JP3748068B2 - プラズマエッチング処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,プラズマ処理装置に係り,特に半導体製造工程における微細なパターンを形成するのに好適なプラズマエッチング処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子の配線抵抗を低減するために銅が配線材料として検討されている。
【0003】
配線材料に銅を用いた際のアッシング処理、あるいはエッチング処理時の酸化、フッ化を抑制する技術としては、従来特開2001−110895号公報、特開2001−176842号公報が開示されている。これら従来技術には、一方では酸素とフッ素を含むガスで第1の処理を行ない、次に酸素を含みフッ素を含まないガスを用いてアッシング処理する方法で銅配線の酸化や腐食の進行の防止を図る技術、また、CF4とCHF3あるいはCF4とCH2F2やCHF3,CH2F2等のガスを用いた銅配線上のシリコン窒化膜のエッチング方法が示され、ガス種の組み合わせやイオンエネルギーを1000V以下に制限することで銅配線のフッ化を抑制する技術が示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明ではバリア膜のエッチング処理時において、エッチング終点後に銅配線が露出した状態でプラズマにさらされた際の、エッチングガスによる銅配線の酸化、フッ化を抑制しようとするものである。また、エッチング時のイオンエネルギーを500V以下とすることによりイオンエネルギーによる銅成分のスパッタ量を低減しようとするものでもある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく検討した結果、銅配線上のバリア膜のエッチング処理時に塩素あるいは臭素成分を含むガスと酸素ガスと還元性ガスを含むガスをエッチングガスとして用いることにより、銅配線のフッ化を防止し、酸化を抑制できることを見出した。ここで、塩素成分あるいは臭素成分を含むガスは主にバリア膜のエッチング種として、酸素ガスはバリア膜のエッチング特性を維持したままハードマスクのエッチング速度を抑制し、対マスク選択比を確保することに、また、還元性ガスは酸素ガスによる銅の酸化を抑制するために用いる。
【0006】
さらに、銅配線露出後の銅成分のスパッタ量を低減するためにエッチング時のイオンエネルギーを500V以下とした。
【0007】
また、バリア膜のオーバーエッチング時に塩素成分あるいは臭素成分を含むガスと酸素ガスの流量を半減し、水素ガスによりバリア膜のオーバーエッチング時に銅配線上や低誘電率膜の側壁に付着する塩素成分、臭素成分を低減する。
【0008】
本発明は、銅配線上のバリア膜のエッチング処理における、オーバーエッチング処理時にエッチングガスにフッ素成分を含まないため、銅配線のフッ化を防止できるとともに酸素ガスによる銅配線の酸化に対しても還元性ガスにより酸化作用を大幅に抑制することができる。また、エッチング時のイオンエネルギーを500V以下とすることによりイオンエネルギーによる銅成分のスパッタ量を低減できる。
【0009】
さらに、バリア膜のオーバーエッチング時に塩素成分あるいは臭素成分を含むガスと酸素ガスの流量を半減し、バリア膜オーバーエッチング時に銅配線膜上や低誘電率膜の側壁に付着する塩素成分、臭素成分を水素ガスにより塩化水素、塩化臭素として排気し低減する。
【0010】
【発明の実施の形態】
このような銅配線構造を有するエッチング工程の例を図1を用いて説明する。図1において、101はレジストマスク、102はCVD製膜のSiO2膜、103は有機低誘電率膜、104はCVD製膜のバリア膜、105は銅配線膜、106は絶縁膜、107は基板を示す。
【0011】
エッチング前の試料を図1(a)に示す。基板107上に絶縁膜106、銅配線105、CVD製膜のバリア膜104、有機低誘電率膜103、CVD製膜SiO2(膜厚120nm)102が形成され、その上にレジストマスクがパターニングされている。バリア膜としてはCVD製膜のSiCを主成分とする膜(膜厚70nm)、有機低誘電率膜としてはポリアリールエーテル膜(膜厚400nm)等が用いられている。
以下,本発明のエッチング処理方法について,説明する。
【0012】
上記構造を有する試料のエッチング処理では、例えばCVD製膜のSiO2膜のエッチング処理ではアルゴン、C4F8、酸素等の混合ガスを用いてエッチング処理を行ない(図1(b)参照)、続いて水素と窒素の混合ガス等で有機低誘電率膜のエッチング処理が行なわれる。この際、ホトレジストマスクも同時にエッチング除去される。(図1(c)参照)その後、CVD製膜のバリア膜のエッチング処理がハロゲン系のガスで行なわれる。(図1(d)参照)
【0013】
本実施例ではCVD製膜によるSiCを主成分とするバリア膜のエッチング処理に塩素ガスと酸素ガスと水素ガスの混合ガスを用いた。
【0014】
エッチング条件としては塩素ガス96cc/min、酸素ガス4cc/min、水素ガス50cc/minの混合ガスを使用して、エッチング圧力0.4Pa、UHF電力400W、基板バイアス電力60W(イオンエネルギー490eV)の条件で90秒間エッチング処理を行なった。その後、直ちに純水洗浄と乾燥処理をおこなった。
【0015】
以上のエッチング処理を行なうことで銅配線に対してフッ化を防止するとともに酸化を抑制できるエッチング処理が可能となった。
【0016】
また、他の実施例では、CVD製膜によるSiCを主成分とするバリア膜のエッチング処理に臭化水素ガスと酸素ガスと水素ガスの混合ガスを用いた。
【0017】
エッチング条件としては臭化水素ガス96cc/min、酸素ガス4cc/min、水素ガス50cc/minの混合ガスを使用して、エッチング圧力0.4Pa、UHF電力400W、基板バイアス電力45W(イオンエネルギー390eV)の条件で120秒間エッチング処理を行なった。その後、直ちに純水洗浄と乾燥処理をおこなった。
【0018】
以上のエッチング処理を行なうことで前述の実施例と同様に銅配線に対してフッ化を防止するとともに酸化を抑制できるエッチング処理が可能となった。
【0019】
また、その他の実施例では、CVD製膜によるSiCを主成分とするバリア膜のエッチング処理に塩素ガスと臭化水素ガスと酸素ガスと水素ガスの混合ガスを用いた。
【0020】
エッチング条件としては塩素ガス20cc/min、臭化水素ガス80cc/min、酸素ガス4cc/min、水素ガス50cc/minの混合ガスを使用して、エッチング圧力0.4Pa、UHF電力400W、基板バイアス電力45W(イオンエネルギー380eV)の条件で120秒間エッチング処理を行なった。その後、直ちに純水洗浄と乾燥処理をおこなった。
【0021】
以上のエッチング処理を行なうことで前述の実施例と同様に銅配線に対してフッ化を防止するとともに酸化を抑制できるエッチング処理が可能となった。
【0022】
また、さらに他の実施例では、CVD製膜によるSiCを主成分とするバリア膜のエッチング処理に塩素ガスと臭化水素ガスと酸素ガスと水素ガスの混合ガスを用い、バリア膜のオーバーエッチング時に塩素成分あるいは臭素成分を含むガスと酸素ガスの流量を半減した。
【0023】
エッチング条件としては塩素ガス20cc/min、臭化水素ガス80cc/min、酸素ガス4cc/min、水素ガス50cc/minの混合ガスを使用して、エッチング圧力0.4Pa、UHF電力400W、基板バイアス電力45W(イオンエネルギー380eV)の条件で90秒間エッチング処理を行ない、その後塩素ガス10cc/min、臭化水素ガス40cc/min、酸素ガス2cc/min、水素ガス50cc/minの混合ガスを使用して、エッチング圧力0.4Pa、UHF電力400W、基板バイアス電力45W(イオンエネルギー390eV)の条件で30秒間エッチング処理を行なった。その後、純水洗浄と乾燥処理を行なった。
【0024】
以上のエッチング処理を行なうことで前述の実施例と同様に銅配線に対してフッ化を防止するとともに酸化を抑制できるエッチング処理が可能となる。また、バリア膜のオーバーエッチング時には、銅配線膜上や有機低誘電率膜の側壁に付着する塩素成分や臭素成分を水素ガスにより塩化水素、臭化水素として排気できるので前述までの実施例に比較して塩素成分や臭素成分の付着量を低減できる。
【0025】
なお前記の各実施例は,いずれも有磁場電磁波放射放電方式のプラズマ処理装置の場合であったが,これ以外にもたとえば平行平板型の容量結合方式プラズマ処理装置や誘導結合型のプラズマ処理装置等の他の放電方式を利用したプラズマ処理装置にも適用できることはいうまでもない。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば,銅配線上のCVD製膜によるバリア膜のエッチング処理においてエッチングガスに塩素成分あるいは臭素成分と酸素ガスと還元性ガスを用いることで銅配線膜のフッ化を防止し、かつ酸化を大幅に抑制できるエッチング処理方法を提供できる。
【0027】
また、エッチング時のイオンエネルギーを500eV以下としたため、銅配線露出後の銅成分のスパッタ量を低減できる。
【0028】
さらに、バリア膜のオーバーエッチング時に塩素成分あるいは臭素成分を含むガスと酸素ガスの流量を半減し、バリア膜のオーバーエッチング時に銅配線上や低誘電率膜の側壁に付着する塩素成分、臭素成分を水素ガスにより低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例になる,エッチング処理の工程図。
【符号の説明】
101…レジストマスク,102…SiO2膜,103…有機低誘電率膜,104…バリア膜,105…銅配線,106…絶縁膜、107…基板
Claims (4)
- 銅配線膜上に形成されたCVD製膜によるSiCを主成分とするバリア膜をエッチング処理する際に、エッチングガスに塩素成分あるいは臭素成分を含むガスと酸素ガスと水素ガスを含み、前記バリア膜のエッチング終点付近から塩素成分あるいは臭素成分を含むガスと酸素ガスの流量を半減し、エッチング処理を行うことを特徴とするバリア膜のプラズマエッチング処理方法。
- 請求項1記載のプラズマエッチング処理方法において前記エッチングガスが塩素ガスと酸素ガスと水素ガスとから構成されることを特徴とするプラズマエッチング処理方法。
- 請求項1記載のプラズマエッチング処理方法において前記エッチングガスが臭化水素ガスと酸素ガスと水素ガスとから構成されることを特徴とするプラズマエッチング処理方法。
- 請求項1記載のプラズマエッチング処理方法において前記エッチングガスが塩素ガスと臭化水素ガスと酸素ガスと水素ガスとから構成されることを特徴とするプラズマエッチング処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002107255A JP3748068B2 (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | プラズマエッチング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002107255A JP3748068B2 (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | プラズマエッチング処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003303811A JP2003303811A (ja) | 2003-10-24 |
JP3748068B2 true JP3748068B2 (ja) | 2006-02-22 |
Family
ID=29391307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002107255A Expired - Fee Related JP3748068B2 (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | プラズマエッチング処理方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3748068B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7488687B2 (en) | 2006-09-12 | 2009-02-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming electrical interconnect structures using polymer residues to increase etching selectivity through dielectric layers |
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2002
- 2002-04-10 JP JP2002107255A patent/JP3748068B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2003303811A (ja) | 2003-10-24 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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