JP3848922B2 - 半ブリッジゲートドライバ回路 - Google Patents
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- 負の電位と結合された高電位側スイッチおよび該負の電位と結合された低電位側スイッチを有する半ブリッジ誘導スイッチング電力コンバータのゲートドライバ回路であって、
共通電位を基準とする第1の高電位側ドライバ回路であって、該高電位側スイッチを駆動して第1の出力を生成することができる、第1の高電位側ドライバ回路と、
該共通電位を基準とする第2の高電位側ドライバ回路であって、低電位側スイッチを駆動して第2の出力を生成することができる、第2の高電位側ドライバ回路と、
該第1の出力に対して該共通電位を負に維持する電圧源(V CX )と
を備えた、ゲートドライバ回路。 - 前記共通電位には、前記負の電位および前記第1の出力のうちの1つが、該第1の出力の電圧の大きさの関数として選択的に提供される、請求項1に記載のゲートドライバ回路。
- 前記共通電位には、前記負の電位、およびAC電源によって駆動されるチャージポンプのうちの1つが選択的に提供される、請求項1に記載のゲートドライバ回路。
- 前記第1および前記第2の高電位側ドライバ回路を介する信号伝播遅延は、実質的に同じである、請求項1〜3のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記第1および前記第2の高電位側ドライバ回路に提供される制御信号は、スイッチングからのノイズを最小化するために、互いに分離される、請求項1〜4のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記第1および前記第2の高電位側ドライバ回路の少なくとも1つと結合された信号変換ステージであって、複数のカスケード接続された共通ベースステージと1つのバッファとを備え、入力信号の基準を前記共通電位に変換するように動作可能である、信号変換ステージをさらに備える、請求項1〜5のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記信号変換ステージは、前記共通ベースステージの1つと結合された寄生トランジスタであって、ノイズ補償を前記変換された入力信号に注入するように動作可能である、寄生トランジスタを備える、請求項6に記載のゲートドライバ回路。
- 前記信号変換ステージは、PWM信号を変換する分圧器として動作可能である、請求項6または7に記載のゲートドライバ回路。
- 前記共通ベースステージの各々は、トランジスタとキャパシタとを備え、該キャパシタは、ノイズの低減を提供するように動作可能である、請求項6〜8のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 1つを除くすべての前記共通ベースステージは、接地電位にバイパスされるベースノードを有するトランジスタを備え、該残りの共通ベースステージは、抵抗を介して前記共通電位と結合されるトランジスタを備える、請求項6〜9のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記第1および前記第2の高電位側ドライバ回路の少なくとも1つは、前記信号変換ステージによって提供された前記変換された入力信号の機能として、高電位側および低電位側のスイッチそれぞれを駆動することができる、請求項6〜10のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記変換ステージは、キャパシタを介してアースグラウンドにバイバスされるベースノードと各々がカスケード接続された3つ以上のトランジスタを備える、請求項6〜11のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記高電位側スイッチは、前記負の電位および正の電位と結合され、該負の電位および該正の電位は、その間の電位範囲を規定し、前記低電位側スイッチは、該正の電位および該負の電位とさらに結合され、前記共通電位は、前記第1の出力が該負の電位よりも負になる場合、該電位範囲の外になるように動的に適合可能である、請求項1〜12のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記共通電位は、前記第1の出力が前記負の電位よりも正である場合、該第1の出力と実質的に同じである、請求項1〜13のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記共通電位は、前記第1の出力が前記負の電位よりも負である場合、該第1の出力と実質的に同じであるように引き下げられる、請求項1〜14のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記共通電位は、前記高電位側スイッチの過渡エクスカーションの機能として、オフの間、動的に適合可能である、請求項1〜15のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記第1および前記第2の高電位側ドライバ回路とそれぞれ結合された第1および第2の変換ステージであって、各々がカスケード接続された複数のトランジスタと、該カスケード接続されたトランジスタの1つと結合された1つの寄生トランジスタとを備える、第1および第2の変換ステージをさらに含む、請求項1〜5または12〜15のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 入力信号は、前記第1の高電位側ドライバ回路および前記第2の高電位側ドライバ回路内の実質的に同一のロジックを介して伝播される、請求項1〜17のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記第1および前記第2の高電位側ドライバ回路の両方は、パルス生成器と受信ステージとを備える、請求項1〜18のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記高電位側スイッチの前記出力は負の供給電圧と結合され、前記低電位側スイッチの前記出力は正の供給電圧と結合され、該高電位側スイッチの該出力と誘導的にさらに結合される、請求項1〜19のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記第1の高電位側ドライバ回路は、入力信号の機能としての前記高電位側スイッチを駆動するように動作可能であり、前記第2の高電位側ドライバ回路は、入力信号の機能としての前記低電位スイッチを駆動するように動作可能である、請求項1〜20のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記共通電位は、前記第1および前記第2の高電位ドライバ回路に供給される基準供給電圧である、請求項1〜21のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記高電位側スイッチおよび前記低電位側スイッチは、逆電流電力コンバータの部分である、請求項1〜22のいずれか1つに記載のゲートドライバ回路。
- 前記高電位側スイッチは、前記第1の出力と前記負の供給電圧との間に結合されるダイオードを含み、前記基準供給電圧は、該高電位側スイッチが最初に開けられると、該ダイオードにわたる順方向電圧の整流を選択的に表す、請求項22または23に記載のゲートドライバ回路。
- 前記負の供給電圧と第2のダイオードとの間に結合される第1のダイオードと、該第1のダイオードと前記高電位側スイッチの出力との間に結合される該第2のダイオードとをさらに備え、前記基準供給電圧には、前記負の供給電圧、および該第1および該第2のダイオードの機能としての該高電位側スイッチの該出力における電圧の1つが選択的に提供される、請求項22または23に記載のゲートドライバ回路。
- AC電源をさらに備え、前記基準供給電圧には、該AC電源と前記負の供給電圧の1つが選択的に提供される、請求項22または23に記載のゲートドライバ回路。
- 負の電位と結合された高電位側スイッチおよび該負の電位と結合された低電位側スイッチを有する半ブリッジ誘導スイッチング電力コンバータのゲートドライバ回路であって、
共通電位を基準とする第1の高電位側ドライバ回路であって、該高電位側スイッチを駆動して第1の出力を生成することができる、第1の高電位側ドライバ回路と、
該共通電位を基準とする第2の高電位側ドライバ回路であって、低電位側スイッチを駆動して第2の出力を生成することができる、第2の高電位側ドライバ回路と
を備え、
該共通電位は、該第1の出力よりも負の状態で保持され、
前記共通電位には、前記負の電位、およびAC電源によって駆動されるチャージポンプのうちの1つが選択的に提供される、ゲートドライバ回路。
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Families Citing this family (46)
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---|---|---|---|---|
TW503620B (en) * | 2000-02-04 | 2002-09-21 | Sanyo Electric Co | Drive apparatus for CCD image sensor |
US6847532B2 (en) * | 2000-11-14 | 2005-01-25 | Yaskawa Eshed Technology Ltd. | System and method to eliminate the dead time influence in a pwm-driven system |
DE10202480A1 (de) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung eines Signals von einer Signalquelle zu einer Signalsenke in einem System |
JP2004274719A (ja) | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プリドライブ回路、容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置 |
US6946885B1 (en) * | 2003-05-19 | 2005-09-20 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ripple gate drive circuit for fast operation of series connected IGBTs |
US7015720B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-03-21 | Intel Corporation | Driver circuit |
US6982574B2 (en) * | 2004-03-22 | 2006-01-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a transistor driver and structure therefor |
US7064509B1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-06-20 | Visteon Global Technologies, Inc. | Apparatus for DC motor position detection with capacitive ripple current extraction |
DE102005028184A1 (de) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit einem Eigendiagnosesystem zum Ansteuern und Überwachen einer Last in einer Brückenschaltung und dazugehöriges Betriebsverfahren |
US7683695B2 (en) * | 2005-08-18 | 2010-03-23 | Linear Technology Corporation | Circuits and methods for canceling signal dependent capacitance |
DE602005005822T2 (de) * | 2005-09-29 | 2009-04-30 | Infineon Technologies Ag | Schaltkreis und adaptives Verfahren zum Antrieb einer Halbbrückenschaltung |
JP4857814B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-01-18 | 株式会社日立製作所 | モータ駆動装置 |
US20070223154A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Christian Locatelli | High side reset logic for gate driver |
WO2008137935A1 (en) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Harman International Industries, Incorporated | Automatic zero voltage switching mode controller |
US7965126B2 (en) | 2008-02-12 | 2011-06-21 | Transphorm Inc. | Bridge circuits and their components |
JP5342153B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2013-11-13 | 矢崎総業株式会社 | モータ負荷制御装置 |
US8289065B2 (en) | 2008-09-23 | 2012-10-16 | Transphorm Inc. | Inductive load power switching circuits |
US8138529B2 (en) * | 2009-11-02 | 2012-03-20 | Transphorm Inc. | Package configurations for low EMI circuits |
US8816497B2 (en) | 2010-01-08 | 2014-08-26 | Transphorm Inc. | Electronic devices and components for high efficiency power circuits |
US8624662B2 (en) * | 2010-02-05 | 2014-01-07 | Transphorm Inc. | Semiconductor electronic components and circuits |
US8310284B2 (en) * | 2011-01-07 | 2012-11-13 | National Semiconductor Corporation | High-voltage gate driver that drives group III-N high electron mobility transistors |
US8786327B2 (en) | 2011-02-28 | 2014-07-22 | Transphorm Inc. | Electronic components with reactive filters |
WO2012153458A1 (ja) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | 富士電機株式会社 | 制御装置 |
WO2012177873A2 (en) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Arkansas Power Electronics International, Inc. | High temperature half bridge gate driver |
US9209176B2 (en) | 2011-12-07 | 2015-12-08 | Transphorm Inc. | Semiconductor modules and methods of forming the same |
TWI481194B (zh) * | 2012-02-10 | 2015-04-11 | Richtek Technology Corp | 浮接閘驅動器電路以及在浮接閘驅動器電路中為單端準位平移器改善抗雜訊能力的電路與方法 |
US8648643B2 (en) | 2012-02-24 | 2014-02-11 | Transphorm Inc. | Semiconductor power modules and devices |
US8803246B2 (en) | 2012-07-16 | 2014-08-12 | Transphorm Inc. | Semiconductor electronic components with integrated current limiters |
US9059076B2 (en) * | 2013-04-01 | 2015-06-16 | Transphorm Inc. | Gate drivers for circuits based on semiconductor devices |
US9537425B2 (en) | 2013-07-09 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Multilevel inverters and their components |
EP3100269B1 (en) * | 2014-01-28 | 2020-10-07 | Schneider Electric IT Corporation | Bipolar gate driver |
US9543940B2 (en) | 2014-07-03 | 2017-01-10 | Transphorm Inc. | Switching circuits having ferrite beads |
US9590494B1 (en) | 2014-07-17 | 2017-03-07 | Transphorm Inc. | Bridgeless power factor correction circuits |
US9673816B2 (en) | 2014-11-11 | 2017-06-06 | Halliburton Energy Services, Inc. | Asymmetric gate driver apparatus, methods, and systems |
WO2016149146A1 (en) | 2015-03-13 | 2016-09-22 | Transphorm, Inc. | Paralleling of switching devices for high power circuits |
US9660637B1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-05-23 | Delta Electronics, Inc. | Driving circuit and driving method |
US9735771B1 (en) * | 2016-07-21 | 2017-08-15 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Hybrid switch including GaN HEMT and MOSFET |
US9712058B1 (en) | 2016-08-29 | 2017-07-18 | Silanna Asia Pte Ltd | High speed tri-level input power converter gate driver |
DE102017100972A1 (de) * | 2017-01-19 | 2018-07-19 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Vorrichtung zur Ansteuerung einer elektronischen Schalteinheit |
