JP3777243B2 - Mri装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、MR(Magnetic Resonance)イメージング方法およびMRI(Magnetic Resonance Imaging)装置に関し、さらに詳しくは、高いMTC(Magnetization Transfer Contrast)を得ることが出来るMRイメージング方法およびMRI装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
本発明に関連する従来例としては、例えば特開平9−108196号公報に記載のMRイメージング方法およびMRI装置がある。
このMRイメージング方法およびMRI装置では、データ収集したい目的の核種(例えば自由水プロトン)以外の核種(例えば結合水のプロトンや脂肪のプロトン)のNMR(Nuclear Magnetic Resonance)信号を抑制するため、目的外の核種をRF飽和させるMT(Magnetization Transfer)パルスを印加し、その後、目的の核種からデータを収集するための撮像シーケンスを実行している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術では、1つの励起パルスに対応させて1つのMTパルスを印加している。このMTパルスのエネルギーを大きくすれば(振幅とパルス幅を大きくすれば)、高いMTCを得ることが出来る。
しかし、MTパルスのエネルギーを大きくすると、被検体の電磁波吸収(Specific Absorption Rate)が大きくなり過ぎ、また、送信コイルや受信コイルの発熱が大きくなり過ぎる。すなわち、被検体の大きさ,送信コイルや受信コイルの発熱性能や放熱性能などのハードウエア条件によってMTパルスのエネルギーを大きくするのに制約(以下、ハードウエア制約という)がある。このハードウエア制約のためにエネルギーを十分に大きくできない従来のMTパルスでは、高いMTCを得ることが出来ない問題点があった。
そこで、本発明の目的は、ハードウエア制約の下でも従来よりMTパルスのエネルギーを大きくすることができ、これにより十分に高いMTCを得られるようにしたMRイメージング方法およびMRI装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
第1の観点では、本発明は、MTパルスを印加して目的外の核種をRF飽和させるMRイメージング方法において、1つの励起パルスに対応させて複数のMTパルスを印加することを特徴とするMRイメージング方法を提供する。
上記第1の観点によるMRイメージング方法では、1つの励起パルスに対応させて1つのMTパルスを印加するのではなく、1つの励起パルスに対応させて複数のMTパルスを印加するから、個々のMTパルスのエネルギーはハードウエア制約の下で小さくても、合計したMTパルスのエネルギーを従来より大きく出来る。従って、従来より十分に高いMTCを得られるようになる。
【0005】
第2の観点では、本発明は、目的外の核種を選択的にRF飽和させるためにMTパルスを印加するMTパルス印加手段を具備したMRI装置において、前記MTパルス印加手段は、1つの励起パルスに対応させて複数のMTパルスを印加しうることを特徴とするMRI装置を提供する。
上記第2の観点によるMRI装置では、前記第1の観点によるMRイメージング方法を好適に実施できる。
【0006】
第3の観点では、本発明は、目的外の核種を選択的にRF飽和させるためにMTパルスを印加するMTパルス印加手段を具備したMRI装置において、MTパルス繰り返し時間MT_timeと撮像シーケンス時間SQ_timeと繰り返し時間TRとに基づいて最適のMTパルス数Nを算出する最適MTパルス数算出手段を具備すると共に、前記MTパルス印加手段は、1つの励起パルスに対応させてN個のMTパルスを印加することを特徴とするMRI装置を提供する。
上記構成において、MTパルス繰り返し時間MT_timeとは、当該時間内に1つのMTパルスを存在させる時間を意味し、例えば撮像シーケンスにMTパルスを1つ付けた時間や,ある時間毎にMTパルスの印加を繰り返してもハードウエア制約を越えないような時間である。また、撮像シーケンス時間SQ_timeとは、励起パルスからリード勾配パルスまでの時間である(キラーパルスあるいはスポイラを印加する場合はそれらを加えた時間)。また、繰り返し時間TRとは、同一スライスに対して繰り返す撮像シーケンスの時間間隔である。
上記第3の観点のMRI装置では、撮像シーケンス時間SQ_timeと繰り返し時間TRとからMTパルスを印加し得る時間を求め、そのMTパルスを印加し得る時間とMTパルス繰り返し時間MT_timeとに基づいて印加し得るMTパルス数Nを算出する。そして、そのN個のMTパルスを1つの励起パルスに対応させて印加する。よって、上記第1の観点によるMRイメージング方法を好適に実施でき、従来より十分に高いMTCを得られるようになる。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、図に示す実施形態により本発明をさらに詳しく説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【0008】
−第1の実施形態−
図1は、本発明の第1の実施形態のMRI装置を示すブロック図である。
このMRI装置100において、マグネットアセンブリ1は、内部に被検体を挿入するための空間部分(孔)を有し、この空間部分を取りまくようにして、被検体に一定の静磁場を印加する静磁場コイル1pと、勾配磁場を発生するための勾配磁場コイル1g(勾配磁場コイルは、X,Y,Zの各軸のコイルを備えている)と、被検体にMTパルスや励起パルスを印加するための送信コイル1tと、被検体からのNMR信号を検出する受信コイル1rとが配置されている。静磁場コイル1pは静磁場電源2に接続され、勾配磁場コイル1gは勾配磁場駆動回路3に接続され、送信コイル1tはRF電力増幅器4に接続され、受信コイル1rは前置増幅器5に接続されている。
【0009】
シーケンス記憶回路6は、計算機7からの指令に従い、スピンエコー法やグラディエントエコー法等のパルスシーケンスに基づいて、勾配磁場駆動回路3を操作し、前記マグネットアセンブリ1の勾配磁場コイル1gから勾配磁場を発生させると共に、ゲート変調回路8を操作し、RF発振回路9からの高周波出力信号を所定タイミング・所定包絡線のパルス状信号に変調し、それをMTパルスや励起パルス等としてRF電力増幅器4に加え、RF電力増幅器4でパワー増幅した後、前記マグネットアセンブリ1の送信コイル1tに印加し、RFパルスを送信する。
【0010】
前置増幅器5は、マグネットアセンブリ1の受信コイル1rで検出された被検体からのNMR信号を増幅し、位相検波器10に入力する。位相検波器10は、RF発振回路9の出力を参照信号とし、前置増幅器5からのNMR信号を位相検波して、A/D変換器11に与える。A/D変換器11は、位相検波後のアナログ信号をデジタル信号に変換して、計算機7に入力する。
【0011】
計算機7は、A/D変換器11からのデジタル信号に対する画像再構成演算を行い、目的の励起領域のイメージ(プロトン密度像)を生成する。このイメージは、表示装置13にて表示される。
また、計算機7は、操作卓12から入力された情報を受け取るなどの全体的な制御を受け持つ。
さらに、計算機7は、MTパルス繰り返し時間MT_timeと撮像シーケンス時間SQ_timeと繰り返し時間TRとに基づいて最適のMTパルス数Nを算出し(最適MTパルス数算出処理)、そのN個のMTパルスを1つの励起パルスに対応させて印加するパルスシーケンスを設計し、シーケンス記憶回路6に渡す。
【0012】
図2は、本発明の第1の実施形態にかかる最適MTパルス数算出処理を示すフロー図である。
ステップS1では、MTパルス繰り返し時間MT_timeを計算する。第1の実施形態では、図3に示すように、スピンエコー法の撮像シーケンスにMTパルスを1つ付けた時間をMTパルス繰り返し時間MT_timeとする。なお、MTパルスの振幅とパルス幅は、MTパルスを印加した後、撮像シーケンスを続けても、ハードウエア制約を越えないような値とする。
ステップS2では、操作者は、繰り返し時間TRとスライス数slice を入力する。
ステップS3では、繰り返し時間TRをスライス数slice で除算し、1スライス当りの使用時間TR/sliceを計算する。
ステップS4では、次式により1撮像シーケンス当りのMTパルス数Nを算出する。
N=(TR/slice−SQ_time)/MT_time
例えば、TR=510ms,slice=3,SQ_time=50ms,MT_time=60msとすると、N=2となる。
ステップS5では、N個のMTパルスを1つの励起パルスに対応させて印加するパルスシーケンスを作成し、処理を終了する。
【0013】
図4は、TR=510ms,slice=3,SQ_time=50ms,MT_time=60msとした場合に作成されたスピンエコー法のパルスシーケンス図である。
このパルスシーケンスでは、2個のMTパルスを1つの励起パルス(90°)に対応させて印加するから、個々のMTパルスのエネルギーはハードウエア制約の下で小さくても、合計したMTパルスのエネルギーは従来より大きくなる。従って、従来より高いMTCを得ることが出来る。
【0014】
−第2の実施形態−
図5は、本発明の第2の実施形態にかかる最適MTパルス数算出処理を示すフロー図である。
ステップS11では、MTパルス繰り返し時間MT_timeを計算する。第2の実施形態では、図6に示すように、ある時間間隔でMTパルスの印加を繰り返してもハードウエア制約を越えないような時間間隔の最短のものをMTパルス繰り返し時間MT_timeとする。なお、模式的に表現すると、図6に示すMTパルス繰り返し時間MT_timeは、“MTパルスのパルス幅”と“MTパルスによるコイルの発熱が過渡に蓄積しない程度に放熱できる時間”の和である。なお、MTパルスの振幅とパルス幅は、MTパルスを印加した後、撮像シーケンスを続けても、ハードウエア制約を越えないような値とする。
ステップS12では、操作者は、繰り返し時間TRとスライス数slice を入力する。
ステップS13では、繰り返し時間TRをスライス数slice で除算し、1スライス当りの使用時間TR/sliceを計算する。
ステップS14では、次式により1撮像シーケンス当りのMTパルス数Nを算出する。ここで、WはMTパルス幅である。
N=(TR/slice−SQ_time−W)/MT_time+1
例えば、TR=480ms,slice=3,SQ_time=50ms,W=10ms,MT_time=20msとすると、N=6となる。
ステップS15では、N個のMTパルスを1つの励起パルスに対応させて印加するパルスシーケンスを作成する。
ステップS16では、作成したパルスシーケンスでハードウエア制約を越えないかチェックし、越えないなら処理を終了し、越えたならステップS17へ進む。
ステップS17では、MTパルスの振幅やパルス幅を小さくしたり,MTパルス数を間引いて、ハードウエア制約を越えないようにパルスシーケンスを修正する。そして、処理を終了する。
【0015】
図7は、TR=480ms,slice=3,SQ_time=50ms,W=10ms,MT_time=20msとした場合に作成されたスピンエコー法のパルスシーケンスである。
このパルスシーケンスでは、6個のMTパルスを1つの励起パルス(90°)に対応させて印加するから、個々のMTパルスのエネルギーはハードウエア制約の下で小さくても、合計したMTパルスのエネルギーは従来より大きくなる。従って、従来より高いMTCを得ることが出来る。
【0016】
図8は、図7のパルスシーケンスでハードウエア制約を越えた場合に第3スライスのMTパルスを間引くように修正したパルスシーケンスである。
このパルスシーケンスでは、第1スライスと第2スライスでは6個のMTパルスを1つの励起パルス(90°)に対応させて印加し、第3スライスでは5個のMTパルスを1つの励起パルス(90°)に対応させて印加するから、個々のMTパルスのエネルギーはハードウエア制約の下で小さくても、合計したMTパルスのエネルギーは従来より大きくなる。従って、従来より高いMTCを得ることが出来る。
【0017】
−他の実施形態−
上記第1の実施形態のステップS4および第2の実施形態のステップS14では、1撮像シーケンス当りのMTパルス数Nを算出したが、1TR当りのMTパルス数Mを算出しこれを各撮像シーケンスに配分するようにしてもよい。
【0018】
また、上記第1,第2の実施形態では、スピンエコー法のパルスシーケンスを例にとって説明したが、グラジエントエコー法のパルスシーケンスに対して本発明を適用してもよい。
【0019】
【発明の効果】
本発明のMRイメージング方法およびMRI装置によれば、1つの励起パルスに対応させて1つのMTパルスを印加するのではなく、1つの励起パルスに対応させて複数のMTパルスを印加するから、個々のMTパルスのエネルギーはハードウエア制約の下で小さくても、合計したMTパルスのエネルギーを大きくでき、十分に高いMTCを得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態にかかるMRI装置を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施形態にかかる最適MTパルス数算出処理を示すフロー図である。
【図3】スピンエコー法の撮像シーケンスにMTパルスを1つ付けたMTパルス繰り返し時間MT_timeの説明図である。
【図4】2個のMTパルスを用いたスピンエコー法のパルスシーケンス図である。
【図5】本発明の第2の実施形態にかかる最適MTパルス数算出処理を示すフロー図である。
【図6】MTパルスの印加を繰り返してもハードウエア制約を越えないような最短時間のMTパルス繰り返し時間MT_timeの説明図である。
【図7】6個のMTパルスを用いたスピンエコー法のパルスシーケンス図である。
【図8】図7のパルスシーケンスからMTパルスを間引いて修正したパルスシーケンス図である。
【符号の説明】
100 MRI装置
1 マグネットアセンブリ
2 静磁場電源
3 勾配磁場駆動回路
4 RF電力増幅器
5 前置増幅器
6 シーケンス記憶回路
7 計算機
8 ゲート変調回路
9 RF発振回路
10 位相検波器
11 AD変換器
12 操作卓
13 表示装置
Claims (3)
- 目的外の核種を選択的にRF飽和させるためにMTパルスを印加するMTパルス印加手段を具備したMRI装置において、
MTパルス繰り返し時間MT_timeと撮像シーケンス時間SQ_timeと繰り返し時間TRとに基づいて最適のMTパルス数Nを算出する最適MTパルス数算出手段を具備すると共に、
前記MTパルス印加手段は、1つの励起パルスに対応させてN個のMTパルスを印加しうることを特徴とするMRI装置。 - 請求項1に記載のMRI装置において、前記最適MTパルス数算出手段は、
N=(TR/slice−SQ_time)/MT_time
ここで、Nは1撮像シーケンス当りのMTパルス数、TRは繰り返し時間、sliceはスライス数を示す。
で表される式を実行することを特徴とするMRI装置。 - 請求項1に記載のMRI装置において、
前記MTパルス印加手段は、3枚以上のスライスのうち、最初のスライスから最後の1つ前のスライスまで、1つの励起パルスに対応させてN個のMTパルスを印加し、最後のスライスについては、1つの励起パルスに対応させてN−1個のMTパルスを印加することを特徴とするMRI装置。
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