JP3877049B2 - Image display apparatus and driving method thereof - Google Patents

Image display apparatus and driving method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP3877049B2
JP3877049B2 JP2001191158A JP2001191158A JP3877049B2 JP 3877049 B2 JP3877049 B2 JP 3877049B2 JP 2001191158 A JP2001191158 A JP 2001191158A JP 2001191158 A JP2001191158 A JP 2001191158A JP 3877049 B2 JP3877049 B2 JP 3877049B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
supplied
thin film
image
film transistor
electro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001191158A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002091376A (en
Inventor
好之 金子
介和 荒谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001191158A priority Critical patent/JP3877049B2/en
Publication of JP2002091376A publication Critical patent/JP2002091376A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3877049B2 publication Critical patent/JP3877049B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y02B20/343
    • Y02B20/346

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は,有機半導体膜などの発光薄膜に駆動電流を流すことによって発光させる電気光学素子の発光動作を制御する薄膜トランジスタなどのスイッチング素子で制御するアクティブマトリクス型の画像表示装置及びその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年,高度情報化社会の到来に伴い,パーソナルコンピュータ,カーナビ、携帯情報端末,情報通信機器あるいはこれらの複合製品の需要が増大している。これらの製品には,薄型,軽量,低消費電力のディスプレイが好適であり,液晶表示装置あるいは自発光型のEL(エレクトロルミネッセンス)素子またはLED(発光ダイオード)素子などの電気光学素子による表示装置が用いられている。
【0003】
後者の自発光型の電気光学素子による表示装置には,視認性がよいこと,視角特性が広いこと,高速応答で動画表示に適することなどの特長があるので,映像表示が主要になってくる今後,特に好適と考えられている。特に,近年の有機物を発光層とする有機EL素子または有機LED素子(以下、これらを総称してOLEDと称する)の発光効率の急速な向上と,映像通信を可能にするネットワーク技術の進展との2つがあいまって,OLEDディスプレイへの期待は,高まるばかりである。
【0004】
OLEDディスプレイにおける電力効率を高めるためには,後述のように薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)によるアクティブマトリクス駆動が有効である。OLEDディスプレイをアクティブマトリクス構造として作製し駆動する技術は,例えば、特開平4−328791号公報、特開平8−241048号公報および米国特許USP5550066号に記載されており,また、駆動電圧関係については国際特許公報WO98/36407号などに開示されている。
【0005】
OLEDディスプレイの典型的な画素は,2つのTFT(スイッチトランジスタとドライバトランジスタ)と1つの蓄積容量で構成されるアクティブ素子駆動回路によりOLEDの発光輝度を制御するものである。画素は,画像信号を供給されるn本のデータ線と走査信号を供給されるm本の走査線(ゲート線)をm行n列のマトリクスを形成しその各交点近傍に画素を配置する。
【0006】
画素を駆動するには,m行のゲート線に順次走査信号(ゲート電圧)を印加しスイッチングトランジスタをターンオンさせ、1フレーム期間Tf内に垂直方向の走査を1回終えて,再び1行目のゲート線にターンオン電圧が印加される。
【0007】
この駆動スキームでは,1本のゲート線にターンオン電圧が印加される時間は,Tf/m以下となる。一般的には,1フレーム期間Tfの値としては,1/60秒程度が用いられる。あるゲート線にターンオン電圧が印加されているときは,そのゲート線に接続されたスイッチングトランジスタは全てオン状態となり,それに同期してn列のデータ線には同時に画像信号(データ電圧)が印加される。これはいわゆる線順次走査方式と呼ばれ,アクティブマトリクス液晶では一般的に用いられているものである。
【0008】
データ電圧はゲート線にターンオン電圧が印加されている間に蓄積容量(コンデンサ)に蓄えられ,1フレーム期間はほぼそれらの値に保たれる。蓄積容量の電圧値は,ドライバトランジスタのゲート電圧を規定し,したがって,ドライバトランジスタを流れる電流値が制御され一定の電流がOLEDを流れ発光が生じる。OLEDは電圧を印加されると,発光が始まるまでの応答時間は1μs以下であることが通常であり,動きの速い画像(動画像)にも追随できる。
【0009】
さて,アクティブマトリクス駆動では,1フレーム期間に亘って発光が行われることで高効率を実現している。これと,TFTを設けずにOLEDのダイオード電極をそれぞれ垂直走査線,水平走査線に直結して駆動する単純マトリクス駆動による効率とを比較すると差異は明確である。
【0010】
単純マトリクス駆動では垂直走査線が選択されている期間にのみOLEDに電流が流れるので,その短い期間の発光のみで1フレーム期間の発光と同等の輝度を得るためには,アクティブマトリクス駆動に比べて略垂直走査線数倍の発光輝度が必要となる。それには,必然的に駆動電圧,駆動電流を大きくせねばならず,発熱など消費電力ロスが大きくなって電力効率が低下するのを免れない。
【0011】
このように,アクティブマトリクス駆動は,単純マトリクス駆動に比べ低消費電力化の観点から優位であると考えられている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術は、OLEDが高速応答がゆえに動画に適すると考えられてきている。しかしながら,従来技術によるOLEDのアクティブマトリクス駆動は液晶ディスプレイ(LCD)の駆動方法と同じであり,画素は1フレーム期間に亘って表示をする、つまりOLEDを発光させるホールド型の表示方式である。
【0013】
LCDについては,「電子情報通信学会技術研究報告」EID96―34,19頁から26頁(1996年,6月)に記載されているように,ホールド型の表示方式に起因して,動画表示時に動物体のエッジがぼける現象が避けられない。
【0014】
動画像のエッジぼけの課題は,LCDについて指摘されたものであるが,その発生原因はホールド表示のためである。したがって、OLEDをアクティブマトリクス駆動でホールド表示すると動画像のエッジぼけが同様に問題になる。
【0015】
このように,従来技術はOLEDのように電気光学素子をアクティブマトリクス駆動する際に動画表示時のエッジぼけに配慮がなされておらず,画質が劣化するという問題点を有する。
【0016】
本発明の目的は,電気光学素子をアクティブマトリクス駆動する際に動画表示時のエッジぼけを抑制し画質を向上させることのできる画像表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴とするところは、1画像を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動するようにしたことにある。換言すると、本発明は1フレームと次の1フレームの間に電気光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動するようにしたことにある。
【0018】
本発明の望ましい実施形態は、1画像を表示する1フレーム期間内に電気光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動するようにする。
【0019】
