JP2002305462A5 - - Google Patents
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- 第 1 のフィルタ回路と、前記第 1 のフィルタ回路よりも通過帯域が高周波数の第2のフィルタ回路と、前記第 1 のフィルタに接続された第 1 のダイオードスイッチ回路と、第2のフィルタ回路に接続され第2のダイオードスイッチ回路を具備し、
前記第 1 のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路を並列に接続して分波回路とし、
少なくとも前記第2のダイオードスイッチ回路のダイオードとして、1MHzにおける端子間容量が0.8pF以下であり、100MHzにおける順抵抗が2.0Ω以下のPINダイオードを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 第 1 のフィルタ回路と、前記第 1 のフィルタ回路よりも通過帯域が高周波数帯の第2のフィルタ回路と、前記第 1 のフィルタに接続された第 1 のダイオードスイッチ回路と、第2のフィルタ回路に接続され第2のダイオードスイッチ回路を具備し、
前記第 1 のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路を並列に接続して分波回路とし、
少なくとも前記第2のダイオードスイッチ回路のダイオードとして、第2次高調波発生量が−15dBm以下のPINダイオードを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 前記第1のフィルタ回路がローパスフィルタであり、前記第2のフィルタ回路がハイパスフィルタであることを特徴とする請求項1又は2に記載の高周波スイッチモジュール。
- 第1のダイオードスイッチ回路と第2のダイオードスイッチ回路は、それぞれ分波回路と送信回路との間に第1のダイオードと、分波回路と受信回路との間に伝送線路と、前記伝送線路の受信回路側からグランドとの間に第2のダイオードを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
- 前記第1のダイオードのアノードを分波回路側に接続し、カソードを送信回路側に接続し、前記第2のダイオードのアノードをグランド側に接続し、カソードを伝送線路側に接続することを特徴とする請求項4に記載の高周波スイッチモジュール。
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JP2001105379A JP3891394B2 (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 高周波スイッチモジュール |
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