JP3876009B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、フィールドシールド素子分離構造を備えた半導体装置及びその製造方法に関し、例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)、フラッシュメモリ等の半導体装置及びその製造方法に適用して特に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体記憶装置等の半導体装置に従来用いられてきた素子分離法としては、例えば、特開平5−136429号公報に開示されているLOCOS(local oxidation of silicon) 法や、特開平5−198778号公報及び “A 3.6 μm2 Memory Cell Structure for 16 MB EPROM" (Y. Hisamune et al., IEDM-89, 1989, pp583-586)に開示されているトレンチ分離法がある。LOCOS法は製造方法が簡便で、且つ、欠陥の発生を比較的制御しやすいという利点を有する。
【0003】
しかし、LSIのより高集積化の要請に伴い、LOCOS法には、以下のような問題が生じてきた。すなわち、加工上の観点からは、バーズビークの発生や必要酸化膜厚による素子分離のピッチの問題である。また、電気特性上の観点からは、不純物の横方向拡散に関連したフィールド反転、短チャネル効果及びパンチスルーの問題である。
【0004】
図4は、LOCOS法を用いて素子分離を行った従来のスタックドゲート型EEPROMメモリセルのワード線(制御ゲート)に沿った方向の断面図を示す。
【0005】
図4において、シリコン基板201上にLOCOS法により素子分離酸化膜202が形成され、素子分離酸化膜202の間の素子形成領域には、トンネル酸化膜203を介して多結晶シリコン膜からなる浮遊ゲート204が形成され、更に、浮遊ゲート204上には、絶縁膜205を介して多結晶シリコン膜からなるワード線(制御ゲート)206が形成されている。
【0006】
このような構成では、LOCOS法を用いて素子分離を行っているために、上記のような問題が微細化及び高集積化の妨げとなっていた。特に、EEPROMやフラッシュメモリの場合には、書き込みや消去の際に、ワード線206に5V以上の高電圧が印加されるために、素子分離酸化膜202の下に寄生チャネルが形成されやすく、特別の配慮が必要である。
【0007】
そこで、図5に示すようなトレンチ素子分離法が提案された。
【0008】
図5は、トレンチ素子分離法を適用したスタックドゲート型EEPROMメモリセルのワード線に沿った方向の断面図を示す。
【0009】
図5において、シリコン基板301上にトンネル酸化膜層304を介して多結晶シリコン層からなる浮遊ゲート305が形成され、更に、浮遊ゲート305上には絶縁層306を介して多結晶シリコン層からなる制御ゲート307が形成されている。そして、シリコン基板301、浮遊ゲート305及び制御ゲート307はトレンチ309によってメモリセル毎に素子分離され、トレンチ309はトレンチ絶縁膜303を介してBPSG膜302によって埋め込まれ、制御ゲート307はタングステンシリサイドのワード線308に接続されている。
【0010】
この構造では、トレンチ309によって、素子形成領域を分離すると同時に、浮遊ゲート305及び制御ゲート307もメモリセル毎に分離しており、微細なセル面積を実現する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図5に示した構造に代表されるトレンチ素子分離法では、基板にトレンチ(溝)を形成しなければならないために、製造工程が複雑になるという問題があった。また、トレンチの加工時に発生する欠陥の制御も困難であった。
【0012】
そこで、本発明の目的は、簡便な方法で製造でき、且つ、フィールド反転や短チャネル効果を引き起こすことなく素子形成領域の面積を縮小できる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、互いに平行な方向に延びる複数のシールド酸化膜と、前記複数のシールド酸化膜の各々の上に形成された複数のシールド電極と、前記複数のシールド電極の各々の上に形成された複数のシールドキャップ絶縁膜と、前記シールド酸化膜、シールド電極及びシールドキャップ絶縁膜からなる複数の積層体の各々の側面に形成された複数のサイドウォール絶縁膜と、前記サイドウォール絶縁膜の下方において前記半導体基板の表面に形成され、前記第1の方向に延びる複数の第2導電型の不純物拡散層と、前記複数のサイドウォール絶縁膜のうちの隣り合うものの各隙間において、前記半導体基板上に形成された複数のトンネル絶縁膜と、前記複数のトンネル絶縁膜の各々の上に形成され、前記サイドウォール絶縁膜に倣って前記シールドキャップ絶縁膜上まで延びる複数の浮遊ゲートと、前記複数の浮遊ゲートを覆うゲート間絶縁膜と、前記ゲート間絶縁膜上の平面視で前記複数の浮遊ゲートのうちの少なくとも1つと整合する位置に形成された制御ゲートと、を有することを特徴とする。
【0014】
前記複数の浮遊ゲートは、前記複数のゲート絶縁膜の各々の上において、等間隔で配列していることが好ましい。
【0015】
また、前記複数の浮遊ゲートは、アレイ状に配列しており、前記制御ゲートは、前記複数の浮遊ゲートのうちで、前記シールド絶縁膜が延びる方向に対して直交する方向において列をなすものと平面視で整合する位置に形成されていることが好ましい。
【0016】
更に、前記制御ゲートをワード線として用い、前記複数の第2導電型の不純物拡散層のうちで、前記浮遊ゲートの両側に位置して対をなす2個の一方をビット線として用いることが好ましい。
【0017】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1導電型の半導体基板上に第1の絶縁膜、第1の導電膜及び第2の絶縁膜を順次形成する工程と、前記第1の絶縁膜、第1の導電膜及び第2の絶縁膜をパターニングすることにより、互いに平行な方向に延びる複数の積層体を形成する工程と、前記複数の積層体の側面の下方において前記半導体基板の表面に、前記第1の方向に延びる複数の第2導電型の不純物拡散層を形成する工程と、前記複数の積層体の各々の側面にサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、前記複数のサイドウォール絶縁膜のうちの隣り合うものの各隙間において、前記半導体基板上に複数のトンネル絶縁膜を形成する工程と、前記複数のトンネル絶縁膜の各々の上に、前記サイドウォール絶縁膜に倣って前記シールドキャップ絶縁膜上まで延びる複数の浮遊ゲートを形成する工程と、前記複数の浮遊ゲートを覆うゲート間絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート間絶縁膜上の平面視で前記複数の浮遊ゲートのうちの少なくとも1つと整合する位置に制御ゲートを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【0018】
前記複数の浮遊ゲートを形成する工程は、全面に第2の導電膜を形成する工程と、前記第2の導電膜をパターニングすることにより、前記複数のゲート絶縁膜の各々の上において、前記第2の導電膜を等間隔で残す工程と、を有することが好ましい。
【0019】
また、前記複数の浮遊ゲートを形成する工程は、前記複数の浮遊ゲートをアレイ状に配列させる工程を有し、前記制御ゲートを形成する工程は、全面に第3の導電膜を形成する工程と、前記第3の導電膜をパターニングすることにより、前記複数の浮遊ゲートのうちで、前記シールド絶縁膜が延びる方向に対して直交する方向において列をなすものと平面視で整合する位置に、前記第3の導電膜を残す工程と、を有することが好ましい。
【0020】
更に、前記不純物拡散層を形成する工程は、不純物の斜めイオン注入を行う工程を有することが好ましい。
【0036】
【実施例】
以下、本発明を実施例につき図1〜図3を参照しながら説明する。
【0037】
図1は、本発明の一実施例によるスタックドゲート型EEPROMのメモリセルのレイアウトを示す概略平面図であり、図2は、図1のA−A線に沿って見た概略断面図である。
【0038】
図2に示すように、P型シリコン基板101上には、シールドゲート酸化膜102を介して多結晶シリコン膜からなるシールド電極103が図1に示すようなパターンに形成され、このシールド電極103を、シールドキャップ絶縁膜104及びサイドウォール絶縁膜106が覆って、フィールドシールド素子分離構造が形成されている。なお、フィールドシールド素子分離構造については、“Fully Planarized 0.5 μm Technologies for 16M DRAM"(W. Wakamiya et al., 246-IEDM, 1988, pp.246-249) を参照されたい。
【0039】
フィールドシールド素子分離構造は、長手方向(図1において上下方向)に平行に延びる複数のシールド電極103を含み、隣接する各2本のフィールドシールド素子分離構造の間に素子形成領域220が形成されている。
【0040】
一方、シリコン基板101の表面には、各フィールドシールド素子分離構造の長手方向と例えば直角に交わる横方向(図1において左右方向)に延びる複数の横方向領域210が画定されている。そして、その横方向領域210と素子形成領域220との交差点に対応する部分に個々の半導体素子が次に述べる態様で形成されている。
【0041】
まず、シリコン基板101の表面の各フィールドシールド素子分離構造の上下方向に延びる互いに対向する側面に近接する部分、即ち、隣接する2本のフィールドシールド素子分離構造の間に形成される素子形成領域220の上下方向に延びる両側辺に近接する部分に一対のN型不純物拡散層105が形成され、これらの不純物拡散層105がソース/ドレインとして機能する。
【0042】
一方、横方向領域210と素子形成領域220との交差点に対応する部分に、横方向領域210に沿って多結晶シリコン膜からなる複数の浮遊ゲート108(図1において斜線領域で示す。)がトンネル絶縁膜107を介して形成されている。また、浮遊ゲート108上には、ゲート間絶縁膜(ONO膜)109を介して多結晶シリコン膜からなる配線層110が形成されている。配線層110は、横方向領域210に沿って配列する複数の半導体素子の共通の制御ゲートとして機能し、この装置が、複数のメモリセル150をマトリクス状に配した半導体メモリとして用いられる場合に、そのワード線として用いられる。
【0043】
図1に示すように、ソース/ドレイン拡散層105は、ワード線に直交する方向のメモリセルに共通に形成されている。そして、シリコン基板101内のソース/ドレイン拡散層105の一方(ドレイン)がビット線を構成し、他方(ソース)がソース線を構成している。このような構成により、各メモリセル150におけるビットコンタクト及びソースコンタクトが不要となり、その結果、各メモリセル150の面積縮小が可能となる。
【0044】
次に、本実施例の構造の製造方法を図3を参照しながら説明する。
【0045】
図3は、本実施例の構造の製造方法を工程順に示す図2に対応した概略断面図である。
【0046】
まず、図3(a)に示すように、P型シリコン基板101に熱酸化法又はCVD法によって、シールドゲート酸化膜102となる厚みが50〜100nm程度のシリコン酸化膜102′を形成する。そして、CVD法によって、シールド電極103となる厚みが100〜300nm程度のP又はN型にドープされた多結晶シリコン膜103′及びシールドキャップ絶縁膜104となる厚みが100〜500nm程度のシリコン窒化膜104′を順次形成する。
【0047】
次に、図3(b)に示すように、シリコン酸化膜102′、多結晶シリコン膜103′及びシリコン窒化膜104′をフォトリソグラフィー及び異方性ドライエッチングによってパターニングし、素子分離領域に、シールドゲート酸化膜102、シールド電極103及びシールドキャップ絶縁膜104を形成する。
【0048】
次に、図3(c)に示すように、斜めイオン注入112により、シールドゲート酸化膜102、シールド電極103及びシールドキャップ絶縁膜104をマスクとしてシリコン基板101内に砒素を打ち込み、ソース/ドレイン拡散層105を形成する。この時の条件としては、砒素を打ち込む場合、エネルギーを50〜90keV、ドーズ量を5×1015cm-2に設定する。
【0049】
さらに、打ち込みの角度θは、シールドゲート酸化膜102、シールド電極103及びシールドキャップ絶縁膜104の膜厚の合計(高さ)をa、間隔をbとすると、
θ=tan-1(a/b)
で与えられる。例えば、シールドゲート酸化膜102、シールド電極103及びシールドキャップ絶縁膜104の厚みがそれぞれ50nm、100nm及び100nm(a=0.25μm)で、間隔bが1μmの時、θはおよそ14〜15°となり、シールドゲート酸化膜102、シールド電極103及びシールドキャップ絶縁膜104の厚みがそれぞれ100nm、300nm及び500nm(a=0.9μm)で、間隔bが1μmの時、θはおよそ42〜45°となる。
【0050】
このように基板101に対して斜め方向からイオン注入112を行うことにより、シールドゲート酸化膜102、シールド電極103及びシールドキャップ絶縁膜104がマスクとなって、それらの端部近傍部分に、互いに離隔したソース/ドレイン拡散層105が自己整合的に形成される。そして、この時に打ち込まれた不純物が後の熱処理によって若干横方向に拡散し、シールドゲート酸化膜102の下方に一部が重なった形のソース/ドレイン拡散層105が形成される。
【0051】
次に、図3(d)に示すように、厚みが100〜300nm程度のシリコン窒化膜を全面に堆積し、異方性ドライエッチングを施すことにより、シリコン窒化膜からなるサイドウォール絶縁膜106をシールド電極103の側壁に形成する。そして、熱酸化法により、シリコン基板101の表面を熱酸化し、厚みが10nm程度のトンネル酸化膜107を形成する。この時、シールド電極103を構成する多結晶シリコンも同時に酸化されないようにするため、シールドキャップ絶縁膜104及びサイドウォール絶縁膜106は、いずれも、耐酸化性を有するシリコン窒化膜で構成するのが望ましいが、一方又は両方ともシリコン酸化膜であってもよい。
【0052】
次に、CVD法によって厚みが100〜300nm程度の多結晶シリコン膜を全面に堆積し、これをフォトリソグラフィー及び異方性ドライエッチングによりパターニングして、浮遊ゲート108を形成する。
【0053】
次に、図3(e)に示すように、ONO膜(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜)109を全面に形成する。このONO膜109の膜厚は、同一容量の酸化膜厚に換算して15〜20nm程度であり、ボトム及びトップのシリコン酸化膜は熱酸化又はCVD法による堆積で形成する。なお、ONO膜109の代わりにシリコン酸化膜を用いてもよい。
【0054】
次に、厚みが100〜300nm程度の多結晶シリコン膜を全面に堆積し、これをフォトリソグラフィー及び異方性ドライエッチングによりパターニングして、ワード線(制御ゲート)110を形成する。なお、ワード線110の低抵抗化を図るため、これをポリサイド構造としてもよい。
【0055】
この後、各種の配線形成工程を行うが、通常実施されている工程と同様であるため、その説明を省略する。
【0056】
以上に説明した実施例では、浮遊ゲート108を有するスタックドゲート型EEPROMの場合を説明したが、本発明は、同様に高電圧を印加するMNOS型の不揮発性半導体記憶装置についても、殆ど同様にして適用が可能である。また、記憶装置に限らず、本発明は、ゲート、ソース及びドレインを有する各種半導体装置の製造方法に適用が可能である。それらの場合、上述した製造方法において、ゲート構造の形成方法のみを異ならせればよい。例えば、MOSトランジスタを形成する場合、図3(d)〜(e)の工程において、シリコン基板101の表面にゲート酸化膜を形成した後、その上に、多結晶シリコン膜等からなるゲート配線をパターン形成すればよい。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、素子面積の大幅な縮小化が可能となる。また、シールド電極の電位によって、フィールド反転や短チャネル効果を防止することができる。更に、半導体装置の製造に際して、斜めイオン注入を行った場合には、不純物拡散層を簡便且つ自己整合的に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるスタックドゲート型EEPROMメモリセルのレイアウトを示す概略平面図である。
【図2】図1のA−A線に沿って見た概略断面図である。
【図3】本発明の一実施例によるスタックドゲート型EEPROMメモリセルの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図4】従来のLOCOS法によって素子分離を行ったスタックドゲート型EEPROMメモリセルの概略断面図である。
【図5】従来のトレンチ法によって素子分離を行ったスタックドゲート型EEPROMメモリセルの概略断面図である。
【符号の説明】
101 P型シリコン基板
102 シールド酸化膜
103 シールド電極
104 シールドキャップ絶縁膜
105 N型不純物拡散層(ソース/ドレイン)
106 サイドウォール絶縁膜
107 トンネル酸化膜
108 浮遊ゲート
109 ONO膜
110 ワード線(制御ゲート)
150 メモリセル
210 横方向領域
220 素子形成領域
Claims (8)
- 第1の導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された互いに離隔して長手方向に平行に延びる複数のフィールドシールド素子分離構造と、
隣接する各2本の前記フィールドシールド素子分離構造の間に形成された素子形成領域と、
前記各素子形成領域の前記長手方向に延びる互いに対向する側辺に近接する部分に形成された前記第1の導電型と異なる第2の導電型の一対の不純物拡散領域と、
前記半導体基板の前記表面上に画定されて前記長手方向と交差する横方向に延びる互いに離隔した複数の横方向領域と前記素子形成領域との交差点に対応する部分に形成された半導体素子であって、該半導体素子の各々が、ドレイン/ソースとして機能するその交差点に位置する前記一対の不純物拡散領域の部分と、その間に形成されるチャネル領域とを含むものである半導体素子と
を含んでなる半導体装置であって、
前記フィールドシールド素子分離構造の各々が、前記半導体基板上に形成された複数のシールド酸化膜と、前記複数のシールド酸化膜の各々の上に形成された複数のシールド電極と、前記複数のシールド電極の各々の上に形成された複数のシールドキャップ絶縁膜と、前記シールド酸化膜、シールド電極及びシールドキャップ絶縁膜からなる複数の積層体の各々の側面に形成された複数のサイドウォール絶縁膜とを有し、
前記近接する部分が、前記サイドウォール絶縁膜の下方において前記半導体基板の表面であり、
前記各交差点に形成された前記半導体素子が、前記半導体基板の前記表面の前記交差点の上に形成されたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜の上に形成され、前記サイドウォール絶縁膜に倣って前記シールドキャップ絶縁膜上まで延びる浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートの上に層間絶縁膜を介して形成された制御ゲートとを含むゲート電極構造を含むことを特徴とする半導体装置。 - 複数の前記浮遊ゲートは、前記交差点に対応する部分において、等間隔で配列していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 複数の前記浮遊ゲートは、アレイ状に配列しており、
前記制御ゲートは、複数の前記浮遊ゲートのうちで、前記長手方向に対して直交する方向において列をなすものと平面視で整合する位置に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記制御ゲートをワード線として用い、
複数の前記第2の導電型の不純物拡散層のうちで、前記浮遊ゲートの両側に位置して対をなす2個の一方をビット線として用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 第1の導電型の半導体基板上に第1の絶縁膜、第1の導電膜及び第2の絶縁膜を順次形成する工程と、
前記第1の絶縁膜、第1の導電膜及び第2の絶縁膜をパターニングすることにより、前記半導体基板上に形成された互いに離隔して長手方向に平行に延びる複数のフィールドシールド素子分離構造を形成する工程と、
隣接する各2本の前記フィールドシールド素子分離構造の間に素子形成領域を形成する工程と、
前記各素子形成領域の前記長手方向に延びる互いに対向する側辺に近接する部分に、形成された前記第1の導電型と異なる第2の導電型の一対の不純物拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の前記表面上に画定されて前記長手方向と交差する横方向に延びる互いに離隔した複数の横方向領域と前記素子形成領域との交差点に対応する部分に半導体素子を形成する工程であって、該半導体素子の各々が、ドレイン/ソースとして機能するその交差点に位置する前記一対の不純物拡散領域の部分と、その間に形成されるチャネル領域とを含むものである工程と
を含んでなる半導体装置の製造方法であって、
前記フィールドシールド素子分離構造の各々が、前記複数の積層体の各々の側面にサイドウォール絶縁膜を有しており、
前記近接する部分が、前記サイドウォール絶縁膜の下方において前記半導体基板の表面であり、
前記各交差点に形成された前記半導体素子が、前記半導体基板の前記表面の前記交差点の上に形成されたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜の上に形成され、前記サイドウォール絶縁膜に倣って前記シールドキャップ絶縁膜上まで延びる浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートの上に層間絶縁膜を介して形成された制御ゲートを含むゲート電極構造を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数の前記浮遊ゲートを形成する工程は、
全面に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜をパターニングすることにより、前記交差点に対応する部分において、前記第2の導電膜を等間隔で残す工程と、
を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 複数の前記浮遊ゲートを形成する工程は、複数の前記浮遊ゲートをアレイ状に配列させる工程を有し、
前記制御ゲートを形成する工程は、
全面に第3の導電膜を形成する工程と、
前記第3の導電膜をパターニングすることにより、複数の前記浮遊ゲートのうちで、前記長手方向に対して直交する方向において列をなすものと平面視で整合する位置に、前記第3の導電膜を残す工程と、
を有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記不純物拡散層を形成する工程は、不純物の斜めイオン注入を行う工程を有することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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