JP3762091B2 - 近接場光リソグラフィー方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はナノメートルサイズの微細加工装置及び方法に関し、特に、微小開口を備えてなる近接場光ヘッドを用い、被加工面である被露光面を露光して微細加工を行う近接場光リソグラフィー方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体メモリの大容量化やCPUプロセッサの高速化・大集積化の進展とともに、光リソグラフィーのさらなる微細化は必要不可欠のものとなっている。
一般に光リソグラフィー装置における微細加工限界は、用いる光の波長程度である。このため、光リソグラフィー装置に用いる光の短波長化が進み、現在は近紫外線レーザーが用いられ、0.1μm程度の微細加工が可能となっている。
このように微細化が進む光リソグラフィーであるが、0.1μm以下の微細加工を行うためには、レーザーのさらなる短波長化、その波長域でのレンズ開発等解決しなければならない課題も多い。
【0003】
一方、光による0.1μm以下の微細加工を可能にする手段として、近接場光学顕微鏡(以下SNOMと略す)の構成を用いた微細加工装置が提案されている(Betzig 他、Science257(1992)189。
例えばエッチング等で尖鋭化した光ファイバープローブの先端に100nm以下の微小開口を形成し、他端からレーザー光を導入する。この微小開口から滲み出るエバネッセント光を用いてレジストに対し、光波長限界を越える局所的な露光を行う装置である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらのSNOM構成のリソグラフィー装置では、1本の加工プローブで一筆書きのように微細加工を行っていく構成であるため、スループットの向上を図る上で問題を有していた。
また、加工プローブに光を導入するためのアライメントに手間がかかるという問題点を有していた。
さらに、アライメント調整機構など装置構成が大掛かりになってしまい、装置の剛性が低下し、床振動や音響振動等の外来ノイズの影響を受けやすく、加工精度が低下する点等に問題があった。
【0005】
そこで、本発明は、上記従来のものにおける課題を解決し、高いスループットで100nm以下の微細加工を行うことができ、加工プローブに光を導入するためのアライメントが不必要で、床振動や音響振動等の外来ノイズの影響を受けにくく、加工精度の向上を図ることのできる近接場光リソグラフィー方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、近接場光リソグラフィー方法を、つぎのように構成したことを特徴とするものである。
【0007】
また、本発明の近接場光リソグラフィー方法は、微小開口部を備えてなる近接場光ヘッドを用い、前記微小開口の一方の側に光源より光りを照射し、他方の側にエバネッセント光を滲み出させて被加工物の被加工面に配されたレジストを露光する近接場光リソグラフィー方法であって、
弾性変形可能な複数のカンチレバー及び前記複数のカンチレバーの自由端にそれぞれ設けられた微小開口部を備えた微小開口カンチレバーユニットと、前記微小開口部に対応して複数の光源を備えた光源ユニットと、を積層配置してなる近接場光ヘッドを用意する工程と、
前記レジストの表面が前記複数のカンチレバーに設けられた全ての微小開口部に接触するように前記近接場光ヘッドと前記レジストとの位置合わせを行う工程と、
前記近接場光ヘッドの前記微小開口部と前記レジストの表面とが接触した状態で前記レジストの表面を該表面面内方向に相対的に移動させる2次元走査を行う工程と、
メモリーに蓄積された露光パターンデータに基づき、前記2次元走査に同期させて前記光源からの光照射/非照射を制御する露光タイミング制御を行う工程と、を有することを特徴としている。
また、本発明の近接場光リソグラフィー方法は、前記微小開口に対して前記レジストの表面を該レジスト表面面内方向に相対的に2次元ステップ移動させる工程を有することを特徴としている。
また、本発明の近接場光リソグラフィー方法は、前記2次元ステップ移動工程が、さらに前記レジストの表面において隣接するステップ移動前後の露光領域同士が重なり合い、かつ露光パターン同士がつながるようにステップ移動するものであることを特徴としている。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明は、近接場光リソグラフィー方法を上記のように構成したことにより、高いスループットで100nm以下の微細加工を行うことが可能となる。また、これにより加工プローブに光を導入するためのアライメントが不必要で、床振動や音響振動等の外来ノイズの影響を受けにくく、加工精度の向上を図ることが可能となる。以下に、本発明の実施例について説明する。
【0009】
【実施例】
図1は、本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられるフォトリソグラフィー装置の一例を示す図である。
同図において、近接場光ヘッド101が被加工物である基板102上のレジスト103に対向するように配置されている。
近接場光ヘッド101は、複数のマイクロ光ヘッド118から成り立っている。個々のマイクロ光ヘッド118において、光源である面発光レーザー104からのレーザー光107が撓み方向に弾性変形が可能なカンチレバー105の自由端に取り付けられた微小開口106に対して裏側(図1では上方)から照射されている。微小開口106の開口径は100nm以下である。微小開口106の先端は、基板102上レジスト103面に対して接触するように配置されている。
このとき、微小開口106の先端と基板102上レジスト103面との間に働く原子間力・分子間力・ファンデルワールス力・表面張力等により、カンチレバー105が弾性変形し、両者の間に働く力はほぼ一定に保たれている。このため、位置合わせ上の誤差によって近接場光ヘッド101全体が基板102上レジスト103面に対して近づく場合、強い斥力が加わることがなく、レジスト103や微小開口106先端を破壊することがない。逆に、遠ざかる場合も微小開口106先端がレジスト103面から離れてしまうことがない。
【0010】
微小開口106からはエバネッセント光109と呼ばれる光が滲み出しており、これを用いてレジスト103に露光を行う。以下、図2を用いてエバネッセント光の滲み出しについて説明する。
微小開口201の開口径がレーザー光202の光波長より小さい場合、レーザー光202は微小開口201を通り抜けることができない。しかしながら、微小開口201の近傍にはエバネッセント光203と呼ばれる非伝搬光が局在している。エバネッセント光203が滲み出している領域は、縦方向には微小開口201の先端から100nm以下の距離、横方向にはほぼ微小開口201の開口径程度の距離にある領域である。
エバネッセント光203が滲み出している微小開口201に対して100nm以下の距離まで基板204上のレジスト205面を近接させると、エバネッセント光203がレジスト205面によって散乱され、散乱光206となってレジスト中に伝搬する。この散乱光によってレジスト205の微小領域を露光することができる。このときの露光サイズは光波長の制限を受けず、微小開口201の開口径とほぼ同じ程度となる。
上述のように微小開口201から滲み出るエバネッセント光203を用いて露光を行うことにより、光を用いて光波長サイズより小さい100nm以下のフォトリソグラフィーが可能となる。
図1において、面発光レーザー104と微小開口106の間にレンズ108を設けることにより、レーザー光107を集光し、効率良く微小開口106近傍に照射することができる。これにより、微小開口106裏側で散乱光や熱になって無駄になる光を減らすことができ、微小開口106を構成する部材の発熱が押えられ、かつ面発光レーザー104の駆動電力も低減させることができるため面発光レーザー104における発熱を押えることができる。
【0011】
本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられるフォトリソグラフィー装置は、100nm以下の微細なパターンを露光するための装置であるため、発熱による装置の一部分あるいは全体の膨張は露光精度を下げる要因になってしまう。また、微細加工106を構成する部材の発熱は対向するレジストを熱的に劣化させる要因にもなる。以上の理由からレーザー光107をレンズ108により微小開口106近傍に集光することは装置全体の性能を向上させる上で極めて効果的である。
近接場光ヘッド101には複数のマイクロ光ヘッド118が2次元アレイ状に設けられており、基板102上レジスト103の複数の場所において同時に並列にエバネッセント光109による露光をおこなう。これにより、スループットを向上させることができる。
近接場光ヘッド101の断面構成を図3に、平面構成を図4に示す。
図3には、近接場光ヘッド101が微小開口カンチレバーアレイユニット301、マイクロレンズアレイユニット302、面発光レーザーアレイユニット303の3ユニットから構成されている例を示す。それぞれのユニットは後述するように別々に作製され、接着剤304、305で互いに接合されている。
図4では、9個のマイクロ光ヘッドが3行×3列に2次元アレイに並んで配置されている例を示したが、実際には100行×100列のようにより多い2次元配列や100行×1列のように1次元線状配列等システムに最適な配置を選べば良い。
