JP3761817B2 - 低温での加熱素子の寿命を延ばす方法 - Google Patents
低温での加熱素子の寿命を延ばす方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3761817B2 JP3761817B2 JP2001585126A JP2001585126A JP3761817B2 JP 3761817 B2 JP3761817 B2 JP 3761817B2 JP 2001585126 A JP2001585126 A JP 2001585126A JP 2001585126 A JP2001585126 A JP 2001585126A JP 3761817 B2 JP3761817 B2 JP 3761817B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- moisture content
- volume
- atmosphere
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 206010035148 Plague Diseases 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/148—Silicon, e.g. silicon carbide, magnesium silicide, heating transistors or diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/018—Heaters using heating elements comprising mosi2
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明は、低温における加熱素子(heating elements; 発熱体)の耐用寿命(一層具体的に言えば、ケイ化モリブデン、ケイ化モリブデンタングステン、及びこれらベース材料の種々の合金を含有する素子の耐用寿命)を引き延ばす方法に関する。そのような諸素子は、比較的多くの用途で、本出願人によって製造されている。
【0002】
そのような諸素子を比較的低い温度で(例えば、約400〜500℃の温度で)作動させる場合、それら素子を高温で作動させる場合とは対照的に、シリカの保護性スケール(scale)(いわゆるガラス層)は全く形成されない。それどころか、それら素子は、それら素子の表面上にMoO3及びSiO2から成る非保護性層が形成することを意味する、いわゆるペスト(pest)をこうむる。この混合物は、多孔質であり、容易に崩壊して、それら素子の耐用寿命を著しく縮める結果となる。
【0003】
しかし、それにもかかわらず、それら素子が最良の選択肢である用途が存在する。これに関する1つの例は、電子回路を製造する場合のLPCVD(低圧化学蒸着)室を加熱する場合に見出される。
それら加熱素子の低温特性は、それら素子を約1500℃以上の温度で予備酸化してSiO2の膜を形成することによって改善することができる。そのような膜によって、ペストの形成は鈍化する。
提案する本方法によって、そのような加熱素子の耐用寿命は著しく引き延ばされる。
【0004】
従って、本発明は、ケイ化モリブデンと、ケイ化モリブデン・タングステンと、これらベース材料の種々の合金とを本質的に含有する加熱素子の耐用寿命であって、該加熱素子が400〜800℃の範囲の温度のような比較的低い温度で作動するときの該耐用寿命を延命する方法において、前記加熱素子が作動するとき、該加熱素子の周囲の雰囲気が約1体積%未満の含水率を有するようにすることを特徴とする、上記方法に関する。
【0005】
本発明は、加熱素子の周囲の気体の酸素含量は非常に大きいにもかかわらず、その気体の含水率が低レベルに保持されているとき、酸化物生成物MoO3及びSiO2はほとんど形成されないという驚くべき洞察に基づいている。
次に、添付図面を参照しつつ、本発明を一層詳細に説明する。
【0006】
本発明は、ケイ化モリブデンと、ケイ化モリブデン・タングステンと、これらベース材料の種々の合金とを本質的に含有する諸加熱素子の耐用寿命であって、それら加熱素子が400〜800℃の範囲の温度のような比較的低い温度で作動するときの該耐用寿命を引き延ばす方法に関する。それら加熱素子がいわゆるペスト(pest)をこうむるのは、この温度範囲である。それら加熱素子が作動する温度は、一方では、加熱素子を使用する方法によって変化し、他方では、加熱素子が造られている材料の組成によって変化する。
【0007】
ペストとは、MoSi2及びO2からのMoO3及びSiO2が形成されることである。この酸化物混合物は、比較的多孔質であり、従って、持続性酸化に対して如何なる保護をも与えない。
本発明によると、それら加熱素子が作動するときの、それら加熱素子の周囲の雰囲気は、約1体積%未満の含水率を有するようにする。これによって、ペストの成長が著しく減少する結果となる。
【0008】
図1は、450℃の種々の雰囲気における、MoO3及びSiO2の酸化物の厚さを示す。図1の乾燥空気は、その空気が0.0005体積%の含水率を有することを意味する。酸素ガス(O2)は、同様に乾燥している。[O2+10%H2O]は、10体積%の水分を有する酸素ガスを意味する。
図1から、乾燥空気と乾燥酸素ガスの両者については、酸化物の成長が著しく制限され本質的に同じであるのに対して、周囲雰囲気が10体積%の水分を含有する場合、成長速度が10倍以上大きいことは明らかである。
【0009】
図2は、450℃の加熱素子温度での加熱素子の周囲の雰囲気の含水率(体積%)の関数としての、前記酸化物の形成によって生じた物質の重量の増加を示す。
図2から明らかなように、酸化、ペストの形成は、含水率と共に直線的に増大する。
【0010】
異なる酸化物の構造は周囲雰囲気の異なる含水率で形成されることが立証された。
無定形SiO2中に埋めこまれている結晶、すなわちMoO3結晶から成る酸化物が、450℃で72時間後及び210時間後にそれぞれ形成した。これら2種の酸化物の間の量の比は一定であることが分かった。
【0011】
10体積%の水分を含有する酸素ガス雰囲気中で、72時間後及び210時間後にそれぞれ一層大きいMoO3結晶が形成した。[SiO2の割合]対[MoO3の割合]も時間と共に減少することが分かった。
このように、周囲雰囲気の含水率は、形成される酸化物の構造及び量の割合に影響を与えた。形成される酸化物の構造及び量の割合は、上記に解説した通り、周囲ガスの含水率の関係で酸化物の成長に大きな差異が生じることについて相当の説明を与えるものである。
【0012】
周囲雰囲気中の酸素含量が、酸化物の成長にあまり影響を与えないことも指摘することができる。
序文で述べた通り、前述の素子は、幾つかの工業的プロセスにおいて前記の温度で使用される。
【0013】
前述のように、本発明は、周囲雰囲気の含水率が約1体積%以下となるようにすることを特徴とする。図2は、含水率が約1体積%以下のときの酸化物の成長が、完全に乾燥した雰囲気の場合よりもほんのわずか大きいことを示す。
しかし、周囲雰囲気の含水率は約0.5体積%未満のレベルにすることが好ましい。
【0014】
本発明の1つの好ましい態様によると、それら加熱素子の周囲の雰囲気は、前述の含水率を有する空気から成る。この乾燥空気は、市販のプラント及び装置を用いて造ることができる。乾燥空気はまた、空気圧シリンダー(air cylinders)で入手することができる。
【0015】
もう1つの好ましい態様によると、その雰囲気は、前述の含水率を有する酸素ガスから成る。この目的のためには、ビン詰めの乾燥酸素ガスを使用することができる。
