CN210489791U - 一种砷化镓低通滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种砷化镓低通滤波器，属于滤波器技术领域。本实用新型包括从上至下依次的电路结构层、砷化镓基体层和等效大地层，电路结构层上形成有滤波器电路结构，并设有输入端口、输出端口和多个接地端口,滤波器电路结构包括串联连接在输入端口和输出端口之间的第一并联谐振单元、第二并联谐振单元和第三并联谐振单元，第一并联谐振单元的电感和第三并联谐振单元的电感之间通过窄边耦合形成一个耦合电感,通过合理的利用电感的自电容，合理的利用电容的自电感从而达到小尺寸、高性能的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种砷化镓低通滤波器，属于滤波器技术领域。
背景技术
低通滤波器是用于通信装置的电子部件之一，一个好的低通滤波器应该具有带内低损耗和带外高抑制的传输特性，在传统的设计中由于等效电感具有自电容，等效电容具有自电感，所以在实际的设计中容易产生二次谐波，影响滤波器的性能指标。而且随着电子设备小型化的发展，现有的技术实现的滤波器体积较大，无法满足小型化的需求，一种高性能、小型化的低通滤波器设计成为了现阶段通信行业亟需处理的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有滤波器存在的上述缺陷，提供了一种砷化镓低通滤波器，包括电路结构层、砷化镓基体层和等效大地层，通过合理的利用电感的自电容，合理的利用电容的自电感从而达到小尺寸、高性能的效果。
本实用新型是采用以下的技术方案实现的：
一种砷化镓低通滤波器，包括从上至下依次的电路结构层、砷化镓基体层和等效大地层，电路结构层上形成有滤波器电路结构，并设有输入端口、输出端口和多个接地端口。
进一步地，滤波器电路结构包括串联连接在输入端口和输出端口之间的第一并联谐振单元、第二并联谐振单元和第三并联谐振单元，输入端口和第一并联谐振单元之间连接有接地的第一串联谐振单元，第一并联谐振单元和第二并联谐振单元之间连接有接地的第二串联谐振单元，第二并联谐振单元和第三并联谐振单元之间连接有接地的第三串联谐振单元，输出端口和第三并联谐振单元之间连接有接地的第四串联谐振单元。
进一步地，第一并联谐振单元的电感和第三并联谐振单元的电感之间通过窄边耦合形成一个耦合电感。
进一步地，接地端口设有4个，两个与输入端口形成GSG共面端口，两个与输出端口形成GSG共面端口。
进一步地，接地端口通过通孔与等效大地层连接。
进一步地，等效大地层为在砷化镓基体层下表面通过电镀形成的一层金属导体层。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型采用GSG端口，便于与其他微波组件集成；第一并联谐振单元的电感和第三并联谐振单元的电感之间通过窄边耦合形成一个耦合电感，通过合理的利用电感的自电容，合理的利用电容的自电感从而达到小尺寸、高性能的效果。
附图说明
图1为本实用新型的电路示意图；
图2为本实用新型的滤波器结构示意图；
图3为本实用新型的外形示意图；
图4为本实用新型的仿真结果示意图。
附图标记说明：
1砷化镓基体层；2等效大地层；3电路结构层。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图3所示，本实用低通滤波器包括从上至下依次的电路结构层3、砷化镓基体层1和等效大地层2，电路结构层3上形成有滤波器电路结构，并设有输入端口、输出端口和多个接地端口，封装结构为0.7mm×0.6mm×0.15mm。
如图1和图2所示，电感L1和电容C1形成第一并联谐振，电感L2和电容C2形成第二并联谐振，电感L3和电容C3形成第三并联谐振；电感L4和C4形成第一串联谐振，电感L4和C4形成第一串联谐振，电感L5和C5形成第二串联谐振，电感L6和C6形成第三串联谐振，电感L7和C7形成第四串联谐振；电感L1和电感L3之间通过窄边耦合，形成一个耦合电感。输入端S1连接第一并联谐振(L1、C1)的一端，第一并联谐振(L1、C1)的另一端连接第二并联谐振(L2、C2)，第二并联谐振(L2、C2)的另一端连接第三并联谐振(L3、C3)，第三并联谐振(L3、C3)的另一端连接输出端S2；输入端S1和第一并联谐振(L1、C1)之间连接第一串联谐振(L4、C4)，第一串联谐振(L4、C4)的另一端连接端口地G1；第一并联谐振(L1、C1)和第二并联谐振(L2、C2)之间连接第二串联谐振(L5、C5)，第二串联谐振(L5、C5)的另一端连接端口地G2,；第二并联谐振(L2、C2)和第三并联谐振(L3、C3)之间连接第三串联谐振(L6、C6)，第三串联谐振(L6、C6)另一端连接端口地G4；第三并联谐振(L3、C3)和输出端S2之间连接第四串联谐振(L7、C7)，第四串联谐振(L7、C7)的另一端连接端口地G3。输入端S1、端口地G1、端口地G2形成输入GSG共面端口；输出端S2、端口地G3、端口地G4形成输出GSG共面端口；其中端口地G1通过通孔V1和等效大地层连接，端口地G2通过通孔V2和等效大地层连接，端口地G3通过通孔V3和等效大地层连接，端口地G4通过通孔V4和等效大地层连接。
如图4所示，本实用新型的低通滤波器截止频率为2.45GHz，通带内插入损耗小于1.6dB；阻带内，在3.5GHz到10GHz范围内抑制大于30dB。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种砷化镓低通滤波器，其特征在于，包括从上至下依次的电路结构层(3)、砷化镓基体层(1)和等效大地层(2)，所述电路结构层(3)上形成有滤波器电路结构，并设有输入端口、输出端口和多个接地端口。
2.根据权利要求1所述的砷化镓低通滤波器，其特征在于：所述的滤波器电路结构包括串联连接在输入端口和输出端口之间的第一并联谐振单元、第二并联谐振单元和第三并联谐振单元，输入端口和第一并联谐振单元之间连接有接地的第一串联谐振单元，第一并联谐振单元和第二并联谐振单元之间连接有接地的第二串联谐振单元，第二并联谐振单元和第三并联谐振单元之间连接有接地的第三串联谐振单元，输出端口和第三并联谐振单元之间连接有接地的第四串联谐振单元。
3.根据权利要求2所述的砷化镓低通滤波器，其特征在于：所述第一并联谐振单元的电感和第三并联谐振单元的电感之间通过窄边耦合形成一个耦合电感。
4.根据权利要求1所述的砷化镓低通滤波器，其特征在于：所述接地端口设有4个，两个与输入端口形成GSG共面端口，两个与输出端口形成GSG共面端口。
5.根据权利要求1所述的砷化镓低通滤波器，其特征在于：所述接地端口通过通孔与等效大地层(2)连接。
6.根据权利要求1所述的砷化镓低通滤波器，其特征在于：所述等效大地层(2)为在砷化镓基体层(1)下表面通过电镀形成的一层金属导体层。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201921701686.1U CN210489791U (zh) | 2019-10-12 | 2019-10-12 | 一种砷化镓低通滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921701686.1U CN210489791U (zh) | 2019-10-12 | 2019-10-12 | 一种砷化镓低通滤波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210489791U true CN210489791U (zh) | 2020-05-08 |
Family
ID=70509607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921701686.1U Active CN210489791U (zh) | 2019-10-12 | 2019-10-12 | 一种砷化镓低通滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210489791U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112367057A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种复合结构跳频滤波器及其调节方法 |
-
2019
- 2019-10-12 CN CN201921701686.1U patent/CN210489791U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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