JP3889151B2 - トレンチキャパシタの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、トレンチキャパシタの製造方法又は半導体装置の製造方法に関するもので、特にＣＶＤ法を用いた多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＣＶＤ法を用いた多結晶シリコン電極膜の形成方法について図面（図１〜図２）を参酌して説明する。
まず、図１に示したようなトレンチ型のキャパシタを考える。Ｐ型半導体基板１の上面には、シリコン酸化膜１２、シリコン窒化膜１３、ＴＥＯＳ膜１４がそれぞれ形成されている。また、Ｐ型半導体基板１にトレンチ４が形成されている。このトレンチ４は、ＴＥＯＳ膜１４をマスクとしてＰ型半導体基板１をエッチングして形成されたものである。トレンチ４の表面にはキャパシタ絶縁膜３が形成されている。Ｐ型半導体基板１のトレンチ４に接する所定の位置にプレート電極となるＮ型拡散層２が形成されている。
【０００３】
次に、図２に示したように、ＣＶＤ法を用いて、全面にドープト多結晶シリコン膜５を形成する。このドープト多結晶シリコン膜５の成膜方法としては、ＣＶＤ反応槽内にＳｉＨ4（シラン）と、ドーパントガスとしてのＰＨ3（ホスフィン）又はＡｓＨ3（アルシン）を一定量ずつ同時に流し込み、これらを熱分解させることにより行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような、不純物としてＰ（リン）やＡｓ( 砒素) をドープするドープト多結晶シリコン膜５の成膜工程においては、成膜温度が低く、かつ、成膜速度が遅いほどＰ（リン）又はＡｓ( 砒素) がドープされ易い性質を有している。
【０００５】
しかしながら、枚葉方式のＣＶＤ法においては、１枚のウェハーにドープト多結晶シリコン膜を成膜するのに要する時間は３分程度であり、成膜時間を短縮するという製造上の理由から成膜速度を早くせざるを得ない。ここで、枚葉方式のＣＶＤ法とは、ウェーハー１枚ずつに成膜していく方式である。
【０００６】
すると、特に成膜初期において多結晶シリコン膜中にＰ( リン) 又はＡｓ（砒素）といった不純物がドープされにくくなる。このため、図３に示したように、キャパシタ絶縁膜３付近の不純物濃度が低下するという問題が生じていた。
【０００７】
例えば、図６の場合を考える。この実験では、図６に示したように、シリコン基板９上に膜厚５０ｎｍ程度に形成されたシリコン酸化膜１０の上面にドープト多結晶シリコン膜１１を膜厚１００ｎｍ程度に成膜する。このとき、成膜温度を７００℃、成膜圧力を５０Ｔｏｒｒ、成膜時ウェハー回転数を３０００ｒｐｍとして、ＳｉＨ4（シラン）を１．２（ｌ／ｍｉｎ）、ＡｓＨ3（アルシン）を０．０５（ｌ／ｍｉｎ）、Ｈ2を４．０（ｌ／ｍｉｎ）、Ｎ2を３５（ｌ／ｍｉｎ）としたガス条件で実験を行う。なお、１枚のウェハーを成膜するのに要した時間は２分３０秒であった。
【０００８】
この実験のデータを図４に示す。このデータは、ドープト多結晶シリコン膜１１の上面からシリコン酸化膜１０方向のＡｓの濃度分布をＳＩＭＳ分析法により評価したものである。そして、図４は、横軸にドープト多結晶シリコン膜１１の上面からの深さをとり、縦軸に不純物であるＡｓの濃度をとったものである。この図４によればシリコン酸化膜１０の上面からドープト多結晶シリコン膜１１方向に５０ｎｍ程度まではＡｓの濃度が低下していることが分かる。つまり、成膜初期に形成されたドープト多結晶シリコン膜におけるＡｓの濃度が低いことが分かる。
【０００９】
このため、図５に示したように、ストレージ電極となるドープト多結晶シリコン膜５に正の電圧が印加されると、キャパシタ絶縁膜３近傍のドープト多結晶シリコン膜５中にキャリア空乏層８が広がることとなる。これにより、キャパシタ容量が低下するという問題が生じていた。
【００１０】
また、不純物濃度の低下はドープト多結晶シリコン膜の抵抗を上昇させるため、ストレージ電極の配線抵抗の増加を招く問題も生じていた。
さらに、多結晶シリコン膜にドープされる不純物として、例えばＡｓ（砒素）を用いる場合、Ａｓが空気中に飛散し、人体への悪影響が大きな問題となっていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、本願発明は、Ｐ型半導体基板に所定の深さを有するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの側面の所定の位置から前記Ｐ型半導体基板にＮ型不純物を拡散させる工程と、少なくとも前記トレンチの表面に絶縁膜を被着させる工程と、ＣＶＤ反応槽内に所定量の成膜材料ガスと所定量のＮ型ドーパントガスとを流し込み、所定時間が経過した後前記Ｎ型ドーパントガスの流量を変えないで前記成膜材料ガスを増量することにより、前記Ｐ型半導体基板の全面にＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜を形成する工程とを具備し、前記所定時間内に形成したＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度と前記所定時間後に形成したＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度とがほぼ等しいことを特徴とする。
【００１２】
本願発明は、上記構成をとることにより、キャパシタ絶縁膜３付近で不純物濃度が低下するという問題は生じなくなる。そのため、キャパシタ容量の低下やストレージ電極の配線抵抗の増加をいった問題も起きない。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本願発明の第一の実施の形態について図面（図７〜図９）を参酌して説明する。
まず、図７に示したようなトレンチセルを考える。Ｐ型半導体基板２１の上面には、厚さ１０ｎｍ程度のシリコン酸化膜７４、厚さ２００ｎｍ程度のシリコン窒化膜７５、厚さ５００ｎｍ程度のＴＥＯＳ膜７６が形成されている。また、Ｐ型半導体基板２１にトレンチ２４が形成されている。このトレンチ２４は、所定の形状にパターニングされたＴＥＯＳ膜７６をマスクとしてＰ型半導体基板２１をエッチングして形成されたものである。トレンチ２４の表面にはキャパシタ絶縁膜２３が形成されている。そして、Ｐ型半導体基板２１のトレンチ２４に接する所定の位置にプレート電極となるＮ型拡散層２２が形成されている。ここで、キャパシタ絶縁膜２３は、窒化膜と酸化膜の二層絶縁膜を利用してもよい。
【００１４】
次に、図８に示したように、ＣＶＤ法を用いて、不純物をドープしたドープト多結晶シリコン膜２５を全面に形成する。
このドープト多結晶シリコン膜２５の成膜方法としては、ＣＶＤ反応槽内にＳｉＨ4（シラン）と、ドーパントガスとしてのＰＨ3（ホスフィン）又はＡｓＨ3（アルシン）を同時に流し込み、これらを熱分解させることにより行なう。
【００１５】
ここで、従来の技術においては、ＣＶＤ反応槽内にＳｉＨ4（シラン）と、例えばＡｓＨ3（アルシン）を一定量ずつ流し込んで熱分解させていた。
これに対して本願発明では、成膜温度を６００〜８００℃程度、成膜圧力を数十Ｔｏｒｒとして、ＡｓＨ3（アルシン）、Ｈ2、Ｎ2を一定流量ずつ流し込む点では従来の技術と同様である。しかし、ＳｉＨ4（シラン）は最初の所定時間だけは少ない流量ずつ流し込み、その所定時間を経過した後、流量を増やすことにより、Ａｓドープト多結晶シリコン膜を２段階に分けて成膜する。
【００１６】
上記方法についての実験データを図９に示す。この実験は、枚葉ＣＶＤ法によりＡｓドープト多結晶シリコン膜を成膜したものである。すなわち、図１０に示したように、第一段階として、成膜温度を７００℃程度、成膜圧力を５０Ｔｏｒｒ程度、成膜時ウェハー回転数を３０００ｒｐｍ程度の環境下で、ＳｉＨ4（シラン）を０．１（ｌ／ｍｉｎ）程度、ＡｓＨ3（アルシン）を０．０５（ｌ／ｍｉｎ）程度、Ｈ2を４．０（ｌ／ｍｉｎ）程度、Ｎ2を３５（ｌ／ｍｉｎ）程度としたガス条件として、シリコン基板２６上に形成された膜厚５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜２７の上面にドープト多結晶シリコン膜２８を膜厚５ｎｍ程度に成膜した。これに要した時間が１５秒間程度であった。次に、図１１に示したように、第二段階として、ＳｉＨ4（シラン）の流量を１．２（ｌ／ｍｉｎ）程度に増量し、その他の条件を変えずにドープト多結晶シリコン膜２８を膜厚１００ｎｍ程度に形成する。１枚のウェハーを成膜するのに要した時間は２分５０秒であった。そして、図９のデータは、ドープト多結晶シリコン膜２８の上面からシリコン酸化膜２７方向でのＡｓの濃度分布をＳＩＭＳ分析法により評価したものである。この図９によれば、ドープト多結晶シリコン膜２８からシリコン酸化膜２７方向でのＡｓの濃度低下は見られず、２×１０20（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）程度とほぼ一定である。この理由として以下のことが考えられる。即ち、一般に、不純物としてＡｓをドープするドープト多結晶シリコン膜を酸化膜上に成膜する場合には、成膜温度が低く、かつ、成膜速度が遅いほどＡｓがドープされ易い性質を有している。逆に、成膜温度を高く、かつ、成膜速度を早くした場合、Ａｓはドープされにくい性質がある。一方で、不純物としてＡｓをドープするドープト多結晶シリコン膜を多結晶シリコン膜上に成膜する場合には、成膜温度、成膜速度によらずにＡｓを容易にドープすることが可能である。そこで、第一段階（最初の１５秒間程度）として、ドープト多結晶シリコン膜を遅い成膜速度で形成する。次いで、第二段階として、成膜速度を上げて、そのドープト多結晶シリコン膜上にさらに重ねてドープト多結晶シリコン膜を成膜する。このように二段階に分けてドープト多結晶シリコン膜２８を形成することにより、ドープト多結晶シリコン膜２８からシリコン酸化膜２７方向でのＡｓの濃度低下が見られなくなるものと考えられるのである。
【００１７】
ここで、図９の実験データは、上記諸条件下における実験により得られたものである。これらの諸条件は、成膜時間を短縮するという製造上の理由から成膜速度を早くせざるを得ないため、設定されたものである。即ち、第一段階においてＳｉＨ4（シラン）を０．１（ｌ／ｍｉｎ）程度とし、第二段階でＳｉＨ4（シラン）を１．２（ｌ／ｍｉｎ）程度としたガス条件は、成膜時間の観点から設定されたものである。つまり、これらの諸条件は、生産性の観点から許される範囲で設定すれば本願発明の効果を得ることができる。従って、例えば第一段階において、ＳｉＨ4（シラン）を０．２（ｌ／ｍｉｎ）程度とし、第二段階でＳｉＨ4（シラン）を０．８（ｌ／ｍｉｎ）程度としたガス条件によって得られる成膜速度でも生産性が確保できるなら、その条件でも本願発明の効果を得ることは可能である。
【００１８】
このように、従来の技術によると、ドープト多結晶シリコン膜の表面からシリコン酸化膜方向に５０ｎｍ程度でＡｓの濃度が低下していたのに対し（図３参照）、本願発明によればＡｓの濃度低下は起きていない。
【００１９】
以上のように、本願発明の第一の実施の形態によれば、枚葉方式のＣＶＤ法においても、成膜の初期段階において形成されるキャパシタ絶縁膜２３近傍のドープト多結晶シリコン膜２５中の不純物濃度の低下は起きない。そのため、ストレージ電極であるドープト多結晶シリコン膜２５に正の電圧が印加されても、キャパシタ絶縁膜２３近傍のドープト多結晶シリコン膜２５中にキャリア空乏層が広がることはない。従って、キャパシタ容量が低下するということもない。また、キャパシタ絶縁膜２３近傍の不純物濃度の低下はないため、ドープト多結晶シリコン膜２５の抵抗が上昇することもなく、ストレージ電極の配線抵抗の増加を招くこともない。
【００２０】
なお、上記第一の実施の形態において、ＡｓＨ3（アルシン）の代わりにＰＨ3（ホスフィン）を使用した場合でも上記と同様の効果を得ることができる。
次に、本願発明の第二の実施の形態について図面（図７、図８、図１２）を参酌して説明する。
【００２１】
まず、本願発明の第一の実施の形態と同様にして、図７に示したようなトレンチセルを形成する。そして、図８に示したように、ＣＶＤ法を２段階に分けてドープト多結晶シリコン膜を形成する。
【００２２】
次に、図１２に示したように、ドープト多結晶シリコン膜２９を形成した後に（図８参照）、ＡｓＨ3（アルシン）をＣＶＤ反応槽に流し込むのを中止して、他のガスは同じ条件のままで数秒流し込む。このようにすると、Ａｓがドープされたドープト多結晶シリコン膜２９上に連続して、不純物がドープされていない多結晶シリコン膜３０を形成することができる。この不純物がドープされていない多結晶シリコン膜３０は、Ａｓがドープト多結晶シリコン膜２９から飛散するのを防止するＣａｐ膜として用いられる。
【００２３】
このＣａｐ膜を成膜した場合についての実験データを表１に示す。この実験データは、不純物としてＡｓを１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3だけドープしたドープト多結晶シリコン膜からのＡｓの脱ガス量と、Ａｓがドープされたドープト多結晶シリコン膜上に連続してＡｓがドープされていない多結晶シリコン膜をＣａｐ膜として５〜６秒程度、膜厚１０ｎｍ程度に形成した場合のＡｓの脱ガス量とを比較したものである。この脱ガス量は、２４枚のウェハー上にドープト多結晶シリコン膜を成膜後、３４時間密閉したウェハーケース内に放置した後に測定したものである。このデータによれば、Ｃａｐ膜を形成しておけば、Ａｓが空気中に飛散することを防げ、人体への悪影響を防ぐことができることが分かる。
【００２４】
【表１】
【００２５】
以上のように、本願発明の第二の実施の形態によれば、枚葉方式のＣＶＤ法においても、成膜の初期段階において形成されるキャパシタ絶縁膜２３近傍のドープト多結晶シリコン膜２９中の不純物濃度の低下は起きない。そのため、ストレージ電極であるドープト多結晶シリコン膜２９に電圧が印加されても、キャパシタ絶縁膜２３近傍のドープト多結晶シリコン膜２９中にキャリア空乏層が広がることはない。従って、キャパシタ容量が低下するということもない。また、キャパシタ絶縁膜２３近傍の不純物濃度の低下はないため、ドープト多結晶シリコン膜２９の抵抗が上昇することもなく、ストレージ電極の配線抵抗の増加を招くこともない。
【００２６】
さらに、不純物がドープされたドープト多結晶シリコン膜２９の上面に、Ｃａｐ膜として不純物をドープしない多結晶シリコン膜３０を連続して形成することにより、不純物が空気中へ飛散することを防止できる。これにより人体への悪影響を防ぐことが出来るようになる。
【００２７】
なお、上記第二の実施の形態において、ＡｓＨ3（アルシン）の代わりにＰＨ3（ホスフィン）を使用した場合でも上記と同様の効果を得ることができる。
次に、本願発明の第三の実施の形態として、本願発明のＤＲＡＭへの応用について図面（図１３〜図２１）を参酌して説明する。
【００２８】
まず、図１３に示したように、熱酸化法を用いてＰ型半導体基板５１の上面に厚さ８ｎｍ程度の酸化膜５２を形成し、その上にＣＶＤ法を用いて厚さ２２０ｎｍ程度の窒化膜５３を形成する。さらに、窒化膜５３の上面にＣＶＤ法を用いて厚さ７００ｎｍ程度のＴＥＯＳ膜５４を形成し、その上面に回転塗布法を用いて図示せぬレジストを形成する。そして、写真蝕刻法を用いてレジストを所定の形状にパターニングする。このレジストをマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法によりＴＥＯＳ膜５４、窒化膜５３及び酸化膜５２を除去し、Ｐ型半導体基板５１の上面の一部を露出させる。ついで、図示せぬレジストをアッシングにより除去する。そして、ＴＥＯＳ膜５４をマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてＰ型半導体基板５１を除去してトレンチ５５を形成する。
【００２９】
次に、図１４に示したように、不純物を含んだ膜、例えばＡｓＳＧ膜５６をＣＶＤ法を用いて全面に形成した後、回転塗布法を用いてトレンチ５５が完全に充填されるように全面にレジスト５７を形成する。そして、レジスト５７を露光現像することによりＡｓＳＧ膜５６の一部を露出させる。さらに、例えばフッ酸系のウェットエッチング法を用いて露出したＡｓＳＧ膜５６を除去する。ここで、不純物を含んだ膜は、ＡｓＳＧ膜５６でなくても、不純物が含まれており、かつ、Ｐ型半導体基板５１とエッチング選択比がとれる膜ならばなんでもよい。
【００３０】
次に、図１５に示したように、トレンチ５５内のレジスト５７をアッシングにより除去し、ＣＶＤ法を用いて、全面に例えばＴＥＯＳ膜５８を形成する。
次に、図１６に示したように、熱拡散法によりＡｓＳＧ膜５６に含まれるＡｓをトレンチ５５の側面に拡散させる。これにより、プレート電極となるＮ型拡散層５９が形成される。ここで、ＴＥＯＳ膜５８は、Ａｓを拡散させる際に、外方拡散により、トレンチ５５の側面のうちＡｓＳＧ膜５６が形成されていない部分からＰ型半導体基板５１にＡｓが入り込むのを防止するためのものである。さらに、例えばウェットエッチング法によりＡｓＳＧ膜５６及びＴＥＯＳ膜５８を除去する。
【００３１】
次に、図１７に示したように、ＣＶＤ法を用いて、例えばＮＯ膜からなる誘電体膜６０を厚さ８ｎｍ程度に形成する。次に、ＣＶＤ法を用いて導電膜、例えばドープト多結晶シリコン膜６１をトレンチ５５が完全に充填されるように形成することになる。そのためには、半導体基板全体をＣＶＤ反応槽内に入れ、成膜温度を６００〜８００℃程度、成膜圧力を数十Ｔｏｒｒとして、アルシンガス（ＡｓＨ3）、水素ガス（Ｈ2）、窒素ガス（Ｎ2）を一定流量ずつ流し込む一方で、シランガス（ＳｉＨ4）を最初の所定時間だけは少ない流量ずつ流し込み、その所定時間を経過した後、流量を増やして２段階で成膜を行なう。ここで、ドープト多結晶シリコン膜６１は、ストレージ電極の一部となるものである。このドープト多結晶シリコン膜６１は、上述の成膜方法を採用することにより、誘電体膜６０近傍においても、その不純物濃度が低下することはない。そのため、ストレージ電極の一部となるドープト多結晶シリコン膜６１の抵抗が高くなることもなく、配線抵抗の増加を招くこともない。また、ストレージ電極となるドープト多結晶シリコン膜６１に正の電圧が印加されても、誘電体膜６０近傍にキャリア空乏層が広がることもない。そのため、キャパシタ容量が低下することはなく、ＤＲＡＭの書き込み読み出し特性が劣化することも防げる。
【００３２】
次に、図１８に示したように、ＣＭＰ法等の平坦化プロセスとウェットエッチング法とを併用することにより、窒化膜５３の上面を平坦化する。そして、窒化膜５３をマスクとして異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてドープト多結晶シリコン膜６１を所定の高さまでエッチングする。その後、ウェットエッチング法を用いて、ドープト多結晶シリコン膜６１に接していない部分のトレンチ５５の側面に残った誘電体膜６０を除去する。
さらに、ＣＶＤ法を用いて、例えばＴＥＯＳ膜６２からなる絶縁膜を全面に形成する。このＴＥＯＳ膜６２は、寄生トランジスタの発生を防ぐためのものであるため、膜厚を十分にとる必要がある。
【００３３】
次に、図１９に示したように、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてＴＥＯＳ膜６２をトレンチ５５の側面にのみ残す。
次に、図２０に示したように、ＣＶＤ法を用いて導電膜、例えばドープト多結晶シリコン膜６３をトレンチ５５が完全に充填されるように形成することになる。そのためには、半導体基板全体をＣＶＤ反応槽内に入れ、成膜温度を６００〜８００℃程度、成膜圧力を数十Ｔｏｒｒとして、アルシンガス（ＡｓＨ3）、水素ガス（Ｈ2）、窒素ガス（Ｎ2）を一定流量ずつ流し込む一方で、シランガス（ＳｉＨ4）を最初の所定時間だけは少ない流量ずつ流し込み、その所定時間を経過した後、流量を増やして２段階で成膜を行なう。ここで、ドープト多結晶シリコン膜６３は、ドープト多結晶シリコン膜６１をつなぐ引き出し配線をなすこととなる。このドープト多結晶シリコン膜６３は、上述の成膜方法を採用することにより、ドープト多結晶シリコン膜６１やＴＥＯＳ膜６２の近傍においても、その不純物濃度が低下することはない。そのため、ドープト多結晶シリコン膜６３の抵抗が高くなることもなく、配線抵抗の増加を招くこともない。
【００３４】
次に、図２１に示したように、ＣＭＰ法等の平坦化プロセスにより、窒化膜５３の上面を平坦化する。そして、ダウンフローエッチング法により、ドープト多結晶シリコン膜６３をトレンチ５５内の所定の高さまで除去する。さらに、ウェットエッチング法により、ＴＥＯＳ膜６２をトレンチ５５内の所定の高さまで除去する。
【００３５】
次に、図２２に示したように、図示せぬドープト多結晶シリコン膜をトレンチ５５内に形成し、Ｐ型半導体基板５１の上面を所定の形状にエッチングする。そして、Ｐ型半導体基板５１の所定の部分に、素子分離用のＴＥＯＳ膜６４を形成する。そして、窒化膜５３及び酸化膜５２を剥離する。その後、熱酸化法を用いて、厚さ８ｎｍ程度の酸化膜７７を形成する。さらに、厚さ１００ｎｍ程度のポリシリコン膜６５、厚さ５５ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜６６、厚さ１５０ｎｍ程度の窒化シリコン膜６７をそれぞれ所定の形状に形成する。そして、Ｐ型半導体基板５１の上面のうち、ポリシリコン膜６５が形成されていない部分に不純物を注入して活性化することにより拡散層６８を形成する。次に、ＣＶＤ法を用いて全面にシリコン窒化膜７３を厚さ３０ｎｍ程度に形成する。その後、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いて、そのシリコン窒化膜７３をポリシリコン膜６５、タングステンシリサイド膜６６、窒化シリコン膜６７の側面にだけ残す。これにより、トランジスタゲート電極が形成される。
【００３６】
次に、図２３に示したように、窒化シリコン膜６７の上面から厚さ１００ｎｍ程度のＢＰＳＧ膜６９及びＢＰＳＧ膜６９の上面から厚さ３００ｎｍ程度のＴＥＯＳ膜７０を形成し、所定の形状にエッチングする。さらに、コンタクトとなるポリシリコン膜７１及び配線となるタングステン膜７２を所定の形状に形成する。このようにして、Ｐ型半導体基板５１の上部に情報転送用トランジスタを形成することにより、半導体装置ＤＲＡＭの基本素子部が形成される。
【００３７】
以上のように、本願発明の第三の実施の形態によれば、ＤＲＡＭを製造する場合において、ストレージ電極となるドープト多結晶シリコン膜６１及び引き出し配線となるドープト多結晶シリコン膜６３を枚葉方式のＣＶＤ法を用いて成膜しても、誘電体膜６０近傍のドープト多結晶シリコン膜６１及びドープト多結晶シリコン膜６１近傍のドープト多結晶シリコン膜６３中の不純物濃度の低下は起きない。そのため、ストレージ電極の配線抵抗が大きくなることもない。また、ストレージ電極であるドープト多結晶シリコン膜６１、６３に電圧が印加されても、誘電体膜６０近傍のドープト多結晶シリコン膜６１中にキャリア空乏層が広がることはない。従って、キャパシタ容量が低下することもなく、ＤＲＡＭの書き込み読み出し特性が劣化することを防げる。
なお、上記第三の実施の形態において、ＡｓＨ3（アルシン）の代わりにＰＨ3（ホスフィン）を使用した場合でも上記と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本願発明によれば、ストレージ電極であるドープト多結晶シリコン膜の不純物濃度がキャパシタ絶縁膜付近で低下するという問題は生じなくなる。そのため、キャパシタ容量の低下やストレージ電極の配線抵抗の増加をいった問題も起きない。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＣＶＤ法を用いたドープト多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する工程断面図。
【図２】従来のＣＶＤ法を用いたドープト多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する工程断面図。
【図３】従来のＣＶＤ法を用いてドープト多結晶シリコン電極膜を形成した場合の不純物濃度の分布を示した工程断面図。
【図４】従来のＣＶＤ法を用いてドープト多結晶シリコン電極膜を形成した場合の不純物の濃度分布を示すデータ図。
【図５】従来のＣＶＤ法を用いてドープト多結晶シリコン電極膜を形成した場合のキャリア空乏層の発生を示した工程断面図。
【図６】図４のデータを得るために行なった実験の工程断面図。
【図７】本願発明の第一の実施の形態に係るＣＶＤ法を用いたドープト多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する工程断面図。
【図８】本願発明の第一の実施の形態に係るＣＶＤ法を用いたドープト多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する工程断面図。
【図９】本願発明の第一の実施の形態に係るＣＶＤ法を用いてドープト多結晶シリコン電極膜を形成した場合の不純物の濃度分布を示すデータ図。
【図１０】図９のデータを得るために行なった実験の工程断面図。
【図１１】図９のデータを得るために行なった実験の工程断面図。
【図１２】本願発明の第二の実施の形態に係るＣＶＤ法を示す工程断面図。
【図１３】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１４】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１５】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１６】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１７】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１８】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１９】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図２０】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図２１】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図２２】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図２３】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【符号の説明】
１・・・・Ｐ型半導体基板
２・・・・Ｎ型拡散層
３・・・・キャパシタ絶縁膜
４・・・・トレンチ
５・・・・ドープト多結晶シリコン膜
６・・・・不純物濃度の低い部分
７・・・・不純物濃度の高い部分
８・・・・キャリア空乏層
９・・・・シリコン基板
１０・・・・シリコン酸化膜
１１・・・・ドープト多結晶シリコン膜
１２・・・・シリコン酸化膜
１３・・・・シリコン窒化膜
１４・・・・ＴＥＯＳ膜
２１・・・・Ｐ型半導体基板
２２・・・・Ｎ型拡散層
２３・・・・キャパシタ絶縁膜
２４・・・・トレンチ
２５・・・・ドープト多結晶シリコン膜
２６・・・・シリコン基板
２７・・・・シリコン酸化膜
２８・・・・ドープト多結晶シリコン膜
２９・・・・ドープト多結晶シリコン膜
３０・・・・多結晶シリコン膜
５１・・・・Ｐ型半導体基板
５２・・・・酸化膜
５３・・・・窒化膜
５４・・・・ＴＥＯＳ膜
５５・・・・トレンチ
５６・・・・ＡｓＳＧ膜
５７・・・・レジスト
５８・・・・ＴＥＯＳ膜
５９・・・・Ｎ型拡散層
６０・・・・誘電体膜
６１・・・・ドープト多結晶シリコン膜
６２・・・・ＴＥＯＳ膜
６３・・・・ドープト多結晶シリコン膜
６４・・・・ＴＥＯＳ膜
６５・・・・ポリシリコン膜
６６・・・・タングステンシリサイド膜
６７・・・・窒化シリコン膜
６８・・・・拡散層
６９・・・・ＢＰＳＧ膜
７０・・・・ＴＥＯＳ膜
７１・・・・ポリシリコン膜
７２・・・・タングステン膜
７３・・・・シリコン窒化膜
７４・・・・シリコン酸化膜
７５・・・・シリコン窒化膜
７６・・・・ＴＥＯＳ膜
【発明の属する技術分野】
本願発明は、トレンチキャパシタの製造方法又は半導体装置の製造方法に関するもので、特にＣＶＤ法を用いた多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＣＶＤ法を用いた多結晶シリコン電極膜の形成方法について図面（図１〜図２）を参酌して説明する。
まず、図１に示したようなトレンチ型のキャパシタを考える。Ｐ型半導体基板１の上面には、シリコン酸化膜１２、シリコン窒化膜１３、ＴＥＯＳ膜１４がそれぞれ形成されている。また、Ｐ型半導体基板１にトレンチ４が形成されている。このトレンチ４は、ＴＥＯＳ膜１４をマスクとしてＰ型半導体基板１をエッチングして形成されたものである。トレンチ４の表面にはキャパシタ絶縁膜３が形成されている。Ｐ型半導体基板１のトレンチ４に接する所定の位置にプレート電極となるＮ型拡散層２が形成されている。
【０００３】
次に、図２に示したように、ＣＶＤ法を用いて、全面にドープト多結晶シリコン膜５を形成する。このドープト多結晶シリコン膜５の成膜方法としては、ＣＶＤ反応槽内にＳｉＨ4（シラン）と、ドーパントガスとしてのＰＨ3（ホスフィン）又はＡｓＨ3（アルシン）を一定量ずつ同時に流し込み、これらを熱分解させることにより行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような、不純物としてＰ（リン）やＡｓ( 砒素) をドープするドープト多結晶シリコン膜５の成膜工程においては、成膜温度が低く、かつ、成膜速度が遅いほどＰ（リン）又はＡｓ( 砒素) がドープされ易い性質を有している。
【０００５】
しかしながら、枚葉方式のＣＶＤ法においては、１枚のウェハーにドープト多結晶シリコン膜を成膜するのに要する時間は３分程度であり、成膜時間を短縮するという製造上の理由から成膜速度を早くせざるを得ない。ここで、枚葉方式のＣＶＤ法とは、ウェーハー１枚ずつに成膜していく方式である。
【０００６】
すると、特に成膜初期において多結晶シリコン膜中にＰ( リン) 又はＡｓ（砒素）といった不純物がドープされにくくなる。このため、図３に示したように、キャパシタ絶縁膜３付近の不純物濃度が低下するという問題が生じていた。
【０００７】
例えば、図６の場合を考える。この実験では、図６に示したように、シリコン基板９上に膜厚５０ｎｍ程度に形成されたシリコン酸化膜１０の上面にドープト多結晶シリコン膜１１を膜厚１００ｎｍ程度に成膜する。このとき、成膜温度を７００℃、成膜圧力を５０Ｔｏｒｒ、成膜時ウェハー回転数を３０００ｒｐｍとして、ＳｉＨ4（シラン）を１．２（ｌ／ｍｉｎ）、ＡｓＨ3（アルシン）を０．０５（ｌ／ｍｉｎ）、Ｈ2を４．０（ｌ／ｍｉｎ）、Ｎ2を３５（ｌ／ｍｉｎ）としたガス条件で実験を行う。なお、１枚のウェハーを成膜するのに要した時間は２分３０秒であった。
【０００８】
この実験のデータを図４に示す。このデータは、ドープト多結晶シリコン膜１１の上面からシリコン酸化膜１０方向のＡｓの濃度分布をＳＩＭＳ分析法により評価したものである。そして、図４は、横軸にドープト多結晶シリコン膜１１の上面からの深さをとり、縦軸に不純物であるＡｓの濃度をとったものである。この図４によればシリコン酸化膜１０の上面からドープト多結晶シリコン膜１１方向に５０ｎｍ程度まではＡｓの濃度が低下していることが分かる。つまり、成膜初期に形成されたドープト多結晶シリコン膜におけるＡｓの濃度が低いことが分かる。
【０００９】
このため、図５に示したように、ストレージ電極となるドープト多結晶シリコン膜５に正の電圧が印加されると、キャパシタ絶縁膜３近傍のドープト多結晶シリコン膜５中にキャリア空乏層８が広がることとなる。これにより、キャパシタ容量が低下するという問題が生じていた。
【００１０】
また、不純物濃度の低下はドープト多結晶シリコン膜の抵抗を上昇させるため、ストレージ電極の配線抵抗の増加を招く問題も生じていた。
さらに、多結晶シリコン膜にドープされる不純物として、例えばＡｓ（砒素）を用いる場合、Ａｓが空気中に飛散し、人体への悪影響が大きな問題となっていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、本願発明は、Ｐ型半導体基板に所定の深さを有するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの側面の所定の位置から前記Ｐ型半導体基板にＮ型不純物を拡散させる工程と、少なくとも前記トレンチの表面に絶縁膜を被着させる工程と、ＣＶＤ反応槽内に所定量の成膜材料ガスと所定量のＮ型ドーパントガスとを流し込み、所定時間が経過した後前記Ｎ型ドーパントガスの流量を変えないで前記成膜材料ガスを増量することにより、前記Ｐ型半導体基板の全面にＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜を形成する工程とを具備し、前記所定時間内に形成したＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度と前記所定時間後に形成したＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度とがほぼ等しいことを特徴とする。
【００１２】
本願発明は、上記構成をとることにより、キャパシタ絶縁膜３付近で不純物濃度が低下するという問題は生じなくなる。そのため、キャパシタ容量の低下やストレージ電極の配線抵抗の増加をいった問題も起きない。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本願発明の第一の実施の形態について図面（図７〜図９）を参酌して説明する。
まず、図７に示したようなトレンチセルを考える。Ｐ型半導体基板２１の上面には、厚さ１０ｎｍ程度のシリコン酸化膜７４、厚さ２００ｎｍ程度のシリコン窒化膜７５、厚さ５００ｎｍ程度のＴＥＯＳ膜７６が形成されている。また、Ｐ型半導体基板２１にトレンチ２４が形成されている。このトレンチ２４は、所定の形状にパターニングされたＴＥＯＳ膜７６をマスクとしてＰ型半導体基板２１をエッチングして形成されたものである。トレンチ２４の表面にはキャパシタ絶縁膜２３が形成されている。そして、Ｐ型半導体基板２１のトレンチ２４に接する所定の位置にプレート電極となるＮ型拡散層２２が形成されている。ここで、キャパシタ絶縁膜２３は、窒化膜と酸化膜の二層絶縁膜を利用してもよい。
【００１４】
次に、図８に示したように、ＣＶＤ法を用いて、不純物をドープしたドープト多結晶シリコン膜２５を全面に形成する。
このドープト多結晶シリコン膜２５の成膜方法としては、ＣＶＤ反応槽内にＳｉＨ4（シラン）と、ドーパントガスとしてのＰＨ3（ホスフィン）又はＡｓＨ3（アルシン）を同時に流し込み、これらを熱分解させることにより行なう。
【００１５】
ここで、従来の技術においては、ＣＶＤ反応槽内にＳｉＨ4（シラン）と、例えばＡｓＨ3（アルシン）を一定量ずつ流し込んで熱分解させていた。
これに対して本願発明では、成膜温度を６００〜８００℃程度、成膜圧力を数十Ｔｏｒｒとして、ＡｓＨ3（アルシン）、Ｈ2、Ｎ2を一定流量ずつ流し込む点では従来の技術と同様である。しかし、ＳｉＨ4（シラン）は最初の所定時間だけは少ない流量ずつ流し込み、その所定時間を経過した後、流量を増やすことにより、Ａｓドープト多結晶シリコン膜を２段階に分けて成膜する。
【００１６】
上記方法についての実験データを図９に示す。この実験は、枚葉ＣＶＤ法によりＡｓドープト多結晶シリコン膜を成膜したものである。すなわち、図１０に示したように、第一段階として、成膜温度を７００℃程度、成膜圧力を５０Ｔｏｒｒ程度、成膜時ウェハー回転数を３０００ｒｐｍ程度の環境下で、ＳｉＨ4（シラン）を０．１（ｌ／ｍｉｎ）程度、ＡｓＨ3（アルシン）を０．０５（ｌ／ｍｉｎ）程度、Ｈ2を４．０（ｌ／ｍｉｎ）程度、Ｎ2を３５（ｌ／ｍｉｎ）程度としたガス条件として、シリコン基板２６上に形成された膜厚５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜２７の上面にドープト多結晶シリコン膜２８を膜厚５ｎｍ程度に成膜した。これに要した時間が１５秒間程度であった。次に、図１１に示したように、第二段階として、ＳｉＨ4（シラン）の流量を１．２（ｌ／ｍｉｎ）程度に増量し、その他の条件を変えずにドープト多結晶シリコン膜２８を膜厚１００ｎｍ程度に形成する。１枚のウェハーを成膜するのに要した時間は２分５０秒であった。そして、図９のデータは、ドープト多結晶シリコン膜２８の上面からシリコン酸化膜２７方向でのＡｓの濃度分布をＳＩＭＳ分析法により評価したものである。この図９によれば、ドープト多結晶シリコン膜２８からシリコン酸化膜２７方向でのＡｓの濃度低下は見られず、２×１０20（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）程度とほぼ一定である。この理由として以下のことが考えられる。即ち、一般に、不純物としてＡｓをドープするドープト多結晶シリコン膜を酸化膜上に成膜する場合には、成膜温度が低く、かつ、成膜速度が遅いほどＡｓがドープされ易い性質を有している。逆に、成膜温度を高く、かつ、成膜速度を早くした場合、Ａｓはドープされにくい性質がある。一方で、不純物としてＡｓをドープするドープト多結晶シリコン膜を多結晶シリコン膜上に成膜する場合には、成膜温度、成膜速度によらずにＡｓを容易にドープすることが可能である。そこで、第一段階（最初の１５秒間程度）として、ドープト多結晶シリコン膜を遅い成膜速度で形成する。次いで、第二段階として、成膜速度を上げて、そのドープト多結晶シリコン膜上にさらに重ねてドープト多結晶シリコン膜を成膜する。このように二段階に分けてドープト多結晶シリコン膜２８を形成することにより、ドープト多結晶シリコン膜２８からシリコン酸化膜２７方向でのＡｓの濃度低下が見られなくなるものと考えられるのである。
【００１７】
ここで、図９の実験データは、上記諸条件下における実験により得られたものである。これらの諸条件は、成膜時間を短縮するという製造上の理由から成膜速度を早くせざるを得ないため、設定されたものである。即ち、第一段階においてＳｉＨ4（シラン）を０．１（ｌ／ｍｉｎ）程度とし、第二段階でＳｉＨ4（シラン）を１．２（ｌ／ｍｉｎ）程度としたガス条件は、成膜時間の観点から設定されたものである。つまり、これらの諸条件は、生産性の観点から許される範囲で設定すれば本願発明の効果を得ることができる。従って、例えば第一段階において、ＳｉＨ4（シラン）を０．２（ｌ／ｍｉｎ）程度とし、第二段階でＳｉＨ4（シラン）を０．８（ｌ／ｍｉｎ）程度としたガス条件によって得られる成膜速度でも生産性が確保できるなら、その条件でも本願発明の効果を得ることは可能である。
【００１８】
このように、従来の技術によると、ドープト多結晶シリコン膜の表面からシリコン酸化膜方向に５０ｎｍ程度でＡｓの濃度が低下していたのに対し（図３参照）、本願発明によればＡｓの濃度低下は起きていない。
【００１９】
以上のように、本願発明の第一の実施の形態によれば、枚葉方式のＣＶＤ法においても、成膜の初期段階において形成されるキャパシタ絶縁膜２３近傍のドープト多結晶シリコン膜２５中の不純物濃度の低下は起きない。そのため、ストレージ電極であるドープト多結晶シリコン膜２５に正の電圧が印加されても、キャパシタ絶縁膜２３近傍のドープト多結晶シリコン膜２５中にキャリア空乏層が広がることはない。従って、キャパシタ容量が低下するということもない。また、キャパシタ絶縁膜２３近傍の不純物濃度の低下はないため、ドープト多結晶シリコン膜２５の抵抗が上昇することもなく、ストレージ電極の配線抵抗の増加を招くこともない。
【００２０】
なお、上記第一の実施の形態において、ＡｓＨ3（アルシン）の代わりにＰＨ3（ホスフィン）を使用した場合でも上記と同様の効果を得ることができる。
次に、本願発明の第二の実施の形態について図面（図７、図８、図１２）を参酌して説明する。
【００２１】
まず、本願発明の第一の実施の形態と同様にして、図７に示したようなトレンチセルを形成する。そして、図８に示したように、ＣＶＤ法を２段階に分けてドープト多結晶シリコン膜を形成する。
【００２２】
次に、図１２に示したように、ドープト多結晶シリコン膜２９を形成した後に（図８参照）、ＡｓＨ3（アルシン）をＣＶＤ反応槽に流し込むのを中止して、他のガスは同じ条件のままで数秒流し込む。このようにすると、Ａｓがドープされたドープト多結晶シリコン膜２９上に連続して、不純物がドープされていない多結晶シリコン膜３０を形成することができる。この不純物がドープされていない多結晶シリコン膜３０は、Ａｓがドープト多結晶シリコン膜２９から飛散するのを防止するＣａｐ膜として用いられる。
【００２３】
このＣａｐ膜を成膜した場合についての実験データを表１に示す。この実験データは、不純物としてＡｓを１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3だけドープしたドープト多結晶シリコン膜からのＡｓの脱ガス量と、Ａｓがドープされたドープト多結晶シリコン膜上に連続してＡｓがドープされていない多結晶シリコン膜をＣａｐ膜として５〜６秒程度、膜厚１０ｎｍ程度に形成した場合のＡｓの脱ガス量とを比較したものである。この脱ガス量は、２４枚のウェハー上にドープト多結晶シリコン膜を成膜後、３４時間密閉したウェハーケース内に放置した後に測定したものである。このデータによれば、Ｃａｐ膜を形成しておけば、Ａｓが空気中に飛散することを防げ、人体への悪影響を防ぐことができることが分かる。
【００２４】
【表１】
以上のように、本願発明の第二の実施の形態によれば、枚葉方式のＣＶＤ法においても、成膜の初期段階において形成されるキャパシタ絶縁膜２３近傍のドープト多結晶シリコン膜２９中の不純物濃度の低下は起きない。そのため、ストレージ電極であるドープト多結晶シリコン膜２９に電圧が印加されても、キャパシタ絶縁膜２３近傍のドープト多結晶シリコン膜２９中にキャリア空乏層が広がることはない。従って、キャパシタ容量が低下するということもない。また、キャパシタ絶縁膜２３近傍の不純物濃度の低下はないため、ドープト多結晶シリコン膜２９の抵抗が上昇することもなく、ストレージ電極の配線抵抗の増加を招くこともない。
【００２６】
さらに、不純物がドープされたドープト多結晶シリコン膜２９の上面に、Ｃａｐ膜として不純物をドープしない多結晶シリコン膜３０を連続して形成することにより、不純物が空気中へ飛散することを防止できる。これにより人体への悪影響を防ぐことが出来るようになる。
【００２７】
なお、上記第二の実施の形態において、ＡｓＨ3（アルシン）の代わりにＰＨ3（ホスフィン）を使用した場合でも上記と同様の効果を得ることができる。
次に、本願発明の第三の実施の形態として、本願発明のＤＲＡＭへの応用について図面（図１３〜図２１）を参酌して説明する。
【００２８】
まず、図１３に示したように、熱酸化法を用いてＰ型半導体基板５１の上面に厚さ８ｎｍ程度の酸化膜５２を形成し、その上にＣＶＤ法を用いて厚さ２２０ｎｍ程度の窒化膜５３を形成する。さらに、窒化膜５３の上面にＣＶＤ法を用いて厚さ７００ｎｍ程度のＴＥＯＳ膜５４を形成し、その上面に回転塗布法を用いて図示せぬレジストを形成する。そして、写真蝕刻法を用いてレジストを所定の形状にパターニングする。このレジストをマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法によりＴＥＯＳ膜５４、窒化膜５３及び酸化膜５２を除去し、Ｐ型半導体基板５１の上面の一部を露出させる。ついで、図示せぬレジストをアッシングにより除去する。そして、ＴＥＯＳ膜５４をマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてＰ型半導体基板５１を除去してトレンチ５５を形成する。
【００２９】
次に、図１４に示したように、不純物を含んだ膜、例えばＡｓＳＧ膜５６をＣＶＤ法を用いて全面に形成した後、回転塗布法を用いてトレンチ５５が完全に充填されるように全面にレジスト５７を形成する。そして、レジスト５７を露光現像することによりＡｓＳＧ膜５６の一部を露出させる。さらに、例えばフッ酸系のウェットエッチング法を用いて露出したＡｓＳＧ膜５６を除去する。ここで、不純物を含んだ膜は、ＡｓＳＧ膜５６でなくても、不純物が含まれており、かつ、Ｐ型半導体基板５１とエッチング選択比がとれる膜ならばなんでもよい。
【００３０】
次に、図１５に示したように、トレンチ５５内のレジスト５７をアッシングにより除去し、ＣＶＤ法を用いて、全面に例えばＴＥＯＳ膜５８を形成する。
次に、図１６に示したように、熱拡散法によりＡｓＳＧ膜５６に含まれるＡｓをトレンチ５５の側面に拡散させる。これにより、プレート電極となるＮ型拡散層５９が形成される。ここで、ＴＥＯＳ膜５８は、Ａｓを拡散させる際に、外方拡散により、トレンチ５５の側面のうちＡｓＳＧ膜５６が形成されていない部分からＰ型半導体基板５１にＡｓが入り込むのを防止するためのものである。さらに、例えばウェットエッチング法によりＡｓＳＧ膜５６及びＴＥＯＳ膜５８を除去する。
【００３１】
次に、図１７に示したように、ＣＶＤ法を用いて、例えばＮＯ膜からなる誘電体膜６０を厚さ８ｎｍ程度に形成する。次に、ＣＶＤ法を用いて導電膜、例えばドープト多結晶シリコン膜６１をトレンチ５５が完全に充填されるように形成することになる。そのためには、半導体基板全体をＣＶＤ反応槽内に入れ、成膜温度を６００〜８００℃程度、成膜圧力を数十Ｔｏｒｒとして、アルシンガス（ＡｓＨ3）、水素ガス（Ｈ2）、窒素ガス（Ｎ2）を一定流量ずつ流し込む一方で、シランガス（ＳｉＨ4）を最初の所定時間だけは少ない流量ずつ流し込み、その所定時間を経過した後、流量を増やして２段階で成膜を行なう。ここで、ドープト多結晶シリコン膜６１は、ストレージ電極の一部となるものである。このドープト多結晶シリコン膜６１は、上述の成膜方法を採用することにより、誘電体膜６０近傍においても、その不純物濃度が低下することはない。そのため、ストレージ電極の一部となるドープト多結晶シリコン膜６１の抵抗が高くなることもなく、配線抵抗の増加を招くこともない。また、ストレージ電極となるドープト多結晶シリコン膜６１に正の電圧が印加されても、誘電体膜６０近傍にキャリア空乏層が広がることもない。そのため、キャパシタ容量が低下することはなく、ＤＲＡＭの書き込み読み出し特性が劣化することも防げる。
【００３２】
次に、図１８に示したように、ＣＭＰ法等の平坦化プロセスとウェットエッチング法とを併用することにより、窒化膜５３の上面を平坦化する。そして、窒化膜５３をマスクとして異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてドープト多結晶シリコン膜６１を所定の高さまでエッチングする。その後、ウェットエッチング法を用いて、ドープト多結晶シリコン膜６１に接していない部分のトレンチ５５の側面に残った誘電体膜６０を除去する。
さらに、ＣＶＤ法を用いて、例えばＴＥＯＳ膜６２からなる絶縁膜を全面に形成する。このＴＥＯＳ膜６２は、寄生トランジスタの発生を防ぐためのものであるため、膜厚を十分にとる必要がある。
【００３３】
次に、図１９に示したように、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてＴＥＯＳ膜６２をトレンチ５５の側面にのみ残す。
次に、図２０に示したように、ＣＶＤ法を用いて導電膜、例えばドープト多結晶シリコン膜６３をトレンチ５５が完全に充填されるように形成することになる。そのためには、半導体基板全体をＣＶＤ反応槽内に入れ、成膜温度を６００〜８００℃程度、成膜圧力を数十Ｔｏｒｒとして、アルシンガス（ＡｓＨ3）、水素ガス（Ｈ2）、窒素ガス（Ｎ2）を一定流量ずつ流し込む一方で、シランガス（ＳｉＨ4）を最初の所定時間だけは少ない流量ずつ流し込み、その所定時間を経過した後、流量を増やして２段階で成膜を行なう。ここで、ドープト多結晶シリコン膜６３は、ドープト多結晶シリコン膜６１をつなぐ引き出し配線をなすこととなる。このドープト多結晶シリコン膜６３は、上述の成膜方法を採用することにより、ドープト多結晶シリコン膜６１やＴＥＯＳ膜６２の近傍においても、その不純物濃度が低下することはない。そのため、ドープト多結晶シリコン膜６３の抵抗が高くなることもなく、配線抵抗の増加を招くこともない。
【００３４】
次に、図２１に示したように、ＣＭＰ法等の平坦化プロセスにより、窒化膜５３の上面を平坦化する。そして、ダウンフローエッチング法により、ドープト多結晶シリコン膜６３をトレンチ５５内の所定の高さまで除去する。さらに、ウェットエッチング法により、ＴＥＯＳ膜６２をトレンチ５５内の所定の高さまで除去する。
【００３５】
次に、図２２に示したように、図示せぬドープト多結晶シリコン膜をトレンチ５５内に形成し、Ｐ型半導体基板５１の上面を所定の形状にエッチングする。そして、Ｐ型半導体基板５１の所定の部分に、素子分離用のＴＥＯＳ膜６４を形成する。そして、窒化膜５３及び酸化膜５２を剥離する。その後、熱酸化法を用いて、厚さ８ｎｍ程度の酸化膜７７を形成する。さらに、厚さ１００ｎｍ程度のポリシリコン膜６５、厚さ５５ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜６６、厚さ１５０ｎｍ程度の窒化シリコン膜６７をそれぞれ所定の形状に形成する。そして、Ｐ型半導体基板５１の上面のうち、ポリシリコン膜６５が形成されていない部分に不純物を注入して活性化することにより拡散層６８を形成する。次に、ＣＶＤ法を用いて全面にシリコン窒化膜７３を厚さ３０ｎｍ程度に形成する。その後、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いて、そのシリコン窒化膜７３をポリシリコン膜６５、タングステンシリサイド膜６６、窒化シリコン膜６７の側面にだけ残す。これにより、トランジスタゲート電極が形成される。
【００３６】
次に、図２３に示したように、窒化シリコン膜６７の上面から厚さ１００ｎｍ程度のＢＰＳＧ膜６９及びＢＰＳＧ膜６９の上面から厚さ３００ｎｍ程度のＴＥＯＳ膜７０を形成し、所定の形状にエッチングする。さらに、コンタクトとなるポリシリコン膜７１及び配線となるタングステン膜７２を所定の形状に形成する。このようにして、Ｐ型半導体基板５１の上部に情報転送用トランジスタを形成することにより、半導体装置ＤＲＡＭの基本素子部が形成される。
【００３７】
以上のように、本願発明の第三の実施の形態によれば、ＤＲＡＭを製造する場合において、ストレージ電極となるドープト多結晶シリコン膜６１及び引き出し配線となるドープト多結晶シリコン膜６３を枚葉方式のＣＶＤ法を用いて成膜しても、誘電体膜６０近傍のドープト多結晶シリコン膜６１及びドープト多結晶シリコン膜６１近傍のドープト多結晶シリコン膜６３中の不純物濃度の低下は起きない。そのため、ストレージ電極の配線抵抗が大きくなることもない。また、ストレージ電極であるドープト多結晶シリコン膜６１、６３に電圧が印加されても、誘電体膜６０近傍のドープト多結晶シリコン膜６１中にキャリア空乏層が広がることはない。従って、キャパシタ容量が低下することもなく、ＤＲＡＭの書き込み読み出し特性が劣化することを防げる。
なお、上記第三の実施の形態において、ＡｓＨ3（アルシン）の代わりにＰＨ3（ホスフィン）を使用した場合でも上記と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本願発明によれば、ストレージ電極であるドープト多結晶シリコン膜の不純物濃度がキャパシタ絶縁膜付近で低下するという問題は生じなくなる。そのため、キャパシタ容量の低下やストレージ電極の配線抵抗の増加をいった問題も起きない。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＣＶＤ法を用いたドープト多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する工程断面図。
【図２】従来のＣＶＤ法を用いたドープト多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する工程断面図。
【図３】従来のＣＶＤ法を用いてドープト多結晶シリコン電極膜を形成した場合の不純物濃度の分布を示した工程断面図。
【図４】従来のＣＶＤ法を用いてドープト多結晶シリコン電極膜を形成した場合の不純物の濃度分布を示すデータ図。
【図５】従来のＣＶＤ法を用いてドープト多結晶シリコン電極膜を形成した場合のキャリア空乏層の発生を示した工程断面図。
【図６】図４のデータを得るために行なった実験の工程断面図。
【図７】本願発明の第一の実施の形態に係るＣＶＤ法を用いたドープト多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する工程断面図。
【図８】本願発明の第一の実施の形態に係るＣＶＤ法を用いたドープト多結晶シリコン電極膜の形成方法に関する工程断面図。
【図９】本願発明の第一の実施の形態に係るＣＶＤ法を用いてドープト多結晶シリコン電極膜を形成した場合の不純物の濃度分布を示すデータ図。
【図１０】図９のデータを得るために行なった実験の工程断面図。
【図１１】図９のデータを得るために行なった実験の工程断面図。
【図１２】本願発明の第二の実施の形態に係るＣＶＤ法を示す工程断面図。
【図１３】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１４】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１５】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１６】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１７】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１８】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図１９】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図２０】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図２１】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図２２】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【図２３】本願発明に係るＣＶＤ法をＤＲＡＭ製造工程に応用した場合の工程断面図。
【符号の説明】
１・・・・Ｐ型半導体基板
２・・・・Ｎ型拡散層
３・・・・キャパシタ絶縁膜
４・・・・トレンチ
５・・・・ドープト多結晶シリコン膜
６・・・・不純物濃度の低い部分
７・・・・不純物濃度の高い部分
８・・・・キャリア空乏層
９・・・・シリコン基板
１０・・・・シリコン酸化膜
１１・・・・ドープト多結晶シリコン膜
１２・・・・シリコン酸化膜
１３・・・・シリコン窒化膜
１４・・・・ＴＥＯＳ膜
２１・・・・Ｐ型半導体基板
２２・・・・Ｎ型拡散層
２３・・・・キャパシタ絶縁膜
２４・・・・トレンチ
２５・・・・ドープト多結晶シリコン膜
２６・・・・シリコン基板
２７・・・・シリコン酸化膜
２８・・・・ドープト多結晶シリコン膜
２９・・・・ドープト多結晶シリコン膜
３０・・・・多結晶シリコン膜
５１・・・・Ｐ型半導体基板
５２・・・・酸化膜
５３・・・・窒化膜
５４・・・・ＴＥＯＳ膜
５５・・・・トレンチ
５６・・・・ＡｓＳＧ膜
５７・・・・レジスト
５８・・・・ＴＥＯＳ膜
５９・・・・Ｎ型拡散層
６０・・・・誘電体膜
６１・・・・ドープト多結晶シリコン膜
６２・・・・ＴＥＯＳ膜
６３・・・・ドープト多結晶シリコン膜
６４・・・・ＴＥＯＳ膜
６５・・・・ポリシリコン膜
６６・・・・タングステンシリサイド膜
６７・・・・窒化シリコン膜
６８・・・・拡散層
６９・・・・ＢＰＳＧ膜
７０・・・・ＴＥＯＳ膜
７１・・・・ポリシリコン膜
７２・・・・タングステン膜
７３・・・・シリコン窒化膜
７４・・・・シリコン酸化膜
７５・・・・シリコン窒化膜
７６・・・・ＴＥＯＳ膜
Claims (3)
- Ｐ型半導体基板に所定の深さを有するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの側面の所定の位置から前記Ｐ型半導体基板にＮ型不純物を拡散させる工程と、少なくとも前記トレンチの表面に絶縁膜を被着させる工程と、ＣＶＤ反応槽内に所定量の成膜材料ガスと所定量のＮ型ドーパントガスとを流し込み、所定時間が経過した後前記Ｎ型ドーパントガスの流量を変えないで前記成膜材料ガスを増量することにより、前記Ｐ型半導体基板の全面にＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜を形成する工程とを具備し、前記所定時間内に形成したＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度と前記所定時間後に形成したＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度とがほぼ等しいことを特徴とするトレンチキャパシタの製造方法。
- Ｐ型半導体基板に所定の深さを有するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの側面の所定の位置から前記Ｐ型半導体基板にＮ型不純物を拡散させる工程と、少なくとも前記トレンチの表面に第一の絶縁膜を被着させる工程と、ＣＶＤ反応槽内に所定量の成膜材料ガスと所定量のＮ型ドーパントガスとを流し込み、所定時間が経過した後前記Ｎ型ドーパントガスの流量を変えないで前記成膜材料ガスを増量することにより、前記Ｐ型半導体基板の全面にＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記Ｎ型ドーパントガスのみＣＶＤ反応槽内に流し込むのを止めて、前記Ｎ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜の上面にＮ型ドーパントを含まない多結晶シリコン膜を形成する工程とを具備し、前記所定時間内に形成したＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度と前記所定時間後に形成したＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度とがほぼ等しいことを特徴とするトレンチキャパシタの製造方法。
- Ｐ型半導体基板に所定の深さを有するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの側面の所定の位置から前記Ｐ型半導体基板にＮ型不純物を拡散させる工程と、少なくとも前記トレンチの側面に第一の絶縁膜を被着させる工程と、ＣＶＤ反応槽内に、第一の所定時間だけ成膜材料ガスとＮ型ドーパントガスとを流し込み、前記第一の所定時間を経過した後は前記Ｎ型ドーパントガスの流量を変えないで前記成膜材料ガスを増量することにより、前記Ｐ型半導体基板の全面に第一のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記第一の絶縁膜及び前記第一のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜をトレンチ内の所定の深さまで除去する工程と、少なくとも前記トレンチの側面のうち前記第一の絶縁膜が形成されていない部分に第二の絶縁膜を被着させる工程と、ＣＶＤ反応槽内に、第二の所定時間だけ成膜材料ガスとＮ型ドーパントガスとを流し込み、前記第二の所定時間を経過した後は前記Ｎ型ドーパントガスの流量を変えないで前記成膜材料ガスを増量することにより、前記Ｐ型半導体基板の全面に第二のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記第二の絶縁膜及び前記第二のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜を、前記トレンチ内の所定の深さまで除去する工程と、所定のＮ型拡散層と前記第二のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜とを電気的に接続させる工程と、前記Ｐ型半導体基板上に情報転送用トランジスタを形成する工程とを具備し、前記第一の所定時間内に形成した第一のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度と前記第一の所定時間後に形成した第一のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度とがほぼ等しく、前記第二の所定時間内に形成した第二のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度と前記第二の所定時間後に形成した第二のＮ型ドーパントを含む多結晶シリコン膜内のＮ型不純物濃度とがほぼ等しいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP11446198A JP3889151B2 (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | トレンチキャパシタの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11446198A JP3889151B2 (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | トレンチキャパシタの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307737A JPH11307737A (ja) | 1999-11-05 |
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| JP11446198A Expired - Fee Related JP3889151B2 (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | トレンチキャパシタの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
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1998
- 1998-04-24 JP JP11446198A patent/JP3889151B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH11307737A (ja) | 1999-11-05 |
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