選定する雰囲気は、加熱素子を使用するプロセスによって決まる。
【0016】
空気及び酸素ガス以外の雰囲気は、酸化物の形成に関し、その雰囲気が本発明による含水率を有するという条件で、類似の結果を与えるものと思われる。例えば、窒素ガス又は不活性ガスは使用することが可能であるように思える。
従って、本発明は、加熱素子の周囲の前記諸雰囲気に限定しないように考えるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】 種々の気体についての、時間の関数としての酸化物の厚さを例示するグラフである。
【図2】 周囲気体の含水率の関数としての、酸化によって生じた重量の増加を例示する。
Claims (3)
- ケイ化モリブデンと、ケイ化モリブデンタングステンと、これらベース材料の種々の合金とを本質的に含有し、二酸化ケイ素の層を有していないか又は二酸化ケイ素の層に乏しい加熱素子の耐用寿命であって該加熱素子が400〜800℃の範囲の温度のような比較的低い温度で作動するときの該耐用寿命を引き延ばす方法において、前記加熱素子が作動するとき、該加熱素子の周囲の雰囲気が0.5体積%未満の含水率を有するようにすることを特徴とする、上記方法。
- 雰囲気が、約0.5体積%未満の含水率を有する空気から成る、請求項1に記載の方法。
- 雰囲気が、約0.5体積%未満の含水率を有する酸素ガスから成る、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0001846-5 | 2000-05-18 | ||
SE0001846A SE519027C2 (sv) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement vid lägre temperatur |
PCT/SE2001/001081 WO2001089266A1 (en) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | A method of increasing the length of life of heating elements at low temperatures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003533858A JP2003533858A (ja) | 2003-11-11 |
JP3761817B2 true JP3761817B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=20279729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001585126A Expired - Fee Related JP3761817B2 (ja) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | 低温での加熱素子の寿命を延ばす方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6707016B2 (ja) |
EP (1) | EP1283004A1 (ja) |
JP (1) | JP3761817B2 (ja) |
KR (1) | KR100510949B1 (ja) |
CN (1) | CN1173600C (ja) |
AU (1) | AU2001260896A1 (ja) |
SE (1) | SE519027C2 (ja) |
WO (1) | WO2001089266A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE520149C2 (sv) * | 2000-09-29 | 2003-06-03 | Sandvik Ab | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement av molybdensilicidtyp vid lägre temperatur |
SE521796C2 (sv) * | 2002-04-05 | 2003-12-09 | Sandvik Ab | Förfarande för tillverkning av ett värmeelement av molybdensilicidtyp jämte ett värmeelement |
WO2003087016A1 (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-23 | Sandvik Ab | Method of making a heating element of molybdenum silicide type |
SE521794C2 (sv) * | 2002-04-05 | 2003-12-09 | Sandvik Ab | Tillverkningsförfarande för ett värmeelement av molybdensilicidtyp, jämte ett värmeelement |
DE10357824A1 (de) | 2003-12-09 | 2005-07-14 | Kuka Roboter Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben zusammenarbeitender unterschiedlicher Geräte |
EP2344428B1 (en) * | 2008-10-22 | 2013-12-11 | Sandvik Intellectual Property Ab | Molybdenum silicide composite material |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088140B2 (ja) * | 1992-05-08 | 1996-01-29 | 株式会社リケン | 二珪化モリブデンヒータの製造方法 |
SE504235C2 (sv) * | 1995-04-11 | 1996-12-09 | Kanthal Ab | Elektriskt motståndselement av molybdensilicidtyp |
AU2245395A (en) | 1995-04-11 | 1996-10-30 | Micropyretics Heaters International | Ceramic, intermetallic or metal ceramic composites with a re duced susceptibility to pesting |
JPH10104067A (ja) | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Fuji Electric Co Ltd | 二珪化モリブデン複合セラミックス赤外線光源もしくは発熱源 |
JPH10324571A (ja) | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Riken Corp | 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法 |
JP3657800B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2005-06-08 | 株式会社リケン | 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法 |
US6143206A (en) * | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor |
JP3001857B1 (ja) * | 1998-07-31 | 2000-01-24 | 株式会社ジャパンエナジー | 耐低温酸化特性に優れた電極部を有するMoSi2を主体とする発熱材料 |
SE520251C2 (sv) * | 1999-05-20 | 2003-06-17 | Sandvik Ab | Motståndselement av molybdensilicidtyp för sintring av metallpulver |
SE9904170L (sv) * | 1999-11-18 | 2000-12-11 | Sandvik Ab | Molybdensilicid-material med hög hållfasthet |
-
2000
- 2000-05-18 SE SE0001846A patent/SE519027C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-05-16 EP EP01934742A patent/EP1283004A1/en not_active Withdrawn
- 2001-05-16 WO PCT/SE2001/001081 patent/WO2001089266A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-05-16 US US10/275,168 patent/US6707016B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-16 CN CNB018095739A patent/CN1173600C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-16 AU AU2001260896A patent/AU2001260896A1/en not_active Abandoned
- 2001-05-16 JP JP2001585126A patent/JP3761817B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-16 KR KR10-2002-7015271A patent/KR100510949B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6707016B2 (en) | 2004-03-16 |
AU2001260896A1 (en) | 2001-11-26 |
KR20030020279A (ko) | 2003-03-08 |
SE0001846L (ja) | 2001-11-19 |
US20030150851A1 (en) | 2003-08-14 |
JP2003533858A (ja) | 2003-11-11 |
SE0001846D0 (sv) | 2000-05-18 |
KR100510949B1 (ko) | 2005-10-10 |
CN1429468A (zh) | 2003-07-09 |
WO2001089266A1 (en) | 2001-11-22 |
CN1173600C (zh) | 2004-10-27 |
EP1283004A1 (en) | 2003-02-12 |
SE519027C2 (sv) | 2002-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7696103B2 (en) | Method for purifying silicon carbide coated structures | |
BR0308835A (pt) | Corpos de mulita e métodos para formar corpos de mulita | |
JP3761817B2 (ja) | 低温での加熱素子の寿命を延ばす方法 | |
Chiu et al. | The structure, electrical and sensing properties for CO of the La0. 8Sr0. 2Co1− xNixO3− δ system | |
JP2003500812A (ja) | 抵抗加熱素子 | |
WO2003039717B1 (en) | Metamorphosed mineral compositions having internal lattice defects and methods of making and using the same | |
KR100635963B1 (ko) | 규화몰리브덴 타입의 발열 소자와 그 제조 방법 | |
JP4571373B2 (ja) | モリブデン二ケイ化物からなる加熱要素の低温度における寿命の改良方法 | |
JP3331447B2 (ja) | サーミスタ用磁器組成物の製造方法 | |
KR100635962B1 (ko) | 규화몰리브덴 타입의 발열 소자와 그 제조 방법 | |
JP3857384B2 (ja) | 半導体ガスセンサ | |
US3956193A (en) | Conductivity of silicon nitride | |
Ullmann-Papst et al. | Corrosion of SiSiC in Gases Containing HCl | |
Berdinsky | Fullerite films-new material for sensor electronics | |
JP2002367981A5 (ja) | ||
JPH06275133A (ja) | 炭素クラスター薄膜を用いた素子およびその製造方法 | |
JPS6385346A (ja) | ガスセンサ | |
JP2003002767A (ja) | 金属溶湯用セラミック有底管 | |
JPS6385345A (ja) | ガスセンサ | |
KR910019128A (ko) | 감열기록 소자의 제조방법 | |
JPS634851A (ja) | 可燃性ガスの酸化触媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050322 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050606 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050617 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050809 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050809 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050809 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050926 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051013 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051013 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |