JP3914165B2 - 離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するＣＯＦフィルムキャリアテープ、ＣＯＦ用フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのフレキシブルプリント配線板に離型層を形成するための離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、Ｔ−ＢＧＡ（Ball Grid Array）テープ、ＡＳＩＣテープ、ＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）等の電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採用されている。特に、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使用する電子産業において、その重要性が高まっている。
【０００３】
また、より小さいスペースで、より高密度の実装を行う実装方法として、裸のＩＣチップをフレキシブルプリント配線板上に直接搭載するＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）が実用化されている。
【０００４】
このＣＯＦに用いられるフレキシブルプリント配線板はデバイスホールを具備しないので、導体層と絶縁層とが予め積層された積層フィルムが用いられ、ＩＣチップの配線パターン上への直接搭載の際には、例えば、絶縁層を透過して視認されるインナーリードや位置決めマークを介して位置決めを行い、その状態で加熱ツールによりＩＣチップと、配線パターン、すなわちインナーリードとの接合が行われる（例えば、特許文献１等参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２８９６５１号公報（図４〜図６、段落［０００４］、［０００５］等）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体チップの実装は、絶縁層が加熱ツールに直接接触した状態で行われるが、この状態で加熱ツールによりかなり高温に加熱されるので、絶縁層が加熱ツールに融着する現象が生じ、製造装置の停止の原因となり、また、テープの変形が生じるという問題がある。また、加熱ツールと融着した場合には、加熱ツールに汚れが発生し、信頼性、生産性を阻害するという問題があった。
【０００７】
このような加熱ツールの融着は、デバイスホールのないＣＯＦフィルムキャリアテープやＣＯＦ用ＦＰＣへの半導体チップの実装の際に問題となる。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑み、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に容易に離型層を形成でき、絶縁層が加熱ツールに熱融着することがなく、半導体チップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させることができる離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するための離型層転写用フィルムであって、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備し、前記転写用離型層が、シラザン化合物を含有する離型剤により形成され且つ前記絶縁層に転写可能であることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００１０】
かかる第１の態様では、転写用フィルムにシラン化合物の一種であるシラザン化合物からなる離型剤により形成された転写用離型層をＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に転写することにより、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に離型層を比較的容易に形成できる。
【００１９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記転写用離型層が、前記離型剤の溶液を塗布し、加熱処理することにより形成されたものであることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２０】
かかる第２の態様では、塗布法により熱融着が確実に防止される離型層を形成するための転写用離型層が転写用フィルムの面上に形成される。
【００２１】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記転写用離型層は、前記絶縁層に密着させた後、加熱処理することにより転写されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２２】
かかる第３の態様では、転写用離型層は、絶縁層に密着された後、加熱処理することにより、有効に転写される。
【００２３】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記転写用フィルムの一方面に連続的に又は間欠的な島状に設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２４】
かかる第４の態様では、転写用離型層が、連続的に又は間欠的な島状に設けられていれば、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に有効に転写される。
【００２５】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記絶縁層に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２６】
かかる第５の態様では、転写用離型層の少なくとも一部が絶縁層に転写され、その絶縁層の面上に連続的に又は間欠的な島状の転写用離型層が有効に形成される。
【００２７】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の少なくとも二列のスプロケットホールの列間に存在する前記配線パターンの形成領域に対応して設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２８】
かかる第６の態様では、転写用離型層が、スプロケットホールの列間に存在していれば、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に絶縁層が有効に形成される。
【００２９】
本発明の第７の態様は、第６の態様において、前記配線パターンの形成領域が少なくとも二列以上あり、当該配線パターンの列毎に対応して前記転写用離型層が多条に設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３０】
かかる第７の態様では、多条のＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に、各配線パターンの列毎に対応して多条の離型層が形成される。
【００３１】
本発明の第８の態様は、第１〜７の何れかの態様において、前記転写用フィルムと前記転写用離型層の間には、当該転写用離型層のみと剥離可能な粘着層が設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３２】
かかる第８の態様では、転写用離型層が粘着層を介して転写用フィルムの一方面上に形成される。
【００３３】
本発明の第９の態様は、第１〜８の何れかの態様において、前記転写用フィルムは、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程にて前記絶縁層に粘着されて補強フィルムとして使用されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３４】
かかる第９の態様では、離型層転写用フィルムを補強フィルムとして利用することで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程における絶縁層の剛性が高められ、所望のテープ搬送強度が得られる。
【００３５】
本発明の第１０の態様は、第１〜９の何れかの態様において、前記転写用離型層の面上には、当該転写用離型層と剥離可能な剥離フィルムが設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３６】
かかる第１０の態様では、剥離フィルムにより転写用離型層の表面が保護される。
【００３７】
本発明の第１１の態様は、基材フィルムと、該基材フィルムの表面にシロキサン化合物、シラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成された離型層と、該離型層の前記基材フィルムとは反対側の面上に設けられてＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層と、該絶縁層の前記離型層側とは反対側の面上に設けられた導体層とを有し、前記基材フィルムは、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程にて前記絶縁層に粘着されて補強フィルムとして使用され且つ前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に剥がされるものであり、当該基材フィルムが剥がされた後には前記絶縁層上に前記離型層が残ることを特徴とする積層フィルムにある。
【００３８】
かかる第１１の態様では、基材フィルムは補強フィルムとして使用され、基材フィルムを剥がすことで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を比較的容易に形成でき、半導体チップ（ＩＣ）実装時の加熱ツールとの熱融着が防止される。
【００３９】
本発明の第１２の態様は、第１１の態様において、前記離型層が、シラザン化合物を含有する離型剤により形成されたことを特徴とする積層フィルムにある。
【００４０】
かかる第１２の態様では、離型層が、シラン化合物の一種であるシラザン化合物からなる離型剤により形成され、有効にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に形成される。
【００４３】
本発明の第１３の態様は、第１１又は１２の態様において、前記基材フィルムと前記離型層の間には、当該離型層のみと剥離可能な粘着層が設けられていることを特徴とする積層フィルムにある。
【００４４】
かかる第１３の態様では、離型層が粘着層を介して基材フィルムの一方面上に形成される。
【００４９】
本発明の第１４の態様は、第１１〜１３の何れかの態様において、前記基材フィルムは、加熱処理した後、剥がされるものであることを特徴とする積層フィルムにある。
【００５０】
かかる第１４の態様では、離型層は、加熱処理することにより、絶縁層と密着して有効に形成される。
【００５１】
本発明の第１５の態様は、第１１〜１４の何れかの態様において、前記基材フィルムが剥がされた後に残る離型層は、前記絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とする積層フィルムにある。
【００５２】
かかる第１５の態様では、離型層が、連続的に又は間欠的な島状にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に形成され、有効に機能する。
本発明の第１６の態様は、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するための離型層転写用フィルムであって、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備し、前記転写用離型層が、シロキサン化合物、シラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成され且つ前記絶縁層に転写可能である離型層転写用フィルムの前記転写用離型層側を、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に積層する工程と、この離型層転写用フィルムを積層した絶縁層の反対側に設けられた導体層に配線パターンを形成してＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を製造する工程と、前記転写用フィルムを剥がして前記転写用離型層を前記絶縁層に転写して絶縁層に離型層を有するＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板とする工程とを具備することを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
本発明の第１７の態様は、第２〜１０の何れかの態様の離型層転写用フィルムの前記転写用離型層側を、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に積層する工程と、この離型層転写用フィルムを積層した絶縁層の反対側に設けられた導体層に配線パターンを形成してＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を製造する工程と、前記転写用フィルムを剥がして前記転写用離型層を前記絶縁層に転写して絶縁層に離型層を有するＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板とする工程とを具備することを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
本発明の第１８の態様は、第１６又は１７の態様において、前記転写用フィルムを剥がす際に、加熱処理することで前記離型層が前記絶縁層に転写されることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
本発明の第１９の態様は、第１６〜１８の何れかの態様において、前記離型層は、前記絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
【００５３】
本発明の離型層転写用フィルムは、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するものであり、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備する。
【００５４】
ここで、転写用フィルムは、特に限定されないが、転写用離型層をＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に離型層として有効に転写し得るものであればよい。転写の際には、絶縁層に転写用離型層を密着させ、必要に応じて加熱処理を行うので、このような転写処理に耐えられる強度及び耐熱性を有していればよい。転写用フィルムの材質としては、例えば、プラスチックフィルムを用いることができ、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、及び液晶ポリマー等からなるフィルムが挙げられる。このような転写用フィルムの厚さとしては、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜７５μｍである。
【００５５】
このような転写用フィルムの一方面に設けられる転写用離型層は、半導体チップの実装時に加熱ツールと密着しないような離型性を有しており且つこのような加熱により熱融着しない材料で形成されていればよく、有機材料でも無機材料でもよい。例えば、シリコーン系離型剤、エポキシ系離型剤、フッ素系離型剤などを用いるのが好ましい。
【００５６】
このような転写用離型層は、シリコーン系化合物、エポキシ系化合物又はフッ素系化合物からなるのが好ましいが、特に、シリコーン系化合物からなるもの、すなわち、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合）を有する化合物を形成するものがよい。シリコーン系化合物からなる転写用離型層は、比較的容易に形成でき、半導体装置実装面に転写したとしても、半導体チップ実装後のモールド樹脂の接着性に悪影響を起こし難いからである。
【００５７】
ここで、シリコーン系化合物、すなわち、シロキサン結合を有する化合物からなる転写用離型層を形成する離型剤としては、シリコーン系離型剤を挙げることができ、具体的には、ジシロキサン、トリシロキサンなどのシロキサン化合物から選択される少なくとも一種を含有するものである。
【００５８】
また、好ましい離型剤としては、塗布後反応によりシリコーン系化合物に変化する化合物、すなわち、モノシラン、ジシラン、トリシランなどのシラン化合物、又はシリカゾル系化合物等を含む離型剤を用いるのが好ましい。
【００５９】
さらに、特に好ましい離型剤としては、シラン化合物の一種であるアルコキシシラン化合物や、シロキサン結合の前駆体であるＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ構造を有する、ヘキサメチルジシラザン、ペルヒドロポリシラザンなどのシラザン化合物を含有する離型剤を挙げることができる。これらは、塗布することにより、又は塗布後空気中の水分等と反応することにより、シロキサン結合を有する化合物となるが、例えば、シラザン化合物については、Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ構造が残存している状態であってもよい。
【００６０】
このように、離型剤を塗布した後、反応により変化して形成されたシリコーン系化合物からなる離型層が特に好ましい。
【００６１】
このような各種離型剤は、一般的には溶剤として有機溶剤を含有しているが、水溶液タイプのもの又はエマルジョンタイプのものを用いてもよい。
【００６２】
具体例としては、ジメチルシロキサンを主成分とするシリコーン系オイル、メチルトリ（メチルエチルケトオキシム）シラン、トルエン、リグロインを成分とするシリコーン系レジンＳＲ２４１１（商品名：東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）、シラザン、合成イソパラフィン、酢酸エチルを成分とするシリコーン系レジンＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）などを挙げることができる。また、シラン化合物を含有するコルコートＳＰ−２０１４Ｓ（商品名：コルコート株式会社製）などを挙げることができる。さらに、シリカゾルを含有する離型剤としては、コルコートＰ、Ｎ−１０３Ｘ（商品名：コルコート株式会社製）などを挙げることができる。なお、シリカゾルに含まれるシリカの粒子径は、例えば、０．００５〜０．００８μｍ［５０〜８０Å（オングストローム）］である。
【００６３】
ここで、半導体チップの実装時に加熱ツールと密着しないという離型性を有しており且つこのような加熱により熱融着しないという効果の点では、シラザン化合物を含有する離型剤でシリコーン系化合物からなる転写用離型層を設けるのが特に好ましい。このようなシラザン化合物を含有する離型剤の一例としては、シラザン、合成イソパラフィン、酢酸エチルを成分とするシリコーン系レジンＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）を挙げることができる。
【００６４】
このような転写用離型層を転写用フィルムの一方面に形成する方法は特に限定されず、例えば、塗布法、転写法等が挙げられる。塗布法では、転写用フィルムの一方面上に離型剤又はその溶液をスプレー、ディッピング、又はローラー塗布などにより塗布し、加熱処理することで転写用離型層が形成される。また、転写用離型層を転写法により形成する場合にも、加熱処理するようにしてもよい。転写用離型層の厚さは、例えば、０．０５〜０．５μｍであり、好ましくは０．１〜０．３μｍである。また、転写用離型層は、必ずしも全体的に均一に設けられている必要はなく、間隔をおいて島状に設けられていてもよい。さらに、転写用離型層が転写用フィルムの一方面の全面に設けられた離型剤転写用フィルムテープによって絶縁層の面上に必ずしも全体的に離型層を転写できなくてもよく、連続的に又は間欠的な島状に転写できればよい。これは、絶縁層の面上に島状の離型層が形成されれば、加熱ツールと絶縁層とが直接接触するのを確実に防止でき、加熱ツールと絶縁層との熱融着が有効に防止できるからである。
【００６５】
また、本発明では、転写用フィルムの一方面上、すなわち、転写用フィルムと転写用離型層との間に粘着層を設けるようにしてもよい。このような粘着層の材質は、例えば、アクリル系、ゴム系、及びエポキシ系等の樹脂材料が挙げられる。また、粘着層の厚さは、例えば、３〜２５μｍであり、好ましくは５〜１５μｍである。かかる粘着層の形成方法としては、例えば、スプレー、ディッピング、又はローラー塗布などにより塗布する方法が挙げられる。
【００６６】
ここで、上述した転写用離型層は、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップ（ＩＣ）を実装する側とは反対側の面上に転写されるが、この際、加圧してもよいし、その加圧と共に加熱してもよく、加熱だけ行うようにしてもよい。例えば、このときの転写条件としては、加熱温度を１５〜２００℃とし、ローラー又はプレスによる荷重を５〜５０ｋｇ／ｃｍ２とし、処理時間を０．１秒〜２時間とするのがよい。
【００６７】
また、絶縁層と離型層との間の剥離を防止するために、転写後、加熱処理等により両者の間の接合力を高めるようにしてもよい。このときの加熱条件としては、例えば、加熱温度を５０〜２００℃、好ましくは、１００〜２００℃とし、加熱時間を１分〜１２０分、好ましくは、３０分〜１２０分とするのがよい。
【００６８】
かかる離型層は、半導体実装時までに設けられていればよいので、導体層を設けていない絶縁層に予め設けるようにしてもよいし、導体層を設ける際に同時に設けるようにしてもよい。勿論、離型層は、導体層をパターニングする前に必ずしも転写して設ける必要はなく、導体層をパターニングした後設けるようにしてもよい。
【００６９】
例えば、導体層を設けていない絶縁層に設ける場合などは、転写法を行うのに好適である。また、製造工程の初期段階で転写法により離型層を設ける場合、離型層が形成された転写用フィルムを剥がさないで補強フィルムとして使用し、最終工程で転写用フィルムを剥がすようにしてもよい。このように、離型層転写用フィルムを補強フィルムとして利用することで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程におけるテープ搬送強度が高められる。
【００７０】
このようなＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板は、導体層と絶縁層とを有する。かかるＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に用いられる導体層と絶縁層とのＣＯＦ用積層フィルムとしては、ポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムにニッケルなどの密着強化層をスパッタした後、銅メッキを施したＣＯＦ用積層フィルムを挙げることができる。また、ＣＯＦ用積層フィルムとしては、銅箔にポリイミドフィルムを塗布法により積層したキャスティングタイプや、銅箔に熱可塑性樹脂・熱硬化性樹脂などを介し絶縁フィルムを熱圧着した熱圧着タイプのＣＯＦ用積層フィルムを挙げることができる。本発明では、何れを用いてもよい。
【００７１】
ここで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板は、半導体チップを実装して用いられる。この際、実装方法は特に限定されないが、例えば、チップステージ上に載置された半導体チップ上にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を位置決め配置し、加熱ツールをＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に押しあてて半導体チップを実装する。この際に、加熱ツールは、最低でも２００℃以上、場合によっては３５０℃以上に加熱されるが、絶縁層上に離型層が形成されているので、両者の間に熱融着が生じる虞がないという効果を奏する。
【００７２】
また、本発明の離型層転写用フィルムは、上述した転写用離型層の面上に、この転写用離型層と剥離可能な剥離フィルムを設けるようにしてもよい。この剥離フィルムは、転写用離型層の表面を保護する役割がある。
【００７３】
何れにしても、本発明の離型層転写用フィルムは、半導体チップ実装前に転写用フィルムを剥がすことで、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップを実装する側とは反対側の面上に離型層を転写できれるものであれば特に限定されるものではない。
【００７４】
また、本発明の積層フィルムは、基材フィルムと、この基材フィルムの表面にシラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成された離型層と、この離型層の基材フィルムとは反対側の面上に設けられてＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層とを有する。
【００７５】
また、このような積層フィルムは、これら基材フィルム、離型層、及び絶縁層３層タイプの積層フィルムに限定されるものではなく、例えば、絶縁層の基材フィルム側とは反対側の面上に導体層を設けた４層タイプの積層フィルム、あるいは基材フィルムと離型層の間に、離型層のみと剥離可能な粘着層を設けた５層タイプの積層フィルムであってもよい。
【００７６】
また、このような本発明の積層フィルムを用いると、少なくとも、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に基材フィルムを剥がすことで、絶縁層上に離型層を残すことができる。この際、加熱処理を行った後、基材フィルムを剥がすことで、離型層を絶縁層の面上により有効に転写することができる。
【００７７】
そして、このような離型層は、上述した離型層転写用フィルムと同様に、必ずしも、基材フィルムの面上に設けられた全てを転写できなくてもよく、少なくとも、絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されればよい。
【００７８】
また、このような本発明の積層フィルムは、上述した離型層転写用フィルムの転写用離型層の面上に絶縁層を形成することにより、または、更にこの絶縁層の面上に導体層を形成することにより製造でき、あるいは、絶縁層と導電層との２層を貼着すること、あるいは、絶縁層と導体層との２層タイプの積層フィルムを貼着することで製造することができる。若しくは、その逆で、絶縁層の一方面上に、離型層を形成した後、この離型層の面上に少なくとも基材フィルムを形成することで製造するようにしてもよい。
【００７９】
このような本発明の積層フィルムによれば、少なくとも半導体チップを実装する前に、基材フィルムを剥がし、絶縁層に離型層を形成するようにすれば、上述したように、絶縁層と加熱ツールとが直接接触することがなく、熱融着等が確実に防止される。
【００８０】
また、このような積層フィルムによれば、基材フィルムを剥がさずに、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程を行うようにすれば、製造の際、この基材テープが、絶縁層に粘着されて補強フィルムとして作用する。したがって、このような場合には、製造の際、所望のテープ搬送強度を確保できるという効果がある。
【００８１】
何れにしても、本発明の積層フィルムは、半導体チップ実装前に基材フィルムを剥がすことで、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップを実装する側とは反対側の面上に離型層を形成できれるものであれば特に限定されるものではない。
【００８２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る離型層転写用フィルムを実施例に基づいて説明する。なお、図１には、一実施形態に係る離型層転写用フィルムを示す。
【００８３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の離型層転写用フィルム１は、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型剤を形成するものであり、転写用フィルム２と、この転写用フィルム２の一面に設けられた転写用離型層３とを具備する。
【００８４】
転写用離型層３は、転写用フィルム２の一方面上の全面に設けられていてもよく、連続的又は間欠的な島状に設けられていてもよい。例えば、ＣＯＦフィルムキャリアテープに転写する場合には、後述するスプロケットホールの間の領域、あるいは後工程にて半導体チップ（ＩＣ）を実装する領域に対応して連続的に又は間欠的な島状に設けられていてもよい。すなわち、転写用フィルム２の転写用離型層３の形成領域については、転写用離型層３を転写する対象であるＣＯＦフィルムキャリアテープの半導体チップが実装される領域に対応して、任意に設定すればよい。例えば、多条のフィルムキャリアテープの場合には、２つの塗布用ローラを用いて、長尺の転写用フィルムの面上に幅方向に所定の間隔をおいて離型剤を塗布し、２条の転写用離型層を長手方向に亘って連続的に設けるようにしてもよい。または、転写用フィルムの長手方向に所定の間隔をおいて、例えば、半導体チップの実装間隔と同じ間隔で断続的に、且つ半導体チップの絶縁層への投影面積と同じ面積で、離型層を島状に設けるようにしてもよい。例えば、本実施形態では、転写用フィルム２の全面に転写用離型層３を設けた。また、このような転写用離型層３は、転写用フィルム２の一方面上に離型剤を塗布することにより設けられる。なお、転写用離型層３の厚さは、例えば、０．０５〜１μｍであり、好ましくは、０．１〜０．５μｍである。そして、このような転写用離型層３は、詳しくは後述するが、絶縁層の面上に転写されて離型層となり、半導体チップ実装時の加熱ツールに絶縁層が熱融着するのを有効に防止するものである。
【００８５】
