JP3859885B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体記憶装置に関し、特に、ダブルデータレート(DDR)型のシンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(SDRAM)である、DDR−SDRAMをはじめとするデータ信号の入出力制御を行う半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
中央演算装置(CPU)の高速化に伴って、計算機の主記憶装置には、クロックに同期して動作するSDRAMが用いられるようになったが、さらに高速化を図るため、2ビットのデータを同時に読み書きをする、2ビットプリフェッチ型のSDRAMが提案されている。
【0003】
次に、2ビットプリフェッチ型SDRAMからなる半導体記憶装置の従来例を説明する。図1は、第1の従来例の電気的構成を示すブロック図、図2は、第1の従来例の動作を説明するタイミングチャートである。この第1の従来例の半導体記憶装置は、クロック信号201と、データイン回路202とを含んでいる。クロック信号201は、図1(a)に示すように、入力バッファ201と、ライズ遷移パルス発生回路2012と、遅延回路2013と、分周回路2014と、ライズ遷移パルス発生回路2015とを有している。データイン回路202は、図1(b)に示すように、入力バッファ2021と、レジスタ回路2022、2023、2024、2025と、データバスドライブ回路2026とを有している。
【0004】
次に、図1、図2を参照して、2ビットプリフェッチ型SDRAMからなる半導体記憶装置の第1の従来例の動作を説明する。図1(a)に示すクロック信号回路201において、ライズ遷移パルス発生回路2012は、外部入力バッファ2011を経て入力されたクロック信号CLKの立ち上がり(ライズ)エッジを検出して、ワンショットパルス信号Φclkを発生する。また、分周回路2014は、遅延回路2013を経て所定時間遅延された入力信号を2分周する。ライズ遷移パルス発生回路2015は、分周回路2014から出力された分周クロックの立ち上がりエッジを検出してワンショットパルス信号Φclkdinを発生する。ワンショットパルス信号のΦclkdinは、クロック信号CLKの2倍の周期を有している。
【0005】
図1(b)に示すデータイン回路202において、データ入力信号DINiは、iビットからなる並列データ入力のうちの1ビット分を示している。レジスタ回路2022は、入力バッファ2021を経て入力されたデータ入力信号DINiを、クロック信号CLKのライズ遷移によって発生したワンショットパルス信号Φclkに応じて取り込む。レジスタ回路2023は、レジスタ回路2022に保持されたデータを、次のワンショットパルス信号Φclkに応じて取り込む。次に、レジスタ回路2024、2025は、クロック信号CLKの2サイクルごとに発生するワンショットパルス信号Φclkdinに応じて、それぞれレジスタ回路2022、2023のデータを同時に取り込む。この際、ラッチミスを防止するために、ワンショットパルス信号Φclkdinは、ワンショットパルス信号Φclkより後に与えるように、遅延回路2013によって遅延されいる。データバスドライブ回路2026は、レジスタ回路2024の出力デ―タedと、レジスタ回路2025の出力データodとを並列に、それぞれ対応する偶数(even)番目のデータバスDBEiと、奇数(odd)番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。
【0006】
なお、図1(b)における各レジスタ回路2022、2023,2024、2025はすべて図1(c)のレジスタ回路203によって示される同じ回路構成を有している。レジスタ回路203は、インバーターI1と、ゲートG1、G2と、ラッチL1、L2とを有し、入力データINを、外部クロック信号Φの立ち下がりに応じてゲートG1を開いてラッチ回路L1にラッチし、ラッチ回路L1にラッチされたデータを、外部クロック信号Φの立ち上がりに応じてゲートG2を開いてラッチ回路L2にラッチすることによって、1ビットのデータを、外部クロック信号Φの1周期間保持する。
【0007】
次に、2ビットプリフェッチ型SDRAMからなる半導体記憶装置の第2の従来例を説明する。図3は、第2の従来例の電気的構成を示すブロック図、図4は、第2の従来例の動作を説明するタイミングチャートである。この第2の従来例の半導体記憶装置は、クロック信号回路211と、データイン回路212とから概略構成されている。クロック信号211は、図3(a)に示すように、入力バッファ2111と、分周回路2111と、ライズ遷移パルス発生回路2113と、遅延回路2114と、1周期遅延回路2115と、分周回路2116と、ライズ遷移パルス発生回路2117とを有している。データイン回路212は、図3(b)に示すように、入力バッファ2121と、レジスタ回路2122,2123,2124,2125と、データバスドライブ回路2126とを有している。
【0008】
次に、図3,図4を参照して、2ビットプリフェッチ型SDRAMからなる半導体記憶装置の第2の従来例の動作を説明する。図3(a)に示すクロック信号回路211において、分周回路2112は、外部から入力バッファ2121を経て入力されたクロック信号CLKを2分周する。ライズ遷移パルス発生回路2113は、分周回路2112の出力信号の立ち上がり(ライズ)エッジを検出して、ワンショットパルス信号Φclkを発生する。遅延回路2114は、分周回路2112の出力信号を所定時間遅延させる。ライズ遷移パルス発生回路2113は、遅延回路2114の出力信号の立ち上がり(ライズ)エッジを検出して、ワンショットパルス信号Φclkdinを発生する。また、1周期遅延回路2115は、入力バッファ2111の出力信号を、1周期遅延させ、分周回路2116は、1周期遅延回路2115の出力信号を2分周する。ライズ遷移パルス発生回路2117は、分周回路2116から出力された信号の立ち上がり(ライズ)エッジを検出してワンショットパルス信号Φclkを発生する。
【0009】
図3(b)に示すデータイン回路212において、レジスタ回路2122は、入力バッファ2121を経て入力されたデータ入力信号DINiを、2分周されたクロック信号CLKのライズ遷移によって発生したワンショットパルス信号Φ/clkに応じて取り込む。また、レジスタ回路2123は、入力バッファ2121の出力信号を、1周期遅延された2分周されたクロック信号CLKのライズ遷移によって発生したワンショットパルス信号Φ/clkに応じて取り込む。次にレジスタ回路2124、2125は、クロック信号CLKの2サイクルごとに発生する遅延されたワンショットパルス信号Φclkdinに応じて、それぞれレジスタ回路2122,2123のデータを同時に取り込む。この際、ミスラッチを防止するために、ワンショットパルス信号 Φclkdinは、ワンショットパルス信号Φclkより、後に与えられるように遅延されている。データバスドライブ回路2126は、レジスタ回路2124の出力データedと、レジスタ回路2125の出力データodとを並列に、それぞれ偶数番目のデータバスDBEiと奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。
【0010】
なお、図3(b)におけるレジスタ回路2122,2123,2124,2125はすべて図3(c)のレジスタ回路213によって示される同じ回路構成を有している。レジスタ回路213は、従来利図1(c)に示されたレジスタ回路203と同じ構成、機能を有している。
【0011】
次に図5,図6を用い、2ビットプリフェッチ型SDRAMからなる半導体記憶装置のデータ入力信号DINiをデータパスDBOiとDBEiの関係を説明する。図5(a)は、図1の形式にセレクタ回路300を追加した形式である。図1(a)に示したクロック信号回路201において、ライズ遷移パルス発生回路2012は、外部入力バッファ2011を経て入力されたクロック信号CLKの立ち上がり(ライズ)エッジを検出して、ワンショットパルス信号Φclkを発生する。また、図1(a)に示した分周回路2014は、図1(a)に示した遅延回路2013を経て所定時間遅延された入力信号を2分周する。図1(a)に示したライズ遷移パルス発生回路2015は、分周回路2014から出力された分周クロックの立ち上がりエッジを検出してワンショットパルス信号Φclkdinを発生する。
【0012】
データバスドライブ回路2126は、レジスタ回路2124の出力データと、レジスタ回路2125の出力データとを並列に、それぞれ偶数番目のデータバスDBEiと奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。この時、入力されたデータ入力信号DINiは、アドレス信号YP0により制御されたセレクタ回路3000により、偶数番目のデータバスDBEiと奇数番目のデータバスDBOiとのどちらに、供給されるか振り分けられる。