本発明は1画像を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動するようにしているので、この消光期間中の視線移動時には白背景の積分がなくなりエッジのぼけ,すなわち,動画の表示特性が大幅に改善される。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。まず、画像表示装置の構成を説明し,次に駆動方法について述べる。
【0021】
図1は画像表示装置1の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図で,図2は図1の表示部に構成されたアクティブマトリクスの等価回路図である。
【0022】
図1において、画像表示装置1は基板6のほぼ中央部に表示部2が構成されている。表示部2の上側にはデータ線7に対して画像信号を供給するデータ駆動回路3が設けられ、左側にゲート線8に対して走査信号(ゲート電圧)を供給する走査駆動回路4が設けられている。また、右側には電流供給駆動回路5が設けられている。これらの駆動回路3、4、5は、Nチャネル型とPチャネル型のTFTによる相補型回路から構成されるシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログスイッチ回路などからなる。
【0023】
画像表示装置1は、液晶表示装置のアクティブマトリクスと同様に基板6の上に複数のゲート線8と、ゲート線8の延在方向に対して交差する方向に延在させた複数のデータ線7が設けられている。図2に示す如くゲート線8(G1,G2,…,Gm)とデータ線7(D1,D2,…,Dn)との交差するところにマトリクス状に画素20が配置されている。
【0024】
画素20は図3に拡大して示すように、Nチャネル型のTFTからなるスイッチトランジスタ21のゲート電極がゲート線8に接続され、スイッチトランジスタ21のソース電極、ドレイン電極の一方がデータ線7に接続され,他方が蓄積容量23の一端に接続されている。蓄積容量23の一端はNチャネル型のTFTからなるドライバトランジスタ22のゲート電極にも接続されている。
【0025】
ドライバトランジスタ22のソース電極はデータ線7と同じ方向に延在する共通電位線9に接続され、ドレイン電極はOLED24の一方の電極に接続されている。OLED24の他方の電極は全画素20に共通の電流供給線10に接続され電位Vaに保たれている。OLED24は、陽極が通常透明電極で形成され、OLED層での発光はTFTが形成されたガラス基板を通して外に取り出される構造となる。
【0026】
この構成において、ゲート線8(G1,G2,…,Gm)加えられる走査信号によってスイッチトランジスタ21がオン状態になると,データ線7から画像信号がスイッチトランジスタ21を介して蓄積容量23に書き込まれる。したがって、ドライバトランジスタ22のゲート電極は、スイッチトランジスタ21がオフ状態になっても蓄積容量23により画像信号に相当する電位に保持される。
【0027】
ドライバトランジスタ22は、定電流性に優れるソース接地モードでの駆動状態に保たれ続けて、電流供給線10からの電流がOLED24に流れる。OLED24は発光状態に維持される。このときの発光輝度は、蓄積容量23に書き込まれる画像データに依存する。OLED24の発光停止は、ドライバトランジスタ22をオフ状態にすることによってなされる。
【0028】
次に、画像表示装置の駆動方法について図4および図5を用いて説明する。
【0029】
図4に本発明による画像表示装置を駆動する駆動装置の構成を示す。
【0030】
図4において、図1と同一符号のものは相当物を示し、走査駆動回路4とデータ駆動回路3には表示制御コントローラ11からタイミング制御信号(クロック信号)が与えられる。データ駆動回路3は表示制御コントローラ11から画像信号も与えられる。
【0031】
表示制御コントローラ11のタイミング(クロック周波数)はタイミング調整回路12によって調整される。タイミング調整回路12は1フレームの基本周波数を4倍化したクロック周波数に設定する。これにより,表示制御コントローラ11は画像メモリ13からのデータ読み出しを4倍化し,両駆動回路3、4におけるシフトレジスタのフレームスタート制御信号のタイミングをt=0、Tf/4、Tf、5Tf/4…にする。
【0032】
この構成において、ゲート線G1、G2、…Gmには走査駆動回路4から図5に示したようにスイッチトランジスタ21を順次ターンオンするゲート電圧VG1,VG2,…,VGmが加えられる。ゲート電圧VG1,VG2,…,VGmは電圧値(低電圧レベル)VGLから電圧値(高電圧レベル)VGHに変化する。
【0033】
一方、データ線D1,D2,…,Dnにはデータ駆動回路3からゲート電圧VG1,VG2,…,VGmに同期して画像信号のデータ電圧VD1、VD2、…、VDnが加えられる。画像信号電圧VD1、VD2、…、VDnは電圧値(高電圧レベル)VDHから電圧値(低電圧レベル)VDLの間の値が設定される。電圧値VDLは通常共通電位線9の電圧以下である。電流供給線10の電圧Vaと共通電位線9の電圧は一定に保たれている。
【0034】
このようにして駆動するのであるが、この駆動方法は従来技術と同様の線順次走査である。
【0035】
さて、本発明では1画面(1画像)の走査に要する期間が1フレーム期間Tfの1/4と短縮されている。したがって、ゲート線8の1本あたりの選択時間は、Tf/4mと短くなる。1画面の走査が終わって次にゲート線G1が選択されると,今度はドライバトランジスタ22をオフ状態にする電圧値VDLのデータ電圧VD1、VD2、…、VDnがすべてのデータ線D1,D2,…,Dnに印加される。
【0036】
このような電圧スキームにすると、1フレーム期間の約1/4は発光期間となり、残りの3/4は消光期間(非発光期間)となる。OLED24の実効的な発光時間が短くなり表示画像が暗くなるのを防止するために、データ電圧の波高値は4倍の電流となるようにする。1フレーム期間Tfの値は16ms程度なので、発光にあてられる期間は4ms程度になるが,OLED24のもつ高速応答のゆえにこの期間ほぼすべてに亘って発光が可能である。
【0037】
このようにして画像表示装置を駆動するのであるが、動画像のエッジぼけを抑制できることについて説明する。
【0038】
まず、理解を容易にするために動画のエッジぼけが発生することについて図6を用いて説明する。
【0039】
図6(a)に示すように、動画像として白背景の中で黒の長方形が図示左から右の矢印方向に一定速度で移動する映像について考える。この動画像をホールド型の表示をした場合、1フレーム間隔毎に表示内容が書き換えられ、その表示内容が1フレーム期間保持されるという点に留意して動画像のエッジを含む部分の一水平ラインについて拡大して着目する。
【0040】
図6(b)はこの拡大部分の時間変化をTf毎に模式的に示したものである。図6(b)に示すように、長方形のエッジ部は時間経過に対して階段状に移動しながら表示される。図6(b)はエッジが1フレームあたりに4画素移動する例を示している。
【0041】
この表示画面を見るユーザの目は、図6(b)の矢印Aに示すように動画像に追従して連続的に視線移動する。この視線移動の途中には,白背景も認識されてしまうので,ユーザが知覚する動画像の輝度信号は、これら白信号と黒信号の積分値となる。すなわち黒い長方形のエッジ部がぼやけてしまうことになる。
【0042】
一方、本発明の駆動による画像の見え方を図6(b)の1行の画素について示したのが図7である。
【0043】
図7において、例えば、時刻t=t0+Tf/4からt=t0+Tfの間は消光されるが、この消光期間中の視線移動時には白背景の積分がなくなるのでエッジのぼけ,すなわち,動画の表示特性が大幅に改善されることになる。
【0044】
なお、上述の実施の形態では,発光期間と消光期間の比を1:3としたが,蛍光体の残光(<〜3ms)を見るCRTの表示特性に画質劣化がないことから,タイミング調整回路12により,さらに発光期間を短くすることにより本発明の効果をより大きくすることができる。
【0045】
図8に本発明の他の実施の形態を示す。
【0046】
図8において、図4の実施の形態と異なる点は,電流供給線駆動回路15を設け表示制御コントローラ11の制御下におくようにしたことである。各電流供給線10においては,図9に示すように消光のためのゲート電圧に連動して電流供給線10の供給電圧を切替えるスイッチ16が設けられている。
【0047】
図10に表示部2の画素マトリクス図を示す。図10において図2と異なるところはOLED24のアノード電極を行毎に束ねた電流供給線A1,A2,…Amを設け,それぞれの電流供給線A1,A2,…Amに与える電圧VA1,VA2,…VAmを一定ではなく複数の値としたことである。
【0048】
この構成の動作を図11に示すタイムチャートを参照して説明する。この実施形態においても発光期間と消光期間を設けることは図4に示す実施の形態と同じであるので説明を省略する。
【0049】
1フレームの発光期間を終了した後,ゲート線8を再選択のタイミングで一旦ドライバトランジスタ22を非飽和領域でオンさせる電圧を加え,同時に電流供給線駆動回路15によって電流供給線A1,A2,…Amに与える電圧VA1,VA2,…VAmを低電圧レベルVALに引き下げる。低電圧レベルVALの値は共通電位線9の電圧レベルより低く設定する。
【0050】
電流供給線A1,A2,…Amの電圧VA1,VA2,…VAmを低電圧レベルVALにするとOLED24の画素電極の電位は略共通電位線9の電圧レベルになるので,OLED24の両端の電圧は,発光時のバイアスの向きと逆になる。この時点で,ドライバトランジスタ22をターンオフすれば,この逆バイアス印加状態が消光期間にわたり保たれることになる。このような電圧印加は,電流供給線10がストライプ状にゲート線8と平行に結ばれていることにより実現できる。
【0051】
OLED24は,順バイアスの直流を印加し続けると徐々に空間電荷などが生成されて輝度が低下するが、本実施の形態のように逆バイアス印加すれば空間電荷生成を妨げることができるので長寿命にできる。
【0052】
図8、図10に示す実施の形態におけるストライプ状電流供給線10の形成について図12および図13を用いて説明する。画像表示装置1の画素部の平面構造を図12に,図12のA−A’に沿った断面構造を図13に示す。
【0053】
ガラス基板6には,スイッチトランジスタ21とドライバトランジスタ22を形成するための島状のシリコン膜が形成され,その表面にはゲート絶縁膜が形成されている。ゲート絶縁膜上には,ゲート電極,ゲート線8,蓄積容量23用電極が形成され,その後ゲート電極に自己整合的にソース・ドレイン領域が形成される。しかる後に第1の層間絶縁膜30が設けられ,コンタクトホールを介してデータ線7,共通電位線9,蓄積容量23用電極が形成されている。
【0054】
さらに、第2の層間絶縁膜31のコンタクトホールを介して画素電極であるOLED24の陰極24K、有機層24Oを設けた後,対向電極である透明な陽極24Aとこれを結ぶ(接続された、カバーされた)電流供給線10が設けられている。この電流供給線10は,行方向すなわちゲート線8の延在する方向に延在させてある。
【0055】
OLED発光素子24は,ドライバトランジスタ22のドレインに接続された金属層の上に接続されたリチウム含有アルミニウムあるいはカルシウムなどの金属膜からなる陰極24K,有機半導体層24O,インジウム含有酸化膜による透明陽極24Aを積層した構造にしている。
【0056】
図14に図8に示す実施の形態で駆動する他の例を示す。図14は図11と比較すると明らかなように、駆動電圧波形は、発光期間と消光期間が1:3で設けられていること、および電流供給線10の電圧VA1,VA2,…VAmが消光期間中に低電圧レベルVALとなっていることは同じである。
【0057】
図14の形態によるデータ駆動電圧では,ゲート再選択パルスに同期させたドライバトランジスタ22のターンオン電圧の印加からそのドライバトランジスタ22をターンオフするときの電圧レベルをVDLよりもさらに低くし,特に共通電位線9や画素電極の電位よりも低くすることに特徴がある。
【0058】
この状態でゲート線8の電圧を非選択状態にすると,ドライバトランジスタ22のゲート電圧は,ソース・ドレインの電圧よりも低く保たれることになる。すなわち,発光時は正のゲート電圧で駆動されていたドライバトランジスタ22は、消光時は負のゲート電圧が印加されることになり,トランジスタのゲート絶縁膜への電荷注入による特性シフトおよびそれに伴う表示画質劣化を防止することができる。
【0059】
以上のように,本発明の画像表示装置は1画像を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動するようにしているので、この消光期間中の視線移動時には白背景の積分がなくなるのでエッジのぼけ,すなわち,動画の表示特性が大幅に改善される。
【0060】
また、上述の実施の形態では、発光走査終了後に消光走査しているのでアクティブマトリクス駆動に一般的に用いられる画素の構成を変更することなく動画の表示特性を向上させることができる。
【0061】
さらに、OLED24に逆バイアス印加するようにしているので空間電荷生成を妨げることができるので長寿命にでき、表示輝度劣化の小さい画像表示装置を得ることができる。
【0062】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものでなく、例えば,図15に示すようにドライバトランジスタ22をPチャネル型とし,基板6側から光を取り出す構造でも本発明を適用できることは勿論のことである。
【0063】
また、上述の実施の形態は1画像を表示する1フレーム期間内に電気光学素子を消光させる消光期間を形成しているが、要するに、1画像を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光学素子を消光させる消光期間を形成すればよいことは明らかなことである。
【0064】
【発明の効果】
以上述べてきたように,本発明は1画像を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動するようにしているので、この消光期間中の視線移動時には白背景の積分がなくなるのでエッジのぼけ,すなわち,動画の表示特性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の画像表示装置の一例を示すブロック図である。
【図2】 アクティブマトリクスの等価回路図である。
【図3】 アクティブマトリクス駆動の画素の一例図である。
【図4】 本発明の一実施例を示す構成図である。
【図5】 本発明の駆動動作を説明するためのタイムチャートである。
【図6】 従来駆動における動画のエッジぼけを説明する図である。
【図7】 本発明による動画のエッジぼけを解消を説明する図である。
【図8】 本発明の他の一実施例を示す構成図である。
【図9】 図8の構成を説明するための図である。
【図10】 本発明の他の実施例におけるアクティブマトリクスの等価回路図である。
【図11】 本発明の他の実施例の駆動動作を説明するためのタイムチャートである。
【図12】 本発明による画像表示装置の画素部の平面構造を説明する図である。
【図13】 本発明による画像表示装置の画素部の断面構造を説明するための図である。
【図14】 本発明の他の実施例における他の駆動動作を説明するためのタイムチャートである。
【図15】 本発明を適用する画像表示装置の画素部の他の断面構造例を説明する図である。
【符号の説明】
1…画像表示装置、2…表示部、3…データ駆動回路、4…走査駆動回路、5…電流供給駆動回路、6…基板、7…データ線、8…ゲート線、9…共通電位線、10…電流供給線、20…画素、21…スイッチトランジスタ、22…ドライバトランジスタ、23…蓄積容量、24…OLED発光素子。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an active matrix image display apparatus controlled by a switching element such as a thin film transistor for controlling the light emitting operation of an electro-optical element that emits light by passing a driving current through a light emitting thin film such as an organic semiconductor film, and a driving method thereof.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the advent of the advanced information society, the demand for personal computers, car navigation systems, portable information terminals, information communication devices, or composite products of these has increased. For these products, thin, light, and low power consumption displays are suitable, and liquid crystal display devices or display devices using electro-optic elements such as self-luminous EL (electroluminescence) elements or LED (light emitting diode) elements. It is used.
[0003]
The latter display device using a self-luminous electro-optic element has features such as good visibility, wide viewing angle characteristics, and high-speed response and suitable for video display. It is considered particularly suitable in the future. In particular, the rapid improvement of the luminous efficiency of organic EL elements or organic LED elements (hereinafter collectively referred to as OLEDs) using organic substances as the light emitting layer, and the progress of network technology enabling video communication. Together, the expectations for OLED displays are only rising.
[0004]
In order to increase the power efficiency in the OLED display, active matrix driving by a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) is effective as will be described later. Techniques for manufacturing and driving an OLED display as an active matrix structure are described in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 4-328791 and 8-24048 and US Pat. No. 5,555,0066. It is disclosed in the patent publication WO98 / 36407.
[0005]
A typical pixel of the OLED display is one in which the emission luminance of the OLED is controlled by an active element driving circuit composed of two TFTs (switch transistor and driver transistor) and one storage capacitor. In the pixel, n data lines to which image signals are supplied and m scanning lines (gate lines) to which scanning signals are supplied form a matrix of m rows and n columns, and the pixels are arranged in the vicinity of their intersections.
[0006]
In order to drive the pixels, a scanning signal (gate voltage) is sequentially applied to the m rows of gate lines to turn on the switching transistors, complete one vertical scan within one frame period Tf, and then again to the first row. A turn-on voltage is applied to the gate line.
[0007]
In this driving scheme, the time during which the turn-on voltage is applied to one gate line is Tf / m or less. Generally, about 1/60 second is used as the value of one frame period Tf. When a turn-on voltage is applied to a certain gate line, all the switching transistors connected to that gate line are turned on, and an image signal (data voltage) is simultaneously applied to the n columns of data lines in synchronization therewith. The This is called a so-called line-sequential scanning method and is generally used in active matrix liquid crystal.
[0008]
The data voltage is stored in the storage capacitor (capacitor) while the turn-on voltage is applied to the gate line, and is maintained at these values for one frame period. The voltage value of the storage capacitor defines the gate voltage of the driver transistor. Therefore, the current value flowing through the driver transistor is controlled, and a constant current flows through the OLED to cause light emission. When a voltage is applied to the OLED, the response time until light emission starts is usually 1 μs or less, and it is possible to follow a fast moving image (moving image).
[0009]
In the active matrix driving, high efficiency is realized by emitting light over one frame period. The difference is clear when comparing this with the efficiency of the simple matrix driving in which the OLED diode electrode is directly connected to the vertical scanning line and the horizontal scanning line without providing the TFT.
[0010]
In simple matrix driving, current flows in the OLED only during the period when the vertical scanning line is selected. Therefore, in order to obtain the same luminance as light emission in one frame period only by light emission in that short period, compared with active matrix drive. The light emission luminance approximately the number of vertical scanning lines is required. In order to do so, the drive voltage and drive current must be increased, and it is inevitable that power consumption loss such as heat generation will increase and power efficiency will decrease.
[0011]
Thus, active matrix driving is considered to be superior to simple matrix driving from the viewpoint of low power consumption.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
The prior art has been considered that OLED is suitable for moving images because of its high-speed response. However, the active matrix driving of the OLED according to the prior art is the same as the driving method of the liquid crystal display (LCD), and the pixels are displayed over one frame period, that is, a hold type display method in which the OLED emits light.
[0013]
As described in “Electronic Information and Communication Engineers Technical Research Report” EID96-34, pages 19 to 26 (1996, June), LCDs are displayed at the time of video display due to the hold-type display method. The phenomenon that the edge of the animal body is blurred is inevitable.
[0014]
The problem of moving image edge blurring has been pointed out for LCDs, but the cause is due to hold display. Therefore, when the OLED is hold-displayed by active matrix driving, the edge blur of the moving image becomes a problem as well.
[0015]
As described above, the conventional technique has a problem that image quality deteriorates because no consideration is given to edge blurring during moving image display when an electro-optic element such as an OLED is driven in an active matrix.
[0016]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an image display apparatus capable of suppressing edge blur at the time of moving image display and improving image quality when driving an electro-optic element in an active matrix, and a driving method thereof.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
A feature of the present invention is that, in order to display one image, a pixel is driven by forming an extinction period in which the electro-optic element is extinguished after scanning a plurality of gate lines. In other words, the present invention is to drive the pixels by forming an extinction period in which the electro-optical element is extinguished between one frame and the next one frame.
[0018]
According to a preferred embodiment of the present invention, a pixel is driven by forming a quenching period in which the electro-optic element is quenched within one frame period for displaying one image.
[0019]
In the present invention, in order to display one image, a pixel is driven by forming an extinction period in which the electro-optic element is extinguished after scanning a plurality of gate lines. Integration is lost and blurring of edges, that is, the display characteristics of moving images is greatly improved.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the configuration of the image display device will be described, and then the driving method will be described.
[0021]
FIG. 1 is a block diagram schematically showing the overall layout of the image display device 1, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of an active matrix configured in the display unit of FIG.
[0022]
In FIG. 1, the image display device 1 includes a display unit 2 at a substantially central portion of a substrate 6. A data driving circuit 3 that supplies an image signal to the data line 7 is provided above the display unit 2, and a scanning driving circuit 4 that supplies a scanning signal (gate voltage) to the gate line 8 is provided on the left side. ing. On the right side, a current supply drive circuit 5 is provided. These drive circuits 3, 4, and 5 include a shift register circuit, a level shifter circuit, an analog switch circuit, and the like that are configured by complementary circuits composed of N-channel and P-channel TFTs.
[0023]
Similar to the active matrix of the liquid crystal display device, the image display device 1 includes a plurality of gate lines 8 and a plurality of data lines 7 extending in a direction intersecting the extending direction of the gate lines 8 on a substrate 6. Is provided. As shown in FIG. 2, pixels 20 are arranged in a matrix at the intersections of the gate lines 8 (G1, G2,..., Gm) and the data lines 7 (D1, D2,..., Dn).
[0024]
In the pixel 20, as shown in an enlarged view in FIG. 3, the gate electrode of the switch transistor 21 made of an N-channel TFT is connected to the gate line 8, and one of the source electrode and drain electrode of the switch transistor 21 is connected to the data line 7. The other is connected to one end of the storage capacitor 23. One end of the storage capacitor 23 is also connected to the gate electrode of the driver transistor 22 made of an N-channel TFT.
[0025]
The source electrode of the driver transistor 22 is connected to the common potential line 9 extending in the same direction as the data line 7, and the drain electrode is connected to one electrode of the OLED 24. The other electrode of the OLED 24 is connected to the current supply line 10 common to all the pixels 20 and is kept at the potential Va. The OLED 24 has a structure in which an anode is usually formed of a transparent electrode, and light emitted from the OLED layer is extracted outside through a glass substrate on which a TFT is formed.
[0026]
In this configuration, when the switch transistor 21 is turned on by a scanning signal applied to the gate line 8 (G1, G2,..., Gm) , an image signal is written from the data line 7 to the storage capacitor 23 via the switch transistor 21. . Therefore, the gate electrode of the driver transistor 22 is held at a potential corresponding to the image signal by the storage capacitor 23 even when the switch transistor 21 is turned off.
[0027]
The driver transistor 22 is kept in the driving state in the source grounding mode having excellent constant current characteristics, and the current from the current supply line 10 flows to the OLED 24. The OLED 24 is maintained in a light emitting state. The light emission luminance at this time depends on the image data written in the storage capacitor 23. The light emission of the OLED 24 is stopped by turning off the driver transistor 22.
[0028]
Next, a method for driving the image display apparatus will be described with reference to FIGS.
[0029]
FIG. 4 shows a configuration of a driving device for driving the image display device according to the present invention.
[0030]
4, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote equivalents, and a timing control signal (clock signal) is given to the scanning drive circuit 4 and the data drive circuit 3 from the display controller 11. The data driving circuit 3 also receives an image signal from the display controller 11.
[0031]
The timing (clock frequency) of the display controller 11 is adjusted by the timing adjustment circuit 12. The timing adjustment circuit 12 sets the clock frequency that is four times the basic frequency of one frame. As a result, the display controller 11 quadruples the data reading from the image memory 13 and sets the timing of the frame start control signal of the shift register in both the drive circuits 3 and 4 to t = 0, Tf / 4, Tf, 5Tf / 4. ...
[0032]
In this configuration, gate voltages VG1, VG2,..., VGm for sequentially turning on the switch transistors 21 are applied to the gate lines G1, G2,. The gate voltages VG1, VG2,..., VGm change from the voltage value (low voltage level) VGL to the voltage value (high voltage level) VGH.
[0033]
On the other hand, data voltages VD1, VD2,..., VDn of image signals are applied to the data lines D1, D2,..., Dn from the data driving circuit 3 in synchronization with the gate voltages VG1, VG2,. The image signal voltages VD1, VD2,..., VDn are set to values between the voltage value (high voltage level) VDH and the voltage value (low voltage level) VDL. The voltage value VDL is usually equal to or lower than the voltage of the common potential line 9. The voltage Va of the current supply line 10 and the voltage of the common potential line 9 are kept constant.
[0034]
The driving is performed in this way, and this driving method is line sequential scanning similar to the conventional technique.
[0035]
In the present invention, the period required for scanning one screen (one image) is shortened to 1/4 of one frame period Tf. Therefore, the selection time per gate line 8 is as short as Tf / 4m. When the scanning of one screen is completed and the gate line G1 is next selected, the data voltages VD1, VD2,..., VDn of the voltage value VDL for turning off the driver transistor 22 are all data lines D1, D2, ..., applied to Dn.
[0036]
In such a voltage scheme, about 1/4 of one frame period is a light emission period, and the remaining 3/4 is an extinction period (non-light emission period). In order to prevent the effective light emission time of the OLED 24 from being shortened and the display image from becoming dark, the peak value of the data voltage is set to be four times the current. Since the value of one frame period Tf is about 16 ms, the period of light emission is about 4 ms. However, because of the high-speed response of the OLED 24, light can be emitted over almost all of this period.
[0037]
Although the image display device is driven in this way, the fact that edge blur of a moving image can be suppressed will be described.
[0038]
First, the occurrence of edge blurring of a moving image will be described with reference to FIG. 6 for easy understanding.
[0039]
As shown in FIG. 6A, consider an image in which a black rectangle moves as a moving image at a constant speed in the arrow direction from the left to the right in the drawing. When this moving image is displayed in a hold type, the display content is rewritten every one frame interval, and the display content is held for one frame period. Focus on expanding.
[0040]
FIG. 6B schematically shows the time change of the enlarged portion for each Tf. As shown in FIG. 6B, the rectangular edge portion is displayed while moving in a staircase pattern over time. FIG. 6B shows an example in which the edge moves 4 pixels per frame.
[0041]
The user's eyes who see this display screen continuously move his / her line of sight following the moving image as indicated by an arrow A in FIG. Since the white background is also recognized during the movement of the line of sight, the luminance signal of the moving image perceived by the user is an integrated value of the white signal and the black signal. That is, the black rectangular edge is blurred.
[0042]
On the other hand, FIG. 7 shows the appearance of an image by driving according to the present invention for the pixels in one row of FIG. 6B.
[0043]
In FIG. 7, for example, the light is extinguished from time t = t0 + Tf / 4 to t = t0 + Tf. However, when the line of sight moves during this extinction period, the white background is not integrated, so that the blurring of the edge, that is, the moving image display characteristic is It will be greatly improved.
[0044]
In the above-described embodiment, the ratio of the light emission period to the quenching period is set to 1: 3. However, since there is no image quality deterioration in the display characteristics of the CRT that observes the afterglow (<˜3 ms) of the phosphor, the timing adjustment is performed. The circuit 12 can further increase the effect of the present invention by further shortening the light emission period.
[0045]
FIG. 8 shows another embodiment of the present invention.
[0046]
8 is different from the embodiment of FIG. 4 in that a current supply line driving circuit 15 is provided and placed under the control of the display controller 11. Each current supply line 10 is provided with a switch 16 for switching the supply voltage of the current supply line 10 in conjunction with the gate voltage for extinction as shown in FIG.
[0047]
FIG. 10 shows a pixel matrix diagram of the display unit 2. 10 is different from FIG. 2 in that current supply lines A1, A2,... Am in which anode electrodes of the OLED 24 are bundled for each row are provided, and voltages VA1, VA2,. That is, VAm is not constant but a plurality of values.
[0048]
The operation of this configuration will be described with reference to the time chart shown in FIG. Also in this embodiment, providing the light emission period and the extinction period is the same as the embodiment shown in FIG.
[0049]
After the end of the light emission period of one frame, a voltage for once turning on the driver transistor 22 in the non-saturation region is applied at the timing of reselecting the gate line 8, and at the same time, the current supply lines A1, A2,. The voltages VA1, VA2,... VAm applied to Am are lowered to the low voltage level VAL. The value of the low voltage level VAL is set lower than the voltage level of the common potential line 9.
[0050]
When the voltages VA1, VA2,... VAm of the current supply lines A1, A2,... Am are set to the low voltage level VAL, the potential of the pixel electrode of the OLED 24 becomes substantially the voltage level of the common potential line 9. This is the reverse of the direction of the bias when emitting light. At this time, if the driver transistor 22 is turned off, this reverse bias application state is maintained over the extinction period. Such voltage application can be realized by connecting the current supply line 10 in a stripe shape in parallel with the gate line 8.
[0051]
In the OLED 24, when a forward bias DC is continuously applied, a space charge or the like is gradually generated and the luminance is lowered. However, if a reverse bias is applied as in the present embodiment, the space charge generation can be prevented, and thus a long lifetime is achieved. Can be.
[0052]
The formation of the stripe-shaped current supply line 10 in the embodiment shown in FIGS. 8 and 10 will be described with reference to FIGS. FIG. 12 shows a planar structure of the pixel portion of the image display device 1, and FIG. 13 shows a cross-sectional structure taken along line AA 'of FIG.
[0053]
An island-like silicon film for forming the switch transistor 21 and the driver transistor 22 is formed on the glass substrate 6, and a gate insulating film is formed on the surface thereof. On the gate insulating film, a gate electrode, a gate line 8, and an electrode for a storage capacitor 23 are formed, and then a source / drain region is formed in a self-aligned manner on the gate electrode. Thereafter, the first interlayer insulating film 30 is provided, and the data line 7, the common potential line 9, and the electrode for the storage capacitor 23 are formed through the contact holes.
[0054]
Furthermore, after providing the cathode 24K and the organic layer 24O of the OLED 24 that is the pixel electrode through the contact hole of the second interlayer insulating film 31, the transparent anode 24A that is the counter electrode is connected to this (connected cover) Current supply line 10 is provided. The current supply line 10 extends in the row direction, that is, the direction in which the gate line 8 extends.
[0055]
The OLED light emitting device 24 includes a cathode 24K made of a metal film such as lithium-containing aluminum or calcium connected on a metal layer connected to the drain of the driver transistor 22, an organic semiconductor layer 24O, and a transparent anode 24A made of an indium-containing oxide film. It has a laminated structure.
[0056]
FIG. 14 shows another example of driving in the embodiment shown in FIG. 14 clearly shows that the drive voltage waveform has a light emission period and a quenching period of 1: 3, and that the voltages VA1, VA2,... VAm of the current supply line 10 are in the quenching period. It is the same that the low voltage level VAL is inside.
[0057]
In the data drive voltage according to the form of FIG. 14, the voltage level when turning off the driver transistor 22 from the application of the turn-on voltage of the driver transistor 22 synchronized with the gate reselection pulse is made lower than VDL. 9 or lower than the potential of the pixel electrode.
[0058]
If the voltage of the gate line 8 is set to a non-selected state in this state, the gate voltage of the driver transistor 22 is kept lower than the source / drain voltage. That is, the driver transistor 22 driven with a positive gate voltage at the time of light emission is applied with a negative gate voltage at the time of extinction, and a characteristic shift caused by charge injection into the gate insulating film of the transistor and a display accompanying it. Image quality deterioration can be prevented.
[0059]
As described above, the image display apparatus of the present invention drives the pixels by forming a quenching period in which the electro-optic element is quenched after scanning a plurality of gate lines in order to display one image. When the line of sight moves during the period, the integration of the white background is lost, so the blurring of the edge, that is, the display characteristics of the moving image is greatly improved.
[0060]
In the above-described embodiment, since the extinction scan is performed after the light emission scan is completed, the moving image display characteristics can be improved without changing the configuration of pixels generally used for active matrix driving.
[0061]
Furthermore, since a reverse bias is applied to the OLED 24, space charge generation can be prevented, so that a long life can be obtained and an image display device with little display luminance degradation can be obtained.
[0062]
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the present invention can be applied to a structure in which the driver transistor 22 is a P-channel type and light is extracted from the substrate 6 side as shown in FIG. Of course.
[0063]
In the above-described embodiment, the extinction period in which the electro-optic element is extinguished is formed within one frame period for displaying one image. In short, in order to display one image, the electric light is scanned after scanning a plurality of gate lines. It is obvious that a quenching period for quenching the optical element may be formed.
[0064]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, the pixel is driven by forming an extinction period in which the electro-optic element is extinguished after scanning a plurality of gate lines in order to display one image. When moving the line of sight, the integration of the white background is eliminated, so that the blurring of the edge, that is, the display characteristics of the moving image can be greatly improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of an image display device of the present invention.
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of an active matrix.
FIG. 3 is an example of an active matrix driving pixel;
FIG. 4 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a time chart for explaining a driving operation of the present invention.
FIG. 6 is a diagram for explaining edge blur of a moving image in conventional driving.
FIG. 7 is a diagram for explaining edge blurring of a moving image according to the present invention.
FIG. 8 is a block diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram for explaining the configuration of FIG. 8;
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of an active matrix in another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a time chart for explaining a driving operation of another embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a diagram illustrating a planar structure of a pixel portion of an image display device according to the present invention.
FIG. 13 is a diagram for explaining a cross-sectional structure of a pixel portion of an image display device according to the present invention.
FIG. 14 is a time chart for explaining another driving operation in another embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a diagram illustrating another cross-sectional structure example of a pixel portion of an image display device to which the present invention is applied.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Image display apparatus, 2 ... Display part, 3 ... Data drive circuit, 4 ... Scan drive circuit, 5 ... Current supply drive circuit, 6 ... Substrate, 7 ... Data line, 8 ... Gate line, 9 ... Common potential line, DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Current supply line, 20 ... Pixel, 21 ... Switch transistor, 22 ... Driver transistor, 23 ... Storage capacity, 24 ... OLED light emitting element.

Claims (6)

走査信号を供給される複数のゲート線に画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを含む画素を備えた画像表示装置であって、前記画素は,前記ゲート線を介して走査信号が供給される第1の薄膜トランジスタと,前記第1の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像信号を保持する蓄積容量と,前記蓄積容量によって保持された前記画像信号が供給されるNチャネル型の第2の薄膜トランジスタと,画素電極が前記第2の薄膜トランジスタを介して共通電位線と電気的に接続されたときに前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する電気光学素子とを具備し、
1画像を表示するために前記複数のゲート線に前記走査信号を供給した後に、前記複数のゲート線に前記走査信号を供給すると共に前記複数のデータ線に負電圧の前記画像信号を供給して前記電気光学素子を消光させる消光期間を形成して前記画素が駆動され、前記消光期間は前記第2の薄膜トランジスタのゲートに負電圧が印加されることを特徴とする画像表示装置。
An image display device comprising a plurality of gate lines to which scanning signals are supplied and a plurality of data lines to which image signals are supplied crossing each other and formed in a matrix, and comprising pixels including electro-optic elements and thin film transistors. The pixel includes a first thin film transistor to which a scanning signal is supplied through the gate line, a storage capacitor for holding an image signal supplied from the data line through the first thin film transistor, and a storage capacitor. An N-channel second thin film transistor to which the image signal is supplied, and the pixel electrode and the counter electrode when the pixel electrode is electrically connected to the common potential line through the second thin film transistor. An electro-optic element that emits light by a driving current flowing between them,
After supplying the scanning signal to the plurality of gate lines to display one image, the scanning signal is supplied to the plurality of gate lines and the negative image signal is supplied to the plurality of data lines. An image display device, wherein the pixel is driven by forming a quenching period for quenching the electro-optic element, and a negative voltage is applied to the gate of the second thin film transistor during the quenching period.
走査信号を供給される複数のゲート線に画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを含む画素を備えた動画像を表示する画像表示装置であって、前記画素は,前記ゲート線を介して走査信号が供給される第1の薄膜トランジスタと,前記第1の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像信号を保持する蓄積容量と,前記蓄積容量によって保持された前記画像信号が供給されるNチャネル型の第2の薄膜トランジスタと,画素電極が前記第2の薄膜トランジスタを介して共通電位線と電気的に接続されたときに前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する電気光学素子とを具備し、
1画像を表示する1フレーム期間と次の1画像を表示する1フレーム期間の間に前記電気光学素子を消光させる消光期間を形成し、前記消光期間には、前記複数のゲート線に前記走査信号を供給されると共に前記複数のデータ線に前記走査信号に同期させて前記複数のデータ線に前記電気光学素子の負電圧の消光用画像信号を供給されるように前記画素が駆動され、前記消光期間は前記第2の薄膜トランジスタのゲートに負電圧が印加されることを特徴とする画像表示装置。
An image display device that displays a moving image including a plurality of gates to which scanning signals are supplied and a plurality of data lines to which image signals are supplied intersects to form a matrix and includes pixels including electro-optic elements and thin film transistors The pixel includes a first thin film transistor to which a scanning signal is supplied via the gate line, a storage capacitor for holding an image signal supplied from the data line via the first thin film transistor, An N-channel second thin film transistor to which the image signal held by the storage capacitor is supplied and the pixel electrode when the pixel electrode is electrically connected to a common potential line through the second thin film transistor And an electro-optic element that emits light by a driving current flowing between the counter electrode and the counter electrode,
An extinction period for extinguishing the electro-optic element is formed between one frame period for displaying one image and one frame period for displaying the next one image. In the extinction period, the scanning signal is applied to the plurality of gate lines. And the pixel is driven so that a negative voltage extinction image signal of the electro-optic element is supplied to the plurality of data lines in synchronization with the scanning signal. An image display device, wherein a negative voltage is applied to the gate of the second thin film transistor during the period.
請求項1,2のいずれか1項において、前記ゲート線、前記データ線、前記第1と第2の薄膜トランジスタ、蓄積容量及び前記電気光学素子は同一の基板に搭載されていることを特徴とする画像表示装置。  3. The method according to claim 1, wherein the gate line, the data line, the first and second thin film transistors, the storage capacitor, and the electro-optic element are mounted on the same substrate. Image display device. 走査信号を供給される複数のゲート線に画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを含む画素を備え、前記画素は,前記ゲート線を介して走査信号が供給される第1の薄膜トランジスタと,前記第1の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像信号を保持する蓄積容量と、前記蓄積容量によって保持された前記画像信号が供給されるNチャネル型の第2の薄膜トランジスタと、画素電極が前記第2の薄膜トランジスタを介して共通電位線と電気的に接続されたときに前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する電気光学素子とを具備した画像表示装置の駆動方法において、
1画像を表示するために前記複数のゲート線に前記走査信号を供給した後に、前記複数のゲート線に前記走査信号を供給すると共に前記複数のデータ線に負電圧の前記画像信号を供給して前記電気光学素子を消光させる消光期間を形成して前記画素を駆動し、前記消光期間は前記第2の薄膜トランジスタのゲートに負電圧を印加するようにしたことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
A plurality of data lines to which image signals are supplied intersect with a plurality of gate lines to which scanning signals are supplied to form a matrix, and include a pixel including an electro-optic element and a thin film transistor, and the pixels include the gate lines. A first thin film transistor to which a scanning signal is supplied via, a storage capacitor for holding an image signal supplied from the data line via the first thin film transistor, and the image signal held by the storage capacitor is supplied a second thin film transistor of N channel type that is, light emission by the driving current flowing between the pixel electrode and the counter electrode when the pixel electrode is electrically connected to the common potential line through said second thin film transistor In the driving method of the image display device comprising the electro-optic element
After supplying the scanning signal to the plurality of gate lines to display one image, the scanning signal is supplied to the plurality of gate lines and the negative image signal is supplied to the plurality of data lines. A driving method of an image display device, wherein the pixel is driven by forming a quenching period for quenching the electro-optic element, and a negative voltage is applied to the gate of the second thin film transistor during the quenching period. .
走査信号を供給される複数のゲート線に画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを含む画素を備え、前記画素は,前記ゲート線を介して走査信号が供給される第1の薄膜トランジスタと,前記第1の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像信号を保持する蓄積容量と、前記蓄積容量によって保持された前記画像信号が供給されるNチャネル型の第2の薄膜トランジスタと、画素電極が前記第2の薄膜トランジスタを介して共通電位線と電気的に接続されたときに前記画素電極と対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する電気光学素子とを具備した画像表示装置の駆動方法において、
1画像を表示する1フレーム期間内に前記電気光学素子を消光させる消光期間を形成し、前記消光期間には前記複数のゲート線に前記走査信号を供給すると共に前記走査信号に同期させて前記複数のデータ線に前記電気光学素子の負電圧の消光用画像信号を供給して前記画素を駆動し、前記消光期間は前記第2の薄膜トランジスタのゲートに負電圧を印加するようにしたことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
A plurality of data lines to which image signals are supplied intersect with a plurality of gate lines to which scanning signals are supplied to form a matrix, and include a pixel including an electro-optic element and a thin film transistor, and the pixels include the gate lines. A first thin film transistor to which a scanning signal is supplied via, a storage capacitor for holding an image signal supplied from the data line via the first thin film transistor, and the image signal held by the storage capacitor is supplied a second thin film transistor of N channel type that is, light emission by the driving current flowing between the pixel electrode and the counter electrode when the pixel electrode is electrically connected to the common potential line through said second thin film transistor In the driving method of the image display device comprising the electro-optic element
An extinction period for extinguishing the electro-optic element is formed within one frame period for displaying one image. In the extinction period, the scanning signal is supplied to the plurality of gate lines and the plurality of the scanning signals are synchronized with the scanning signal. A negative voltage extinction image signal of the electro-optic element is supplied to the data line to drive the pixel, and a negative voltage is applied to the gate of the second thin film transistor during the extinction period. Method for driving an image display device.
請求項4,5のいずれか1項において、消光した前記電気光学素子に逆バイアス電圧を印加することを特徴とする画像表示装置の駆動方法。  6. The method for driving an image display device according to claim 4, wherein a reverse bias voltage is applied to the quenched electro-optical element.
JP2001191158A 2000-06-27 2001-06-25 Image display apparatus and driving method thereof Expired - Fee Related JP3877049B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001191158A JP3877049B2 (en) 2000-06-27 2001-06-25 Image display apparatus and driving method thereof

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000192824 2000-06-27
JP2000-192824 2000-06-27
JP2001191158A JP3877049B2 (en) 2000-06-27 2001-06-25 Image display apparatus and driving method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002091376A JP2002091376A (en) 2002-03-27
JP3877049B2 true JP3877049B2 (en) 2007-02-07

Family

ID=26594770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001191158A Expired - Fee Related JP3877049B2 (en) 2000-06-27 2001-06-25 Image display apparatus and driving method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3877049B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8803924B2 (en) 2010-09-03 2014-08-12 Japan Display Inc. Display device

Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6864863B2 (en) * 2000-10-12 2005-03-08 Seiko Epson Corporation Driving circuit including organic electroluminescent element, electronic equipment, and electro-optical device
JP4556957B2 (en) * 2000-10-12 2010-10-06 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
TW518528B (en) * 2001-01-08 2003-01-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Driving method of active matrix electro-luminescent display
JP3757797B2 (en) * 2001-01-09 2006-03-22 株式会社日立製作所 Organic LED display and driving method thereof
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
JP3810724B2 (en) * 2001-09-17 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP3917494B2 (en) * 2001-09-17 2007-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 Driving method of light emitting device
TW563088B (en) * 2001-09-17 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
JP4163225B2 (en) * 2001-09-17 2008-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and light emitting device
JP3810725B2 (en) 2001-09-21 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
US7170478B2 (en) 2002-03-26 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving light-emitting device
JP4467900B2 (en) * 2002-03-26 2010-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Driving method of light emitting device
KR100828513B1 (en) * 2002-07-05 2008-05-13 삼성전자주식회사 Organic light emitting panel and organic light emitting device
JP3829778B2 (en) 2002-08-07 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 Electronic circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4023335B2 (en) 2003-02-19 2007-12-19 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
TWI254898B (en) * 2003-10-02 2006-05-11 Pioneer Corp Display apparatus with active matrix display panel and method for driving same
JP4147410B2 (en) * 2003-12-02 2008-09-10 ソニー株式会社 Transistor circuit, pixel circuit, display device, and driving method thereof
JP2005164894A (en) * 2003-12-02 2005-06-23 Sony Corp Pixel circuit and display device, and their driving methods
DE602004022984D1 (en) 2003-12-23 2009-10-15 Thomson Licensing IMAGE DISPLAY SCREEN
CN100456346C (en) * 2003-12-31 2009-01-28 汤姆森许可贸易公司 Image display screen and method of addressing said screen
KR101152117B1 (en) * 2004-01-02 2012-06-15 삼성전자주식회사 Display device and driving method thereof
KR20050080318A (en) * 2004-02-09 2005-08-12 삼성전자주식회사 Method for driving of transistor, and driving elementusing, display panel and display device using the same
KR100568596B1 (en) 2004-03-25 2006-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Electro-Luminescence Display Apparatus and Driving Method thereof
KR101066414B1 (en) * 2004-05-19 2011-09-21 재단법인서울대학교산학협력재단 Driving element and driving method of organic light emitting device, and display panel and display device having the same
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
JP4111185B2 (en) * 2004-10-19 2008-07-02 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
JP5121118B2 (en) * 2004-12-08 2013-01-16 株式会社ジャパンディスプレイイースト Display device
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
EP2688058A3 (en) 2004-12-15 2014-12-10 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
JP5173196B2 (en) * 2004-12-27 2013-03-27 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Image display apparatus, driving method thereof, and driving method of electronic device
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
KR20080032072A (en) 2005-06-08 2008-04-14 이그니스 이노베이션 인크. Method and system for driving a light emitting device display
KR101157979B1 (en) * 2005-06-20 2012-06-25 엘지디스플레이 주식회사 Driving Circuit for Organic Light Emitting Diode and Organic Light Emitting Diode Display Using The Same
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
EP2008264B1 (en) * 2006-04-19 2016-11-16 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
KR101245218B1 (en) * 2006-06-22 2013-03-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
JP2009244665A (en) 2008-03-31 2009-10-22 Sony Corp Panel and driving controlling method
KR101048994B1 (en) * 2009-01-29 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic electroluminescence display device and driving method thereof
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US8283967B2 (en) 2009-11-12 2012-10-09 Ignis Innovation Inc. Stable current source for system integration to display substrate
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
WO2012008232A1 (en) 2010-07-12 2012-01-19 シャープ株式会社 Display device and method for driving same
WO2012053462A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 シャープ株式会社 Display device and drive method therefor
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US9134825B2 (en) 2011-05-17 2015-09-15 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
EP3293726B1 (en) 2011-05-27 2019-08-14 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for aging compensation in amoled displays
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
DE112014000422T5 (en) 2013-01-14 2015-10-29 Ignis Innovation Inc. An emission display drive scheme providing compensation for drive transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
WO2014140992A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Ignis Innovation Inc. Dynamic adjustment of touch resolutions on an amoled display
CN105144361B (en) 2013-04-22 2019-09-27 伊格尼斯创新公司 Detection system for OLED display panel
WO2015022626A1 (en) 2013-08-12 2015-02-19 Ignis Innovation Inc. Compensation accuracy
JP2015043030A (en) * 2013-08-26 2015-03-05 凸版印刷株式会社 Display device and display method
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
US10192479B2 (en) 2014-04-08 2019-01-29 Ignis Innovation Inc. Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device
CN104464618B (en) * 2014-11-04 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 AMOLED drive device and drive method
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
US10586491B2 (en) 2016-12-06 2020-03-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for mitigation of hysteresis
WO2018167835A1 (en) * 2017-03-14 2018-09-20 シャープ株式会社 Organic electroluminescence display device
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3169974B2 (en) * 1991-04-08 2001-05-28 パイオニア株式会社 Organic electroluminescent display device and driving method thereof
JPH0594150A (en) * 1991-08-13 1993-04-16 Fuji Xerox Co Ltd Tft driven thin film el element
US5748160A (en) * 1995-08-21 1998-05-05 Mororola, Inc. Active driven LED matrices
WO1998036405A1 (en) * 1997-02-17 1998-08-20 Seiko Epson Corporation Current-driven emissive display device, method for driving the same, and method for manufacturing the same
JPH10254390A (en) * 1997-03-10 1998-09-25 Canon Inc Liquid crystal device
JP3371200B2 (en) * 1997-10-14 2003-01-27 富士通株式会社 Display control method of liquid crystal display device and liquid crystal display device
GB9812739D0 (en) * 1998-06-12 1998-08-12 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
GB9812742D0 (en) * 1998-06-12 1998-08-12 Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
JP3734629B2 (en) * 1998-10-15 2006-01-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション Display device
JP2000163014A (en) * 1998-11-27 2000-06-16 Sanyo Electric Co Ltd Electroluminescence display device
JP3259774B2 (en) * 1999-06-09 2002-02-25 日本電気株式会社 Image display method and apparatus
JP4092857B2 (en) * 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 Image display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8803924B2 (en) 2010-09-03 2014-08-12 Japan Display Inc. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002091376A (en) 2002-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3877049B2 (en) Image display apparatus and driving method thereof
US8174467B2 (en) Picture image display device and method of driving the same
JP3772889B2 (en) Electro-optical device and driving device thereof
US10319299B2 (en) Display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2021185430A (en) Light-emitting device and element substrate
US6924602B2 (en) Organic EL pixel circuit
JP3612494B2 (en) Display device
US7733309B2 (en) Image display apparatus
JP4826597B2 (en) Display device
JP2010008521A (en) Display device
TWI444953B (en) Display apparatus, pixel layout method for display apparatus, and electronic device
JP2010008523A (en) Display device
JP2009169071A (en) Display device
KR20100124256A (en) Display device
JP2007148222A (en) Image display apparatus
JP5738270B2 (en) Display device
JP4039441B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2011209434A (en) Display device and electronic device
JP2005165320A (en) Light emitting display device and its driving method
KR20040025816A (en) Image display device
JP2003150118A (en) El display device and its driving method, and information display device
US8094110B2 (en) Active matrix display device
JP4049191B2 (en) Image display device
JP4049190B2 (en) Image display apparatus and driving method thereof
JP2005352147A (en) Active matrix type light emitting display panel

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20031117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060518

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061025

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees