JP3760396B2 - Wiring board manufacturing method - Google Patents

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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば基板表面に無電解メッキ層および電解メッキ層からなる配線層を有する配線基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、例えば樹脂製配線基板の表面に配線層を形成する場合には、通常、無電解メッキや電解メッキによって配線層を形成しており、この配線層の形成方法として、セミアディティブ法と呼ばれる方法が知られている。
【0003】
このセミアディティブ法によれば、例えば、以下のような手法で例えば銅からなる銅配線層が形成される(図3参照)。
▲1▼基板表面全体にパラジウム(Pd)のメッキ触媒核をつける。
▲2▼無電解銅(Cu)メッキにより、基板表面全体に1〜2μm厚の無電解銅(Cu)メッキ層を形成する。
▲3▼感光性フィルムを貼り、露光・現像を行う。
▲4▼基板端に電極をつけて、露出した無電解銅(Cu)メッキ層上に電解銅メッキ(硫酸銅メッキ)を行って、無電解銅(Cu)メッキ層上に15μm厚の電解銅(Cu)メッキ層を形成する。
▲5▼感光性フィルムを剥がし、ソフトエッチングでフィルム下の無電解銅(Cu)メッキ層を除去し、銅配線層(Cu配線)を完成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記したセミアディティブ法では、配線層を形成する場合には、余分な無電解メッキ層を除去するために、エッチング(ソフトエッチング)を行うが、このとき、エッチングが不足すると配線層間にエッチング残りが生じ、ショートの原因となる。
【0005】
また、余分な無電解メッキ層を完全に除去するために。過剰にエッチングを行うと、オーバーエッチングが生じ、配線層の細り、断線、剥がれ等の不具合が発生してしまう。
【0006】
また、このようなエッチング残りはオーバーエッチングは、同じ配線基板内で同時に発生することもある。すなわち、一つの配線基板内でも、ある部分においてはオーバーエッチングが生じ、他の部分ではエッチング残りが生じることがある。これは、無電解メッキ層内の金属粒子の配列が、配線基板内では必ずしも一様ではなく、微妙な相違があるため、それが影響してエッチング速度が基板内でも差を生じるものと推察される。
【0007】
そのため、従来では、このような問題を回避するため、例えば下記に示すような対策を施す必要があった(図4参照)。
▲1▼基板表面全面に、無電解銅(Cu)メッキ層を形成する。
▲2▼無電解メッキ層の表面に、レジストパターンを形成する。
▲3▼レジストパターンの開口部の無電解銅(Cu)メッキ層上に電解銅(Cu)メッキ層を形成する。
▲4▼電解銅(Cu)メッキ層上に、エッチングガード用のマスキングを施す。
▲5▼レジストパターンを除去する。
▲6▼エッチングにより、無電解銅(Cu)メッキ層を除去する。
▲7▼マスキング(層)を除去して、銅配線層(Cu配線)を完成する。
▲8▼銅配線層(Cu配線)に黒化処理を施す。
【0008】
つまり、この方法は、銅配線層を保護するためのオーバーエッチング対策として、電解銅メッキ層の上にマスキングやガードメッキを施してエッチングを行うものである。しかし、この方法では、マスキングやガードメッキを施す必要があり、配線層を形成する工程が非常に複雑化し、コスト高を招くという問題があった。
【0009】
本発明は、前記課題に鑑み、配線基板を製造する場合に、作業が容易で、しかも、オーバーエッチングやエッチング残り等の不具合を効果的に防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための請求項1の発明は、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成した構造を有する配線基板において、前記基板表面に、無電解メッキにより無電解メッキ層を形成する工程と、前記無電解メッキ層上に、所定パターンの開口部を有するメッキレジスト層を形成する工程と、前記パターンの開口部に対応した無電解メッキ層上に、電解メッキにより電解メッキ層を形成する工程と、前記メッキレジスト層を除去する工程と、前記無電解メッキ層に加熱処理を施す加熱工程と、前記メッキレジスト層を除去した箇所に対応する余分な無電解メッキ層を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法を要旨とする。
【0011】
本発明によれば、加熱処理を施すことにより、後のエッチング工程におけるエッチング速度のバラツキがなくなり、基板全体にわたってほぼ均一な速度でエッチングされるので、基板内で局部的にオーバーエッチングになったり、あるいはエッチング残りが生じることがなくなる。
この理由は、加熱処理によって、無電解メッキ層中の金属粒子の配列が均一になり、エッチング速度も均一化されるものと推察される。
【0012】
さらに、請求項2の発明は、前記無電解メッキ層の厚さが、0.3〜0.9μmであることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
本発明は、オーバーエッチングやエッチング残り、さらにはピンホールのない好適な配線基板を製造する方法を示している。
【0013】
具体的には、まず、基板表面に厚さ0.3〜0.9μmの厚さの無電解メッキ層を形成し、その無電解メッキ層上にメッキレジスト層(感光性レジスト)を形成する。そして、メッキレジスト層の開口部における無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成し、メッキレジスト層を除去した後に、無電解メッキ層に加熱処理を施し、その後、エッチングにより余分な無電解メッキ層を除去する。
【0014】
つまり、本発明では、無電解メッキ層にはエッチング前に加熱処理が施されており、さらに、無電解メッキ層の厚みが0.9μm以下と薄いので、わずかの時間のエッチングを施すだけで、マスキングやガードメッキを施さずとも、電解メッキ層を損なうことなく、速やかに電解メッキ層を除去できる。しかも、配線基板全体にわたって均一なエッチング速度でエッチングされるので、エッチング条件を厳しくコントロールしなくても、オーバーエッチング(図2(a)参照)やエッチング残りの恐れがないので、その点からも作業能率は大きく向上する。また、マスキングやガードメッキを施す必要がないので製造工程を単純化することができる。また、無電解メッキ層の厚みを0.9μmと薄くしたので、無電解メッキ層を形成する時間を短くすることができ、製造コストの低減にも寄与することができる。
【0015】
さらに、無電解メッキ層の厚さは、0.3μm以上であるので、無電解メッキにより、基板表面を確実に覆うことができる。その為、後に電解メッキを行っても、形成される配線層にピンホール(図2(b)参照)を生じることがない。
【0017】
本発明では、エッチング工程の後に、基板表面をエッチングするので、基板表面に残存した無電解メッキ層が点在していても、これを基板表面の樹脂と一緒に除去できる。基板表面のエッチング液は、基板表面の材質に応じて、適宜選定して用いればよいが、例えば過マンガン酸カリウム溶液などが用いられる。
【0018】
本発明のメッキレジスト層の材料としては、例えば、感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が好適である。すなわち、この感光性樹脂に対して、露光現像等の処理を行うことにより、所望のレジストパターン、すなわち、形成する配線パターンの周囲を形成するいわゆるネガパターンを形成することができる。
【0019】
なお、感光性樹脂を基板表面に配置する方法としては、感光性樹脂をスクリーン印刷やスピンコート等により塗布する方法や、感光性樹脂からなる感光性フィルムを貼り付ける方法が採用できる。
【0020】
前記配線層の種類としては、銅、ニッケル、金、銀等の導電性を有する金属からなる配線層が挙げられるので、無電解メッキ層や電解メッキ層は、これらの配線に用いられる金属から構成されている。
また、前記無電解メッキを行う場合には、その前処理として、無電解メッキ層を形成する場所(開口部)に対して、無電解メッキの成長核(Pd、Au等)を付着させておく方法が採用できる。
【0021】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の例(実施例)について、図1および図2を参照して、順次説明する。なお、本実施例の配線基板の製造方法は、いわゆるセミアディティブ法を改良したものである。
【0022】
(1)最初に、下地を形成するために、BT基板3の表面にエポキシ樹脂(プロビコート;商品名)を塗布し、150℃で1時間加熱して硬化させ、下地層5を形成する。
(2)次に、形成する銅配線層7との密着性を高めるために、前記下地のエポキシ樹脂を過マンガン酸カリウム水溶液により樹脂エッチングして、表面を粗化する処理を行う。これにより、図1(a)に示すようにBT基板3と下地層5からなる基板Sを作成しておく。
【0023】
(3)次に、図1(b)に示すように、無電解メッキの前処理として、周知のキャタリスト処理およびアクセラレーター処理で、基板Sの表面全体にPd核を付着させる。
(4)次に、図1(c)に示すように、無電解銅メッキ材料(メルテックス社製のエンプレートCu406A;商品名)を用いて、Pd核を付着させた部分(つまり基板Sの表面全体)に周知の無電解メッキを行い、厚さ0.3〜0.9μmの範囲の(例えば、厚さ0.7μm)の無電解銅メッキ層9を形成する。
【0024】
つまり、このときに、無電解銅メッキ層9の厚さを0.7μmに制御するのであるが、具体的には、メッキ時間をコントロールし、更にメッキ液の組成を安定させるために自動分析補充装置によるメッキ液管理を行うことにより、無電解銅メッキ層9の厚さを調節する。
【0025】
(5)次に、図1(d)に示すように、無電解銅メッキ層9上にドライフィルムを20μmの厚みで貼り付け、感光性エポキシ樹脂層13を形成する。
(6)次に、フォトマスク(図示しない)を用いて、前記感光性エポキシ樹脂層13に対してUV露光を行い、銅配線層7を形成する部分以外の箇所を硬化させる。
【0026】
(7)次に、図1(e)に示すように、炭酸ナトリウム1%水溶液で、未露光部分(つまり、銅配線層7形成部分)のエポキシ樹脂を溶解させて除去する。したがって、前記感光性エポキシ樹脂層13のうち、溶解除去されない部分が、後述するメッキ処理におけるメッキレジスト層15となる。
【0027】
(8)次に、図1(f)に示すように、無電解銅メッキ層9に対して電流を流して、電解銅メッキ液(ワールドメタル社製の硫酸銅メッキ液 ACB−90;商品名)を用いて、周知の電解メッキを行い、15μmの厚さの電解銅メッキ層11を、無電解銅メッキ層9上に形成する。
【0028】
なお、上述したメッキ方法は、周知の多層プリント配線板のメッキ方法と同様であるので詳述しない(例えば、「多層プリント配線板ステップ365」;藤平・藤森共著;工業調査会;1989年発行参照)。
【0029】
(9)次いで、周知の水酸化ナトリウム水溶液を用いて、図1(g)に示すように、メッキレジスト層15を除去し、メッキレジスト層15を除去した箇所の無電解銅メッキ層9を露出させ、150℃で120分間の加熱処理を施す。
【0030】
(10)次に、硫酸ナトリウム系のエッチング液(荏原ユージーライトPB−228:商品名)を用いてメッキレジスト層15を除去した箇所の無電解銅メッキ層9を除去する(図1(h)参照)。その後、エッチング液(メックエッチボンド CZ−8100:商品名)を用いて、電解銅メッキ層11の表面を粗化処理する。
(11)その後、上記無電解銅メッキ層9のエッチング工程において露出した下地層5の表面を過マンガン酸カリウム溶液により樹脂エッチングを行い、下地層5の表面の不要な付着物を下地層5の表面の樹脂とともに除去し、銅配線層7を完成する。
このようにして形成された銅配線層7は、銅配線層7上にさらに積層される樹脂絶縁層(図示しない)と、従来の黒化処理と比べて同等以上の密着強度を得ることができる。
【0031】
このように、本実施例では、無電解銅メッキ層9のエッチング処理前に、150℃で120分間の加熱処理を施したので、無電解銅メッキ層9のエッチング工程でのエッチング速度を基板全面にわたりほぼ均一とすることができる。したがって、局部的に無電解メッキ層9のエッチング残りが発生したりすることがない。
【0032】
また、本実施例では、銅配線層7以外の箇所にて露出した無電解銅メッキ層9が、0.9μm以下と薄いので、その無電解銅メッキ層9をエッチングにより短時間でしかも十分に除去することができる。また、マスキングやガードメッキも不要であるので、作業工程を簡易化でき、製造コストを低減できる。
【0033】
なお、前記実施例では、基板Sの表面に配線層を形成した例を示したが、以下の(12)〜(18)の工程を適宜繰り返すことにより、所望の多層配線基板をえることができる。
(12)銅配線層7(図1(h)参照)上に感光性を有する樹脂絶縁層を形成する。
(13)周知のフォトリソグラフィ技術により、この樹脂絶縁層にビアホールを形成し、銅配線層7の一部を露出させる。
(14)露出した銅配線層7上面、ビアホール内周面、および樹脂絶縁層上に0.3〜0.9μmの無電解銅メッキ層を形成する。
(15)前記無電解銅メッキ層上に、所定パターンの開口部を有するメッキレジスト層を形成する。
(16)前記パターンの開口部に対応した無電解メッキ層上に、電解銅メッキにより電解銅メッキ層を形成する。
(17)前記メッキレジスト層を除去する。
(18)前記電解銅メッキ層の表面を粗化するとともに、前記メッキレジスト層を除去した箇所に対応する余分な無電解銅メッキ層を除去し、銅配線層を形成する。
【0034】
なお、本実施例の配線層表面粗化処理で用いられるエッチング液としては、前記したメック社製のメックエッチボンド(商品名)の他、荏原電産社製のネオブラウン(商品名)なども用いることができる。エッチング液の材料としては、オキソ酸として硫酸を、過酸化物として過酸化水素あるいはペルオキソ(一)酸(塩)を、助剤として塩素を塩化ナトリウムにより、また、アゾールとして、ピロロール、オキサゾール、チアゾール等を配合したものを用いることができる。
【0035】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明の配線基板の製造方法によれば、無電解メッキ層のエッチング速度のバラツキが低減し、したがって、無電解メッキ層のエッチング残りや、電解メッキ層のオーバーエッチングの発生率を大幅に低減できる。
【0036】
さらに、配線層の表面の粗化処理と不要な無電解メッキ層の除去処理とを同一の工程で行うことができ、さらに、マスキングやガードメッキも不要であるので、作業工程を簡易化でき、製造コストを低減できる。
【0037】
また、配線層の表面の粗化処理の後で、下地層5の表面を樹脂エッチングするので、表面の不要な付着物(点在して残存する無電解銅メッキ層(金属粒子)やパラジウム等のメッキ触媒核、さらには配線層の表面粗化処理時に配線層より溶出し下地層5の上に付着した金属粒子など)を、その下の樹脂と一緒に確実に除去できる。
さらに、無電解メッキ層の厚さが0.3μm以上と十分厚いため、ピンホールの発生を防止でき、しかも、0.9μm以下と薄いので、オーバーエッチング、エッチング残り等の不具合を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図2】従来の配線基板の欠陥を示し、(a)はオーバーエッチングによる配線層の欠陥を示す説明図、(b)はピンホールによる配線層の欠陥を示す説明図である。
【図3】従来技術を示す説明図である。
【図4】従来技術を示す説明図である。
【符号の説明】
3:BT基板
5:下地層
7:銅配線層
9:無電解銅メッキ層
11:電解銅メッキ層
13:感光性エポキシ樹脂層
15:メッキレジスト層
S:基板
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board having, for example, a wiring layer comprising an electroless plating layer and an electrolytic plating layer on the surface of the board.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, for example, when a wiring layer is formed on the surface of a resin wiring board, the wiring layer is usually formed by electroless plating or electrolytic plating, and this wiring layer forming method is called a semi-additive method. The method is known.
[0003]
According to this semi-additive method, for example, a copper wiring layer made of, for example, copper is formed by the following method (see FIG. 3).
(1) A plating catalyst nucleus of palladium (Pd) is attached to the entire substrate surface.
(2) An electroless copper (Cu) plating layer having a thickness of 1 to 2 μm is formed on the entire surface of the substrate by electroless copper (Cu) plating.
(3) A photosensitive film is attached, and exposure and development are performed.
(4) An electrode is attached to the end of the substrate, and electrolytic copper plating (copper sulfate plating) is performed on the exposed electroless copper (Cu) plating layer, and electrolytic copper having a thickness of 15 μm is formed on the electroless copper (Cu) plating layer. (Cu) A plating layer is formed.
(5) The photosensitive film is peeled off and the electroless copper (Cu) plating layer under the film is removed by soft etching to complete a copper wiring layer (Cu wiring).
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described semi-additive method, when forming a wiring layer, etching (soft etching) is performed in order to remove an unnecessary electroless plating layer. If etching is insufficient, etching is performed between wiring layers. The rest occurs, causing a short circuit.
[0005]
Also, to completely remove the excess electroless plating layer. If etching is performed excessively, over-etching occurs, and problems such as thinning, disconnection, and peeling of the wiring layer occur.
[0006]
Moreover, such etching residue and over-etching may occur simultaneously in the same wiring board. That is, even within one wiring board, overetching may occur in a certain portion, and etching residue may occur in another portion. This is presumed that the arrangement of metal particles in the electroless plating layer is not necessarily uniform in the wiring board, and there is a subtle difference, which affects the etching rate even in the board. The
[0007]
Therefore, conventionally, in order to avoid such a problem, for example, it has been necessary to take the following countermeasures (see FIG. 4).
(1) An electroless copper (Cu) plating layer is formed on the entire surface of the substrate.
(2) A resist pattern is formed on the surface of the electroless plating layer.
(3) An electrolytic copper (Cu) plating layer is formed on the electroless copper (Cu) plating layer in the opening of the resist pattern.
(4) Masking for etching guard is performed on the electrolytic copper (Cu) plating layer.
(5) The resist pattern is removed.
(6) The electroless copper (Cu) plating layer is removed by etching.
(7) The masking (layer) is removed to complete the copper wiring layer (Cu wiring).
(8) Blackening treatment is applied to the copper wiring layer (Cu wiring).
[0008]
That is, in this method, as an overetching measure for protecting the copper wiring layer, etching is performed by applying masking or guard plating on the electrolytic copper plating layer. However, this method requires masking or guard plating, and the process of forming the wiring layer is very complicated, resulting in high costs.
[0009]
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board that is easy to work and can effectively prevent problems such as over-etching and etching residue when manufacturing a wiring board. To do.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a wiring board having a structure in which an electroplating layer is formed on an electroless plating layer, wherein the electroless plating layer is formed on the substrate surface by electroless plating. And forming a plating resist layer having an opening of a predetermined pattern on the electroless plating layer, and forming an electroplating layer by electroplating on the electroless plating layer corresponding to the opening of the pattern A step, a step of removing the plating resist layer, a heating step of performing a heat treatment on the electroless plating layer, and an etching step of removing an excess electroless plating layer corresponding to the location where the plating resist layer is removed. A gist of a method for manufacturing a wiring board, comprising:
[0011]
According to the present invention, by performing the heat treatment, there is no variation in the etching rate in the subsequent etching step, and etching is performed at a substantially uniform rate over the entire substrate, so that overetching locally in the substrate, Alternatively, no etching residue occurs.
The reason is presumed that the heat treatment makes the arrangement of the metal particles in the electroless plating layer uniform and the etching rate uniform.
[0012]
Furthermore, the invention of claim 2 is summarized in the method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the electroless plating layer has a thickness of 0.3 to 0.9 μm.
The present invention shows a method of manufacturing a suitable wiring board without over-etching, etching residue, and pinholes.
[0013]
Specifically, first, an electroless plating layer having a thickness of 0.3 to 0.9 μm is formed on the substrate surface, and a plating resist layer (photosensitive resist) is formed on the electroless plating layer. Then, an electrolytic plating layer is formed on the electroless plating layer in the opening of the plating resist layer, and after removing the plating resist layer, the electroless plating layer is subjected to a heat treatment, and then an unnecessary electroless plating layer is etched. Remove.
