JP3849012B2 - 酸化亜鉛薄膜の低圧低温気相合成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、研究開発用基板、透明導電性薄膜、紫外発光材料等に使用される酸化亜鉛薄膜の低圧低温気相合成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の酸化亜鉛薄膜の気相合成方法は、基板上に単一相の酸化亜鉛薄膜を500℃以上の基板温度で合成するか、バッファー相となりうる薄膜を基板との間に挟んで合成し、高配向の酸化亜鉛薄膜を得ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、酸化亜鉛薄膜の気相合成温度の低温化と得られる酸化亜鉛薄膜の配向性の維持を目的とし、合成時の非平衡プロセスを利用した蒸気圧の大きな元素や酸化物には固溶しにくい窒素等の難固溶性元素の添加を指向した合成手法である。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、a-面アルミナ基板上に配向性の高い酸化亜鉛粒子を核としてヘテロエピタキシー法で高配向酸化亜鉛薄膜を合成する方法に関する。本発明の酸化亜鉛薄膜の合成方法の第一の方法は、一時的に基板温度を上げる方法であり、第二の方法は低基板温度で酸素ラジカル照射密度を上げる方法である。
【0005】
すなわち、本発明は、酸素ラジカル源を用いた酸化亜鉛薄膜の10-2Torr以下の低圧力薄膜合成において、まず、基板温度500℃から700℃で基板表面を部分的に覆う高配向酸化亜鉛粒子を一次的に合成し、その後、該酸化亜鉛粒子を核として400℃以下の基板温度で酸化亜鉛薄膜を二次的に合成することを特徴とする高配向酸化亜鉛薄膜の低圧低温気相合成方法である。
【0006】
また、本発明は、酸素ラジカル源を用いた酸化亜鉛薄膜の10-2Torr以下の低圧力薄膜合成において、まず、400℃以下の基板温度で酸素ラジカルと基板間の距離を縮めて基板に照射されるラジカル密度を高めて配向酸化亜鉛粒子を一次的に合成し、その後、酸素ラジカル源と基板間の距離を離して、配向酸化亜鉛粒子を核として基板温度400℃以下の温度で酸化亜鉛薄膜を二次的に合成する方法からなり、一次的な合成と二次的な合成の酸素ラジカル密度の差が3倍以上であることを特徴とする高配向酸化亜鉛薄膜の低圧低温合成方法である。
【0007】
これまでの10-2Torr以下での薄膜合成では、合成中の基板温度を500℃以上の高温にするか、バッファー相を基板との間に挟むか、また、合成の後に熱処理を施し、配向性・結晶性を向上させている。この場合、元素拡散による添加物の膜内での再分布や消失等の問題を引き起こしやすい。本発明の方法によれば、酸化亜鉛薄膜の気相合成時の基板温度の低温化に伴う配向性の低下を抑制し、配向性を維持することが可能である。すなわち、基板温度が低温(400℃以下)での合成でも酸化亜鉛薄膜の高い配向性を維持可能である。
【0008】
基板温度の低温化により、酸化物薄膜へ固溶しにくい窒素等の軽元素および蒸気圧の大きい難固溶性元素の添加が容易になり、さらに、基板との間にバッファー相を挟む場合と異なり、薄膜の電気的・光学的特性に与える影響が小さい。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の方法は、ラジカル源を搭載した化学気相輸送法で行うことが可能である。図1は、気相合成装置の概略説明図である。この装置は亜鉛供給源Aと可動式ラジカル源B、温度制御を搭載した真空チャンバーCで構成されている。亜鉛源を蒸発させ、マスフローDで流量制御されたアルゴンで真空チャンバーCに導入する。
【0010】
図2は、真空チャンバーC内のラジカル源Bと基板ステージEとの間の反応部分の概要を示す概念図である。図2に示すように、流量を制御した酸素ガスを基板ステージEの上方の可動式のラジカル源Bから酸素ラジカルとして発生させ、基板ステージE上に固定された8個程度の穴を持つリングインジェクターFからステージEに向い亜鉛を含んだガスとして基板に照射し、ステージEに置かれた基板上で酸化亜鉛薄膜の合成が可能である。基板ステージEの温度は100℃から700℃の範囲で制御可能である。この仕様の装置では表1に示す条件で酸化亜鉛が合成可能である。
【0011】
【表1】
【0012】
このような仕様の装置を用いた酸化亜鉛薄膜の低圧気相合成方法において、基板温度500℃未満での連続合成では、(002)ロッキングカーブの半値幅が1°を下まわる高い配向性を持った薄膜が得られない。そこで、合成初期に、まず、一次的に500℃〜700℃の高基板温度(700℃を超える温度では酸化亜鉛が基板上に堆積しない)で基板表面を部分的に覆う、好ましくはバンド端における光透過率が40〜70%程度になるように覆う高配向酸化亜鉛粒子を合成する。その後、それらの酸化亜鉛粒子を核として400℃以下の基板温度で酸化亜鉛を二次的に合成し、高配向酸化亜鉛薄膜を得る。
このように、基板表面を一次的な合成により部分的に覆うことによって粒子間の特性に絡む相互作用を抑制することが可能となり、その後の二次的な成膜で配向性だけを制御可能となる。
【0013】
また、上記の可動式ラジカル源を搭載した気相合成装置において、基板温度400℃以下での合成では、X線回折における(002)ピークの半値幅が1°を下回るような配向膜を得ることが困難である。
これは、低基板温度における薄膜への元素の添加操作において解決するべき問題である。そこで、合成初期に、まず、一次的に基板温度400℃以下の低基板温度で、酸素ラジカル源とサンプル間の距離を狭めてラジカル密度を高めて、高配向酸化亜鉛粒子を合成し、その後、ラジカル源と基板間の距離を離して、それら粒子を核として400℃以下の低基板温度で酸化亜鉛を二次的に合成し、高配向酸化亜鉛薄膜を得る。
この際、一次的な合成と二次的な合成の酸素ラジカル密度の差を3倍以上とすることが好ましい。例えば、通常の合成時の距離を15cmとした場合、その1/2の7.5cm程度に距離を縮めると、ラジカル密度は4倍程度に高まる。
【0014】
【実施例】
比較例1〜4
図1に示す気相合成装置を用いて、無毒かつ安価、さらに低融点の亜鉛アセチルアセトナートを真空中で蒸発させ(亜鉛供給源A)、マスフローDで流量を制御されたキャリアガスのアルゴンで反応チャンバーCにリングインジェクターFから基板方向に照射した。真空チャンバーCでは基板ステージE上4cmに固定された8個の穴を持つリングインジェクターFからステージEに向かい亜鉛を含んだガスとして照射した。基板ステージEの温度は熱電対で測定した。反応チャンバーの待機時と合成時の真空度は、それぞれ5×10-8と5×10-4Torrである。この装置の基板温度を変え、a - 面アルミナ上に酸化亜鉛薄膜を合成した。温度は300℃(比較例1)、400℃(比較例2)、500℃(比較例3)、600℃(比較例4)である。
【0015】
得られた酸化亜鉛薄膜の配向性はX線回折法で評価した。比較例すべての基板で酸化亜鉛薄膜はC-軸配向していることが確認できた。(002)ロッキングカーブの半値幅で配向性を精密に評価した。配向性は600℃で合成した比較例4の薄膜が0.4°で最も良く、400℃で合成した薄膜は3°と配向性は良くない。基板温度の低温化とともに配向性の低下が確認できた(図3)。
【0016】
実施例1
比較例の気相合成法と同じ方法により、まず、一次的に基板温度600℃で酸化亜鉛を30〜40nm合成した。この時、吸収スペクトルの測定において、酸化亜鉛バンド端で約50%の光の漏れが見られる(図4)。これは、一次的に合成した酸化亜鉛が基板表面の全面を覆っていないことを意味している。また、これと膜厚を考えれば、酸化亜鉛は基板上に孤立粒子として存在して基板表面を部分的に覆っている。
【0017】
この酸化亜鉛粒子が基板表面上に部分的に50%を覆う程度にヘテロエピタキシーした基板に、二次的に基板温度400℃で酸化亜鉛を500nm合成した。この薄膜の(002)ロッキングカーブの半値幅は0.6°であり、図1に示した比較例2の3°に比較して大幅な配向性の向上が認められた(実施例1、図3)。
【0018】
実施例2、実施例3
実施例1と同様に、一次的に酸化亜鉛を合成した基板表面に、二次的合成温度を300℃と500℃として成膜し、実施例1と同様の効果を確認できた(実施例2、実施例3、図3)。これらは合成の初期段階で合成した配向した酸化亜鉛粒子の効果であり、この粒子を核として低温でも配向性が高い酸化亜鉛薄膜を合成可能であることが明らかとなった。
【0019】
実施例4
比較例の気相合成法と同じ方法により、まず、合成の初期に一次的に酸化亜鉛粒子を基板温度400℃でa - 面アルミナ基板上に合成した。この時、酸素ラジカル源と基板間の距離を1/2(通常、15cmであるが、この場合、7.5cmとした)に縮め基板に照射されるラジカル密度を4倍とした。この条件で酸化亜鉛を30〜40nm程度堆積し、その後、ラジカル源と基板間の距離を戻し(15cm)、引き続いて、二次的に酸化亜鉛を基板温度400℃で500nm合成した。この薄膜から求めたロッキングカーブの半値幅は0.7°であり、効果が認められた(実施例4、図3R>3)。
【0020】
【発明の効果】
本発明によれば、高配向酸化亜鉛薄膜合成の基板温度の低温化へ貢献し、非平衡プロセスを利用した蒸気圧の大きな元素や酸化物には固溶しにくい窒素等の難固溶性元素の添加に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法に使用する気相合成装置の一例を示す装置全体の概略図である。
【図2】本発明の方法において、気相合成装置の真空チャンバーC内のラジカル源と基板ステージとの間の反応部分の概略を示す概念図である。
【図3】本発明の実施例および比較例の酸化亜鉛薄膜合成における配向性に与える基板温度の効果を示すグラフである。
【図4】実施例1において基板上に初期段階で形成された酸化亜鉛粒子の吸収スペクトルを示すグラフである。
Claims (2)
- 酸素ラジカル源を用いた酸化亜鉛薄膜の10-2Torr以下の低圧力薄膜合成において、まず、基板温度500℃から700℃で基板表面を部分的に覆う高配向酸化亜鉛粒子を一次的に合成し、その後、該酸化亜鉛粒子を核として400℃以下の基板温度で酸化亜鉛薄膜を二次的に合成することを特徴とする高配向酸化亜鉛薄膜の低圧低温気相合成方法。
- 酸素ラジカル源を用いた酸化亜鉛薄膜の10-2Torr以下の低圧力薄膜合成において、まず、400℃以下の基板温度で酸素ラジカルと基板間の距離を縮めて基板に照射されるラジカル密度を高めて配向酸化亜鉛粒子を一次的に合成し、その後、酸素ラジカル源と基板間の距離を離して、配向酸化亜鉛粒子を核として基板温度400℃以下の温度で酸化亜鉛薄膜を二次的に合成する方法からなり、一次的な合成と二次的な合成の酸素ラジカル密度の差が3倍以上であることを特徴とする高配向酸化亜鉛薄膜の低圧低温合成方法。
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- 2002-03-04 JP JP2002057748A patent/JP3849012B2/ja not_active Expired - Lifetime
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