JP3818735B2 - ポリッシング装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置に係り、特に漏液監視装置を備えたポリッシング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハの製造工程においては、半導体ウエハ表面を平坦且つ鏡面化するためにポリッシング装置が使用されている。
【0003】
この種のポリッシング装置は半導体ウエハを研磨するポリッシング部を備えている。ポリッシング部は、表面に研磨面を設け所定の回転数で回転するターンテーブルと、保持した半導体ウエハをターンテーブルの研磨面に接触させて該半導体ウエハの表面を研磨するトップリングと、ターンテーブルの研磨面に接触して純水を供給しながら研磨後の研磨面の目立て・再生を行なうドレッシングツールなどによって構成されている。
【0004】
またポリッシング装置は半導体ウエハの搬送・洗浄のための洗浄部を具備する場合がある。この洗浄部は、例えば、外部から半導体ウエハを受け取ってこれをターンテーブルとトップリングとを備えたポリッシング部に搬送するワーク搬送ロボットと、ポリッシング完了後の半導体ウエハを洗浄する洗浄装置と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥する乾燥装置などによって構成されている。
【0005】
さらにポリッシング装置は、ポリッシング部に砥液を供給する砥液供給装置と、冷却水を供給する冷却水供給装置とを備えている。
【0006】
ところで上記ポリッシング装置におけるポリッシング部、洗浄部、砥液供給装置、冷却水供給装置においては、液体を使用しているか、又は保有している。この場合、内部の機器の予期せぬ故障などによって液体が漏れる恐れがあり、漏液が発生した場合に速やかに検知して漏液を停止することが望まれていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目的とする処は、人手を用いることなく自動的に速やかに漏液を検知し、かつ漏液を停止することができ、さらにポリッシング対象物への損害を最小にするための漏液監視装置を備えたポリッシング装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため本発明は、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、ポリッシング対象物を研磨するポリッシング部と、前記ポリッシング部によって研磨されたポリッシング対象物を洗浄する洗浄部とを備え、前記ポリッシング部と前記洗浄部のそれぞれに漏液の発生を検知する漏液センサを取り付け、前記ポリッシング部に備えられた漏液センサが漏液を検知した際に、前記ポリッシング部の運転を停止せしめると共に、前記ポリッシング部への冷却水、純水、砥液の供給を停止せしめ、前記洗浄部では、前記漏液の検知前にポリッシング部から渡されたポリッシング対象物の洗浄・乾燥が終了した後に、その運転を停止せしめる制御手段を設けたことを特徴とするものである。
【0009】
また本発明は、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、ポリッシング対象物を研磨するポリッシング部と、前記ポリッシング部によって研磨されたポリッシング対象物を洗浄する洗浄部と、前記ポリッシング部の研磨面へ砥液を供給する砥液供給装置と、前記ポリッシング部、砥液供給装置及び洗浄部の少なくとも1つへ供給される液体の温度を調節する温度調節機構を備え、前記ポリッシング部、洗浄部、砥液供給装置、温度調節機構のそれぞれに漏液の発生を検知する漏液センサを取り付け、前記ポリッシング部、洗浄部、砥液供給装置、温度調節機構への前記各種液体の供給を停止する液体供給停止手段を設け、前記ポリッシング部に備えられた漏液センサが漏液を検知した際に、前記ポリッシング部の運転を停止せしめると共に、前記ポリッシング部への液体の供給を停止せしめ、前記洗浄部では、前記漏液の検知前にポリッシング部から渡されたポリッシング対象物の洗浄・乾燥が終了した後に、その運転を停止せしめる制御手段を設けたことを特徴とするものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る漏液監視装置を備えたポリッシング装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明のポリッシング装置の全体構成を示す平面図である。ポリッシング装置は、半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング部60と、このポリッシング部60によって研磨されたポリッシング対象物を洗浄する洗浄部80とを備えている。
【0011】
ポリッシング部60は、図1に示すように、その中央にターンテーブル63を配置し、その両側にトップリング65を取り付けたトップリングユニツト67と、ドレッシングツール69を取り付けたドレッシングユニット71を配置し、さらにワーク受渡装置73を設置して構成されている。
【0012】
一方、洗浄部80は、その中央に矢印C方向に移動可能な2台のワーク搬送ロボット81,83を設置し、その一方側に1次・2次洗浄機85,87とスピン乾燥機89を並列に配設し、他方側に2つのワーク反転機91,93を並列に配設して構成されている。
【0013】
図2はポリッシング部の詳細構造を示す断面図である。図2に示すように、ポリッシング部60は、ターンテーブル63と、トップリングユニット67と、ドレッシングユニット71とを備えている。トップリングユニット67はポリッシング対象物である半導体ウエハ50を保持しつつターンテーブル63に押しつけるトップリング65を具備している。前記ターンテーブル63はモータ(図示せず)に連結されており、矢印で示すようにその軸心回わりに回転可能になっている。またターンテーブル63の上面には、研磨布51が貼設されており、この研磨布51によって、研磨面64が構成されている。
【0014】
トップリング65は、モータおよび昇降シリンダ(図示せず)に連結されている。これによって、トップリング65は矢印で示すように昇降可能かつその軸心回わりに回転可能になっており、半導体ウエハ50を研磨布51に対して任意の圧力で押圧することができるようになっている。また半導体ウエハ50はトップリング65の下端面に真空等によって吸着されるようになっている。なお、トップリング65の下部外周部には、半導体ウエハ50の外れ止めを行うガイドリング66が設けられている。砥液循環用の配管205,207内を循環する砥液は、砥液抜き出し手段52によって抜き出された後、砥液供給管53から研磨布51上に供給される。
【0015】
トップリング65の位置の反対側にドレッシングユニット71のドレッシングツール69があり、研磨布51のドレッシングを行うことができるように構成されている。研磨布51には、配管209に接続された供給管54から、ドレッシング液、ここでは純水が供給されるようになっている。ドレッシングツール69は昇降用のシリンダと回転用のモータに連結されており、矢印で示すように昇降可能かつその軸心回わりに回転可能になっている。ドレッシングツール69は、その下面に、例えば、ダイヤモンド粒子層からなるドレッシング部材69aを保持している。
【0016】
図1および図2に示す構成において、研磨前の半導体ウエハを収納したカセット95が、図1に示す位置にセットされると、ワーク搬送ロボット83が該カセット95内から半導体ウエハを1枚ずつ取り出してワーク反転機93に受け渡す。半導体ウエハはワーク反転機93によって反転される。そして、半導体ウエハは、該反転機93からワーク搬送ロボット81によってワーク受渡装置73上に載置される。
【0017】
ワーク受渡装置73上の半導体ウエハは、一点鎖線の矢印で示すように回動するポリッシングユニット67のトップリング65下面に保持されてターンテーブル63上に移動され、回転するターンテーブル63の研磨面64上で研磨される。このとき研磨面64上には砥液供給管53から砥液が供給される。
【0018】
研磨後の半導体ウエハは、再びワーク受渡装置73に戻され、ワーク搬送ロボット81によってワーク反転機91に受け渡されて反転された後、1次・2次洗浄機85,87で純水等の洗浄液で洗浄され、その後、スピン乾燥機89でスピン乾燥され、ワーク搬送ロボット83によってカセット95に戻される。
【0019】
なおドレッシングユニット71のドレッシングツール69は、トップリング65による半導体ウエハの研磨終了後、一点鎖線の矢印で示すようにターンテーブル63上に移動し、回転するドレッシングツール69を回転するターンテーブル63の研磨面64に押し付け、研磨面64の目立て・再生を行なう。このとき研磨面64上には供給管54からドレッシング液として純水が供給される。
【0020】
図3はポリッシング装置におけるポリッシング部60と洗浄部80に各種液体を供給する配管の配管接続構造を示す図である。図3に示すように、ポリッシング部60には、冷却水供給装置100からの冷却水循環用の配管201,203と、砥液供給装置120からの砥液循環用の配管205,207と、図示しない純水供給設備からの純水供給用の配管209とが接続されている。なお冷却水は半導体ウエハの研磨によってターンテーブル63の研磨面64に生じる熱を吸収して該研磨面64の温度を一定に保つため等に使用される。即ち、冷却水はターンテーブル63内の冷却水ジャケットに供給され、ターンテーブル63の研磨面を冷却するようになっている。研磨に用いる砥液には通常沈降性又はコロイド状の固形粒子を含むので、液滞留時に固形物が析出し配管を閉塞させないために常時循環させておく。半導体ウエハを研磨する時には、砥液循環用の配管205,207よりバルブ、ポンプ等の砥液抜き出し手段52を用いて所定量抜き出し、研磨を行うターンテーブル63上の研磨面64に砥液を供給する。
【0021】
洗浄部80には、図示しない洗浄液供給設備からの洗浄液供給用の配管211が接続されている。図1には洗浄液として純水のみを用いる例を示したが、酸、アルカリ、界面活性剤、有機溶剤等を純水で希釈して用いることもある。又、オゾン、二酸化炭素等のガスを溶解した純水を用いることもある。通常は純水のみ又は純水と前記の中から選ばれた1種類以上の薬液等の中から洗浄液が選択される。洗浄液の供給系統は、用いる洗浄液の種類に応じて複数用意される。又、好適な洗浄結果を得るために、洗浄液の温度調節機構が洗浄液供給設備内に内蔵されることもある。また冷却水供給装置100には、図示しない市水供給設備に接続された市水供給用の配管213が接続されており、該市水を冷却水供給装置100によって冷却して冷却水とした後に配管201,203内を循環させるようにしている。
【0022】
砥液供給装置120には、図示しない純水供給設備からの純水供給用の配管215が接続されている。この純水は砥液の原液の希釈に使用される。また砥液供給装置120には、配管201,203に並列に接続されて冷却水を循環する配管217,219が導入されている。この冷却水は撹拌等によって温度が上昇する砥液を冷却して砥液の温度を一定にするために使用される。
【0023】
また配管201,203,209のポリッンング部60への接続部分にはそれぞれ開閉バルブV12,V13,V11が取り付けられており、配管211の洗浄部80への接続部分には開閉バルブV14が取り付けられている。配管215,217,219の砥液供給装置120への接続部分にはそれぞれ開閉バルブV21,V22,V23が取り付けられており、配管213の冷却水供給装置100への接続部分には開閉バルブV31が取り付けられている。これら各開閉バルブV11〜V31は制御装置(後述する)によってその開閉が制御される。
【0024】
一方、ポリッシング部60と、洗浄部80と、冷却水供給装置100と、砥液供給装置120の底面にはそれぞれ漏液を受け止めるためのドレンパン(後述する)が設置されている。そして、該ドレンパンの所定位置にはそれぞれ漏液センサ131,133,135,137が取り付けられている。なおこれら漏液センサ131〜137はドレンパンから漏液を外部に導出するドレン配管に取り付けても良い。
【0025】
図4は図1に示すポリッシング装置におけるポリッシング部60および洗浄部80の下部の構造を示す断面図である。ポリッシング部60および洗浄部80の下部には、それぞれドレンパン111,112が配設されている。ドレンパン111,112は、両側部より中央部に向かって下方に傾斜しており、略中央部に樋状の貯液部111a,112aが形成されている。この構造により、1箇所に漏液が集められるようになっている。そして、ドレンパン111,112の貯液部111a,112aに、それぞれ漏液センサ131,133が配置されている。図4に示す例では、漏液センサとしてフロートセンサを用いており、貯液部111a,112aに漏液が溜まり、センサのフロート部がフロートすることによって漏液を検知するようになっている。
【0026】
漏液センサは上記のフロートセンサ以外にも、漏水による静電容量の変化によって検知する静電容量センサ、光の反射又は透過量の変化によって検知する光センサ、超音波の反射距離によって検知する超音波センサ、リボン状の布に埋め込まれた2本の電極の間が水に浸ることによる導通の変化によって検知するリボンセンサをドレンパン底部にはわせる等各種のものを用いることが出来る。なおドレンパン111,112の貯液部111a,112aにはドレン配管113,114が接続されている。
【0027】
図5は、漏液センサとして2個のセンサを使用する場合の例を示す断面図である。即ち、ポリッシング部60及び/又は洗浄部80には、第1の漏液センサ134Aと、第2の漏液センサ134Bが配設されている。第1の漏液センサ134Aは下部側貯液部111c(又は112c)に配置され、第2の漏液センサ134Bは上部側貯液部111d(又は112d)に配置されている。このように、2個又はそれ以上のセンサを設け、第1のセンサによって検知した少ない漏水の時には、警報のみを発し、本装置の操作者又は管理者に注意をうながし、第2のセンサによって検知したより多い漏水で液体供給停止機構を作動させることも望ましい。同様の効果は、2種類以上の異なったセンサ、例えばドレンパン底部にはわせたリボンセンサとドレンパンの液だまりに設けたフロートセンサ等、感度の異なるセンサを組み合わせることによっても得られる。
【0028】
図6は砥液供給装置120の詳細構造を示す断面図である。図6に示すように、砥液供給装置120は、原液タンク121と、混合タンク122と、供給タンク123とを備えている。砥液供給装置120の下部にはドレンパン115が配設されている。ドレンパン115は、両側部より中央部に向かって下方に傾斜しており、略中央部に樋状の貯液部115aが形成されている。そして、貯液部115aに漏液センサ137が設置されている。漏液センサ137は前述したように各種のセンサが使用可能である。なお、符号116はドレン配管である。
【0029】
前述した構成において、原液タンク121内の原液は、原液ポンプP1によって混合タンク122に供給され、混合タンク122内で配管215より供給される純水によって希釈される。そして、希釈された砥液は移送ポンプP2によって供給タンク123に移送され、ここで貯留される。供給タンク123内の砥液は、砥液循環ポンプP3によって配管205,207を介してポリッシング部60を循環する。混合タンク122および供給タンク123には、冷却水を循環する配管217,219が導入されており、撹拌によって発生する熱を冷却し砥液の温度が一定になるようにしている。
【0030】
図7は冷却水供給装置100の詳細構造を示す断面図である。図7に示すように、冷却水供給装置100は、冷却水タンク101と、クーラユニット102とを備えている。冷却水タンク101には、配管213を介して市水供給設備から供給される市水が導入される。配管213の端部には、フロートバルブ103が設置されている。冷却水タンク101に導入された水は、クーラユニット102の冷却コイル102aによって冷却される。冷却された水(冷却水)は冷却水循環ポンプP4によって配管201,203内を循環し、この循環中にターンテーブル63の研磨面64を冷却し、又、混合タンク122および供給タンク123内の砥液を冷却するようになっている。さらに、冷却水供給装置100は、必要に応じて洗浄部80へ供給される洗浄液を冷却することもできる。
【0031】
また冷却水供給装置100の下部には、平坦な底部を有するドレンパン117が配設されている。そして、ドレンパン117内には漏液センサ135が設置されている。漏液センサ135は前述したように各種のセンサが使用可能である。図7に示す冷却水供給装置100において、クーラユニットをヒータユニットに変更することにより温水供給装置にすることができる。そして、この場合、ポリッシング部60及び砥液供給装置120に温水を供給し、ターンテーブル63の研磨面64及び/又は砥液を温めることができる。また温水供給装置は、必要に応じて洗浄部80へ供給される洗浄液を温めることもできる。即ち、図7に示す冷却水供給装置100及び上記温水供給装置は、ポリッシング部60及び/又は砥液供給装置120及び/又は洗浄部80へ供給される液体の温度を調節する温度調節機構を構成している。また、温度調節機構を複数台用意し、各々の装置を異なる温度で冷却、加湿することもある。
【0032】
図8は漏液監視装置に用いる制御装置のブロック構成図である。同図に示すように、この制御装置は、ポリッシング部60用の制御装置141と、洗浄部80用の制御装置143と、冷却水供給装置100用の制御装置145と、砥液供給装置120用の制御装置147とを具備している。
【0033】
ここで制御装置141は、ポリッシング部60の運転制御を行なうとともに、漏液センサ131からの信号が入力され、開閉バルブV11,V12,V13へ開閉制御信号が出力される。制御装置143は、洗浄部80の運転制御を行なうとともに、漏液センサ133からの信号が入力され、開閉バルブV14へ制御信号が出力される。制御装置145は、冷却水供給装置100の運転制御を行なうとともに、漏液センサ135からの信号が入力され、開閉バルブV31へ制御信号が出力される。制御装置147は、砥液供給装置120の運転制御を行なうとともに、漏液センサ137からの信号が入力され、開閉バルブV21,V22,V23へ制御信号が出力される。前記各制御装置141,143,145,147間は相互に通信回線149によって接続されており、必要に応じて各種データが転送される。
【0034】
図9は漏液が発生したときの制御方法を示す図である。図9、図3および図8を用いて漏液を監視する方法を説明する。
【0035】
〔ポリッシング部60に漏液が発生した場合〕
この場合は、まず漏液センサ131が漏液を検知し、その検知信号が制御装置141に入力され、次に制御装置141から出力される制御信号によってポリッンング部60の運転を停止し、且つ開閉バルブV11,V12,V13を閉じる。一方、制御装置141から制御装置147に信号が転送され、制御装置147は砥液供給装置120内にある各種ポンプの内の砥液循環ポンプP3を停止する。
【0036】
以上の制御によって漏液が発生したポリッシング部60への冷却水、純水、砥液の供給が停止され、同時にポリッシング部60自体も停止する。従って、ポリッシング部60から漏れる漏液が自動的に停止し、ドレンパン111(図4参照)から溢れることはない。
【0037】
なお、このとき洗浄部80は現状動作を継続するが、ポリッシング部60が停止しているので、漏液発生前にポリッシング部60から渡された半導体ウエハの洗浄・乾燥が終了した後は、別の運転制御フローによってその作業が停止される。
また冷却水供給装置100も現状動作を継続するが、該冷却水は砥液供給装置120に循環される。
【0038】
〔洗浄部80に漏液が発生した場合〕
この場合は、まず漏液センサ133が漏液を検知し、その検知信号が制御装置143に入力され、次に制御装置143から出力される制御信号によって洗浄部80の運転を停止し、且つ開閉バルブV14を閉じる。
【0039】
これによって、漏液が発生した洗浄部80への純水等の洗浄液の供給が停止され、同時に洗浄部80自体も停止する。従って、洗浄部80から漏れる漏液が自動的に停止し、ドレンパン112(図4参照)から溢れることはない。
【0040】
なお、このときポリッシング部60は現状動作を継続するが、洗浄部80が停止しているので、漏液発生前に洗浄部80内のワーク搬送ロボット81から渡された半導体ウエハの研磨が終了した後は、別の運転制御フローによってその作業が停止される。また冷却水供給装置100と砥液供給装置120も現状動作を継続する。
【0041】
〔冷却水供給装置100に漏液が発生した場合〕
この場合は、まず漏液センサ135が漏液を検知し、その検知信号が制御装置145に入力され、次に制御装置145から出力される制御信号によって冷却水供給装置100の運転を停止し、且つ開閉バルブV31を閉じる。これによって冷却水供給装置100から漏れる漏液が自動的に停止し、ドレンパン117(図7参照)から溢れることはない。
【0042】
〔砥液供給装置120に漏液が発生した場合〕
この場合は、まず漏液センサ137が漏液を検知し、その検知信号が制御装置147に入力され、次に制御装置147から出力される制御信号によって砥液供給装置120の運転を停止し、且つ開閉バルブV21,V22,V23を閉じる。砥液供給装置120の運転の停止は、砥液循環ポンプP3の停止の他に、原液ポンプP1や排水ポンプ等の他のポンプの停止も含まれる。これによって、砥液供給装置120から漏れる漏液が自動的に停止し、ドレンパン115(図6参照)から溢れることはない。
【0043】
なお、このとき洗浄部80と冷却水供給装置100は現状動作を継続するが、ポリッシング部60は制御装置147から制御装置141に転送されてきた当該装置の漏液又は砥液循環ポンプの停止又は砥液配管に設けられた圧力計、液量計等による砥液供給停止信号又は砥液供給装置の運転停止等のいずれかの信号によって、その運転を停止する。これは砥液が供給されないまま研磨を続行すると、半導体ウエハに大きな傷を生じたり、半導体ウエハを割ってしまうからである。表面に集積回路を形成途中の半導体ウエハは高価であり、損害は大きい。さらに、半導体ウエハを割ってしまうと、損害はポリッシング対象物にとどまらず、ターンテーブル63上の研磨布51を大きく傷つけてしまうので、研磨布51を交換する必要がある。研磨布51を交換し、半導体ウエハを研磨するためには、それに先だちドレッシング(目たて)作業や試験用ウエハによる研磨性能の確認が必要となるため、長時間のタイムロスが生じてしまう。
【0044】
ところで上記各実施形態において、砥液供給装置120からポリッシング部60に砥液を供給する砥液循環用の配管205,207に開閉バルブを設けずに砥液供給装置120内の砥液循環ポンプP3を停止することでポリッシング部60への砥液の供給を停止したのは以下の理由による。
【0045】
即ち、この実施形態に用いた砥液供給装置120の場合、砥液を循環する配管205,207に逃げがなく、もし配管205,207中に開閉バルブを取り付けてその循環経路を遮断すると、砥液循環ポンプP3に悪影響を及ぼす恐れがあるからである。
【0046】
従ってこのような問題の生じない構造の砥液供給装置120であれば、砥液循環ポンプP3を停止する代わりに、配管205,207中に開閉バルブを取り付けても良い。
特に、ポリッシング装置に漏液が発生し砥液の供給を停止しなければならないような場合には、砥液供給装置自体は停止する必要がないので、配管205,207間に非常用の砥液循環ルートを設けることもできる。バルブを閉めた際にもその非常用循環ルート内で砥液を循環させることにより、砥液が配管内で停滞するために起こる砥液の固化を防ぐことができる。
同様の非常用循環ルートは、砥液供給装置120以外の、例えば純水用の配管にも設けることができる。その場合は、バルブを閉めた際にも純水が配管内で長時間停滞することがなくなり、バクテリアの発生を抑制させる、という効果を生じる。
【0047】
しかし、厳密にバクテリアなどの影響を考慮する必要がない場合には、逆に、砥液供給装置120以外の各装置に取り付けている開閉バルブの代わりに、冷却水や純水を供給する供給元の装置を停止(装置内部のポンプの停止を含む)することで該冷却水等の供給を停止するように構成しても良い。この場合は、開閉バルブであれ、液体供給元の装置の停止であれ、要はそれが液体供給先の装置への液体供給停止手段であれば良いのである。
【0048】
なおここではポリッシング部、洗浄部、砥液供給装置、冷却水供給装置の漏液について述べたが、本発明はこれに限らず、廃液処理装置、薬液供給装置など、ポリッシング対象物を処理する際に用いる全ての液体取扱装置に対応させて、より安全性を高めることもできる。
【0049】
また冷却水供給装置100の場合、1台の冷却水供給装置100によって複数組のポリッシング部60と砥液供給装置120に並列に冷却水を供給するような場合があるが、このような場合は、冷却水供給装置100に漏液が発生したからといってただちにその運転を停止するとすべてのポリッシング部などの運転が停止してしまいその影響が大きい。従ってこのような場合は冷却水供給装置100を停止する代わりに、例えばポリッシング部に警報装置を取り付けておき、該警報装置から警報を発するように構成しても良い。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、人手を用いることなく自動的に速やかに漏液を検知し、かつ漏液を停止することができるので、作業者が不在又は作業者の対応が遅れても漏液は各装置内に留まり、外部に溢れ出ることはないという優れた効果を有する。
【0051】
また本発明によれば、ポリッシング部、洗浄部、温度調節機構及び砥液供給装置を有機的に連係させて漏液に対する処置を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る漏液監視装置を備えたポリッシング装置の全体構成を示す平面図である。
【図2】ポリッシング装置におけるポリッシング部の詳細構造を示す断面図である。
【図3】本発明に係るポリッシング装置における配管接続構造を示す系統図である。
【図4】ポリッシング装置におけるポリッシング部および洗浄部の下部の構造を示す断面図である。
【図5】漏液センサとして2個のセンサを使用した場合の例を示す断面図である。
【図6】ポリッシング装置における砥液供給装置の詳細構造を示す断面図である。
【図7】ポリッシング装置における冷却水供給装置の詳細構造を示す断面図である。
【図8】漏液監視装置に用いる制御装置のブロック構成図である。
【図9】漏液発生時の制御方法を示す図である。
【符号の説明】
60 ポリッシング部
63 ターンテーブル
65 トップリング
69 ドレツシングツール
80 洗浄部
85 1次洗浄機
87 2次洗浄機
100 冷却水供給装置
120 砥液供給装置
131,133,135,137 漏液センサ
141,143,145,147 制御装置
201,203,205,207,209,211,213,215,217, 219 配管
V11,V12,V13,V14,V21,V22,V23,V31 開閉バルブ(液体供給停止手段)
Claims (7)
- 半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、
ポリッシング対象物を研磨するポリッシング部と、
前記ポリッシング部によって研磨されたポリッシング対象物を洗浄する洗浄部とを備え、
前記ポリッシング部と前記洗浄部のそれぞれに漏液の発生を検知する漏液センサを取り付け、
前記ポリッシング部に備えられた漏液センサが漏液を検知した際に、前記ポリッシング部の運転を停止せしめると共に、前記ポリッシング部への冷却水、純水、砥液の供給を停止せしめ、
前記洗浄部では、前記漏液の検知前にポリッシング部から渡されたポリッシング対象物の洗浄・乾燥が終了した後に、その運転を停止せしめる制御手段を設けたことを特徴とするポリッシング装置。 - 前記ポリッシング部の研磨面へ砥液を供給する砥液供給装置を備え、
前記砥液供給装置には漏液センサが取り付けられており、
前記砥液供給装置の漏液センサが漏液を検知した際に、該砥液供給装置の運転を停止せしめるとともに、該砥液供給装置への液体の供給を停止せしめる制御手段を設けたことを特徴とする請求項1記載のポリッシング装置。 - 前記ポリッシング部、砥液供給装置及び洗浄部の少なくとも1つへ供給される液体の温度を調節する温度調節機構を備え、
前記温度調節機構には漏液センサが取り付けられており、
前記温度調節機構の漏液センサが漏液を検知した際に、温度調節機構への液体の供給を停止せしめる制御手段を設けたことを特徴とする請求項1又は2記載のポリッシング装置。 - 半導体ウエハ等のポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置において、
ポリッシング対象物を研磨するポリッシング部と、
前記ポリッシング部によって研磨されたポリッシング対象物を洗浄する洗浄部と、
前記ポリッシング部の研磨面へ砥液を供給する砥液供給装置と、
前記ポリッシング部、砥液供給装置及び洗浄部の少なくとも1つへ供給される液体の温度を調節する温度調節機構を備え、
前記ポリッシング部、洗浄部、砥液供給装置、温度調節機構のそれぞれに漏液の発生を検知する漏液センサを取り付け、
前記ポリッシング部、洗浄部、砥液供給装置、温度調節機構への前記各種液体の供給を停止する液体供給停止手段を設け、
前記ポリッシング部に備えられた漏液センサが漏液を検知した際に、前記ポリッシング部の運転を停止せしめると共に、前記ポリッシング部への液体の供給を停止せしめ、
前記洗浄部では、前記漏液の検知前にポリッシング部から渡されたポリッシング対象物の洗浄・乾燥が終了した後に、その運転を停止せしめる制御手段を設けたことを特徴とするポリッシング装置。 - 前記制御手段は、前記漏液センサのいずれかが漏液を検知した際に、前記液体供給停止手段によって、該漏液が発生した装置への液体の供給を停止せしめることを特徴とする請求項4記載のポリッシング装置。
- 前記液体供給停止手段は、前記ポリッシング部、洗浄部、砥液供給装置、温度調節機構へ前記各種液体を供給する配管に取り付けられる開閉バルブであることを特徴とする請求項4記載のポリッシング装置。
- 前記液体供給停止手段は、漏液が発生した装置へ各種液体を供給している供給元の装置を停止せしめる手段であることを特徴とする請求項4記載のポリッシング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11629297A JP3818735B2 (ja) | 1996-04-18 | 1997-04-18 | ポリッシング装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8-122243 | 1996-04-18 | ||
JP12224396 | 1996-04-18 | ||
JP11629297A JP3818735B2 (ja) | 1996-04-18 | 1997-04-18 | ポリッシング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1044040A JPH1044040A (ja) | 1998-02-17 |
JP3818735B2 true JP3818735B2 (ja) | 2006-09-06 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3818735B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4697839B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2012225780A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 漏液検出機構 |
JP6491419B2 (ja) * | 2014-04-08 | 2019-03-27 | 株式会社荏原製作所 | ハウジングおよびこれを備えた砥液供給ユニット並びに基板処理装置 |
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- 1997-04-18 JP JP11629297A patent/JP3818735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1044040A (ja) | 1998-02-17 |
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