JP3725060B2

JP3725060B2 - 電子部品の実装方法及び実装装置

Info

Publication number: JP3725060B2
Application number: JP2001314211A
Authority: JP
Inventors: 良治犬塚; 泰久青野; 修一平田
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-10-11
Filing date: 2001-10-11
Publication date: 2005-12-07
Anticipated expiration: 2021-10-11
Also published as: JP2003124254A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として、半導体ベアチップをこれの電極パッド部上に形成されたバンプを介して回路基板の機は電極上に直接実装するフリップチップ実装工程における実装方法および実装装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器においては小型化および軽量化が求められており、それに伴い電子回路の実装密度を高めることを目的として、ウェハを個片に分割した半導体ベアチップを裏返して回路基板上に直接実装するフリップチップ実装工法が多用されている。例えば、現在においてフリップチップ実装工法により生産されているものとしては、半導体ベアチップと同寸法にパッケージするＣＳＰ（Chip Size Package ）や複数の半導体ペアチップを回路基板上に実装するＭＣＭ（Multi Chip Module ）があり、これらによる生産が増加しつつある。
【０００３】
上記フリップチップ実装工法の一つであるＳＢＢ（Stud Bump Bonding ）工法では、図８（ａ）の平面図およびこれのＡ−Ａ線断面図である同図（ｂ）に示すように、半導体ベアチップ（半導体素子）１に配設された複数の電極パッド部２上にそれぞれワイヤボンディング工法を応用してバンプ（突起物）３が形成される。一方、図８（ｃ）の平面図およびこれのＣ−Ｃ線断面図である同図（ｄ）に示すように、半導体ベアチップ１の実装対象物である回路基板４上には、パターン形成された複数の基板電極７が形成されている。
【０００４】
そして、上記半導体ベアチップ１を回路基板４の基板電極７上にフリップチップ実装するに際しては、以下のような手順で行われる。先ず、半導体ベアチップ１は、バンプ３が下方を向く裏返しの配置で吸着ノズルにより吸着保持されながら回路基板４上に移動されて、図９（ａ）に示すように、回路基板４に対し各バンプ３が基板電極７に対向する相対位置に位置決めされたのち、下降されて各バンプ３が基板電極７に接触される。続いて、半導体ベアチップ１には、回路基板４の方向に所定の圧力を加えながら、同時に超音波発振器を駆動して超音波振動子から吸着ノズルを介して超音波振動が付与されることにより、半導体ベアチップ１が所定の振幅および周波数で振動される。一方、回路基板４は、これが保持されているステージに内蔵のヒータによって加熱される。
【０００５】
上述のような条件下において、半導体ベアチップ１に所定時間の間、超音波振動が付与されることにより、バンプ３が超音波振動エネルギを受けて温度上昇し、電極パッド部２の金属素材（主としてアルミニウム）とバンプ３の金属素材（主として金）とが融合して金属間結合による合金となり、バンプ３が基板電極７に強固に接合される。
【０００６】
なお、ワイヤボンディング工法を応用したフリップチップ実装は、上述のバンプ３に超音波振動を付与する超音波接合工法の他に、図９（ｂ）に示すように、バンプ３の先端面に塗着した接着剤（導電性ペースト）８を介してバンプ３と基板電極７とを接合し、この接合箇所を封止剤９で封止する接着剤接合工法を用いることも知られている。なお、接着剤接合工法では、接着剤８に代えて、フラックスなどを接合媒体として用いることもある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図８（ａ），（ｂ）の半導体ベアチップ１では、バンプ３が電極パッド部２の中心に自体の中心を一致する配置で形成されたものが例示されており、図９（ａ）では、１点鎖線で示すように、電極パッド部２と基板電極７とを各々の中心を一致させることでバンプ３が基板電極７の中心に位置決めされる場合を例示している。しかしながら、半導体ベアチップ１の電極パッド部２にバンプ３を形成する場合には、バンプ形成設備のばらつきなどに起因して、バンプ３の中心が電極パッド部２の中心からずれた配置でバンプ３が形成されることの方が多い。