[0014]
That is, in the present invention, the electroless plating layer is subjected to heat treatment before etching, and the thickness of the electroless plating layer is as thin as 0.9 μm or less. Even without masking or guard plating, the electrolytic plating layer can be quickly removed without damaging the electrolytic plating layer. Moreover, since etching is performed at a uniform etching rate over the entire wiring board, there is no fear of over-etching (see FIG. 2 (a)) or remaining etching even if the etching conditions are not strictly controlled. Efficiency is greatly improved. Further, since it is not necessary to perform masking or guard plating, the manufacturing process can be simplified. Further, since the thickness of the electroless plating layer is reduced to 0.9 μm, the time for forming the electroless plating layer can be shortened, which can contribute to the reduction of the manufacturing cost.
[0015]
Furthermore, since the thickness of the electroless plating layer is 0.3 μm or more, the substrate surface can be reliably covered by electroless plating. Therefore, even if electrolytic plating is performed later, no pinhole (see FIG. 2B) is generated in the formed wiring layer.
[0017]
In the present invention, since the substrate surface is etched after the etching step, even if the electroless plating layer remaining on the substrate surface is scattered, it can be removed together with the resin on the substrate surface. The etching solution for the substrate surface may be appropriately selected and used according to the material for the substrate surface. For example, a potassium permanganate solution or the like is used.
[0018]
As a material of the plating resist layer of the present invention, for example, a photosensitive resin such as a photosensitive epoxy resin is suitable. That is, a desired resist pattern, that is, a so-called negative pattern that forms the periphery of the wiring pattern to be formed can be formed by performing a process such as exposure and development on the photosensitive resin.
[0019]
In addition, as a method of arranging the photosensitive resin on the substrate surface, a method of applying the photosensitive resin by screen printing, spin coating, or the like, or a method of attaching a photosensitive film made of the photosensitive resin can be employed.
[0020]
As the type of the wiring layer, a wiring layer made of a conductive metal such as copper, nickel, gold, silver or the like can be cited. Therefore, the electroless plating layer or the electrolytic plating layer is made of a metal used for these wirings. Has been.
Further, when the electroless plating is performed, as a pretreatment, growth nuclei (Pd, Au, etc.) of the electroless plating are attached to a place (opening) where the electroless plating layer is formed. The method can be adopted.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, an example (Example) of an embodiment of a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be sequentially described with reference to FIG. 1 and FIG. The wiring board manufacturing method of this embodiment is an improvement of the so-called semi-additive method.
[0022]
(1) First, in order to form the base, an epoxy resin (Provicoat; trade name) is applied to the surface of the BT substrate 3 and is cured by heating at 150 ° C. for 1 hour to form the base layer 5.
(2) Next, in order to improve the adhesion to the copper wiring layer 7 to be formed, the base epoxy resin is subjected to resin etching with an aqueous potassium permanganate solution to roughen the surface. Thus, a substrate S composed of the BT substrate 3 and the base layer 5 is prepared as shown in FIG.
[0023]
(3) Next, as shown in FIG. 1B, Pd nuclei are attached to the entire surface of the substrate S by a well-known catalyst process and an accelerator process as a pretreatment of electroless plating.
(4) Next, as shown in FIG. 1 (c), a portion (that is, the substrate S of the substrate S) to which Pd nuclei are attached using an electroless copper plating material (Emplate Cu406A manufactured by Meltex; trade name). A known electroless plating is performed on the entire surface to form an electroless copper plating layer 9 having a thickness in the range of 0.3 to 0.9 μm (for example, a thickness of 0.7 μm).
[0024]
In other words, at this time, the thickness of the electroless copper plating layer 9 is controlled to 0.7 μm. Specifically, automatic analysis supplementation is performed in order to control the plating time and stabilize the composition of the plating solution. The thickness of the electroless copper plating layer 9 is adjusted by managing the plating solution by the apparatus.
[0025]
(5) Next, as shown in FIG.1 (d), a dry film is affixed on the electroless copper plating layer 9 by the thickness of 20 micrometers, and the photosensitive epoxy resin layer 13 is formed.
(6) Next, using a photomask (not shown), the photosensitive epoxy resin layer 13 is subjected to UV exposure to cure portions other than the portion where the copper wiring layer 7 is formed.
[0026]
(7) Next, as shown in FIG. 1E, the epoxy resin in the unexposed portion (that is, the portion where the copper wiring layer 7 is formed) is dissolved and removed with a 1% aqueous solution of sodium carbonate. Accordingly, a portion of the photosensitive epoxy resin layer 13 that is not dissolved and removed becomes a plating resist layer 15 in a plating process described later.
[0027]
(8) Next, as shown in FIG.1 (f), an electric current is sent with respect to the electroless copper plating layer 9, and an electrolytic copper plating liquid (copper sulfate plating liquid ACB-90 by World Metal Co., Ltd .; ), A known electrolytic plating is performed to form an electrolytic copper plating layer 11 having a thickness of 15 μm on the electroless copper plating layer 9.
[0028]
Note that the plating method described above is the same as the plating method for well-known multilayer printed wiring boards, and therefore will not be described in detail (for example, “Multilayer printed wiring board step 365”; Fujihira and Fujimori co-author; Industrial Research Committee; see 1989 issue) ).
[0029]
(9) Next, using a known sodium hydroxide aqueous solution, as shown in FIG. 1G, the plating resist layer 15 is removed, and the electroless copper plating layer 9 where the plating resist layer 15 is removed is exposed. And heat treatment at 150 ° C. for 120 minutes.
[0030]
(10) Next, the electroless copper plating layer 9 where the plating resist layer 15 has been removed is removed using a sodium sulfate-based etching solution (Hagiwara UG light PB-228: trade name) (FIG. 1 (h)). reference). Thereafter, the surface of the electrolytic copper plating layer 11 is roughened using an etching solution (MEC etch bond CZ-8100: trade name).
(11) Thereafter, the surface of the underlayer 5 exposed in the etching process of the electroless copper plating layer 9 is subjected to resin etching with a potassium permanganate solution, and unnecessary deposits on the surface of the underlayer 5 are removed from the underlayer 5. The copper wiring layer 7 is completed by removing together with the resin on the surface.
The copper wiring layer 7 formed in this way can obtain an adhesion strength equal to or higher than that of a resin insulation layer (not shown) further laminated on the copper wiring layer 7 as compared with the conventional blackening treatment. .
[0031]
Thus, in this example, since the heat treatment was performed at 150 ° C. for 120 minutes before the etching process of the electroless copper plating layer 9, the etching rate in the etching process of the electroless copper plating layer 9 was changed over the entire surface of the substrate. It can be almost uniform over the entire area. Therefore, no etching residue of the electroless plating layer 9 is generated locally.
[0032]
Further, in this embodiment, the electroless copper plating layer 9 exposed at a place other than the copper wiring layer 7 is as thin as 0.9 μm or less. Therefore, the electroless copper plating layer 9 is sufficiently etched in a short time. Can be removed. Further, since masking and guard plating are not required, the work process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
[0033]
In the above embodiment, the example in which the wiring layer is formed on the surface of the substrate S has been described. However, a desired multilayer wiring substrate can be obtained by appropriately repeating the following steps (12) to (18). .
(12) A photosensitive resin insulating layer is formed on the copper wiring layer 7 (see FIG. 1H).
(13) Via holes are formed in the resin insulating layer by a known photolithography technique, and a part of the copper wiring layer 7 is exposed.
(14) An electroless copper plating layer of 0.3 to 0.9 μm is formed on the exposed upper surface of the copper wiring layer 7, the inner peripheral surface of the via hole, and the resin insulating layer.
(15) A plating resist layer having openings of a predetermined pattern is formed on the electroless copper plating layer.
(16) An electrolytic copper plating layer is formed on the electroless plating layer corresponding to the opening of the pattern by electrolytic copper plating.
(17) The plating resist layer is removed.
(18) The surface of the electrolytic copper plating layer is roughened, and an unnecessary electroless copper plating layer corresponding to the portion where the plating resist layer is removed is removed to form a copper wiring layer.
[0034]
In addition, as etching liquid used by the wiring layer surface roughening process of a present Example, in addition to the above-mentioned MEC etch bond (trade name) manufactured by MEC, Neo Brown (trade name) manufactured by Ebara Densan Can be used. Etching solution materials include sulfuric acid as oxo acid, hydrogen peroxide or peroxo (mono) acid (salt) as peroxide, chlorine as sodium chloride as auxiliary agent, pyrrole, oxazole and thiazole as azoles. Etc. can be used.
[0035]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the variation in the etching rate of the electroless plating layer is reduced, and therefore, the etching residue of the electroless plating layer and the over etching of the electroplating layer are reduced. Occurrence rate can be greatly reduced.
[0036]
Furthermore, the surface roughening process of the wiring layer and the removal process of the unnecessary electroless plating layer can be performed in the same process. Further, since masking and guard plating are not required, the work process can be simplified. Manufacturing cost can be reduced.
[0037]
In addition, since the surface of the underlayer 5 is resin-etched after the surface of the wiring layer is roughened, unnecessary deposits on the surface (electroless copper plating layers (metal particles), palladium, etc. remaining scattered) In addition, the plating catalyst nuclei and metal particles eluted from the wiring layer during the surface roughening treatment of the wiring layer and adhering to the underlying layer 5 can be reliably removed together with the resin thereunder.
Furthermore, since the electroless plating layer thickness is sufficiently thick at 0.3 μm or more, pinholes can be prevented, and since it is as thin as 0.9 μm or less, problems such as over-etching and etching residue are effectively prevented. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment.
2A and 2B are diagrams illustrating defects in a conventional wiring board, in which FIG. 2A is an explanatory diagram illustrating a defect in a wiring layer due to overetching, and FIG. 2B is an explanatory diagram illustrating a defect in the wiring layer due to a pinhole;
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a conventional technique.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a conventional technique.
[Explanation of symbols]
3: BT substrate 5: foundation layer 7: copper wiring layer 9: electroless copper plating layer 11: electrolytic copper plating layer 13: photosensitive epoxy resin layer 15: plating resist layer S: substrate

Claims (2)

無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成した構造を有する配線基板において、
前記基板表面に、無電解メッキにより無電解メッキ層を形成する工程と、
前記無電解メッキ層上に、所定パターンの開口部を有するメッキレジスト層を形成する工程と、
前記パターンの開口部に対応した無電解メッキ層上に、電解メッキにより電解メッキ層を形成する工程と、
前記メッキレジスト層を除去する工程と、
前記無電解メッキ層に加熱処理を施す加熱工程と、
前記メッキレジスト層を除去した箇所に対応する余分な無電解メッキ層を除去するエッチング工程と、
前記電解メッキ層による配線の表面を粗化する工程と、
前記無電解メッキ層のエッチング工程において露出した下地層をなす樹脂の表面をエッチングする樹脂エッチング工程と、
をこの順番で行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
In a wiring board having a structure in which an electroplating layer is formed on an electroless plating layer,
Forming an electroless plating layer on the substrate surface by electroless plating;
Forming a plating resist layer having openings of a predetermined pattern on the electroless plating layer;
Forming an electroplating layer by electroplating on the electroless plating layer corresponding to the opening of the pattern;
Removing the plating resist layer;
A heating step of performing a heat treatment on the electroless plating layer;
An etching step of removing an excess electroless plating layer corresponding to the place where the plating resist layer is removed;
Roughening the surface of the wiring by the electrolytic plating layer;
A resin etching step of etching the surface of the resin that forms the underlying layer exposed in the etching step of the electroless plating layer;
A method of manufacturing a wiring board, wherein the steps are performed in this order.
前記無電解メッキ層の厚さが、0.3〜0.9μmであることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。  2. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the electroless plating layer has a thickness of 0.3 to 0.9 [mu] m.
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