JP3909242B2 - 半導体材料を析出する装置、多結晶シリコン棒の製造方法、前記製造方法のための炭素電極の使用 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、決められた材料特性を有する炭素電極を使用して多結晶シリコン棒を製造する装置および方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子部品および太陽電池を製造するための出発物質としての高純度多結晶シリコン(ポリシリコン)は、一般に析出ガスの熱分解または水素還元により得られる。その際析出ガスとして一般にクロロシラン、例えばトリクロロシランを使用する。還元性水素が関与するトリクロロシランの熱分解および引き続く薄いシリコン棒への高純度シリコンの析出は“ジーメンス法”の名称で知られている。この方法によりポリシリコンは世界的にポリシリコン析出装置で製造される。
【0003】
最も一般的に用いられる構成においては、これらの装置は、主に金属の基板およびこの基板上に配置される冷却可能な鐘状物からなり、鐘状物の内部に閉鎖された反応空間が形成される。析出装置は気密に閉鎖可能でなければならない、それというのも析出ガスは腐食性に作用し、空気との混合物で自然発火する傾向があるからである。基板はホルダーを備えており、これにより支持体が反応空間内に保持される。支持体として一般に薄いシリコン棒が用いられ、この棒は直接的な電流の導通により必要な析出温度に加熱される。一般に2つの隣接する棒が、保持される脚の端部と向かい合う自由な端部に、橋により結合し、U形の支持体を形成する。電流の供給は、U形の支持体の棒の脚部を保持するホルダーの対により行う。
【0004】
ホルダーには電流通路が属し、この通路は、基板に導通され、析出装置の外側で電源に接続している。析出装置の内側で、電流通路は、電極ホルダーとして形成されるか、または分離した電極ホルダーと強固に結合している。電極ホルダー上に炭素電極が配置され、この炭素電極は反応空間に向かって配列されている。炭素電極は一般に上方に間隙を有し、この間隙に支持体の棒の脚部がはめ込まれている。ホルダーは、保持された支持体が固定され、かつ動くことができないように形成されている。電流通路および場合により電極ホルダーは冷却される。これにより半導体材料が支持体のホルダーに析出することが回避される。
【0005】
大きな多結晶シリコン棒を製造する場合は、析出の最終段階でまたは析出後の冷却段階の間にシリコン棒がホルダーから傾倒する(転倒する)および/または棒の脚の端部の領域が損傷することを、かなり頻繁に監視しなければならない。この現象は、主に電子工業で必要な製品を生じる半導体の引き続く処理を遅らせるだけでなく、大きな経済的な損害を生じる、それというのも傾倒したシリコン棒はもはや計画されたように引き続き処理することができないからである。
【0006】
この問題を解決するために、米国特許第5593465号明細書において、電流通路と電極ホルダーの間に少なくとも1個のスプリング部材を配置し、この部材により電流通路に対して相対的に電極ホルダーが動き、この運動のクッションとなることが提案されている。しかしながらこの解決手段は多くの技術的な費用、従ってかなりの費用と結びついている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、通常の析出装置での費用のかかる改造手段を使用せずに前記の欠点を十分に阻止する、加熱した支持体に半導体材料を析出する装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記課題は、析出装置の基板に導通され、固定された電流通路と電極ホルダーを有し、この電極ホルダーは電流通路の上に配置されている下面および炭素電極と接続されている上面を有し、この炭素電極に支持体をはめ込むことができる装置により解決され、この装置は、炭素電極が145W/m・Kより大きい熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率に適合している熱膨張率を有することを特徴とする。
【0009】
炭素電極の熱伝導率は、生じる引張り応力−圧縮応力が棒の脚部で減少するように、できるだけ大きく選択する。有利には熱伝導率は145W/m・Kより大きい。特に熱伝導率は165W/m・Kより大きく、特に有利には熱伝導率は170W/m・Kである。170W/m・Kの値は今まで試験できるすべての種類の炭素のうち最も高い熱伝導率を有する炭素電極に相当する。この炭素電極を使用して今まで最もよい結果が達成された。しかしながら更に高い熱伝導率を有する炭素電極を使用して更によい結果が達成できることが考えられる。
【0010】
熱膨張率はポリシリコンの熱膨張率に適合している。従って熱膨張率は有利には2×10−6〜6×10−6である。特に熱膨張率は3.0×10−6〜3.6×10−6であり、特に有利には熱膨張率は3.3×10−6である。
【0011】
試験の際に、多くの場合に棒の脚の破砕によりポリシリコン棒が傾倒することが示された。一般的な炭素電極と前記の材料特性を有する炭素電極との交換によってのみ棒脚部の破砕の発生を著しく減少することができた。破裂した棒の脚部による多結晶シリコン棒の傾倒は本発明の装置により阻止される。
【0012】
本発明は、更に本発明の装置で自体公知の形式および方法で実施する、多結晶シリコン棒の製造方法に関する。
【0013】
この方法は、一般的なジーメンス法により145W/m・Kより大きい熱伝導率およびシリコンの熱膨張率に適合している熱膨張率を有する炭素電極を使用することを特徴とする。
【0014】
この方法は技術水準で一般的なように実施する。支持体材料として、薄いシリコン棒が用いられ、この棒は直接的な電流の導通により有利には900〜1200℃の析出温度範囲に加熱する。クロロシランの量は有利には10〜1400kg/h以上であり、水素の量は有利には10〜800m3/h以上である。使用する場合に棒の脚部が部分的に破砕する、熱伝導率75W/m・Kおよび熱膨張率4×10−6を有する従来の炭素電極と異なり、本発明の熱伝導率および本発明の熱膨張率を有する炭素電極は、棒の脚部での引張り応力−圧縮応力を減少するために使用する。
【0015】
本発明の方法は以下の理由から従来のジーメンス法より経済的である。
【0016】
時間の節約(より少ない人件費)
安全性の危険の回避(作業災害の減少)
生産量の向上(チャージ交換時間の減少)
収率の向上(ポリシリコン廃棄物の減少、ポリシリコンの微細な破片の減少)。
【0017】
本発明は更に、すでに記載された材料特性を有する炭素電極の多結晶シリコンを製造するための使用に関する。
【0018】
これらの炭素電極は、例えばSchunk Kohlenstofftechnik社(D−35339、ギーセン)またはSGL Carbon グループ(SGL CARBON社、Werk Ringsdorf、Drachenburgstrasse 1,D−53170、ボン)から入手できる。
【0019】
本発明は、特に145W/m・Kより大きい熱伝導率およびシリコンの熱膨張率に適合している熱膨張率を有する炭素電極の、ジーメンス法により多結晶シリコンを製造するための使用に関する。
【0020】
【実施例】
以下の実施例により本発明を詳細に説明する。
【0021】
実施例
多結晶シリコン棒を製造するために、従来の黒鉛電極および熱伝導率170W/m・Kおよび熱膨張率3.3×10−6を有する黒鉛電極を用いて、その他は同じ条件で交互に14回印加して運転した(析出温度範囲900〜1200℃、クロロシランの量10〜1400kg/hおよび水素の量10〜800m3/h)。通常の装置を使用して生じた98回のプロセスチャージの間に15回目のチャージで傾倒したが、本発明の装置を使用して生じた98回のプロセスチャージでは全く傾倒しなかった。
Claims (7)
- 析出装置の基板に導通され、固定された電流通路と電極ホルダーを有し、この電極ホルダーは電流通路の上に配置されている下面および炭素電極と接続されている上面を有し、この炭素電極に支持体をはめ込むことができる、加熱した支持体に半導体材料を析出する装置において、炭素電極が145W/m・Kより大きい熱伝導率を有し、かつ3 . 0×10 −6 〜3 . 6×10 −6 である熱膨張率を有することを特徴とする、半導体材料を析出する装置。
- 炭素電極の熱伝導率が145W/m・Kより大きい請求項1記載の装置。
- 炭素電極の熱伝導率が165W/m・Kより大きい請求項1記載の装置。
- 炭素電極の熱伝導率が170W/m・Kである請求項1記載の装置。
- 熱膨張率が3.3×10−6である請求項1から4までのいずれか1項記載の装置。
- 一般的なジーメンス法で145W/m・Kより大きい熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率に適合している熱膨張率を有する炭素電極を使用することを特徴とする多結晶シリコン棒の製造方法。
- 145W/m・Kより大きい熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率に適合している熱膨張率を有する炭素電極の、多結晶シリコンを製造するための使用。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170024609A (ko) | 2014-07-04 | 2017-03-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘 봉 제조용의 실리콘 심선 및 다결정 실리콘 봉의 제조 장치 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006240934A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Tokuyama Corp | 多結晶シリコンの製造装置 |
US9683286B2 (en) * | 2006-04-28 | 2017-06-20 | Gtat Corporation | Increased polysilicon deposition in a CVD reactor |
JP5266817B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2013-08-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン製造装置 |
RU2499081C2 (ru) * | 2008-03-26 | 2013-11-20 | ДжиТиЭйТи Корпорейшн | Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы |
CN102047751B (zh) * | 2008-04-14 | 2014-01-29 | 赫姆洛克半导体公司 | 用于沉积材料的制造设备和其中使用的电极 |
EP2266368B1 (en) * | 2008-04-14 | 2018-03-28 | Hemlock Semiconductor Operations LLC | Manufacturing apparatus for depositing a material on an electrode for use therein |
CN102047066B (zh) * | 2008-04-14 | 2013-01-16 | 赫姆洛克半导体公司 | 用于沉积材料的制造设备和其中使用的电极 |
CN102084028B (zh) * | 2008-06-23 | 2014-04-16 | Gt太阳能公司 | 在化学气相沉积反应器中用于管丝的夹头及电桥的连接点 |
CN101570890B (zh) * | 2009-01-06 | 2011-09-28 | 刘朝轩 | 可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法 |
US8840723B2 (en) * | 2009-03-10 | 2014-09-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon |
DE102009044991A1 (de) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Wacker Chemie Ag | Stabförmiges Polysilicium mit verbesserter Brucheigenschaft |
TW201129501A (en) * | 2009-10-09 | 2011-09-01 | Hemlock Semiconductor Corp | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
JP5560018B2 (ja) | 2009-10-14 | 2014-07-23 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造用芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法 |
DE102010003064A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Graphitelektrode |
DE102010003069A1 (de) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Kegelförmige Graphitelektrode mit hochgezogenem Rand |
DE102010040093A1 (de) | 2010-09-01 | 2012-03-01 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
JP5666983B2 (ja) | 2011-05-09 | 2015-02-12 | 信越化学工業株式会社 | シリコン芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法 |
JP5507493B2 (ja) * | 2011-05-09 | 2014-05-28 | 信越化学工業株式会社 | シリコン芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法 |
DE102011084372A1 (de) | 2011-10-12 | 2012-02-09 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung für die Abscheidung von polykristallinem Silicium auf Dünnstäben |
JP2016113302A (ja) * | 2013-04-10 | 2016-06-23 | 株式会社トクヤマ | シリコン製造用芯線ホルダ |
TW201531440A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-08-16 | Hemlock Semiconductor Corp | 用於耦合至設置在反應器內之電極上之插座以生長多晶矽的載體 |
US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
DE102014201096A1 (de) * | 2014-01-22 | 2015-07-23 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
US10450649B2 (en) | 2014-01-29 | 2019-10-22 | Gtat Corporation | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance |
US11965264B2 (en) | 2018-07-27 | 2024-04-23 | Wacker Chemie Ag | Electrode for depositing polycrystalline silicon |
CN115583654B (zh) * | 2022-10-18 | 2023-11-21 | 科大智能物联技术股份有限公司 | 一种基于模仿学习的多晶硅还原炉电流控制方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3011877A (en) * | 1956-06-25 | 1961-12-05 | Siemens Ag | Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes |
NL251143A (ja) * | 1959-05-04 | |||
DE1198787B (de) * | 1960-12-17 | 1965-08-19 | Siemens Ag | Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium, Siliciumkarbid oder Germanium aus ihren gasfoermigen Verbindungen |
DE2328303C3 (de) * | 1973-06-04 | 1979-11-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumstäben |
DE2618293A1 (de) * | 1976-04-27 | 1977-11-17 | Papst Motoren Kg | Kollektorloser gleichstrommotor |
DE2652218A1 (de) * | 1976-11-16 | 1978-05-24 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium |
DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
US4248925A (en) * | 1979-06-25 | 1981-02-03 | Corning Glass Works | Encapsulation in glass and glass-ceramic materials |
JPS5787139A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
IT8648573A0 (it) * | 1985-10-22 | 1986-10-22 | Union Carbide Corp | Impregnante,aventi un ridotto coefcomposizioni carbonio-carbonio conficente di dilatazione termica e mi tenenti pece scarsamente grafitizgliorata resistenza alla flessione zante in qualita' di legante e/o un |
JP2876095B2 (ja) * | 1992-04-13 | 1999-03-31 | イビデン株式会社 | 黒鉛製電解加工用電極 |
US6238454B1 (en) * | 1993-04-14 | 2001-05-29 | Frank J. Polese | Isotropic carbon/copper composites |
DE4424929C2 (de) * | 1994-07-14 | 1997-02-13 | Wacker Chemie Gmbh | Halterung für Trägerkörper in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial |
JPH08191096A (ja) * | 1995-01-09 | 1996-07-23 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体用治具 |
KR100210261B1 (ko) * | 1997-03-13 | 1999-07-15 | 이서봉 | 발열반응을 이용한 다결정 실리콘의 제조 방법 |
-
2001
- 2001-01-11 DE DE10101040A patent/DE10101040A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-01-03 DE DE50200055T patent/DE50200055D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-03 EP EP02000119A patent/EP1223146B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-08 JP JP2002001054A patent/JP3909242B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-09 US US10/042,801 patent/US6639192B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170024609A (ko) | 2014-07-04 | 2017-03-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘 봉 제조용의 실리콘 심선 및 다결정 실리콘 봉의 제조 장치 |
Also Published As
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---|---|
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DE10101040A1 (de) | 2002-07-25 |
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