JP3845372B2 - 水素分離部材の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,水素分離部材,特に,水素を選択的に透過させる金属製水素分離膜と,その水素分離膜を支持し,且つ水素を通過させる複数の細孔を持つ多孔質基材とを有する水素分離部材の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
水素分離部材は,例えば,水素を含む混合ガスから高純度の水素を取出すために用いられる。この場合,水素分離膜としては薄いもの程水素透過速度が速いことから,その膜形成に当ってはスパッタリング等の薄膜形成技術が採用されている。
【0003】
ところが,多孔質基材の水素分離膜形成面には複数の細孔の開口が存在するため,膜形成時に水素分離膜が部分的に細孔の開口内に陥没し,その膜が薄いことから陥没部分が裂けてピンホールが発生したり,陥没部分が厚くなって水素に対する選択透過性が不十分となる,等の問題があった。
【0004】
そこで,前記問題を解決すべく,次のような方法が開発されている。即ち,(1)金属板の一面に電解メッキ処理を施して水素分離膜を形成する,(2)水素分離膜の表面にホトレジスト層を形成する,(3)ホトレジスト層に,ホトリソグラフィを適用して,複数の細孔に対応する部分を残置し,且つ細孔の周壁に対応する部分を除去された,多孔質基材のネガティブモデルを得る,(4)ネガティブモデルに電解メッキを施して,細孔の周壁に対応する部分に金属を充填する,(5)ネガティブモデルの細孔に対応する部分を除去して金属よりなる多孔質体を得る,(6)金属板を水素分離膜から分離する,といった手段を採用するものである。この場合,前記ホトリソグラフィをX線リソグラフィに代えることが可能である(例えば,特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−104472号公報,[0010],図3
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら前記従来法においては,金属板を電極として用いて電解メッキにより水素分離膜および多孔質基材を形成しているので,最終的に金属板を水素分離膜から分離しなければならず,またホトリソグラフィの実施に当りホトレジスト層の形成も必須工程となるもので,水素分離部材の製造工程数が多く製造能率が悪い,という問題があった。また金属板の分離作業中に薄い水素分離膜を傷付けるおそれもあった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は,水素分離部材の製造工程数を少なくして製造能率を向上させると共に健全な水素分離膜を備えた水素分離部材を得ることが可能な前記製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
前記目的を達成するため本発明によれば,水素を選択的に透過させる金属製水素分離膜と,その水素分離膜を支持し,且つ水素を通過させる複数の細孔を持つ多孔質基材とを有する水素分離部材を製造するに当り,レジストシートの一面に前記水素分離膜を形成する工程と,前記レジストシートを被照射体とする,X線リソグラフィおよびX線ドライエッチングの一方を行って,複数の前記細孔に対応する部分を残置され,且つ各細孔回りの周壁に対応する部分を除去された,前記多孔質基材のネガティブモデルを得る工程と,前記ネガティブモデルの,各細孔回りの周壁に対応する凹部に電鋳によって金属を充填する工程と,前記ネガティブモデルの各細孔に対応する部分を除去して前記金属よりなる前記多孔質基材を得る工程,とを用いる水素分離部材の製造方法が提供される。
【0009】
前記方法によれば,4工程にて水素分離部材を得ることができ,これは従来法の6工程に比べて製造工数が少なく,したがって製造能率の向上を図ることができる。一方,水素分離膜に関係する作業は,電鋳に先立って行われるマスキングおよび電極として用いるためのリード線の接続,といったものであるから,この作業による水素分離膜の損傷を回避することは容易である。
【0010】
また本発明によれば,水素を選択的に透過させる金属製水素分離膜と,その水素分離膜を支持し,且つ水素を通過させる複数の細孔を持つ多孔質基材とを有する水素分離部材を製造するに当り,前記多孔質基材を得るためのレジストシートの一面に前記水素分離膜を形成する工程と,前記レジストシートを被照射体とする,X線リソグラフィおよびX線ドライエッチングの一方を行って前記複数の前記細孔を形成することにより前記多孔質基材を得る工程と,を用いる水素分離部材の製造方法が提供される。
【0011】
このようにして得られた水素分離部材は,多孔質基材がレジストシートを製造材料としていることから,その使用温度を,例えば100〜150℃に限定される。この場合にも製造工程数は2工程といったように少なく,したがって製造能率の向上を図ることができる。
【0012】
X線リソグラフィとX線ドライエッチングを比べると,X線ドライエッチングの場合は現像が不要であることからX線リソグラフィに比べて能率的である。
【0013】
【発明の実施の形態】
〔第1実施例〕
図1〜3において,水素分離部材1は,水素を選択的に透過させる金属製水素分離膜2と,その水素分離膜2を支持し,且つ水素を通過させる複数の六角形細孔3を持つハニカム構造の多孔質基材4とを有する。水素分離膜2はPdまたはPd−Ag合金等のPd合金より構成され,その厚さは0.1〜2.0μm,例えば0.2μmである。多孔質基材4はNi,Cu等の金属より構成され,その厚さは25〜200μm,例えば100μmである。六角形細孔3の対向角部間の長さaは,例えば5μm,また細孔3回りの周壁5において,相隣る両六角形細孔3間の厚さbは,例えば3μmである。水素分離膜2の形成に当ってはPVD,例えば,スパッタリング,イオンプレーティング,イオンビーム蒸着等が採用されるが,メッキ法,プラズマCVD等の適用も可能である。
【0014】
水素分離部材1は次のような方法で製造される。
【0015】
(1)図4(a)に示すように,例えばPMMAよりなるレジストシート6の一面にPdよりなる水素分離膜2を,例えばスパッタリングにより形成する。
【0016】
(2)図4(b)に示すように,レジストシート6を被照射体とするX線リソグラフィを行うべく,そのレジストシート6の他面に図5に示すX線マスク7を載せる。このX線マスク7は,複数の六角形細孔3に対応する六角形部分8をX線を透過させない材料,例えばAu,Ta,W−Ti等より構成され,また各六角形細孔3回りの周壁5に対応する部分9をX線を透過させる材料,例えばSiC,Si3 N4 ,ダイヤモンド等より構成されている。X線マスク7の上方より,シンクロトロン放射(SR)光装置から直進性の良いX線,つまりSR光X線を照射する。これによりレジストシート6のX線被照射部分,つまり各六角形細孔3回りの周壁5に対応する部分は高分子の連鎖が切断されて分子量が減少し,一方,X線未照射部分,つまり各六角形細孔3に対応する部分は未変化である。
【0017】
(3)図4(c)に示すように,レジストシート6に現像液を付与すると,各六角形細孔3に対応する部分10を残置され,且つ各六角形細孔3回りの周壁5に対応する部分を溶解除去されて凹部11にされたもの,つまり多孔質基材4のネガティブモデル12が得られる。
【0018】
図4(d)に示すように,水素分離膜2を電気絶縁性マスク13により被覆し,またネガティブモデル12の周面を電気絶縁性型枠14により囲んだ状態にて,ネガティブモデル12の,各六角形細孔3回りの周壁5に対応する凹部11に電鋳によって金属15,例えばNiを充填する。
【0019】
(5)図4(e)に示すように,ネガティブモデル12の各六角形細孔3に対応する部分10,マスク13および型枠14を除去して金属15よりなる多孔質基材4を得る。前記部分10の除去に当っては,溶剤による溶解,SR光X線照射後現像液の付与等が行われる。
【0020】
〔第2実施例〕
図6〜8に示す水素分離部材1は,前記同様にPd等より構成された金属製水素分離膜2と,前記同様の形態を持つ多孔質基材4とを有する。ただし,多孔質基材4はレジストシート6を製造材料としていることから,水素分離部材1の使用温度は,例えば100〜150℃に限定される。
【0021】
水素分離部材1は次のような方法で製造される。
【0022】
(1)図9(a)に示すように,例えばPMMAよりなるレジストシート6の一面にPdよりなる水素分離膜2を,例えばスパッタリングにより形成する。
【0023】
(2)図9(b)に示すように,レジストシート6を被照射体とするX線リソグラフィを行うべく,そのレジストシート6の他面に図10に示すX線マスク7を載せる。このX線マスク7は,複数の六角形細孔3に対応する六角形部分8をX線を透過させる材料,例えばSiC,Si3 N4 ,ダイヤモンド等より構成され,また各六角形細孔3回りの周壁5に対応する部分9をX線を透過させない材料,例えばAu,Ta,W−Ti等より構成されている。X線マスク8の上方より,シンクロトロン放射(SR)光装置から直線性の良いX線,つまりSR光X線を照射する。これによりレジストシート6のX線被照射部分,つまり各六角形細孔3に対応する部分は高分子の連鎖が切断されて分子量が減少し,一方,X線未照射分,つまり各六角形細孔3回りの周壁5に対応する部分は未変化である。
【0024】
(3)図9(c)に示すように,レジストシート6に現像液を付与すると,各六角形細孔3に対応する部分が溶解除去され,且つ各六角形細孔3回りの周壁5に対応する部分が残置された多孔質基材4が得られる。
【0025】
例えば,PTFE,PFA等よりなるレジストシート6を被照射体としてX線ドライエッチングを行い,これにより多孔質基材4を得ることもできる。即ち,図9(b)工程において前記材料よりなるレジストシート6にSR光X線を照射すると,各六角形細孔3に対応する部分が分解除去されるもので,したがって現像を行う必要がない。
【0026】
このX線ドライエッチングは,第1実施例において,図4(b),(e)工程において適用可能である。
【0027】
【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば,金属を構成材料とする多孔質基材を備えた水素分離部材の製造工程数を少なくして製造能率を向上させると共に健全な水素分離膜を備えた水素分離部材を得ることが可能な製造方法を提供することができる。
【0028】
請求項2記載の発明によれば,レジストシートを構成材料とする多孔質基材を有し,また健全な水素分離膜を備えた水素分離部材を能率良く得ることが可能な製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】水素分離部材の一例の平面図である。
【図2】図1,3の2−2線断面図である。
【図3】図2の3矢視図である。
【図4】水素分離部材の一例の製造工程説明図である。
【図5】X線マスクの一例の平面図である。
【図6】水素分離部材の他例の平面図である。
【図7】図6,8の7−7線断面図である。
【図8】図7の8矢視図である。
【図9】水素分離部材の他例の製造工程説明図である。
【図10】X線マスクの他例の平面図である。
【符号の説明】
1…………水素分離部材
2…………水素分離膜
3…………細孔
4…………多孔質基材
5…………周壁
6…………レジストシート
10………細孔に対応する部分
12………ネガティブモデル
15………金属
Claims (2)
- 水素を選択的に透過させる金属製水素分離膜(2)と,その水素分離膜(2)を支持し,且つ水素を通過させる複数の細孔(3)を持つ多孔質基材(4)とを有する水素分離部材(1)を製造するに当り,レジストシート(6)の一面に前記水素分離膜(2)を形成する工程と,前記レジストシート(6)を被照射体とする,X線リソグラフィおよびX線ドライエッチングの一方を行って,複数の前記細孔(3)に対応する部分(10)を残置され,且つ各細孔(3)回りの周壁(5)に対応する部分を除去された,前記多孔質基材(4)のネガティブモデル(12)を得る工程と,前記ネガティブモデル(12)の,各細孔(3)回りの周壁(5)に対応する凹部(11)に電鋳によって金属(15)を充填する工程と,前記ネガティブモデル(12)の各細孔(3)に対応する部分(10)を除去して前記金属(15)よりなる前記多孔質基材(4)を得る工程,とを用いることを特徴とする水素分離部材の製造方法。
- 水素を選択的に透過させる金属製水素分離膜(3)と,その水素分離膜(2)を支持し,且つ水素を通過させる複数の細孔(3)を持つ多孔質基材(4)とを有する水素分離部材(1)を製造するに当り,前記多孔質基材(4)を得るためのレジストシート(6)の一面に前記水素分離膜(2)を形成する工程と,前記レジストシート(6)を被照射体とする,X線リソグラフィおよびX線ドライエッチングの一方を行って前記複数の前記細孔(3)を形成することにより前記多孔質基材(4)を得る工程と,を用いることを特徴とする水素分離部材の製造方法。
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