JP3866954B2 - ウェハ保管用カセット及び半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、クールダウンチャンバ等でウェハを保管するのに用いられるウェハ保管用カセット、及びそのようなウェハ保管用カセットが取り付けられた半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造装置には、ウェハを1枚ずつ搬送して処理する枚葉式と称されるものがある。図5は、枚葉式の半導体製造装置10の構成を示す平面図である。図示するように、半導体製造装置10は、トランスファチャンバ12の周囲に、ウェハの出し入れが行われるロードロックチャンバ14、ウェハに種々の処理が施されるプロセスチャンバ16、及びウェハの除熱が行われるクールダウンチャンバ18が配置された構成を採っている。トランスファチャンバ12には搬送ロボット20が設置されており、この搬送ロボット20により各チャンバ間をウェハが搬送される。
【0003】
ウェハは、プロセスチャンバ16で熱処理やプラズマ処理が施された場合、除熱が必要となるため、クールダウンチャンバ18内に設置されたウェハ保管用カセットに一時保管される。図6は、クールダウンチャンバ18内に設置されたウェハ保管用カセット22の外観を示す斜視図である。図示するように、ウェハ保管用カセット22は複数段のステージ24を有し、各ステージ24には、搬送ロボット20によりウェハWが1枚ずつ載置される。ステージ24の材料としては、ウェハWの除熱を効率よく行うためにアルミが用いられるのが一般的である。
【0004】
図7は、ウェハ保管用カセット22の水平断面図であり、図8は、図7のVIII−VIII線に沿っての断面図である。図7に示すように、ステージ24の上面26には複数の溝1が形成されており、各溝1には、セラミックス製の支持部材2が配置されている。図8に示すように、溝1及び支持部材2の断面形状は共に矩形であり、支持部材2の上面3は、ステージ24の上面26から突出している。これは、ウェハWを複数のセラミックス製の支持部材2により支持することで、アルミ製のステージ24との接触によるウェハWの金属汚染を防止するためである。また、溝1の内壁面と支持部材2との間には所定の大きさの間隙4が設けられている。これは、ステージ24と支持部材2との間の熱膨張差を吸収するためである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したようなウェハ保管用カセットにあっては、次のような問題があった。例えばプロセスチャンバ16でHDP(High Density Plasma)プロセス等が行われた場合、ウェハWは電荷を帯びた状態でクールダウンチャンバ18内のウェハ保管用カセット22に保管される。そのため、セラミック製の支持部材2が静電力によりウェハWの下面に吸着し、ウェハWが搬送ロボット20によりクールダウンチャンバ18外に搬送される際に、ウェハWと共に支持部材2も搬送されてしまうことがあった。
【0006】
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、上述したような問題を解決し、効率よくウェハの除熱を行うことのできるウェハ保管用カセット、及びそのようなウェハ保管用カセットが取り付けられた半導体製造装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るウェハ保管用カセットは、表面に複数の溝が形成されたステージと、ステージに対して溝の長手方向に摺動可能であり且つ前記長手方向の直角方向に拘束されるように溝のそれぞれに配置され、一部が前記表面から突出している、ウェハを支持するための支持部材とを備えることを特徴とする。
【0008】
ウェハの金属汚染を防止するために、支持部材はセラミックス製であることが好ましい。この場合、ウェハが電荷を帯びた状態で支持部材に載置されても、支持部材はステージに対して溝の長手方向の直角方向に拘束されているため、静電力によりウェハと共に搬送されることを防止することができる。
【0009】
また、前記長手方向に直交する溝の断面形状は、ステージの裏面に向かって末広がりの台形であり、前記長手方向に直交する、支持部材の溝内に配置されている部分の断面形状は、溝の断面形状の相補的形状であることが好ましい。簡易な形状で、支持部材をステージに対して、溝の長手方向に直交する方向に確実に拘束できるからである。
【0010】
また、ステージの表面には凹部が形成され、凹部には、ステージに対する支持部材のずれを防止するように、長手方向における支持部材の端部が当接するキャップが嵌合していることが好ましい。ステージ及び支持部材の材料が互いに異なる場合に生ずる熱膨張差を吸収するために、また、支持部材の組み立てを容易とするために、支持部材はステージに対して溝の長手方向に摺動可能となっているが、上記キャップを設けることで、振動等によるステージに対する支持部材のずれを防止することが可能となるからである。
【0011】
なお、上述したようなウェハ保管用カセットを、半導体製造装置のクールダウンチャンバやロードロックチャンバ等で用いれば、半導体製造装置においてウェハに電荷が帯びるような処理が行われる場合に、特に有効である。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面と共に本発明の好適な一実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書において、「上」、「下」等の語は、図面に示す状態に基づいており、便宜的なものである。また、図面の説明において同一又は相当部分には同一符号を付す。
【0013】
本実施形態に係るウェハ保管用カセットは、従来技術としても説明した図5に示す半導体製造装置10のクールダウンチャンバ18内に設置されている。また、その外観は図6に示すウェハ保管用カセット22と同様であるため、以下、図6を参照して説明する。
【0014】
図6に示すように、ウェハ保管用カセット22は略箱型であり、対向する1対の側壁28及び30の間には、複数段のステージ24が等間隔で設けられている。各ステージ24にはウェハWが1枚ずつ載置されるが、このときウェハWの除熱が効率よく行われるように、ステージ24と側壁28及び30とはアルミにより一体的に形成され、それらの内部には水冷用の通路(図示しない)が設けられている。
【0015】
図1は、図6のI−I線に沿っての断面図である。図示するように、ステージ24は、側壁28の内面から側壁30に向かって水平に突出する第1部分32と、第1部分32と正対するように側壁30の内面から側壁28に向かって水平に突出する第2部分34とにより構成されている。第1部分32及び第2部分34の構成は互いに対称であるため、以下、第2部分34の構成について説明し、第1部分32の構成についての説明は省略する。
【0016】
図1に示すように、第2部分34の上面26には、側壁30と平行な例えば2本の溝36が形成されている。溝36の一端は第2部分34の側壁に開口しており、この開口部37側には溝36を含むように凹部38が形成されている。凹部38にはアルミ製のキャップ40が嵌合している。溝38の閉じた他端とキャップ40との間には、例えばAl2O3等のセラミックス製の支持部材42が配置されている。
【0017】
図2は、図1のII−II線に沿っての断面図である。図示するように、溝36の長手方向に直交する、溝36及び支持部材42の断面形状は、共に第2部分34の下面44に向かって末広がりの台形である。いわゆる「あり」である。支持部材42の上面46は第2部分34の上面26から突出している。支持部材42の溝36内に配置されている部分の断面形状は、溝36の断面形状の相補的形状であるが、溝36の内壁面と支持部材42との間にはごく小さな間隙が設けられている。このため、簡易な形状でありながら、支持部材42は、第2部分34に対して溝36の長手方向には摺動可能となり、溝36の長手方向の直角方向には拘束される。
【0018】
図3は、キャップ40が凹部38に嵌合される状態を示す拡大斜視図である。図示するように、第2部分34の上面26に直交する凹部38及びキャップ40の断面形状は共に矩形であり、互いに相補的関係にある。キャップ40の側面には穴50が形成されている。
【0019】
次に、半導体製造装置10において、プロセスチャンバ16でHDP(High Density Plasma)プロセスが行われた場合に、ウェハWがクールダウンチャンバ18に対して搬送される際の動作について説明する。
【0020】
ウェハWは、除熱を行うため、搬送ロボット20によりクールダウンチャンバ18内に設置されたウェハ保管用カセット22に一時保管される。図6に示すように、ウェハWは処理を終えたものから1枚ずつ、ウェハ保管用カセット22が有する複数段のステージ24に順次載置されていく。この状態でウェハWは、クールダウンチャンバ18内を流れる例えば窒素ガスにより、また、水冷されているアルミ製のステージ24や側壁28及び30により、効率よく除熱される。
【0021】
このとき、図1及び図2に示すように、ウェハWは複数のセラミックス製の支持部材42により支持されているため、アルミ製のステージ24との接触によるウェハWの金属汚染を防止することができる。また、溝36の内壁面と支持部材42との間はすきま嵌めの関係となっているため、ステージ24と支持部材42との間の熱膨張差を吸収することができる。
【0022】
除熱が行われた後、ウェハWは搬送ロボット20によりクールダウンチャンバ18外に搬送される。このとき、ウェハWはHDPプロセスにより電荷を帯びているが、支持部材42は、あり継ぎによって第1部分32又は第2部分34に対して溝36の長手方向に直交する方向に拘束されているため、静電力によりウェハWの下面に吸着して、ウェハWと共にクールダウンチャンバ18外に搬送されることが防止される。
【0023】
次に、ウェハ保管用カセット22における支持部材42の組み立てについて説明する。
【0024】
図1に示すように、ステージ24の第1部分32及び第2部分34のそれぞれに形成された溝36に、溝36の開口部37から支持部材42をスライドさせて挿入する。このとき、溝36の内壁面と支持部材42との間はすきま嵌めの関係となっているため容易に挿入することができる。
【0025】
そして、図3に示すように、キャップ40に形成された穴50が溝36の開口部37に向くように、キャップ40を凹部38に嵌合する。これにより、支持部材42の端部がキャップ40に当接するため、振動等によって支持部材42が第1部分32又は第2部分34に対してずれることを防止することが可能となる。
【0026】
また、メンテナンス等のために支持部材42を取り外す場合には、キャップ40を取り外した後、支持部材42をスライドさせて溝36の開口部37から容易に取り外すことができる。キャップ40の取り外しの際には、キャップ40に形成された穴50に開口部37側から棒状のもの(図示しない)を挿入して引っ掛けることにより、キャップ40を凹部38から容易に取り外すことができる。
【0027】
以上、本発明の好適な一実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことはいうまでもない。
【0028】
上記実施形態では、溝36の長手方向に直交する、溝36及び支持部材42の断面形状は、共にステージ24の下面44に向かって末広がりの台形であったが、本発明においては他の形状であってもよい。例えば図4に示すように、支持部材42の上面46がステージ24の上面26から突出していれば、溝36の断面形状を上端の幅が底面の幅よりも小さくなるようにし、支持部材42の溝36内に配置される部分の断面形状を溝36の断面形状の相補的形状となるようにしてもよい。この場合にも、溝36の内壁面と支持部材42との間にごく小さな間隙を設ければ、支持部材42は、ステージ24に対して溝36の長手方向には摺動可能となり、溝36の長手方向の直角方向には拘束されるからである。
【0029】
また、上記実施形態では、ステージ24の上面26に直交する凹部38及びキャップ40の断面形状は共に矩形であったが、本発明においては例えば円形であってもよい。この場合、円柱状のキャップの中間部分に括れ等を設ければ、キャップの取り外しの際に、この括れ等に溝の開口部側から棒状のものを挿入して引っ掛けることにより、キャップを凹部から容易に取り外すことができる。
【0030】
また、上記実施形態では、ウェハ保管用カセット22を半導体製造装置10のクールダウンチャンバ18内に設置した場合について説明したが、本発明に係るウェハ保管用カセットは、他のチャンバ、例えばロードロックチャンバ等にも適用可能であり、半導体製造装置においてウェハに電荷が帯びるような処理が行われる場合には、上述したように特に有効である。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ウェハの金属汚染を防止するために支持部材をセラミックス製とした場合に、ウェハが電荷を帯びた状態でこの支持部材に載置されても、支持部材はステージに対して溝の長手方向の直角方向に拘束されているため、静電力によりウェハと共に搬送されることを防止することができ、効率よくウェハの除熱を行うことが可能となる。
【0032】
また、支持部材はステージに対して溝の長手方向に摺動可能であるため、ステージ及び支持部材の材料が互いに異なる場合に生ずる熱膨張差を吸収することや、支持部材の組み立てを容易とすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図6のI−I線に沿っての断面図であり、本実施形態のウェハ保管用カセットのステージの平面図である。
【図2】図1のII−II線に沿っての断面図である。
【図3】本実施形態のキャップが凹部に嵌合される状態を示す拡大斜視図である。
【図4】図1のII−II線に沿っての断面図であるが、他の実施形態を示す図である。
【図5】枚葉式の半導体製造装置の一般的な構成を示す平面図である。
【図6】ウェハ保管用カセットの一般的な全体構成を示す斜視図である。
【図7】従来のウェハ保管用カセットの水平断面図である。
【図8】図7のVIII−VIII線に沿っての断面図である。
【符号の説明】
10…半導体製造装置、14…ロードロックチャンバ、16…プロセスチャンバ、18…クールダウンチャンバ、22…ウェハ保管用カセット、24…ステージ、26…上面、32…第1部分、34…第2部分、36…溝、38…凹部、40…キャップ、42…支持部材、W…ウェハ。
Claims (5)
- 表面に複数の溝が形成されたステージと、
前記ステージに対して前記溝の長手方向に摺動可能であり且つ前記長手方向の直角方向に拘束されるように前記溝のそれぞれに配置され、一部が前記表面から突出している、ウェハを支持するための支持部材と、
を備えるウェハ保管用カセット。 - 前記長手方向に直交する前記溝の断面形状は、前記ステージの裏面に向かって末広がりの台形であり、
前記長手方向に直交する、前記支持部材の前記溝内に配置されている部分の断面形状は、前記溝の断面形状の相補的形状である、
請求項1に記載のウェハ保管用カセット。 - 前記ステージの表面には凹部が形成され、
前記凹部には、前記ステージに対する前記支持部材のずれを防止するように、前記長手方向における前記支持部材の端部が当接するキャップが嵌合している、
請求項1又は2に記載のウェハ保管用カセット。 - 前記支持部材はセラミックス製である請求項1〜3のいずれか1項に記載のウェハ保管用カセット。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のウェハ保管用カセットを備える半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001314385A JP3866954B2 (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | ウェハ保管用カセット及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001314385A JP3866954B2 (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | ウェハ保管用カセット及び半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003124295A JP2003124295A (ja) | 2003-04-25 |
JP3866954B2 true JP3866954B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=19132709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001314385A Expired - Fee Related JP3866954B2 (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | ウェハ保管用カセット及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3866954B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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