CN212137622U - 一种ipd高阻带抑制的低通滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种IPD高阻带抑制的低通滤波器，属于滤波器技术领域。本实用新型包括从上至下依次的电极端口单元、电路结构单元、砷化镓基体层和背金大地面，所述电路结构单元上形成有滤波器电路结构，所述电极端口单元上形成有输入端口、输出端口、接地端口和连接通孔，本实用新型采用GSG端口，便于与其他微波组件集成，通过串联电感与并联电容的耦合，而达到小尺寸、高阻带抑制的效果，该实用新型低通滤波器设计适用于4GHz至20GHz频段，本实用新型基于IPD‑GaAs工艺设计，适合大批量生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种IPD高阻带抑制的低通滤波器，属于滤波器技术领域。
背景技术
随着通信技术的高速发展，通信系统对高性能、小型化的无源部件要求越来越高，低通滤波器作为通信装置的重要电子部件之一，低通滤波器的性能直接影响通信系统的性能，一个好的低通滤波器应该具有带内低损耗和带外高抑制的传输特性，在传统的设计中由于等效电感具有自电容，等效电容具有自电感，所以在实际的设计中容易产生二次谐波，影响滤波器的性能指标。而且随着电子设备小型化的发展，现有的技术实现的滤波器体积较大，无法满足小型化的需求，一种高性能、小型化的低通滤波器设计成为了现阶段通信行业亟需处理的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有滤波器存在的上述缺陷，提供了一种IPD高阻带抑制的低通滤波器，包括电极端口单元、电路结构单元、砷化镓基体层和背金大地面，通过合理的利用电感、电容的耦合，而达到小尺寸、高阻带抑制的效果。
本实用新型是采用以下的技术方案实现的：
一种IPD高阻带抑制的低通滤波器，包括电极端口单元、电路结构单元、砷化镓基体层和背金大地面，电路结构单元形成有滤波器电路结构，电极端口单元形成有输入端口、输出端口、接地端口和连接通孔。
进一步地，所述的滤波器电路结构包括串联连接在输入端口和输出端口之间的第一电感、第二电感、第三电感和第四电感，第一电感和第二电感之间连接有接地的第一电容，第二电感和第三电感之间连接有接地的第二电容，第三电感和第四电感之间连接有接地的第三电容。
进一步地，所述电极端口单元是通过光刻、溅射、电镀、刻蚀等工序制作在GaAs基体上表面的金属层。
进一步地，所述滤波器电路结构单元是通过光刻、溅射、电镀、刻蚀等工序制作在GaAs基体上表面的金属层。
进一步地，所述接地端口设有4个，两个与输入端口形成GSG共面端口，两个与输出端口形成GSG共面端口。
进一步地，所述接地端口通过连接通孔与背金大地面连接。
进一步地，所述背金大地面为电镀在GaAs基体下表面的金属层，其中背金大地面可以为全地面、网格地或缺陷地。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型采用GSG端口，便于与其他微波组件集成，通过串联电感与并联电容的耦合，而达到小尺寸、高阻带抑制的效果，该实用新型低通滤波器设计适用于4GHz至20GHz频段，本实用新型基于IPD-GaAs工艺设计，适合大批量生产。
附图说明
图1为本实用新型的电路示意图；
图2为本实用新型滤波器的平面结构示意图；
图3为本实用新型滤波器的三维结构示意图；
图4为本实用新型滤波器的仿真结果示意图。
附图标记说明：
1砷化镓基体层；2电极端口单元；3电路结构单元；4背金大地面。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图3所示，本实用新型的低通滤波器包括从上至下依次的电极端口单元2、电路结构单元3、砷化镓基体层1和背金大地面4，所述电路结构单元3上形成有滤波器电路结构，电极端口单元2上形成有输入端口、输出端口、接地端口和连接通孔，封装结构为800um×650um×100um。
如图1和图2所示，输入端口S1和输出端口S2之间串联有第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3和第四电感L4，第一电感L1和第二电感L2之间连接有接地的第一电容C1，第二电感L2和第三电感L3之间连接有接地的第二电容C2，第三电感L3和第四电感L4之间连接有接地的第三电容C3。
输入端口S1、接地端口G1、接地端口G2形成输入GSG共面端口；输出端口S2、接地端口G3、接地端口G4形成输出GSG共面端口；其中接地端口G1通过通孔V1和背金大地面4连接，接地端口G2通过通孔V2和背金大地面4连接，接地端口G3通过通孔V3和背金大地面4连接，接地端口G4通过通孔V4和背金大地面4连接。
如图4所示，本实用新型低通滤波器通带频率为DC～8.4GHz，通带内插入损耗小于1.5dB；3dB截止频率9.1GHz，阻带内11GHz～30GHz内抑制大于25dB。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种IPD高阻带抑制的低通滤波器，包括砷化镓基体层(1)和背金大地面(4)，其特征在于，还包括电极端口单元(2)和电路结构单元(3)，所述电路结构单元(3)形成有滤波器电路结构，所述电极端口单元(2)形成有输入端口、输出端口、接地端口和连接通孔。
2.根据权利要求1所述的IPD高阻带抑制的低通滤波器，其特征在于：所述的滤波器电路结构包括串联连接在输入端口和输出端口之间的第一电感、第二电感、第三电感和第四电感，第一电感和第二电感之间连接有接地的第一电容，第二电感和第三电感之间连接有接地的第二电容，第三电感和第四电感之间连接有接地的第三电容。
3.根据权利要求1所述的IPD高阻带抑制的低通滤波器，其特征在于：所述电极端口单元(2)是通过光刻、溅射、电镀、刻蚀工序制作在GaAs基体上表面的金属层。
4.根据权利要求1所述的IPD高阻带抑制的低通滤波器，其特征在于：所述电路结构单元(3)是通过光刻、溅射、电镀、刻蚀工序制作在GaAs基体上表面的金属层。
5.根据权利要求1所述的IPD高阻带抑制的低通滤波器，其特征在于：所述接地端口设有4个，两个与输入端口形成GSG共面端口，两个与输出端口形成GSG共面端口。
6.根据权利要求1所述的IPD高阻带抑制的低通滤波器，其特征在于：所述接地端口通过连接通孔与背金大地面(4)连接。
7.根据权利要求1所述的IPD高阻带抑制的低通滤波器，其特征在于：所述背金大地面(4)为电镀在GaAs基体下表面的金属层，其中背金大地面(4)可以为全地面、网格地或缺陷地。
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| CN202021039526.8U CN212137622U (zh) | 2020-06-09 | 2020-06-09 | 一种ipd高阻带抑制的低通滤波器 |
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| CN202021039526.8U CN212137622U (zh) | 2020-06-09 | 2020-06-09 | 一种ipd高阻带抑制的低通滤波器 |
Publications (1)
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| CN212137622U true CN212137622U (zh) | 2020-12-11 |
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| CN202021039526.8U Active CN212137622U (zh) | 2020-06-09 | 2020-06-09 | 一种ipd高阻带抑制的低通滤波器 |
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| CN (1) | CN212137622U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113315486A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-08-27 | 无锡豪帮高科股份有限公司 | 面向5g通信的高阻带抑制低通滤波器 |
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2020
- 2020-06-09 CN CN202021039526.8U patent/CN212137622U/zh active Active
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|---|---|---|---|---|
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