JP3821041B2 - 面発光レーザ - Google Patents
面発光レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3821041B2 JP3821041B2 JP2002125119A JP2002125119A JP3821041B2 JP 3821041 B2 JP3821041 B2 JP 3821041B2 JP 2002125119 A JP2002125119 A JP 2002125119A JP 2002125119 A JP2002125119 A JP 2002125119A JP 3821041 B2 JP3821041 B2 JP 3821041B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- emitting laser
- surface emitting
- type
- laser according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、成長層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザに関し、特に素子の熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能な面発光レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)は活性層とクラッド層を多層膜等で形成された反射層で挟み込んだ構造を有するものであり、光通信用光源や光計測用光源として用いられ、特にWDM(Wavelength Division Multiplexing:波長分割多重)等の波長多重通信に適用することが可能である。
【0003】
図4はこのような従来の面発光レーザの一例を示す構成断面図であり、「J.Boucart, C.Starck, F.Gaborit, A.Plais, N..Bouche, E.Derouin, J.C.Remy, J.Bonnet-Gamard, L.Goldstein, Member, IEEE, C.Fortin, D.Carpentier, P.Salet, F.Brillouet, and J.Jacquet, "Metamorphic DBR and Tunnel-Junction Injection:A CW RT Monolithic Long-Wavelength VCSEL", IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS,VOL.5, NO.3, MAY/JUNE 1999」に記載されたものである。
【0004】
図4において1はn型のInP基板、2及び9はそれぞれn型のInP/InGaAsP及びn型のGaAs/AlAsで形成された分布反射層(Distributed Bragg Reflector:以下、DBR層と呼ぶ。)、3及び8はn型のInP層、4はMQW(Multi Quantum Well:多重量子井戸)等を用いた活性層、5はp型のInP層、6はp+ 型のInGaAsP層、7はn+ 型のInGaAsP層、10は上部電極、11a及び11bは下部電極、12a及び12bは水素イオン注入領域である。
【0005】
n型のInP基板1の上にはDBR層2が形成され、DBR層2の上にはn型のInP層3が形成される。n型のInP層3の上には多重量子井戸等を用いた活性層4が形成され、活性層4の上にはp型のInP層5が形成される。
【0006】
p型のInP層5の上にはp+ 型のInGaAsP層6及びn+ 型のInGaAsP層7が順次形成され、n+ 型のInGaAsP層7の上にはn型のInP層8が形成される。
【0007】
n型のInP層8の上にはDBR層9が形成され、DBR層9の上には上部電極10が形成される。また、n型のInP基板1の下部には下部電極11a及び11bがそれぞれ形成される。
【0008】
さらに、発光領域の周囲であってp型のInP層5からDBR層9に至る領域には水素イオンが注入されて12a及び12bに示すような水素イオン注入領域が形成される。
【0009】
ここで、図4に示す従来例の動作を説明する。DBR層2とDBR層9との間で光共振器が形成されている。また、図4においてn型のInP基板1の厚さは”100μm”程度であるのに対して、その他の層の合計の厚さは”10μm”程度であるので、上部を発光層(活性層)側、下部を基板側と呼ぶ。
【0010】
そして、上部電極10と下部電極11a及び11bとの間に電圧が印加されると上部電極10からn+ 型のInGaAsP層7に向って電子が流れる。この電子はn+ 層とp+ 層とで形成されるトンネル接合で、正孔に変換され、この正孔が活性層4に流れる。また、逆に下部電極11a及び11bから活性層4に向って電子が流れる。
【0011】
このとき、バンドギャップの最も狭い活性層4において正孔と電子の結合が生じて光が発光し、前述の光共振器で光増幅されて基板側であって下部電極11a及び11bが無い部分からレーザ光として出力される。
【0012】
一方、短波長帯の面発光レーザと比較して従来の長波長帯の面発光レーザでは、使用する半導体材料の物理的性質から温度特性が悪く、高出力発振や高温での発振に適していないと言った問題点があった。
【0013】
このため、図4に示す従来例では上部のDBR層9を熱抵抗及び電気抵抗の低いn型のGaAs/AlAsを用いて、基板側からレーザ光を取り出し、反対側である発光層(活性層)側、言い換えれば、上部電極10の上にヒートシンクをボンディングして熱を逃す構造をとっている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図4に示す従来の面発光レーザでは発光層(活性層)側にボンディングされたヒートシンクと、発光層である活性層4との距離は最短ではなく、この距離に起因する熱抵抗及び電気抵抗を無視できないと言った問題点があった。
従って本発明が解決しようとする課題は、素子の熱抵抗及び電気抵抗を更に低減することが可能な面発光レーザを実現することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
成長層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、基板と、この基板上に形成された分布反射層と、2つのクラッド層により上下方向から挟まれると共に前記分布反射層上に形成された活性層と、上部の前記クラッド層上に形成され光の取り出し口を有するp型電極と、このp型電極上に接着されたミラーと、前記基板の裏面に形成されたn型電極とを備え、発光領域の周囲であって上部の前記クラッド層及び前記活性層と下部の前記クラッド層にp型不純物を拡散若しくはイオン注入させたことにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能になり、光共振器を内部には光吸収の大きなp型の半導体層が存在しないので、光共振器の光損失を低減することが可能になる。
【0016】
請求項2記載の発明は、
請求項1記載の発明である面発光レーザにおいて、
前記p型電極上に金の厚膜を形成して前記ミラーを接着したことにより、上部クラッド層の上に熱伝導の良好な金メッキ(金の厚膜)が施されたp型電極を形成されるので素子の熱抵抗及び電気抵抗をさらに低減することが可能になる。
【0017】
請求項3記載の発明は、
請求項1記載の発明である面発光レーザにおいて、
前記取り出し口の形状が円形若しくは楕円形であることにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能になる。
【0018】
請求項4記載の発明は、
請求項1記載の発明である面発光レーザにおいて、
前記取り出し口の形状が任意の形状であることにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能になる。
【0019】
請求項5記載の発明は、
請求項1記載の発明である面発光レーザにおいて、
前記p型電極に形成された前記取り出し口の部分に気体を封入したことにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗をさらに低減することが可能になる。
【0020】
請求項6記載の発明は、
請求項1記載の発明である面発光レーザにおいて、
前記p型電極に形成された前記取り出し口の部分に液体を封入したことにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗をさらに低減することが可能になる。
【0021】
請求項7記載の発明は、
請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の発明である面発光レーザにおいて、
上部の前記クラッド層の上面であって、前記取り出し口の部分に段差を設けて前記取り出し口部分の少なくとも一部に上部の前記クラッド層を出っ張らせる構造にしたことにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能になる。
【0022】
請求項8記載の発明は、
請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の発明である面発光レーザにおいて、
前記ミラーを可動にしたことにより、レーザ光の波長が可変となる。
【0023】
請求項9記載の発明は、
請求項8記載の発明である面発光レーザにおいて、
梁構造を形成して前記梁の中心に前記ミラーを形成して、電圧を印加することにより発生する静電気力を駆動力として前記ミラーの位置を変化させることにより、レーザ光の波長が可変となる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係る面発光レーザの一実施例を示す構成断面図である。
【0026】
図1において13はn型のInP基板、14はn型のInGaAs/InAlAsで形成された分布反射層(Distributed Bragg Reflector:以下、DBR層と呼ぶ。)、15は下部のクラッド層であるn型のInP層、16はMQW(Multi Quantum Well:多重量子井戸)等を用いた活性層、17は上部のクラッド層であるp型のInP層、18a及び18bはp型電極、19は誘電体多層膜ミラー、20はn型電極である。
【0027】
n型のInP基板13の上にはDBR層14が形成され、DBR層14の上にはn型のInP層15が形成される。n型のInP層15の上には多重量子井戸等を用いた活性層16が形成され、活性層16の上にはp型のInP層17が形成される。
【0028】
p型のInP層17の上にはp型電極が形成され、レーザ光を取り出すため図1中”CS01”に示す円形部分を取り除かれてp型電極18a及び18bとなり、さらに、p型電極18a及び18b上には膜厚が10μmの金(Au)の厚膜をメッキで形成する。
【0029】
また、p型電極18a及び18b(金の厚膜)の上には誘電体多層膜ミラー19が接着され、n型のInP基板13の下部にはn型電極20が形成される。
【0030】
図1に示すような実施例の製造方法としては、n型のInP基板13上に有機金属気相成長(MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法により、DBR層14,n−InP層15、活性層16、p−InP層17を順次形成させる。
【0031】
そして、p−InP層17の上にフォトリソグラフィー法及びリフトオフ法を用いて図1中”CS01”に示す直径10μmの円形部分を取り除いてp型電極18a及び18bを形成し、このp型電極18a及び18bに対して厚膜である10μm厚の金メッキを施す。
【0032】
最後に、へき開によりチップ化した後、Siウェハ等の上に形成した誘電体多層膜ミラー19をp型電極18a及び18b(金の厚膜)の上に接着する。
【0033】
ここで、図1に示す実施例の動作を説明する。光共振器はDBR層14と誘電体多層膜ミラー19との間で形成されている。また、図1においてn型のInP基板13の厚さは”100μm”程度であるのに対して、その他の層の合計の厚さは”10μm”程度であるので、上部を発光層(活性層)側、下部を基板側と呼ぶ。
【0034】
そして、p型電極18a及び18bとn型電極20との間に電圧が印加されるとp型電極18a及び18bから、p−InP層17、活性層16、n−InP層15、DBR層14及びn−InP基板13を通りn型電極20まで電流(正孔)が流れる。また、逆にn型電極20からp型電極18a及び18bに向って電子が流れる。
【0035】
このとき、バンドギャップの最も狭い活性層16において正孔と電子の結合が生じて光が発光し、前述の光共振器で光増幅されて発光層(活性層)側からレーザ光として出力される。
【0036】
すなわち、図1に示す実施例では、図4に示す従来例における上部のDBR層が取り除かれ、熱伝導の良好な10μm厚の金メッキ(金の厚膜)が施されたp型電極が発光領域である活性層16の近傍に形成できるので、従来例と比較して熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能になる。
【0037】
この結果、上部のDBR層を除去して、上部クラッド層の上に熱伝導の良好な金メッキ(金の厚膜)が施されたp型電極を形成することにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗を更に低減することが可能になる。
【0038】
なお、図1に示す実施例では注入された電流はp型電極18a及び18bからn型電極20に向って流れるので、発光領域である活性層16の上下方向から注入されているが、発光領域の横方向から電流を注入しても構わない。
【0039】
図2はこのような本発明に係る面発光レーザの他の実施例を示す構成断面図である。図2において13,14,16,18a,18b、19及び20は図1と同一符号を付してあり、21はn型のInP層、22は不純物がドーピングされていないu(undope)−InP層、23a及び23bはp型不純物であるZnが拡散されるZn拡散領域、24は発光領域である。
【0040】
n型のInP基板13の上にはDBR層14が形成され、DBR層14の上にはn型のInP層21が形成される。n型のInP層21の上には多重量子井戸等を用いた活性層16が形成され、活性層16の上にはu−InP層22が形成される。
【0041】
u−InP層22の上にはp型電極が形成され、レーザ光を取り出すため図2中”CS11”に示す円形部分を取り除かれてp型電極18a及び18bとなり、さらに、p型電極18a及び18b上には膜厚が10μmの金(Au)の厚膜をメッキで形成する。
【0042】
また、p型電極18a及び18b(金の厚膜)の上には誘電体多層膜ミラー19が接着され、n型のInP基板13の下部にはn型電極20が形成される。
【0043】
さらに、p型電極18a及び18bの下部であってu−InP層22、活性層16及びu−InP層21の部分にはDBR層14に到達しない範囲でZnが拡散される。
【0044】
図2に示すような実施例の製造方法としては、n型のInP基板13上に有機金属気相成長(MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法により、DBR層14,u−InP層21、活性層16、u−InP層22を順次形成させる。
【0045】
そして、MOVPE装置を用いてZn拡散領域23a及び23bにZnを拡散させる。このとき、活性層16であってZnが拡散されなかった部分が発光領域24となる。
【0046】
また、u−InP層22の上にフォトリソグラフィー法及びリフトオフ法を用いて図2中”CS11”に示す直径10μmの円形部分を取り除いてp型電極18a及び18bを形成し、このp型電極18a及び18bに対して10μm厚の金メッキを施す。
【0047】
最後に、へき開によりチップ化した後、Siウェハ等の上に形成した誘電体多層膜ミラー19をp型電極18a及び18b(金の厚膜)の上に接着する。
【0048】
ここで、図2に示す実施例の動作を図3を用いて説明する。図3は注入された電流の流れを説明する説明図であり、付されている符号は図2に示す符号と同一である。また、図1に示す実施例と同様の部分に関する説明は省略する。
【0049】
また、図2おいてn型のInP基板13の厚さは”100μm”程度であるのに対して、その他の層の合計の厚さは”10μm”程度であるので、上部を発光層(活性層)側、下部を基板側と呼ぶ。
【0050】
光共振器は図1に示す実施例と同様にDBR層14と誘電体多層膜ミラー19との間であって、Znが拡散されなかった部分に形成されている。
【0051】
そして、p型電極18a及び18bとn型電極20との間に電圧が印加されると、図3中”CR11”に示すようにp型電極18a及び18bからZn拡散領域23a及び23bに下方向に電流が流れ込む。
【0052】
さらに、Zn拡散領域23a及び23bに流れ込んだ電流は、横方向から発光領域24に流れ込み、DBR層14及びInP基板13を介してn型電極20に流れる。
【0053】
このとき、バンドギャップの最も狭い発光領域24(活性層16のうちZnが拡散されていない部分)において正孔と電子の結合が生じて光が発光し、前述の光共振器で光増幅されて発光層(活性層)側からレーザ光として出力される。
【0054】
この場合、上部のDBR層を除去して、Znを拡散した上部クラッド層の上に熱伝導の良好な金メッキ(金の厚膜)が施されたp型電極を形成することにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能になる。
【0055】
さらに、光共振器を内部には光吸収の大きなp型の半導体層、言い換えれば、図1における上部クラッド層であるp型のInP層17が存在しないので、光共振器の光損失を低減することが可能になる。
【0056】
また、図1及び図2に示す実施例では金メッキによって金の厚膜を形成しているが、従来例における上部のDBR層を除いたことにより、従来例と比較して熱抵抗が低減されるので、金の厚膜は必須の構成要素ではない。
【0057】
また、図1及び図2に示す実施例ではDBR層14と誘電体多層膜ミラー19により光共振器を形成しているが、誘電体多層膜ミラーを可動にしてレーザ光の波長が可変である面発光レーザとしても構わない。
【0058】
誘電体多層膜ミラーを可動にする方法としては、例えば、X字状等の梁構造を形成して当該梁の中心に誘電体多層膜ミラーを形成して、電圧を印加することにより発生する静電気力を駆動力として誘電体多層膜ミラーの位置を変化させる。
【0059】
また、図1及び図2に示す実施例の説明に際しては、図1中”CS01”等に示すレーザ光の取り出し口の形状として円形を例示しているが、勿論、取り出し口の形状は楕円形、三角形、正方形、長方形、多角形等の任意の形状であって構わない。
【0060】
また、図1及び図2に示す実施例の説明に際しては、発光層(活性層)側からレーザ光を取り出す例を示しているが、基板側にレーザ光の取り出し口を形成して、基板側からレーザ光を取り出しても良い。
【0061】
また、図1及び図2に示す実施例の説明に際しては、図1中”CS01”等に示す空洞部分に関しては特に言及していないが、大気等の気体を封入しても、熱伝導の良好なSiオイル等の液体を封入しても構わない。
【0062】
また、図4に示す従来例と同様にレーザ光を基板側から取り出し、発光層(活性層)側にヒートシンクをボンディングしても構わない。この場合には、基板側にレーザ光の取り出し口を形成すれば良い。
【0063】
また、図1等の説明に際しては上部のミラーとして誘電体多層膜ミラーを例示しているが、勿論これに限定される訳ではなく、ミラーとして機能するものであれば良い。
【0064】
また、図2に示す実施例の説明に際してはZn等のp型不純物を拡散によりクラッド層や拡散層に拡散させていたが、イオン注入によってp型不純物を注入しても構わない。
【0065】
また、上部のクラッド層であるInP層17やInP層22の上面であって、図1中CS01”若しくは図2中”CS11”に示す空間部分に接する部分に段差を設けて前記空間部分の少なくとも一部に出っ張らせる構造にしても構わない。この場合、段差により出っ張った部分が凸レンズの機能を有することになる。
【0066】
また、単純に段差を設けるだけではなく、段差部分に傾斜を設けたり、段差部分を曲線的にしても構わない。
【0067】
また、DBR層14としてはn型のInGaAs/InAlAsを例示したが、InGa(Al)As/InAlAs若しくはInGaAs(P)/InPであっても構わない。また、n型のInP層21の代わりにn型のInAlAsを用いても構わない。
【0068】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。
請求項1,3,4,5及び請求項6の発明によれば、上部のDBR層を除去することにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能になり、光共振器を内部には光吸収の大きなp型の半導体層を用いないことにより、光共振器の光損失を低減することが可能になる。
【0069】
また、請求項2の発明によれば、上部のDBR層を除去することにより、素子の熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可能になり、光共振器を内部には光吸収の大きなp型の半導体層を用いないことにより、光共振器の光損失を低減することが可能になる。
【0071】
また、請求項7の発明によれば、上部のクラッド層の上面であって、取り出し口の部分に段差を設けて取り出し口部分の少なくとも一部に上部の前記クラッド層を出っ張らせることにより、段差により出っ張った部分が凸レンズの機能を有することになり、光共振器の光損失を低減すると共の共振器モードを安定化することが可能になる。
【0072】
また、請求項8及び請求項9の発明によれば、誘電体多層膜ミラーを可動にすることにより、レーザ光の波長が可変になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る面発光レーザの一実施例を示す構成断面図である。
【図2】本発明に係る面発光レーザの他の実施例を示す構成断面図である。
【図3】注入された電流の流れを説明する説明図である。
【図4】従来の面発光レーザの一例を示す構成断面図である。
【符号の説明】
1,13 InP基板
2,9,14 DBR層
3,5,8,15,17,21,22 InP層
4,16 活性層
6,7 InGaAsP層
10 上部電極
11a,11b 下部電極
12a,12b 水素イオン注入領域
18a,18b p型電極
19 誘電体多層膜ミラー
20 n型電極
23a,23b Zn拡散領域
24 発光領域
Claims (9)
- 成長層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、
基板と、
この基板上に形成された分布反射層と、
2つのクラッド層により上下方向から挟まれると共に前記分布反射層上に形成された活性層と、
上部の前記クラッド層上に形成され光の取り出し口を有するp型電極と、
このp型電極上に接着されたミラーと、
前記基板の裏面に形成されたn型電極とを備え、
発光領域の周囲であって上部の前記クラッド層及び前記活性層と下部の前記クラッド層にp型不純物を拡散若しくはイオン注入させたことを特徴とする面発光レーザ。 - 前記p型電極上に金の厚膜を形成して前記ミラーを接着したことを特徴とする
請求項1記載の面発光レーザ。 - 前記取り出し口の形状が円形若しくは楕円形であることを特徴とする
請求項1記載の面発光レーザ。 - 前記取り出し口の形状が任意の形状であることを特徴とする
請求項1記載の面発光レーザ。 - 前記p型電極に形成された前記取り出し口の部分に気体を封入したことを特徴とする
請求項1記載の面発光レーザ。 - 前記p型電極に形成された前記取り出し口の部分に液体を封入したことを特徴とする
請求項1記載の面発光レーザ。 - 上部の前記クラッド層の上面であって、前記取り出し口の部分に段差を設けて前記取り出し口部分の少なくとも一部に上部の前記クラッド層を出っ張らせる構造にしたことを特徴とする
請求項1乃至請求項6記載のいずれかに記載の面発光レーザ。 - 前記ミラーを可動にしたことを特徴とする
請求項1乃至請求項7記載のいずれかに記載の面発光レーザ。 - 梁構造を形成して前記梁の中心に前記ミラーを形成して、電圧を印加することにより発生する静電気力を駆動力として前記ミラーの位置を変化させることを特徴とする
請求項8記載の面発光レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002125119A JP3821041B2 (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002125119A JP3821041B2 (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 面発光レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003318485A JP2003318485A (ja) | 2003-11-07 |
JP3821041B2 true JP3821041B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=29539930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002125119A Expired - Fee Related JP3821041B2 (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 面発光レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3821041B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269664A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光デバイス、光通信システム、および発光デバイスの製造方法 |
JP2009176970A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Yokogawa Electric Corp | 面発光レーザ |
JP2009290161A (ja) | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
JP6136664B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2017-05-31 | 株式会社リコー | 波長可変デバイス |
DE102017122325A1 (de) | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999034484A2 (en) * | 1997-12-29 | 1999-07-08 | Coretek, Inc. | Microelectromechanically, tunable, confocal, vcsel and fabry-perot filter |
JP2000196189A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | 面発光型半導体レーザ |
JP2001291924A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
2002
- 2002-04-26 JP JP2002125119A patent/JP3821041B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003318485A (ja) | 2003-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4927178B2 (ja) | 垂直外部共振器形面発光レーザ、及び、その発光部品を製造する方法 | |
US6697413B2 (en) | Tunable vertical-cavity surface-emitting laser with tuning junction | |
US6936486B2 (en) | Low voltage multi-junction vertical cavity surface emitting laser | |
US6542531B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser and a method of fabrication thereof | |
US6653158B2 (en) | Double intracavity contacted long-wavelength VCSELs and method of fabricating same | |
US6277696B1 (en) | Surface emitting laser using two wafer bonded mirrors | |
JP2004146833A (ja) | 複数活性領域を備えた電気ポンピング式垂直共振器面発光レーザ | |
WO2021124968A1 (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ素子、垂直共振器型面発光レーザ素子アレイ、垂直共振器型面発光レーザモジュール及び垂直共振器型面発光レーザ素子の製造方法 | |
Hiratani et al. | High-efficiency operation of membrane distributed-reflector lasers on silicon substrate | |
JP2004535058A (ja) | 表面放射型半導体レーザ | |
JP3821041B2 (ja) | 面発光レーザ | |
JP2005039102A (ja) | 面発光レーザ | |
JP4200431B2 (ja) | 面発光レーザ | |
US6810064B1 (en) | Heat spreading layers for vertical cavity surface emitting lasers | |
KR20060089740A (ko) | 도파관 구조를 갖는 표면 발광 반도체 레이저 | |
US20060126687A1 (en) | Method for producing a buried tunnel junction in a surface-emitting semiconductor laser | |
JP2004172340A (ja) | 面発光レーザ | |
JP2004296972A (ja) | 面発光レーザ | |
JP2005012000A (ja) | 面発光レーザ | |
GB2342773A (en) | Long wavelength vertical cavity laser with integrated short wavelength pump laser | |
JP2004087903A (ja) | 面発光レーザ | |
Syrbu et al. | 1 mW CW 38 nm tunable 1.5 μm VCSELS with tuning voltage below 4 V | |
JP2007157889A (ja) | 面発光レーザモジュールおよびその作製方法 | |
Syrbu et al. | VCSELs emitting in the 1310-nm waveband for novel optical communication applications | |
JP2005197549A (ja) | 面発光レーザ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |