２によって電位差を明確にして、より確実に触媒を選択的に設けることができる。

なお、第２の界面活性剤１２２は、第１の界面活性剤１１８から置換してもよいし（図１７（Ｃ）参照）、第１の界面活性剤１１８上に積層してもよい。第１の領域１１２では、第２の界面活性剤１２２が最表面に配置される。

本実施の形態では、第１の領域１１２は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。第２の領域１１４は、基板１１０の面における第１の領域１１２の反転形状をなす。

本実施の形態では、第２の界面活性剤１２２は陰イオン化する性質を有する。第２の界面活性剤１２２として、アニオン系界面活性剤（アニオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を使用してもよい。その場合、基板１１０の表面電位は、第１の領域１１２が中和状態又は負電位となり、第２の領域１１４が正電位となる。

図１４（Ｃ）に示す例では、液滴吐出方式を適用することによって、第２の界面活性剤１２２を選択的に設ける。すなわち、液滴（第２の界面活性剤１２２）を、液滴吐出部１２４から基板１１０の表面に直接的に所定のパターン形状になるように吐出させる。これによれば、第２の界面活性剤１２２を選択的に設けることができ、レジスト層などでマスクを形成する必要もないので、製造プロセスが簡単である。液滴は、少なくとも一部に第２の界面活性剤１２２を含み、例えば第２の界面活性剤１２２をコアとし、その表面が樹脂（接着材料）などでコーティングされていてもよい。あるいは、液滴は、第２の界面活性剤１２２のみから構成されていてもよい。液滴吐出方式は、インクジェット方式であってもよいし、ディスペンサ塗布方式であってもよく、液滴を吐出する形態であれば限定されない。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することによって、高速かつインク（第２の界面活性剤１２２）を無駄なく経済的に設けることができる。インクジェットヘッドとしては、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいは、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェット（登録商標）タイプなどを使用することができる。

変形例として、図１６に示すように、印刷方式（例えばスクリーン印刷方式）を適用することによって、第２の界面活性剤１２２を選択的に設けてもよい。詳しくは、基板１１０上に、第１の領域１１２に重なる部分に開口を有するマスク１２６を配置し、マスク１２６上のインク（第２の界面活性剤１２２）をスキージ１２８で広げて、マスク１２６の開口にインクを充填させてもよい。なお、第２の界面活性剤１２２の選択的に設ける手段は上述には限定されない。

図１５（Ａ）及び図１８（Ａ）に示すように、第２の界面活性剤１２２に触媒（めっき触媒）１３０を設ける。触媒１３０は、無電解めっき液において金属層（めっき層）の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムであってもよい。触媒１３０には、接着用の樹脂が含まれていなくてもよい。

図１５（Ａ）に示す例では、基板１１０を、正の電荷を持つ塩化錫を含む溶液に浸漬し、次いで塩化パラジウムを含む触媒液１３２に浸漬させる。こうして、第２の界面活性剤１２２（アニオン系界面活性剤）にパラジウムを析出させることができる。なお、基板１１０をこの触媒液１３２に１分〜５分浸漬した後、純水で水洗してもよい。

次に、酸によるウエットエッチングを行い、触媒１３０のうち第１の界面活性剤１１８に生じる残さを除去する。その詳細は、第１の実施の形態の説明から導き出すことができる内容を含む。

図１５（Ｂ）及び図１８（Ｂ）に示すように、触媒１３０に金属層１３４を析出させる。触媒１３０は第２の界面活性剤１２２上に設けられ、第２の界面活性剤１２２は第１の領域１１２に沿って露出するので、金属層１３４を第１の領域１１２に沿ったパターン形状に形成することができる。金属層１３４は１層から形成してもよいし、複数層から形成してもよい。金属層１３４の材料は限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ＋Ｃｕ、Ｎｉ＋Ａｕ＋Ｃｕのいずれかであってもよい。析出させる金属層１３４の材料に応じて触媒を選択すればよい。

図１５（Ｂ）に示す例では、硫酸ニッケル六水和物が主体のめっき液１３６（温度８０℃）に基板１１０を１分〜３分程度浸漬し、０．１〜０．２μｍ程度の厚みのニッケル層を形成する。あるいは、塩化ニッケル六水和物が主体のめっき液（温度６０℃）に基板１１０を３分〜１０分程度浸漬し、０．１〜０．２μｍ程度の厚みのニッケル層を形成してもよい。本実施の形態によれば、触媒１３０が第１の領域１１２に沿って設けられているので、レジスト層などでマスクを形成しなくても、金属層１３４を基板１１０の第１の領域１１２に沿って選択的に形成することができる。

こうして、金属層１３４からなる配線を第１の領域１１２に沿って形成することができる。本実施の形態に係る配線基板は、基板１１０と、金属層（配線）１３４と、を含む。基板１１０に複数の配線を形成し、１つの配線パターンを形成してもよい。

本実施の形態によれば、界面活性剤を２層構造（積層及び置換の形態を含む）にすることによって、触媒１３０をいずれかの界面活性剤に選択的に設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層１３４を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。

図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）は本実施の形態の変形例を示す図であり、本変形例では、図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示すように第１及び第２の界面活性剤１１８，１２２を設けた後、第１の界面活性剤１１８に触媒１３８を設ける。すなわち、第１の界面活性剤１１８のうち第２の界面活性剤１２２から露出する部分（第２の領域１１４に対応する部分（図１７（Ｃ）参照））に、触媒１３８を設ける。本変形例では、第２の領域１１４は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。

例えば、基板１１０を、錫−パラジウムを含む触媒液に浸漬させる。具体的には、基板１１０をＰＨ１付近の錫−パラジウムコロイド触媒液で室温１３０秒〜３分浸漬させ、充分に水洗する。錫−パラジウムコロイド粒子は、負の電荷を持ち、第１の界面活性剤１１８（カチオン系界面活性剤）に吸着される。その後、触媒活性化のために、基板１１０をホウフッ化酸を含む溶液に室温で３０秒〜３分浸漬した後、水洗する。こうすることで、錫コロイド粒子を除去して、パラジウムのみを第１の界面活性剤１１８（カチオン系界面活性剤）に析出させることができる。

次に、本例においても酸によるウエットエッチングを行ってもよい。その詳細は、上述の説明から導き出すことができる内容を含む。ただし、本例では、触媒１３８を第１の界面活性剤１１８に残るようにパターニングするので、ウエットエッチングによって、触媒１３８のうち第２の界面活性剤１２２に生じる残さを除去する。

その後、図１９（Ｂ）に示すように、触媒１３８に金属層１４０を析出させる。触媒１３８は第１の界面活性剤１１８上に設けられ、第１の界面活性剤１１８は第２の領域１１４に沿って露出するので、金属層１４０を第２の領域１１４に沿ったパターン形状に形成することができる。金属層の形成方法の詳細は、上述した通りである。

（第４の実施の形態）
図２０（Ａ）〜図２２（Ｂ）は、本発明の第４の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。

図２０（Ａ）に示すように基板１１０を用意し、図２０（Ｂ）に示すように基板１１０の第１及び第２の領域１１２，１１４（図２０（Ｃ）参照）に第１の界面活性剤１５０を設ける。基板１１０の一方の面の全部に第１の界面活性剤１５０を設けてもよい。本実施の形態は、第１の界面活性剤１５０は陰イオン化する性質を有する。第１の界面活性剤１５０として、アニオン系界面活性剤を使用してもよい。基板１１０の表面電位が正電位である場合、アニオン系界面活性剤を使用すると、基板１１０の表面の正電位を中和又は負電位に反転させることができる。また、基板１１０の表面電位が負電位である場合、アニオン系界面活性剤を使用すると、基板１１０の表面の汚れなどによる電位の不均一性を改善し、安定した負電位面を形成することができる。

具体的には、基板１１０をアニオン界面活性剤溶液に室温下で３０秒〜３分ほど浸漬させた後、純水で水洗する。その後、基板１１０を室温雰囲気下において充分に乾燥させる。

図２０（Ｃ）に示すように、基板１１０の第１の領域１１２に第２の界面活性剤１５２を設ける。第２の界面活性剤１５２を設ける工程の詳細は第３の実施の形態で説明した通りであり、液滴吐出方式（例えばインクジェット方式）を適用してもよいし、印刷方式（例えばスクリーン印刷方式）を適用してもよい。ただし、本実施の形態では、第２の界面活性剤１５２は陽イオン化する性質を有する。第２の界面活性剤１５２として、カチオン系界面活性剤を使用してもよい。その場合、基板１１０の表面電位は、第１の領域１１２が中和状態又は正電位となり、第２の領域１１４が負電位となる。

図２１（Ａ）に示すように、第１の界面活性剤１５０に触媒１５４を設ける。すなわち、第１の界面活性剤１５０のうち第２の界面活性剤１５２から露出する部分（第２の領域１１４に対応する部分（図２０（Ｃ）参照））に、触媒１５４を設ける。本実施の形態では、第２の領域１１４は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。触媒を得るために、基板１１０を塩化錫を含む溶液に浸漬し、次いで塩化パラジウムを含む触媒液に浸漬させてもよい。具体的には、第３の実施の形態において説明した通りである。

次に、酸によるウエットエッチングを行い、触媒１５４のうち第２の界面活性剤１５２に生じる残さを除去してもよい。その詳細は、第１の実施の形態の説明から導き出すことができる内容を含む。

その後、図２１（Ｂ）に示すように、触媒１５４に金属層１５６を析出させる。触媒１５４は第１の界面活性剤１５０上に設けられ、第１の界面活性剤１５０は第２の領域１１４に沿って露出するので、金属層１５６を第２の領域１１４に沿ったパターン形状に形成することができる。こうして、金属層１５６からなる配線を第２の領域１１４に沿って形成することができる。なお、金属層の形成方法の詳細は、第３の実施の形態で説明した通りである。

図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）は本実施の形態の変形例を示す図であり、本変形例では、図２０（Ａ）〜図２０（Ｃ）に示すように第１及び第２の界面活性剤１５０，１５２を設けた後、第２の界面活性剤１５２に触媒１５８を設ける。本変形例では、第１の領域１１２は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。触媒を得るために、基板１１０を錫−パラジウムを含む触媒液に浸漬させてもよい。具体的には、第３の実施の形態の変形例において説明した通りである。

次に、酸によるウエットエッチングを行い、触媒１５８のうち第１の界面活性剤１５０に生じる残さを除去してもよい。その詳細は、第１の実施の形態の説明から導き出すことができる内容を含む。

その後、図２２（Ｂ）に示すように、触媒１５８に金属層１６０を析出させる。触媒１５８は、第２の界面活性剤１５２上に設けられ、第２の界面活性剤１５２は第１の領域１１２に沿って露出するので、金属層１６０を第１の領域１１２に沿ったパターン形状に形成することができる。金属層の形成方法の詳細は、上述した通りである。なお、本実施の形態（変形例を含む）のその他の詳細及び効果は、第３の実施の形態で説明した通りである。

（第５の実施の形態）
図２３（Ａ）〜図２８（Ｃ）は、本発明の第５の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。

基板（シート）２１０はフレキシブル基板であってもよい。フレキシブル基板として、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）と呼ばれるものや、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板又はＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用基板を使用してもよい。基板２１０は、有機系材料（例えば樹脂）で形成されている。基板２１０として、ポリイミド基板又はポリエステル基板を使用してもよい。基板２１０は、有機質の原子間結合を有する。基板２１０は、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合の少なくともいずれか１つを有していてもよい。基板２１０は、少なくともＣ＝Ｃ結合を有していてもよい。本実施の形態では、基板２１０の一方の面に配線を形成する。あるいは、基板２１０の両方の面に配線を形成してもよい。基板２１０は、第１及び第２の領域２１２，２１４を有する（図２３（Ｂ）参照）。第１及び第２の領域２１２，２１４は、基板２１０における配線形成面の領域である。

図２３（Ａ）に示すように、まず、基板２１０の表面の汚れを洗浄（クリーニング）してもよい。洗浄方法として、酸、アルカリ、有機溶剤又は水などの洗浄液２１６に基板２１０を浸漬させてもよい。具体的には、洗浄液２１６として、塩酸系の溶液やＩＰＡなどのアルコール類を使用してもよい。

基板２１０をアルカリ溶液（例えば無機アルカリ溶液）に浸漬させることなどによって、アルカリ洗浄してもよい。具体的には、基板２１０を水酸化ナトリウム１ｗｔ％〜１０ｗｔ％濃度で室温下において１０分〜６０分（例えば３０分）程度、浸漬及び水洗してもよい。アルカリ洗浄によって、基板２１０のクリーニング及び表面粗化処理を同時に行うことができる。これによって、金属層（配線）の密着性の向上を図ることができる。

図２３（Ｂ）に示すように、基板２１０の第２の領域２１４に真空紫外放射（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet radiation）２１８を照射する。詳しくは、光源２２０と基板２１０との間にマスク２２２を配置し、マスク２２２を介して真空紫外放射２１８を基板２１０に照射する。真空紫外放射２１８は、マスク２２２のパターン２２４によって遮蔽され、それ以外の領域を透過する。真空紫外放射２１８が照射されると、基板２１０の第２の領域２１４の原子間結合が（化学的に）分解される。本実施の形態では、基板２１０の第２の領域２１４は機械的に掘削されるわけではない。これによれば、真空紫外放射２１８は基板２１０の原子間結合を分解する作用が主であり、基板２１０を掘削する場合に比べてエネルギーを低パワー化できる。これによって、例えば、基板２１０に対して熱ひずみが発生するのを防止することができる。また、基板２１０の一部が飛散して他の部分に付着するのを防止することができる。

ここで、本実施の形態において、第１の領域２１２は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。第２の領域２１４は、基板２１０の面における第１の領域２１２の反転形状をなす。

真空紫外放射２１８の波長は１００ｎｍ〜２００ｎｍ（例えば１００ｎｍ〜１８０ｎｍ）であってもよい。真空紫外放射２１８は、有機質の原子間結合を分解可能な性質（例えば波長）を有する。真空紫外放射２１８は、基板２１０の少なくともＣ＝Ｃ結合を分解可能な性質（例えば波長）を有していてもよい。基板２１０の原子間結合（Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合のいずれか少なくとも１つ）の全部を分解可能な性質（例えば波長）を有していてもよい。光源２２０として、Ｘｅガスが封入されたエキシマランプを使用してもよい（波長１７２ｎｍ）。ランプを使用すれば、レーザ生成のための集光レンズ及びレーザによるスキャン時間が不要となるので、製造プロセスの簡略化を図ることができる。

具体的には、図２３（Ｂ）に示すように、基板２１０の配線形成面上にマスク２２２を配置する。マスク２２２は、フォトマスクであってもよいし、メタルマスクであってもよい。例えば、マスク２２２として、真空紫外放射用高純度石英ガラス（真空紫外放射の透過率８０％以上）に、クロムによるパターンが形成されたものを使用する。図２３（Ｂ）ではマスク２２２は基板２１０の上方に間隔をあけて配置されているが、実際にはマスク２２２は基板２１０に接触させて配置する。光源２２０、マスク２２２及び基板２１０は、窒素雰囲気中に配置する。窒素雰囲気中であれば、真空紫外放射２１８は減衰することなく、１０ｍｍ程度の距離まで照射される。基板２１０自体が持つ弾性力及び反りによって、基板２１０とマスク２２２が均一に接触しない場合には、マスク２２２の外周をホルダによって押さえ、かつ、基板２１０の裏面をマスク２２２と同じサイズ分の面積でマスク２２２側に押し付けてもよい。光源２２０は、可能な限り基板２１０に接近させる（例えば１０ｍｍ以下）。光源２２０としては、例えば、エキシマＶＵＶ／０３洗浄装置（メーカー名；ウシオ電機株式会社、型番；ＵＥＲ２０−１７２Ａ／Ｂ、ランプ仕様；Ｘｅガスを封入した誘電体バリア放電エキシマランプ）を使用する。基板２１０の材料がポリイミドからなる場合、出力を１０ｍＷ程度として１０分間程度の照射を行う。本実施の形態では、基板２１０の一方の面に真空紫外放射２１８を照射するが、基板２１０の両面に配線を形成する場合には基板２１０の各面に順次又は同時に真空紫外放射２１８を照射すればよい。

図２３（Ｃ）に示すように、必要があれば、基板２１０の第１及び第２の領域２１２，２１４に界面活性剤２２６を設けてもよい。その場合、基板２１０を界面活性剤溶液２２８に浸漬させてもよい。界面活性剤２２６は、基板２１０の一方の面の全部に設けてもよい。

界面活性剤２２６として、陽イオン化する性質を有するカチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を使用してもよい。例えば、基板２１０を、アルキルアンモニウムクロライド系のカチオン界面活性剤溶液に室温下で３０秒〜３分ほど浸漬させた後、純水で水洗する。その後、基板２１０を室温雰囲気下において十分に乾燥させる。基板２１０の表面電位が負電位である場合、カチオン系界面活性剤を使用すると、基板２１０の表面の負電位を中和又は正電位に反転させることができる。

変形例として、界面活性剤２２６として、陰イオン化する性質を有するアニオン系界面活性剤（アニオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を使用してもよい。例えば、基板２１０を、アニオン界面活性剤溶液に室温下で３０秒〜３分ほど浸漬させた後、純水で水洗する。その後、基板２１０を室温雰囲気下において充分に乾燥させる。基板２１０の表面電位が負電位である場合、アニオン系界面活性剤を使用すると、基板２１０の表面の汚れなどによる電位の不均一性を改善し、安定した負電位面を形成することができる。

図２４（Ａ）に示すように、基板２１０の第１及び第２の領域２１２，２１４に触媒（めっき触媒）３０を設ける。その場合、基板２１０を触媒液３２に浸漬させてもよい。第１及び第２の領域２１２，２１４に界面活性剤２２６を設けた場合には、界面活性剤２２６に触媒２３０を設ける。あるいは、界面活性剤２２６なしで、基板２１０の表面に触媒２３０を設けてもよい。触媒２３０は、無電解めっき液において金属層（めっき層）の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムであってもよい。触媒２３０には、接着用の樹脂が含まれていなくてもよい。

被触媒付着面が正電位である場合には、例えば、基板２１０を、錫−パラジウムを含む触媒液に浸漬させる。具体的には、基板２１０をＰＨ１付近の錫−パラジウムコロイド触媒液で室温３０秒〜３分浸漬させ、充分に水洗する。錫−パラジウムコロイド粒子は、負の電荷を持ち、基板２１０上のカチオン系界面活性剤に付着する。その後、触媒活性化のために、基板２１０をホウフッ化酸を含む溶液に室温で３０秒〜３分浸漬した後、水洗する。こうすることで、錫コロイド粒子を除去して、パラジウムのみをに析出させることができる。

あるいは、被触媒付着面が負電位である場合には、例えば、基板２１０を、塩化錫を含む溶液及び塩化パラジウムを含む触媒液に順次浸漬させる。具体的には、基板２１０を、塩化錫（II）溶液に１〜５分浸漬した後、純水で水洗し、次いで触媒液として塩化パラジウム（II）溶液に１〜５分浸漬した後、純水で水洗してもよい。

上述とは別に、触媒２３０を乾式成膜法（例えばスパッタリング又は蒸着法など）によって、基板２１０の第１及び第２の領域２１２，２１４に設けてもよい。

図２４（Ｂ）に示すように、基板２１０を洗浄（例えば湿式洗浄）することによって、触媒２３０を第１の領域２１２に残るようにパターニングする。基板２１０を洗浄することによって、基板２１０における真空紫外放射２１８による原子間結合の分解部分を除去してもよい。界面活性剤２２６が設けられている場合には、界面活性剤２２６及び触媒２３０の両方を除去する。洗浄の方式としては、基板２１０を洗浄液２３４に浸漬させてもよいし、基板２１０にシャワーを噴射してもよい。洗浄液２３４として、アルカリ溶液（強アルカリ溶液又は弱アルカリ溶液）や純水を使用してもよい。シャワー方式としては、純水シャワー洗浄や高圧ジェット純水洗浄を適用してもよい。洗浄時に超音波振動を加えてもよい。図２４（Ｂ）に示す例では、洗浄を行うことによって、第１の領域２１２には触媒２３０（及び界面活性剤２２６）が残り、第２の領域２１４には基板２１０の表面（例えば上部が除去された新生面）が露出する。こうして、触媒２３０を第１の領域２１２に沿って残すようにパターニングする。

次に、酸によるウエットエッチングを行い、触媒２３０のうち第２の領域２１４に生じる残さを除去する。その詳細は、第１の実施の形態の説明から導き出すことができる内容を含む。

図２４（Ｃ）に示すように、触媒２３０における第１の領域２１２に残された部分に金属層２３６を析出させる。第２の領域２１４では触媒２３０が除去されているので、金属層２３６は第２の領域２１４には析出しない。こうして、金属層２３６を第１の領域２１２に沿ったバターン形状に形成することができる。金属層２３６は１層から形成してもよいし、複数層から形成してもよい。金属層２３６の材料は限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ＋Ｃｕ、Ｎｉ＋Ａｕ＋Ｃｕのいずれかであってもよい。析出させる金属層２３６の材料に応じて触媒を選択すればよい。

図２４（Ｃ）に示す例では、硫酸ニッケル六水和物が主体のめっき液２３８（温度８０℃）に基板２１０を１分〜３分程度浸漬し、０．１〜０．２μｍ程度の厚みのニッケル層を形成する。あるいは、塩化ニッケル六水和物が主体のめっき液（温度６０℃）に基板２１０を３分〜１０分程度浸漬し、０．１〜０．２μｍ程度の厚みのニッケル層を形成してもよい。本実施の形態によれば、触媒２３０が第１の領域２１２に沿って設けられているので、レジスト層などでマスクを形成しなくても、金属層２３６を基板２１０の第１の領域２１２に沿って選択的に形成することができる。

こうして、金属層２３６からなる配線を第１の領域２１２に沿って形成することができる。本例に係る配線基板は、基板２１０と、金属層（配線）２３６と、を含む。基板２１０に複数の配線を形成し、１つの配線パターンを形成してもよい。

本実施の形態によれば、触媒２３０を真空紫外放射２１８の照射によってパターニングする。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層２３６を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。

図２５（Ａ）〜図２６（Ｃ）は、本発明の第５の実施の形態の第１変形例に係る配線基板の製造方法を示す図である。本変形例では、図２５（Ａ）に示すように、基板２１０にＣ−Ｆ結合を含む改質層（弗化層）２４０を形成する。すなわち、基板２１０に弗化処理を施す。改質層２４０は、基板２１０の第１及び第２の領域２１２，２１４側の表層部に形成する。改質層２４０を基板２１０の一方の面の全部に形成してもよい。例えば、ＣＦ_４ガスを用いて、基板２１０にプラズマ表面処理を施してもよい。改質層２４０の厚みは限定されないが、例えば１０ｎｍ以下程度であってもよい。改質層２４０を形成することによって、上述の基板２１０のクリーニング及び表面粗化処理と同様の効果を得ることができる。また、改質層２４０は撥水機能を有するので、基板２１０の耐湿性が向上する。そのため、例えば、真空紫外放射２１８の照射後、触媒形成工程までの間に１ヶ月程度室内環境で保管してもパターンの再現性を維持することができる。

その後、必要があればさらに基板２１０の表面の汚れを洗浄し（図２５（Ｂ）参照）、基板２１０に真空紫外放射２１８を照射し（図２５（Ｃ）参照）、界面活性剤２２６を改質層２４０に設け（図２５（Ｄ）参照）、触媒２３０を界面活性剤２２６に設ける（図２６（Ａ）参照）。そして、基板２１０を洗浄することによって（図２６（Ｂ）参照）、基板２１０の原子間結合の分解部分を除去する。その後、酸によるウエットエッチングを行い、触媒２３０のうち第２の領域２１４に生じる残さを除去してもよい。こうして、図２６（Ｃ）に示すように、触媒２３０が残る部分に金属層３６を析出させて、所定のパターン形状（第１の領域２１２）に沿って配線を形成することができる。それらの詳細は上述した内容を適用することができる。

図２７（Ａ）〜図２８（Ｃ）は、本発明の第５の実施の形態の第２変形例に係る配線基板の製造方法を示す図である。本変形例では、基板２１０をアルカリ洗浄することによって、基板２１０に加水分解層２４２を形成する。加水分解層２４２は、基板２１０の第１及び第２の領域２１２，２１４側の表層部に形成する。図２７（Ａ）に示すように、基板２１０をアルカリ溶液（例えば無機アルカリ溶液）などの洗浄液２１６に浸漬することによってアルカリ洗浄を行ってもよい。具体的には、基板２１０を水酸化ナトリウム１０ｗｔ％〜２０ｗｔ％濃度で室温下において１０分〜６０分程度、浸漬及び水洗してもよい。加水分解層２４２の厚みは、アルカリ溶液などの洗浄液１６の液体温度、液体濃度及び洗浄時間などの各要素によって調整することができる。なお、上述のアルカリ洗浄によって、基板２１０のクリーニング及び表面粗化処理を同時に行うことができる。これによれば、金属層（配線）の密着性の向上を図ることができる。

その後、基板２１０に真空紫外放射２１８を照射し（図２７（Ｂ）参照）、界面活性剤２２６を加水分解層２４２に設け（図２７（Ｃ））、触媒２３０を界面活性剤２２６に設ける（図２８（Ａ）参照）。そして、基板２１０を洗浄することによって（図２８（Ｂ）参照）、基板２１０の原子間結合の分解部分を除去する。その後、酸によるウエットエッチングを行い、触媒２３０のうち第２の領域２１４に生じる残さを除去してもよい。こうして、図２８（Ｃ）に示すように、触媒２３０が残る部分に金属層２３６を析出させて、所定のパターン形状（第１の領域２１２）に沿って配線を形成することができる。それらの詳細は上述した内容を適用することができる。

上述の第１及び第２変形例において、真空紫外放射を基板２１０の表層部（改質層２４０の形成部又は加水分解層２４２の形成部）よりも深い部分（例えば表面からの深さ１μｍ以内）に入射させる。逆に言えば、真空紫外放射の入射深さよりも表層部の厚みを薄く形成する。これによって、少なくとも、基板２１０の表層部とそれ以外の部分との間の原子間結合が分解される。すなわち、基板２１０の表層部が改質層２４０となっている場合、基板２１０の改質層２４０とそれ以外の部分との間の原子間結合を分解することができる。あるいは、基板２１０の表層部が加水分解層２４２となっている場合、基板２１０の加水分解層２４２とそれ以外の部分との間の原子間結合を分解することができる。これによれば、基板２１０の表層部を簡単に除去することができるので、確実に触媒２３０を所定のパターン形状（第１の領域２１２に沿った形状）に残すことができ、高精度な配線を容易に形成することができる。

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。 図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。 図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。 図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。 図６は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。 図７は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。 図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。 図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。 図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。 図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。 図１３は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを説明するための図である。 図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。 図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。 図１６は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。 図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。 図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。 図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。 図２０（Ａ）〜図２０（Ｃ）は、本発明の第４の実施の形態を示す図である。 図２１（Ａ）及び図２１（Ｂ）は、本発明の第４の実施の形態を示す図である。 図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）は、本発明の第４の実施の形態を示す図である。 図２３（Ａ）〜図２３（Ｃ）は、本発明の第５の実施の形態を示す図である。 図２４（Ａ）〜図２４（Ｃ）は、本発明の第５の実施の形態を示す図である。 図２５（Ａ）〜図２５（Ｄ）は、本発明の第５の実施の形態を示す図である。 図２６（Ａ）〜図２６（Ｃ）は、本発明の第５の実施の形態を示す図である。 図２７（Ａ）〜図２７（Ｃ）は、本発明の第５の実施の形態を示す図である。 図２８（Ａ）〜図２８（Ｃ）は、本発明の第５の実施の形態を示す図である。

符号の説明

１０…基板 １２…第１の領域 １４…第２の領域 １８…界面活性剤
２２…真空紫外放射 ３０…触媒 ３４…金属層 ３８…触媒 ４０…金属層
６４…界面活性剤 ６８…触媒 ７２…金属層 ７６…触媒 ７８…金属層
８０…半導体チップ ８２…回路基板 １１０…基板 １１２…第１の領域
１１４…第２の領域 １１８…第１の界面活性剤 １２２…第２の界面活性剤
１３０…触媒 １３４…金属層 １３８…触媒 １４０…金属層
１５０…第１の界面活性剤 １５２…第２の界面活性剤 １５４…触媒
１５６…金属層 １５８…触媒 １６０…金属層 ２１０…基板 ２１２…第１の領域
２１４…第２の領域 ２１８…真空紫外放射 ２２６…界面活性剤
２３０…触媒 ２３６…金属層 ２４０…改質層 ２４２…加水分解層

Claims (7)

1. （ａ）第１及び第２の領域を有する有機材料からなるフレキシブル基板の前記第１の領域に残るように、カチオン系界面活性剤をパターニングすること、
   （ｂ）アルカリによるウエットエッチングによって、前記カチオン系界面活性剤のうち前記第２の領域に生じる残さを除去すること、
   （ｃ）前記フレキシブル基板の前記カチオン系界面活性剤に負の電荷を有する触媒を吸着させて、触媒をパターニングすること、
   （ｄ）前記触媒に金属層を析出させることによって、配線を形成すること、
   を含む配線基板の製造方法。
2. 請求項１記載の配線基板の製造方法において、
   前記（ｄ）工程前に、酸によるウエットエッチングによって、前記触媒のうち前記第２の領域に生じる残さを除去することをさらに含む配線基板の製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法において、
   前記（ａ）工程は、
   （ａ１）前記フレキシブル基板の前記第１及び第２の領域に前記カチオン系界面活性剤を設けること、
   （ａ２）前記フレキシブル基板の前記第２の領域に真空紫外放射を照射すること、
   （ａ３）前記フレキシブル基板を洗浄することによって、前記第１の領域に残るように前記カチオン系界面活性剤をパターニングすること、
   を含む配線基板の製造方法。
4. 請求項３記載の配線基板の製造方法において、
   前記フレキシブル基板は、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合の少なくともいずれか１つを有する配線基板の製造方法。
5. 請求項３又は請求項４記載の配線基板の製造方法において、
   前記フレキシブル基板は、少なくともＣ＝Ｃ結合を有し、
   前記真空紫外放射は、少なくともＣ＝Ｃ結合を分解できる性質を有する配線基板の製造方法。
6. 請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法において、
   前記（ａ）工程で、液滴吐出方式を適用することによって、前記カチオン系界面活性剤をパターニングする配線基板の製造方法。
7. 請求項６記載の配線基板の製造方法において、
   前記液滴吐出方式は、インクジェット方式である配線基板の製造方法。

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