【0013】
図5(a)で示すセレクタ回路は、図5(b)で示されたセレクタ回路3000と同じ構成、機能を有している。YP0の出力信号がHigh(またはLow)の時、データバスドライブ回路2126は、レジスタ回路2124の出力デ―タと、レジスタ回路2125の出力データとを並列に、それぞれ偶数番目のデータバスDBEiと奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、YP0の出力信号がLow(またはHigh)の時、レジスタ回路2124の出力データと、レジスタ回路2125の出力データとを並列に、それぞれ奇数番目のデータバスDBOiと偶数番目のデータバスDBEiに供給される。これにより、アドレス信号YP0のより、入力信号DINiは、所望のデータパスに転送される。
【0014】
入力信号DINiのアドレス信号YP0による奇数番目のデータバスDBOiと偶数番目のデータバスDBEiへの転送を行うセレクタ3000は、第2の従来例に示した図3にも、同様に実施される。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記各従来例の半導体記憶装置あっては、データ処理速度を上げるためには、クロック信号CLKを高速化する必要があるが、SDRAMを使用した実際のシステムでは、多数のSDRAMをモジュール基板上に搭載して使うことが多いため、クロック信号CLKとデータ入力信号DINiとのタイミングスキューの問題が顕著になるので、クロック信号の高速化は必ずしも容易ではない。このような問題が生じるのは、クロック信号CLKのみを用いてデータ入力信号の制御(取り込み)をおこなっているからであり、これに対して近年において、ダブルデータレート型のDDR−SDRAMが提案され、現在、JEDEC(Joint Device Engineering Council)における標準化が進められている。DDR−SDRAMにおいては、2ビットプリフェッチ方式を使用するが、データ入力信号の取り込みは、データストロー部信号DSによって行われ、クロック信号CLKの周期は、データ入力信号周期の2倍になっている。データストローブ信号DSは、データ入力信号DINiと同時に図示されていない中央処理装置(CPU)で作成されるものであり、データスローブ信号DSとデータ入力信号DINiとを等長の配線によってSDRAMに接続することによって、両者の間のタイミングスキューの問題が解消される。従って、クロック信号の高速化の問題と、クロック信号とデータ信号のタイミングスキューの問題とを同時に解決することができる。ただし、データ入力信号をデータストローブ信号DSによって取り込んだ後、クロック信号CLKによる制御に変換する必要があり、この際の動作を確実に行うことが重要になる。このクロック信号とデータ信号のスキューに関する問題は、広くデータ信号の入出力を行う半導体装置において共通の問題であり、データストローブ信号DSを正確なクロックタイミングを有した、または有しない外部クロックとした時、正確なクロックタイミングを有するクロック信号CLK制御に変換する動作を確実に行うことが同様に重要になる。また、2ビットプリフェッチ方式において入力信号DINiをアドレス信号YP0により所望のデータパスに振り分け、記憶セルに書き込むことが必要となるが、前述セレクタ3000によるデータ信号DINiの振り分けが、データストローブ信号DSによって取り込んだ後、クロック信号CLKによる制御に変換する過程において生じ、その過程でセレクタ3000自信の遅延に対するデータ信号DINiのマージン確保が必要になってくる。さらに、前述セレクタはデータ入力信号DINiの数にあわせ複数台必要になり、昨今はますますデータバンド幅の向上が要求され、データの多ビット化の傾向に従い、データ入力信号DINiのビット数が増加する傾向にあり、面積削減のためにもセレクタの台数を削減する手段が必要である。
【0016】
そこで、本発明は、DDR−SDRAMにおいて、入力信号をデータストローブ信号の制御によって取り込んだ後、クロック信号の制御に変換する際のラッチマージンを十分確保することが可能な、半導体記憶装置を提供することを課題としている。また、DDR−SDRAMのデータストローブ信号DSに限らず、例えば正確なクロックタイミングを有した外部クロック、または正確なタイミングを有しない外部クロック等の制御信号によって取り込んだデータ入力信号を、クロック信号の制御に変換する際のラッチマージンを十分確保することが可能な半導体記憶装置を提供することを課題としている。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の半導体記憶装置においては、入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号の立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて入力データを順次取り込む並列接続された第1及び第2のデータ保持手段を備え、前記第1及び第2のデータ保持手段に取り込まれたデータを同時に取り出してクロック信号のタイミングで並列に記憶セルに書き込むようにしている。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
[実施形態1]
図7、図8は、この発明の第1実施形態の電気構成を示すブロック図、図9は、第1の実施形態の動作を説明するタイミングチャート、図10は、データストローブ信号のタイミングがもっとも早い場合のラッチマージンの説明図、図11は、データストローブ信号のタイミングが最も遅い場合のラッチマージンの説明図である。
この第1実施形態の半導体記憶装置は、図7に示すように、データストローブ信号回路11と、データイン回路12と、データ保持回路13と、制御回路14と、4ビットカウンター回路15とから構成される。
【0019】
データストローブ信号回路11は、図7(a)に示すように、入力バッファ111と、ライズ/フォール遷移パルス発生回路112と、遅延回路113を有している。入力バッファ111は、データストローブ信号DSを、ライズ/フォール遷移パルス発生回路112と、遅延回路113に供給する。ライズ/フォール遷移パルス発生回路112は、入力バッファ111の出力信号の立ち上がり(ライズ)エッジと立ち下がり(フォール)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生する。遅延回路113は、入力信号DSを遅延した信号DSDを発生する。
【0020】
データイン回路12は、図7(b)に示すように、入力バッファ121と、レジスタ回路122と、ラッチ回路123,124,125,126と、データ保持回路127、128と、データバスドライブ回路129を有している。入力バッファ121は、データ入力信号DINiをレジスタ回路122に供給する。レジスタ回路122は、入力バッファ121の出力信号を、ワンショットパルス信号IDSDに応じて取り込む。ラッチ回路123,124,125,126はレジスタ回路122の出力信号を、第1制御信号10、11、12、13に応じて取り込む。また、第2制御信号20、22に応じて出力信号ed1、od1を発生する。データ保持回路127、128は出力信号ed1,od1を保持する。データバスドライブ回路129は、データ保持回路127の出力信号ed1と、データ保持回路128の出力信号od1を並列に、制御信号W0、W1により、それぞれ偶数番目のデータバスDBEiと、奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。
【0021】
ここで、レジスタ回路122は、図8(c)のレジスタ回路16によって示される同じ回路構成を有している。ラッチ回路123,124,125,126は、図8(f)によって示されるラッチ回路17の構成を有している。
【0022】
第1制御信号10、11、12、13の1例を述べる。図8(g)の4ビットのカウンター回路15とワンショットパルス信号IDSD‘により発生する信号である。ワンショットパルス信号IDSD‘はIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号、または図示されてない回路により生成されたIDSD信号を由来とした信号である。ここで、4ビットカウンター回路15で使用されるレジスタ回路RS1F/F,RS0F/Fは、図8(h)に示すリセットつきレジスター回路18および19の機能を有する回路である。
【0023】
第2制御信号20,22は図8(e)により第1制御信号10、11、12、13から発生される制御信号である。
【0024】
IDSD信号、第1制御信号10、11、12、13によりデータ入力信号DINiを順次取り込み、DSD信号、第2制御信号20,22によりデータを取り出すことで、2ビットからなる信号を出力DBEi、DBOiに発生する上記各信号は、データ入力信号の伝搬遅延を十分考慮し、データ入力信号に対して十分なラッチマージンを確保するタイミング関係を有している。
【0025】
次に図7乃至図11を参照して、この例の半導体記憶装置の動作を説明する。図7(a)に示すデータストローブ信号回路11では、データストローブ信号DSの立ち上がり(ライズ)エッジと立ち下がり(フォ―ル)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生し、また、データ―ストローブ信号DSを遅延した、図示しない信号DSDを発生する。
【0026】
図8(g)に示す4ビットカウンター回路15は、コマンド信号等を、由来としてリセット信号RESETが解除された後に、ワンショットパルスIDSDにより、カウントアップされる信号IN0、1、2、3を発生する。この例では、このカウントアップされる信号IN0、1、2、3とワンショットパルス信号IDSD‘により、第1制御信号10、11、12、13が発生する。ここで、ワンショットパルス信号IDSD‘はIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号そのものであり、カウンター回路15の出力IN0,1,2,3の遷移に対して、十分なマージンを持たせた信号である。入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて入力データは、データイン回路12の入力バッファ121からデータ保持手段であるレジスタ回路122に順次取り込まれ、データ保持手段と、データ保持手段に従属接続されかつ、入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下り)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて生成された前述したワンショットパルス信号IDSD‘のタイミングをもつ、第1制御信号10、11、12、13、に制御されたラッチ回路1、2、3、4に順次取り込まれる。データ保持手段であるラッチ回路1,2,3、4に取り込まれた入力データ信号は、入力データ信号の2個周期で出力されるデータストローブ信号DSを遅延したDSD‘信号と第1制御信号10,11,12,13を入力とする制御回路14により生成された第2制御信号20,22により、入力データ信号2個を同時にデータ保持回路13に取り出す。データ保持回路13に保持された信号は、クロック信号のタイミングで生成される write enable信号W0,W1により、並列に記憶セルに書き込むように構成されていることを特徴としている。
【0027】
クロック信号CLKとデータストローブ信号DSとのタイミング差を示す規格tDQSSは、クロック周期をtCKとした時、例えば、0.75tCK(tDQSS最小)〜1.25tCK(tDQSS最大)の範囲である。従って、図10に示すように、0.75tCKと1.25tCKの2つの場合において、ミスラッチに対するマージン確保が必要であるが、この例では、第1制御信号10、11に対して第2制御信号2が、第1制御信号12,13に対して、第2制御信号20が選択されており、図9においては、データストローブ信号のタイミングが最も早い状態でもラッチマージンが確保されており、図11においては、データストローブ信号のタイミングが最も遅い状態でもラッチマージンが確保されていることが示されている。
【0028】
ここでは主として2ビットプリフェッチ形式を中心に述べたが、第1の実施形態は、容易に多ビットプリフェッチ形式に拡張することが可能である。
【0029】
[実施形態2]
以下、図面を参照して、この発明の第2の実施形態について説明する。本実施形態においては、第1の実施形態において述べたwrite enable信号を、さらの0.5tCKだけタイミングを早めている。図12、図13は、この発明の第2実施形態の電気構成を示すブロック図、図14は、第2の実施形態の動作を説明するタイミングチャート、図15は、データストローブ信号のタイミングがもっとも早い場合のラッチマージンの説明図、図16は、データストローブ信号のタイミングが最も遅い場合のラッチマージンの説明図である。この第2実施形態の半導体記憶装置は、図12に示すように、データストローブ信号回路22と、データイン回路23と、データ保持回路25と、制御回路27と、4ビットカウンター回路28とから構成される。第1の実施形態との電気的構成の差異はデータストローブ信号回路22がインバータ回路224を有していること、図13(e)の制御回路27である。以下、詳細の構成を説明する。
【0030】
データストローブ信号回路22は、図12(a)に示すように、入力バッファ221と、ライズ/フォール遷移パルス発生回路222と、遅延回路223、およびインバータ回路224を有している。入力バッファ221は、データストローブ信号DSを、ライズ/フォール遷移パルス発生回路222と、遅延回路223に供給する。ライズ/フォール遷移パルス発生回路222は、入力バッファ221の出力信号の立ち上がり(ライズ)エッジと立ち上がり(フォール)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生する。遅延回路223およびインバータ回路は、入力信号DSを遅延し反転した信号DSDを発生する。
【0031】
データイン回路23は、図12(b)に示すように、入力バッファ231と、レジスタ回路232と、ラッチ回路233,234,235,236と、データ保持回路237、238と、データバスドライブ回路239を有している。入力バッファ231は、データ入力信号DINiをレジスタ回路232に供給する。レジスタ回路232は、入力バッファ231の出力信号を、ワンショットパルス信号IDSDに応じて取り込む。ラッチ回路233,234,235,236はレジスタ回路232の出力信号を、第1制御信号10、11、12、13に応じて取り込む。また、第2制御信号20、22に応じて出力信号ed1、od1を発生する。データ保持回路237、238は出力信号ed1,od1を保持する。データバスドライブ回路239は、データ保持回路237の出力信号ed1と、データ保持回路238の出力信号od1を並列に、制御信号W0、W1により、それぞれ偶数番目のデータバスDBEiと、奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。
【0032】
ここで、レジスタ回路232は、図13(c)のレジスタ回路24によって示される同じ回路構成を有している。レジスタ回路24は、レジスタ回路203と同じ構成・機能を有している。ラッチ回路233,234,235,236は、図11(f)によって示されるラッチ回路26の構成を有している。
【0033】
第1制御信号10、11、12、13の1例を述べる。図13(g)の4ビットのカウンター回路28とワンショットパルス信号IDSD‘により発生する信号である。ワンショットパルス信号IDSD‘はIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号そのものである。また、いうまでもないが図示されてない回路により生成されたIDSD信号のタイミングを有する信号でもかまわない。ここで、4ビットカウンター回路28で使用されるレジスタ回路RS1F/F,RS0F/Fは、図13(h)に示すリセットつきレジスター回路29および30の機能を有する回路である。
【0034】
第2制御信号20,22は図13(e)により第1制御信号10、11、12、13から発生される制御信号である。
【0035】
IDSD信号、DSD信号、第1制御信号10、11、12、13、第2制御信号2022はデータ入力信号DINiを順次取り込み、出力DBEi、DBOiを発生するのにデータ入力信号の伝搬遅延を十分考慮し、データ入力信号に対して十分なラッチマージンを確保するタイミング関係を有している。
【0036】
第1の実施形態との相違は、第2制御信号20を第1制御信号10、11により、第2制御信号2を第1制御信号12、13により生成することである。タイミングは、第1の実施形態におけるDSDの反転信号と、前記第1制御信号10、11、12、13、または、前記第1制御信号10、11、12、13の遅延させた信号により、十分なラッチマージンを確保する関係を有している。
【0037】
次に図12乃至図16を参照して、この例の半導体記憶装置の動作を説明する。図12(a)に示すデータストローブ信号回路22では、データストローブ信号DSの立ち上がり(ライズ)エッジと立ち下がり(フォール)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生し、また、データ―ストローブ信号DSを遅延した、図示しない信号DSDを発生する。
【0038】
図13(g)に示す4ビットカウンター回路28は、コマンド信号等を、由来としてリセット信号RESETが解除された後に、ワンショットパルスIDSDにより、カウントアップされる信号IN0、1、2、3を発生する。この例では、このカウトアップされる信号IN0、1、2、3とワンショットパルス信号IDSD‘により第1制御信号10、11、12、13が発生する。ここで、ワンショットパルス信号IDSD‘はIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号である。IDSD‘は図示されてない回路によりIDSD信号から生成された信号でもよい。IDSD‘は、カウンター回路28の節点IN0,1,2,3の遷移に対して、十分なマージンを持たせた信号である。入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて入力データは、データイン回路23の入力バッファ231からデータ保持手段であるレジスタ回路232に順次取り込まれ、データ保持手段と、データ保持手段に従属接続されかつ、入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下り)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて生成された前述したワンショットパルス信号IDSD‘のタイミングをもつ、第1制御信号10、11、12、13、に制御されたラッチ回路1、2、3、4に順次取り込まれる。データ保持手段であるラッチ回路1,2,3、4に取り込まれた入力データ信号は、入力データ信号の2個周期で出力されるデータストローブ信号DSを遅延した DSD‘信号と第1制御信号10,11,12,13を入力とする制御回路27により生成された第2制御信号20,22により、入力データ信号2個を同時にデータ保持回路25に取り出す。データ保持回路25に保持された信号は、クロック信号のタイミングで生成される write enable信号W0,W1により、並列に記憶セルに書き込むように構成されていることを特徴としている。
【0039】
クロック信号CLKとデータストローブ信号DSとのタイミング差を示す規格tDQSSは、クロック周期をtCKとした時、例えば、0.75tCK(tDQSS最小)〜1.25tCK(tDQSS最大)の範囲である。
従って、図15、図16に示すように、0.75tCKと1.25tCKの2つの場合において、ミスラッチに対するマージン確保が必要であるが、この例では、第1制御信号10、11に対して第2制御信号20が、第1制御信号12,13に対して、第2制御信号22が選択されており、図15においては、データストローブ信号のタイミングが最も早い状態でもラッチマージンが確保されており、図11においては、データストローブ信号のタイミングが最も遅い状態でもラッチマージンが確保されていることが示されている。さらに、第1の実施形態に対してwrite enable信号W0,W1を約0.5tCK早く出力し、かつラッチマージンを十分確保することが可能となっていることを特徴としている。このことは、逆にwrite enable信号W0,W1を第1の実施形態で出力する場合、新たに0.5tCKの期間を利用した論理機能の追加の余地を提供している。
【0040】
ここでは主として2ビットプリフェッチ形式を中心に述べたが、第2の実施形態は、容易に多ビットプリフェッチ形式に拡張することが可能である。
【0041】
[実施形態3]
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態3について説明する。
図17、図18は、この発明の第3実施形態の電気構成を示すブロック図、図19は、第3の実施形態の動作を説明するタイミングチャート、図20は、データストローブ信号のタイミングがもっとも早い場合のラッチマージンの説明図、図21は、データストローブ信号のタイミングが最も遅い場合のラッチマージンの説明図である。この第3実施形態の半導体記憶装置は、図17に示すように、データストローブ信号回路31と、データイン回路32と、データ保持回路33と、2bitカウンター回路34と、4ビットカウンター回路35とから構成される。第1の実施形態との差異は図8(e)に示した制御回路にかわり2bitカウンター回路34を用い、データイン回路32へのデータ取り込みと、出力を独立に制御する手段を提供することである。
【0042】
データストローブ信号回路31は、図17(a)に示すように、入力バッファ311と、ライズ/フォール遷移パルス発生回路312と、遅延回路313を有している。入力バッファ311は、データストローブ信号DSを、ライズ/フォール遷移パルス発生回路312と、遅延回路313に供給する。ライズ/フォール遷移パルス発生回路312は、入力バッファ311の出力信号の立ち上がり(ライズ)エッジと立ち下がり(フォール)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生する。遅延回路313は、入力信号DSを遅延した信号DSDを発生する。
【0043】
データイン回路32は、図17(b)に示すように、入力バッファ321と、レジスタ回路322と、ラッチ回路323,324,325,326と、データ保持回路327、328と、データバスドライブ回路329を有している。入力バッファ321は、データ入力信号DINiをレジスタ回路322に供給する。レジスタ回路322は、入力バッファ321の出力信号を、ワンショットパルス信号IDSDに応じて取り込む。
ラッチ回路323,324,325,326はレジスタ回路322の出力信号を、第1制御信号10、11、12、13に応じて取り込む。また、第2制御信号20、22に応じて出力信号ed1、od1を発生する。データ保持回路327、328は出力信号ed1,od1を保持する。データバスドライブ回路329は、データ保持回路327の出力信号ed1と、データ保持回路328の出力信号od1を並列に、制御信号W0、W1により、それぞれ偶数番目のデータバスDBEiと、奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。
【0044】
ここで、レジスタ回路322は、図8(c)のレジスタ回路36によって示される同じ回路構成を有している。ラッチ回路323,324,325,326は、図17(f)によって示されるラッチ回路37の構成を有している。
【0045】
第1制御信号10、11、12、13生成の1例を述べる。図18(g)の4ビットのカウンター回路35とワンショットパルス信号IDSD‘により発生する信号である。ワンショットパルス信号IDSD‘は図示されてない回路により生成されたIDSD信号を由来とする、もしくはIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号そのものである。ここで、4ビットカウンター回路35で使用されるレジスタ回路RS1F/F,RS0F/Fは、例えば、図18(h)に示すリセットつきレジスター回路38および39の機能を有する回路である。
【0046】
第2制御信号20,22生成の1例を述べる。図18(e)の2ビットのカウンター回路34とワンショットパルス信号IDSDおよび入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSにより発生する信号である。第2制御信号20、22は、データの2個周期で出力する信号であり、そのタイミングは、データーの2個周期で出力されるデータストローブ信号により、データの2個周期でワンショットパルスを発生するよう、IDSD‘信号とDSD’信号の和信号ににより生成される。IDSD‘信号、DSD’信号は、それぞれIDSD信号、DSD信号もしくは、図示されていない遅延回路により遅延されたIDSD信号、DSD信号である。ここで、2ビットカウンター回路34で使用されるレジスタ回路RS1F/F,RS0F/Fは、例えば、図15(h)に示すリセットつきレジスター回路38および39の機能を有する回路である。
【0047】
IDSD信号、DSD信号、IDSD‘信号、DSD’信号、第1制御信号10、1第2制御信号20,22はデータ入力信号DINiを順次取り込み、出力DBEi、DBOiを発生するのにデータ入力信号の伝搬遅延を十分考慮し、データ入力信号に対して十分なラッチマージンを確保するタイミング関係を有している。
【0048】
次に図17乃至図21を参照して、この例の半導体記憶装置の動作を説明する。図17(a)に示すデータストローブ信号回路31では、データストローブ信号DSの立ち上がり(ライズ)エッジと立ち下がり(フォ―ル)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生し、また、データ―ストローブ信号DSを遅延した、図示しない信号DSDを発生する。
【0049】
図18(g)に示す4ビットカウンター回路35は、コマンド信号等を、由来としてリセット信号RESETが解除された後に、ワンショットパルスIDSDにより、カウントアップされる信号IN0、1、2、3を発生する。この例では、このカウントアップされる信号IN0、1、2、3とワンショットパルス信号IDSD‘により、第1制御信号10、11、12、13が発生する。ここで、ワンショットパルス信号IDSD‘は図示されてない回路により生成されたIDSD信号を由来とする、もしくはIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号そのものであり、カウンター回路35の出力IN0,1,2,3の遷移に対して、十分なマージンを持たせた信号である。入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて入力データは、データイン回路32の入力バッファ321からデータ保持手段であるレジスタ回路322に順次取り込まれ、データ保持手段と、データ保持手段に従属接続されかつ、入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下り)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて生成された前述したワンショットパルス信号IDSD‘のタイミングをもつ、第1制御信号10、11、12、13、に制御されたラッチ回路1、2、3、4に順次取り込まれる。
【0050】
データ保持手段であるラッチ回路1,2,3、4に取り込まれた入力データ信号は、入力データ信号の2個周期で出力されるデータストローブ信号DSを遅延したDSD‘信号のタイミングで図15(e)に示す2ビットカウンター回路34に制御された第2制御信号20,22により、入力データ信号2個を同時にデータ保持回路33に取り出す。データ保持回路33に保持された信号は、クロック信号のタイミングで生成される write enable信号W0,W1により、並列に記憶セルに書き込むように構成されていることを特徴としている。また、ラッチ回路1,2,3,4の入力および出力を独立した制御回路、ここでの1例として2ビットカウンター回路34を基本とする出力制御回路、4ビットカウンター回路35を基本とする入力制御回路、で制御することができることを特徴としている。
【0051】
クロック信号CLKとデータストローブ信号DSとのタイミング差を示す規格tDQSSは、クロック周期をtCKとした時、例えば、0.75tCK(tDQSS最小)〜1.25tCK(tDQSS最大)の範囲である。従って、図17、図18に示すように、0.75tCKと1.25tCKの2つの場合において、ミスラッチに対するマージン確保が必要であるが、この例では、第1制御信号10、11に対して第2制御信号2が、第1制御信号12,13に対して、第2制御信号20が選択されており、図16においては、データストローブ信号のタイミングが最も早い状態でもラッチマージンが確保されており、図18においては、データストローブ信号のタイミングが最も遅い状態でもラッチマージンが確保されていることが示されている。
【0052】
この第3の実施形態の2ビットプリフェッチ回路34の第2制御信号20、22は、図8の制御回路14により、生成している。
【0053】
ここでは主として2ビットプリフェッチ方式を中心に述べたが、第3の実施形態は、容易に多ビットプリフェッチ方式に拡張することが可能である。
【0054】
[実施形態4]
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態4について説明する。本実施形態は、第3の実施形態において述べたwrite enable信号が0.5tCK早い場合である。図22,図23は、この発明の第4実施形態の電気構成を示すブロック図、図24は、第4の実施形態の動作を説明するタイミングチャート、図225は、データストローブ信号のタイミングがもっとも早い場合のラッチマージンの説明図、図226は、データストローブ信号のタイミングが最も遅い場合のラッチマージンの説明図である。この第4実施形態の半導体記憶装置は、図22に示すように、データストローブ信号回路41と、データイン回路42と、データ保持回路43と、2bitカウンター回路44と、4ビットカウンター回路45とから構成される。
【0055】
データストローブ信号回路41は、図22(a)に示すように、入力バッファ411と、ライズ/フォール遷移パルス発生回路412と、遅延回路413およびインバーター回路414を有している。入力バッファ411は、データストローブ信号DSを、ライズ/フォール遷移パルス発生回路412と、遅延回路413に供給する。ライズ/フォール遷移パルス発生回路412は、入力バッファ411の出力信号の立ち上がり(ライズ)エッジと立ち上がり(フォール)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生する。遅延回路413は、入力信号DSを遅延した信号DSDを発生する。インバータ回路414は、前記DSの反転出力を生成する。
【0056】
データイン回路42は、図22(b)に示すように、入力バッファ421と、レジスタ回路422と、ラッチ回路423,424,425,426と、データ保持回路427、428と、データバスドライブ回路429を有している。入力バッファ421は、データ入力信号DINiをレジスタ回路422に供給する。レジスタ回路422は、入力バッファ421の出力信号を、ワンショットパルス信号IDSDに応じて取り込む。
ラッチ回路423,424,425,426はレジスタ回路422の出力信号を、第1制御信号10、11、12、13に応じて取り込む。また、第2制御信号20、22に応じて出力信号ed1、od1を発生する。データ保持回路427、428は出力信号ed1,od1を保持する。データバスドライブ回路429は、データ保持回路427の出力信号ed1と、データ保持回路428の出力信号od1を並列に、制御信号W0、W1により、それぞれ偶数番目のデータバスDBEiと、奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。
【0057】
ここで、レジスタ回路422は、図23(c)のレジスタ回路46によって示される同じ回路構成を有している。ラッチ回路423,424,425,426は、図23(f)によって示されるラッチ回路47の構成を有している。
【0058】
第1制御信号10、11、12、13生成の1例を述べる。図23(g)の4ビットのカウンター回路45とワンショットパルス信号IDSD‘により発生する信号である。ワンショットパルス信号IDSD‘は図示されてない回路により生成されたIDSD信号を由来とする、もしくはIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号そのものである。ここで、4ビットカウンター回路45で使用されるレジスタ回路RS1F/F,RS0F/Fは、例えば、図19(h)に示すリセットつきレジスター回路48および49の機能を有する回路である。
【0059】
第2制御信号20,22生成の1例を述べる。図23(e)の2ビットのカウンター回路44とワンショットパルス信号IDSDおよび入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSにより発生する信号である。第2制御信号20、22は、データの2個周期で出力する信号であり、そのタイミングは、データーの2個周期で出力されるデータストローブ信号により、データの2個周期でワンショットパルスを発生するよう、IDSD‘信号とDSD’信号の和信号により生成される。IDSD‘信号、DSD’信号は、それぞれIDSD信号、DSD信号もしくは、図示されていない遅延回路により遅延されたIDSD信号、DSD信号である。ここで、2ビットカウンター回路44で使用されるレジスタ回路RS1F/F,RS0F/Fは、例えば、図23(h)に示すリセットつきレジスター回路48および49の機能を有する回路である。
【0060】
IDSD信号、DSD信号、IDSD‘信号、DSD’信号、第1制御信号10、1第2制御信号20,22はデータ入力信号DINiを順次取り込み、出力DBEi、DBOiを発生するのにデータ入力信号の伝搬遅延を十分考慮し、データ入力信号に対して十分なラッチマージンを確保するタイミング関係を有している。
【0061】
次に図22乃至図26を参照して、この例の半導体記憶装置の動作を説明する。図17(a)に示すデータストローブ信号回路31では、データストローブ信号DSの立ち上がり(ライズ)エッジと立ち下がり(フォール)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生し、また、データ―ストローブ信号DSを遅延した、図示しない信号DSDを発生する。
【0062】
第3の実施形態との相違は、第2制御信号20を発生するタイミングが、第1制御信号10、11の発生後、十分なラッチマージンを確保したタイミングであり、同様に第2制御信号22は第1制御信号12、13に対応することである。これは、データストローブ回路41のインバータ回路414により、DS信号の反転信号を生成することにより得られる。
【0063】
図23(g)に示す4ビットカウンター回路45は、コマンド信号等を、由来としてリセット信号RESETが解除された後に、ワンショットパルスIDSDにより、カウントアップされる信号IN0、1、2、3を発生する。この例では、このカウントアップされる信号IN0、1、2、3とワンショットパルス信号IDSD‘により、第1制御信号10、11、12、13が発生する。ここで、ワンショットパルス信号IDSD‘は図示されてない回路により生成されたIDSD信号を由来とする、もしくはIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号そのものであり、カウンター回路45の出力IN0,1,2,3の遷移に対して、十分なマージンを持たせた信号である。入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて入力データは、データイン回路42の入力バッファ421からデータ保持手段であるレジスタ回路422に順次取り込まれ、データ保持手段と、データ保持手段に従属接続されかつ、入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下り)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて生成された前述したワンショットパルス信号IDSD‘のタイミングをもつ、第1制御信号10、11、12、13、に制御されたラッチ回路1、2、3、4に順次取り込まれる。
【0064】
データ保持手段であるラッチ回路1,2,3、4に取り込まれた入力データ信号は、入力データ信号の2個周期で出力されるデータストローブ信号DSを遅延したDSD‘信号のタイミングで図19(e)に示す2ビットカウンター回路44に制御された第2制御信号20,22により、入力データ信号2個を同時にデータ保持回路43に取り出す。データ保持回路43に保持された信号は、クロック信号のタイミングで生成される write enable信号W0,W1により、並列に記憶セルに書き込むように構成されていることを特徴としている。また、ラッチ回路1,2,3,4の入力および出力を独立した制御回路、ここでの1例として2ビットカウンター回路44を基本とする出力制御回路、4ビットカウンター回路45を基本とする入力制御回路、で制御することができることを特徴としている。
【0065】
クロック信号CLKとデータストローブ信号DSとのタイミング差を示す規格tDQSSは、クロック周期をtCKとした時、例えば、0.75tCK(tDQSS最小)〜1.25tCK(tDQSS最大)の範囲である。従って、図21、図22に示すように、0.75tCKと1.25tCKの2つの場合において、ミスラッチに対するマージン確保が必要であるが、この例では、第1制御信号10、11に対して第2制御信号20が、第1制御信号12,13に対して、第2制御信号2が選択されており、図21においては、データストローブ信号のタイミングが最も早い状態でもラッチマージンが確保されており、図22においては、データストローブ信号のタイミングが最も遅い状態でもラッチマージンが確保されていることが示されている。
さらに、第3の実施形態に対してwrite enable信号W0,W1を約0.5tCK早く出力し、かつラッチマージンを十分確保することが可能となっていることを特徴としている。このことは、逆にwrite enable信号W0,W1を第3の実施形態と同じタイミングで発生した場合、新たに0.5tCKの期間を利用した論理機能の追加の余地を提供している。
【0066】
第3の実施形態の場合、この第4の実施形態の2ビットプリフェッチ回路44の第2制御信号20、22を図15の制御回路34により、生成している。
【0067】
ここでは主として2ビットプリフェッチ方式を中心に述べたが、第3の実施形態は、容易に多ビットプリフェッチ方式に拡張することが可能である。
【0068】
[実施形態5、6、7、8]
本実施形態は、第1の実施形態において述べたデータイン回路12においてレジスター回路122が存在しないか、または複数が従属接続された形態である。動作は実施形態1に基本的に同様であるため、実施形態の具体的な説明は省略する。このように、従属接続されるレジスタの数により、データ入力信号の保持される期間が変更されたとしても、データストローブ信号により取り込まれたデータ入力信号を容易にクロック信号CLK制御に変換できる。同様のことが、第2の実施形態、第3の実施形態および第4の実施形態についても適用できる。この場合を発明の実施の形態6、発明の実施の形態7および発明の実施の形態8とする。
【0069】
第5、第6、第7、第8実施形態に述べた従属接続された複数のレジスターは、第1のワンショットパルスIDSDを制御信号として使用する。または、第1のワンショットパルスIDSDに対するデータ入力信号のマージンを向上するため、レジスタ自信の遅延時間を考慮し、データ信号のスキューと同じだけのスキュウーをもたせた複数の第1のワンショットパルスIDSDを生成し、この遅らした信号を制御信号として使用することも有効である。
【0070】
[実施形態9]
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態9について説明する。本実施形態は、第1実施形態に関連しており、アドレス信号YP0に従う、2ビットプリフェッチについて具体的に説明する。図27、図28は、この発明の第9実施形態の電気構成を示すブロック図、図29は、2ビットプリフェッチ形式に関するアドレス信号YP0がLowレベル時における、第9の実施形態の動作を説明するタイミングチャート、図30は、前記YP0がHighレベル時における、第9の実施形態の動作を説明するタイミングチャート、図31は、前記YP0が変化したときの第9の実施形態の動作を説明するタイミングチャートの説明図である。この第9実施形態の半導体記憶装置は、図27に示すように、データストローブ信号回路91と、データイン回路92と、データ保持回路93と、制御回路94と、4ビットカウンター回路95とから構成される。この第9の実施形態は第1の実施形態で示した電気構成と4ビットカウンター95を除く構成で等しく、2ビットプリフェッチ形式に関するアドレス信号YP0によるデータ入力信号の選択を実現するためのセレクタ回路951を有する4ビットカウンター95を備えることを特徴としている。
【0071】
データストローブ信号回路91は、図27(a)に示すように、入力バッファ911と、ライズ/フォール遷移パルス発生回路912と、遅延回路913を有している。入力バッファ911は、データストローブ信号DSを、ライズ/フォール遷移パルス発生回路912と、遅延回路913に供給する。ライズ/フォール遷移パルス発生回路912は、入力バッファ911の出力信号の立ち上がり(ライズ)エッジと立ち上がり(フォール)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生する。遅延回路913は、入力信号DSを遅延した信号DSDを発生する。
【0072】
データイン回路92は、図7(b)に示すように、入力バッファ921と、レジスタ回路922と、ラッチ回路923,924,925,926と、データ保持回路927、928と、データバスドライブ回路929を有している。入力バッファ921は、データ入力信号DINiをレジスタ回路922に供給する。レジスタ回路922は、入力バッファ921の出力信号を、ワンショットパルス信号IDSDに応じて取り込む。ラッチ回路923,924,925,926はレジスタ回路922の出力信号を、第1制御信号10、11、12、13に応じて取り込む。また、第2制御信号20、22に応じて出力信号ed1、od1を発生する。
データ保持回路927、928は出力信号ed1,od1を保持する。データバスドライブ回路929は、データ保持回路927の出力信号ed1と、データ保持回路928の出力信号od1を並列に、制御信号W0、W1により、それぞれ偶数番目のデータバスDBEiと、奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。
【0073】
ここで、レジスタ回路922は、図8(c)のレジスタ回路96によって示される同じ回路構成を有している。ラッチ回路923,924,925,926は、図28(f)によって示されるラッチ回路97の構成を有している。
【0074】
以上の1連の動作は、第1の実施形態1および第9の実施形態ともに等しい。次の2ビットプリフェッチ形式に関するアドレス信号YP0の動作と、本発明における動作の実現手段について述べる。
【0075】
入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて取り込まれる入力データは、コマンド信号が入力された先頭のデータから、順次交互に偶数番目のデータバスDBEiと、奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。この時、コマンド信号と同時の取り込まれた2ビットプリフェッチに関するアドレス信号YP0がLow信号(またはHigh信号)であれば、先頭データから、順次交互に偶数番目のデータバスDBEiと、奇数番目のデータバスDBOiとに供給し、アドレス信号YP0がHigh信号(またはLow信号)であれば、先頭データから、順次交互に奇数番目のデータバスDBOiと、偶数番目のデータバスDBEiとに供給し、これによって、入力データが図示されていない記憶セルに書き込まれる。
【0076】
前記2ビットプリフェッチに関するアドレス信号YP0に対応した第1制御信号10、13の1例を述べる。図23(g)の4ビットのカウンター回路952とワンショットパルス信号IDSD‘により発生する信号である。ワンショットパルス信号IDSD‘はIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号である。または、図示されてない回路によりIDSD信号から生成された信号である。
ここで、4ビットカウンター回路952で使用されるレジスタ回路RS1F/F,RS0F/Fは、図23(h)に示すリセットつきレジスター回路98および99の機能を有する回路である。4ビットカウンター952の出力信号は、アドレス信号YP0に従いセレクタ951により、第1制御信号10と11が、また第1制御信号12と13が、それぞれ入れ替わることが可能であるよう選択されることを特徴とした構成である。
【0077】
第2制御信号20,22は図28(e)により第1制御信号10、11、12、13から発生される制御信号である。
【0078】
IDSD信号、DSD信号、第1制御信号10、11、12、13、第2制御信号20,22はデータ入力信号DINiを順次取り込み、出力DBEi、DBOiを発生するのにデータ入力信号の伝搬遅延を十分考慮し、データ入力信号に対して十分なラッチマージンを確保するタイミング関係を有している。
【0079】
次に図27を参照して、この例の半導体記憶装置の動作を説明する。図27(a)に示すデータストローブ信号回路11では、データストローブ信号DSの立ち上がり(ライズ)エッジと立ち下がり(フォール)エッジを検出して、ワンショットパルス信号IDSDを発生し、また、データストローブ信号DSを遅延した、図示しない信号DSDを発生する。
【0080】
図28(g)に示す4ビットカウンター回路95は、コマンド信号等を、由来としてリセット信号RESETが解除された後に、ワンショットパルスIDSDにより、カウントアップされる信号IN0、1、2、3を発生する。この例では、このカウントアップされる信号IN0、1、2、3とワンショットパルス信号IDSD‘により、第1制御信号10、11、12、13が発生する。アドレス信号YP0に従うセレクタにより、信号IN0、1、2、3が選択される。
ここで、ワンショットパルス信号IDSD‘は図示されてない回路により生成されたIDSD信号を由来とする、もしくはIDSD信号の遅延された信号、またはIDSD信号そのものであり、カウンター回路95の出力IN0,1,2,3の遷移に対して、十分なマージンを持たせた信号である。入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて入力データは、データイン回路92の入力バッファ921からデータ保持手段であるレジスタ回路922に順次取り込まれ、データ保持手段と、データ保持手段に従属接続されかつ、入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号DSの立ち上がり(又は立ち下り)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて生成された前述したワンショットパルス信号IDSD‘のタイミングをもつ、第1制御信号10、11、12、13、に制御されたラッチ回路1、2、3、4に順次取り込まれる。データ保持手段であるラッチ回路1,2,3、4に取り込まれた入力データ信号は、入力データ信号の2個周期で出力されるデータストローブ信号DSを遅延したDSD‘信号と第1制御信号10,11,12,13を入力とする制御回路94により生成された第2制御信号20,22により、入力データ信号2個を同時にデータ保持回路13に取り出す。データ保持回路93に保持された信号は、クロック信号のタイミングで生成される write enable信号W0,W1により、並列に記憶セルに書き込むように構成されていることを特徴としている。
【0081】
アドレス信号YP0は、High、またはLow信号である。図30、図31に示すように、2つの場合において、データ信号の切り替えとミスラッチに対するマージン確保が必要であるが、図30においては、YP0がLowの状態でラッチマージンが確保されており、図31においては、Highの状態でラッチマージンが確保されていることが示されている。又、YP0の状態がコマンドに応じて変化した場合においてもラッチマージンが確保されている。
【0082】
ここでは、第1の実施形態の形態を2ビットプリフェッチ形式に関するアドレス信号YP0に対応させた場合を示したが、同様に第2の実施形態〜第8の実施形態にも適用でき、ラッチ回路の制御信号を多数備えることで、データ入力信号の並べ替えが可能であることが簡単にわかる。従来、ラッチマージン減少につながるデータパス上でのデータ入力信号の選択に対し、前記ラッチ回路の制御信号を用いることで、前記理由によるラッチマージンの減少を回避し、かつ、データ入力信号の数だけ必要となったセレクタ回路を第9の実施形態においては4ビットカウンター95に用いるセレクタ951の2台に削減している。
【0083】
2の倍数である多ビットプリフェッチにおいても、同様のカウンター回路とセレクター回路の組み合わせにより、簡単に動作を拡張することができる。また、ハードウェアーの削減には至らないが、カウンター回路を2台組み合わせることでも、データの入出力を制御することができる。具体的には、第9の実施形態の図4において、最初に現れる第1制御信号1から、10、13、12の順にカウントするカウンターと、その次に来る第1制御信号10から11,12,13の順にカウントするカウンターとを組み合わせた制御である。
【0084】
以上、本発明の実施形態を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られたものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更があってもこの発明に含まれる。例えば、第5の実施形態と第1の実施形態の違いのように、ラッチ回路12の前後に来るデータ保持手段の有無のような場合、データの2個周期で出力されるデータストローブ信号の立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジと生成した第1のワンショットパルスでデータ信号を取り込み、ラッチ回路12にデータが保持され、第1のワンショットパルスの2倍の周期を有するタイミングでデータが転送されることには違いがなく、この発明の課題1つであるクロック信号とデータ入力信号のスキューの問題を解決することを目的としたDDR−SDRAMの機能を果たす手段としては、相違はないからである。
また、DDR−SDRAMの標準化が現在進められている中で、2ビットプリフェッチ方式における実施形態を詳述してきたが、2ビットプリフェッチ方式に限らず、多ビットのデータ信号を並列処理することにより、クロック信号とデータ入力信号のスキューの問題を解決使用とするときに、本発明は適用することが可能であり、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更で前述課題を解決する手段を半導体記憶装置に提供する。
【発明の効果】
【0085】
以上説明した本発明によれば、データストローブ信号DSを用いたDDR−SDRAMにおいて、データストローブ信号DSから生成したワンショットパルス信号を用いて、入力信号をラッチした後、ラッチされたデータをデータストローブ信号の2倍の周期をもつ信号により、データ保持回路に転送するため、クロック信号CLKから生成したwrite enable信号のタイミングに、それぞれの信号の遅延量の制御により変換することが可能であり、入力データ信号のラッチマージンを十分確保できるようになる。尚、説明を簡単化するためにDDR−SDRAMを例に具体的な実施形態を多数述べたが、前記述べたように、データストローブ信号DSは、外部制御手段により発生したタイミング信号であるが、内部で発生した半導体装置でも同様に、データ信号を扱い、クロック信号CLKの制御に変換することが可能なことはいうまでもない。また、DDR−SDRAMに限らず、外部制御信号またはクロック信号により、取り込まれたデータ入力信号をクロック信号CLKに同期した信号にマージンを確保しつつ、効率よく変換することを必要とする半導体装置に、前述変換手段を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の従来例の電気的構成を示すブロック図である。
【図2】第1の従来例の動作を説明するタイミングチャートである。
【図3】第2の従来例の電気的構成を示すブロック図である。
【図4】第2の従来例の動作を説明するタイミングチャートである。
【図5】第3の従来例の電気的構成を示すブロック図である。
【図6】第3の従来例の動作を説明するタイミングチャートである。
【図7】この発明の第1の実施形態の電気的構成を示すブロック図である。
【図8】この発明の第1の実施形態の電気的構成を示すブロック図(続き)である。
【図9】第1の実施形態の動作を説明するタイミングチャートである。
【図10】第1の実施形態におけるデータストローブ信号のタイミングが最も早い場合のラッチマージンの説明図である。
【図11】第1の実施形態におけるデータストローブ信号のタイミングが最も遅い場合のラッチマージンの説明図である。
【図12】この発明の第2の実施形態の電気的構成を示すブロック図である。
【図13】この発明の第2の実施形態の電気的構成を示すブロック図(続き)である。
【図14】第2の実施形態の動作を説明するタイミングチャートである。
【図15】第2の実施形態におけるデータストローブ信号のタイミングが最も早い場合のラッチマージンの説明図である。
【図16】第2の実施形態におけるデータストローブ信号のタイミングが最も遅い場合のラッチマージンの説明図である。
【図17】この発明の第3の実施形態の電気的構成を示すブロック図である。
【図18】この発明の第3の実施形態の電気的構成を示すブロック図(続き)である。
【図19】第3の実施形態の動作を説明するタイミングチャートである。
【図20】第3の実施形態におけるデータストローブ信号のタイミングが最も早い場合のラッチマージンの説明図である。
【図21】第3の実施形態におけるデータストローブ信号のタイミングが最も遅い場合のラッチマージンの説明図である。
【図22】この発明の第4の実施形態の電気的構成を示すブロック図である。
【図23】この発明の第4の実施形態の電気的構成を示すブロック図(続き)である。
【図24】第4の実施形態の動作を説明するタイミングチャートである。
【図25】第4の実施形態におけるデータストローブ信号のタイミングが最も早い場合のラッチマージンの説明図である。
【図26】第4の実施形態におけるデータストローブ信号のタイミングが最も遅い場合のラッチマージンの説明図である。
【図27】この発明の第9の実施形態の電気的構成を示すブロック図である。
【図28】この発明の第9の実施形態の電気的構成を示すブロック図(続き)である。
【図29】第9の実施形態のアドレス信号YP0がLowに関する動作を説明するタイミングチャートである。
【図30】第9の実施形態のアドレス信号YP0がHighに関する動作を説明するタイミングチャートである。
【図31】第9の実施形態のアドレス信号YP0が変化した時に関する動作を説明するタイミングチャートである。
【符号の説明】
122 レジスタ回路
123,124,125,126 ラッチ回路
127,128 データ保持回路
31 データストローブ信号回路
32 データイン回路
33 データ保持回路
34 2ビットカウンタ
35 4ビットカウンタ
38、39 リセット付きレジスタ
122 レジスタ回路
123,124,125,126 ラッチ回路
127,128 データ保持回路
311 入力バファ
312 ライズ/フォール遷移パルス発生回路
313 遅延回路
321 入力バファ
322 レジスタ回路
323、324、325、326 ラッチ回路
327、328 データ保持回路
329
Claims (8)
- 入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号の立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジから生成された第1のワンショットパルス信号に応じてデータを順次取り込む初段のデータ保持手段と、前記第1のワンショットパルス信号のタイミングを持った第2の制御信号で制御されて初段のデータ保持手段から入力データを順次取り込み、且つ取り込まれた第1組の2個のデータを入力データの2個周期で発生する第1の制御信号により制御されて同時に出力する並列接続された第1の組の2個のデータ保持手段と、前記第2の制御信号で制御されて前記初段のデータ保持手段から入力データを順次取り込み、且つ取り込まれた第3組の2個のデータを前記第1の制御信号により制御されて同時に出力する並列接続された第3の組の2個のデータ保持手段と、前記第1の組の2個のデータ保持手段と前記第3の組の2個のデータ保持手段とから前記第1の制御信号のタイミングで出力されたデータを保持する第2の組の2個のデータ保持手段とを備え、前記入力データが初段データ保持手段から、前記第3の組の2個のデータ保持手段に順次取り込まれると同時に、前記第1組の2個のデータが前記第2の組の2個のデータ保持手段に転送され、次に、前記第1の組の2個のデータ保持手段にデータが順次取り込まれると同時に、前記第3の組の2個のデータが前記第2の組の2個のデータ保持手段に転送され、前記第2の2個のデータ保持手段に取り込まれたデータを同時に取り出してクロック信号のタイミングで並列に記憶セルに書き込むことを特徴とする半導体記憶装置。
- 前記第2の制御信号により、前記第1のワンショットパルス信号に応じて順次取り込まれた入力データを前記第1の組の2個のデータ保持手段または前記第3の組の2個のデータ保持手段を選択し、かつ、選択された前記第1の組の2個のデータ保持手段または前記第3の組の2個のデータ保持手段の1つを選択し、前記第1の組の2個のデータ保持手段と第3の組の2個のデータ保持手段に順次1個のデータを取り込み、一方、前記第1の制御信号により、入力データの2個周期で第1の組の2個のデータ保持手段または第3の組の2個のデータ保持手段を選択し2個のデータを第2の組の2個のデータ保持手段に転送し、取り込むように構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記第2の制御信号のタイミングが前記第1のワンショットパルス信号と同時または後に発生するように構成され、前記第1の制御信号のタイミングが、前記第2の制御信号と同時、または、後に発生することを特徴とする請求項1、2のいずれか一つに記載された半導体記憶装置。
- 前記第1のワンショットパルス信号に応じて入力データを順次取り込む初段のデータ保持手段がレジスター回路から、前記第1の組の2個のデータ保持手段と前記第3の組の2個のデータ保持手段が入力または出力を前記第2の制御信号または前記第1の制御信号により制御されるラッチ回路から構成されることを特徴とする請求項1、2、3いずれか一つに記載された半導体記憶装置。
- 入力データの2個周期で出力されるデータストローブ信号の立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジから生成された第1のワンショットパルス信号のタイミングをもつ第2の制御信号に応じて入力データを順次取り込む並列接続された第1の組の2個のデータ保持手段と、前記第2の制御信号に応じて入力データを順次取り込む並列接続された第3の組の2個のデータ保持手段と、第1の組の2個のデータ保持手段に取り込まれた第1の組の2個のデータ、または、第3の組の2個のデータ保持手段に取り込まれた第3の組の2個のデータを入力データの2個周期で同時に取り込む第2の組の2個のデータ保持手段と、を備え、前記第1の組の2個のデータが取り込まれた後に、前記第3の組の2個のデータが取り込まれる期間に前記第1の組の2個のデータが第2の組の2個のデータ保持手段に取り込まれる、または、前記第3の組の2個のデータが取り込まれた後に、前記第1の組の2個のデータが取り込まれる期間に前記第3の組の2個のデータが第2の組の2個のデータ保持手段に取り込まれる、または、前記第1の組の2個のデータが取り込まれた後に、ラッチマージンを十分確保したタイミングで前記第1の組のデータが第2の組の2個のデータ保持手段に取り込まれる、または前記第3の組の2個のデータが取り込まれた後に、ラッチマージンを十分確保したタイミングで前記第3の組の2個のデータが第2の組の2個のデータ保持手段に取り込まれ、前記第2の組の2個のデータ保持手段に取り込まれたデータを同時に取り出してクロック信号のタイミングで並列に記憶セルに書き込むことを特徴とする半導体記憶装置。
- 前記データストローブ信号の立ち上がり(又は立ち下がり)エッジと立ち下がり(又は立ち上がり)エッジとに応じて入力データを順次取り込む、第1の組の2個のデータ保持手段と第3の組の2個のデータ保持手段が、データの入力または出力を前記第2の制御信号または前記入力データの2個周期で発生する第1の制御信号により制御されるラッチ回路から構成されることを特徴とする請求項5に記載された半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2の制御信号はカウンター回路で生成されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記第1〜第3の組の2個のデータ保持手段をn個のデータ保持手段にすることで、nビットプリフェッチ形式(nは2以上)におけるCLK制御への変換を容易に可能とするデータラッチ形式を有することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
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