【０００８】
そのとき、図９（ｂ）に示す接着剤接合工法でフリップチップ実装する場合には、特に大きな問題が生じないが、超音波接合工法でフリップチップ実装する場合には、バンプ３が電極パッド部２の中心から位置ずれした配置で形成されていると、半導体ベアチップ１に付与する超音波振動の振動方向とバンプ３の位置ずれしている方向とが一致している場合にバンプ３が超音波振動の付与を受けて基板電極７から食み出る範囲まで振動してしまう。その場合には、回路基板４に実装された半導体ベアチップ１のバンプ３と基板電極７との接合強度が低下してしまう。
【０００９】
そこで、本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたもので、接着剤接合工法または超音波接合工法の何れを採用する場合においても半導体素子などの電子部品のバンプと回路基板の基板電極とを十分な接合強度で接合することのできる電子部品の実装方法および実装装置を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の電子部品の実装方法は、電極上に突起物が形成された半導体部品の位置を画像認識して、その画像認識の結果に基づき前記半導体部品を実装対象物の電極に位置決めして実装するに際して、接合工法の相違に対応して前記半導体部品の撮像画像における前記電極または前記突起物の何れかを選択して前記半導体部品の位置を画像認識することを特徴とする。
【００１１】
この電子部品の実装方法では、接合工法の別に対応して、半導体部品の電極または突起物の何れかを選択してその位置を認識し、その認識した電極または突起物を実装対象物の電極に対し所定の相対位置に位置決めして実装するので、接着剤接合または超音波接合などの何れの接合工法を採用する場合であっても、また、突起物が電極に対し位置ずれして形成されている場合であっても、突起物と実装対象物の電極とが十分な接合強度で接合する適切な状態に実装することができる。
【００１２】
上記発明の電子部品の実装方法において、半導体部品の撮像画像における電極または突起物の何れかを選択して、その前記電極または前記突起物の中心位置を画像認識し、画像認識した中心位置を実装対象物の電極の中心位置に位置合わせして実装することが好ましい。これにより、半導体部品の電極または突起物と実装対象物の電極との相対位置を正確に位置合わせすることができる。
【００１３】
また、上記電子部品の実装方法において、実装プロセスが接着剤接合工法である場合に半導体部品の電極を画像認識し、超音波接合工法である場合に半導体部品の突起物を画像認識することが好ましい。これにより、超音波接合工法では、超音波振動が電子部品に付与されるが、このとき、電子部品が突起物の中心を基準として所定の振動方向および振動振幅で振動されるので、突起物の中心を基板電極の中心に位置決めすることにより、突起物が振動の付与によって往復運動をした際に実装対象物の電極から食み出すことがない。一方、接着剤接合工法では、超音波振動を付与せずに接着剤で接合されるので、電子部品の電極の中心を実装対象物の電極の中心に位置決めすれば、突起物が実装対象物の電極の中心からずれた位置に位置決めされるが、これによる不具合が何ら生じない。
【００１４】
さらに、上記発明の電子部品の実装方法において、電極を主として撮像できる照明光と突起物を主として撮像できる照明光の何れかを接合工法の相違に対応して選択し、その選択した照明光を半導体部品に照射しながら半導体部品を撮像した画像に基づいて前記半導体部品の位置を認識するようにすれば、電子部品の画像認識に際して、電極を主要画像とする画像または突起物を主要画像とする画像に基づいて電極または突起物の位置を容易、且つ正確に画像認識することができる。
【００１５】
