JP3798715B2 - Semiconductor circuit device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、機能確認の検査を行う半導体回路装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体回路装置の動作確認等の検査は、非接触式機能確認が以下のように行われていた。
【0003】
図11は、半導体回路装置の製造工程を示す図である。半導体回路装置の動作確認等の検査は、図11に示すように、ウエハ生成工程の後に行われる場合がある。図12は、ICチップに非接触通信用アンテナを一体に形成したコイルオンチップ半導体回路装置を従来の非接触式の半導体検査装置により検査を行う一例を示す。非接触式の半導体回路装置の検査は、通信コイルを搭載し、外部と無線により信号の入出力が可能な半導体回路に対して検査を行なうものである。そして、図12に示す従来の非接触式の半導体回路装置の検査では、検査時点において半導体回路装置1a、1bは、ウエハ状態にあり、ダイシングされる前の段階で検査が実行される。そのため、間隔が110μm程度と非常に狭いウエハ状態で検査しなければならない。
【0004】
この非接触式の半導体検査装置による半導体回路装置の検査では、ヘッド4を用いて、半導体回路装置1a、1bに対して検査信号を無線により送信し、それに対する半導体回路装置1a、1bからの出力信号を受信することによって、半導体回路装置1a、1bの機能を検査する。ここで非接触式の半導体回路装置1a、1bの通信距離は通常1.5mm以上である。そのため、間隔が上述のように狭いウエハ状態の半導体回路装置1aに対してヘッド4から検査信号を送信すると、それと隣接する半導体回路装置1bまでもその検査信号を受信することになる。従って、ヘッド4に対しては、半導体回路装置1aのみならず、隣接する半導体回路装置1bも出力信号を送信することになる。それ故、ヘッド4は、検査をしようとする半導体回路装置1aの信号のみを受信することができず、検査に支障を来たす。即ち、個々の半導体回路装置に対する機能確認を精度良く行うことができないという問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来の非接触式の半導体検査装置による半導体回路装置の検査は、種々の問題点を有する。
【0006】
本発明は上記の点を考慮してなされたもので、精度良くかつ効率的に検査することが可能な半導体回路装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる半導体回路装置は、ウエハ上に形成された半導体回路装置であって、無線通信機能を有する通信用アンテナと、前記通信用アンテナと電気的に接続された、前記通信用アンテナの通信距離を短くする付加回路とを備え、当該付加回路がチップ状に切り出すライン上に設けられたものである。このような構成により、通信用アンテナの通信距離が短くなるので隣接する半導体回路装置からの出力信号による妨害が無く、精度良く動作確認の検査を行うことができる。また、付加回路はダイシング工程において削り取られるので、通信用アンテナの通信距離が回復する。さらに、付加回路を撤去する作業を行う必要が無く、効率的に検査を行うことができる。
【0008】
本発明にかかる他の半導体回路装置は、ウエハ上に形成された半導体回路装置であって、無線通信機能を有する通信用アンテナと、前記通信用アンテナと電気的に接続された、前記通信用アンテナの通信距離を短くする付加回路とを備え、当該付加回路と前記通信用アンテナを接続する配線回路の一部がチップ状に切り出すライン上に設けられたものである。このような構成により、通信用アンテナの通信距離が短くなるので隣接する半導体回路装置からの出力信号による妨害が無く、精度良く動作確認の検査を行うことができる。また、配線回路がダイシング工程において削り取られ、付加回路及び通信用アンテナ間の電気的接続状態が切り離されるので、通信用アンテナの通信距離が回復する。さらに、付加回路を撤去する又は付加回路及び通信用アンテナ間の電気的接続を切り離すための作業を行う必要が無く、効率的に検査を行うことができる。
【0009】
上述の付加回路の代わりに、無線通信機能を有するアンテナ(例えば本実施の形態2におけるテスト用コイル3)を設けても良い。このような構成により、このアンテナの動作確認を行うことで半導体回路装置の検査を行うことができる。
【0010】
また、本発明にかかる他の半導体回路装置は、ウエハ上に形成された半導体回路装置であって、無線通信機能を有する通信用アンテナと、前記通信用アンテナと電気的に接続された、前記通信用アンテナの通信距離を短くする無線通信機能を有するアンテナとを備えたものである。このような構成により、通信用アンテナの通信距離が短くなるので隣接する半導体回路装置からの出力信号による妨害が無く、精度良く動作確認の検査を行うことができる。
【0012】
さらに、本発明にかかる無線通信用アンテナを一体に形成した半導体回路装置の製造方法は、前記無線通信用アンテナの通信距離を短くする付加回路を、チップ状に切り出すライン上に形成するステップと、前記半導体回路装置の動作確認を行うステップと、前記半導体回路装置をチップ状に切り出すステップとを備えたものである。これにより、隣接する半導体回路装置からの出力信号による妨害が無く、また付加回路を撤去する作業を行う必要も無いので、精度良くかつ効率的に検査を行うことができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図1乃至図10に基づいて説明する。
発明の実施の形態1.
まず、本実施の形態1に係る半導体回路装置の全体的な構成について説明する。図1は、本実施の形態1における半導体回路装置の構成を示す。この半導体回路装置は、ウエハ上に半導体回路装置1a、1b等の複数のものが構成されている。半導体回路装置1a、1bの構成については以下の通りである。
【0014】
半導体回路装置1は、例えば、コイルやT型アンテナ等のアンテナを備えた半導体回路装置が用いられる。この半導体回路装置1は、例えば、特開2000−323643号公報に開示されたIC素子と同様のものである。
【0015】
半導体回路装置1の構成は次の通りである。半導体回路装置1は、図2及び図3に示すように、半導体回路装置1の入出力端子101の形成面側に、酸化シリコン膜や樹脂膜等の絶縁性の表面保護膜100を介して、矩形スパイラル形状のコイル102を一体に形成して成る。
【0016】
図2の半導体回路装置1は、回路形成部103を除く外周部にのみコイル102を形成したものであって、半導体回路装置1に形成された回路とコイル102との間における浮遊容量の発生を防止することができるが、低コスト化のためにはコイル102の一部又は全部を回路形成部103と重なるように配置することが好ましい。回路形成部103への電力の供給はコイル102を介して行われる。
【0017】
なお、実用上十分な電力の供給を受け、かつ、供給部との間の通信特性を確保するためには、前記コイル102の線幅を7μm以上、線間距離を5μm以下、巻数を20ターン以上とすることが好ましい。
【0018】
半導体回路装置1の入出力端子101とコイル102との接続は、図3に示すように、表面保護膜100に開設された透孔104を介して行われる。この場合、コイル102の形成位置が若干ずれた場合にも、入出力端子101とコイル102との接続が確実に行われるように、図3に示すように、透孔104の直径又は幅をコイル102の線幅よりも小さくすることがより好ましい。
【0019】
コイル102を構成する導体は、図3に示すように、金属蒸着層105と金属めっき層106を含む多層構造になっている。前記金属蒸着層105及び金属めっき層106は、任意の導電性金属をもって形成することができるが、比較的安価で導電率が高いことから、金属蒸着層105についてはアルミニウム、ニッケル、銅及びクロムから選択される金属又はこれらの金属群から選択される2種以上の金属の合金で形成することが好ましく、均質な単層構造とするほか、異なる金属層又は合金層を多層に積層した他層構造とすることもできる。一方、前記金属めっき層106は、銅で形成することが好ましく、無電解めっき法又は電気めっき法若しくは精密電鋳法により形成することができる。
【0020】
各半導体回路装置1a、1b等は、上述のように、その回路上に構成されたコイル、即ち通信用コイル11を備えており、図1に示すように、この通信用コイル11は、その通信距離を短くする付加回路2に電気的に接続されている。付加回路2は、各半導体回路装置1a、1b等をチップ状に切り出すライン、即ちスクライブライン上に配置され、各半導体回路装置をチップ状に切断する際には、スクライブラインに沿った部分とともに削り取られるようになっている。なお、この半導体回路装置1a、1b及び付加回路2以外にも、複数の半導体回路装置がウエハ上に形成され、また検査装置、搬送装置等の種々の構成を有するが、周知の構成であるため説明を省略する。
【0021】
図4は、各半導体回路装置1a、1b等の構成を示すブロック図である。図4に示すように、各半導体回路装置1a、1b等は通信用コイル11及びICチップ回路12により構成され、付加回路2は、例えば所定の抵抗値を有する抵抗回路等であり、通信用コイル11に並列に接続されている。付加回路2が設けられていることにより通信用コイル11に流れる電流値が、付加回路2に流れる電流値の分だけ低下する。このため、通信用コイル11に電流が流れることにより発生する磁界が低下し、通信用コイル11の通信距離が短くなっている。なお、付加回路2は、抵抗のみの回路ではなくリアクタンスのみ、キャパシタンスのみ若しくはそれらの素子を組み合わせた回路でも良い。
【0022】
図5は、各半導体回路装置1a、1b等の回路構成を示す図である。図5に示すように、各半導体回路装置1a、1b等は通信用コイル11及びICチップ回路12により構成され、これらの通信用コイル11及びICチップ回路12はLA端子121及びLB端子122を介して接続されている。また、ICチップ回路12は、接地回路123を備えている。
【0023】
図6は、LA端子121及び接地回路123間の抵抗値に対応した通信距離を示す表である。図6に示すように、通信用コイル11に付加回路2を電気的に接続し、例えばLA端子121及び接地回路123間の抵抗値を100Ωから80Ωに低下させることで、通信用コイル11から発生する磁界が低下し、通信用コイル11の通信距離が2.5mmから0.05mmと短くなっている。
【0024】
続いて本実施の形態1における半導体回路装置が上記のような構成を有することにより生じる作用効果について説明する。まず、各半導体回路装置1a、1b等の通信用コイル11に付加回路2が電気的に接続されることにより、通信用コイル11の通信距離が2.5mmから0.05mmと短くなっているので、ウエハ状態で例えば非接触式の検査装置のヘッドを半導体回路装置1aに接近させ動作確認を行っても、ヘッドから出力される検査信号が隣接する半導体回路装置1bに受信されることが無く、この半導体回路装置1bが出力信号を送信することも無い。このため、半導体回路装置1aからの出力信号が妨害されることが無く、精度良く半導体チップ1aの機能確認をすることが可能である。また、非接触方式による検査なので、ピンのハンドリング等により半導体チップを傷付けることが無く、安全に動作確認を行うことが可能である。
【0025】
また、図11に示す工程図のダイシング工程において各半導体回路装置1a、1b等がチップ状に切り分けられる際に、図7に示すように、付加回路2がウエハのスクライブラインに沿った部分とともに削り取られるので、LA端子121及び接地回路123間の抵抗値が例えば100Ωに回復する。このため、通信用コイル11は、通信距離が2.5mmに回復する。従って、別途付加回路2を撤去するための作業を行う必要が無く、効率的に半導体回路装置の動作確認の検査を行うことが可能である。
【0026】
以上のような本実施の形態1における半導体動作装置によれば、通信用コイル11に付加回路2を電気的に接続し、通信用コイル11の通信距離を短くすることで、動作確認の工程において、隣接する半導体回路装置からの出力信号に妨害されることが無く、精度良く動作確認の検査を行うことができる。また、付加回路2をスクライブライン上に設けることで、ダイシング工程において付加回路2がスクライブラインに沿った部分とともに削り取られるので、付加回路2を撤去する作業の必要が無く効率的に動作確認の検査を行うことができる。
【0027】
実施の形態2.
本実施の形態2に係る半導体回路装置について説明する。図8は、本実施の形態2における半導体回路装置の構成を示す。本実施の形態2における半導体回路装置は、実施の形態1におけるものと略同様であって、図8に示すように、付加回路2がテスト用コイル3に置き換えられている。このテスト用コイル3は、無線通信機能を備えている。また、テスト用コイル3は、各半導体回路装置1a、1b等をチップ状に切り出すライン、即ちスクライブライン上に配置され、各半導体回路装置をチップ状に切断する際には、スクライブラインに沿った部分とともに削り取られるようになっている。
【0028】
図9は、各半導体回路装置1a、1b等の構成を示すブロック図である。テスト用コイル3は、例えば所定の抵抗値を有し、図9に示すように、通信用コイル11に並列に接続されることにより、通信用コイル11に流れる電流値が、この通信用コイル11に流れる電流値の分だけ低下する。このため、通信用コイル11の両端間の抵抗値が低下し通信用コイル11から発生する磁界が低下することで、通信用コイル11の通信距離が短くなっている。また、通信用コイル11の通信距離の方が、テスト用コイル3の通信距離よりも短くなるように構成されている。
【0029】
続いて本実施の形態2における半導体回路装置が上記のような構成を有することにより生じる作用効果について説明する。まず各半導体回路装置1a、1b等の通信用コイル11にテスト用コイル3が電気的に接続されているので、例えば半導体回路装置1aの通信用コイル11に接続されたテスト用コイル3に対して、例えば非接触式の半導体検査装置のヘッドを接近させ動作確認の検査を行うことにより、半導体回路装置1aの動作確認の検査を行うことが可能である。このとき、各半導体回路装置1a、1b等の通信用コイル11は、それらの通信距離が短くなっているので、ヘッドからの検査信号を受信することが無く、出力信号を送信することも無い。このため、通信用コイル11からの出力信号に妨害されることが無く、精度良く半導体回路装置1aの動作確認の検査を行うことが可能である。また、非接触方式による検査なので、ピンのハンドリング等により半導体チップを傷付けることが無く、安全に動作確認を行うことが可能である。
【0030】
また、テスト用コイル3は、実施の形態1における通信用コイル11と同様に、図11に示す工程図のダイシング工程において削り取られるので、通信用コイル11の通信距離が回復する。従って、別途テスト用コイル3を撤去するための作業を行う必要が無く、効率的に半導体回路装置の動作確認の検査を行うことが可能である。
【0031】
以上のような本実施の形態2における半導体動作装置によれば、通信用コイル11に無線通信機能を有するテスト用コイル3を電気的に接続し、このテスト用コイル3に対して動作確認の検査を行うことで、隣接する半導体回路装置からの出力信号に妨害されることも無く精度良く動作確認の検査を行うことができる。また、テスト用コイル3をスクライブライン上に設けることで、ダイシング工程においてテスト用コイル3がスクライブラインに沿った部分とともに削り取られるので、テスト用コイル3を撤去する作業の必要が無く効率的に動作確認の検査を行うことができる。
【0032】
実施の形態3.
本実施の形態3に係る半導体回路装置について説明する。図10は、本実施の形態3における半導体回路装置の構成を示す。本実施の形態3における半導体回路装置は、実施の形態1におけるものと略同様であって、図10に示すように、付加回路2が、例えば各半導体回路装置1a、1b等の回路上に設けられ、その配線回路が各半導体回路装置1a、1b等をチップ状に切り出すライン、即ちスクライブライン上を介して通信用コイル11に接続されている。このため、この配線回路は、各半導体回路装置をチップ状に切断する際には、スクライブラインに沿った部分とともに削り取られるようになっている。
【0033】
本実施の形態3における半導体回路装置は、上記のような構成を有し、各半導体回路装置1a、1b等の通信用コイル11に付加回路2が電気的に接続されていることで実施の形態1と同様の作用効果を生じる。
【0034】
また、図11に示す工程図のダイシング工程において各半導体回路装置1a、1b等がチップ状に切り分けられる際に、付加回路2の配線回路の一部がウエハのスクライブラインに沿った部分とともに削り取られるので、付加回路2及び通信用コイル11間の電気的な接続状態が切り離され、通信用コイル11の両端間の抵抗値が例えば100Ωに回復する。このため、通信用コイル11は、通信距離が2.5mmに回復する。従って、別途付加回路2を撤去する又は付加回路2及び通信用コイル11間の電気的接続を切り離すための作業を行う必要が無く、効率的に半導体回路装置の動作確認の検査を行うことが可能である。
【0035】
以上のような本実施の形態3における半導体動作装置によれば、通信用コイル11に付加回路2を電気的に接続していることで、隣接する半導体回路装置からの出力信号に妨害されることも無く精度良く動作確認の検査を行うことができる。また、付加回路2の配線回路をスクライブライン上を介して通信用コイル11に接続することで、ダイシング工程においてこの配線回路がスクライブラインに沿った部分とともに削り取られるので、付加回路2を撤去する又は付加回路2及び通信用コイル11間の電気的な接続を切り離す等の作業の必要が無く効率的に動作確認の検査を行うことができる。
【0036】
その他の実施の形態.
前述の各実施の形態における検査は非接触式により行っているが、この非接触式の検査に加えてさらに、接触式の検査を行っても良い。
【0037】
【発明の効果】
以上本発明によれば、精度良くかつ効率的に検査することが可能な半導体回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】発明の実施の形態1における半導体回路装置を示す概略構成図である。
【図2】発明の実施の形態1における半導体回路装置を示す構成図である。
【図3】発明の実施の形態1における半導体回路装置を示す構成図である。
【図4】発明の実施の形態1における半導体回路装置を示すブロック図である。
【図5】発明の実施の形態1における半導体回路装置を示す回路図である。
【図6】発明の実施の形態1における半導体回路装置の通信用コイル11の抵抗値及び通信距離を示す図である。
【図7】発明の実施の形態1における半導体回路装置のダイシング工程の際の半導体回路装置を示す構成図である。
【図8】発明の実施の形態2における半導体回路装置を示す概略構成図である。
【図9】発明の実施の形態2における半導体回路装置を示すブロック図である。
【図10】発明の実施の形態3における半導体回路装置を示す概略構成図である。
【図11】従来技術における半導体回路装置の製造工程を示す図である。
【図12】従来技術における非接触式の半導体検査装置による半導体回路装置の動作確認の検査を示す構成図である。
【符号の説明】
1、1a、1b 半導体回路装置 2 付加回路 3 テスト用コイル
4 ヘッド 5 ピン 11 通信用コイル 12 ICチップ回路
100 表面保護膜 101 入出力端子 102 コイル
103 回路形成部 104 透孔 105 金属蒸着層
106 金属めっき層 121 LA端子 122 LB端子
123 接地回路
[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The present invention relates to a semiconductor circuit device that performs a function verification test and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in the inspection such as operation check of the semiconductor circuit device, non-contact type function check has been performed as follows.
[0003]
FIG. 11 is a diagram illustrating a manufacturing process of the semiconductor circuit device. Inspections such as operation confirmation of the semiconductor circuit device may be performed after the wafer generation process, as shown in FIG. FIG. 12 shows an example in which a coil-on-chip semiconductor circuit device in which a non-contact communication antenna is integrally formed on an IC chip is inspected by a conventional non-contact type semiconductor inspection device. The inspection of the non-contact type semiconductor circuit device is performed by inspecting a semiconductor circuit which is equipped with a communication coil and can input and output signals externally and wirelessly. In the inspection of the conventional non-contact type semiconductor circuit device shown in FIG. 12, the semiconductor circuit devices 1a and 1b are in a wafer state at the time of the inspection, and the inspection is executed at a stage before dicing. Therefore, it is necessary to inspect in a very narrow wafer state where the interval is about 110 μm.
[0004]
In the inspection of the semiconductor circuit device by this non-contact type semiconductor inspection device, the head 4 is used to wirelessly transmit an inspection signal to the semiconductor circuit devices 1a and 1b, and the output from the semiconductor circuit devices 1a and 1b corresponding thereto. By receiving the signal, the functions of the semiconductor circuit devices 1a and 1b are inspected. Here, the communication distance of the non-contact type semiconductor circuit devices 1a and 1b is usually 1.5 mm or more. For this reason, when the inspection signal is transmitted from the head 4 to the semiconductor circuit device 1a in the wafer state where the interval is narrow as described above, the inspection signal is also received up to the semiconductor circuit device 1b adjacent thereto. Therefore, not only the semiconductor circuit device 1a but also the adjacent semiconductor circuit device 1b transmits an output signal to the head 4. Therefore, the head 4 cannot receive only the signal of the semiconductor circuit device 1a to be inspected, which hinders the inspection. That is, there has been a problem that the function confirmation for each semiconductor circuit device cannot be performed with high accuracy.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the inspection of the semiconductor circuit device by the conventional non-contact type semiconductor inspection device has various problems.
[0006]
The present invention has been made in consideration of the above points, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor circuit device that can be inspected accurately and efficiently.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a semiconductor circuit device according to the present invention is a semiconductor circuit device formed on a wafer, and is electrically connected to a communication antenna having a wireless communication function and the communication antenna. And an additional circuit that shortens the communication distance of the communication antenna, and the additional circuit is provided on a line cut out in a chip shape . With such a configuration, since the communication distance of the communication antenna is shortened, there is no interference by the output signal from the adjacent semiconductor circuit device, and the operation check can be performed with high accuracy. Moreover, since the additional circuit is scraped off in the dicing process, the communication distance of the communication antenna is restored. Furthermore, it is not necessary to perform the work of removing the additional circuit, and the inspection can be performed efficiently.
[0008]
Another semiconductor circuit device according to the present invention is a semiconductor circuit device formed on a wafer, the communication antenna having a wireless communication function, and the communication antenna electrically connected to the communication antenna. And an additional circuit that shortens the communication distance, and a part of the wiring circuit that connects the additional circuit and the communication antenna is provided on a line cut out in a chip shape. With such a configuration, since the communication distance of the communication antenna is shortened, there is no interference by the output signal from the adjacent semiconductor circuit device, and the operation check can be performed with high accuracy. Further, the wiring circuit is scraped off in the dicing process, and the electrical connection state between the additional circuit and the communication antenna is disconnected, so that the communication distance of the communication antenna is restored. Furthermore, it is not necessary to remove the additional circuit or to disconnect the electrical connection between the additional circuit and the communication antenna, and the inspection can be performed efficiently.
[0009]
Instead of the above-described additional circuit, an antenna having a wireless communication function (for example, the test coil 3 in the second embodiment) may be provided. With such a configuration, the semiconductor circuit device can be inspected by checking the operation of the antenna.
[0010]
Another semiconductor circuit device according to the present invention is a semiconductor circuit device formed on a wafer, the communication antenna having a wireless communication function, and the communication electrically connected to the communication antenna. And an antenna having a wireless communication function for shortening the communication distance of the antenna. With such a configuration, since the communication distance of the communication antenna is shortened, there is no interference by the output signal from the adjacent semiconductor circuit device, and the operation check can be performed with high accuracy.
[0012]
Furthermore, in the method for manufacturing a semiconductor circuit device in which the antenna for wireless communication according to the present invention is integrally formed, an additional circuit for shortening the communication distance of the antenna for wireless communication is formed on a line cut out in a chip shape, The method includes a step of confirming the operation of the semiconductor circuit device, and a step of cutting the semiconductor circuit device into a chip shape. As a result, there is no interference due to the output signal from the adjacent semiconductor circuit device, and there is no need to perform the work of removing the additional circuit, so that the inspection can be performed with high accuracy and efficiency.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.
Embodiment 1 of the Invention
First, the overall configuration of the semiconductor circuit device according to the first embodiment will be described. FIG. 1 shows the configuration of the semiconductor circuit device according to the first embodiment. A plurality of semiconductor circuit devices such as semiconductor circuit devices 1a and 1b are formed on a wafer. The configuration of the semiconductor circuit devices 1a and 1b is as follows.
[0014]
As the semiconductor circuit device 1, for example, a semiconductor circuit device including an antenna such as a coil or a T-type antenna is used. The semiconductor circuit device 1 is the same as the IC element disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-323643.
[0015]
The configuration of the semiconductor circuit device 1 is as follows. As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor circuit device 1 has an insulating surface protection film 100 such as a silicon oxide film or a resin film on the surface where the input / output terminal 101 of the semiconductor circuit device 1 is formed. A rectangular spiral coil 102 is integrally formed.
[0016]
The semiconductor circuit device 1 of FIG. 2 has a coil 102 formed only on the outer peripheral portion excluding the circuit forming portion 103, and stray capacitance is generated between the circuit formed in the semiconductor circuit device 1 and the coil 102. Although it is possible to prevent this, it is preferable to dispose part or all of the coil 102 so as to overlap the circuit forming portion 103 in order to reduce the cost. Power is supplied to the circuit forming unit 103 through the coil 102.
[0017]
In order to receive practically sufficient power supply and ensure communication characteristics with the supply unit, the coil 102 has a line width of 7 μm or more, a distance between lines of 5 μm or less, and a number of turns of 20 turns. The above is preferable.
[0018]
The connection between the input / output terminal 101 of the semiconductor circuit device 1 and the coil 102 is made through a through-hole 104 provided in the surface protective film 100 as shown in FIG. In this case, as shown in FIG. 3, the diameter or width of the through hole 104 is set to a coil so that the connection between the input / output terminal 101 and the coil 102 is ensured even when the formation position of the coil 102 is slightly shifted. More preferably, the line width is smaller than 102.
[0019]
As shown in FIG. 3, the conductor constituting the coil 102 has a multilayer structure including a metal vapor deposition layer 105 and a metal plating layer 106. The metal vapor deposition layer 105 and the metal plating layer 106 can be formed of any conductive metal, but the metal vapor deposition layer 105 is made of aluminum, nickel, copper, and chromium because it is relatively inexpensive and has high conductivity. It is preferably formed of an alloy of two or more kinds of metals selected from the selected metal or a group of these metals, and in addition to a homogeneous single layer structure, other layer structure in which different metal layers or alloy layers are laminated in multiple layers It can also be. On the other hand, the metal plating layer 106 is preferably formed of copper, and can be formed by an electroless plating method, an electroplating method, or a precision electroforming method.
[0020]
As described above, each of the semiconductor circuit devices 1a, 1b, and the like includes the coil configured on the circuit, that is, the communication coil 11. As shown in FIG. It is electrically connected to the additional circuit 2 that shortens the distance. The additional circuit 2 is arranged on a line for cutting the semiconductor circuit devices 1a, 1b and the like in a chip shape, that is, on a scribe line. It is supposed to be. In addition to the semiconductor circuit devices 1a and 1b and the additional circuit 2, a plurality of semiconductor circuit devices are formed on the wafer and have various configurations such as an inspection device and a transfer device. Description is omitted.
[0021]
FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of each semiconductor circuit device 1a, 1b, and the like. As shown in FIG. 4, each of the semiconductor circuit devices 1a, 1b, etc. is composed of a communication coil 11 and an IC chip circuit 12, and the additional circuit 2 is, for example, a resistance circuit having a predetermined resistance value. 11 is connected in parallel. By providing the additional circuit 2, the current value flowing through the communication coil 11 is reduced by the amount of the current value flowing through the additional circuit 2. For this reason, the magnetic field which generate | occur | produces when an electric current flows into the coil 11 for communication falls, and the communication distance of the coil 11 for communication is shortened. The additional circuit 2 may be a circuit including only reactance, only capacitance, or a combination of these elements, not a circuit including only resistors.
[0022]
FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of each of the semiconductor circuit devices 1a and 1b. As shown in FIG. 5, each semiconductor circuit device 1 a, 1 b, etc. is composed of a communication coil 11 and an IC chip circuit 12, and these communication coil 11 and IC chip circuit 12 are connected via an LA terminal 121 and an LB terminal 122. Connected. Further, the IC chip circuit 12 includes a ground circuit 123.
[0023]
FIG. 6 is a table showing the communication distance corresponding to the resistance value between the LA terminal 121 and the ground circuit 123. As shown in FIG. 6, the additional circuit 2 is electrically connected to the communication coil 11, and the resistance value between the LA terminal 121 and the ground circuit 123 is reduced from 100Ω to 80Ω, for example, to be generated from the communication coil 11. Thus, the communication distance of the communication coil 11 is shortened from 2.5 mm to 0.05 mm.
[0024]
Next, functions and effects produced by the semiconductor circuit device according to the first embodiment having the above-described configuration will be described. First, since the additional circuit 2 is electrically connected to the communication coil 11 of each semiconductor circuit device 1a, 1b, etc., the communication distance of the communication coil 11 is shortened from 2.5 mm to 0.05 mm. Even if, for example, a head of a non-contact type inspection apparatus is brought close to the semiconductor circuit device 1a in the wafer state and the operation is confirmed, the inspection signal output from the head is not received by the adjacent semiconductor circuit device 1b. The semiconductor circuit device 1b does not transmit an output signal. Therefore, the output signal from the semiconductor circuit device 1a is not disturbed, and the function of the semiconductor chip 1a can be confirmed with high accuracy. In addition, since the inspection is based on a non-contact method, the semiconductor chip is not damaged by pin handling or the like, and the operation can be confirmed safely.
[0025]
Further, when the semiconductor circuit devices 1a, 1b, etc. are cut into chips in the dicing process of the process diagram shown in FIG. 11, the additional circuit 2 is scraped together with the portion along the scribe line of the wafer as shown in FIG. Therefore, the resistance value between the LA terminal 121 and the ground circuit 123 is restored to 100Ω, for example. For this reason, the communication coil 11 recovers the communication distance to 2.5 mm. Therefore, it is not necessary to separately perform an operation for removing the additional circuit 2, and it is possible to efficiently inspect the operation check of the semiconductor circuit device.
[0026]
According to the semiconductor operating device in the first embodiment as described above, the additional circuit 2 is electrically connected to the communication coil 11 and the communication distance of the communication coil 11 is shortened. The operation check can be performed with high accuracy without being obstructed by the output signal from the adjacent semiconductor circuit device. In addition, by providing the additional circuit 2 on the scribe line, the additional circuit 2 is scraped off along with the portion along the scribe line in the dicing process, so there is no need to remove the additional circuit 2 and the operation check is efficiently performed. It can be performed.
[0027]
Embodiment 2. FIG.
A semiconductor circuit device according to the second embodiment will be described. FIG. 8 shows the configuration of the semiconductor circuit device according to the second embodiment. The semiconductor circuit device according to the second embodiment is substantially the same as that according to the first embodiment, and the additional circuit 2 is replaced with a test coil 3 as shown in FIG. The test coil 3 has a wireless communication function. The test coil 3 is disposed on a line for cutting out each semiconductor circuit device 1a, 1b, etc., that is, on a scribe line. When the semiconductor circuit device is cut into a chip shape, the test coil 3 is aligned with the scribe line. It will be scraped off with the part.
[0028]
FIG. 9 is a block diagram showing the configuration of each semiconductor circuit device 1a, 1b, and the like. The test coil 3 has a predetermined resistance value, for example, and as shown in FIG. 9, the current value flowing through the communication coil 11 is changed by connecting the communication coil 11 in parallel with the communication coil 11. Decreases by the amount of current flowing through the. For this reason, the resistance value between the both ends of the coil 11 for communication falls, and the magnetic field which generate | occur | produces from the coil 11 for communication falls, The communication distance of the coil 11 for communication is shortened. In addition, the communication distance of the communication coil 11 is configured to be shorter than the communication distance of the test coil 3.
[0029]
Next, functions and effects produced by the semiconductor circuit device according to the second embodiment having the above-described configuration will be described. First, since the test coil 3 is electrically connected to the communication coil 11 of each semiconductor circuit device 1a, 1b, etc., for example, with respect to the test coil 3 connected to the communication coil 11 of the semiconductor circuit device 1a. For example, the operation check of the semiconductor circuit device 1a can be inspected by moving the head of a non-contact type semiconductor inspection device close to the head and performing the operation check inspection. At this time, since the communication coils 11 of the semiconductor circuit devices 1a, 1b, etc. have a short communication distance, they do not receive an inspection signal from the head and do not transmit an output signal. Therefore, the operation check of the semiconductor circuit device 1a can be accurately inspected without being obstructed by the output signal from the communication coil 11. In addition, since the inspection is based on a non-contact method, the semiconductor chip is not damaged by pin handling or the like, and the operation can be confirmed safely.
[0030]
Moreover, since the test coil 3 is scraped off in the dicing process of the process diagram shown in FIG. 11 similarly to the communication coil 11 in the first embodiment, the communication distance of the communication coil 11 is restored. Therefore, it is not necessary to separately perform a work for removing the test coil 3, and it is possible to efficiently inspect the operation check of the semiconductor circuit device.
[0031]
According to the semiconductor operating device in the second embodiment as described above, the test coil 3 having a wireless communication function is electrically connected to the communication coil 11 and the operation check inspection is performed on the test coil 3. By performing the above, it is possible to perform an operation check with high accuracy without being disturbed by an output signal from an adjacent semiconductor circuit device. Also, by providing the test coil 3 on the scribe line, the test coil 3 is scraped off along with the portion along the scribe line in the dicing process, so that there is no need to remove the test coil 3 and it operates efficiently. Confirmation inspection can be performed.
[0032]
Embodiment 3 FIG.
A semiconductor circuit device according to the third embodiment will be described. FIG. 10 shows the configuration of the semiconductor circuit device according to the third embodiment. The semiconductor circuit device in the third embodiment is substantially the same as that in the first embodiment. As shown in FIG. 10, the additional circuit 2 is provided on a circuit such as each of the semiconductor circuit devices 1a and 1b. The wiring circuit is connected to the communication coil 11 via a line for cutting the semiconductor circuit devices 1a, 1b and the like into a chip shape, that is, a scribe line. For this reason, this wiring circuit is cut off together with the portion along the scribe line when each semiconductor circuit device is cut into chips.
[0033]
The semiconductor circuit device according to the third embodiment has the above-described configuration, and the additional circuit 2 is electrically connected to the communication coil 11 of each of the semiconductor circuit devices 1a, 1b, etc. 1 produces the same effect.
[0034]
Further, when the semiconductor circuit devices 1a, 1b and the like are cut into chips in the dicing process of the process diagram shown in FIG. 11, a part of the wiring circuit of the additional circuit 2 is scraped off along with the part along the scribe line of the wafer. Therefore, the electrical connection state between the additional circuit 2 and the communication coil 11 is disconnected, and the resistance value between both ends of the communication coil 11 is restored to, for example, 100Ω. For this reason, the communication coil 11 recovers the communication distance to 2.5 mm. Therefore, it is not necessary to remove the additional circuit 2 separately or to perform an operation for disconnecting the electrical connection between the additional circuit 2 and the communication coil 11, and it is possible to efficiently check the operation of the semiconductor circuit device. It is.
[0035]
According to the semiconductor operating device in the present third embodiment as described above, the additional circuit 2 is electrically connected to the communication coil 11 and thus is disturbed by the output signal from the adjacent semiconductor circuit device. The operation check can be performed with high accuracy. Further, by connecting the wiring circuit of the additional circuit 2 to the communication coil 11 via the scribe line, the wiring circuit is scraped off together with the portion along the scribe line in the dicing process, so that the additional circuit 2 is removed or There is no need for work such as disconnecting the electrical connection between the additional circuit 2 and the communication coil 11, and the operation check can be performed efficiently.
[0036]
Other embodiments.
Although the inspection in each of the above-described embodiments is performed by a non-contact type, in addition to the non-contact type inspection, a contact type inspection may be further performed.
[0037]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor circuit device that can be accurately and efficiently inspected.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a semiconductor circuit device according to a first embodiment of the invention.
FIG. 2 is a configuration diagram showing a semiconductor circuit device according to a first embodiment of the invention.
FIG. 3 is a configuration diagram showing a semiconductor circuit device according to a first embodiment of the invention.
FIG. 4 is a block diagram showing a semiconductor circuit device in the first embodiment of the invention.
FIG. 5 is a circuit diagram showing the semiconductor circuit device according to the first embodiment of the invention.
6 is a diagram showing a resistance value and a communication distance of a communication coil 11 of the semiconductor circuit device according to the first embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 7 is a configuration diagram showing the semiconductor circuit device in a dicing process of the semiconductor circuit device in the first embodiment of the invention;
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a semiconductor circuit device according to a second embodiment of the invention.
FIG. 9 is a block diagram showing a semiconductor circuit device in a second embodiment of the invention.
FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing a semiconductor circuit device according to a third embodiment of the invention.
FIG. 11 is a diagram showing a manufacturing process of a semiconductor circuit device in the prior art.
FIG. 12 is a configuration diagram showing an operation check inspection of a semiconductor circuit device by a non-contact type semiconductor inspection device in the prior art.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a, 1b Semiconductor circuit device 2 Additional circuit 3 Test coil 4 Head 5 Pin 11 Communication coil 12 IC chip circuit 100 Surface protective film 101 Input / output terminal 102 Coil 103 Circuit formation part 104 Through-hole 105 Metal vapor deposition layer 106 Metal Plating layer 121 LA terminal 122 LB terminal 123 Ground circuit

Claims (5)

ウエハ上に形成された半導体回路装置であって、
無線通信機能を有する通信用アンテナと、
前記通信用アンテナと電気的に接続された、前記通信用アンテナの通信距離を短くする付加回路とを備え、当該付加回路がチップ状に切り出すライン上に設けられた半導体回路装置。
A semiconductor circuit device formed on a wafer,
A communication antenna having a wireless communication function;
A semiconductor circuit device comprising: an additional circuit that is electrically connected to the communication antenna and shortens a communication distance of the communication antenna, and the additional circuit is provided on a line cut out in a chip shape .
ウエハ上に形成された半導体回路装置であって、A semiconductor circuit device formed on a wafer,
無線通信機能を有する通信用アンテナと、A communication antenna having a wireless communication function;
前記通信用アンテナと電気的に接続された、前記通信用アンテナの通信距離を短くする付加回路とを備え、当該付加回路と前記通信用アンテナを接続する配線回路の一部がチップ状に切り出すライン上に設けられた半導体回路装置。An additional circuit that is electrically connected to the communication antenna and shortens a communication distance of the communication antenna, and a line in which a part of a wiring circuit that connects the additional circuit and the communication antenna is cut out in a chip shape A semiconductor circuit device provided above.
前記付加回路の代わりに、無線通信機能を有するアンテナを設けたことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置回路。  3. The semiconductor device circuit according to claim 1, wherein an antenna having a wireless communication function is provided instead of the additional circuit. ウエハ上に形成された半導体回路装置であって、A semiconductor circuit device formed on a wafer,
無線通信機能を有する通信用アンテナと、  A communication antenna having a wireless communication function;
前記通信用アンテナと電気的に接続された、前記通信用アンテナの通信距離を短くする無線通信機能を有するアンテナとを備えた半導体回路装置。A semiconductor circuit device comprising: an antenna having a wireless communication function that is electrically connected to the communication antenna and shortens a communication distance of the communication antenna.
無線通信用アンテナを一体に形成した半導体回路装置の製造方法であって、
前記無線通信用アンテナの通信距離を短くする付加回路を、チップ状に切り出すライン上に形成するステップと、
前記半導体回路装置の動作確認を行うステップと、
前記半導体回路装置をチップ状に切り出すステップとを備えた半導体回路装置の製造方法。
A method of manufacturing a semiconductor circuit device in which a radio communication antenna is integrally formed,
Forming an additional circuit for shortening the communication distance of the antenna for wireless communication on a line cut out in a chip shape;
Checking the operation of the semiconductor circuit device;
And a step of cutting the semiconductor circuit device into a chip shape.
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