JP3811770B2 - 波長可変光学装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、波長可変光学装置に関する。
【0002】
電気通信、データ通信等、最近の通信のみならずその他の通信においても、同調可能デバイス(tunable device)に関する強い要求がある。将来の光ファイバに限らず、光波長分割多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)を使用することにより既存の光ファイバの容量を増加させることができる。WDMを使用するシステムは大きな波長領域(あるいは周波数領域)を使用する能力を備え、この波長領域は異なるチャネルに異なる波長を割当ることにより光ファイバで使用することができる。このシステムは可能な限り順応性に富んでいることが重要である。重要な要因は集積デバイスにおいてレーザ光線の波長(換言すると、レーザ効果が発生するときのレーザ光の波長)を選択することが可能なことであり、かつ、たとえば、当該システムに要求されるこれらの波長を正確に選択できることである。1つの光波長分割多重システムはいわゆる高密度光波長分割多重システムを含んでいる。一般に、同一のシステムで多数の異なるアプリケーションを提供することは、広く異なる多くのシステムで多数の異なるアプリケーションを提供することと同様に重要なことである。
【0003】
【従来の技術】
1つあるいは他の方法で同調可能な多数のデバイスが公知されている。同調可能なデバイスの例としては、たとえば波長可変レーザ、波長可変フィルタがある。たとえば、コヒーレント光波長分割多重通信システムにおいては、同調可能なデバイスを使用することを通じてシステムがより順応性に富むようになるという利点がある。たとえば、各チャネル毎に一定の波長の1つのレーザを備える代わりに、異なるチャネルの波長に対して同調可能なレーザを備えることは非常に有用である。波長を精密に調整するためには、少なくとも各チャネル毎に一定の連続した同調可能な領域を備えることが有利である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
レーザにについて考慮する限り、波長可変レーザは3つの異なる種類の波長可変半導体レーザに分類され得る。
【0005】
第1の種類はいわゆる外部共振器形レーザ(external cavity
laser)に関する。
【0006】
しかし、これらの外部共振器形レーザは多数のアプリケーションに対してきわめて非実用的である。外部共振器形レーザは、たとえば、EP−A−525 752、EP−A−242 445に説明されている。
【0007】
第2の種類の波長可変半導体レーザはブラッグ格子を利用している。T.L.KochおよびU.Korenの「コヒーレント光ファイバ通信用半導体レーザ(Semiconductor lasers for coherent optical fibre communications)」、ジャーナル「光波技術」、第8巻、(3)1990年3月、頁274〜293に、2セクションおよび3セクションの分布ブラッグ反射型(DBR)レーザが示されている。さらに同論文にはいわゆる多セクション分布帰還型(DFB)レーザが説明されている。第2の種類の波長可変レーザの更に別の例は、V.Jayaraman他による「サンプル格子を使用する半導体レーザにおける広帯域同調可能性の公開(Demonstration of broadband tunability in a semiconductor laser using sampled gratings)」、応用物理学、レター、第60巻(19)、1992年3月11日、頁2321〜2323、V.Jayaraman他による「サンプル格子DBRレーザにおける非常に広い同調範囲(Very wide tuning range in a sampled gratingDBR laser)」、第13回IEEE国際レーザ会議、1992年9月21日〜25日、締切後の論文11、Y.Tohmori他による「超構造グレーティング(SSG)DBRレーザによる単一縦方向モードを使用した超広域波長への同調(Ultrawide wavelength tuning with single longitudinal mode by superstructure grating(SSG)DBR laser)」、第13回国際レーザ会議、1992年9月21日〜25日、論文0〜6の中で開示されている。これらのレーザは同調範囲が限られているという欠点がある。
【0008】
第3の種類の波長可変半導体レーザは、第1の参照文献、T.L.KochおよびU.Korenの「コヒーレント光ファイバ通信用半導体レーザ」、ジャーナル「光波技術」、第8巻、(3)1990年3月、頁274〜293の中で説明されている、いわゆるC3−レーザと、M.Shilling他による「集積された干渉形注入レーザ:高速かつ広帯域モノリシック光源(Integrated interferometric injection laser:Novel fast and broardband tunable monolithic light source)」、IEEEジャーナル、量子電子第27巻(6)1991年6月頁1616〜1624の中で説明されているY接合レーザである。しかしながら、既知のデバイスはいずれも完全に満足できる動作をするものはない。たとえば、いわゆるC3レーザは制御が難しいばかりでなく再生することも困難である。またY接合レーザも制御が難しい。1つの波長可変レーザデバイスはいわゆるMAGICレーザであり、これはJ.B.D Soole、K.Poguntke、A.Scherer、H.P.LeBlanc、C.Chang−Hasnain、J.R.Hayes、C.Caneau、R.Bhat、M.A.Kozaの「マルチ・ストライプ・アレイ・格子共振器形(MAGIC)集積レーザ:WDM用の新しい半導体レーザ(Multistripe array grating integrated cavity(MAGIC)laser:a new semiconductor laser for WDM applications)」、電子工学レター、第28巻(19)、1992年9月10日、頁1805〜1807の中で開示されている。これらの論文の中では、ミラーの1つにローランド円構成(Rowland circle configuration)の回析格子を使用することにより集積デバイスのレーザの波長選択をしている。これは上に参照した外部共振器形レーザの集積デバイスを形成しているが、外部共振器はスラブ導波路に置き換えられており、このスラブ導波路により光は1方向に限定されるけれども光は横方向に回析する。半導体レーザは、受動プレーナ導波路に対する能動ストライプのアレイのモノリシック集積により形成されており、受動プレーナ導波路はエッチングされた回析グレーティングを備えている。レーザの放射は、予め正確に定められたそれぞれ異なる波長の異なるストライプから発生する。このように、レーザが発振するときの波長は要求された状態に正確に設定される。上に説明した外部共振器形レーザに比較して、異なる位置にありアレイを形成する能動利得ストライプ(active gain stripe)は単一能動素子と回転格子の代わりに,固定された集積格子と組合わせて使用される。格子はスラブ導波路をエッチングすることによりつくられ、露出した側壁の該当する位置につけられる。しかしながら、レーザ光の発振は離散的な数の波長でのみ発生し、この数は導波路のストライプの数に等しいので、各波長に対する出力信号は異なるストライプのところで現れるが、これはきわめて非実用的である。
【0009】
【課題を解決する手段】
本発明の目的は容易に同調できる同調可能デバイス、即ち、制御と再生が容易であり、さらに異なる機能と異なるシステムに対して容易に適用することができる同調可能デバイスを提供することである。また本発明の目的は、同調範囲が大きく、廉価で製造および取扱いが容易なデバイスを提供することである。本発明のより進んだ目的は、レーザの場合、離散的な数の波長のレーザ光だけを発振するのではなく連続的に発振するようになっている同調可能デバイスを提供することであり、さらに多数の波長に対する出力信号が同一のストライプに現れるように1つだけの利得ストライプを必要とするデバイスと配列(arrangement)を提供することである。
【0010】
この目的とその他の目的は請求項1の特徴部分の特性を備えた配列により達成される。
【0011】
本発明により得られる更に進んだ多くの利点は以下に示す本発明の説明から明らかとなる。多数の実施例は関連する請求項により与えられる。
【0012】
実施例によれば、格子の配列は1つ、2つまたはそれ以上の固定された格子で構成されている。また、デバイスもミラー装置で含んでおり、1つの実施例によればこのミラー装置は入射光束(incident beam)の方向を変える可変プリズム(variable prism)の前に配置されている。またミラー装置は出力光束の方向を第2の素子あるいは異なる格子の間に向けるように最終格子の後に配置されている。このデバイスを光波長分割多重システムに応用することには多くの利点がある。
【0013】
実施例によれば、このデバイスあるいは配列は、各チャネルの波長を正確に調整するため、各チャネルの帯域内で異なるチャネルの波長に連続的に同調するため、あるいは波長の全範囲にわたって正確に、又は連続的に同調するために使用できる。
【0014】
実施例によれば、スラブ導波路領域内の屈折率を変化させることにより、可変屈折率を備えた可変屈折率プリズム(variable index prism)がつくられる。望ましくは、この領域に光束が入って出ていく場合の境界は直線になっていることである。分かりやすい実施例によれば、可変屈折率プリズムは、たとえば、三角形をしている。
【0015】
別の実施例によれば、領域の屈折率は、たとえばキャリアの注入、キャリアの空乏によって変化するし、あるいはいわゆるBRAQWET構造の使用や温度同調(temperature tuning)によっても、あるいはまた量子閉じこめシュタルク効果(quantum confinement Starkeffect)の応用によっても変化する。特定の実施例によれば、このデバイスはレーザを含んでいる。望ましくは、前記第1の素子は能動利得ストライプを含んでいることである。より詳細には、この格子配列は1つの固定格子を含んでおり、この格子に対する入射角を変化させることにより逆反射光の波長が変化するのである。小さな偏差角(deviation angle)ψに対して波長の変化Δλは近似的に、
【数3】
となる。本実施例においては、最大の同調範囲を得るためプリズムを格子に近接して配置しなければならない。しかし、反射光束のより良い波長選択が要求されるときは、極めて多数の格子周期をカバーしなければならない。このことは上述の実施例においてプリズムの寸法を大きくしなければならないことになるが、それでは不便である。更に進んだ実施例によれば格子の配列は複数格子(multiple grating)により構成され、反射光を変化させる波長は次式によって与えられる。
【数4】
【0016】
複数格子の使用により、波長の分解能を良好に維持しながら光束の幅を小さくし、したがってプリズムの寸法も小さくすることが可能となる。
【0017】
更に進んだ実施例によれば、デバイスはフィルタ、とくに反射フィルタを含んでいる。更に進んだ1実施例によれば、第1の素子は受動導波路であっても良いが、また更に進んだ実施例によれば、第1の素子を、それぞれ入力と出力を形成し、第2の利得ストライプと分離した利得ストライプとすることができ、この利得ストライプの入力端と出力端は反射防止コーティングを含んでいる。入力および出力は相互に離れていることが望ましく、より詳細には第1の素子と第2の素子は異なる導波路あるいは異なる利得ストライプを形成していることが望ましい。
【0018】
これらの実施例および更に進んだ実施例は添付の請求の範囲により与えられている。
【0019】
【実施例】
以下、添付の図面を参照して、限定した説明とならないように多数の例によって本発明を詳細に説明する。
【0020】
利得ストライプになっている第1の能動素子1aを含む波長可変レーザを図1に示す。たとえば、利得ストライプ1aが注入により励起されレーザ光発振(即ち、レーザ効果)が起ると、レーザ光発振周波数は光束の入射角の格子による変化、つまり逆反射光の波長の変化によって決定される。利得ストライプ1aと、この場合格子配列2aを形成している固定格子5aとの間にいわゆる可変プリズム3aが配置されている。この可変プリズム3aは可変屈折率により同調可能素子を形成している。可変プリズムの可変屈折率のために格子5aに入射する光束の偏向角(deflection angle)は可変となり得る。
【0021】
図1は本発明の概念を示す簡単な実施例を示す。単一格子5aを含むだけの格子配列2aを備えた本実施例によれば、小さな偏向角ψに対する波長の変化は次式で与えられる。
【数5】
ここにnは伝搬媒質の屈折率であり、mは格子の回析次数(grating diffraction order)で、dは格子周期である。距離P、Dは図1に示されている。即ち、図1に定義されているとおり、Pは入力導波路から屈折プリズムの中央までの距離であり、Dは入力導波路から格子G1、G2までの距離である。しかしこの特定の実施例においては、同調範囲を可能な限り大きくするためにプリズム3aを格子5aの近くに配置しなければならない。図1、図2はプリズムの角度を定義し、上述のψは偏差角を形成するが、θ1、θ2は偏った角度、つまりプリズムに加えられた屈折率の変化を伴う場合とを表し、それらは、図1に定義されているとおり、光束が格子5aに対する法線と形成する角である。しかし反射光束により良い波長分解能が要求されるときは、この光束は極めて多数の格子をカバーする必要がある。このようにするためには大型のプリズムが必要になり、たとえばスペースの条件や、製造方法などのために不便になる場合がしばしば発生するであろう。
【0022】
この煩雑さを克服する実施例が図2に示されている。図2のレーザデバイス20には複数の格子で構成される格子配列2bが含まれているが、この場合は格子5b、5b’が含まれている。複数格子(2つの格子5b、5b’)の使用により光束の幅を減少させることが可能であり、また波長分解能を良好に維持しながらプリズムの寸法を小さくすることも可能である。ミラー6bは利得ストライプ1bとプリズム3bとの間で配列されている。入射光束はミラー6bによって可変プリズム3bに向けられ、ここで光束は偏った後格子5b、5b’に影響を与え、次にθ1、θ2、θ3は入射光束と格子5b、5b’に対する法線との間の角度をそれぞれ形成する。この場合、波長の変化Δλは次式で与えられる。
【数6】
ここにmiは格子の回析次数で、diは格子の周期である。角度は既に図で定義されている。
【0023】
ミラーおよび格子は既知の方法、たとえばJ.B.D Soole、K.Poguntke、A.Scherer、H.P.LeBlanc、C.Chang−Hasnain、J.R.Hayes、C.Caneau、R.Bhat、M.A.Kozaの「マルチ・ストライプ・アレイ・格子共振器形(MAGIC)集積レーザ:WDM用の新しい半導体レーザ(Multistripe array grating integrated cavity(MAGIC)laser:a new semiconductor laser for WDM applications)」、電子工学レター、第28巻(19)、1992年9月10日、頁1805〜1807の中で説明されている方法により製造できる。この場合、ミラーおよび格子は標準のリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィを使用して決められ、スラブ導波路を通してエッチングするために反応性イオンエッチング(reactive ion etching)が使用される。高い屈折性を与えるためにアルミニウムなどの金属層を側壁に成長させる。利得ストライプは既知の標準レーザダイオードの手法によりつくることができる。デバイスの寸法について言及すると、いくつかの値は単に図示するだけで与えられるが、当然のこととして多数の可能性があり、異なる寸法とすることができる。しかし1つの実施例においては、利得ストライプ1a、1bは200ミクロンと1ミリメートルの中間の長さであり、約1ミクロン〜5ミクロンの幅がある。簡単なレーザ10の利得ストライプ1aと格子2aとの間の距離はほぼ1ミリメートルまたはそれ以上であり、格子5aにおける光束の幅は普通数百ミクロンである。このことはデバイス10全体が数ミリメートルの長さで約500ミクロンの幅であることを意味している。
【0024】
レーザ20の第2の実施例に言及すると、格子間の距離と第1の格子5bおよび第2の格子5b’とミラーとの間の距離は300〜600ミクロンのオーダーである。この場合のデバイス全体は1ミリメートル以下の長さで約400ミクロンの幅がある。
【0025】
図3に本発明の更に進んだ代替実施例を示す。このデバイスは波長可変反射フィルタ30を形成する。この配列は図1の配列と同様であるが、第1の素子は利得ストライプ1cとなっており、その外側の端部に反射防止コーティング11が含まれている。図3に示す実施例においては、出力は入力から分離され、光束は別の導波路、第2の素子1c’の中で反射される。第1の素子1c、第2の素子1c’の代わりに受動導波路と交換することが可能である。
【0026】
更に進んだ実施例(図示せず)によれば図1、図2に示すデバイスは、該当する利得ストライプの出力端部に反射防止コーティングを施して波長可変反射フィルタを形成するようにに変更しても良い。この場合利得ストライプは損失を(しきい値以下にとどめながら)補償するために使用することができるし、あるいは受動導波路と交換することができる。フィルタの通過帯域は近似的にガウス形(gaussinan)であることを示すことができる。
【0027】
図4は複数格子フィルタを示す。この複数格子フィルタは第2の格子5dと第2の格子5d’のある格子配列2dを含んでいる。また2つのミラー装置を含んでいるが、第1のミラーは入射光束を可変プリズム3dに向け、第2のミラーは第2の格子からの光束を第2の素子1d’に向ける。図3と図4に示す実施例は、光束が別の導波路に反射される2つの実施例を図示している。また原理も波長可変レーザの原理と同様であるが、レーザの場合は逆反射があるのに対し、光束は別の導波路に反射されるという違いがある。
【0028】
可変屈折率プリズム3a、3b、3c、3dは多くの方法でつくることができる。一般にはスラブ導波路の領域の屈折率を変えることによりつくられる。光束が前記領域に入りそこから出ていく場合の境界は直線でなければならないが、そのほかの領域の外観(shape)や内部の形(forms)は重要ではない。1つの優れた内部の形は三角形であるが、境界が直線をなしている限り他の内部の形や外観も当然可能である。三角形の場合、つまり図1で説明した実施例では、プリズムの角度φ1、φ2、偏差角ψは近似的に次式により与えられる。
【数7】
nはプリズムの外側の屈折率であり、(n+Δn)はプリズム内の屈折率である。この近似は微小なΔnに対しては十分満足できるものである。
【0029】
領域内の屈折率は、それ自体既知の多くの方法を使用する事により異なる方法で変更することができる。1つの方法によれば、キャリヤ注入を使用することが可能であり、この方法ではp−i−nヘテロ接合の屈折率変化を順方向にバイアスすることにより電子および正孔が注入される。インジュウム・ガリュウム・ひ素・りん/インジュウム・りん・レーザにおいては、2×1018cm−3のオーダーの注入されたキャリア密度に対して−0.02またはそれ以上のオーダーの実効屈折率を得ることが可能である。この方法はJ.−P.Weberによる「キャリアにより励起されたインジュウム・ガリュウム・ひ素・りん/インジュウム・りん導波路の実効屈折率変化の最適化−波長可変ブラッグ・フィルタへの応用(Optimaization of the carrier−induced effective index changes in InGaAsP/InP waveguides−Application to tunable Bragg filters)」IEEEジャーナル、量子電子工学に公開するために提出された論文の中で詳細に説明されている。3.25のオーダーの実効屈折率によれば、Δn/nはほぼ−6.1×10−3になり、これが比屈折率の変化(relative index change)になる。微小な屈折率変化に対しては偏差の角度ψは比屈折率の変化に比例する。したがってψはこの方法の働きの尺度になる。
【0030】
更に進んだ方法によれば、いわゆるキャリア空乏が使用される。キャリア空乏を使う方法では、(インジュウム・ガリュウム・ひ素・りん/インジュウム・りん導波路における)キャリア注入と同じp−i−n構造が使用されるが、ドーピングされた材料のバンドギャップが小さいと、ダイオード構造に逆方向のバイアスをかけることにより、その材料からキャリアを取り去ってしまう。適切なドーピングレベルは最高で1018cm−3のオーダーである。このように約+0.01の材料屈折率変化を得られるとすると、この変化により約+0.005の実効屈折率の変化が得られる。実効屈折率が3.25 のオーダーであれば、Δn/n+1.5×10−3になる。
【0031】
更に進んだ方法によれば、(ここでは電子の)多数キャリアデバイスである、いわゆるBRAQWETS(Blockaded Reservoir AndQuantum−Well Electron−Transfer Structures)を使用することが可能である。この方法は、M.K.Chin、T.K.Chang、W.S.C.Changによる「一般化された閉鎖蓄積と量子井戸の電子伝達構造:高性能導波路位相変調器のモデル作成と設計上の留意点(Generalized Blockaded Reservoir And Quantum−Well Electron−Transfer Structures:Modeling and design considerations for high performnce waveguidephase modulators)」、IEEEジャーナル、量子電子工学第28巻(11)1992年11月、頁2956〜2611の中で詳細に説明されている。上記と同じ実効屈折率によると、Δn/nはほぼ+9.2×10−4になる。
【0032】
更に進んだ方法によれば、インジュウム・りん導波路においては温度同調を使用することが可能であり、これを使用すれば屈折率を変化させることが可能である。J.−P.Weberによる「キャリアにより励起されたインジュウム・ガリュウム・ひ素・りん/インジュウム・りん導波路の実効屈折率変化の最適化−波長可変ブラッグ・フィルタへの応用(Optimization of the carrier−induced effective index change in InGaAsP/InP waveguides−Application to tunable Bragg filters)」IEEEジャーナル量子電子工学に公開するために提出された論文の中で、我々は以下の数値を得た。即ち、300K(ケルビン:以下Kを使う)近辺のインジュウム・りん導波路に対して∂n/∂T=1.81×10−4[K−1]、バンドギャップが1.42ミクロンのインジュウム・ガリュウム・ひ素・りん導波路に対して∂n/∂T=3.53×10−4[K−1]であった。実際に、(電気的に絶縁するため誘電体層を使って)スラブ導波路の上部に発熱抵抗体を置くことによりこれを実験したのである。例としてインジュウム・りんのクラッド層のある1.3ミクロンのインジュウム・ガリュウム・ひ素・りんを使用した0.3ミクロンの導波路をとりあげると、300K〜350Kの間の温度上昇に対して実効屈折率の変化は約+0.01であった。このことは3.25のオーダーの屈折率、Δn/n≒3.1×10−3を再度与える。
【0033】
なお更に進んだ方法によれば、SiO2内の温度同調を使用することができる。全ての素子の材料に半導体材料を使用する代わりに、利得ストライプだけは半導体材料を使い、残りの部分はSiO2を使う複合製造手法を使用することが可能である。この方法を使用すると、スラブ導波路の上部の発熱抵抗体を使って温度を変化させることにより同調させることができる。SiO2に対して我々は∂n/∂T=1×10−5[K−1]を得ている。したがって、50Kの温度上昇に対して、屈折率は約5×10−4だけ増加する。N.Takato、T.Kominato、A.Sugita、K.Jinguji、H.Toba、M.Kawachiによる「シリコンをベースとしてチャネル間隔0.01〜250ナノメートルのマッハ−ツェンダー・マルチプレクサ/デマルチプレクサ光集積回路ファミリー(Silicabased integrated optic Mach−Zender multi/demultiplexer family with channel spacing of 0.01−250nm)」IEEEジャーナル、通信選択分野、第8巻(6)、1990年8月、頁1120〜1127、では屈折率は約1.47であり、これによりΔn/n≒3.4×10−4が与えられる。
【0034】
さらに別の方法は量子閉じこめシュタルク効果に基づいている。量子ウエルにおけるシュタルク効果のためエネルギ準位がシフトすると屈折率が変化する。これらの変化は当該レベルからの離調の関数であるが、インジュウム・りんのサブストレートを使ったインジュウム・ガリュウム・ひ素・りんの量子ウエルに対して約100キロボルト/cmの電界を与えた場合該変化は0.01のオーダーである。(J.E.Aucker、I.Bar−Joseph、B.I.MIiller、U.Koren、D.S.Chemlaによる「1.3ミクロンおよび1.55ミクロンの光波における電気光学強度および位相変調のための4元素量子井戸(Quaternary quantum wells for electro−optic intensity and phase modulation at 1.3 and 1.55μm)」応用物理学レター、第54巻(1)、1989年1月2日、頁10〜12を参照されたい)。このことは各層に垂直に入射する光に対して該当する。導波路の内部では、このことは閉じこめ因子(confinement factor)によって減少するので、屈折率変化は前記大きさの半分ほどが期待される。したがってこれによって(再び3.25の実効屈折率に対して)Δn/n≒+1.5×10−3になる。しかし、この効果は波長に大きく依存しているから、種々の問題が起こることもあり得る。また、屈折率の変化を伴う電子吸収効果(electro−absorption effect)があるが、離調することによりこの効果は屈折率変化が生じるよりもずっと速く減少する。
【0035】
本発明はここに示した実施例に限定されるものではなく、添付の請求の範囲の中で自由に変更できるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】グレーティングが1つだけの波長可変レーザを示す図。
【図2】複数の格子を有する波長可変レーザを示す図。
【図3】簡単な波長可変フィルタ(反射フィルタ)を示す図。
【図4】複数のグレーティングを有する波長可変フィルタ(透過フィルタ)を示す図。
【符号の説明】
1a、1b、1c、1d 入力素子
1c’、1d’ 出力素子
2a、2b、2c、2d 格子配列
3a、3b、3c、3d 同調手段、可変屈折率プリズム
5a、5c 固定の格子
5b、5b’、5d、5d’ 複数の格子
6b、6d、6d’ ミラー装置
10、20、30、40 波長可変光学装置
11 反射防止コーティング
30 反射フィルタ
40 透過フィルタ
Claims (24)
- 少なくとも第1の受動あるいは能動入力素子(1a、1b、1c、1c’、1d、1d’)と、同調させようとする入射光束の経路にある集積格子配列(2a、2b、2c、2d)とを含む波長可変光学装置(10、20、30、40)であって、前記波長可変光学装置(10、20、30、40)は前記グレーティング配列(2a、2b、2c、2d)に入射する光束の入射角を制御して変化させる同調手段(3a、3b、3c、3d)をさらに含み、前記同調手段(3a、3b、3c、3d)は前記第1の能動あるいは受動入力素子(1a、1b、1c、1d)と前記格子配列(2a、2b、2c、2d)との間に配置された可変屈折率プリズムを含むことを特徴とする波長可変光学装置(10、20、30、40)。
- 請求項1記載の波長可変光学装置であって、前記格子配列(2a、2b、2c、2d)によって逆反射あるいは反射された入射光束の波長は、前記格子配列(2a、2b、2c、2d)に入射する前記光束の入射角を変化させることによって変化することを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項1あるいは請求項2記載の波長可変光学装置であって、前記格子配列(2a、2b、2c、2d)は少なくとも1つの固定格子を含むことを特徴とする波長可変光学装置。
- 前述の請求項のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、少なくとも1つのミラー装置(6b、6d、6d’)を含むことを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項4記載の波長可変光学装置であって、前記ミラー装置(6b、6d)は入射光束を可変屈折率プリズム(3b、3d)に向ける可変屈折率プリズム(3b、3d)の前方に配置されることを特徴とする波長可変光学装置。
- 前述の請求項のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、たとえば電気通信あるいはデータ通信に使用される光波長分割多重システムに応用されることを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項6記載の波長可変光学装置であって、各チャネルの波長を正確に調整するため、各チャネルの範囲内で異なるチャネルの波長に連続的に同調するため、あるいは波長の全範囲にわたって連続的に同調するために使用されることを特徴とする波長可変光学装置。
- 前述の請求項のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、可変屈折率を備えた前記可変屈折率プリズム(3a、3b、3c、3d)はスラブ導波路の領域にわたって屈折率を変化させることによりつくられることを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項8記載の波長可変光学装置であって、光束が入って出ていく領域の境界は直線であることを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項9記載の波長可変光学装置であって、前記可変屈折率プリズム(3a、3b、3c、3d)は三角形の形をしていることを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項8〜10のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、領域の屈折率はキャリア注入、キャリア空乏によって、あるいは、いわゆるBRAQWET構造の使用によって変化することを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項8〜10のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、屈折率は、温度調整によって、あるいは量子閉じこめシュタルク効果を通じてあるいは他のあらゆる適切な方法によって変化することを特徴とする波長可変光学装置。
- 前述の請求項のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、レーザ(10、20)を含むことを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項13記載の波長可変光学装置であって、前記第1の素子(1a、1bは)は能動利得ストライプを含むことを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項1〜12のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、フィルタ(30、40)を含むことを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項17記載の波長可変光学装置であって、反射フィルタ(30)を含むことを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項17記載の波長可変光学装置であって、透過フィルタ(40)を含むことを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項17〜19のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、第2の出力素子(1c’、1d’)を含むことを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項17〜20のいずれか1つに記載の波長可変光学装置であって、少なくとも1つの第1の入力素子(1c、1d)は受動導波路であることを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項17〜21のいずれか1つに記載の波長可変光学装置(30)であって、前記第1の素子(1c)は、出力を形成する第2の利得ストライプ(1a’)とは別の利得ストライプであり、利得ストライプ(1c、1c’)の入力端部および出力端部は反射防止コーティングを含んでいることを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項17〜22のいずれか1つに記載の波長可変光学装置(30)であって、入力と出力は相互に離れていることを特徴とする波長可変光学装置。
- 請求項17、請求項19〜23のいずれか1つに記載の波長可変光学装置(40)であって、第1の素子(1d)を通る前記入射光束は、第1のミラー装置を介して、少なくとも格子配列(2d)を介して別の導波路を形成する第2の素子(1d’)に反射されることを特徴とする波長可変光学装置(40)。
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