以上説明した離型層転写用フィルム１は、少なくともＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を構成する絶縁層に離型層を転写するために用いられる。
【００８６】
ここで、このようなＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板として、図２に示すようなＣＯＦフィルムキャリアテープを例にとって説明するが、ＣＯＦ用ＦＰＣについても同様に実施できることはいうまでもない。なお、図２には、一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を示す。
【００８７】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態のＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、銅層からなる導体層１１とポリイミドフィルムからなる絶縁層１２とからなるＣＯＦ用積層フィルム１０を用いて製造されたものであり、導体層１１をパターニングした配線パターン２１と、配線パターン２１の幅方向両側に設けられたスプロケットホール２２とを有する。また、配線パターン２１は、絶縁層１２の表面に連続的に設けられている。さらに、配線パターン２１上には、ソルダーレジスト材料塗布溶液をスクリーン印刷法にて塗布して形成したソルダーレジスト層２３を有する。なお、配線パターンは、絶縁層の両面に形成されていてもよく（２−ｍｅｔａｌ ＣＯＦフィルムキャリアテープ）、この場合には、加熱ツールが接触する領域のみに離型剤を塗布、あるいは転写用離型層を転写することで、離型層を形成すればよい。
【００８８】
ここで、導体層１１としては、銅の他、アルミニウム、金、銀などを使用することもできるが、銅層が一般的である。また、銅層としては、蒸着やメッキで形成した銅層、電解銅箔、圧延銅箔など何れも使用することができる。導体層１１の厚さは、一般的には、１〜７０μｍであり、好ましくは、５〜３５μｍである。
【００８９】
一方、絶縁層１２としては、ポリイミドの他、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマーなどを用いることができるが、ピロメリット酸２無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの重合によって得られる全芳香族ポリイミドを用いるのが好ましい。なお、絶縁層１２の厚さは、一般的には、１２．５〜１２５μｍであり、好ましくは、１２．５〜７５μｍ、さらに好ましくは１２．５〜５０μｍである。
【００９０】
ここで、ＣＯＦ用積層フィルムは、例えば、銅箔からなる導体層１１上に、ポリイミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布して塗布層を形成し、溶剤を乾燥させて巻き取り、次いで、酸素をパージしたキュア炉内で熱処理し、イミド化して絶縁層１２とすることにより形成されるが、勿論、これに限定されるものではない。
【００９１】
そして、このような絶縁層１２の配線パターン２１側とは反対側の面上には、上述した離型層転写用フィルム１により転写用離型層３が転写され、離型層１３が形成されている。
【００９２】
このようなＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、例えば、搬送されながら半導体チップの実装やプリント基板などへの電子部品の実装工程に用いられ、ＣＯＦ実装されるが、この際、絶縁層１２の光透過性が５０％以上あるので、絶縁層１２側から配線パターン２１（例えば、インナーリード）をＣＣＤ等で画像認識することができ、さらに、実装する半導体チップやプリント基板の配線パターン２１を認識することができ、画像処理により相互の位置合わせを良好に行うことができ、高精度に電子部品を実装することができる。
【００９３】
次に、上述したＣＯＦフィルムキャリアテープ２０の一製造方法を図３及び図４を参照しながら説明する。なお、図３は、本発明の一実施形態に係る積層フィルム及びＣＯＦ用積層フィルム並びにこれらの製造方法の一例を示す図であり、図４は、ＣＯＦフィルムキャリアテープの一製造方法を説明する図である。
【００９４】
ここで、本実施形態では、図３に示すように、積層フィルム１００及びＣＯＦ用積層フィルム１０を形成した後、このＣＯＦ用積層フィルム１０を用いてＣＯＦフィルムキャリアテープを製造する。
【００９５】
具体的には、ＣＯＦ用積層フィルムは、まず、銅箔からなる導体層１１上に（図３（ａ））、ポリイミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布して塗布層１２ａを形成し（図３（ｂ））、溶剤を乾燥させて巻き取る。次に、キュア炉内で熱処理し、イミド化して絶縁層１２とする（図３（ｃ））。次に、基材フィルムとなる転写用フィルム２上に形成された転写用離型層３を絶縁層１２の導体層１１とは反対側に密着させて積層フィルム１００を製造する（図３（ｄ））。ここでの積層フィルム１００は、図３（ｄ）に示すように、転写用フィルム２（基材フィルム）、転写用離型層３（離型層１３）、絶縁層１２、及び導体層１１から構成される。そして、このような積層フィルム１００を加熱処理した後、転写用フィルム２を剥がし、絶縁層１２の導体層１１側とは反対側の面上に離型層１３を有するＣＯＦ用積層フィルム１０としたものである（図３（ｅ））。
【００９６】
ここで、転写条件としては、例えば、加熱温度を１５〜２００℃とし、ローラー又はプレスによる荷重を５〜５０ｋｇ／ｃｍ２とし、処理時間を０．１秒〜２時間とするのがよい。また、加熱条件としては、例えば、加熱温度を５０〜２００℃、好ましくは、１００〜２００℃とし、加熱時間を１分〜１２０分、好ましくは、３０分〜１２０分とするのがよい。ここで、転写用フィルム２の材質は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、及び液晶ポリマー等が挙げられる。このような転写用フィルム２の厚さとしては、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜７５μｍである。
【００９７】
次に、図４（ａ）に示すような導体層１１及び絶縁層１２からなるＣＯＦ用積層フィルム１０をパンチング等によって貫通することで、図４（ｂ）に示すようなスプロケットホール２２を形成する。このスプロケットホール２２は、絶縁層１２の表面上から形成してもよく、また、絶縁層１２の裏面から形成してもよい。次に、図４（ｃ）に示すように、一般的なフォトリソグラフィー法を用いて、導体層１１上の配線パターン２１が形成される領域に亘って、例えば、ネガ型フォトレジスト材料塗布溶液を塗布してフォトレジスト材料塗布層３０を形成する。勿論、ポジ型フォトレジスト材料を用いてもよい。さらに、スプロケットホール２２内に位置決めピンを挿入して絶縁層１２の位置決めを行った後、フォトマスク３１を介して露光・現像することで、フォトレジスト材料塗布層３０をパターニングして、図４（ｄ）に示すような配線パターン用レジストパターン３２を形成する。次に、配線パターン用レジストパターン３２をマスクパターンとして導体層１１をエッチング液で溶解して除去し、さらに配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ溶液等にて溶解除去することにより、図４（ｅ）に示すように配線パターン２１を形成する。続いて、必要に応じて配線パターン２１全体にスズメッキなどのメッキ処理を行った後、図４（ｆ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法を用いて、ソルダーレジスト層２３を形成する。そして、ソルダーレジスト層２３で覆われていないインナーリード及びアウターリードに必要に応じて金属メッキ層を施す。金属メッキ層は特に限定されず、用途に応じて適宜設ければよく、スズメッキ、スズ合金メッキ、ニッケルメッキ、金メッキ、金合金メッキなどを施す。
【００９８】
以上説明した実施形態では、離型層１３の形成をスプロケットホール２２形成する前に行ったが、これに限定されず、ＣＯＦ用積層フィルム１０の導体層１２をパターニングする前に行ってもよく、配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ溶液等にて溶解除去した後、ソルダーレジスト層２３を設ける前に行うようにしてもよい。また、ソルダーレジスト層２３を設けた後のソルダーレジスト製造工程最後に離型層１３を形成するようにしてもよい。このように離型層１３を形成すると、離型層１３がエッチング液やフォトレジストの剥離液等に曝されないので、離型効果が高いという利点がある。なお、ここで製造工程最後とは、製品検査工程の前を意味する。
【００９９】
このように、本発明の離型層は、配線パターン２１を形成するフォトリソグラフィー工程後そして半導体チップとのボンディング前までに形成するのが好ましい。これはフォトレジスト層の剥離工程で離型層が溶解する可能性があるからである。したがって、フォトレジスト工程終了直後、又はメッキ処理後、さらには、ソルダーレジスト層２３形成後等に離型層を設けるのが好ましい。勿論、フォトリソグラフィー工程より前に行ってもよい。
【０１００】
また、本実施形態のように、予めＣＯＦ用積層フィルム１０に離型層１３を設けるようにすれば、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を製造する際、所望のテープ搬送強度を確保することができるという効果もある。そして、本実施形態では、基材である転写用フィルム２を剥がして、ＣＯＦ用積層フィルム１０としたが、これに限定されず、ＣＯＦ用積層フィルム１０に予め離型層転写用フィルム１を貼って、そのまま転写用フィルム２を剥がさずに各製造工程を行い、製造工程最後に転写用フィルム２を剥がすようにしてもよい。これにより、テープ搬送強度を十分に確保できる。
【０１０１】
さらに、本発明では、上述したように、転写用フィルム２の一方面上に転写用離型層３を設けたが、図５に示すように、転写用フィルム２と転写用離型層３Ａの間に粘着層４を設けるようにしてもよい。図５に示す離型層転写用フィルム１Ａは、例えば、まず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなる転写用フィルム２の一方面上に、厚さ３〜２５μｍ程度の粘着剤を塗布し、転写用離型層３Ａのみと剥離可能な粘着層４を形成する（図５（ａ））。次に、この粘着層４の面上に離型剤を塗布し、転写用離型層３Ａを形成することにより製造される（図５（ｂ））。そして、このような構成の離型層転写用フィルム１Ａは、基材フィルムとなる転写用フィルム２上に粘着層４を介して形成された転写用離型層３Ａを絶縁層１２の導体層１１とは反対側に密着させて積層フィルム１００Ａを製造する（図５（ｃ））。なお、ここでの積層フィルム１００Ａは、図５（ｃ）に示すように、転写用フィルム２（基材フィルム）、粘着層４、転写用離型層３Ａ（離型層１３Ａ）、絶縁層１２、及び導体層１１から構成される。そして、このような積層フィルム１００Ａを加熱処理した後、転写用フィルム２を剥がし、絶縁層１２の導体層１１側とは反対側の面上に離型層１３Ａを有するＣＯＦ用積層フィルム１０Ａを製造する（図５（ｄ））。このとき、粘着層４は、転写用フィルム２とは粘着しているが離型層１３Ａとは剥離可能であるため、転写用フィルム２を剥がす際に同時に剥がれる。なお、ここでの転写条件としては、上述したのと同様であり、特に限定されるものではない。また、転写フィルム２を剥がすタイミングについても、ＣＯＦフィルムキャリアテープの製造工程前としてもよく、勿論、製造工程後としてもよい。このように、製造工程後に転写フィルム２を剥がすようにすれば、所望の搬送強度を確保することができる。また、製造工程前に剥がす場合でも、その後の製造工程において離型層１３Ａが形成されているため、ＣＯＦ用積層フィルム１０Ａの搬送強度を十分に確保できる。
【０１０２】
何れにしても、本発明に係る離型層転写用フィルム及び積層フィルムは、上述した構成のものに限定されず、少なくとも半導体チップ実装前に、転写用フィルム又は基材フィルムを剥がすことで、後述する加熱ツールと絶縁層との間の領域に対応して、絶縁層の半導体チップが実装される側とは反対側の面上に、特定のシリコーン系化合物からなる離型層を形成できるものであればよい。
【０１０３】
ここで、本発明では、上述したようにして製造されたＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、半導体チップ３０を実装することにより製造される。すなわち、半導体チップ３０をチップステージ４１上に載置し、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を搬送する。この状態で、所定位置に位置決めした後、上部クランパー４２が下降すると共に下部クランパー４３が上昇してＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を固定し、この状態で加熱ツール４５が下降してテープを押し付け、加熱しながらさらに下降してＣＯＦフィルムキャリアテープ２０のインナーリードを半導体チップ３０のバンプ３１に所定時間押圧し、両者を接合する。なお、接合後、樹脂封止を行い、半導体装置とする。
【０１０４】
なお、加熱ツール４５の温度は、押圧時間、圧力等の条件によっても異なるが、２００℃以上、好ましくは３５０℃以上である。本発明では、このように加熱ツール４５の温度を高温にしても、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０の加熱ツール４５との接触面に離型層１３が設けられているので、加熱ツール４５と熱融着することがない。すなわち、本発明によると、接合条件の温度を十分に高くできるので、十分な接合強度が確保でき、逆に、一定の接合強度を得るのに、加熱温度を高くすることにより、圧着時間を短縮することができるという利点がある。
【０１０５】
（実施例１）
まず、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムからなる転写用フィルムの一方面上に塗布法によりシリコーン系離型剤を塗布し、厚さ０．１μｍのシランを含むシリコーン系化合物からなる転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意した。次に、導体層としての厚さ９μｍの超低粗度銅箔上に、絶縁層として塗布法により厚さ４０μｍのポリイミド層を形成し、さらに、この絶縁層の導体層とは反対側の面上に、上述した離型層転写用フィルムを用いて転写法により厚さ０．１μｍの転写用離型層からなる離型層を設けて実施例のＣＯＦ用積層フィルムとした。なお、シリコーン系化合物からなる離型層を転写した後、１２０℃で加熱処理した。
【０１０６】
（実施例２）
実施例１でシリコーン系化合物からなる離型層を転写後、加熱処理を行わない以外は同様にして実施例２のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０７】
（実施例３）