JP6784607B2 (ja) * | 2017-02-06 | 2020-11-11 | 株式会社京三製作所 | 絶縁電源、及び電力変換装置 |
CN106998200B (zh) * | 2017-04-13 | 2021-03-02 | 河北新华北集成电路有限公司 | 高电压pmos驱动电路 |
US10319648B2 (en) | 2017-04-17 | 2019-06-11 | Transphorm Inc. | Conditions for burn-in of high power semiconductors |
US10122349B1 (en) | 2017-08-15 | 2018-11-06 | Witricity Corporation | Multi-mode power train integrated circuit |
US10348139B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-07-09 | Witricity Corporation | Configurable wireless charging transmit and receive monitoring device |
TWI637595B (zh) * | 2017-11-17 | 2018-10-01 | 新唐科技股份有限公司 | 半橋電路驅動晶片及其驅動方法 |
US10404164B1 (en) | 2018-10-10 | 2019-09-03 | Smart Prong Technologies, Inc. | Floating charge pump |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE35806E (en) * | 1988-11-16 | 1998-05-26 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Multipurpose, internally configurable integrated circuit for driving a switching mode external inductive loads according to a selectable connection scheme |
IT1225630B (it) * | 1988-11-16 | 1990-11-22 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito integrato di controllo di commutazione di corrente in carichiinduttivi multipli esterni configurabile |
US5272398A (en) * | 1991-09-12 | 1993-12-21 | Otis Elevator Company | Driver for power field-controlled switches with refreshed power supply providing stable on/off switching |
US5570062A (en) * | 1994-10-12 | 1996-10-29 | Ericsson Ge Mobile Communications Inc. | AM-FM transmitter power amplifier using class-BC |
JP2896342B2 (ja) * | 1995-05-04 | 1999-05-31 | インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション | 半波ブリッジ構成における複数のパワートランジスタを駆動し、かつ出力ノードの過度の負の振動を許容する方法及び回路、並びに上記回路を組み込む集積回路 |
US5502412A (en) * | 1995-05-04 | 1996-03-26 | International Rectifier Corporation | Method and circuit for driving power transistors in a half bridge configuration from control signals referenced to any potential between the line voltage and the line voltage return and integrated circuit incorporating the circuit |
US5657219A (en) * | 1995-08-29 | 1997-08-12 | Crown International, Inc. | Opposed current power converter |
US5801557A (en) | 1995-10-10 | 1998-09-01 | International Rectifier Corp. | High voltage drivers which avoid -Vs failure modes |
US5973368A (en) * | 1996-06-05 | 1999-10-26 | Pearce; Lawrence G. | Monolithic class D amplifier |
US6208167B1 (en) * | 1997-11-19 | 2001-03-27 | S3 Incorporated | Voltage tolerant buffer |
IT1306920B1 (it) * | 1998-01-05 | 2001-10-11 | Int Rectifier Corp | Circuito integrato per il controllo di stabilizzatori per lampadea fluorescenza |
FI110898B (fi) * | 1998-10-26 | 2003-04-15 | Abb Industry Oy | Vaihtosuuntaaja |
US6194845B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-02-27 | Osram Sylvania Inc. | Ballasts with tapped inductor arrangements for igniting and powering high intensity discharge lamps |
US6222751B1 (en) * | 2000-05-15 | 2001-04-24 | Stmicroelectronics S.R.L. | Driver circuit for a polyphase DC motor with minimized voltage spikes |
-
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