【0012】
本実施例における近接場光リソグラフィー方法において、図1に示した構成の近接場フォトリソグラフィー装置を駆動して露光を行う手順を図5に示す。
まず初めに近接場光ヘッド101とレジスト103/基板102を対向させて配置するための粗い位置合わせおよびその後に続いて微細な位置合わせを行う。ここで、位置合わせには、図1中に示したxyz3軸方向の並進に関する位置合わせと3軸のまわりの回転αβθに関する位置合わせを含む。ここで、αはx軸回りの回転、βはy軸回りの回転、θはz軸回りの回転をいう。
図1に示したようにレジスト103/基板102はxyステージ110上に取り付けられる。xyステージ110はxyステップ移動ステージ119上に取り付けられる。さらにxyステップ移動ステージ119は位置合わせ機構111上に取り付けられ、位置合わせ回路113から出力される位置合わせ信号により、近接場光ヘッド101に対するレジスト103/基板102の横方向相対位置調整(xy方向、θ)、相対間隔調整(z方向)および相対傾き調整(α、β)を行う。
このとき、基板102上のレジスト103面における凹凸やうねりの存在と近接場光ヘッド101の作製上の誤差から複数の微小開口106先端とレジスト103面との距離にばらつきが生じる。そこで、すべての微小開口106先端がレジスト103面に接触するまで、レジスト103面に対して近接場光ヘッド101を近づける。微小開口がカンチレバーに取り付けられているため、微小開口先端とレジスト面との距離が小さいマイクロ光ヘッドはカンチレバーの弾性変形量が大きく、距離が大きいマイクロ光ヘッドはカンチレバーの弾性変形量が小さくなり、すべての微小開口先端とレジスト面との間に働く力をほぼ均等にすることができる。
粗い位置合わせおよび微細な位置合わせを行った後、xyステージ走査回路112から出力されるxyステージ走査信号により、近接場光ヘッド101に対してxy方向にレジスト103/基板102の2次元相対走査を行う。
2次元相対走査中に基板102上のレジスト面103に凹凸やうねりが存在しても、それぞれのマイクロ光ヘッドにおいてこれらの凹凸やうねりにならうようにカンチレバーの弾性変形量が変動することによって、すべての微小開口先端のレジスト面に対する接触状態を保つことができる。
【0013】
図6に2次元相対走査の詳細を示す。レジスト103/基板102等の被露光面610に対してマイクロ光ヘッド1〜9(601〜609)が一体として相対的に移動するため、被露光面610に対するマイクロ光ヘッド1〜9の走査軌跡(611〜619)は同じ形状となる。走査方法の一例として図6の走査軌跡に示すように、マイクロ光ヘッド並びのx方向のピッチと等しい距離だけx方向に主走査620を行いながら、y方向に位置を少しずらすようにマイクロ光ヘッド並びのy方向のピッチと等しい距離だけy方向に副走査621を行うようにする。これにより、近接場光ヘッド101が対向している被露光面610に対して全マイクロ光ヘッドで切れ目なく走査を行うことができる。
2次元走査を行いながら面発光レーザーを以下に示すように駆動して露光を行う。
図1に示すように、設計に応じて入力される加工パターン情報を加工パターンデーターメモリー114に入力し、このデータに基づき加工タイミング制御手段115がxyステージ走査回路112およびレーザー駆動回路116のタイミング制御を行う。具体的には、加工タイミング制御手段115からxyステージ駆動制御信号を出力し、xyステージ走査回路112の制御を行い、マイクロ光ヘッド118がレジスト103/基板102に対して所定の相対位置関係を満たすときに、レーザー駆動制御信号を出力し、レーザー駆動回路116の制御を行い、面発光レーザー104を駆動し、レジスト103の露光を行う。
レーザー駆動回路116は駆動配線117を通して近接場光ヘッド中の面発光レーザー104に接続されており、個々の面発光レーザー104を独立に駆動する。ここで面発光レーザー104が2次元アレイ状に並んでいる場合には、駆動配線117の数を減らすためにマトリックス的に駆動するようにしても良い。
【0014】
図6に示すような相対走査を行い、被露光面610に対する各マイクロ光ヘッド1〜9(601〜609)の位置に応じて、図7の波形に示すように各マイクロ光ヘッドの面発光レーザーの発光/非発光制御を行う。図7の各波形の横軸は時間を示すが、これは走査位置に対応し、横軸の1目盛が図6に点線で区切って示した各マイクロ光ヘッドの走査距離の1単位を表わしている。
図6に示すように相対走査を行いながら図7に示すように面発光レーザーを駆動させた結果得られる露光パターン801を図8に示す。被露光面610に対し全マイクロ光ヘッドで切れ目なく走査を行うようにするので、隣接するマイクロ光ヘッドが露光するパターン同士がつながるようにすることができる。
実際には、露光パターンの幅は10〜100nm程度であるが、1マイクロ光ヘッドの走査領域すなわち(マイクロ光ヘッド並びのx方向ピッチ)×(y方向ピッチ)を100μm×100μmとし、xyステージ110としてピエゾ素子等を用いれば、走査の駆動精度を10nm以下にすることができるため、隣接するマイクロ光ヘッドが露光するパターン同士がつながるような精度が得られる。
以上のようにして、レジスト103/基板102上の近接場光ヘッド101が対向する部分に露光パターンを形成することができる。
【0015】
次に、xyステップ移動回路120からのxyステップ移動信号をxyステップ移動ステージ119に入力し、レジスト103/基板102に対して近接場光ヘッド101をステップ移動させた後、隣の領域に露光パターンを形成する。図9に3×3=9個のマイクロ光ヘッドからなる近接場光ヘッドを3回ステップ移動(ステップ移動1〜3)させ、計4回の露光を行った例における露光領域の位置関係を示す。
実際に図9に示すようにステップ移動させながら計4回の露光パターン形成を行った例を図10に示す。計4回の露光パターンはそれぞれ同一のパターンでもよいし、異なるパターンでもよい。また、ステップ移動前後に隣接する露光パターン同士が接続するようなパターンでもよいし、まったく独立したパターンでもよい。
図10に示すようにステップ移動前後に隣接するパターン同士を接続する場合は、ステップ移動時の移動誤差を考慮し、1〜4回の露光領域がわずかずつ重なるようにステップ移動量を設定する。さらに、接続部分のパターンを大きいサイズにしておく。例えば、1回の露光領域を10.000mm×10.000mm、ステップ移動量を9.999mmとし、露光領域が1μmづつ重なるようにする。接続部分のパターンの大きさ(幅・長さ)を1μmとする。xyステップ移動ステージ119としてステッピングモーターによる回転ネジ送りステージ等を用いれば、ステップ移動の駆動精度を1μm以下にすることができるため、ステップ移動前後に隣接するパターン同士が接続するような精度が得られる。
以上のようにして、レジスト103/基板102に対して近接場光ヘッド101をステップ移動させ、複数回露光を行うことにより、広い面積に露光パターンを形成することができる。
【0016】
本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられるフォトリソグラフィー装置のスループットに関して実例を挙げて説明する。
装置の数値仕様を以下のように仮定する。
初期アライメント時間:100ms
最小露光パターンサイズ:10nm
最小露光パターン露光時間:10ns
マイクロ光ヘッド並びのピッチ:x方向100μm,y方向100μm
1マイクロ光ヘッドの2次元走査領域:100μm×100μm
マイクロ光ヘッド数:10000個(=x方向100×y方向100)
近接場光ヘッドサイズ(=1回の露光面積):10mm×10mm
全露光サイズ:100mm×100mm
全露光回数:100回(=x方向10×y方向10)
ステップ移動数:99回(=x方向10×y方向10−1)
1ステップ移動時間(ステップ移動後のアライメント時間を含む):100msこのとき、
1回の露光に要する時間=10ns×(100μm/10nm)
×(100μm/10nm)
=1s
全露光時間=1s×100+100ms+100ms×99
=〜110s
となる。
ここで、最小露光パターン露光時間を10nsと仮定したが、この値は面発光レーザーの光パワー、変調速度、レジストの感光効率(材料)によって異なり、これらを最適化することによりさらなる高速化が可能である。
本発明の近接場フォトリソグラフィーシステムでは、入力した露光パターンデータに基づき2次元走査中に面発光レーザーを駆動させて露光を行うため、マスクを必要としない。このため、マスク製作に要する時間を節約することができる。また、コンピュータを用いて露光パターンデータを簡単にかつ短時間で作成でき、パターンデータの変更も簡単に行うことができる。以上の特徴から本発明は、特にASICのような少量多品種生産用デバイス作製に適している。
【0017】
次に本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられる近接場光ヘッドの作製プロセスについて説明する。
図11、12は近接場光ヘッドを構成するユニットの一つである微小開口カンチレバーアレイユニットの作製プロセスを説明する図である。
表面に酸化膜(SiO2)1101を形成したSi(100)基板1102に対し、矩形開口1103を設け(図11a)、KOHで異方性エッチングを行うことにより、逆ピラミッド状の凹部1104を形成する(図11b)。低温で酸化膜(SiO2)1105を成長させ、凹部の先端形状を先鋭化する(図11c)。基板面法線1106を回転軸として基板1107を回転しながら、斜め方向からAuを蒸着し、凹部先端に微小開口を有するAl薄膜1108を形成する(図11d)。微小開口部分をレジスト1109でマスク後(図11e)Au薄膜1108をエッチングし、レプリカ微小開口1110を形成し、これをレプリカ微小開口基板1111とする(図11f)。
別のSi(100)基板1201に対し、LPCVDでSi3N4薄膜1202を形成し(図12a)、カンチレバーパターン1203を形成し、これをカンチレバー基板1204とする(図12b)。ここで、先にレプリカ微小開口1110を形成したレプリカ微小開口基板1111とカンチレバー基板1204とを圧力を加えて押し付け(図12c)、レプリカ微小開口1205をカンチレバーパターン1203上に圧着する(図12d)。最後に、基板裏面からKOHでバックエッチングを行い、微小開口1205を取り付けたカンチレバー1206を形成し、微小開口カンチレバーアレイユニットとする(図12e)。
【0018】
図13は近接場光ヘッドを構成するユニットの一つであるマイクロレンズアレイユニットの作製プロセスを説明する図である。
一価の陽イオンを含む多成分ガラス基板1301の表面に蒸着法やスパッタ法で金属膜や誘電体膜を成膜し、イオン交換阻止膜1302とした後、イオン交換用の円形開口1303を形成する(図13a)。続いて、このガラス基板1301を屈折率増加に寄与するドーパントイオンを含む溶融塩1304中に浸漬し、イオン交換領域1305を形成する(図13b)。イオン交換領域1305は、ドーパントイオン分布に応じた分布屈折率型レンズ部となる。このときガラス基板中の一価の陽イオンよりもイオン半径の大きいドーパントイオンを用いると、イオンの体積差に応じて基板表面が膨らみ、凸レンズ部が形成される。これをマイクロレンズアレイユニットとする。
図14は近接場光ヘッドを構成するユニットの一つである面発光レーザーアレイユニットの構成を説明する図である。
GaAs基板1401上にMBEやMOCVD、LPCVD等を用い、GaAlAs/AlAs多層膜、GaAlAs/GaAs量子井戸層、
GaAlAs/AlAs多層膜、Si3N4膜を成膜し、フォトリソグラフィーを用いて、DBRミラー1(1402)、2(1403)、活性層(1404)、電極1(1405)、2(1406)、ポリイミド絶縁部(1407)、Si3N4絶縁部(1408)を形成する。これを面発光レーザーアレイユニットとする。
ここでは、発振波長が0.8μm程度であるGaAlAs/GaAs系の面発光レーザーの例を示したが、用いるレジストの感度の光波長依存特性に応じて他の材料系の面発光レーザーでも良い。例えば、GaInAlN/GaAlN等の
GaN系の材料を用いて面発光レーザーを構成すると、発振波長が0.3〜0.5μmとなり、通常の近紫外線フォトリソグラフィーで用いられるレジストを利用することができる。
図15は近接場光ヘッドを構成するマイクロレンズとして、回折格子レンズ1501を用いた例を示す。回折格子レンズは回折格子による光回折を利用し、光を集光するもので、図13に示した屈折を用いたレンズに比べ、小型・軽量・コンパクトに形成できる。しかも、高次の回折を用いてより高NAのレンズが実現できるという特徴を有している。従って、回折格子レンズを本発明の近接場光ヘッドに用いた場合、より小型・軽量・コンパクトかつ、より高効率の近接場光ヘッドを実現できる。
図16は回折格子レンズを用いたマイクロレンズアレイユニットの作製プロセスを説明する図である。ガラス基板1601に回折格子レンズパターンのマスク1602を設けエッチングを行い、回折格子レンズ1603を作製する。
上述の実施例を通じて、光源として面発光レーザーを用いた例を示したが、本発明はこれに限定されるものでなく、面発光LEDを用いてもよい。面発光LEDを用いた場合、微小開口から滲み出る光の干渉性が減少するため、反射光や散乱光等の迷光が存在する場合に生じる可能性のあった光ビーム形状のくずれを避けることができるという効果を有する。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の近接場光リソグラフィー方法においては、被加工面に対向して配置した微小開口を備えてなる近接場光ヘッドに対し、該被加工物の表面を所定以下の距離まで接近させて位置合わせし、該近接場光ヘッドを該被加工面である被露光面に対して相対的に2次元走査して、該近接場光ヘッドの位置に応じて光源からの光照射/非照射を制御し、該微小開口先端から滲み出るエバネッセント光により、該被露光面を露光して微細加工を行うようにしたことにより、100nm以下の微細加工を高いスループットで行うことができる。
また、本発明によると、加工プローブに光を導入するためのアライメントが不必要となり、床振動や音響振動等の外来ノイズの影響を受けにくく、加工精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられるフォトリソグラフィー装置を表す図である。
【図2】 微小開口から惨み出すエバネッセント光を用いた露光の原理を説明する図である。
【図3】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられる近接場光ヘッドの断面構成図である。
【図4】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられる近接場光ヘッドの平面構成図である。
【図5】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法において近接場光リソグラフィー装置を駆動して露光を行う手順を示す図である。
【図6】 本発明の実施例における被露光面に対するマイクロ光ヘッドの2次元相対走査の詳細を示す図である。
【図7】 本発明の実施例における各マイクロ光ヘッドにおける面発光レーザーの発光/本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられる非発光制御の波形図である。
【図8】 本発明の実施例における近接場光ヘッドを相対走査し、面発光レーザーを駆動させて得られる露光パターン例を示す図である。
【図9】 本発明の実施例における近接場光ヘッドをステップ移動・露光を行った場合の露光領域の位置関係を示す図である。
【図10】 本発明の実施例における近接場光ヘッドをステップ移動し行った露光パターン形成例を示す図である。
【図11】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられる微小開口カンチレバーアレイユニットの作製プロセスの説明図である。
【図12】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられる微小開口カンチレバーアレイユニットの作製プロセスの説明図である。
【図13】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられるマイクロレンズアレイユニットの作製プロセスの説明図である。
【図14】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられる面発光レーザーアレイユニットの構成説明図である。
【図15】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられるマイクロレンズとして、回折格子レンズを用いた例を示す図である。
【図16】 本発明の実施例における近接場光リソグラフィー方法に用いられる回折格子レンズを用いたマイクロレンズアレイユニットの作製プロセスの説明図である。
Claims (3)
- 微小開口部を備えてなる近接場光ヘッドを用い、前記微小開口の一方の側に光源より光りを照射し、他方の側にエバネッセント光を滲み出させて被加工物の被加工面に配されたレジストを露光する近接場光リソグラフィー方法であって、
弾性変形可能な複数のカンチレバー及び前記複数のカンチレバーの自由端にそれぞれ設けられた微小開口部を備えた微小開口カンチレバーユニットと、前記微小開口部に対応して複数の光源を備えた光源ユニットと、を積層配置してなる近接場光ヘッドを用意する工程と、
前記レジストの表面が前記複数のカンチレバーに設けられた全ての微小開口部に接触するように前記近接場光ヘッドと前記レジストとの位置合わせを行う工程と、
前記近接場光ヘッドの前記微小開口部と前記レジストの表面とが接触した状態で前記レジストの表面を該表面面内方向に相対的に移動させる2次元走査を行う工程と、
メモリーに蓄積された露光パターンデータに基づき、前記2次元走査に同期させて前記光源からの光照射/非照射を制御する露光タイミング制御を行う工程と、
を有することを特徴とする近接場光リソグラフィー方法。 - 前記微小開口に対して前記レジストの表面を該レジスト表面面内方向に相対的に2次元ステップ移動させる工程を有することを特徴とする請求項1に記載の近接場光リソグラフィー方法。
- 前記2次元ステップ移動工程が、さらに前記レジストの表面において隣接するステップ移動前後の露光領域同士が重なり合い、かつ露光パターン同士がつながるようにステップ移動するものであることを特徴とする請求項2に記載の近接場光リソグラフィー方法。
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