実施例１において、シリコーン系化合物からなる離型層を形成する離型剤として、シラザン化合物を含有するＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）を用いて転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意し、この離型層転写用フィルムにより絶縁層の面上に離型層を転写した以外は同様にして実施例３のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０８】
（実施例４）
実施例１において、シリコーン系化合物からなる離型層を形成する離型剤として、シリカゾルを含有するコルコートＰ（商品名：コルコート株式会社）を用いた以外同様に転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意した。そして、この離型層転写用フィルムを用いて転写する際、１２０℃で加熱すると共に２０ｋｇ／ｃｍ２の荷重を加えて、３０分間ホットプレスすることにより、転写用離型層からなる離型層を形成して実施例４のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０９】
（比較例１）
離型層を設けない以外は実施例１と同様にしてＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１１０】
（試験例１）
実施例１〜４および比較例１のＣＯＦ用積層フィルムの導体層をパターニングし、その後、配線パターン全体にスズメッキを施した後、ソルダーレジスト層を形成し、ＣＯＦフィルムキャリアテープを製造した。そして、これら各ＣＯＦフィルムキャリアテープを用い、加熱ツール温度を２６０℃〜４４０℃の範囲で変化させながら離型層側へ押し当てて半導体チップを実装し、加熱ツールとの付着性を観察した。この結果を表１に示す。
【０１１１】
【表１】
【０１１２】
この結果、比較例１では３００℃を超えると付着が生じたが、実施例２では３２０℃を超えた際に一部に付着が生じる程度まで付着性が良好になり、実施例１、３及び４では４００℃を越えるまでは付着が全く生じなかった。なお、実施例２は、比較例１と差はあるものの、効果は顕著ではなかったが、加熱融着温度は、加熱ツール、実装する半導体チップの種類、実装品の用途等により異なり、一般的には２００〜３５０℃程度の場合もあるので、付着温度が上昇する点では有効である。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の離型層転写用フィルムは、特定のシリコーン系化合物からなる転写用離型層を絶縁層の面上に離型層として転写できるので、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に容易に離型層を形成できる、絶縁層が加熱ツールに熱融着することがなく、半導体チップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させるという効果を奏する。
【０１１４】
また、本発明の積層フィルムについても、単に基材フィルムを剥がすことで、特定のシリコーン系化合物からなる離型層を絶縁層の面上に比較的容易に形成できるので、上述した離型層転写用フィルムと同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る離型層転写用フィルムを示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを示す概略構成図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る積層フィルム及びＣＯＦ用積層フィルム並びにこれらの製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る離型層転写用フィルム及び積層フィルムの製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 離型層転写用フィルム
２ 転写用フィルム（基材フィルム）
３，３Ａ 転写用離型層
１０，１０Ａ ＣＯＦ用積層フィルム
１１ 導体層
１２ 絶縁層
１３，１３Ａ 離型層
２０ ＣＯＦフィルムキャリアテープ
２１ 配線パターン
２２ スプロケットホール
２３ ソルダーレジスト層
３０ 半導体チップ
３１ バンプ
１００，１００Ａ 積層フィルム
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するＣＯＦフィルムキャリアテープ、ＣＯＦ用フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのフレキシブルプリント配線板に離型層を形成するための離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、Ｔ−ＢＧＡ（Ball Grid Array）テープ、ＡＳＩＣテープ、ＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）等の電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採用されている。特に、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使用する電子産業において、その重要性が高まっている。
【０００３】
また、より小さいスペースで、より高密度の実装を行う実装方法として、裸のＩＣチップをフレキシブルプリント配線板上に直接搭載するＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）が実用化されている。
【０００４】
このＣＯＦに用いられるフレキシブルプリント配線板はデバイスホールを具備しないので、導体層と絶縁層とが予め積層された積層フィルムが用いられ、ＩＣチップの配線パターン上への直接搭載の際には、例えば、絶縁層を透過して視認されるインナーリードや位置決めマークを介して位置決めを行い、その状態で加熱ツールによりＩＣチップと、配線パターン、すなわちインナーリードとの接合が行われる（例えば、特許文献１等参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２８９６５１号公報（図４〜図６、段落［０００４］、［０００５］等）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体チップの実装は、絶縁層が加熱ツールに直接接触した状態で行われるが、この状態で加熱ツールによりかなり高温に加熱されるので、絶縁層が加熱ツールに融着する現象が生じ、製造装置の停止の原因となり、また、テープの変形が生じるという問題がある。また、加熱ツールと融着した場合には、加熱ツールに汚れが発生し、信頼性、生産性を阻害するという問題があった。
【０００７】
このような加熱ツールの融着は、デバイスホールのないＣＯＦフィルムキャリアテープやＣＯＦ用ＦＰＣへの半導体チップの実装の際に問題となる。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑み、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に容易に離型層を形成でき、絶縁層が加熱ツールに熱融着することがなく、半導体チップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させることができる離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するための離型層転写用フィルムであって、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備し、前記転写用離型層が、シラザン化合物を含有する離型剤により形成され且つ前記絶縁層に転写可能であることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００１０】
かかる第１の態様では、転写用フィルムにシラン化合物の一種であるシラザン化合物からなる離型剤により形成された転写用離型層をＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に転写することにより、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に離型層を比較的容易に形成できる。
【００１９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記転写用離型層が、前記離型剤の溶液を塗布し、加熱処理することにより形成されたものであることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２０】
かかる第２の態様では、塗布法により熱融着が確実に防止される離型層を形成するための転写用離型層が転写用フィルムの面上に形成される。
【００２１】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記転写用離型層は、前記絶縁層に密着させた後、加熱処理することにより転写されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２２】
かかる第３の態様では、転写用離型層は、絶縁層に密着された後、加熱処理することにより、有効に転写される。
【００２３】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記転写用フィルムの一方面に連続的に又は間欠的な島状に設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２４】
かかる第４の態様では、転写用離型層が、連続的に又は間欠的な島状に設けられていれば、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に有効に転写される。
【００２５】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記絶縁層に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２６】
かかる第５の態様では、転写用離型層の少なくとも一部が絶縁層に転写され、その絶縁層の面上に連続的に又は間欠的な島状の転写用離型層が有効に形成される。
【００２７】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の少なくとも二列のスプロケットホールの列間に存在する前記配線パターンの形成領域に対応して設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２８】
かかる第６の態様では、転写用離型層が、スプロケットホールの列間に存在していれば、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に絶縁層が有効に形成される。
【００２９】
本発明の第７の態様は、第６の態様において、前記配線パターンの形成領域が少なくとも二列以上あり、当該配線パターンの列毎に対応して前記転写用離型層が多条に設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３０】
かかる第７の態様では、多条のＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に、各配線パターンの列毎に対応して多条の離型層が形成される。
【００３１】
本発明の第８の態様は、第１〜７の何れかの態様において、前記転写用フィルムと前記転写用離型層の間には、当該転写用離型層のみと剥離可能な粘着層が設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３２】
かかる第８の態様では、転写用離型層が粘着層を介して転写用フィルムの一方面上に形成される。
【００３３】
本発明の第９の態様は、第１〜８の何れかの態様において、前記転写用フィルムは、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程にて前記絶縁層に粘着されて補強フィルムとして使用されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３４】
かかる第９の態様では、離型層転写用フィルムを補強フィルムとして利用することで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程における絶縁層の剛性が高められ、所望のテープ搬送強度が得られる。
【００３５】
本発明の第１０の態様は、第１〜９の何れかの態様において、前記転写用離型層の面上には、当該転写用離型層と剥離可能な剥離フィルムが設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３６】
かかる第１０の態様では、剥離フィルムにより転写用離型層の表面が保護される。
【００３７】
本発明の第１１の態様は、基材フィルムと、該基材フィルムの表面にシロキサン化合物、シラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成された離型層と、該離型層の前記基材フィルムとは反対側の面上に設けられてＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層と、該絶縁層の前記離型層側とは反対側の面上に設けられた導体層とを有し、前記基材フィルムは、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程にて前記絶縁層に粘着されて補強フィルムとして使用され且つ前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に剥がされるものであり、当該基材フィルムが剥がされた後には前記絶縁層上に前記離型層が残ることを特徴とする積層フィルムにある。
【００３８】
かかる第１１の態様では、基材フィルムは補強フィルムとして使用され、基材フィルムを剥がすことで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を比較的容易に形成でき、半導体チップ（ＩＣ）実装時の加熱ツールとの熱融着が防止される。
【００３９】
本発明の第１２の態様は、第１１の態様において、前記離型層が、シラザン化合物を含有する離型剤により形成されたことを特徴とする積層フィルムにある。
【００４０】
かかる第１２の態様では、離型層が、シラン化合物の一種であるシラザン化合物からなる離型剤により形成され、有効にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に形成される。
【００４３】
本発明の第１３の態様は、第１１又は１２の態様において、前記基材フィルムと前記離型層の間には、当該離型層のみと剥離可能な粘着層が設けられていることを特徴とする積層フィルムにある。
【００４４】
かかる第１３の態様では、離型層が粘着層を介して基材フィルムの一方面上に形成される。
【００４９】
本発明の第１４の態様は、第１１〜１３の何れかの態様において、前記基材フィルムは、加熱処理した後、剥がされるものであることを特徴とする積層フィルムにある。
【００５０】
かかる第１４の態様では、離型層は、加熱処理することにより、絶縁層と密着して有効に形成される。
【００５１】
本発明の第１５の態様は、第１１〜１４の何れかの態様において、前記基材フィルムが剥がされた後に残る離型層は、前記絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とする積層フィルムにある。
【００５２】
かかる第１５の態様では、離型層が、連続的に又は間欠的な島状にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に形成され、有効に機能する。
本発明の第１６の態様は、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するための離型層転写用フィルムであって、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備し、前記転写用離型層が、シロキサン化合物、シラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成され且つ前記絶縁層に転写可能である離型層転写用フィルムの前記転写用離型層側を、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に積層する工程と、この離型層転写用フィルムを積層した絶縁層の反対側に設けられた導体層に配線パターンを形成してＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を製造する工程と、前記転写用フィルムを剥がして前記転写用離型層を前記絶縁層に転写して絶縁層に離型層を有するＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板とする工程とを具備することを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
本発明の第１７の態様は、第２〜１０の何れかの態様の離型層転写用フィルムの前記転写用離型層側を、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に積層する工程と、この離型層転写用フィルムを積層した絶縁層の反対側に設けられた導体層に配線パターンを形成してＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を製造する工程と、前記転写用フィルムを剥がして前記転写用離型層を前記絶縁層に転写して絶縁層に離型層を有するＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板とする工程とを具備することを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
本発明の第１８の態様は、第１６又は１７の態様において、前記転写用フィルムを剥がす際に、加熱処理することで前記離型層が前記絶縁層に転写されることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
本発明の第１９の態様は、第１６〜１８の何れかの態様において、前記離型層は、前記絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
【００５３】
本発明の離型層転写用フィルムは、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するものであり、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備する。
【００５４】
ここで、転写用フィルムは、特に限定されないが、転写用離型層をＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に離型層として有効に転写し得るものであればよい。転写の際には、絶縁層に転写用離型層を密着させ、必要に応じて加熱処理を行うので、このような転写処理に耐えられる強度及び耐熱性を有していればよい。転写用フィルムの材質としては、例えば、プラスチックフィルムを用いることができ、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、及び液晶ポリマー等からなるフィルムが挙げられる。このような転写用フィルムの厚さとしては、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜７５μｍである。
【００５５】
このような転写用フィルムの一方面に設けられる転写用離型層は、半導体チップの実装時に加熱ツールと密着しないような離型性を有しており且つこのような加熱により熱融着しない材料で形成されていればよく、有機材料でも無機材料でもよい。例えば、シリコーン系離型剤、エポキシ系離型剤、フッ素系離型剤などを用いるのが好ましい。
【００５６】
このような転写用離型層は、シリコーン系化合物、エポキシ系化合物又はフッ素系化合物からなるのが好ましいが、特に、シリコーン系化合物からなるもの、すなわち、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合）を有する化合物を形成するものがよい。シリコーン系化合物からなる転写用離型層は、比較的容易に形成でき、半導体装置実装面に転写したとしても、半導体チップ実装後のモールド樹脂の接着性に悪影響を起こし難いからである。
【００５７】
ここで、シリコーン系化合物、すなわち、シロキサン結合を有する化合物からなる転写用離型層を形成する離型剤としては、シリコーン系離型剤を挙げることができ、具体的には、ジシロキサン、トリシロキサンなどのシロキサン化合物から選択される少なくとも一種を含有するものである。
【００５８】
また、好ましい離型剤としては、塗布後反応によりシリコーン系化合物に変化する化合物、すなわち、モノシラン、ジシラン、トリシランなどのシラン化合物、又はシリカゾル系化合物等を含む離型剤を用いるのが好ましい。
【００５９】
さらに、特に好ましい離型剤としては、シラン化合物の一種であるアルコキシシラン化合物や、シロキサン結合の前駆体であるＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ構造を有する、ヘキサメチルジシラザン、ペルヒドロポリシラザンなどのシラザン化合物を含有する離型剤を挙げることができる。これらは、塗布することにより、又は塗布後空気中の水分等と反応することにより、シロキサン結合を有する化合物となるが、例えば、シラザン化合物については、Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ構造が残存している状態であってもよい。
【００６０】
このように、離型剤を塗布した後、反応により変化して形成されたシリコーン系化合物からなる離型層が特に好ましい。
【００６１】
このような各種離型剤は、一般的には溶剤として有機溶剤を含有しているが、水溶液タイプのもの又はエマルジョンタイプのものを用いてもよい。
【００６２】
具体例としては、ジメチルシロキサンを主成分とするシリコーン系オイル、メチルトリ（メチルエチルケトオキシム）シラン、トルエン、リグロインを成分とするシリコーン系レジンＳＲ２４１１（商品名：東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）、シラザン、合成イソパラフィン、酢酸エチルを成分とするシリコーン系レジンＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）などを挙げることができる。また、シラン化合物を含有するコルコートＳＰ−２０１４Ｓ（商品名：コルコート株式会社製）などを挙げることができる。さらに、シリカゾルを含有する離型剤としては、コルコートＰ、Ｎ−１０３Ｘ（商品名：コルコート株式会社製）などを挙げることができる。なお、シリカゾルに含まれるシリカの粒子径は、例えば、０．００５〜０．００８μｍ［５０〜８０Å（オングストローム）］である。
【００６３】
ここで、半導体チップの実装時に加熱ツールと密着しないという離型性を有しており且つこのような加熱により熱融着しないという効果の点では、シラザン化合物を含有する離型剤でシリコーン系化合物からなる転写用離型層を設けるのが特に好ましい。このようなシラザン化合物を含有する離型剤の一例としては、シラザン、合成イソパラフィン、酢酸エチルを成分とするシリコーン系レジンＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）を挙げることができる。
【００６４】
このような転写用離型層を転写用フィルムの一方面に形成する方法は特に限定されず、例えば、塗布法、転写法等が挙げられる。塗布法では、転写用フィルムの一方面上に離型剤又はその溶液をスプレー、ディッピング、又はローラー塗布などにより塗布し、加熱処理することで転写用離型層が形成される。また、転写用離型層を転写法により形成する場合にも、加熱処理するようにしてもよい。転写用離型層の厚さは、例えば、０．０５〜０．５μｍであり、好ましくは０．１〜０．３μｍである。また、転写用離型層は、必ずしも全体的に均一に設けられている必要はなく、間隔をおいて島状に設けられていてもよい。さらに、転写用離型層が転写用フィルムの一方面の全面に設けられた離型剤転写用フィルムテープによって絶縁層の面上に必ずしも全体的に離型層を転写できなくてもよく、連続的に又は間欠的な島状に転写できればよい。これは、絶縁層の面上に島状の離型層が形成されれば、加熱ツールと絶縁層とが直接接触するのを確実に防止でき、加熱ツールと絶縁層との熱融着が有効に防止できるからである。
【００６５】
また、本発明では、転写用フィルムの一方面上、すなわち、転写用フィルムと転写用離型層との間に粘着層を設けるようにしてもよい。このような粘着層の材質は、例えば、アクリル系、ゴム系、及びエポキシ系等の樹脂材料が挙げられる。また、粘着層の厚さは、例えば、３〜２５μｍであり、好ましくは５〜１５μｍである。かかる粘着層の形成方法としては、例えば、スプレー、ディッピング、又はローラー塗布などにより塗布する方法が挙げられる。
【００６６】
ここで、上述した転写用離型層は、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップ（ＩＣ）を実装する側とは反対側の面上に転写されるが、この際、加圧してもよいし、その加圧と共に加熱してもよく、加熱だけ行うようにしてもよい。例えば、このときの転写条件としては、加熱温度を１５〜２００℃とし、ローラー又はプレスによる荷重を５〜５０ｋｇ／ｃｍ２とし、処理時間を０．１秒〜２時間とするのがよい。
【００６７】
また、絶縁層と離型層との間の剥離を防止するために、転写後、加熱処理等により両者の間の接合力を高めるようにしてもよい。このときの加熱条件としては、例えば、加熱温度を５０〜２００℃、好ましくは、１００〜２００℃とし、加熱時間を１分〜１２０分、好ましくは、３０分〜１２０分とするのがよい。
【００６８】
かかる離型層は、半導体実装時までに設けられていればよいので、導体層を設けていない絶縁層に予め設けるようにしてもよいし、導体層を設ける際に同時に設けるようにしてもよい。勿論、離型層は、導体層をパターニングする前に必ずしも転写して設ける必要はなく、導体層をパターニングした後設けるようにしてもよい。
【００６９】
例えば、導体層を設けていない絶縁層に設ける場合などは、転写法を行うのに好適である。また、製造工程の初期段階で転写法により離型層を設ける場合、離型層が形成された転写用フィルムを剥がさないで補強フィルムとして使用し、最終工程で転写用フィルムを剥がすようにしてもよい。このように、離型層転写用フィルムを補強フィルムとして利用することで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程におけるテープ搬送強度が高められる。
【００７０】
このようなＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板は、導体層と絶縁層とを有する。かかるＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に用いられる導体層と絶縁層とのＣＯＦ用積層フィルムとしては、ポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムにニッケルなどの密着強化層をスパッタした後、銅メッキを施したＣＯＦ用積層フィルムを挙げることができる。また、ＣＯＦ用積層フィルムとしては、銅箔にポリイミドフィルムを塗布法により積層したキャスティングタイプや、銅箔に熱可塑性樹脂・熱硬化性樹脂などを介し絶縁フィルムを熱圧着した熱圧着タイプのＣＯＦ用積層フィルムを挙げることができる。本発明では、何れを用いてもよい。
【００７１】
ここで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板は、半導体チップを実装して用いられる。この際、実装方法は特に限定されないが、例えば、チップステージ上に載置された半導体チップ上にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を位置決め配置し、加熱ツールをＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に押しあてて半導体チップを実装する。この際に、加熱ツールは、最低でも２００℃以上、場合によっては３５０℃以上に加熱されるが、絶縁層上に離型層が形成されているので、両者の間に熱融着が生じる虞がないという効果を奏する。
【００７２】
また、本発明の離型層転写用フィルムは、上述した転写用離型層の面上に、この転写用離型層と剥離可能な剥離フィルムを設けるようにしてもよい。この剥離フィルムは、転写用離型層の表面を保護する役割がある。
【００７３】
何れにしても、本発明の離型層転写用フィルムは、半導体チップ実装前に転写用フィルムを剥がすことで、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップを実装する側とは反対側の面上に離型層を転写できれるものであれば特に限定されるものではない。
【００７４】
また、本発明の積層フィルムは、基材フィルムと、この基材フィルムの表面にシラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成された離型層と、この離型層の基材フィルムとは反対側の面上に設けられてＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層とを有する。
【００７５】
また、このような積層フィルムは、これら基材フィルム、離型層、及び絶縁層３層タイプの積層フィルムに限定されるものではなく、例えば、絶縁層の基材フィルム側とは反対側の面上に導体層を設けた４層タイプの積層フィルム、あるいは基材フィルムと離型層の間に、離型層のみと剥離可能な粘着層を設けた５層タイプの積層フィルムであってもよい。
【００７６】
また、このような本発明の積層フィルムを用いると、少なくとも、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に基材フィルムを剥がすことで、絶縁層上に離型層を残すことができる。この際、加熱処理を行った後、基材フィルムを剥がすことで、離型層を絶縁層の面上により有効に転写することができる。
【００７７】
そして、このような離型層は、上述した離型層転写用フィルムと同様に、必ずしも、基材フィルムの面上に設けられた全てを転写できなくてもよく、少なくとも、絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されればよい。
【００７８】
また、このような本発明の積層フィルムは、上述した離型層転写用フィルムの転写用離型層の面上に絶縁層を形成することにより、または、更にこの絶縁層の面上に導体層を形成することにより製造でき、あるいは、絶縁層と導電層との２層を貼着すること、あるいは、絶縁層と導体層との２層タイプの積層フィルムを貼着することで製造することができる。若しくは、その逆で、絶縁層の一方面上に、離型層を形成した後、この離型層の面上に少なくとも基材フィルムを形成することで製造するようにしてもよい。
【００７９】
このような本発明の積層フィルムによれば、少なくとも半導体チップを実装する前に、基材フィルムを剥がし、絶縁層に離型層を形成するようにすれば、上述したように、絶縁層と加熱ツールとが直接接触することがなく、熱融着等が確実に防止される。
【００８０】
また、このような積層フィルムによれば、基材フィルムを剥がさずに、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程を行うようにすれば、製造の際、この基材テープが、絶縁層に粘着されて補強フィルムとして作用する。したがって、このような場合には、製造の際、所望のテープ搬送強度を確保できるという効果がある。
【００８１】
何れにしても、本発明の積層フィルムは、半導体チップ実装前に基材フィルムを剥がすことで、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップを実装する側とは反対側の面上に離型層を形成できれるものであれば特に限定されるものではない。
【００８２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る離型層転写用フィルムを実施例に基づいて説明する。なお、図１には、一実施形態に係る離型層転写用フィルムを示す。
【００８３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の離型層転写用フィルム１は、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型剤を形成するものであり、転写用フィルム２と、この転写用フィルム２の一面に設けられた転写用離型層３とを具備する。
【００８４】
転写用離型層３は、転写用フィルム２の一方面上の全面に設けられていてもよく、連続的又は間欠的な島状に設けられていてもよい。例えば、ＣＯＦフィルムキャリアテープに転写する場合には、後述するスプロケットホールの間の領域、あるいは後工程にて半導体チップ（ＩＣ）を実装する領域に対応して連続的に又は間欠的な島状に設けられていてもよい。すなわち、転写用フィルム２の転写用離型層３の形成領域については、転写用離型層３を転写する対象であるＣＯＦフィルムキャリアテープの半導体チップが実装される領域に対応して、任意に設定すればよい。例えば、多条のフィルムキャリアテープの場合には、２つの塗布用ローラを用いて、長尺の転写用フィルムの面上に幅方向に所定の間隔をおいて離型剤を塗布し、２条の転写用離型層を長手方向に亘って連続的に設けるようにしてもよい。または、転写用フィルムの長手方向に所定の間隔をおいて、例えば、半導体チップの実装間隔と同じ間隔で断続的に、且つ半導体チップの絶縁層への投影面積と同じ面積で、離型層を島状に設けるようにしてもよい。例えば、本実施形態では、転写用フィルム２の全面に転写用離型層３を設けた。また、このような転写用離型層３は、転写用フィルム２の一方面上に離型剤を塗布することにより設けられる。なお、転写用離型層３の厚さは、例えば、０．０５〜１μｍであり、好ましくは、０．１〜０．５μｍである。そして、このような転写用離型層３は、詳しくは後述するが、絶縁層の面上に転写されて離型層となり、半導体チップ実装時の加熱ツールに絶縁層が熱融着するのを有効に防止するものである。
【００８５】
以上説明した離型層転写用フィルム１は、少なくともＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を構成する絶縁層に離型層を転写するために用いられる。
【００８６】
ここで、このようなＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板として、図２に示すようなＣＯＦフィルムキャリアテープを例にとって説明するが、ＣＯＦ用ＦＰＣについても同様に実施できることはいうまでもない。なお、図２には、一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を示す。
【００８７】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態のＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、銅層からなる導体層１１とポリイミドフィルムからなる絶縁層１２とからなるＣＯＦ用積層フィルム１０を用いて製造されたものであり、導体層１１をパターニングした配線パターン２１と、配線パターン２１の幅方向両側に設けられたスプロケットホール２２とを有する。また、配線パターン２１は、絶縁層１２の表面に連続的に設けられている。さらに、配線パターン２１上には、ソルダーレジスト材料塗布溶液をスクリーン印刷法にて塗布して形成したソルダーレジスト層２３を有する。なお、配線パターンは、絶縁層の両面に形成されていてもよく（２−ｍｅｔａｌ ＣＯＦフィルムキャリアテープ）、この場合には、加熱ツールが接触する領域のみに離型剤を塗布、あるいは転写用離型層を転写することで、離型層を形成すればよい。
【００８８】
ここで、導体層１１としては、銅の他、アルミニウム、金、銀などを使用することもできるが、銅層が一般的である。また、銅層としては、蒸着やメッキで形成した銅層、電解銅箔、圧延銅箔など何れも使用することができる。導体層１１の厚さは、一般的には、１〜７０μｍであり、好ましくは、５〜３５μｍである。
【００８９】
一方、絶縁層１２としては、ポリイミドの他、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマーなどを用いることができるが、ピロメリット酸２無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの重合によって得られる全芳香族ポリイミドを用いるのが好ましい。なお、絶縁層１２の厚さは、一般的には、１２．５〜１２５μｍであり、好ましくは、１２．５〜７５μｍ、さらに好ましくは１２．５〜５０μｍである。
【００９０】
ここで、ＣＯＦ用積層フィルムは、例えば、銅箔からなる導体層１１上に、ポリイミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布して塗布層を形成し、溶剤を乾燥させて巻き取り、次いで、酸素をパージしたキュア炉内で熱処理し、イミド化して絶縁層１２とすることにより形成されるが、勿論、これに限定されるものではない。
【００９１】
そして、このような絶縁層１２の配線パターン２１側とは反対側の面上には、上述した離型層転写用フィルム１により転写用離型層３が転写され、離型層１３が形成されている。
【００９２】
このようなＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、例えば、搬送されながら半導体チップの実装やプリント基板などへの電子部品の実装工程に用いられ、ＣＯＦ実装されるが、この際、絶縁層１２の光透過性が５０％以上あるので、絶縁層１２側から配線パターン２１（例えば、インナーリード）をＣＣＤ等で画像認識することができ、さらに、実装する半導体チップやプリント基板の配線パターン２１を認識することができ、画像処理により相互の位置合わせを良好に行うことができ、高精度に電子部品を実装することができる。
【００９３】
次に、上述したＣＯＦフィルムキャリアテープ２０の一製造方法を図３及び図４を参照しながら説明する。なお、図３は、本発明の一実施形態に係る積層フィルム及びＣＯＦ用積層フィルム並びにこれらの製造方法の一例を示す図であり、図４は、ＣＯＦフィルムキャリアテープの一製造方法を説明する図である。
【００９４】
ここで、本実施形態では、図３に示すように、積層フィルム１００及びＣＯＦ用積層フィルム１０を形成した後、このＣＯＦ用積層フィルム１０を用いてＣＯＦフィルムキャリアテープを製造する。
【００９５】
具体的には、ＣＯＦ用積層フィルムは、まず、銅箔からなる導体層１１上に（図３（ａ））、ポリイミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布して塗布層１２ａを形成し（図３（ｂ））、溶剤を乾燥させて巻き取る。次に、キュア炉内で熱処理し、イミド化して絶縁層１２とする（図３（ｃ））。次に、基材フィルムとなる転写用フィルム２上に形成された転写用離型層３を絶縁層１２の導体層１１とは反対側に密着させて積層フィルム１００を製造する（図３（ｄ））。ここでの積層フィルム１００は、図３（ｄ）に示すように、転写用フィルム２（基材フィルム）、転写用離型層３（離型層１３）、絶縁層１２、及び導体層１１から構成される。そして、このような積層フィルム１００を加熱処理した後、転写用フィルム２を剥がし、絶縁層１２の導体層１１側とは反対側の面上に離型層１３を有するＣＯＦ用積層フィルム１０としたものである（図３（ｅ））。
【００９６】
ここで、転写条件としては、例えば、加熱温度を１５〜２００℃とし、ローラー又はプレスによる荷重を５〜５０ｋｇ／ｃｍ２とし、処理時間を０．１秒〜２時間とするのがよい。また、加熱条件としては、例えば、加熱温度を５０〜２００℃、好ましくは、１００〜２００℃とし、加熱時間を１分〜１２０分、好ましくは、３０分〜１２０分とするのがよい。ここで、転写用フィルム２の材質は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、及び液晶ポリマー等が挙げられる。このような転写用フィルム２の厚さとしては、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜７５μｍである。
【００９７】
次に、図４（ａ）に示すような導体層１１及び絶縁層１２からなるＣＯＦ用積層フィルム１０をパンチング等によって貫通することで、図４（ｂ）に示すようなスプロケットホール２２を形成する。このスプロケットホール２２は、絶縁層１２の表面上から形成してもよく、また、絶縁層１２の裏面から形成してもよい。次に、図４（ｃ）に示すように、一般的なフォトリソグラフィー法を用いて、導体層１１上の配線パターン２１が形成される領域に亘って、例えば、ネガ型フォトレジスト材料塗布溶液を塗布してフォトレジスト材料塗布層３０を形成する。勿論、ポジ型フォトレジスト材料を用いてもよい。さらに、スプロケットホール２２内に位置決めピンを挿入して絶縁層１２の位置決めを行った後、フォトマスク３１を介して露光・現像することで、フォトレジスト材料塗布層３０をパターニングして、図４（ｄ）に示すような配線パターン用レジストパターン３２を形成する。次に、配線パターン用レジストパターン３２をマスクパターンとして導体層１１をエッチング液で溶解して除去し、さらに配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ溶液等にて溶解除去することにより、図４（ｅ）に示すように配線パターン２１を形成する。続いて、必要に応じて配線パターン２１全体にスズメッキなどのメッキ処理を行った後、図４（ｆ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法を用いて、ソルダーレジスト層２３を形成する。そして、ソルダーレジスト層２３で覆われていないインナーリード及びアウターリードに必要に応じて金属メッキ層を施す。金属メッキ層は特に限定されず、用途に応じて適宜設ければよく、スズメッキ、スズ合金メッキ、ニッケルメッキ、金メッキ、金合金メッキなどを施す。
【００９８】
以上説明した実施形態では、離型層１３の形成をスプロケットホール２２形成する前に行ったが、これに限定されず、ＣＯＦ用積層フィルム１０の導体層１２をパターニングする前に行ってもよく、配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ溶液等にて溶解除去した後、ソルダーレジスト層２３を設ける前に行うようにしてもよい。また、ソルダーレジスト層２３を設けた後のソルダーレジスト製造工程最後に離型層１３を形成するようにしてもよい。このように離型層１３を形成すると、離型層１３がエッチング液やフォトレジストの剥離液等に曝されないので、離型効果が高いという利点がある。なお、ここで製造工程最後とは、製品検査工程の前を意味する。
【００９９】
このように、本発明の離型層は、配線パターン２１を形成するフォトリソグラフィー工程後そして半導体チップとのボンディング前までに形成するのが好ましい。これはフォトレジスト層の剥離工程で離型層が溶解する可能性があるからである。したがって、フォトレジスト工程終了直後、又はメッキ処理後、さらには、ソルダーレジスト層２３形成後等に離型層を設けるのが好ましい。勿論、フォトリソグラフィー工程より前に行ってもよい。
【０１００】
また、本実施形態のように、予めＣＯＦ用積層フィルム１０に離型層１３を設けるようにすれば、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を製造する際、所望のテープ搬送強度を確保することができるという効果もある。そして、本実施形態では、基材である転写用フィルム２を剥がして、ＣＯＦ用積層フィルム１０としたが、これに限定されず、ＣＯＦ用積層フィルム１０に予め離型層転写用フィルム１を貼って、そのまま転写用フィルム２を剥がさずに各製造工程を行い、製造工程最後に転写用フィルム２を剥がすようにしてもよい。これにより、テープ搬送強度を十分に確保できる。
【０１０１】
さらに、本発明では、上述したように、転写用フィルム２の一方面上に転写用離型層３を設けたが、図５に示すように、転写用フィルム２と転写用離型層３Ａの間に粘着層４を設けるようにしてもよい。図５に示す離型層転写用フィルム１Ａは、例えば、まず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなる転写用フィルム２の一方面上に、厚さ３〜２５μｍ程度の粘着剤を塗布し、転写用離型層３Ａのみと剥離可能な粘着層４を形成する（図５（ａ））。次に、この粘着層４の面上に離型剤を塗布し、転写用離型層３Ａを形成することにより製造される（図５（ｂ））。そして、このような構成の離型層転写用フィルム１Ａは、基材フィルムとなる転写用フィルム２上に粘着層４を介して形成された転写用離型層３Ａを絶縁層１２の導体層１１とは反対側に密着させて積層フィルム１００Ａを製造する（図５（ｃ））。なお、ここでの積層フィルム１００Ａは、図５（ｃ）に示すように、転写用フィルム２（基材フィルム）、粘着層４、転写用離型層３Ａ（離型層１３Ａ）、絶縁層１２、及び導体層１１から構成される。そして、このような積層フィルム１００Ａを加熱処理した後、転写用フィルム２を剥がし、絶縁層１２の導体層１１側とは反対側の面上に離型層１３Ａを有するＣＯＦ用積層フィルム１０Ａを製造する（図５（ｄ））。このとき、粘着層４は、転写用フィルム２とは粘着しているが離型層１３Ａとは剥離可能であるため、転写用フィルム２を剥がす際に同時に剥がれる。なお、ここでの転写条件としては、上述したのと同様であり、特に限定されるものではない。また、転写フィルム２を剥がすタイミングについても、ＣＯＦフィルムキャリアテープの製造工程前としてもよく、勿論、製造工程後としてもよい。このように、製造工程後に転写フィルム２を剥がすようにすれば、所望の搬送強度を確保することができる。また、製造工程前に剥がす場合でも、その後の製造工程において離型層１３Ａが形成されているため、ＣＯＦ用積層フィルム１０Ａの搬送強度を十分に確保できる。
【０１０２】
何れにしても、本発明に係る離型層転写用フィルム及び積層フィルムは、上述した構成のものに限定されず、少なくとも半導体チップ実装前に、転写用フィルム又は基材フィルムを剥がすことで、後述する加熱ツールと絶縁層との間の領域に対応して、絶縁層の半導体チップが実装される側とは反対側の面上に、特定のシリコーン系化合物からなる離型層を形成できるものであればよい。
【０１０３】
ここで、本発明では、上述したようにして製造されたＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、半導体チップ３０を実装することにより製造される。すなわち、半導体チップ３０をチップステージ４１上に載置し、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を搬送する。この状態で、所定位置に位置決めした後、上部クランパー４２が下降すると共に下部クランパー４３が上昇してＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を固定し、この状態で加熱ツール４５が下降してテープを押し付け、加熱しながらさらに下降してＣＯＦフィルムキャリアテープ２０のインナーリードを半導体チップ３０のバンプ３１に所定時間押圧し、両者を接合する。なお、接合後、樹脂封止を行い、半導体装置とする。
【０１０４】
なお、加熱ツール４５の温度は、押圧時間、圧力等の条件によっても異なるが、２００℃以上、好ましくは３５０℃以上である。本発明では、このように加熱ツール４５の温度を高温にしても、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０の加熱ツール４５との接触面に離型層１３が設けられているので、加熱ツール４５と熱融着することがない。すなわち、本発明によると、接合条件の温度を十分に高くできるので、十分な接合強度が確保でき、逆に、一定の接合強度を得るのに、加熱温度を高くすることにより、圧着時間を短縮することができるという利点がある。
【０１０５】
（実施例１）
まず、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムからなる転写用フィルムの一方面上に塗布法によりシリコーン系離型剤を塗布し、厚さ０．１μｍのシランを含むシリコーン系化合物からなる転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意した。次に、導体層としての厚さ９μｍの超低粗度銅箔上に、絶縁層として塗布法により厚さ４０μｍのポリイミド層を形成し、さらに、この絶縁層の導体層とは反対側の面上に、上述した離型層転写用フィルムを用いて転写法により厚さ０．１μｍの転写用離型層からなる離型層を設けて実施例のＣＯＦ用積層フィルムとした。なお、シリコーン系化合物からなる離型層を転写した後、１２０℃で加熱処理した。
【０１０６】
（実施例２）
実施例１でシリコーン系化合物からなる離型層を転写後、加熱処理を行わない以外は同様にして実施例２のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０７】
（実施例３）
実施例１において、シリコーン系化合物からなる離型層を形成する離型剤として、シラザン化合物を含有するＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）を用いて転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意し、この離型層転写用フィルムにより絶縁層の面上に離型層を転写した以外は同様にして実施例３のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０８】
（実施例４）
実施例１において、シリコーン系化合物からなる離型層を形成する離型剤として、シリカゾルを含有するコルコートＰ（商品名：コルコート株式会社）を用いた以外同様に転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意した。そして、この離型層転写用フィルムを用いて転写する際、１２０℃で加熱すると共に２０ｋｇ／ｃｍ２の荷重を加えて、３０分間ホットプレスすることにより、転写用離型層からなる離型層を形成して実施例４のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０９】
（比較例１）
離型層を設けない以外は実施例１と同様にしてＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１１０】
（試験例１）
実施例１〜４および比較例１のＣＯＦ用積層フィルムの導体層をパターニングし、その後、配線パターン全体にスズメッキを施した後、ソルダーレジスト層を形成し、ＣＯＦフィルムキャリアテープを製造した。そして、これら各ＣＯＦフィルムキャリアテープを用い、加熱ツール温度を２６０℃〜４４０℃の範囲で変化させながら離型層側へ押し当てて半導体チップを実装し、加熱ツールとの付着性を観察した。この結果を表１に示す。
【０１１１】
【表１】
この結果、比較例１では３００℃を超えると付着が生じたが、実施例２では３２０℃を超えた際に一部に付着が生じる程度まで付着性が良好になり、実施例１、３及び４では４００℃を越えるまでは付着が全く生じなかった。なお、実施例２は、比較例１と差はあるものの、効果は顕著ではなかったが、加熱融着温度は、加熱ツール、実装する半導体チップの種類、実装品の用途等により異なり、一般的には２００〜３５０℃程度の場合もあるので、付着温度が上昇する点では有効である。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の離型層転写用フィルムは、特定のシリコーン系化合物からなる転写用離型層を絶縁層の面上に離型層として転写できるので、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に容易に離型層を形成できる、絶縁層が加熱ツールに熱融着することがなく、半導体チップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させるという効果を奏する。
【０１１４】
また、本発明の積層フィルムについても、単に基材フィルムを剥がすことで、特定のシリコーン系化合物からなる離型層を絶縁層の面上に比較的容易に形成できるので、上述した離型層転写用フィルムと同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る離型層転写用フィルムを示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを示す概略構成図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る積層フィルム及びＣＯＦ用積層フィルム並びにこれらの製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る離型層転写用フィルム及び積層フィルムの製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 離型層転写用フィルム
２ 転写用フィルム（基材フィルム）
３，３Ａ 転写用離型層
１０，１０Ａ ＣＯＦ用積層フィルム
１１ 導体層
１２ 絶縁層
１３，１３Ａ 離型層
２０ ＣＯＦフィルムキャリアテープ
２１ 配線パターン
２２ スプロケットホール
２３ ソルダーレジスト層
３０ 半導体チップ
３１ バンプ
１００，１００Ａ 積層フィルム
Claims (19)
- ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するための離型層転写用フィルムであって、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備し、前記転写用離型層が、シラザン化合物を含有する離型剤により形成され且つ前記絶縁層に転写可能であることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項１において、前記転写用離型層が、前記離型剤の溶液を塗布し、加熱処理することにより形成されたものであることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項１又は２において、前記転写用離型層は、前記絶縁層に密着させた後、加熱処理することにより転写されることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項１〜３の何れかにおいて、前記転写用離型層は、前記転写用フィルムの一方面に連続的に又は間欠的な島状に設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項１〜４の何れかにおいて、前記転写用離型層は、前記絶縁層に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項１〜５の何れかにおいて、前記転写用離型層は、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の少なくとも二列のスプロケットホールの列間に存在する前記配線パターンの形成領域に対応して設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項６において、前記配線パターンの形成領域が少なくとも二列以上あり、当該配線パターンの列毎に対応して前記転写用離型層が多条に設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項１〜７の何れかにおいて、前記転写用フィルムと前記転写用離型層の間には、当該転写用離型層のみと剥離可能な粘着層が設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項１〜８の何れかにおいて、前記転写用フィルムは、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程にて前記絶縁層に粘着されて補強フィルムとして使用されることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 請求項１〜９の何れかにおいて、前記転写用離型層の面上には、当該転写用離型層と剥離可能な剥離フィルムが設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルム。
- 基材フィルムと、該基材フィルムの表面にシロキサン化合物、シラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成された離型層と、該離型層の前記基材フィルムとは反対側の面上に設けられてＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層と、該絶縁層の前記離型層側とは反対側の面上に設けられた導体層とを有し、前記基材フィルムは、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程にて前記絶縁層に粘着されて補強フィルムとして使用され且つ前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に剥がされるものであり、当該基材フィルムが剥がされた後には前記絶縁層上に前記離型層が残ることを特徴とする積層フィルム。
- 請求項１１において、前記離型層が、シラザン化合物を含有する離型剤により形成されたことを特徴とする積層フィルム。
- 請求項１１又は１２において、前記基材フィルムと前記離型層の間には、当該離型層のみと剥離可能な粘着層が設けられていることを特徴とする積層フィルム。
- 請求項１１〜１３の何れかにおいて、前記基材フィルムは、加熱処理した後、剥がされるものであることを特徴とする積層フィルム。
- 請求項１１〜１４の何れかにおいて、前記基材フィルムが剥がされた後に残る離型層は、前記絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とする積層フィルム。
- ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するための離型層転写用フィルムであって、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備し、前記転写用離型層が、シロキサン化合物、シラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成され且つ前記絶縁層に転写可能である離型層転写用フィルムの前記転写用離型層側を、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に積層する工程と、この離型層転写用フィルムを積層した絶縁層の反対側に設けられた導体層に配線パターンを形成してＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を製造する工程と、前記転写用フィルムを剥がして前記転写用離型層を前記絶縁層に転写して絶縁層に離型層を有するＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板とする工程とを具備することを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法。
- 請求項２〜１０の何れかの離型層転写用フィルムの前記転写用離型層側を、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に積層する工程と、この離型層転写用フィルムを積層した絶縁層の反対側に設けられた導体層に配線パターンを形成してＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を製造する工程と、前記転写用フィルムを剥がして前記転写用離型層を前記絶縁層に転写して絶縁層に離型層を有するＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板とする工程とを具備することを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法。
- 請求項１６又は１７において、前記転写用フィルムを剥がす際に、加熱処理することで前記離型層が前記絶縁層に転写されることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法。
- 請求項１６〜１８の何れかにおいて、前記離型層は、前記絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003068864A JP3914165B2 (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002068500 | 2002-03-13 | ||
| JP2002321853 | 2002-11-05 | ||
| JP2003068864A JP3914165B2 (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004207671A JP2004207671A (ja) | 2004-07-22 |
| JP3914165B2 true JP3914165B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=32830497
Family Applications (7)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003068862A Expired - Lifetime JP3808049B2 (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2003068863A Expired - Fee Related JP3772843B2 (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | Ｃｏｆ用フレキシブルプリント配線基板 |
| JP2003068864A Expired - Fee Related JP3914165B2 (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
| JP2005256972A Expired - Fee Related JP4038517B2 (ja) | 2002-03-13 | 2005-09-05 | Ｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板およびその製造方法 |
| JP2005256971A Expired - Fee Related JP4058443B2 (ja) | 2002-03-13 | 2005-09-05 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007257902A Pending JP2008016871A (ja) | 2002-03-13 | 2007-10-01 | Ｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板およびその製造方法 |
| JP2007293691A Pending JP2008053761A (ja) | 2002-03-13 | 2007-11-12 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003068862A Expired - Lifetime JP3808049B2 (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2003068863A Expired - Fee Related JP3772843B2 (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | Ｃｏｆ用フレキシブルプリント配線基板 |
Family Applications After (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005256972A Expired - Fee Related JP4038517B2 (ja) | 2002-03-13 | 2005-09-05 | Ｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板およびその製造方法 |
| JP2005256971A Expired - Fee Related JP4058443B2 (ja) | 2002-03-13 | 2005-09-05 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007257902A Pending JP2008016871A (ja) | 2002-03-13 | 2007-10-01 | Ｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板およびその製造方法 |
| JP2007293691A Pending JP2008053761A (ja) | 2002-03-13 | 2007-11-12 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (7) | JP3808049B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3889700B2 (ja) | 2002-03-13 | 2007-03-07 | 三井金属鉱業株式会社 | Ｃｏｆフィルムキャリアテープの製造方法 |
| US7173322B2 (en) | 2002-03-13 | 2007-02-06 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | COF flexible printed wiring board and method of producing the wiring board |
| JP4109689B2 (ja) | 2004-09-29 | 2008-07-02 | 三井金属鉱業株式会社 | Ｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
| JP4712663B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-06-29 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂製複製版、及びその製造方法 |
| KR101657260B1 (ko) * | 2011-01-03 | 2016-09-13 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지용 전극의 제조방법 및 이로부터 제조된 전극 |
| CN102237334A (zh) * | 2011-06-09 | 2011-11-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Cof及cof载带 |
| JP5478600B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2014-04-23 | 尾池工業株式会社 | 機能性膜の形成方法、およびガスバリア膜の形成方法 |
| EP2840581B1 (en) * | 2012-04-17 | 2017-01-11 | National University Corporation Saitama University | Electret structure and method for manufacturing same, and electrostatic induction-type conversion element |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4534928A (en) * | 1983-12-19 | 1985-08-13 | Dow Corning Corporation | Molding process using room temperature curing silicone coatings to provide multiple release of articles |
| JPH03157414A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-07-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 熱硬化性被覆用シートと被覆物の製造方法 |
| JPH0373318A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Mazda Motor Corp | 合成樹脂成形用外部離型剤 |
| JPH0930197A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-04 | Nissha Printing Co Ltd | 転写材および転写物 |
| JPH09115961A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銅被覆ポリイミド基板を用いた電子回路部品素材の製造方法 |
| JPH09283570A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Advanced Display:Kk | フィルムキャリア |
| JP3698223B2 (ja) * | 1996-10-07 | 2005-09-21 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10151408A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 撥水処理方法 |
| JPH10244748A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Seiko Epson Corp | 光沢層を有する記録媒体 |
| JP3713883B2 (ja) * | 1997-04-18 | 2005-11-09 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 保護被覆層をもつ情報記録材料 |
| JP2001042658A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Mitsubishi Chemicals Corp | 導電性ベルト |
| JP2001127119A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Toray Ind Inc | ファインパターン形成用フレキシブルテープおよびその製造方法 |
| JP3456576B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2003-10-14 | カシオマイクロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4031899B2 (ja) * | 2000-06-20 | 2008-01-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法 |
| JP3889700B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2007-03-07 | 三井金属鉱業株式会社 | Ｃｏｆフィルムキャリアテープの製造方法 |
-
2003
- 2003-03-13 JP JP2003068862A patent/JP3808049B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-13 JP JP2003068863A patent/JP3772843B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-13 JP JP2003068864A patent/JP3914165B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-05 JP JP2005256972A patent/JP4038517B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-05 JP JP2005256971A patent/JP4058443B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-01 JP JP2007257902A patent/JP2008016871A/ja active Pending
- 2007-11-12 JP JP2007293691A patent/JP2008053761A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008053761A (ja) | 2008-03-06 |
| JP2008016871A (ja) | 2008-01-24 |
| JP2006054476A (ja) | 2006-02-23 |
| JP3772843B2 (ja) | 2006-05-10 |
| JP2006041548A (ja) | 2006-02-09 |
| JP4058443B2 (ja) | 2008-03-12 |
| JP4038517B2 (ja) | 2008-01-30 |
| JP2004207671A (ja) | 2004-07-22 |
| JP2004207669A (ja) | 2004-07-22 |
| JP3808049B2 (ja) | 2006-08-09 |
| JP2004207670A (ja) | 2004-07-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050314 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060720 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060802 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061002 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061025 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061222 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070124 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110209 Year of fee payment: 4 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |