JP3887851B2 - シリカ被膜形成用組成物及びシリカ被膜の形成方法 - Google Patents

シリカ被膜形成用組成物及びシリカ被膜の形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3887851B2
JP3887851B2 JP26443996A JP26443996A JP3887851B2 JP 3887851 B2 JP3887851 B2 JP 3887851B2 JP 26443996 A JP26443996 A JP 26443996A JP 26443996 A JP26443996 A JP 26443996A JP 3887851 B2 JP3887851 B2 JP 3887851B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
silica film
forming
film
silica
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP26443996A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10114542A (ja
Inventor
幸太郎 矢野
康夫 斉藤
計二 川崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP26443996A priority Critical patent/JP3887851B2/ja
Priority to EP97117185A priority patent/EP0834488A1/en
Priority to US08/944,197 priority patent/US6099911A/en
Priority to AU39919/97A priority patent/AU719340B2/en
Publication of JPH10114542A publication Critical patent/JPH10114542A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3887851B2 publication Critical patent/JP3887851B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5025Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
    • C04B41/5035Silica

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液相での堆積法によりシリカ被膜を形成する際に用いる、シリカ被膜堆積用組成物、及び該組成物によるシリカ被膜の形成法に関する。
さらに詳しくは、取扱いが簡単で、基材を選ぶことなく、簡便な方法で均一なシリカ被膜を形成する事が可能なシリカ被膜形成用組成物、及び該組成物を用いたシリカ被膜の形成法に関する。本発明の組成物を用いて作成したシリカ被膜は、各種絶縁膜、保護膜等に利用できる。
【0002】
【従来の技術】
従来、各種絶縁膜、保護膜などに用いられるシリカ被膜を形成する方法として、アルコキシシランを酸触媒下で加水分解した溶液を塗布乾燥後、焼成する方法が一般に行われている(例えば特開昭56−38472等)。しかし、この塗布法には、付き回り性、乾燥収縮による割れの発生、基材との密着性等に問題があると言われている。
【0003】
近年、この塗布法の問題点を解決するために、液相での堆積法によるシリカ被膜の形成方法が種々試みられている。例えば、▲1▼二酸化珪素を過飽和状態まで溶解した珪弗酸水溶液に基材を浸漬し、溶液中でシリカ被膜を堆積形成する方法(特開昭57-196744 等)、▲2▼疎水性官能基を有するアルコキシシランを加水分解しシリカ系被膜を形成する方法(特開平7-196342)、▲3▼シリカ微粒子をエタノールに分散させ、テトラエトキシシランを加え、水+アンモニア+エタノールを加えることによりシリカ微粒子を粒成長させる方法(化学工学論文集VOL.21 No.5 879-885 (1995))、▲4▼テトラエトキシシランおよびアルカリを含む水溶液に基材を接触させ、シリカ被膜を堆積形成する方法(特願平8-60893 )等が挙げられる。
【0004】
しかし、これらの方法にはそれぞれ以下に示すような問題がある。▲1▼の方法は溶液に弗酸が含まれるため、取扱いが難しく、また、腐食性の点で基材が極めて限定される。▲2▼の方法は堆積膜中に炭素やフッ素が混入し、これらを除去するためには高温での焼成が必要となる。また、疎水性官能基を持たない珪酸では成膜が不可能であるとの記述がある。▲3▼の方法は、基材+テトラエトキシシラン+エタノールに水+アンモニア+エタノールを投入する手法(2液式)で成膜している。成膜組成物を予め調製してから基材を投入する手法(1液式)で実施すると、成膜組成物を調製した直後に、大量の沈澱が発生し、基材を入れて成膜するには不適な状況となる。また2液式では、成膜を終了するには、大量のアルコールで希釈する等、反応を止める操作が必要である。従って、同一処理液を用いる連続プロセスの構築が困難であり、原料、溶媒等の利用効率が悪い他、生産性に問題があり、工業レベルでの量産には向いていない。また、提示されているアルカリはアンモニアのみであり、他のアルカリでの成膜は確認されていない。▲4▼の方法では、使用できるアルカリの種類に制限があり、加熱により揮散しにくい一般的なアルカリである水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等を用いると、成膜ができないか、または成膜速度が極端に遅い。従って、成膜温度を上げられず、高速成膜が困難である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のようなシリカ被膜の形成法の種々の問題点を解決することを目的とするものである。すなわち、腐食性がなく、取扱いが簡単で、基材を選ぶことなく、連続成膜可能な、焼成することなしに、均質なシリカ被膜を形成するための新規な組成物および該組成物を用いたシリカ被膜の形成方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために、取扱い容易で、沈澱を含まないシリカ被膜堆積用組成物を得るべく鋭意検討した結果、イ)テトラアルコキシシラン、テトラハロゲン化シラン、水ガラスの少なくともいずれかから選ばれる珪酸の原料、ロ)水、ハ)アルカリ、及び、ニ)有機溶媒を必須成分とする組成物であって、珪素の濃度が0.0001〜0.1 モル/リットルで水/有機溶媒容量比が0.2 〜0.5 の範囲にある組成物を、基材と接触させることにより、焼成なしに、均質なシリカ被膜を連続して形成できること、およびこの系では、加熱により揮散しにくい一般的なアルカリである水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等を使用できることを見い出し本発明を完成した。
【0007】
以下、本発明に係る被膜堆積用組成物についてさらに詳細に説明する。本発明の組成物に含まれる珪酸とは、例えば化学大辞典(共立出版株式会社
昭和44年3月15日発行 第七刷)の「珪酸」の項に示される、オルト珪酸、及びその重合体である、メタ珪酸、メソ二珪酸、メソ三珪酸、メソ四珪酸等を示す。
【0008】
珪酸を含む組成物は、例えばテトラアルコキシシラン(Si(OR)4 、Rは炭化水素基、具体的にはテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラノーマルプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラノーマルブトキシシラン、等)に水、アルカリ、有機溶媒を添加し、撹拌し、加水分解反応を進めることにより得られる。また、テトラハロゲン化シランに水、アルカリ、有機溶媒を添加し、加水分解する方法や、水ガラスにアルカリ、有機溶媒を添加する方法や、水ガラスを陽イオン交換樹脂にて処理し、アルカリ、有機溶媒を添加する方法を用いても珪酸を含む組成物を得ることができる。珪酸の原料として用いる、テトラアルコキシシラン、テトラハロゲン化シラン、水ガラスは特に制限はなく、工業用、あるいは試薬として広く一般に用いられているものでよいが、好ましくはより高純度のものが適している。また、本発明の堆積用組成物には、上記の珪酸の原料の未反応物を含んでも構わない。
【0009】
珪酸の量に特に制限はないが、好ましくは珪素の濃度として0.0001〜0.1 モル/リットルの範囲である。珪素濃度が0.0001モル/リットル未満ではシリカ被膜の堆積速度が極めて遅く実用的ではない。また、0.1 モル/リットルを越えると組成物中に沈澱が生成する場合がある。
珪素濃度は、珪酸の原料、例えばテトラエトキシシランの添加量より算出できるが、組成物を原子吸光分析により測定することもできる。測定は、珪素の波長251.6nm のスペクトルを分析線とし、フレームは、アセチレン/亜酸化窒素によるものを用いるとよい。
【0010】
本発明の組成物に用いられる水は、特に限定しないが、好ましくは濾過等により粒子を除去した水である。水中に粒子が含まれると、粒子に成膜され、原料の利用効率が落ちたり、被膜中に取り込まれて、被膜の均一性を損なう場合があるからである。
【0011】
水は、水/有機溶媒比が容量比で0.2 〜0.5 の範囲の量で使用できる。この範囲を外れると、成膜できなかったり、成膜速度が極端に落ちる場合がある。
【0012】
本発明の組成物に用いられるアルカリは、特に限定しないが、例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ類、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機アルカリ塩類、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、アニリン、コリン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、グアニジン等の有機アルカリ類、蟻酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、蟻酸モノメチルアミン、酢酸ジメチルアミン、乳酸ピリジン、グアニジノ酢酸、酢酸アニリン等の有機酸アルカリ塩を用いることができる。中でも、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、蟻酸アンモニウム、酢酸アンモニウムが特に好ましい。本発明で用いられるアルカリの様態には特に制限はなく、工業用、あるいは試薬として広く一般に用いられているものでよいが、好ましくはより高純度のものが適している。
【0013】
さらに、成膜速度を上げるには、成膜温度を上げることが有効である。この場合には、成膜温度で揮発、分解しにくいアルカリ、および有機溶媒を用いることが好ましい。アルカリは、これらの内1種を単独でも、また2種類以上組み合わせて用いてもよい。
【0014】
アルカリの添加量は、例えば炭酸ナトリウムの場合0.002 モル/リットル程度の微量添加で成膜可能であるが、1 モル/リットル程度の大量の添加を行ってもかまわない。しかし、固形アルカリを溶解しない量添加すると、膜中に取り込まれ膜の均一性を損なう場合がある。
【0015】
被膜形成組成物が均一溶液を形成するものが、本発明に用いられる有機溶剤として好ましい。例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ペンタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等のエーテル・アセタール類、アセトアルデヒド、アセトン、ジアセトンアルコール、メチルエチルケトン等のケトン類、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール等の多価アルコール誘導体等を用いることができる。中でも、メタノール、エタノール、プロパノール、ペンタノール、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、アセトンが特に好ましい。有機溶媒は、これらの内1種を単独でも、また2種類以上組み合わせて用いてもよい。
【0016】
本発明で用いられる有機溶媒の様態には、特に制限はなく、工業用、あるいは試薬として広く一般に用いられているものでよいが、好ましくはより高純度のものが適している。
【0017】
本発明のシリカ被膜形成用組成物の調製は、一般的な溶液調製法で出来る。例えば、所定の量のアルカリと水を有機溶媒に添加、撹拌した後、テトラエトキシシランを添加、撹拌する等が挙げられるが、これらの混合の順番は何れが先でも、被膜形成が可能である。水とテトラエトキシシランを混合する際、双方とも有機溶媒で希釈することが、反応の制御性の点で好ましい。
【0018】
次いで、本発明のシリカ被膜形成用組成物を用いた、シリカ被膜の形成法について説明する。
【0019】
基本的には、基材を浸漬し、所定温度に保持しておくだけで膜が形成される。堆積用組成物を予め調製しておき、その中に基材を投入し、シリカ膜を堆積させる方法、基材を容器に入れておき、堆積用組成物をそこで調製する方法、等が挙げられるが、堆積用組成物原料、基材を投入する順番が何れが先でも被膜形成が可能である。
【0020】
シリカ被膜は堆積により成長するので、成膜時間を長くすれば膜厚を厚くできる。しかし、被膜堆積用組成物中の珪酸が、被膜の形成により大部分消費された場合には、成膜速度は著しく低下する。連続した被膜堆積は、消費された珪酸相当分を順次添加することにより達成できる。また、基材を所定時間、組成物中に保持した後、系外に取り出し、次いで該組成物中に、新たに基材を浸漬することにより、生産性の高い連続プロセスを構築できる。
【0021】
被膜形成中の堆積用組成物の温度は、特に限定しないが、好ましくは10℃から100 ℃の範囲、より好ましくは、20℃〜150 ℃である。成膜温度が高い程成膜速度が増加するが高すぎると組成物中の成分の揮発のため溶液組成を一定に保つことが困難になる。
【0022】
成膜に用いることのできる基材は、材質として金属、セラミックス、プラスチック、炭素他、形状として板、管、粒子、繊維等が挙げられる。これらの基材は、必要に応じて事前に表面処理をすることもできる。
本発明により形成したシリカ被膜は、特に焼成の必要はない。もちろん、焼成して用いることも可能である。
【0023】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが本発明を限定するものではない。
【0024】
(実施例1)
1000ミリリットルビーカーに水100 ミリリットル、エタノール(純正化学製)400 ミリリットルおよび炭酸水素ナトリウム(純正化学製)0.012 モルを混合し、マグネチックスターラーで撹拌しながら、テトラエトキシシラン(ナカライテスク製)を0.0045モル加え、被膜形成用組成物を調製した。調製は20℃にて行った。また、溶液状態は目視で確認した。
被膜形成用組成物に、基材としてシリコンウエハー(20℃にてアセトン中で5 分間超音波洗浄し、膜厚測定用に部分的にマスクしたもの)を浸漬し、組成物温度20℃にて、17時間保持し、成膜を行った。成膜中溶液は透明で沈澱の生成は観察されなかった。その後、基材を取り出し、流水で5 分間洗浄した後、乾燥空気を吹き付け乾燥した。生成した膜の膜厚を段差計(SLOAN 製DEKTAK3030)により測定したところ150nm であった。
【0025】
(実施例2〜9)
アルカリの種類、溶媒の種類、珪素濃度を変化させ、実施例1と同様にして、表1に示された条件で成膜を行い、膜厚を測定した。
【0026】
【表1】
Figure 0003887851
【0027】
注1)CN: 炭酸水素ナトリウム、AM: アンモニア、PZ: ピリジン
添加量はすべて0.012 モル
注2)ET: エタノール、IPA:イソプロパノール、THF:テトラヒドロフラン、 AC: アセトン
【0028】
(実施例10)
テトラエトキシシランのかわりに、テトラノーマルプロポキシシラン(アルドリッチ製)を用いて、珪素濃度は0.01モル/リットルの組成物を調製した以外は、実施例1と同様にして、成膜を行った。成膜時間20hrで40nmのシリカ膜を確認した。
【0029】
(実施例11)
テトラエトキシシランのかわりに、水ガラス(水ガラス3号、旭電化製)を用いて、珪素濃度は0.01モル/リットルの組成物を調製した以外は、実施例1と同様にして、成膜を行った。成膜時間10hrで20nmのシリカ膜を確認した。
【0030】
(実施例12)
成膜温度が70℃であること以外は、実施例1と同様に成膜を行った。成膜時間2hr で370nm のシリカ膜を確認した。
【0031】
被膜評価
実施例1〜12で得られた、基材上の被膜を透過法赤外吸収スペクトル(日本分光製FT-IR-8000)を測定したところ、1000〜1100cm-1にSi−O−Si伸縮振動由来の吸収が観測され、2800〜3000cm-1にC−H伸縮振動由来の吸収は観測されず、生成した被膜はシリカに同定された。
【0032】
【発明の効果】
本発明により、腐食性がなく、取扱い簡単で、基材を選ぶことなく、焼成することなしに、均一なシリカ被膜を形成することが可能な新規なシリカ被膜形成用組成物、及び該組成物を用いたシリカ被膜の連続形成方法を提供できる。これにより、従来からのシリカ被膜の形成方法の問題点が解決でき、工業規模で量産可能なプロセスを構築できる。

Claims (9)

  1. イ)テトラアルコキシシラン、テトラハロゲン化シラン、水ガラスの少なくともいずれかから選ばれる珪酸の原料、ロ)水、ハ)アルカリ、及びニ)有機溶媒を必須成分とするシリカ被膜形成用組成物であって、水/有機溶媒容量比が0.2〜0.5の範囲で、かつ珪素濃度が0.0001〜0.1モル/リットルの範囲であることを特徴とするシリカ被膜形成用組成物。
  2. アルカリが、無機アルカリ類、無機アルカリ塩類、有機アルカリ類、有機アルカリ塩類の少なくとも一種から選ばれることを特徴とする請求項1記載のシリカ被膜形成用組成物。
  3. アルカリが、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、蟻酸アンモニウム、酢酸アンモニウムの少なくとも一種から選ばれることを特徴とする請求項1記載のシリカ被膜形成用組成物。
  4. 有機溶媒が、メタノール、エタノール、プロパノール、ペンタノール、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、アセトンの少なくとも一種から選ばれることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のシリカ被膜形成用組成物。
  5. 請求項1乃至のいずれかに記載の組成物に、基材を接触させることを特徴とするシリカ被膜の形成方法。
  6. 請求項記載のシリカ被膜の形成方法によって得られたシリカ被膜。
  7. 請求項記載のシリカ被膜の形成方法によって得られたシリカ被膜を有する基材。
  8. 基材が、金属、セラミックス、プラスチック、炭素である請求項記載のシリカ被膜を有する基材。
  9. 基材が、板、管、粒子、繊維の形状を有するものである請求項または記載のシリカ被膜を有する基材。
JP26443996A 1996-10-04 1996-10-04 シリカ被膜形成用組成物及びシリカ被膜の形成方法 Expired - Fee Related JP3887851B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26443996A JP3887851B2 (ja) 1996-10-04 1996-10-04 シリカ被膜形成用組成物及びシリカ被膜の形成方法
EP97117185A EP0834488A1 (en) 1996-10-04 1997-10-02 Process for forming silica film and composition therefor
US08/944,197 US6099911A (en) 1996-10-04 1997-10-03 Process for forming silica film
AU39919/97A AU719340B2 (en) 1996-10-04 1997-10-03 Process for forming silica film and composition therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26443996A JP3887851B2 (ja) 1996-10-04 1996-10-04 シリカ被膜形成用組成物及びシリカ被膜の形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10114542A JPH10114542A (ja) 1998-05-06
JP3887851B2 true JP3887851B2 (ja) 2007-02-28

Family

ID=17403217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26443996A Expired - Fee Related JP3887851B2 (ja) 1996-10-04 1996-10-04 シリカ被膜形成用組成物及びシリカ被膜の形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6099911A (ja)
EP (1) EP0834488A1 (ja)
JP (1) JP3887851B2 (ja)
AU (1) AU719340B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW465131B (en) * 1999-03-30 2001-11-21 Seiko Epson Corp Method for forming silicon film
US8734906B2 (en) 2003-11-21 2014-05-27 Brismat Inc. Films and method of production thereof
EP1689824B1 (en) * 2003-11-21 2016-10-12 BrisMat Inc. Silica films and method of production thereof
CA2610643C (en) 2005-05-31 2014-07-29 Xerocoat Pty Ltd. Control of morphology of silica films
CN101244896B (zh) * 2008-03-18 2011-10-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 太阳能玻璃镜镜面耐腐蚀、防污染涂料及其制备方法
KR101425545B1 (ko) * 2012-03-09 2014-08-01 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 표면 수식 금속산화물 입자 재료 및 광반도체 소자 밀봉 조성물, 및 광반도체 장치
KR102504353B1 (ko) * 2017-11-14 2023-02-28 주식회사 엘지화학 실리카 박막의 코팅 방법 및 이의 용도

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4375373A (en) * 1978-12-29 1983-03-01 Toro Ganryo Kogyo Co., Ltd. Method of coating inorganic pigments (ultramarine and bronze powder) with dense amorphous silica
JPS5638472A (en) * 1979-09-06 1981-04-13 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki Formation of silica coating
JPS57196744A (en) * 1981-05-29 1982-12-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd Surface treatment of glass containing alkali metal
JP3694900B2 (ja) * 1993-05-31 2005-09-14 東ソー株式会社 シリカ系被膜の製造方法
CA2153848C (en) * 1994-07-18 2003-05-13 Motoyuki Tanaka Oxide thin film having quartz crystal structure and process for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US6099911A (en) 2000-08-08
AU3991997A (en) 1998-04-09
JPH10114542A (ja) 1998-05-06
AU719340B2 (en) 2000-05-04
EP0834488A1 (en) 1998-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5091009A (en) Coating composition and a process for manufacturing the same
TWI293653B (en) Quartz glass crucible
JP3887851B2 (ja) シリカ被膜形成用組成物及びシリカ被膜の形成方法
JP3320440B2 (ja) 被膜形成用塗布液およびその製造方法
JPH07182939A (ja) 透明導電膜形成用組成物及び透明導電膜形成方法
US6712901B2 (en) Surface modification process of quartz glass crucible
US5871558A (en) Process for producing silica glass
CN1172937C (zh) 制备硅氧烷低聚物溶液的方法以及由该溶液形成的有机聚硅氧烷薄膜
JPH02275733A (ja) 半導体含有ガラスの製造法
JP2019116396A (ja) シリカ系粒子分散液及びその製造方法
US20060194453A1 (en) Silicon dioxide film and process for preparation of the same
EP1293488A1 (en) Coating solution and method for forming transparent coating film
CN100564591C (zh) 一种自清洁氧化物薄膜和制备方法及其应用
JP2003183396A (ja) 球状シリコーン微粒子の製造方法
JPH07196342A (ja) シリカ系被膜の製造方法
JPH09249673A (ja) シリカ被膜形成用水溶液及びシリカ被膜の形成方法
JP2003002973A (ja) 球状シリコーン微粒子の製造方法
JPH11124543A (ja) 無機−有機ハイブリッド被膜を有する複合材料の製造方法
JP2637793B2 (ja) コーティング用組成物
JPS638186B2 (ja)
JP2001058825A (ja) 無機膜形成用塗布剤、その製造方法及びその無機膜形成方法
JPS5936955B2 (ja) 酸化チタン被膜形成方法
JPH09295804A (ja) シリカ薄膜の製造方法
JPH04357111A (ja) 酸化アルミニウム前駆体ゲル状物及びその製造方法
JP2003183395A (ja) 球状シリコーン微粒子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060309

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060328

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091208

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees