JP3891394B2 - 高周波スイッチモジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、デュアルモード、トリプルモード等のマルチモード移動体通信機に用いられる高周波スイッチモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の無線通信装置、例えば携帯電話の普及には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が益々図られている(以下、携帯電話を例にとって説明する)。携帯電話のシステムとしては、例えば主に欧州で盛んなEGSM(Extended Global System for Mobile Communications)方式、DCS1800(Digital Cellular System 1800)方式、米国で盛んなPCS(Personal Communications Service)方式、日本で採用されているPDC(Personal Digital Cellular)方式などの様々なシステムがあるが、昨今の携帯電話の急激な普及にともない、特に先進国の主要な大都市部においては各システムに割り当てられた周波数帯ではシステム利用者を賄い切れず、接続が困難であったり、通話途中で接続が切断するなどの問題が生じている。そこで、前記利用者が複数のシステムを利用出来るようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を計り、さらにサービス区域の拡充や各システムの通信インフラの有効活用することが提唱されている。
そこで、この新たなシステムを持った携帯電話として、デュアルバンド携帯電話(特許第2983016号公報参照)、トリプルバンド携帯電話等の提案がなされている。このデュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、2つの送受信系を取り扱うものであり、トリプルバンド携帯電話は、3つの送受信系を取り扱うものである。これにより、複数のシステムの中から利用者は都合の良い送受信系を選択して利用することが出来るものである。
【0003】
このような携帯電話では、それぞれのシステムの周波数帯に応じて低周波側と高周波側のどちらかのシステムに受信信号を振り分ける分波器(Diplexer)と、受信経路と送信経路の信号経路を切り換える高周波スイッチ回路とをモジュール化した高周波スイッチモジュールが用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図1に示す回路ブロック図は、本願発明者らが提案しているデュアルバンド携帯電話に用いられる高周波スイッチモジュールの一例である。この高周波スイッチモジュールは、第1の送受信系としてEGSMシステム(送信TX.880〜915MHz、受信RX.925〜960MHz)、第2の送受信系としてDCS1800システム(送信TX.1710〜1785MHz、受信RX.1805〜1880MHz)の2つのシステムに対応し、デュアルバンド携帯電話のアンテナANTと、GSM系、DCS系のそれぞれの送受信回路とを振り分けて用いられる。
【0005】
このデュアルバンド用高周波スイッチモジュールは、ANTに接続される端子から低周波側の第1の送受信系(例えばEGSMとする。)と高周波側の第2の送受信系(例えばGSMの略2倍の周波数帯のDCSやPCSとする。)とを分波するために、ローパスフィルタ(LPF)とハイパスフィルタ(HPF)とから構成された分波回路ブロック103を有している。この分波回路ブロック103のローパスフィルタ側の後段には第1の送受信系(EGSM)の送信回路(EGSM TX)と分波回路ブロックとを接続する経路と第1の送受信系の受信回路(EGSM RX)と分波回路ブロック103とを接続する経路を切り換える第1のスイッチ回路ブロック101を有している。また分波回路ブロック103のハイパスフィルタ側の後段には、第2の送受信系の受信回路(DCS RX)と分波回路ブロックとを接続する経路と第2の送受信系の送信回路(DCS TX)と分波回路ブロックとを接続する経路とを切り換える第2のスイッチ回路102を有している。前記第1のスイッチ回路101は、端子501と送信回路EGSM TXに接続される端子505と受信回路EGSM RXに接続される端子504からなる高周波スイッチで構成され、前記第2のスイッチ回路102は、端子506と送信回路DCS TXに接続される端子508と受信回路DCS RXに接続される端子507からなる高周波スイッチで構成されている。ここで、上記スイッチ回路として例えば特開平11−225089号等に開示された複数のダイオードを用いたダイオードスイッチ回路を用いると、それぞれ2つのダイオードからなる高周波スイッチとして構成される。
【0006】
図2は、上記したデュアルバンド携帯電話に用いられる高周波スイッチモジュールの一例を示す等価回路図である。例えば、この高周波スイッチモジュールでEGSMの送信信号をアンテナへ通過させようとする場合、前記第1のスイッチ回路101において、端子501と端子505を接続するには、スイッチ回路を切り替えるための電圧コントロール回路VC1から正の電圧を与えることでダイオードDG1とDG2をon状態とする。このとき、ダイオードDG2がon状態となっており低インピーダンスとなるために、伝送線路LG2が高周波的に接地され、端子501から見た伝送線路LG2のインピーダンスが高くなり、端子504には前記高周波信号は現れず、ダイオードDG1がon状態となっており低インピーダンスとなるために、端子505に入力した高周波信号が端子501に現れる。この端子501に現れる高周波信号はローパスフィルタ(F1)を通過し、アンテナからEGSMの送信信号として放射される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
前記の様に端子505からのEGSMの送信信号電力のほとんどはアンテナから放射されるが、一部の電力が分波回路ブロック103のハイパスフィルタ(F2)を通過し、第2のスイッチ回路102に漏洩する。この際、第2のスイッチ回路102のダイオードはオフ状態であり、このダイオードが漏洩してきたEGSMの送信信号を歪ませ、前記EGSM送信信号の整数倍の周波数を有する高調波を第2のスイッチ回路102において発生させる。特にEGSM送信信号の第2次高調波(1760MHz〜1830MHz)はDCS帯域(1710MHz〜1880MHz)であるため、この前記高調波信号が端子506に現れハイパスフィルタ(F2)を通過し、EGSMの送信信号に重畳してアンテナから放射されてしまう問題が判明した。
【0008】
前記高調波の発生を抑制する手段として、EGSM送信時に第2のスイッチ回路102のダイオードもon状態とするようにコントロールする方法があるが、消費電力が増加するため好ましくない。また、他の方法として分波回路ブロック103の第2のフィルタ回路(F2)をEGSMの送受信信号の周波数において大きな減衰量を得るように構成することも考えられる。所望の減衰量を得る方法として、フィルタの段数を拡大することが考えられるが、フィルタの段数拡大はDCSの送受信信号の通過帯域における挿入損失を増加させることにつながり、また回路が大型になるため高周波スイッチモジュールを小型に作ることが困難となり、このままでは携帯電話が非常に大きくなるという問題があった。
【0009】
本発明は、このような問題を解決するもので複数の周波数帯の信号を取り扱う高周波スイッチモジュールおいて、回路構成を変更することなく、また電力消費を増加させることなく高調波の発生を抑制する高周波スイッチモジュールを提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1のフィルタ回路と、通過帯域が前記第1のフィルタ回路よりも高周波数の第2のフィルタ回路と、前記第1のフィルタに接続された第1のダイオードスイッチ回路と、第2のフィルタ回路に接続され第2のダイオードスイッチ回路を具備し、
前記第1のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路を並列に接続して、複数の送受信系の送受信信号を分波する分波回路とし、
少なくとも前記第2のダイオードスイッチ回路に用いるダイオードとして、1MHzにおける端子間容量が0.8pF以下、100MHzにおける順抵抗が2.0Ω以下であり、
900MHzの高周波信号を+15dBmの電力としてアノード側から入力し、カソード側からの出力信号に重畳する高調波成分の電力(第2次高調波発生量)が、−15dBm以下であるPINダイオードを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
本発明において、前記第1のフィルタ回路をローパスフィルタとし、前記第2のフィルタ回路をハイパスフィルタとするのが好ましい。
また、第1のダイオードスイッチ回路と第2のダイオードスイッチ回路は、それぞれ分波回路と送信回路との間に第1のダイオードと、分波回路と受信回路との間に伝送線路と、前記伝送線路の受信回路側からグランドとの間に第2のダイオードを有するものであり、前記第1のダイオードのアノードを分波回路側に接続し、カソードを送信回路側に接続し、前記第2のダイオードのアノードをグランド側に接続し、カソードを伝送線路側に接続するのが好ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
尚、説明の簡略化と具体化のため以下の説明では、第1の信号周波数帯としてEGSM(送信TX:880〜915MHz、受信RX:925〜960MHz)システム、第2の信号周波数帯としてDCS(送信TX:1710〜1785MHz、受信RX:1805〜1880MHz)システム、第3の信号周波数帯としてPCS(送信TX:1850〜1910MHz、受信RX:1930〜1990MHz)システムを例にとり説明する。無論、他の通信システムを用いても良く、本発明の技術思想に基づいて他のシステムで実施することは可能である。
【0013】
先ず、基本特性の異なるPINダイオードを3種類準備し、図3に示す測定回路でダイオード単体での第2次高調波発生量を測定した。
ここで第2次高調波は、第 1 の送受信系の送信信号を基本周波数とする高周波信号をダイオードのアノード側から入力してカソード側から出力する高周波信号に重畳する高調波成分の電力として規定される。本実施例においては、ダイオードに入力する高周波信号の基本周波数をEGSM送信信号の周波数帯内の900MHzとし、ダイオードへの入力電力が+15dBmとなるようにシグナルジェネレータ(SG)とパワーアンプを適宜設定している。
【0014】
ダイオードへの入力電力を+15dBmと設定した理由は以下の通りである。もともとEGSMの規格(Class4)のなかで、送信信号のアンテナからの送信電力の最大値は+33dBmであり、高周波スイッチモジュールのEGSM送信端子505には、送信回路からアンテナまでの間の挿入損失分と多少のマージンを見込み、+35dBmの高周波信号が入力する。一方本発明の高周波スイッチモジュールは、第1及び第2のフィルタからなる分波回路ブロック103を具備するが、この分波回路ブロック103を機能させるために、第1のフィルタは、DCS(送信TX:1710〜1785MHz、受信RX:1805〜1880MHz)システムの周波数帯域での減衰量を、少なくとも20dB以上を有するように構成され、第2のフィルタは、EGSM(送信TX:880〜915MHz、受信RX:925〜960MHz)システムの周波数帯域での減衰量は少なくとも20dB以上を有するように構成されている。このためEGSMの送信回路(EGSMTX)からの入力する+35dBmの高周波信号は第2のフィルタ(F2)により減衰し、第2のスイッチ回路102に漏洩する高周波電力は最大で+15dBmとなる。そこで、ダイオード単体の高調波発生量を測定する際のダイオードへの入力電力を+15dBmとした。
【0015】
ダイオード単体の基本特性と高調波発生量の評価結果を表1に示す。ダイオードA→B→Cの順で第2次高調波発生量が小さい。
【0016】
【表1】
【0017】
上記のダイオードを用いて、図2の等価回路図に示すデュアルバンド対応の高周波スイッチモジュールにおいて、前記3種類のダイオードを用いて表2に示す構成にて高周波スイッチモジュールを作製した。なお表中A〜Cの記載は表1に示したダイオードA〜Cに対応している。そして図4に示す測定回路でEGSM送信状態を再現し、高周波スイッチモジュールの高調波発生量を測定した。その結果を表2にあわせて記載する。
なおEGSM送信状態においては、コントロール端子VC1からの電圧供給により第1のスイッチ回路101のダイオードDG1,DG2がオン状態となり、第2のスイッチ回路102ではダイオードDP1,DP2はオフ状態となっている。
【0018】
【表2】
【0019】
表2の結果から、第1、第2のスイッチ回路のダイオードDG2〜DP1を全てダイオードA乃至Cに置き換えた場合、表2の実施例1,2及び比較例1に示すように、A→B→Cの順に第2次高調波発生量が小さくなり、ダイオード単体での評価と同様な結果が得られた。また第1、第2のスイッチ回路を構成するダイオードDG2〜DP1の一つにダイオードA又Bを用い、他のダイオードに単体として最も第2次高調波発生量が少ないダイオードCを用いて高周波スイッチモジュールを構成した実施例3乃至5、比較例2,3によれば、高周波スイッチモジュールでの第2次高調波発生量については、第2のスイッチ回路のダイオードDP2,DP1が支配的であり、特にはダイオードDP1が影響を与えるという知見が得られた。そして、ダイオードDP1をダイオードA、B、Cとし、他のダイオードをダイオードCとした場合においても、ダイオード単体での評価と同様に第2高調波発生量がA→B→Cの順で小さくなった。
【0020】
ここで高周波スイッチモジュールでは、その使用においてEGSM送信モードで、アンテナと接続する端子600に現れるEGSM送信信号の第2次高調波の電力を−36dBm以下とするように規定されている。図5はダイオード単体とモジュールでの第2次高調波発生量の相関図である。これより、高周波スイッチモジュールでの第2次高調波発生量を−36dBm以下に押さえるためには、ダイオード単体の第2次高調波発生量を−15dBm以下にしなければならないことが分かった。
【0021】
図6は、本発明に係る他の態様の高周波スイッチモジュールのブロック図である。
この高周波スイッチモジュールは、トリプルバンド携帯電話に用いられる高周波スイッチモジュールの一例である。この高周波スイッチモジュールは、第1の送受信系としてEGSMシステム(送信TX.880〜915MHz、受信RX.925〜960MHz)、第2の送受信系としてDCS1800システム(送信TX.1710〜1785MHz、受信RX.1805〜1880MHz)、第3の送受信系としてPCSシステム(送信TX.1850〜1910MHz、受信RX.1930〜1990MHz)の3つのシステムに対応し、トリプルバンド携帯電話のアンテナANTと、EGSM系、DCS系、PCS系のそれぞれの送受信回路とを振り分けて用いられる。
【0022】
このトリプルバンド用高周波スイッチモジュールは、ANTに接続される端子から低周波側の第1の送受信系(例えばEGSMとする。)と高周波側の第2、第3の送受信系(例えばDCS、PCSとする。)とを分波するために、ローパスフィルタ(LPF)とハイパスフィルタ(HPF)とから構成された分波回路ブロック103を有している。この分波回路ブロック103のローパスフィルタ側の後段には第1の送受信系(EGSM)の送信回路(EGSM TX)と分波回路ブロックとを接続する経路と第1の送受信系の受信回路(EGSM RX)と分波回路ブロックとを接続する経路を切り換える第1のスイッチ回路ブロック101を有している。また分波回路ブロック103のハイパスフィルタ側の後段には、第2の送受信系の受信回路(DCS RX)と分波回路ブロックとを接続する経路と第3の送受信系の受信回路(PCS RX)と分波回路ブロックとを接続する経路と、第2および第3の送受信系の送信回路(DCS/PCS TX)と分波回路ブロックとを接続する経路とを切り換える第2のスイッチ回路ブロック102を有している。この第2のスイッチ回路ブロック102は、端子506と送信回路DCS/PCS TXに接続される端子508と受信回路DCS RXおよびPCS RXに接続される端子507からなるSPDT(Single Pole Dual Throw)型の高周波スイッチと、端子507の後段に第2の受信回路(DCS RX)への出力端子510と第3の受信回路(PCS RX)への出力端子511を切り換えるSPDT型の高周波スイッチとで構成されている。
ここで分波回路ブロック103、及び第1のスイッチ回路101は、図2で示した等価回路図と同様である。また第2のスイッチ回路102は例えば図7の等価回路図の様に構成される。この高周波スイッチモジュールであっても、本発明の効果が変わらず発揮されることを確認した。
【0023】
【発明の効果】
複数の周波数帯の信号を取り扱う高周波スイッチモジュールおいて、回路構成を変更することなく、また電力消費を増加させることなく高調波の発生を抑制する高周波スイッチモジュールを提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る高周波スイッチモジュールのブロック図である。
【図2】本発明の一実施例に係る高周波スイッチモジュールの等価回路図である。
【図3】ダイオード単体の第2高調波測定回路を示す図である。
【図4】高周波スイッチモジュールの第2高調波測定回路図である。
【図5】ダイオード単体での第2高調波発生量と高周波スイッチモジュールでの第2高調波発生量との相関図である。
【図6】本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールのブロック図である。
【図7】本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールの等価回路図である。
【符号の説明】
103 分波回路ブロック
101 第1のスイッチ回路
102 第2のスイッチ回路
DP1 ダイオード
Claims (4)
- 第1のフィルタ回路と、通過帯域が前記第1のフィルタ回路よりも高周波数の第2のフィルタ回路と、前記第1のフィルタに接続された第1のダイオードスイッチ回路と、第2のフィルタ回路に接続され第2のダイオードスイッチ回路を具備し、
前記第1のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路を並列に接続して、複数の送受信系の送受信信号を分波する分波回路とし、
少なくとも前記第2のダイオードスイッチ回路に用いるダイオードとして、1MHzにおける端子間容量が0.8pF以下、100MHzにおける順抵抗が2.0Ω以下であり、
900MHzの高周波信号を+15dBmの電力としてアノード側から入力し、カソード側からの出力信号に重畳する高調波成分の電力(第2次高調波発生量)が、−15dBm以下であるPINダイオードを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 前記第1のフィルタ回路がローパスフィルタであり、前記第2のフィルタ回路がハイパスフィルタであることを特徴とする請求項1に記載の高周波スイッチモジュール。
- 第1のダイオードスイッチ回路と第2のダイオードスイッチ回路は、それぞれ分波回路と送信回路との間に第1のダイオードと、分波回路と受信回路との間に伝送線路と、前記伝送線路の受信回路側からグランドとの間に第2のダイオードを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の高周波スイッチモジュール。
- 前記第1のダイオードのアノードを分波回路側に接続し、カソードを送信回路側に接続し、前記第2のダイオードのアノードをグランド側に接続し、カソードを伝送線路側に接続することを特徴とする請求項3に記載の高周波スイッチモジュール。
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