JP3832447B2 - 分配器とこれを用いた高周波信号送受信装置 - Google Patents
分配器とこれを用いた高周波信号送受信装置 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２つの異なる周波数を分配する分配器とこれを用いた高周波信号送受信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の２つの異なる周波数を分配する分配器は、以下に示すように方向性結合器を用いていた。このように分配器として方向性結合器を用いると、分配時の損失を小さくするとともに出力端子間でのアイソレーションを良くすることができる。
【０００３】
即ち、図１３において、絶縁基板２には導体３と導体４とが分布結合されていた。そして、導体３の一方の端には入力端子５が接続されていた。この入力端子５には高い周波数（１３００ＭＨｚ）の発振器７と、低い周波数（６００ＭＨｚ）の発振器８とが切替えスイッチ６を介して選択的に供給されていた。そして、この入力端子５から入力された信号は、導体３の他方の端に接続された出力端子９と、導体４の一方の端に接続された出力端子１０とに分配されて出力されていた。
【０００４】
ここで、導体４の他方の端は抵抗接続用端子１１に接続され、この抵抗接続用端子１１は抵抗１２を介してグランドに接続されていた。
【０００５】
ここで、導体３あるいは導体４の長さは、発振器７、８の発振周波数の１／４波長にすることが、分配器としての分配損失、出力端子間でのアイソレーションの特性面で望ましい。なお、２種類の周波数（１３００ＭＨｚと６００ＭＨｚ）を分配する分配器１において、導体３および導体４の長さは２種類の周波数の１／４波長に設定することができないので、これらの周波数の中間にあたる周波数（９５０ＭＨｚ）の絶縁基板上における波長λｇの１／４は（数１）より２５．５ｍｍとなる。このとき、絶縁基板にはアルミナ基板を用いた場合を示している。
【０００６】
【数１】
【０００７】
即ち、図１４に示すように、導体３、４の長さを、中間にあたる周波数（９５０ＭＨｚ）２５の４分の１波長にすると、結合損失２６と挿入損失２７を、低い周波数（６００ＭＨｚ）２４と、高い周波数（１３００ＭＨｚ）２３において出力レベルを各々等しくすることができる。つまり、送信器として用いると、送信周波数が６００ＭＨｚ、１３００ＭＨｚと異なる場合でも、送信パワーの劣化あるいは送信信号の歪の差がなくなる。また、受信器として用いると、受信周波数が６００ＭＨｚ、１３００ＭＨｚと異なる場合でも、受信感度の劣化あるいは妨害に対する排除特性の差がなくなるのである。ここで、図１４において、横軸２１は周波数とし、縦軸２２は損失を表している。
【０００８】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平９−２４９１２９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の構成では、２つの周波数２３、２４の中心周波数（９５０ＭＨｚ）に対応する波長が決まると、導体３、４の長さは一義的に決まってしまう。従って、これを単純に１／４の波長より分配器１を小さくすることができないという問題があった。
【００１１】
かといって、この分配器１の形状をただ単に小さくすると、図１５に示すように、入力端子５から出力端子１０までの挿入損失を３３で表したとすると、１３００ＭＨｚの周波数２３での挿入損失３３ａと、６００ＭＨｚの周波数２４での挿入損失３３ｂとでは３３ｃの損失差が生じる。そのために、送信器として用いると２つの異なる周波数では送信パワーの差が生じる。
【００１２】
また、結合損失３２においても、１３００ＭＨｚの周波数２３での結合損失３２ａと、６００ＭＨｚの周波数２４での結合損失３２ｂとでは３２ｃの損失差が生じる。そのために、受信器として用いると、２つの異なる周波数では受信感度に差が生じてしまうという問題があった。そのため、形状のみをそのまま小さくすることはできなかった。
【００１３】
本発明は、この問題を解決するもので、２つの異なった周波数の出力レベルを等しくするとともに小型の分配器を提供することを目的としたものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明の分配器は、インダクタとコンデンサからなる直列接続体を第２の導体に並列に接続するとともに、前記直列接続体の共振周波数を高い周波数と低い周波数の間に設定することにより、前記高い周波数における入力端子から第１の出力端子までの挿入損失を小さくするとともに、前記高い周波数における前記入力端子から第２の出力端子までの結合損失を大きくし、前記高い周波数と前記低い周波数の前記第１の出力端子からの出力レベルを略等しくするとともに、前記したものである。
【００１５】
これにより、高い周波数と低い周波数の出力レベルを略等しくできる小型の分配器が実現できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板上に形成された第１の導体と、この第１の導体に対し分布結合された第２の導体と、前記第１の導体の一方に接続されるとともに、高い周波数と低い周波数とが選択的に入力される入力端子と、前記第１の導体の他方に接続された第１の出力端子と、前記第２の導体の一方に接続された第２の出力端子と、前記第２の導体の他方に接続されるとともに、第１の抵抗を介してグランドに接続される抵抗接続用端子とを備え、前記第１および第２の導体の長さは前記高い周波数の波長の１／４より短くした分配器において、インダクタとコンデンサからなる直列接続体を前記第２の導体に並列に接続するとともに、前記直列接続体の共振周波数を前記高い周波数と前記低い周波数の間に設定することにより、高い周波数における前記入力端子から前記第１の出力端子までの挿入損失を小さくするとともに、高い周波数における前記入力端子から前記第２の出力端子までの結合損失を大きくし、前記高い周波数と前記低い周波数の出力レベルを略等しくしたものである。
【００１７】
これにより、高い周波数と低い周波数の出力レベルを略等しくできる小型の分配器が実現できる。
【００１８】
更に、第１の導体と第２の導体とを分布結合させているので、抵抗で形成された分配器と比べて、損失を少なくすることができるとともにアイソレーション特性を良化することができる。
【００１９】
請求項２に記載の発明は、直列接続体に直列に第２の抵抗を挿入した請求項１に記載の分配器であり、前記直列接続体に直列に抵抗を挿入するとともにその抵抗値を選ぶことにより、直列接続体による結合損失、挿入損失、アイソレーションへの寄与度を変えることができるので、２つの異なる周波数の結合損失および挿入損失をより精度良く設定することができる。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、第２の出力端子と抵抗接続用端子との間に、直列接続体が絶縁基板の外部より接続された請求項１に記載の分配器であり、絶縁基板上に形成された第２の導体の両端に少なくともインダクタまたはコンデンサまたは第２の抵抗のいずれかについて任意に最適な定数を選ぶとともに、外部より接続することができる。これにより、２つの異なる周波数の結合損失および挿入損失への素早い対応が可能となる。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、絶縁基板を多層で形成するとともに、第１の導体と第２の導体の形成された第１の絶縁基板層と、直列接続体の形成された第２の絶縁基板層とを設け、前記第１の絶縁基板層と前記第２の絶縁基板層との間にグランド層が設けられた請求項１に記載の分配器であり、第１の絶縁基板層と第２の絶縁基板層との間にグランド層を設けることにより、第１の導体および第２の導体と直列接続体との高周波としての干渉を防止できるものであり、より小型の分配器を実現することができる。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、第１の導体と第２の導体はクランク形状に形成された請求項１に記載の分配器であり、クランク状に形成されているので、分配器の更なる小型化を図ることができる。
【００２３】
請求項６に記載の発明は、第１の導体と第２の導体は正弦波形状に形成された請求項１に記載の分配器であり、正弦波形状に形成されているので、分配器の更なる小型化を図ることができる。また、正弦波形状に形成されているので、磁界が乱れることは少ない。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、第１の導体と第２の導体は渦巻き形状に形成された請求項１に記載の分配器であり、渦巻き波状に形成されているので、分配器の更なる小型化を図ることができる。
【００２５】
請求項８に記載の発明は、第１の導体の幅は第２の導体の幅より太くした請求項１に記載の分配器であり、第１の導体の直流抵抗を小さくすることができる。従って、損失を小さくすることができる。
【００２６】
請求項９に記載の発明は、少なくとも第１の導体と第２の導体とは凹版を用いた印刷技術で形成された請求項１に記載の分配器であり、凹版を用いた印刷技術を用いているので、精密な導体が形成でき、高周波性能が安定する。
【００２７】
請求項１０に記載の発明は、直列接続体を形成するインダクタとコンデンサのいずれかの値を可変とした請求項１に記載の分配器であり、第１の出力端子と第２の出力端子から出力する出力レベルを任意に設定することができる。
【００２８】
請求項１１に記載の発明は、直列接続体を形成するコンデンサをバリキャップダイオードとした請求項１に記載の分配器であり、電圧制御で第１の出力端子と第２の出力端子から出力する出力レベルを任意に設定することができる。
【００２９】
請求項１２に記載の発明は、アンテナ切替えスイッチの共通端子が接続されたアンテナと、前記アンテナ切替えスイッチの一方の端子が一方の入力に接続された受信部と、この受信部の出力に接続された出力端子と、送信用入力端子が一方の入力に接続されるとともに前記アンテナ切替えスイッチの他方の端子との間に接続された送信部と、高い周波数と低い周波数とが選択的に出力される発振器とを備え、前記発振器の出力は請求項１に記載の分配器を介して、前記送信部の他方の入力と前記受信器の他方の入力にそれぞれ接続された高周波信号送受信装置であり、請求項１に記載の分配器の第１の出力端子からの２つの異なる周波数の出力レベルを同じにできるので、送信時における２つの周波数間の送信出力レベルの差をなくすことができる。また前記請求項１に記載の分配器の第２の出力端子からの２つの異なる周波数の出力レベルを同じにできるので、受信時における２つの周波数間の受信感度および妨害信号に対する排除能力が改善できる。
【００３０】
請求項１３に記載の発明は、送信部の出力とアンテナ切替えスイッチの他方の端子との間にパワーディテクタとして請求項１に記載の分配器を用いた請求項１２に記載の高周波信号送受信装置であり、２つの送信周波数に対して、同一レベルでのパワー検出ができるとともに、電力増幅器の電力制御ができ省電力化に寄与することができる。
【００３１】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００３２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における分配器５３と発振器５７のブロック図である。図１において、分配器５３は、絶縁基板４１と、導体４２と、導体４３と、インダクタ４９とコンデンサ５０の直列接続体５１とから構成されている。ここで、導体４２、導体４３は絶縁基板４１の上に互いに分布結合させるとともに、導体４２および４３の長さは高い周波数（１３００ＭＨｚ）の１／４波長より短くしている。さらに、導体４２の一端には、高い周波数と低い周波数（６００ＭＨｚ）が入力される入力端子４４が接続されており、他端には出力端子４５が接続されている。一方、導体４３の一端には出力端子４６が接続されており、他端には抵抗接続用端子４８が接続されており、この抵抗接続用端子４８は抵抗４７により接地されている。ここで、導体４２と導体４３の各々は互いに近接して配置されている。また、インダクタ４９とコンデンサ５０からなる直列接続体５１は、導体４３に並列に接続するとともに、この直列接続体５１の共振周波数は、高い周波数と低い周波数の間に設定している。
【００３３】
入力端子４４と出力端子４６は絶縁基板４１の一方の辺近傍に設けられており、出力端子４５と抵抗接続用端子４８は、絶縁基板４１の他方の辺近傍に設けられている。また、絶縁基板４１はアルミナ基板を用い、凹版を用いた印刷技術を用いて少なくとも導体４２と４３を形成している。従って、精密なパターンが実現でき高周波性能が安定する。
【００３４】
一方、発振器５７は、高い発振周波数を出力するＰＬＬ発振器５５が切替えスイッチ５４の一方の端子５４ａに接続されるとともに、低い発振周波数を出力するＰＬＬ発振器５５が切替えスイッチ５４の他方の端子５４ｂに接続されている。切替えスイッチ５４の共通端子は、入力端子４４に接続されている。これにより、２つの異なる発振周波数（１３００ＭＨｚ、６００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４により選択できる。このとき、ＰＬＬ発振器５５および５６は、例えば水晶発振器を用いた発振器を用いても良い。
【００３５】
以上のように構成された分配器５３と発振器５７について、以下にその動作を説明する。この発振器５７において、高い発振周波数（１３００ＭＨｚ）を出力するＰＬＬ発振器５５と低い発振周波数（６００ＭＨｚ）を出力するＰＬＬ発振器５６の出力は、切替えスイッチ５４によりどちらかの発振周波数が選択されて分配器５３の入力端子４４に入力される。
【００３６】
この入力端子４４に入力された信号は、導体４２を介して出力端子４５から出力される。このとき、入力端子４４から出力端子４５までの間に挿入損失４２ａ（図５参照）が発生する。また、入力端子４４に入力された信号は、導体４２に分布結合された導体４３に伝達されたのち、出力端子４６から出力される。このとき、入力端子４４から出力端子４６までの間に結合損失４３ａ（図３参照）が発生する。
【００３７】
ここで、直列接続体５１を構成するインダクタ４９は１５ｎＨのインダクタンス値とし、コンデンサ５０は１．２ｐＦの容量値とし、これにより直列共振周波数は１２００ＭＨｚに設定している。さらに、この直列接続体５１と導体４３により並列接続体５２が形成され、この並列共振周波数は１１００ＭＨｚとなる。
【００３８】
最初に、入力端子４４から出力端子４６までの結合損失４３ａについて図２、図３を用いて説明する。図２では、本実施の形態１における直列接続体５１のインピーダンス（Ω）を６１で表している。図２において、横軸６２を周波数（ＭＨｚ）とし、縦軸６３をインピーダンス（Ω）とし、直列接続体５１の直列共振周波数は周波数６４（１２００ＭＨｚ）で表している。また、並列接続体５２の並列共振周波数は周波数６５（１１００ＭＨｚ）で表している。さらに、ＰＬＬ発振器５６の発振周波数は周波数６６（６００ＭＨｚ）とし、ＰＬＬ発振器５５の発振周波数は周波数６７（１３００ＭＨｚ）として表している。
【００３９】
この図２より明らかなように、直列接続体５１のインピーダンス（Ω）６１は、周波数６４（１２００ＭＨｚ）より低い周波数の領域において容量性を示し、１２００ＭＨｚに近くなるにつれて容量値が増すのである。一方、周波数６４（１２００ＭＨｚ）より高い周波数の領域においては、直列接続体５１のインピーダンス（Ω）６１は、インダクタンス性を示すことになり、さらに周波数が高くなるにつれてそのインダクタンス値は増加していく。
【００４０】
図３は、本実施の形態１における分配器５３の結合損失４３ａを表している。また、従来例での結合損失を３２で参考として表している。ここで、横軸７２を周波数（ＭＨｚ）とし、縦軸７３を損失（ｄＢ）とし、０ｄＢの損失量を７４とし、１０ｄＢの損失量を７５としている。また、周波数３１（２４５０ＭＨｚ）は従来例での結合損失３２の最小点での周波数であり、この周波数３１（２４５０ＭＨｚ）は本実施の形態１での結合損失４３ａの最小点とほぼ同じとしている。
【００４１】
最初に、入力端子４４から出力端子４６までの結合損失４３ａを説明する。まず、周波数６５（１１００ＭＨｚ）より低い周波数の領域では図２から明らかなように直列接続体５１は小さな容量値となるので、結合損失４３ａにほとんど影響を与えない。従って、周波数６５（１１００ＭＨｚ）より低い周波数において結合損失４３ａは従来例の結合損失３２と比べて差が生じない。
【００４２】
次に、周波数６５（１１００ＭＨｚ）から周波数６４（１２００ＭＨｚ）の領域では、図２から明らかなように直列接続体５１の容量性は、周波数６４（１２００ＭＨｚ）に近づくにつれて徐々に大きくなる。さらに、周波数６４（１２００ＭＨｚ）では、図２より０Ωとなるため、導体４２と導体４３の結合が最も小さくなり、結合損失は最大値となる。さらに、周波数６４（１２００ＭＨｚ）から周波数６７（１３００ＭＨｚ）の領域では、図２から明らかなように直列接続体５１は小さいインダクタ値となる。このために、導体４３は小さいインダクタ値を持つ直列接続体５１が並列に接続されることになるので、導体４２と導体４３の結合が小さくなる。従って、結合損失４３ａは大きくなる。
【００４３】
従って、周波数６５（１１００ＭＨｚ）から周波数６７（１３００ＭＨｚ）の領域において結合損失４３ａは大きくなり、周波数６４（１２００ＭＨｚ）において結合損失４３ａは最大値を持つことになる。
【００４４】
さらに、周波数６７（１３００ＭＨｚ）より高い周波数の領域では、図２より明らかなように周波数は高くなるにつれてインダクタ値が徐々に大きくなる。このため、導体４３に対する直列接続体５１の影響が少なくなるので、結合損失４３ａは徐々に小さくなるのである。このように、導体４３に直列共振周波数（１２００ＭＨｚ）を持つ直列接続体５１を並列に接続することにより、結合損失４３ａは、周波数６５（１１００ＭＨｚ）より高い周波数で徐々に大きくなって周波数６４（１２００ＭＨｚ）で最大値となる。さらに、周波数６４（１２００ＭＨｚ）以上の周波数の領域では徐々に小さくなるのである。
【００４５】
以上のように、周波数６７（１３００ＭＨｚ）での結合損失４３ｂを大きくできるので、この結合損失４３ｂと周波数６６（６００ＭＨｚ）での結合損失４３ｃとの差４３ｄを小さくすることができる。その結果、６００ＭＨｚ、１３００ＭＨｚの２つの異なる周波数の信号が分配器５３に入力された場合でも、６００ＭＨｚと１３００ＭＨｚでの結合損失４３ａを略同じレベルにできるのである。
【００４６】
次に、入力端子４４から出力端子４５までの挿入損失４２ａについて図４、図５を用いて説明する。図４では、本実施の形態１における並列接続体５２のインピーダンス（Ω）を８１で表している。この並列接続体５２は、直列接続体５１に導体４３を並列に接続したものである。このとき、導体４３の長さと絶縁基板４１の比誘電率から決まる波長の１／４である周波数は３１（２４５０ＭＨｚ）である。これより、導体４３のインピーダンスは、周波数３１（２４５０ＭＨｚ）より低い周波数においてインダクタンス性となることが知られている。従って、周波数３１（２４５０ＭＨｚ）より低い周波数においては、並列接続体５２は、直列接続体５１にインダクタンス性を持つ導体４３を並列に接続したものとできる。
【００４７】
図４において、インピーダンス（Ω）８１は、周波数６５（１１００ＭＨｚ）より低い周波数の領域でインダクタ性を示し、周波数６５（１１００ＭＨｚ）に近くなるにつれてインダクタ値は増していく。さらに、周波数６５（１１００ＭＨｚ）と周波数６４（１２００ＭＨｚ）の間では容量性となり、周波数６４（１２００ＭＨｚ）に近づくに従って容量性が増す。また、周波数６４（１２００ＭＨｚ）より高い周波数の領域ではインダクタ性を示し、周波数が高くなるにつれてインダクタンス値は増加していく。
【００４８】
図５は、本実施の形態１における分配器５３の挿入損失４２ａを表している。また、従来例での挿入損失を３３で表している。ここで、周波数３１（２４５０ＭＨｚ）は従来例での挿入損失３３の最大点を示し、この周波数３１（２４５０ＭＨｚ）は本実施の形態１での挿入損失４２ａの最大点とほぼ同じとしている。
【００４９】
以下、各周波数における挿入損失４２ａについて説明する。この挿入損失４２ａとは、入力端子４４から出力端子４５までの損失である。入力端子４４と出力端子４５の間には導体４２が接続されており、この導体４２には並列接続体５２が分布結合されていることになる。つまり、挿入損失４２ａの周波数特性は、並列接続体５２の周波数特性により主に決まることになる。
【００５０】
最初に、入力端子４４に周波数６５（１１００ＭＨｚ）に近い信号が入力されると、１１００ＭＨｚに並列共振周波数をもつ並列接続体５２が結合するので、出力端子４５からの出力信号は阻止されることになる。その結果、挿入損失４２ａは、周波数６５（１１００ＭＨｚ）において最大値をもつことになる。つまり、図４より周波数６５（１１００ＭＨｚ）より低い周波数６６（６００ＭＨｚ）の領域では周波数が小さくなるにつれて、並列接続体５２のインダクタ値は小さくなる。このため、周波数が小さくなるとともに挿入損失４２ａは徐々に少なくなる。また、図４の周波数６５（１１００ＭＨｚ）より高い周波数６４（１２００ＭＨｚ）の領域では周波数が高くなるにつれて並列接続体５２は大きな容量値となる。このため、周波数が高くなるとともに挿入損失４２ａは徐々に少なくなる。さらに、図２より周波数６４（１２００ＭＨｚ）においては、並列接続体５２のインピーダンスが０Ωとなる。つまり、導体４３は直列接続体５１で短絡されることになるので、挿入損失４２ａは低減されることになる。
【００５１】
以上により、６００ＭＨｚと１３００ＭＨｚの２つの異なる周波数の信号が分配器５３に入力された場合でも、６００ＭＨｚと１３００ＭＨｚでの挿入損失４２ａを均一にできるのである。
【００５２】
以上のように、結合損失４３ａおよび挿入損失４２ａを、２つの周波数である６００ＭＨｚと１３００ＭＨｚにおいて各々等しくできる小型の分配器５３を提供できるものである。
【００５３】
次に、出力端子４５と出力端子４６の間のアイソレーション８５について図６を用いて説明する。図６は、本実施の形態１における分配器５３のアイソレーション８５を表している。また、従来例でのアイソレーションを８６で表している。以下、各周波数におけるアイソレーション８５について説明する。このアイソレーション８５とは、出力端子４５から出力端子４６あるいは出力端子４６から出力端子４５までの損失（ｄＢ）である。ここで、出力端子４５から出力端子４６への信号に対しては、導体４２と導体４３とが位相が打ち消されるように接続されているので、大きな損失が生じることになる。つまり、アイソレーション８５は大きな値となり、出力端子４５に入力された信号は出力端子４６から出力されにくいことになる。このことは、出力端子４６から出力端子４５への信号に対しても同様である。
【００５４】
以下、各周波数におけるアイソレーション８５を説明する。図４から明らかなように、周波数６５（１１００ＭＨｚ）から周波数６４（１２００ＭＨｚ）の領域では、並列接続体５２は容量性となるので、導体４２と導体４３とは分布結合とならない。このため、アイソレーション８５は周波数６５（１１００ＭＨｚ）と周波数６４（１２００ＭＨｚ）の中間周波数である１１５０ＭＨｚで最小値となる。このとき、周波数６７（１３００ＭＨｚ）におけるアイソレーション８５は、直列接続体５１により導体４２と導体４３とが位相が十分に打ち消されないので、従来例でのアイソレーション８６に比べて５ｄＢ小さくなっている。
【００５５】
ここで、結合損失４３ａ、挿入損失４２ａ、アイソレーション８５の互いの関係について説明する。直列接続体５１の直列共振周波数６４（１２００ＭＨｚ）はインダクタ４９とコンデンサ５０により決定されるものである。従って、直列接続体５１の直列共振周波数６４（１２００ＭＨｚ）の設定値を変えることにより、高い周波数６７（１３００ＭＨｚ）における結合損失４３ｂ、挿入損失４２ｂ、アイソレーション８５ａを変化させることができる。つまり、直列共振周波数６４（１２００ＭＨｚ）を設定することにより、結合損失４３ｂ、挿入損失４２ｂ、アイソレーション８５ａの最適値を選ぶことが可能となる。
【００５６】
ここで、結合損失４３ａは、導体４２と導体４３との互いの間隔により変えることができる。例えば、この間隔を小さくすると導体４２と導体４３との結合損失４３ａが減り、出力端子４６からの出力信号が大きくなる。同時に、挿入損失４２ａは増すので、出力端子４５からの出力信号は小さくなる。従って、導体４２と導体４３との互いの間隔により、出力端子４５の出力信号と出力端子４６からの出力信号の差を任意に設定できる。
【００５７】
（実施の形態２）
直列接続体５１に直列に抵抗を挿入した場合の結合損失４３ａ、挿入損失４２ａ、アイソレーション８５について以下説明する。
【００５８】
最初に、結合損失４３ａについて図３を用いて説明する。直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値を大きな値（例えば１ＫΩ以上）にすると、結合損失４３ａは、直列接続体５１の効果が小さくなるので従来例である結合損失３２に近づく。つまり、直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値によって周波数６７（１３００ＭＨｚ）の結合損失４３ｂを任意の値に設定できる。
【００５９】
次に、挿入損失４２ａについて図５を用いて説明する。直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値を大きな値（例えば１ＫΩ以上）にすると、挿入損失４２ａは、直列接続体５１の効果が小さくなるので従来例である挿入損失３３に近づく。つまり、直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値によって周波数６７（１３００ＭＨｚ）の挿入損失４２ｂを任意の値に設定できる。
【００６０】
次に、アイソレーション８５について図６を用いて説明する。直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値は大きな値（例えば１ＫΩ以上）にすると、アイソレーション８５は、直列接続体５１の効果が小さくなるので従来例であるアイソレーション８６に近づく。つまり、直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値によって周波数６７（１３００ＭＨｚ）のアイソレーション８５ａを任意の値に設定できる。
【００６１】
以上のように、直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値によって結合損失４３ａ、挿入損失４２ａ、アイソレーション８５ａを、周波数６６（６００ＭＨｚ）と周波数６７（１３００ＭＨｚ）の２つの周波数において、より精度よく設定することが可能となる。
【００６２】
（実施の形態３）
図７は、本発明の実施の形態３における分配器の断面図である。図７において、分配器９０（分配器５３に相当）は、絶縁体層９１と、この絶縁体層９１の隣に配置した絶縁体層９２と、この絶縁体層９２の下層に配置した絶縁体層９３と、この絶縁体層９３の下層に配置した絶縁体層９４とから構成されている。さらに、絶縁体層９１の上面には導体９５（導体４２に相当）と、この導体９５に対して分布結合させた導体９６（導体４３に相当）とが形成されている。また、絶縁体層９１と絶縁体層９２の間には、グランドプレーンとしての導体９７が、ほぼ全面に設けられているとともに接地されている。また、絶縁体層９２と絶縁体層９３の間には導体９８が設けられるとともに、絶縁体層９３と絶縁体層９４の間にも導体９９、導体１００（インダクタ４９に相当）が設けられていた。このとき、導体１００は、プリントパターンによるインダクタとして形成している。さらに、導体９８と導体９９とは、互いに対向させて配置させることによって、コンデンサ（コンデンサ５０に相当）を形成させている。
【００６３】
そして、これらは実施の形態１と同様に接続されている。また、分布結合させた導体９５、導体９６が設けられた絶縁体層９１と、直列接続体５１が形成される絶縁体層である９２および９３との間に、グランドプレーンとして接地された導体９７を配置することによって互いに高周波的に分離することができる。従って、インダクタとコンデンサのばらつきが低減できる。その結果、直列接続体５１の直列共振周波数、並列接続体５２の並列共振周波数への影響を減らすことができるので、さらに小型の分配器を実現できる。
【００６４】
（実施の形態４）
図８は、実施の形態４における分配器の導体部分の平面図である。なお、導体部分以外については、実施の形態１と同じである。図８において、絶縁基板１０１上に導体１０２と、導体１０３とがクランク状に配置されて分布結合している。この導体１０２の一方の端は入力端子１０４に接続され、他方の端は出力端子１０５に接続されている。また、導体１０３の一方の端は出力端子１０６に接続され、他方の端は抵抗接続用端子１０７に接続されている。
【００６５】
そして、入力端子１０４と出力端子１０６とは、絶縁基板１０１の一方の側面１０１ａ側に導出され、出力端子１０５と抵抗接続用端子１０７とは、一方の側面１０１ａに対向する他方の側面１０１ｂ側に導出されている。
【００６６】
このように、この導体１０２と１０３とはクランク状に形成されている。従って、その分だけ波長を長く設定できるので分配器の形状を小型にすることができる。
【００６７】
また、導体１０２は導体１０３の幅より太く（略５倍）しているので、導体１０２は、導体１０３に比べて直流抵抗損失を少なくすることができる。
【００６８】
（実施の形態５）
図９は、実施の形態５における分配器の導体部分の平面図である。なお、導体部分以外については、実施の形態１と同じである。図９において、絶縁基板１１１上に導体１１２と、導体１１３とが正弦波状に配置されて分布結合している。この導体１１２の一方の端は入力端子１１４に接続され、他方の端は出力端子１１５に接続されている。また、導体１１３の一方の端は出力端子１１６に接続され、他方の端は抵抗接続用端子１１７に接続されている。
【００６９】
そして、入力端子１１４と出力端子１１６とは、絶縁基板１１１の一方の側面１１１ａ側に導出され、出力端子１１５と抵抗接続用端子１１７とは、一方の側面１１１ａに対向する他方の側面１１１ｂ側に導出されている。
【００７０】
このように、この導体１１２と１１３とは正弦波形状に形成されているので、分配器の形状を小型化することができる。また、導体が角張ることはなく正弦波形状に滑らかに湾曲しているので、磁界が乱れることは無く、挿入損失及び結合損失は実施の形態４に比べて良くなる。
【００７１】
また、導体１１２は導体１１３の幅より太く（略５倍）している。従って、導体１１２は、導体１１３に比べて直流抵抗損失を少なくすることができる。
【００７２】
（実施の形態６）
図１０は、実施の形態６における分配器の導体部分の平面図である。なお、導体部分以外については、実施の形態１と同じである。図１０において、積層された絶縁基板１２１上に導体１２２と、導体１２３とが渦巻き状に配置されて分布結合している。この導体１２２の一方の端は入力端子１２４に接続され、他方の端１２５ａはスルーホールを介して絶縁基板１２１の裏面に導出され、裏面で絶縁基板１２１の側面１２１ａ近傍に導出される。そして、再びスルーホールを介して出力端子１２５に接続されている。また、導体１２３の一方の端は、出力端子１２６に接続されている。また、導体１２３の他方の端１２７ａはスルーホールを介して絶縁基板１２１の裏面に導出され、裏面で絶縁基板１２１の側面１２１ｂ近傍に導出される。そして、再びスルーホールを介して抵抗接続用端子１２７に接続されている。
【００７３】
そして、入力端子１２４と出力端子１２５とは、絶縁基板１２１の一方の側面１２１ａ側に導出され、出力端子１２６と抵抗接続用端子１２７とは、一方の側面１２１ａに対向する他方の側面１２１ｂ側に導出されている。
【００７４】
このように、この導体１２２と１２３とは渦巻き形状に形成されている。このため、導体１２２および１２３の長さを大きくとれるとともに、導体１２２および１２３の間の結合度を大きく取ることができるので、分配器の形状を更に小型化することができる。
【００７５】
なお、本実施の形態においては、導体１２２と１２３を長方形状の渦巻きにしているので、円形形状に比べて同一面積におけるインダクタンスを大きくすることができ、小型化に貢献することができる。また、この渦巻きを円形或いは楕円形にすることもできる。この場合は、導体の角張った形状に比べて磁界が乱れることは無く、挿入損失及び結合損失が少なくなる。
【００７６】
また、導体１２２と導体１２３の幅は、略同じにしているので、同一面積内においてインダクタンスを大きくすることができる。
【００７７】
１２８は入力端子１２４と抵抗接続用端子１２７との間に設けられたグランド端子である。１２９も同様に出力端子１２５と出力端子１２６の間に設けられたグランド端子である。そして、これらのグランド端子１２８、１２９は導体１２２や導体１２３の下層に設けられたグランドプレーンに接続されており、導体１２２や導体１２３をストリップラインとして構成している。
【００７８】
従って、特性インピーダンスを下げることができ、例えば容易に５０オームにすることができる。
【００７９】
なお、ここで、実施の形態３から６までの夫々の分配器において、共通することについて以下に述べる。入力端子には高い周波数と低い周波数とが選択的に供給される。そして、導体の長さは、高い周波数の４分の１波長より短くして分配器の小型化を図っている。また、抵抗接続用端子は抵抗を介してグランドに接続される。この抵抗接続用端子に接続される導体と並列にインダクタとキャパシタとで形成される直列接続体を接続し、この直列接続体の共振周波数は前記高い周波数と低い周波数との間に設定している。このことにより、高い周波数と低い周波数の出力レベルを等しくすることができる。
【００８０】
なお、この直列接続体を形成する夫々異なる値のインダクタとコンデンサを複数個用意して、それらを電子的に形成された切替えスイッチで適宜切替えることにより、共振周波数を変化させることができる。このことにより、第１の出力端子と第２の出力端子から出力する出力レベルを任意に設定することができる。
【００８１】
また、直列接続体を形成するコンデンサをバリキャップダイオードとすることにより、直列接続体の共振周波数を変化させることができる。この場合は、電圧制御で第１の出力端子と第２の出力端子から出力する出力レベルを任意に設定することができる。
【００８２】
絶縁基板にはアルミナ基板を用い、凹版を用いた印刷技術で導体を形成している。しかし、これはアルミナ基板に限ることは無く、樹脂製の絶縁基板を用いて銅箔を印刷して導体を形成しても良い。
【００８３】
（実施の形態７）
図１１は、実施の形態７における分配器のブロック図である。図１１において、絶縁基板１３１上には導体１３２と、導体１３３とが平行に配置されて分布結合している。この導体１３２の一方の端は入力端子１３４に接続され、他方の端は出力端子１３５に接続されている。また、導体１３３の一方の端は出力端子１３６に接続され、他方の端は抵抗接続用端子１３７に接続されている。この抵抗接続用端子１３７は抵抗１３９を介してグランドに接続される。
【００８４】
また、導体１３２の端１３２ａと入力端子１３４との接続点と、導体１３３の端１３３ａと出力端子１３６との接続点との間には、インダクタ１４０とキャパシタ１４１の直列接続体１４２が接続されている。なお、この直列接続体１４２は、絶縁基板１３１の外部に設けて、入力端子１３４と出力端子１３６に接続しても良い。
【００８５】
ここで、入力端子１３４と出力端子１３６とは、絶縁基板１３１の一方の側面１３１ａ側に導出され、出力端子１３５と抵抗接続用端子１３７とは、一方の側面１３１ａに対向する他方の側面１３１ｂ側に導出されている。
【００８６】
入力端子１３４には実施の形態１で説明した発振器５７が接続される。この発振器５７は１３００ＭＨｚの高い周波数と、６００ＭＨｚの低い周波数とが選択的に出力されるものである。
【００８７】
また、この導体１３２と１３３の長さは、高い周波数（１３００ＭＨｚ）の４分の１波長より短くしている。従って、分配器の小型化を図ることができる。また、直列接続体１４２の共振周波数は、高い周波数（１３００ＭＨｚ）と低い周波数（６００ＭＨｚ）との間に設定している。従って、実施の形態１で説明したように高い周波数と低い周波数の出力レベルを等しくすることができる。
【００８８】
更に、導体１３２と導体１３３とを分布結合させているので、抵抗で形成された分配器に比べて、損失を少なくすることができる。また、アイソレーション特性も向上させることができる。
【００８９】
なお、絶縁基板１３１は実施の形態１と同様、アルミナ基板上に凹版を用いた印刷技術により導体を形成しているが、これはアルミナ基板に限ることは無く、樹脂製の絶縁基板を用いて、銅箔を印刷しても良い。
【００９０】
（実施の形態８）
図１２は、本発明の実施の形態８における携帯電話（高周波信号送受信装置の一例として用いた）のブロック図である。この携帯電話は１５００ＭＨｚ程度の高い周波数での送受信と、８００ＭＨｚ程度の低い周波数での送受信と選択的に切替えて使用することができる携帯電話である。従って、この携帯電話には２つの異なった周波数の発振器が必要であり、本発明の分配器を用いるとその効果が発揮できるものである。
【００９１】
以下、その構成を説明する。図１２において、２１３はアンテナであり、このアンテナ２１３はアンテナ切替えスイッチ２１２の共通端子に接続されている。このアンテナ切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ａは受信部２１１に接続され、その出力は出力端子２２４に接続されている。
【００９２】
この受信部２１１は高い周波数を受信する受信部２１１ａと、低い周波数を受信する受信部２１１ｂとの並列回路で形成される。受信部２１１ａは、アンテナ切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ａに接続されるとともに、高い受信周波数を通過させる受信用フィルタ２２３ａと、この受信用フィルタ２２３ａの出力が一方の入力に接続された受信用ミキサ２２１ａとで構成され、この受信用ミキサ２２１ａの出力は出力端子２２４に接続されている。
【００９３】
さらに、受信部２１１ｂは、アンテナ切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ａに接続されるとともに、低い受信周波数を通過させる受信用フィルタ２２３ｂと、この受信用フィルタ２２３ｂの出力が一方の入力に接続された受信用ミキサ２２１ｂとで構成され、この受信用ミキサ２２１ｂの出力は出力端子２２４に接続されている。
【００９４】
一方、高い周波数を出力するＰＬＬ発振器５５の出力と、低い周波数を出力するＰＬＬ発振器５６の出力は、切替えスイッチ５４を介して発振器５７から出力される。この発振器５７の出力は、本発明の分配器５３の入力端子４４に接続されている。そして、出力端子４６は受信部２１１内に設けられた受信用切替えスイッチ２２０の共通端子に接続されている。また、高い周波数が出力される受信用切替えスイッチ２２０の一方の端子２２０ａは受信用ミキサ２２１ａの他方の入力に接続されて高い周波数を供給する。低い周波数が出力される受信用切替えスイッチ２２０の他方の端子２２０ｂは受信用ミキサ２２１ｂの他方の入力に接続されて低い周波数を供給する。ここで、受信用切替えスイッチ２２０と切替えスイッチ５４とは連動して高い周波数と低い周波数とを切替えている。
【００９５】
なお、本実施の形態において、分配器は実施の形態１のものを用いたが、これは実施の形態１の分配器５３に限ることは無く、実施の形態１から７の何れの分配器を用いても良い。
【００９６】
次に送信部２１０について説明する。２１６は送信用入力端子であり、この送信用入力端子２１６は送信部２１０を介してアンテナ切替えスイッチ２１２の他方の端子２１２ｂに接続されている。
【００９７】
この送信部２１０は高い周波数で送信する送信部２１０ａと、低い周波数で送信する送信部２１０ｂとの並列回路で形成される。送信部２１０ａは、送信用入力端子２１６が一方の入力に接続されるとともに高い周波数を混合する送信用ミキサ２１５ａに接続されている。そして、この出力は高い周波数を増幅する送信用アンプ２１７ａを介して、アンテナ切替えスイッチ２１２の他方の端子２１２ｂに接続されている。
【００９８】
また、送信部２１０ｂは、送信用入力端子２１６が一方の入力に接続されるとともに低い周波数を混合する送信用ミキサ２１５ｂに接続されている。そして、この出力は低い周波数を増幅する送信用アンプ２１７ｂを介して、アンテナ切替えスイッチ２１２の他方の端子２１２ｂに接続されている。
【００９９】
一方、発振器５７の出力に接続された本発明の分配器５３の出力端子４５は送信部２１０内に設けられた送信用切替えスイッチ２１４の共通端子に接続されている。また、高い周波数が出力される送信用切替えスイッチ２１４の一方の端子２１４ａは送信用ミキサ２１５ａの他方の入力に接続されて高い周波数を供給する。低い周波数が出力される送信用切替えスイッチ２１４の他方の端子２１４ｂは送信用ミキサ２１５ｂの他方の入力に接続されて低い周波数を供給する。ここで、送信用切替えスイッチ２１４と切替えスイッチ５４とは連動して高い周波数と低い周波数とを切替えている。
【０１００】
また、分配器５３の入力端子４４に接続される導体４２の幅は、導体４３の幅より太くすることが望ましい。これは、導体４２の幅を太くすることにより導体損を小さくできるので、送信時における挿入損失を少なくするために重要である。また、分配器５３に内蔵された直列接続体５１は、絶縁基板４１の外側に設けても良い。
【０１０１】
以上のように構成された高周波信号送受信装置について、以下にその動作を説明する。この高周波信号送受信装置には、送信状態と受信状態がある。送信状態では切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ｂを介して送信回路２１０が選択される。また、受信状態では切替えスイッチ２１２の他方の端子２１２ａを介して受信回路２１１が選択される。
【０１０２】
さらに、高い周波数（１５００ＭＨｚ）あるいは低い周波数（８００ＭＨｚ）を用いての送受信が可能である。例えば高い周波数を用いて送受信する場合は、送信用切替えスイッチ２１４は端子２１４ａが選択され、受信用切替えスイッチ２２０は端子２２０ａが選択され、さらに発振器切替えスイッチ５４は端子５４ａが選択される。次に、低い周波数を用いて送受信する場合は、送信用切替えスイッチ２１４は端子２１４ｂが選択され、受信用切替えスイッチ２２０は端子２２０ｂが選択され、さらに発振器切替えスイッチ５４は端子５４ｂが選択される。
【０１０３】
これにより、高い周波数を用いて送受信する場合は、ＰＬＬ発振器５５の発振信号が選択されて送信用ミキサ２１５ａの他方の入力に供給されるとともに、受信用ミキサ２２１ａの一方の入力に供給されることになる。また、低い周波数を用いて送受信する場合は、ＰＬＬ発振器５６の発振信号が選択されて送信用ミキサ２１５ｂの他方の入力に供給されるとともに、受信用ミキサ２２１ｂの一方の入力に供給されることになる。
【０１０４】
以上の条件に基づいて、以下詳細な説明を行う。まず、高い周波数（１５００ＭＨｚ）を用いて送信される場合について説明する。送信用入力端子２１６には、音声信号で変調された２００ＭＨｚの信号が入力される。この音声信号で変調された２００ＭＨｚの信号が送信用ミキサ２１５ａの一方の入力に供給されるとともに、ＰＬＬ発振器５５の発振周波数（１３００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４、２１４を介して送信用ミキサ２１５ａの他方の入力に供給される。この送信用ミキサ２１５ａの出力である１５００ＭＨｚの信号は、送信用アンプ２１７ａにより増幅されてのち、切替えスイッチ２１２を介してアンテナ２１３から送信される。
【０１０５】
次に、低い周波数（８００ＭＨｚ）を用いて送信される場合について説明する。送信用ミキサ２１５ｂの一方の入力には、送信用入力端子２１６に入力された音声信号で変調された２００ＭＨｚの信号が供給されるとともに、ＰＬＬ発振器５６の発振周波数（６００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４、２１４を介して送信用ミキサ２１５ｂの他方の入力に供給される。この送信用ミキサ２１５ｂの出力である８００ＭＨｚの信号は、送信用アンプ２１７ｂにより増幅されてのち、切替えスイッチ２１２を介してアンテナ２１３から送信される。
【０１０６】
次に、高い周波数（１５００ＭＨｚ）の信号が受信される場合について説明する。アンテナ２１３で受信された高い周波数（１５００ＭＨｚ）の信号は、アンテナ切替えスイッチ２１２を介して高い周波数帯を通過域とする受信用フィルタ２２３ａに入力されて妨害信号が抑圧されて希望信号が通過する。この希望信号は、受信用ミキサ２２１ａの他方の入力に供給されるとともに、一方の入力にはＰＬＬ発振器５５の発振周波数（１３００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４、２２０を介して供給される。さらに、受信用ミキサ２２１ａからの出力は、２００ＭＨｚの中間周波数となって出力端子２２４から出力される。
【０１０７】
次に、低い周波数（８００ＭＨｚ）の信号が受信される場合について説明する。アンテナ２１３で受信された低い周波数（８００ＭＨｚ）の信号は、アンテナ切替えスイッチ２１２を介して低い周波数帯を通過域とする受信用フィルタ２２３ｂに入力されて妨害信号が抑圧されて希望信号が通過する。この希望信号は、受信用ミキサ２２１ｂの他方の入力に供給されるとともに、一方の入力にはＰＬＬ発振器５６の発振周波数（６００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４、２２０を介して供給される。さらに、受信用ミキサ２２１ｂからの出力信号は、２００ＭＨｚの中間周波数となって出力端子２２４から出力される。
【０１０８】
ここで本実施の形態では、高い周波数と低い周波数における分配器５３の入力端子４４から第２の出力端子４６までの結合損失と、高い周波数と低い周波数における入力端子４４から第１の出力端子４５までの挿入損失とを同じにすることができる。このため、送信時においては送信周波数が異なる場合でも、送信パワーの劣化あるいは送信信号の歪の差をなくすことができる。また、受信時においては、受信周波数が異なる場合でも、受信感度の劣化あるいは妨害に対する排除特性の差をなくすことができる。
【０１０９】
なお、各実施の形態において、以下のことも実施可能である。すなわち、入力端子には１種類の周波数を入力して用いてもよい。この１種類の周波数に対して、直列接続体の直列共振周波数を低く設定することにより、挿入損失を小さくした小型の分配器を提供できるものである。
【０１１０】
さらに、直列接続体を接続することなく、導体の形状を本発明の実施の形態４から実施の形態６までに示した配置にすることにより、小型の方向性結合器が実現でき、分配器としての働きをもたせることができる。
【０１１１】
また、図１２に示す実施の形態８では、発振器５７からの２種類の周波数に対して２分配できる分配器５３として用いたが、例えば送信部２１０と切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ｂの間に実施の形態１と同じ構成の分配器５３ａ（図示せず）を新たに挿入してパワーディテクタとして用いてもよい。すなわち、送信部２１０の出力に分配器５３ａの入力端子４４ａを接続するとともに、切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ｂに分配器５３ａの出力端子４５ａを接続する。さらに抵抗接続用端子４８ａは抵抗４７ａを介してグランドに接続するとともに、出力端子４６ａをパワーディテクタとして用いることができる。これにより、出力端子４６ａからは、２種類の周波数に対してほぼ同じ信号レベルを有する出力信号が得られるので、送信用アンプ２１７ａおよび２１７ｂの送信電力を最適に制御できるものである。このように、２種類の周波数に対してほぼ同じ信号レベルを出力できる小型のパワーディテクタを提供できることになる。ここで、分配器５３ａは、分配器５３に対応する番号の構成部品に添字ａを付して説明を簡略化した。
【０１１２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、インダクタとコンデンサからなる直列接続体を第２の導体に並列に接続するとともに、前記直列接続体の共振周波数を高い周波数と低い周波数の間に設定することにより、前記高い周波数における入力端子から第１の出力端子までの挿入損失を小さくするとともに、前記高い周波数における前記入力端子から第２の出力端子までの結合損失を大きくし、前記高い周波数と前記低い周波数の出力レベルを略等しくしたものである。
【０１１３】
これにより、高い周波数と低い周波数の出力レベルを略等しくできる小型の分配器が実現できる。
【０１１４】
更に、第１の導体と第２の導体とを分布結合させているので、抵抗で形成された分配器と比べて、損失を少なくすることができるとともにアイソレーション特性を良化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における分配器と発振器のブロック図
【図２】 同、分配器の直列接続体のインピーダンス特性図
【図３】 同、分配器の結合損失特性図
【図４】 同、分配器の並列接続体のインピーダンス特性図
【図５】 同、分配器の挿入損失特性図
【図６】 同、分配器のアイソレーション特性図
【図７】 同、実施の形態３における分配器の断面図
【図８】 同、実施の形態４における分配器の平面図
【図９】 同、実施の形態５における分配器の平面図
【図１０】 同、実施の形態６における分配器の平面図
【図１１】 同、実施の形態７における分配器のブロック図
【図１２】 同、実施の形態８における本発明の分配器を用いた携帯電話のブロック図
【図１３】 従来例における分配器のブロック図
【図１４】 同、第１の分配器の結合損失・挿入損失特性図
【図１５】 同、第２の分配器の結合損失・挿入損失特性図
【符号の説明】
４１ 絶縁基板
４２ 導体
４３ 導体
４４ 入力端子
４５ 出力端子
４６ 出力端子
４８ 抵抗接続用端子
４９ インダクタ
５０ コンデンサ
５１ 直列接続体
５３ 分配器
【発明の属する技術分野】
本発明は、２つの異なる周波数を分配する分配器とこれを用いた高周波信号送受信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の２つの異なる周波数を分配する分配器は、以下に示すように方向性結合器を用いていた。このように分配器として方向性結合器を用いると、分配時の損失を小さくするとともに出力端子間でのアイソレーションを良くすることができる。
【０００３】
即ち、図１３において、絶縁基板２には導体３と導体４とが分布結合されていた。そして、導体３の一方の端には入力端子５が接続されていた。この入力端子５には高い周波数（１３００ＭＨｚ）の発振器７と、低い周波数（６００ＭＨｚ）の発振器８とが切替えスイッチ６を介して選択的に供給されていた。そして、この入力端子５から入力された信号は、導体３の他方の端に接続された出力端子９と、導体４の一方の端に接続された出力端子１０とに分配されて出力されていた。
【０００４】
ここで、導体４の他方の端は抵抗接続用端子１１に接続され、この抵抗接続用端子１１は抵抗１２を介してグランドに接続されていた。
【０００５】
ここで、導体３あるいは導体４の長さは、発振器７、８の発振周波数の１／４波長にすることが、分配器としての分配損失、出力端子間でのアイソレーションの特性面で望ましい。なお、２種類の周波数（１３００ＭＨｚと６００ＭＨｚ）を分配する分配器１において、導体３および導体４の長さは２種類の周波数の１／４波長に設定することができないので、これらの周波数の中間にあたる周波数（９５０ＭＨｚ）の絶縁基板上における波長λｇの１／４は（数１）より２５．５ｍｍとなる。このとき、絶縁基板にはアルミナ基板を用いた場合を示している。
【０００６】
【数１】
即ち、図１４に示すように、導体３、４の長さを、中間にあたる周波数（９５０ＭＨｚ）２５の４分の１波長にすると、結合損失２６と挿入損失２７を、低い周波数（６００ＭＨｚ）２４と、高い周波数（１３００ＭＨｚ）２３において出力レベルを各々等しくすることができる。つまり、送信器として用いると、送信周波数が６００ＭＨｚ、１３００ＭＨｚと異なる場合でも、送信パワーの劣化あるいは送信信号の歪の差がなくなる。また、受信器として用いると、受信周波数が６００ＭＨｚ、１３００ＭＨｚと異なる場合でも、受信感度の劣化あるいは妨害に対する排除特性の差がなくなるのである。ここで、図１４において、横軸２１は周波数とし、縦軸２２は損失を表している。
【０００８】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平９−２４９１２９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の構成では、２つの周波数２３、２４の中心周波数（９５０ＭＨｚ）に対応する波長が決まると、導体３、４の長さは一義的に決まってしまう。従って、これを単純に１／４の波長より分配器１を小さくすることができないという問題があった。
【００１１】
かといって、この分配器１の形状をただ単に小さくすると、図１５に示すように、入力端子５から出力端子１０までの挿入損失を３３で表したとすると、１３００ＭＨｚの周波数２３での挿入損失３３ａと、６００ＭＨｚの周波数２４での挿入損失３３ｂとでは３３ｃの損失差が生じる。そのために、送信器として用いると２つの異なる周波数では送信パワーの差が生じる。
【００１２】
また、結合損失３２においても、１３００ＭＨｚの周波数２３での結合損失３２ａと、６００ＭＨｚの周波数２４での結合損失３２ｂとでは３２ｃの損失差が生じる。そのために、受信器として用いると、２つの異なる周波数では受信感度に差が生じてしまうという問題があった。そのため、形状のみをそのまま小さくすることはできなかった。
【００１３】
本発明は、この問題を解決するもので、２つの異なった周波数の出力レベルを等しくするとともに小型の分配器を提供することを目的としたものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明の分配器は、インダクタとコンデンサからなる直列接続体を第２の導体に並列に接続するとともに、前記直列接続体の共振周波数を高い周波数と低い周波数の間に設定することにより、前記高い周波数における入力端子から第１の出力端子までの挿入損失を小さくするとともに、前記高い周波数における前記入力端子から第２の出力端子までの結合損失を大きくし、前記高い周波数と前記低い周波数の前記第１の出力端子からの出力レベルを略等しくするとともに、前記したものである。
【００１５】
これにより、高い周波数と低い周波数の出力レベルを略等しくできる小型の分配器が実現できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板上に形成された第１の導体と、この第１の導体に対し分布結合された第２の導体と、前記第１の導体の一方に接続されるとともに、高い周波数と低い周波数とが選択的に入力される入力端子と、前記第１の導体の他方に接続された第１の出力端子と、前記第２の導体の一方に接続された第２の出力端子と、前記第２の導体の他方に接続されるとともに、第１の抵抗を介してグランドに接続される抵抗接続用端子とを備え、前記第１および第２の導体の長さは前記高い周波数の波長の１／４より短くした分配器において、インダクタとコンデンサからなる直列接続体を前記第２の導体に並列に接続するとともに、前記直列接続体の共振周波数を前記高い周波数と前記低い周波数の間に設定することにより、高い周波数における前記入力端子から前記第１の出力端子までの挿入損失を小さくするとともに、高い周波数における前記入力端子から前記第２の出力端子までの結合損失を大きくし、前記高い周波数と前記低い周波数の出力レベルを略等しくしたものである。
【００１７】
これにより、高い周波数と低い周波数の出力レベルを略等しくできる小型の分配器が実現できる。
【００１８】
更に、第１の導体と第２の導体とを分布結合させているので、抵抗で形成された分配器と比べて、損失を少なくすることができるとともにアイソレーション特性を良化することができる。
【００１９】
請求項２に記載の発明は、直列接続体に直列に第２の抵抗を挿入した請求項１に記載の分配器であり、前記直列接続体に直列に抵抗を挿入するとともにその抵抗値を選ぶことにより、直列接続体による結合損失、挿入損失、アイソレーションへの寄与度を変えることができるので、２つの異なる周波数の結合損失および挿入損失をより精度良く設定することができる。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、第２の出力端子と抵抗接続用端子との間に、直列接続体が絶縁基板の外部より接続された請求項１に記載の分配器であり、絶縁基板上に形成された第２の導体の両端に少なくともインダクタまたはコンデンサまたは第２の抵抗のいずれかについて任意に最適な定数を選ぶとともに、外部より接続することができる。これにより、２つの異なる周波数の結合損失および挿入損失への素早い対応が可能となる。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、絶縁基板を多層で形成するとともに、第１の導体と第２の導体の形成された第１の絶縁基板層と、直列接続体の形成された第２の絶縁基板層とを設け、前記第１の絶縁基板層と前記第２の絶縁基板層との間にグランド層が設けられた請求項１に記載の分配器であり、第１の絶縁基板層と第２の絶縁基板層との間にグランド層を設けることにより、第１の導体および第２の導体と直列接続体との高周波としての干渉を防止できるものであり、より小型の分配器を実現することができる。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、第１の導体と第２の導体はクランク形状に形成された請求項１に記載の分配器であり、クランク状に形成されているので、分配器の更なる小型化を図ることができる。
【００２３】
請求項６に記載の発明は、第１の導体と第２の導体は正弦波形状に形成された請求項１に記載の分配器であり、正弦波形状に形成されているので、分配器の更なる小型化を図ることができる。また、正弦波形状に形成されているので、磁界が乱れることは少ない。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、第１の導体と第２の導体は渦巻き形状に形成された請求項１に記載の分配器であり、渦巻き波状に形成されているので、分配器の更なる小型化を図ることができる。
【００２５】
請求項８に記載の発明は、第１の導体の幅は第２の導体の幅より太くした請求項１に記載の分配器であり、第１の導体の直流抵抗を小さくすることができる。従って、損失を小さくすることができる。
【００２６】
請求項９に記載の発明は、少なくとも第１の導体と第２の導体とは凹版を用いた印刷技術で形成された請求項１に記載の分配器であり、凹版を用いた印刷技術を用いているので、精密な導体が形成でき、高周波性能が安定する。
【００２７】
請求項１０に記載の発明は、直列接続体を形成するインダクタとコンデンサのいずれかの値を可変とした請求項１に記載の分配器であり、第１の出力端子と第２の出力端子から出力する出力レベルを任意に設定することができる。
【００２８】
請求項１１に記載の発明は、直列接続体を形成するコンデンサをバリキャップダイオードとした請求項１に記載の分配器であり、電圧制御で第１の出力端子と第２の出力端子から出力する出力レベルを任意に設定することができる。
【００２９】
請求項１２に記載の発明は、アンテナ切替えスイッチの共通端子が接続されたアンテナと、前記アンテナ切替えスイッチの一方の端子が一方の入力に接続された受信部と、この受信部の出力に接続された出力端子と、送信用入力端子が一方の入力に接続されるとともに前記アンテナ切替えスイッチの他方の端子との間に接続された送信部と、高い周波数と低い周波数とが選択的に出力される発振器とを備え、前記発振器の出力は請求項１に記載の分配器を介して、前記送信部の他方の入力と前記受信器の他方の入力にそれぞれ接続された高周波信号送受信装置であり、請求項１に記載の分配器の第１の出力端子からの２つの異なる周波数の出力レベルを同じにできるので、送信時における２つの周波数間の送信出力レベルの差をなくすことができる。また前記請求項１に記載の分配器の第２の出力端子からの２つの異なる周波数の出力レベルを同じにできるので、受信時における２つの周波数間の受信感度および妨害信号に対する排除能力が改善できる。
【００３０】
請求項１３に記載の発明は、送信部の出力とアンテナ切替えスイッチの他方の端子との間にパワーディテクタとして請求項１に記載の分配器を用いた請求項１２に記載の高周波信号送受信装置であり、２つの送信周波数に対して、同一レベルでのパワー検出ができるとともに、電力増幅器の電力制御ができ省電力化に寄与することができる。
【００３１】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００３２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における分配器５３と発振器５７のブロック図である。図１において、分配器５３は、絶縁基板４１と、導体４２と、導体４３と、インダクタ４９とコンデンサ５０の直列接続体５１とから構成されている。ここで、導体４２、導体４３は絶縁基板４１の上に互いに分布結合させるとともに、導体４２および４３の長さは高い周波数（１３００ＭＨｚ）の１／４波長より短くしている。さらに、導体４２の一端には、高い周波数と低い周波数（６００ＭＨｚ）が入力される入力端子４４が接続されており、他端には出力端子４５が接続されている。一方、導体４３の一端には出力端子４６が接続されており、他端には抵抗接続用端子４８が接続されており、この抵抗接続用端子４８は抵抗４７により接地されている。ここで、導体４２と導体４３の各々は互いに近接して配置されている。また、インダクタ４９とコンデンサ５０からなる直列接続体５１は、導体４３に並列に接続するとともに、この直列接続体５１の共振周波数は、高い周波数と低い周波数の間に設定している。
【００３３】
入力端子４４と出力端子４６は絶縁基板４１の一方の辺近傍に設けられており、出力端子４５と抵抗接続用端子４８は、絶縁基板４１の他方の辺近傍に設けられている。また、絶縁基板４１はアルミナ基板を用い、凹版を用いた印刷技術を用いて少なくとも導体４２と４３を形成している。従って、精密なパターンが実現でき高周波性能が安定する。
【００３４】
一方、発振器５７は、高い発振周波数を出力するＰＬＬ発振器５５が切替えスイッチ５４の一方の端子５４ａに接続されるとともに、低い発振周波数を出力するＰＬＬ発振器５５が切替えスイッチ５４の他方の端子５４ｂに接続されている。切替えスイッチ５４の共通端子は、入力端子４４に接続されている。これにより、２つの異なる発振周波数（１３００ＭＨｚ、６００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４により選択できる。このとき、ＰＬＬ発振器５５および５６は、例えば水晶発振器を用いた発振器を用いても良い。
【００３５】
以上のように構成された分配器５３と発振器５７について、以下にその動作を説明する。この発振器５７において、高い発振周波数（１３００ＭＨｚ）を出力するＰＬＬ発振器５５と低い発振周波数（６００ＭＨｚ）を出力するＰＬＬ発振器５６の出力は、切替えスイッチ５４によりどちらかの発振周波数が選択されて分配器５３の入力端子４４に入力される。
【００３６】
この入力端子４４に入力された信号は、導体４２を介して出力端子４５から出力される。このとき、入力端子４４から出力端子４５までの間に挿入損失４２ａ（図５参照）が発生する。また、入力端子４４に入力された信号は、導体４２に分布結合された導体４３に伝達されたのち、出力端子４６から出力される。このとき、入力端子４４から出力端子４６までの間に結合損失４３ａ（図３参照）が発生する。
【００３７】
ここで、直列接続体５１を構成するインダクタ４９は１５ｎＨのインダクタンス値とし、コンデンサ５０は１．２ｐＦの容量値とし、これにより直列共振周波数は１２００ＭＨｚに設定している。さらに、この直列接続体５１と導体４３により並列接続体５２が形成され、この並列共振周波数は１１００ＭＨｚとなる。
【００３８】
最初に、入力端子４４から出力端子４６までの結合損失４３ａについて図２、図３を用いて説明する。図２では、本実施の形態１における直列接続体５１のインピーダンス（Ω）を６１で表している。図２において、横軸６２を周波数（ＭＨｚ）とし、縦軸６３をインピーダンス（Ω）とし、直列接続体５１の直列共振周波数は周波数６４（１２００ＭＨｚ）で表している。また、並列接続体５２の並列共振周波数は周波数６５（１１００ＭＨｚ）で表している。さらに、ＰＬＬ発振器５６の発振周波数は周波数６６（６００ＭＨｚ）とし、ＰＬＬ発振器５５の発振周波数は周波数６７（１３００ＭＨｚ）として表している。
【００３９】
この図２より明らかなように、直列接続体５１のインピーダンス（Ω）６１は、周波数６４（１２００ＭＨｚ）より低い周波数の領域において容量性を示し、１２００ＭＨｚに近くなるにつれて容量値が増すのである。一方、周波数６４（１２００ＭＨｚ）より高い周波数の領域においては、直列接続体５１のインピーダンス（Ω）６１は、インダクタンス性を示すことになり、さらに周波数が高くなるにつれてそのインダクタンス値は増加していく。
【００４０】
図３は、本実施の形態１における分配器５３の結合損失４３ａを表している。また、従来例での結合損失を３２で参考として表している。ここで、横軸７２を周波数（ＭＨｚ）とし、縦軸７３を損失（ｄＢ）とし、０ｄＢの損失量を７４とし、１０ｄＢの損失量を７５としている。また、周波数３１（２４５０ＭＨｚ）は従来例での結合損失３２の最小点での周波数であり、この周波数３１（２４５０ＭＨｚ）は本実施の形態１での結合損失４３ａの最小点とほぼ同じとしている。
【００４１】
最初に、入力端子４４から出力端子４６までの結合損失４３ａを説明する。まず、周波数６５（１１００ＭＨｚ）より低い周波数の領域では図２から明らかなように直列接続体５１は小さな容量値となるので、結合損失４３ａにほとんど影響を与えない。従って、周波数６５（１１００ＭＨｚ）より低い周波数において結合損失４３ａは従来例の結合損失３２と比べて差が生じない。
【００４２】
次に、周波数６５（１１００ＭＨｚ）から周波数６４（１２００ＭＨｚ）の領域では、図２から明らかなように直列接続体５１の容量性は、周波数６４（１２００ＭＨｚ）に近づくにつれて徐々に大きくなる。さらに、周波数６４（１２００ＭＨｚ）では、図２より０Ωとなるため、導体４２と導体４３の結合が最も小さくなり、結合損失は最大値となる。さらに、周波数６４（１２００ＭＨｚ）から周波数６７（１３００ＭＨｚ）の領域では、図２から明らかなように直列接続体５１は小さいインダクタ値となる。このために、導体４３は小さいインダクタ値を持つ直列接続体５１が並列に接続されることになるので、導体４２と導体４３の結合が小さくなる。従って、結合損失４３ａは大きくなる。
【００４３】
従って、周波数６５（１１００ＭＨｚ）から周波数６７（１３００ＭＨｚ）の領域において結合損失４３ａは大きくなり、周波数６４（１２００ＭＨｚ）において結合損失４３ａは最大値を持つことになる。
【００４４】
さらに、周波数６７（１３００ＭＨｚ）より高い周波数の領域では、図２より明らかなように周波数は高くなるにつれてインダクタ値が徐々に大きくなる。このため、導体４３に対する直列接続体５１の影響が少なくなるので、結合損失４３ａは徐々に小さくなるのである。このように、導体４３に直列共振周波数（１２００ＭＨｚ）を持つ直列接続体５１を並列に接続することにより、結合損失４３ａは、周波数６５（１１００ＭＨｚ）より高い周波数で徐々に大きくなって周波数６４（１２００ＭＨｚ）で最大値となる。さらに、周波数６４（１２００ＭＨｚ）以上の周波数の領域では徐々に小さくなるのである。
【００４５】
以上のように、周波数６７（１３００ＭＨｚ）での結合損失４３ｂを大きくできるので、この結合損失４３ｂと周波数６６（６００ＭＨｚ）での結合損失４３ｃとの差４３ｄを小さくすることができる。その結果、６００ＭＨｚ、１３００ＭＨｚの２つの異なる周波数の信号が分配器５３に入力された場合でも、６００ＭＨｚと１３００ＭＨｚでの結合損失４３ａを略同じレベルにできるのである。
【００４６】
次に、入力端子４４から出力端子４５までの挿入損失４２ａについて図４、図５を用いて説明する。図４では、本実施の形態１における並列接続体５２のインピーダンス（Ω）を８１で表している。この並列接続体５２は、直列接続体５１に導体４３を並列に接続したものである。このとき、導体４３の長さと絶縁基板４１の比誘電率から決まる波長の１／４である周波数は３１（２４５０ＭＨｚ）である。これより、導体４３のインピーダンスは、周波数３１（２４５０ＭＨｚ）より低い周波数においてインダクタンス性となることが知られている。従って、周波数３１（２４５０ＭＨｚ）より低い周波数においては、並列接続体５２は、直列接続体５１にインダクタンス性を持つ導体４３を並列に接続したものとできる。
【００４７】
図４において、インピーダンス（Ω）８１は、周波数６５（１１００ＭＨｚ）より低い周波数の領域でインダクタ性を示し、周波数６５（１１００ＭＨｚ）に近くなるにつれてインダクタ値は増していく。さらに、周波数６５（１１００ＭＨｚ）と周波数６４（１２００ＭＨｚ）の間では容量性となり、周波数６４（１２００ＭＨｚ）に近づくに従って容量性が増す。また、周波数６４（１２００ＭＨｚ）より高い周波数の領域ではインダクタ性を示し、周波数が高くなるにつれてインダクタンス値は増加していく。
【００４８】
図５は、本実施の形態１における分配器５３の挿入損失４２ａを表している。また、従来例での挿入損失を３３で表している。ここで、周波数３１（２４５０ＭＨｚ）は従来例での挿入損失３３の最大点を示し、この周波数３１（２４５０ＭＨｚ）は本実施の形態１での挿入損失４２ａの最大点とほぼ同じとしている。
【００４９】
以下、各周波数における挿入損失４２ａについて説明する。この挿入損失４２ａとは、入力端子４４から出力端子４５までの損失である。入力端子４４と出力端子４５の間には導体４２が接続されており、この導体４２には並列接続体５２が分布結合されていることになる。つまり、挿入損失４２ａの周波数特性は、並列接続体５２の周波数特性により主に決まることになる。
【００５０】
最初に、入力端子４４に周波数６５（１１００ＭＨｚ）に近い信号が入力されると、１１００ＭＨｚに並列共振周波数をもつ並列接続体５２が結合するので、出力端子４５からの出力信号は阻止されることになる。その結果、挿入損失４２ａは、周波数６５（１１００ＭＨｚ）において最大値をもつことになる。つまり、図４より周波数６５（１１００ＭＨｚ）より低い周波数６６（６００ＭＨｚ）の領域では周波数が小さくなるにつれて、並列接続体５２のインダクタ値は小さくなる。このため、周波数が小さくなるとともに挿入損失４２ａは徐々に少なくなる。また、図４の周波数６５（１１００ＭＨｚ）より高い周波数６４（１２００ＭＨｚ）の領域では周波数が高くなるにつれて並列接続体５２は大きな容量値となる。このため、周波数が高くなるとともに挿入損失４２ａは徐々に少なくなる。さらに、図２より周波数６４（１２００ＭＨｚ）においては、並列接続体５２のインピーダンスが０Ωとなる。つまり、導体４３は直列接続体５１で短絡されることになるので、挿入損失４２ａは低減されることになる。
【００５１】
以上により、６００ＭＨｚと１３００ＭＨｚの２つの異なる周波数の信号が分配器５３に入力された場合でも、６００ＭＨｚと１３００ＭＨｚでの挿入損失４２ａを均一にできるのである。
【００５２】
以上のように、結合損失４３ａおよび挿入損失４２ａを、２つの周波数である６００ＭＨｚと１３００ＭＨｚにおいて各々等しくできる小型の分配器５３を提供できるものである。
【００５３】
次に、出力端子４５と出力端子４６の間のアイソレーション８５について図６を用いて説明する。図６は、本実施の形態１における分配器５３のアイソレーション８５を表している。また、従来例でのアイソレーションを８６で表している。以下、各周波数におけるアイソレーション８５について説明する。このアイソレーション８５とは、出力端子４５から出力端子４６あるいは出力端子４６から出力端子４５までの損失（ｄＢ）である。ここで、出力端子４５から出力端子４６への信号に対しては、導体４２と導体４３とが位相が打ち消されるように接続されているので、大きな損失が生じることになる。つまり、アイソレーション８５は大きな値となり、出力端子４５に入力された信号は出力端子４６から出力されにくいことになる。このことは、出力端子４６から出力端子４５への信号に対しても同様である。
【００５４】
以下、各周波数におけるアイソレーション８５を説明する。図４から明らかなように、周波数６５（１１００ＭＨｚ）から周波数６４（１２００ＭＨｚ）の領域では、並列接続体５２は容量性となるので、導体４２と導体４３とは分布結合とならない。このため、アイソレーション８５は周波数６５（１１００ＭＨｚ）と周波数６４（１２００ＭＨｚ）の中間周波数である１１５０ＭＨｚで最小値となる。このとき、周波数６７（１３００ＭＨｚ）におけるアイソレーション８５は、直列接続体５１により導体４２と導体４３とが位相が十分に打ち消されないので、従来例でのアイソレーション８６に比べて５ｄＢ小さくなっている。
【００５５】
ここで、結合損失４３ａ、挿入損失４２ａ、アイソレーション８５の互いの関係について説明する。直列接続体５１の直列共振周波数６４（１２００ＭＨｚ）はインダクタ４９とコンデンサ５０により決定されるものである。従って、直列接続体５１の直列共振周波数６４（１２００ＭＨｚ）の設定値を変えることにより、高い周波数６７（１３００ＭＨｚ）における結合損失４３ｂ、挿入損失４２ｂ、アイソレーション８５ａを変化させることができる。つまり、直列共振周波数６４（１２００ＭＨｚ）を設定することにより、結合損失４３ｂ、挿入損失４２ｂ、アイソレーション８５ａの最適値を選ぶことが可能となる。
【００５６】
ここで、結合損失４３ａは、導体４２と導体４３との互いの間隔により変えることができる。例えば、この間隔を小さくすると導体４２と導体４３との結合損失４３ａが減り、出力端子４６からの出力信号が大きくなる。同時に、挿入損失４２ａは増すので、出力端子４５からの出力信号は小さくなる。従って、導体４２と導体４３との互いの間隔により、出力端子４５の出力信号と出力端子４６からの出力信号の差を任意に設定できる。
【００５７】
（実施の形態２）
直列接続体５１に直列に抵抗を挿入した場合の結合損失４３ａ、挿入損失４２ａ、アイソレーション８５について以下説明する。
【００５８】
最初に、結合損失４３ａについて図３を用いて説明する。直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値を大きな値（例えば１ＫΩ以上）にすると、結合損失４３ａは、直列接続体５１の効果が小さくなるので従来例である結合損失３２に近づく。つまり、直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値によって周波数６７（１３００ＭＨｚ）の結合損失４３ｂを任意の値に設定できる。
【００５９】
次に、挿入損失４２ａについて図５を用いて説明する。直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値を大きな値（例えば１ＫΩ以上）にすると、挿入損失４２ａは、直列接続体５１の効果が小さくなるので従来例である挿入損失３３に近づく。つまり、直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値によって周波数６７（１３００ＭＨｚ）の挿入損失４２ｂを任意の値に設定できる。
【００６０】
次に、アイソレーション８５について図６を用いて説明する。直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値は大きな値（例えば１ＫΩ以上）にすると、アイソレーション８５は、直列接続体５１の効果が小さくなるので従来例であるアイソレーション８６に近づく。つまり、直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値によって周波数６７（１３００ＭＨｚ）のアイソレーション８５ａを任意の値に設定できる。
【００６１】
以上のように、直列接続体５１に直列に挿入する抵抗値によって結合損失４３ａ、挿入損失４２ａ、アイソレーション８５ａを、周波数６６（６００ＭＨｚ）と周波数６７（１３００ＭＨｚ）の２つの周波数において、より精度よく設定することが可能となる。
【００６２】
（実施の形態３）
図７は、本発明の実施の形態３における分配器の断面図である。図７において、分配器９０（分配器５３に相当）は、絶縁体層９１と、この絶縁体層９１の隣に配置した絶縁体層９２と、この絶縁体層９２の下層に配置した絶縁体層９３と、この絶縁体層９３の下層に配置した絶縁体層９４とから構成されている。さらに、絶縁体層９１の上面には導体９５（導体４２に相当）と、この導体９５に対して分布結合させた導体９６（導体４３に相当）とが形成されている。また、絶縁体層９１と絶縁体層９２の間には、グランドプレーンとしての導体９７が、ほぼ全面に設けられているとともに接地されている。また、絶縁体層９２と絶縁体層９３の間には導体９８が設けられるとともに、絶縁体層９３と絶縁体層９４の間にも導体９９、導体１００（インダクタ４９に相当）が設けられていた。このとき、導体１００は、プリントパターンによるインダクタとして形成している。さらに、導体９８と導体９９とは、互いに対向させて配置させることによって、コンデンサ（コンデンサ５０に相当）を形成させている。
【００６３】
そして、これらは実施の形態１と同様に接続されている。また、分布結合させた導体９５、導体９６が設けられた絶縁体層９１と、直列接続体５１が形成される絶縁体層である９２および９３との間に、グランドプレーンとして接地された導体９７を配置することによって互いに高周波的に分離することができる。従って、インダクタとコンデンサのばらつきが低減できる。その結果、直列接続体５１の直列共振周波数、並列接続体５２の並列共振周波数への影響を減らすことができるので、さらに小型の分配器を実現できる。
【００６４】
（実施の形態４）
図８は、実施の形態４における分配器の導体部分の平面図である。なお、導体部分以外については、実施の形態１と同じである。図８において、絶縁基板１０１上に導体１０２と、導体１０３とがクランク状に配置されて分布結合している。この導体１０２の一方の端は入力端子１０４に接続され、他方の端は出力端子１０５に接続されている。また、導体１０３の一方の端は出力端子１０６に接続され、他方の端は抵抗接続用端子１０７に接続されている。
【００６５】
そして、入力端子１０４と出力端子１０６とは、絶縁基板１０１の一方の側面１０１ａ側に導出され、出力端子１０５と抵抗接続用端子１０７とは、一方の側面１０１ａに対向する他方の側面１０１ｂ側に導出されている。
【００６６】
このように、この導体１０２と１０３とはクランク状に形成されている。従って、その分だけ波長を長く設定できるので分配器の形状を小型にすることができる。
【００６７】
また、導体１０２は導体１０３の幅より太く（略５倍）しているので、導体１０２は、導体１０３に比べて直流抵抗損失を少なくすることができる。
【００６８】
（実施の形態５）
図９は、実施の形態５における分配器の導体部分の平面図である。なお、導体部分以外については、実施の形態１と同じである。図９において、絶縁基板１１１上に導体１１２と、導体１１３とが正弦波状に配置されて分布結合している。この導体１１２の一方の端は入力端子１１４に接続され、他方の端は出力端子１１５に接続されている。また、導体１１３の一方の端は出力端子１１６に接続され、他方の端は抵抗接続用端子１１７に接続されている。
【００６９】
そして、入力端子１１４と出力端子１１６とは、絶縁基板１１１の一方の側面１１１ａ側に導出され、出力端子１１５と抵抗接続用端子１１７とは、一方の側面１１１ａに対向する他方の側面１１１ｂ側に導出されている。
【００７０】
このように、この導体１１２と１１３とは正弦波形状に形成されているので、分配器の形状を小型化することができる。また、導体が角張ることはなく正弦波形状に滑らかに湾曲しているので、磁界が乱れることは無く、挿入損失及び結合損失は実施の形態４に比べて良くなる。
【００７１】
また、導体１１２は導体１１３の幅より太く（略５倍）している。従って、導体１１２は、導体１１３に比べて直流抵抗損失を少なくすることができる。
【００７２】
（実施の形態６）
図１０は、実施の形態６における分配器の導体部分の平面図である。なお、導体部分以外については、実施の形態１と同じである。図１０において、積層された絶縁基板１２１上に導体１２２と、導体１２３とが渦巻き状に配置されて分布結合している。この導体１２２の一方の端は入力端子１２４に接続され、他方の端１２５ａはスルーホールを介して絶縁基板１２１の裏面に導出され、裏面で絶縁基板１２１の側面１２１ａ近傍に導出される。そして、再びスルーホールを介して出力端子１２５に接続されている。また、導体１２３の一方の端は、出力端子１２６に接続されている。また、導体１２３の他方の端１２７ａはスルーホールを介して絶縁基板１２１の裏面に導出され、裏面で絶縁基板１２１の側面１２１ｂ近傍に導出される。そして、再びスルーホールを介して抵抗接続用端子１２７に接続されている。
【００７３】
そして、入力端子１２４と出力端子１２５とは、絶縁基板１２１の一方の側面１２１ａ側に導出され、出力端子１２６と抵抗接続用端子１２７とは、一方の側面１２１ａに対向する他方の側面１２１ｂ側に導出されている。
【００７４】
このように、この導体１２２と１２３とは渦巻き形状に形成されている。このため、導体１２２および１２３の長さを大きくとれるとともに、導体１２２および１２３の間の結合度を大きく取ることができるので、分配器の形状を更に小型化することができる。
【００７５】
なお、本実施の形態においては、導体１２２と１２３を長方形状の渦巻きにしているので、円形形状に比べて同一面積におけるインダクタンスを大きくすることができ、小型化に貢献することができる。また、この渦巻きを円形或いは楕円形にすることもできる。この場合は、導体の角張った形状に比べて磁界が乱れることは無く、挿入損失及び結合損失が少なくなる。
【００７６】
また、導体１２２と導体１２３の幅は、略同じにしているので、同一面積内においてインダクタンスを大きくすることができる。
【００７７】
１２８は入力端子１２４と抵抗接続用端子１２７との間に設けられたグランド端子である。１２９も同様に出力端子１２５と出力端子１２６の間に設けられたグランド端子である。そして、これらのグランド端子１２８、１２９は導体１２２や導体１２３の下層に設けられたグランドプレーンに接続されており、導体１２２や導体１２３をストリップラインとして構成している。
【００７８】
従って、特性インピーダンスを下げることができ、例えば容易に５０オームにすることができる。
【００７９】
なお、ここで、実施の形態３から６までの夫々の分配器において、共通することについて以下に述べる。入力端子には高い周波数と低い周波数とが選択的に供給される。そして、導体の長さは、高い周波数の４分の１波長より短くして分配器の小型化を図っている。また、抵抗接続用端子は抵抗を介してグランドに接続される。この抵抗接続用端子に接続される導体と並列にインダクタとキャパシタとで形成される直列接続体を接続し、この直列接続体の共振周波数は前記高い周波数と低い周波数との間に設定している。このことにより、高い周波数と低い周波数の出力レベルを等しくすることができる。
【００８０】
なお、この直列接続体を形成する夫々異なる値のインダクタとコンデンサを複数個用意して、それらを電子的に形成された切替えスイッチで適宜切替えることにより、共振周波数を変化させることができる。このことにより、第１の出力端子と第２の出力端子から出力する出力レベルを任意に設定することができる。
【００８１】
また、直列接続体を形成するコンデンサをバリキャップダイオードとすることにより、直列接続体の共振周波数を変化させることができる。この場合は、電圧制御で第１の出力端子と第２の出力端子から出力する出力レベルを任意に設定することができる。
【００８２】
絶縁基板にはアルミナ基板を用い、凹版を用いた印刷技術で導体を形成している。しかし、これはアルミナ基板に限ることは無く、樹脂製の絶縁基板を用いて銅箔を印刷して導体を形成しても良い。
【００８３】
（実施の形態７）
図１１は、実施の形態７における分配器のブロック図である。図１１において、絶縁基板１３１上には導体１３２と、導体１３３とが平行に配置されて分布結合している。この導体１３２の一方の端は入力端子１３４に接続され、他方の端は出力端子１３５に接続されている。また、導体１３３の一方の端は出力端子１３６に接続され、他方の端は抵抗接続用端子１３７に接続されている。この抵抗接続用端子１３７は抵抗１３９を介してグランドに接続される。
【００８４】
また、導体１３２の端１３２ａと入力端子１３４との接続点と、導体１３３の端１３３ａと出力端子１３６との接続点との間には、インダクタ１４０とキャパシタ１４１の直列接続体１４２が接続されている。なお、この直列接続体１４２は、絶縁基板１３１の外部に設けて、入力端子１３４と出力端子１３６に接続しても良い。
【００８５】
ここで、入力端子１３４と出力端子１３６とは、絶縁基板１３１の一方の側面１３１ａ側に導出され、出力端子１３５と抵抗接続用端子１３７とは、一方の側面１３１ａに対向する他方の側面１３１ｂ側に導出されている。
【００８６】
入力端子１３４には実施の形態１で説明した発振器５７が接続される。この発振器５７は１３００ＭＨｚの高い周波数と、６００ＭＨｚの低い周波数とが選択的に出力されるものである。
【００８７】
また、この導体１３２と１３３の長さは、高い周波数（１３００ＭＨｚ）の４分の１波長より短くしている。従って、分配器の小型化を図ることができる。また、直列接続体１４２の共振周波数は、高い周波数（１３００ＭＨｚ）と低い周波数（６００ＭＨｚ）との間に設定している。従って、実施の形態１で説明したように高い周波数と低い周波数の出力レベルを等しくすることができる。
【００８８】
更に、導体１３２と導体１３３とを分布結合させているので、抵抗で形成された分配器に比べて、損失を少なくすることができる。また、アイソレーション特性も向上させることができる。
【００８９】
なお、絶縁基板１３１は実施の形態１と同様、アルミナ基板上に凹版を用いた印刷技術により導体を形成しているが、これはアルミナ基板に限ることは無く、樹脂製の絶縁基板を用いて、銅箔を印刷しても良い。
【００９０】
（実施の形態８）
図１２は、本発明の実施の形態８における携帯電話（高周波信号送受信装置の一例として用いた）のブロック図である。この携帯電話は１５００ＭＨｚ程度の高い周波数での送受信と、８００ＭＨｚ程度の低い周波数での送受信と選択的に切替えて使用することができる携帯電話である。従って、この携帯電話には２つの異なった周波数の発振器が必要であり、本発明の分配器を用いるとその効果が発揮できるものである。
【００９１】
以下、その構成を説明する。図１２において、２１３はアンテナであり、このアンテナ２１３はアンテナ切替えスイッチ２１２の共通端子に接続されている。このアンテナ切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ａは受信部２１１に接続され、その出力は出力端子２２４に接続されている。
【００９２】
この受信部２１１は高い周波数を受信する受信部２１１ａと、低い周波数を受信する受信部２１１ｂとの並列回路で形成される。受信部２１１ａは、アンテナ切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ａに接続されるとともに、高い受信周波数を通過させる受信用フィルタ２２３ａと、この受信用フィルタ２２３ａの出力が一方の入力に接続された受信用ミキサ２２１ａとで構成され、この受信用ミキサ２２１ａの出力は出力端子２２４に接続されている。
【００９３】
さらに、受信部２１１ｂは、アンテナ切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ａに接続されるとともに、低い受信周波数を通過させる受信用フィルタ２２３ｂと、この受信用フィルタ２２３ｂの出力が一方の入力に接続された受信用ミキサ２２１ｂとで構成され、この受信用ミキサ２２１ｂの出力は出力端子２２４に接続されている。
【００９４】
一方、高い周波数を出力するＰＬＬ発振器５５の出力と、低い周波数を出力するＰＬＬ発振器５６の出力は、切替えスイッチ５４を介して発振器５７から出力される。この発振器５７の出力は、本発明の分配器５３の入力端子４４に接続されている。そして、出力端子４６は受信部２１１内に設けられた受信用切替えスイッチ２２０の共通端子に接続されている。また、高い周波数が出力される受信用切替えスイッチ２２０の一方の端子２２０ａは受信用ミキサ２２１ａの他方の入力に接続されて高い周波数を供給する。低い周波数が出力される受信用切替えスイッチ２２０の他方の端子２２０ｂは受信用ミキサ２２１ｂの他方の入力に接続されて低い周波数を供給する。ここで、受信用切替えスイッチ２２０と切替えスイッチ５４とは連動して高い周波数と低い周波数とを切替えている。
【００９５】
なお、本実施の形態において、分配器は実施の形態１のものを用いたが、これは実施の形態１の分配器５３に限ることは無く、実施の形態１から７の何れの分配器を用いても良い。
【００９６】
次に送信部２１０について説明する。２１６は送信用入力端子であり、この送信用入力端子２１６は送信部２１０を介してアンテナ切替えスイッチ２１２の他方の端子２１２ｂに接続されている。
【００９７】
この送信部２１０は高い周波数で送信する送信部２１０ａと、低い周波数で送信する送信部２１０ｂとの並列回路で形成される。送信部２１０ａは、送信用入力端子２１６が一方の入力に接続されるとともに高い周波数を混合する送信用ミキサ２１５ａに接続されている。そして、この出力は高い周波数を増幅する送信用アンプ２１７ａを介して、アンテナ切替えスイッチ２１２の他方の端子２１２ｂに接続されている。
【００９８】
また、送信部２１０ｂは、送信用入力端子２１６が一方の入力に接続されるとともに低い周波数を混合する送信用ミキサ２１５ｂに接続されている。そして、この出力は低い周波数を増幅する送信用アンプ２１７ｂを介して、アンテナ切替えスイッチ２１２の他方の端子２１２ｂに接続されている。
【００９９】
一方、発振器５７の出力に接続された本発明の分配器５３の出力端子４５は送信部２１０内に設けられた送信用切替えスイッチ２１４の共通端子に接続されている。また、高い周波数が出力される送信用切替えスイッチ２１４の一方の端子２１４ａは送信用ミキサ２１５ａの他方の入力に接続されて高い周波数を供給する。低い周波数が出力される送信用切替えスイッチ２１４の他方の端子２１４ｂは送信用ミキサ２１５ｂの他方の入力に接続されて低い周波数を供給する。ここで、送信用切替えスイッチ２１４と切替えスイッチ５４とは連動して高い周波数と低い周波数とを切替えている。
【０１００】
また、分配器５３の入力端子４４に接続される導体４２の幅は、導体４３の幅より太くすることが望ましい。これは、導体４２の幅を太くすることにより導体損を小さくできるので、送信時における挿入損失を少なくするために重要である。また、分配器５３に内蔵された直列接続体５１は、絶縁基板４１の外側に設けても良い。
【０１０１】
以上のように構成された高周波信号送受信装置について、以下にその動作を説明する。この高周波信号送受信装置には、送信状態と受信状態がある。送信状態では切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ｂを介して送信回路２１０が選択される。また、受信状態では切替えスイッチ２１２の他方の端子２１２ａを介して受信回路２１１が選択される。
【０１０２】
さらに、高い周波数（１５００ＭＨｚ）あるいは低い周波数（８００ＭＨｚ）を用いての送受信が可能である。例えば高い周波数を用いて送受信する場合は、送信用切替えスイッチ２１４は端子２１４ａが選択され、受信用切替えスイッチ２２０は端子２２０ａが選択され、さらに発振器切替えスイッチ５４は端子５４ａが選択される。次に、低い周波数を用いて送受信する場合は、送信用切替えスイッチ２１４は端子２１４ｂが選択され、受信用切替えスイッチ２２０は端子２２０ｂが選択され、さらに発振器切替えスイッチ５４は端子５４ｂが選択される。
【０１０３】
これにより、高い周波数を用いて送受信する場合は、ＰＬＬ発振器５５の発振信号が選択されて送信用ミキサ２１５ａの他方の入力に供給されるとともに、受信用ミキサ２２１ａの一方の入力に供給されることになる。また、低い周波数を用いて送受信する場合は、ＰＬＬ発振器５６の発振信号が選択されて送信用ミキサ２１５ｂの他方の入力に供給されるとともに、受信用ミキサ２２１ｂの一方の入力に供給されることになる。
【０１０４】
以上の条件に基づいて、以下詳細な説明を行う。まず、高い周波数（１５００ＭＨｚ）を用いて送信される場合について説明する。送信用入力端子２１６には、音声信号で変調された２００ＭＨｚの信号が入力される。この音声信号で変調された２００ＭＨｚの信号が送信用ミキサ２１５ａの一方の入力に供給されるとともに、ＰＬＬ発振器５５の発振周波数（１３００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４、２１４を介して送信用ミキサ２１５ａの他方の入力に供給される。この送信用ミキサ２１５ａの出力である１５００ＭＨｚの信号は、送信用アンプ２１７ａにより増幅されてのち、切替えスイッチ２１２を介してアンテナ２１３から送信される。
【０１０５】
次に、低い周波数（８００ＭＨｚ）を用いて送信される場合について説明する。送信用ミキサ２１５ｂの一方の入力には、送信用入力端子２１６に入力された音声信号で変調された２００ＭＨｚの信号が供給されるとともに、ＰＬＬ発振器５６の発振周波数（６００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４、２１４を介して送信用ミキサ２１５ｂの他方の入力に供給される。この送信用ミキサ２１５ｂの出力である８００ＭＨｚの信号は、送信用アンプ２１７ｂにより増幅されてのち、切替えスイッチ２１２を介してアンテナ２１３から送信される。
【０１０６】
次に、高い周波数（１５００ＭＨｚ）の信号が受信される場合について説明する。アンテナ２１３で受信された高い周波数（１５００ＭＨｚ）の信号は、アンテナ切替えスイッチ２１２を介して高い周波数帯を通過域とする受信用フィルタ２２３ａに入力されて妨害信号が抑圧されて希望信号が通過する。この希望信号は、受信用ミキサ２２１ａの他方の入力に供給されるとともに、一方の入力にはＰＬＬ発振器５５の発振周波数（１３００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４、２２０を介して供給される。さらに、受信用ミキサ２２１ａからの出力は、２００ＭＨｚの中間周波数となって出力端子２２４から出力される。
【０１０７】
次に、低い周波数（８００ＭＨｚ）の信号が受信される場合について説明する。アンテナ２１３で受信された低い周波数（８００ＭＨｚ）の信号は、アンテナ切替えスイッチ２１２を介して低い周波数帯を通過域とする受信用フィルタ２２３ｂに入力されて妨害信号が抑圧されて希望信号が通過する。この希望信号は、受信用ミキサ２２１ｂの他方の入力に供給されるとともに、一方の入力にはＰＬＬ発振器５６の発振周波数（６００ＭＨｚ）が切替えスイッチ５４、２２０を介して供給される。さらに、受信用ミキサ２２１ｂからの出力信号は、２００ＭＨｚの中間周波数となって出力端子２２４から出力される。
【０１０８】
ここで本実施の形態では、高い周波数と低い周波数における分配器５３の入力端子４４から第２の出力端子４６までの結合損失と、高い周波数と低い周波数における入力端子４４から第１の出力端子４５までの挿入損失とを同じにすることができる。このため、送信時においては送信周波数が異なる場合でも、送信パワーの劣化あるいは送信信号の歪の差をなくすことができる。また、受信時においては、受信周波数が異なる場合でも、受信感度の劣化あるいは妨害に対する排除特性の差をなくすことができる。
【０１０９】
なお、各実施の形態において、以下のことも実施可能である。すなわち、入力端子には１種類の周波数を入力して用いてもよい。この１種類の周波数に対して、直列接続体の直列共振周波数を低く設定することにより、挿入損失を小さくした小型の分配器を提供できるものである。
【０１１０】
さらに、直列接続体を接続することなく、導体の形状を本発明の実施の形態４から実施の形態６までに示した配置にすることにより、小型の方向性結合器が実現でき、分配器としての働きをもたせることができる。
【０１１１】
また、図１２に示す実施の形態８では、発振器５７からの２種類の周波数に対して２分配できる分配器５３として用いたが、例えば送信部２１０と切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ｂの間に実施の形態１と同じ構成の分配器５３ａ（図示せず）を新たに挿入してパワーディテクタとして用いてもよい。すなわち、送信部２１０の出力に分配器５３ａの入力端子４４ａを接続するとともに、切替えスイッチ２１２の一方の端子２１２ｂに分配器５３ａの出力端子４５ａを接続する。さらに抵抗接続用端子４８ａは抵抗４７ａを介してグランドに接続するとともに、出力端子４６ａをパワーディテクタとして用いることができる。これにより、出力端子４６ａからは、２種類の周波数に対してほぼ同じ信号レベルを有する出力信号が得られるので、送信用アンプ２１７ａおよび２１７ｂの送信電力を最適に制御できるものである。このように、２種類の周波数に対してほぼ同じ信号レベルを出力できる小型のパワーディテクタを提供できることになる。ここで、分配器５３ａは、分配器５３に対応する番号の構成部品に添字ａを付して説明を簡略化した。
【０１１２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、インダクタとコンデンサからなる直列接続体を第２の導体に並列に接続するとともに、前記直列接続体の共振周波数を高い周波数と低い周波数の間に設定することにより、前記高い周波数における入力端子から第１の出力端子までの挿入損失を小さくするとともに、前記高い周波数における前記入力端子から第２の出力端子までの結合損失を大きくし、前記高い周波数と前記低い周波数の出力レベルを略等しくしたものである。
【０１１３】
これにより、高い周波数と低い周波数の出力レベルを略等しくできる小型の分配器が実現できる。
【０１１４】
更に、第１の導体と第２の導体とを分布結合させているので、抵抗で形成された分配器と比べて、損失を少なくすることができるとともにアイソレーション特性を良化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における分配器と発振器のブロック図
【図２】 同、分配器の直列接続体のインピーダンス特性図
【図３】 同、分配器の結合損失特性図
【図４】 同、分配器の並列接続体のインピーダンス特性図
【図５】 同、分配器の挿入損失特性図
【図６】 同、分配器のアイソレーション特性図
【図７】 同、実施の形態３における分配器の断面図
【図８】 同、実施の形態４における分配器の平面図
【図９】 同、実施の形態５における分配器の平面図
【図１０】 同、実施の形態６における分配器の平面図
【図１１】 同、実施の形態７における分配器のブロック図
【図１２】 同、実施の形態８における本発明の分配器を用いた携帯電話のブロック図
【図１３】 従来例における分配器のブロック図
【図１４】 同、第１の分配器の結合損失・挿入損失特性図
【図１５】 同、第２の分配器の結合損失・挿入損失特性図
【符号の説明】
４１ 絶縁基板
４２ 導体
４３ 導体
４４ 入力端子
４５ 出力端子
４６ 出力端子
４８ 抵抗接続用端子
４９ インダクタ
５０ コンデンサ
５１ 直列接続体
５３ 分配器
Claims (13)
- 絶縁基板上に形成された第１の導体と、この第１の導体に対し分布結合された第２の導体と、前記第１の導体の一方に接続されるとともに、高い周波数と低い周波数とが選択的に入力される入力端子と、前記第１の導体の他方に接続された第１の出力端子と、前記第２の導体の一方に接続された第２の出力端子と、前記第２の導体の他方に接続されるとともに、第１の抵抗を介してグランドに接続される抵抗接続用端子とを備え、前記第１および第２の導体の長さは前記高い周波数の波長の１／４より短くした分配器において、インダクタとコンデンサからなる直列接続体を前記第２の導体に並列に接続するとともに、前記直列接続体の共振周波数を前記高い周波数と前記低い周波数の間に設定することにより、前記高い周波数における前記入力端子から前記第１の出力端子までの挿入損失を小さくするとともに、前記高い周波数における前記入力端子から前記第２の出力端子までの結合損失を大きくし、前記高い周波数と前記低い周波数の出力レベルを略等しくした分配器。
- 直列接続体に直列に第２の抵抗を挿入した請求項１に記載の分配器。
- 第２の出力端子と抵抗接続用端子との間に、直列接続体が絶縁基板の外部より接続された請求項１に記載の分配器。
- 絶縁基板を多層で形成するとともに、第１の導体と第２の導体の形成された第１の絶縁基板層と、直列接続体の形成された第２の絶縁基板層とを設け、前記第１の導体層と前記第２の導体層との間にグランド層が設けられた請求項１に記載の分配器。
- 第１の導体と第２の導体はクランク形状に形成された請求項１に記載の分配器。
- 第１の導体と第２の導体は正弦波形状に形成された請求項１に記載の分配器。
- 第１の導体と第２の導体は渦巻き形状に形成された請求項１に記載の分配器。
- 第１の導体の幅は第２の導体の幅より太くした請求項１に記載の分配器。
- 少なくとも第１の導体と第２の導体とは凹版を用いた印刷技術で形成された請求項１に記載の分配器。
- 直列接続体を形成するインダクタとコンデンサのいずれかの値を可変とした請求項１に記載の分配器。
- 直列接続体を形成するコンデンサをバリキャップダイオードとした請求項１に記載の分配器。
- アンテナ切替えスイッチの共通端子が接続されたアンテナと、前記アンテナ切替えスイッチの一方の端子が一方の入力に接続された受信部と、この受信部の出力に接続された出力端子と、送信用入力端子が一方の入力に接続されるとともに前記アンテナ切替えスイッチの他方の端子との間に接続された送信部と、高い周波数と低い周波数とが選択的に出力される発振器とを備え、前記発振器の出力は請求項１に記載の分配器を介して、前記送信部の他方の入力と前記受信器の他方の入力にそれぞれ接続された高周波信号送受信装置。
- 送信部の出力とアンテナ切替えスイッチの他方の端子との間にパワーディテクタとして請求項１に記載の分配器を用いた請求項１２に記載の高周波信号送受信装置。
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