一方、本発明の電子部品の実装装置は、電極上に突起物が形成された半導体部品を供給する部品供給部と前記部品供給部から供給された前記半導体部品を吸着ノズルで吸着保持するボンディングヘッドと、前記吸着ノズルに吸着保持された前記半導体部品の吸着姿勢を画像認識する部品画像認識手段と、前記半導体部品の接合対象物を保持するステージと、前記接合対象物の保持位置を画像認識する対象物画像認識手段と、前記部品画像認識手段と前記対象物画像認識手段の各々の認識結果に基づき前記半導体部品を前記接合対象物に位置決めするよう制御する制御部とを備え、前記部品画像認識手段が、実装プロセスの相違に対応して前記半導体部品の前記電極または前記突起物の何れかを選択してその位置を画像認識するよう構成されていることを特徴としている。
【００１６】
この電子部品の実装装置では、実装プロセスの相違に対応して前記半導体部品の電極または突起物の何れかを選択してその位置を画像認識する部品画像認識手段と、この部品画像認識手段および対象物画像認識手段の各々の認識結果に基づき半導体部品を接合対象物に位置決めするよう制御する制御部とを備えているので、本発明の電子部品の実装方法を忠実に具現化して、実装方法と同様の効果を確実に得ることができる。
【００１７】
上記発明の電子部品の実装装置において、制御部は、実装プロセスの相違を判別して、超音波接合工法である場合に半導体部品の電極の位置を画像認識し、且つ超音波接合工法である場合に前記半導体部品の突起物の位置を画像認識するように部品画像認識手段を制御するように構成されていることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、実装プロセスの相違に応じて電子部品の電極または突起物の何れかを画像認識することが可能となる。
【００１９】
さらに、上記発明の電子部品の実装装置において、部品画像認識手段は、半導体部品に対し複種類の撮像用照明光を選択的に照射する照明装置を有し、前記照明装置は、実装プロセスの相違に応じて制御部の制御を受けることにより、接着剤接合工法である場合に前記半導体部品にハロゲン照明光を同軸照射し、且つ超音波接合工法である場合に前記半導体部品にＬＥＤ照明光を四方から照射するように構成されていることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、電子部品の電極は鏡面のような状態に近いので、ハロゲン照明光を同軸照明することによって電極を主要画像として有効に撮像することができる。一方、ＬＥＤ照明光を四方から照射することにより、電子部品の認識画像は突起物を主要画像とするものとなる。したがって、接着剤接合工法および超音波接合工法の何れにおいても、電子部品の所要の認識画像をより鮮明に映し出すことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。先ず、本発明の電子部品の実装方法の基本的な技術思想について説明する。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態による電子部品の実装方法を具現化して超音波接合工法および接着剤接合工法で半導体ベアチップ１をそれぞれ実装する場合における半導体ベアチップ１を部品認識カメラで認識したときの画像イメージ図である。この半導体ベアチップ１では、電極パッド部２に対しこれの中心からずれた位置にバンプ３が形成されている。上述したように、電極パッド部２の中心に一致させてバンプ３を形成することは、バンプ形成設備のばらつきなどによって難しく、図１に示すように電極パッド部２の中心からずれた位置にバンプ３が形成されることの方が多い。
【００２２】
但し、図１に明示するように、バンプ３の電極パッド部２からの位置ずれは、複数の電極バッド部２に対し各バンプ３が何れも同一方向に同一のずれ量となる傾向にある。すなわち、バンプ３の電極パッド部２に対する位置ずれ方向および位置ずれ相対量は、複数のバンプ３においてほぼ同じとなる傾向にある。
【００２３】
図１に示す十字マークは部品認識カメラによる撮像画像に対する認識位置である。同図から明らかなように、本発明の電子部品の実装方法では、接着剤接合工法によって半導体ベアチップ１を実装する場合、同図（ａ）に示すように、電極パッド部２の中心位置を認識ポイント（認識検出位置）として半導体ベアチップ１を部品認識カメラで認識する。一方、超音波接合工法によって半導体ベアチップ１を実装する場合には、同図（ｂ）に示すように、バンプ３の中心位置を認識ポイントとして半導体ベアチップ１を部品認識カメラで認識する。
【００２４】
図２（ａ），（ｂ）は上記のような部品認識手法に基づいて接着剤接合工法および超音波接合工法をそれぞれ採用して半導体ベアチップ１を実装した状態を示す縦断面図である。（ａ）の接着剤接合工法では、認識した電極パッド部２の中心が基板電極７の中心に一致するよう位置決めして半導体ベアチップ１を回路基板４に実装している。一方、（ｂ）の超音波接合工法では、認識したバンプ３の中心Ｓが基板電極７の中心に一致するよう位置決めして半導体ベアチップ１を回路基板４に実装している。
【００２５】
超音波接合工法では、後述するボンディングヘッドにおける半導体ベアチップ１を吸着する吸着ノズルに超音波振動子が設けられており、超音波振動子の超音波振動が吸着ノズルを介して吸着中の半導体ベアチップ１に付与される。このとき、図２（ｂ）に示すように、半導体ベアチップ１には、バンプ３の中心Ｓを基準として矢印Ｂで示す振動方向および振動振幅の超音波振動が付与される。したがって、バンプ３は矢印Ｂの振動振幅だけ往復運動することになるが、バンプ３の中心Ｓが基板電極７の中心に位置決めされているため、バンプ３は振動の付与によって往復運動をした際に基板電極７から食み出すことがない。一方、同図（ａ）の接着剤接合工法では、電極パッド部２の中心を基板電極７の中心に位置決めしていることから、バンプ３が基板電極７の中心からずれた位置に位置決めされているが、超音波振動を付与せずに接着剤で接合するので、何ら不具合が生じない。
【００２６】
なお、図２（ａ）の接着剤接合工法では超音波振動が付与されないが、超音波振動の振動方向および振動振幅を示す矢印Ｂを図示しており、この矢印Ｂは、比較のために従来の実装方法を説明するために敢えて図示したものである。すなわち、従来の実装方法では、電極パッド部２の中心を基板電極７の中心に一致させる位置決め状態として半導体ベアチップ１に超音波振動を付与していたので、バンプ３は、超音波振動を受けた際に、基板電極７に対し或る範囲ｄだけ基板電極７から食み出して往復運動をするといった現象が生じていた。そのため、従来の超音波接合工法による実装では、バンプ３と基板電極７との接合強度が低下し、接合品質の不良を招いていた。
【００２７】
図３は図１および図２で説明した本発明の実装方法を具現化するための電子部品の実装装置を示す透視斜視図である。図１の半導体ベアチップ１などの半導体部品は、樹脂トレイ（図示せず）にマトリックス配置された状態に収納されて、部品供給部１０から供給される。この部品供給部１０の半導体部品は、供給ノズル１１に吸着されてピックアックされたのち、ボンディングヘッド１２の後述する吸着ノズルに反転供給される。このボンディングヘッド１２には、図４の斜視図に示すように、接着剤接合工法および超音波接合工法の別に応じて対応するヘッド先端部１２ａ，１２ｂが択一的に取り付けられる。
【００２８】
上記ボンディングヘッド１２の吸着ノズルが電子部品を吸着すると、部品認識カメラ１３は、ボンディングヘッド１２の下方に向け移動して所定位置に位置決め停止され、吸着ノズルに吸着中の電子部品の吸着姿勢を撮像し、そののち、ボンディングヘッド１２の下方から退避位置に移動される。この部品認識カメラ１３により電子部品を撮像する際には、部品認識カメラ１３に設けられた図５に示す照明装置１９によって接着剤接合工法および超音波接合工法の別に対応した撮像用照明光が照射される。
【００２９】
上記部品認識カメラ１３は、照明装置１９におけるレンズなどの光学系を内蔵する鏡筒ユニット２０内部の全反射ミラー２１を介して半導体ベアチップ１を撮像する。このとき、接着剤接合工法の場合には、別途配置されているハロゲン照明装置（図示せず）のハロゲン照明光が、光ファイバケーブル２２を介して鏡筒ユニット２０に導かれたのち、ハーフミラー２３および全反射ミラー２１でそれぞれ反射されて、半導体ベアチップ１に対し同軸照明として照射される。これにより、部品認識カメラ１３の撮像による半導体ベアチップ１の認識画像は、電極パッド部２を主要画像とするものとなる。すなわち、半導体ベアチップ１の電極パッド部２は、鏡面のような状態に近いので、ハロゲン照明光を同軸照明することによって電極パッド部２を主要画像として有効に撮像することができる。
【００３０】
一方、超音波接合工法の場合には、鏡筒ユニット２０の上面において矩形状に配置された４列のＬＥＤ照明列２４を点灯駆動して、このＬＥＤ照明光を半導体ベアチップ１に四方から照射した状態で部品認識カメラ１３で撮像される。４つのＬＥＤ照明列２４は、いずれも複数個のＬＥＤを一列に配列したものである。この４つのＬＥＤ照明列２４によって半導体ベアチップ１に対し９０°間隔の４方向から照明光を照射することにより、部品認識カメラ１３の撮像による半導体ベアチップ１の認識画像は、バンプ３を主要画像とするものとなる。このようにして、接着剤接合工法および超音波接合工法の何れにおいても、図１で説明した半導体ベアチップ１の所要の認識画像をより鮮明に映し出すことができる。
【００３１】
図３に戻って、図２に示した回路基板４は、ローダコンベア部１４から搬入されて、ステージ１７の所定位置に固定される。この回路基板４を固定したステージ１７は、ボンディングヘッド１２に取り付けられた基板認識カメラ１８の下方に向け移動されて、所定位置に位置決め停止される。基板認識カメラ１８は、所定位置のステージ１７に固定された回路基板４における図２に示した基板電極７を撮像する。ボンディングヘッド１２は、部品認識カメラ１３の撮像画像の認識によって得られた半導体ベアチップ１の吸着姿勢と、基板認識カメラ１８の撮像画像の認識によって得られた基板電極７の位置とに基づいて、ステージ１７上に固定された回路基板４における基板電極７の所定位置に半導体ベアチップ１を位置決めして実装する。
【００３２】
上記実装装置による実装工程において、実装プロセスが接着剤接合工法の場合には、上述したボンディングヘッド１２で吸着保持中の半導体ベアチップ１の吸着姿勢を画像認識したのちに、半導体ベアチップ１を接着剤転写部２７に位置決めして、その接着剤転写部２７の転写プレート（図示せず）上でボンディングヘッド１２を上下動させることにより、半導体ベアチップ１のバンプ３の先端に図９に示した接着剤８を転写し、そののちに、回路基板４に対し半導体ベアチップ１の実装が行われる。
【００３３】
一方、実装プロセスが超音波接合工法の場合には、回路基板４の基板電極７に半導体ベアチップ１のバンプ３を接触させた状態で、ボンディングヘッド１２の先端部に取り付けられた図４の超音波振動子２８を駆動して、半導体ベアチップ１に対し超音波振動を付与しながらボンディングヘッド１２によって半導体ベアチップ１に対し所定の荷重を加えることにより、バンプ３が基板電極７に接合される。また、この超音波接合工法時には、回路基板４を固定しているステージ１７がこれに内蔵されているヒータによって高温に保持されており、バンプ３を基板電極７に接合する工程において回路基板４および半導体ベアチップ１がステージ１７からの伝熱によって加熱される。
【００３４】
図６は上記電子部品の実装装置の主要構成を示すブロック構成図である。装置全体を制御する制御部２９は、ＲＡＭ３０に記憶の種々のデータに基づきＲＯＭ３１に記憶の制御プログラムを実行することにより、照明切換部３２を制御する。照明切換部３２は、制御部２９の制御を受けて、実装プロセスが接着剤接合工法である場合に、点灯回路３３を駆動してハロゲン照明装置３４を点灯させ、そのハロゲン照明光を図５の光ファイバケーブル２２を通じて照明装置１９に送る。一方、照明切換部３２は、実装プロセスが超音波接合工法である場合に、点灯回路３７を駆動して図５の４つのＬＥＤ照明列２４を点灯駆動する。上記ＲＡＭ３０には、接合プロセスに関するプロセスデータが予め設定登録されており、制御部２９は選択したプロセスデータによって容易に接合プロセスを判別する。なお、半導体ベアチップ１の認識ポイントの変更や照明装置１９の照明条件（例えば、照明の明るさや照明光の選択）の選択などは、上記プロセスデータの選択と共に実施される。
【００３５】
つぎに、本発明の電子部品の実装方法による制御処理について、図７のフローチャートを参照しながら説明する。なお、この説明に際しては、図１ないし図６で説明した符号を参照するものとする。図５のボンディングヘッド１２は吸着ノズルで半導体ベアチップ１を吸着保持（ステップＳ１）したのちに、移動して吸着ノズルを部品認識カメラ１３の上方に位置決めする（ステップＳ２）。つぎに、制御部２９は、ＲＡＭ３０から読み出したプロセスデータに基づいて、次工程の実装プロセスが超音波接合工法であるか否かを判別する（ステップＳ３）。超音波接合工法であると判別した場合には、照明切換部３２を制御してＬＥＤ照明列２４を点灯駆動することにより、半導体ベアチップ１にＬＥＤ照明光を撮像用照明として照射する（ステップＳ４）。その状態で部品認識カメラ１３が半導体ベアチップ１を撮像し、その撮像画像に基づいて半導体ベアチップ１のバンプ３の位置を画像認識する（ステップＳ５）。
【００３６】
一方、超音波接合工法でない、つまり接着剤接合工法であると判別（ステップＳ３）した場合には、照明切換部３２を制御してハロゲン照明装置３４を点灯駆動することにより、半導体ベアチップ１にハロゲン照明光を撮像用照明として照射する（ステップＳ６）。その状態で部品認識カメラ１３が半導体ベアチップ１を撮像し、その撮像画像に基づいて半導体ベアチップ１の電極パッド部２の位置を画像認識する（ステップＳ７）。
【００３７】
上記制御処理と並行して、回路基板４がステージ１７の所定位置に固定され（ステップＳ８）、このステージ１７が基板認識カメラ１８の下方に向け移動されて、所定位置に位置決め停止される（ステップＳ９）。続いて、基板認識カメラ１８が回路基板４の基板電極７を撮像すると、その撮像画像に基づいて回路基板４の基板電極７の位置を画像認識する（ステップＳ１０）。
【００３８】
実装プロセスが超音波接合工法であると判別（ステップＳ３）して半導体ベアチップ１のバンプ３の位置を画像認識（ステップＳ５）した場合には、そのバンプ３の中心位置と回路基板４の基板電極７の中心位置とに基づいて、ボンディングヘッド１２における半導体ベアチップ１を吸着中の吸着ノズルの移動量を算出する（ステップＳ１１）。この移動量は、バンプ３の中心を基板電極７の中心に一致させるよう補正するのに必要な吸着ノズルの移動量である。
【００３９】
続いて、ボンディングヘッド１２が吸着ノズルを上記算出した移動量だけ移動されたのちに下降することにより、回路基板４上に半導体ベアチップ１を位置決めして（ステップＳ１２）、回路基板４に半導体ベアチップ１を装着する（ステップＳ１３）。さらに、制御部２９は、半導体ベアチップ１に対し所定の圧力および温度を付与するよう制御しながら超音波振動子から超音波振動を付与させる（ステップＳ１４）。これにより、バンプ３は基板電極７に接合する（ステップＳ１５）。この接合が終了すると、ボンディングヘッド１２の吸着ノズルは上昇される（ステップＳ１５）。
【００４０】
一方、実装プロセスが接着剤接合工法であると判別（ステップＳ３）して半導体ベアチップ１の電極パッド部２の中心位置を画像認識（ステップＳ７）した場合には、その電極パッド部２の中心位置と回路基板４の基板電極７の中心位置とに基づいて、ボンディングヘッド１２における半導体ベアチップ１を吸着中の吸着ノズルの移動量を算出する（ステップＳ１６）。この移動量は、電極パッド部２の中心を基板電極７の中心に一致させるよう補正するのに必要な吸着ノズルの移動量である。
【００４１】
続いて、吸着ノズルを図５の接着剤転写部に移動させて、バンプ３の先端部に接着剤８を転写して塗布する（ステップＳ１７）。つぎに、吸着ノズルを上記算出した移動量に基づき移動制御して、回路基板４上に半導体ベアチップ１を位置決めし、そののちに吸着ノズルが下降してバンプ３を接着剤８によって基板電極７に接合することにより、回路基板４に半導体ベアチップ１を装着する（ステップＳ１８）。そののち、ボンディングヘッド１２の吸着ノズルは上昇して半導体ベアチップ１から退避し（ステップＳ１８）、続いて図９（ｂ）に示した封止剤９の塗布工程が実施される（ステップＳ２０）。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように、本発明の電子部品の実装方法によれば、接合工法の別に対応して、半導体部品の電極または突起物の何れかを選択してその位置を認識し、その認識した電極または突起物を実装対象物の電極に対し所定の相対位置に位置決めして実装するので、接着剤接合または超音波接合などの何れの接合工法を採用する場合であっても、また、突起物が電極に対し位置ずれして形成されている場合であっても、突起物と実装対象物の電極とが十分な接合強度で接合した状態に実装することができる。
【００４３】
また、本発明の電子部品の実装装置によれば、実装プロセスの相違に対応して前記半導体部品の電極または突起物の何れかを選択してその位置を画像認識する部品画像認識手段と、この部品画像認識手段および対象物画像認識手段の各々の認識結果に基づき半導体部品を接合対象物に位置決めするよう制御する制御部とを備えた構成としたので、本発明の電子部品の実装方法を忠実に具現化して、実装方法と同様の効果を確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態による電子部品の実装方法を具現化して超音波接合工法および接着剤接合工法で半導体ベアチップをそれぞれ実装する場合における半導体ベアチップを部品認識カメラで認識したときの画像イメージ図。
【図２】（ａ），（ｂ）は同上の部品認識手法に基づいて接着剤接合工法および超音波接合工法をそれぞれ採用して半導体ベアチップを実装した実装状態を示す縦断面図。
【図３】本発明の電子部品の実装方法を具現化するための電子部品実装装置を示す透視斜視図。
【図４】同上の電子部品実装装置におけるボンディングヘッドを示す斜視図。
【図５】同上の電子部品実装装置における照明装置を備えた部品認識カメラを示す斜視図。
【図６】同上の電子部品実装装置の主要構成を示すブロック構成図。
【図７】本発明の電子部品の実装方法による制御処理を示すフローチャート。
【図８】（ａ）はバンプが電極パッドの中心に形成された半導体素子を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は回路基板の平面図、（ｄ）は（ｃ）のＣ−Ｃ線断面図。
【図９】（ａ）は図８の回路基板に半導体素子を超音波接合工法で実装した状態の縦断面図、（ｂ）は接着剤接合工法で実装した場合の縦断面図。
【符号の説明】
１半導体ベアチップ（半導体部品）
２電極パッド部（電極）
３バンプ（突起物）
４回路基板（実装対象物）
７基板電極（電極）
１０部品供給部
１２ボンディングヘッド
１３部品認識カメラ（部品画像認識手段）
１７ステージ
１８基板認識カメラ（対象物画像認識手段）
１９照明装置
２９制御部

Claims

電極上に突起物が形成された半導体部品の位置を画像認識して、その画像認識の結果に基づき前記半導体部品を実装対象物の電極に位置決めして実装する電子部品の実装方法において、
接合工法の相違に対応して前記半導体部品の撮像画像における前記電極または前記突起物の何れかを選択して前記半導体部品の位置を画像認識することを特徴とする電子部品の実装方法。
半導体部品の撮像画像における電極または突起物の何れかを選択して、その前記電極または前記突起物の中心位置を画像認識し、その画像認識した中心位置を実装対象物の電極の中心位置に位置合わせして実装するようにした請求項１に記載の電子部品の実装方法。
実装プロセスが接着剤接合工法である場合に半導体部品の電極を画像認識し、超音波接合工法である場合に前記半導体部品の突起物を画像認識するようにした請求項１または２に記載の電子部品の実装方法。
電極を主として撮像できる照明光と突起物を主として撮像できる照明光の何れかを接合工法の相違に対応して選択し、その選択した照明光を半導体部品に照射しながら半導体部品を撮像した画像に基づいて前記半導体部品の位置を認識するようにした請求項１〜３の何れかに記載の電子部品の実装方法。
電極上に突起物が形成された半導体部品を供給する部品供給部と
前記部品供給部から供給された前記半導体部品を吸着ノズルで吸着保持するボンディングヘッドと、
前記吸着ノズルに吸着保持された前記半導体部品の吸着姿勢を画像認識する部品画像認識手段と、
前記半導体部品の接合対象物を保持するステージと、
前記接合対象物の保持位置を画像認識する対象物画像認識手段と、
前記部品画像認識手段と前記対象物画像認識手段の各々の認識結果に基づき前記半導体部品を前記接合対象物に位置決めするよう制御する制御部とを備え、
前記部品画像認識手段は、実装プロセスの相違に対応して前記半導体部品の前記電極または前記突起物の何れかを選択してその位置を画像認識するよう構成されていることを特徴とする電子部品の実装装置。
制御部は、実装プロセスの相違を判別して、超音波接合工法である場合に半導体部品の電極の位置を画像認識し、且つ超音波接合工法である場合に前記半導体部品の突起物の位置を画像認識するように部品画像認識手段を制御するように構成されている請求項５に記載の電子部品の実装装置。
部品画像認識手段は、半導体部品に対し複種類の撮像用照明光を選択的に照射する照明装置を有し、
前記照明装置は、実装プロセスの相違に応じて制御部の制御を受けることにより、接着剤接合工法である場合に前記半導体部品にハロゲン照明光を同軸照射し、且つ超音波接合工法である場合に前記半導体部品にＬＥＤ照明光を四方から照射するように構成されている請求項６に記載の電子部品の実装装置。