JP3721795B2 - 圧接型半導体装置、及びこれを用いた変換器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、加圧接触型半導体装置に係り、特に半導体素子とパッケージ電極間の均一な接触状態を確保し、かつ熱抵抗,電気抵抗を低減できる圧接型半導体装置、及びこれを用いた変換器に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体エレクトロニクスの技術を駆使して主回路電流を制御するパワーエレクトロニクスの技術は、幅広い分野で応用され、さらにその適用拡大がなされつつある。パワー用半導体素子としては、サイリスタ,光サイリスタ,ゲートターンオフサイリスタ(GTO)や、MOS制御デバイスである絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(以下IGBTと略す)やMOS型電界効果トランジスタ(以下MOSFETと略す)などがある。これらのデバイスでは、主に半導体チップの第一主面上に主電極(カソード,エミッタ電極),第二主面側にはもう一方の主電極 (アノード,コレクタ電極)が形成される。
【0003】
GTO,光サイリスタ等の大電力用の半導体装置においては、素子を1枚のウエハ毎にパッケージングしている。上記素子の両主電極は、MoまたはWからなる中間電極板(熱緩衝用電極板)を介してパッケージの一対の外部主電極板により加圧接触される構造となっている。スイッチング動作の均一性や大電流の遮断特性の向上等のためには、上記素子電極,中間電極板,外部主電極板間の接触状態をできるだけ均一化し、かつ接触熱抵抗,電気抵抗を下げることが重要である。このため、一般にはパッケージ部品の加工精度(平面度,平坦度)を上げて反りやうねりを低減する対策がとられている。
【0004】
一方、IGBT等ではこれまで主にモジュール型構造と呼ばれる、ワイヤによる電極接続方式のパッケージ形態により複数個のチップを実装していた。このようなモジュール型パッケージの場合、素子内部で発生した熱はパッケージの片面(ワイヤ接続しない面)、すなわちベース基板上に直接マウントした電極側のみから逃がすことになるため、一般に熱抵抗が大きく、一つのパッケージに実装できるチップ数や使用できる電流容量(発熱量、または実装密度)に制限があった。
【0005】
最近、このような問題に対処し、さらに大容量化の要求に応えるため、特開平8−88240号公報等に提案されているような多数のIGBTチップを平型のパッケージ内に並列に組み込み、その主面に形成されたエミッタ電極,コレクタ電極をそれぞれパッケージ側に設けた一対の外部主電極板に面接触させて引き出すようにした多チップ並列型加圧接触構造の半導体装置が注目されている。この多チップ並列型の圧接型半導体装置では、部材寸法ばらつきに起因するチップ位置毎の部材高さのばらつきや主電極板の反りやうねりによる場所毎のばらつきが避けられず、これによりチップ毎に加圧力が異なり均一な接触が得られない、すなわち熱抵抗,電気抵抗がチップ位置毎に大きく異なり、全体としての素子特性が安定しないという大きな問題があった。最も単純には、寸法の厳密に揃った部材を用いることで対処できるが、部品のコスト、および選別のコスト等のアップが避けられず、現実的ではない。この問題に対して、特開平8−88240号公報においては、Agなどの延性のある軟金属シートを厚さ補正板として介在させる方法を開示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記GTO等のパッケージにおいては、今後ますます大容量化のために素子サイズ(ウエハサイズ)が大型化し、この大口径化に伴ってパッケージ部品(電極部品)の反り,うねり等も大きくなる傾向にある。前述のようなパッケージ部品の加工精度(平面度,平坦度)を上げて反りやうねりを低減するという対策には加工上の限界があり、また加工コスト面での問題も大きい。従って素子サイズ (ウエハサイズ)全面にわたって、ウエハ及びパッケージ部品(電極)間の均一な接触を確保し、熱抵抗,電気抵抗を低減することがますます困難になってきている。
【0007】
一方、多チップ並列型の圧接型半導体装置におけるチップ間の均一接触の問題に対処する方法として開示されている前述の軟金属シートをはさむ方法は、本発明者らの検討によると、少なくとも半導体チップを破壊しない実用の圧力範囲ではその変形量がごくわずか(弾性変形による変形のみ)であり、チップ位置毎の高さ(及びチップを挟む中間電極部材等を含めた高さ)のばらつきが大きい場合にはその変形量が不十分で、均一な接触を確保できないことが明らかとなった。この原因は図15に模式図で示したように軟質金属シート面に厚さ方向に圧力を加えて横方向へ塑性変形させようとした場合にも、軟質金属シート53を挟む電極部材54,55との界面で発生する摩擦力(摩擦抵抗)56のため、軟金属材料といえども横方向への変形抵抗が非常に大きくなってしまうことによると考えられる。変形させるために加圧力を上げても、摩擦力も圧力に比例して大きくなるので塑性変形は容易には起こらない。特にシート状のような厚さに比べて抵抗を受ける面積が非常に大きい場合には、この表面に発生する摩擦力の影響が支配的となるため、一般に知られている材料の降伏応力を超える圧力を加えても実際には実質的な塑性変形(流動)が起こらず、軟金属シートの厚さは加圧の前後でほとんど変わらない。
【0008】
本発明は、上記のようなウエハの大口径化によるパッケージの大型化や、大容量化に対応する素子の多チップ並列化に伴って、ますます困難になる大面積領域での均一な加圧接触状態を確保する方法、すなわち接触面の高さのばらつき(反り,うねり,部材寸法ばらつき等による)を吸収し、かつ接触界面での熱抵抗,電気抵抗を低減できる方法を提供するものである。また第2の目的は上記により得られる半導体装置を用いることにより、特に大容量のシステムに好適な変換器を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、少なくとも第一主面に第一の主電極,第二主面に第二の主電極を有する半導体素子を一対の主電極板の間に組み込んだ圧接型半導体装置において、該半導体素子と該主電極板の間の電極間に金網、もしくは凹凸加工した金属板を単独、又は複数枚組合せて配置することにより解決できる。より好ましくは、上記金網、もしくは凹凸加工した金属板の表面に該金網、もしくは凹凸加工した金属板の材料より軟質、または耐酸化性の良い緻密な金属層を形成するか、該金網、もしくは凹凸加工した金属板に対向する電極面に軟質金属膜を形成する。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の代表的な形態を図面に基づいて説明する。
【0011】
図1に本発明の基本的な適用形態を示す。半導体素子1の第一主面には少なくとも第一の主電極,第二主面には第二の主電極が形成されている。この両主電極面上にMoやW等からなる中間電極板2,3が配置され、さらにこの中間電極板の外側部分に一対のCu、またはCu主体とする合金などからなる主電極板(共通電極板)4,5が配置される。本実施例では中間電極板3と主電極板5の間に金網、もしくは凹凸加工した金属板6が挟まれており、全体が一括に加圧されて各部材間が接触されている。図1では(a),(b),(c)位置で部品1,2,3の厚さの合計が順に厚くなる例を示している。これらの高さの差に対応して、加圧接触させる前には一定の厚さを持っていた金網、もしくは凹凸加工した金属板6の厚さが、加圧接触後には(a),(b),(c)の順につぶれて薄くなっている。すなわち、金網、もしくは凹凸加工した金属板の高さを含めた全体としての高さ(部品1,2,3,6の厚さの合計)が(a),(b),(c)位置で同じになるように金網、もしくは凹凸加工した金属板が加圧変形し、その厚さが変化している。これにより、上記部材1,2,3に各々厚さばらつきがあったり、主電極板4,5に反りやうねりがある場合でも複数のチップ位置(a),(b),(c)間で良好な加圧接触状態を確保して半導体素子を実装でき、従って熱抵抗,電気抵抗のばらつきの少ない半導体装置が実現できる。図1では主電極板5と中間電極板3に対向して圧接される面に金網、もしくは凹凸加工した金属板6を挟んだ例を示したが、この位置はもちろん他の接触面、すなわち主電極板4と中間電極板2の間や素子1と中間電極板2,3の間でも良く、また複数の界面に対して同時に適用しても構わない。また電極間ごとに異なる金網、もしくは凹凸加工した金属板を配置してももちろんよい。
【0012】
図2には、電極板7と電極板8の間に設けた金網9の加圧による変形過程のモデル図を示した。図2(a)は大きな加圧変形が起こる前の接触した状態、(b)は加圧変形途中の状態、(c)は加圧され変形が十分に起った後の状態を示している。一方、図3には、二つの電極板の間に金網を加圧接触させた場合の厚さ方向の変形量、すなわち高さの変化量及び電気抵抗と加圧力との関係を示した。
【0013】
図2(a),図3(a)の状態では、荷重が小さく金網の厚さ方向の変形量は少ない。電極板と金網との間の接触電気抵抗は加圧力に大きく依存するため、電気抵抗値は加圧力を上げるにつれて大きく低下する。さらに大きな荷重がかけられると、図2(b),図3(b)に示すように、電極板7と電極板8の間に設けた金網9が大きく圧縮変形する。すなわち金網を構成する金属線(繊維)がつぶれて大きく変形し、金網の厚さが薄くなる。これは電極板7,8に接している金網の一部分に荷重が集中し、この部分にかかる圧力が見かけの圧力より非常に高くなるので金網が容易に圧縮変形を始めることによる。また図14に示した緻密な金属箔(薄板)の場合と異なり、金網には多くのすき間があるために、加圧を受けた金属の変形を空間的に拘束するものが少なく、比較的容易に加圧変形できることによる。この変形にともなって、電極板7および電極板8の表面と金網9との接触面積が増大する。さらに変形が大きいので、金属表面の酸化被膜が破られて新生面での良好な接触が得られる様になるため、この際にできる接触界面は非常に密接にコンタクトした状態となっている。これらの効果により、電気抵抗もさらに減少する。
【0014】
金網9の変形が十分に起こった後では電極板7,8と金網9とがかなりの面積で接触するようになるため、さらに荷重を増加しても面圧としてはあまり大きくならず、さらに図15と同様の理由で変形抵抗が増大してくるために、図2(c),図3(c)に示すように変形量の変化は小さくなる。原理的には無限大の荷重を加えられれば、界面が完全に埋める状態まで変形させることも可能であるが、現実には荷重の制限等により完全に埋めることは不可能で、未接触部分が多少残るが電気抵抗への影響は小さく、十分小さな値が得られる。また熱抵抗について測定した結果でも、電気抵抗の測定結果とほぼ同等の挙動を示した。
【0015】
本発明で言うところの金網とは、金属繊維を各種の織り方で編んだシート状の板のほかに、カーボン繊維等の導電性を有する繊維を用いたシート状の板や、芯材が有機樹脂からなり、表面層が金属からなる複合構造のシート材も含む。金属繊維の材質としては、銅,アルミニウム,銀,金等の軟質で電気抵抗,熱抵抗の小さな金属や、半田材等の非常に軟質の金属,ニッケル,SUSなどの廉価で耐酸化性の優れた材質のもの、またはインコネル等のNi基合金等で高温特性に優れたもの等、適用対象に最も適した特性を有する材料を選択できる。また必要荷重域での要求する変形量,電気抵抗値,熱抵抗値に応じて、平織,綾織,平畳織,綾畳織等の各種織り方や繊維径,目あらさ(メッシュ)等を最適化して用いることが好ましい。一般に繊維径を太くすれば変形量を増加させることが可能である。一方、変形の起こる荷重域を制御するには、一般にメッシュを細かくして電極板と接触する接触点の数を増やすことが有効である。樹脂繊維に金属被覆した複合シート材では、弾性変形量が金属繊維のシート材に比べて大きくできるため、弾性変形量が必要な用途には特に有効である。
【0016】
一方、本発明で言うところの凹凸加工した金属板とは、一般に金属板,金属箔,金属シートと言えば実質的に厚さが一様で緻密な板状のものを指すのに対して、厚さが場所により異なるようにマクロな加工を施した板状のものを指している。エキスパンドメタル,メッシュメタル,グリッドメタル,スリットメタル,パンチングメタル,エンボス加工板,デインプル加工板,波板等の種々の呼び方で呼ばれる金属板等が含まれる。代表的な形状の例として、図4には断面形状のモデル図を、図5には外観写真の例((a)エキスパンドメタル,(b)スリット加工板,(c)エンボス加工板)を示す。
【0017】
図6に凹凸加工した金属板の一例として、波板10を加圧した場合の変形過程のモデル図を示した。図6(a)は大きな加圧変形が起こる前の接触した状態、(b)は加圧変形途中の状態、(c)は加圧され変形が十分に起った後の状態を示している。荷重を大きくして行くと、板厚,材質,加工ピッチ,加工形状等で決まるある加圧領域で電極板7と電極板8の間に設けた波板10が大きく圧縮変形する。すなわち波形の凹凸加工部分がつぶれて大きく変形し、波板10の厚さが薄くなる。図15に示した緻密な金属箔(薄板)の場合と異なり、凹凸加工を施した分だけ凹凸部周辺には多くのすき間があるために、加圧を受けた金属の変形を空間的に拘束するものが少なく、比較的容易に大きな加圧変形が得られる。この変形にともなって、電極板7および電極板8の表面と波板10との接触面積が増大する。さらに変形が大きいために、金属表面の酸化被膜が破られて新生面での良好な接触が得られる様になるため、この際にできる接触界面は非常に密接にコンタクトした状態となっている。これらの効果により、電気抵抗,熱抵抗は大きく減少する。波板10の変形が十分に起こった後では電極板7,8と波板10とがかなりの面積で接触するようになり、荷重を増加しても面圧としてはあまり大きくならず、さらに図15と同様に変形抵抗が増大してくるために、変形量の変化が小さくなる。
【0018】
金属板の材質としては、前述と同様に銅,アルミニウム,銀,金,半田材,ニッケル,SUS、またはNi基合金等の各種合金類から、適用対象に最も適した特性を有する材料を選択できる。また凹凸加工する元の板の厚さ,凹凸加工の深さ,ピッチ等についても、必要圧力域での要求する変形量,電気抵抗値,熱抵抗値に応じて最適なものを選択できる。半導体装置の使用形態に応じて、熱抵抗,電気抵抗の低減、または変形能の向上のどちらを優先するかによって最適な材質,表面処理を選択するのが好ましい。
【0019】
変形量を特に大きく確保したい場合には、金網、もしくは凹凸加工した金属板を複数の異なる電極板間位置に配置する方法や、複数枚の金網、もしくは凹凸加工した金属板を組合せて一つの電極板間に配置する方法が好ましい。複数枚の金網、もしくは凹凸加工した金属板を組合せて用いる場合には、あらかじめそれらを一体化する前処理を施しておくことも有効である。
【0020】
これらの材料は弾塑性変形能を有するため、変形後に除荷すると弾性変形分の戻りが見られるが、ほぼ実装部品間の高さのばらつきに対応した塑成変形分は保持される。再度加圧する場合には、この弾性変形分を利用して同じ圧力で十分な接触が確保できる。
【0021】
金網、もしくは凹凸加工した金属板とそれを挟む電極板との接触抵抗をより低減するための方法として、金網、もしくは凹凸加工した金属板の表面に金網、もしくは凹凸加工した金属板材料より軟質、または耐酸化性の良い金属層を印刷,めっき等の方法により形成するのが好ましい。特に硬い金属材料や、酸化しやすい金属の場合に有効である。例えば、Niの金網、もしくは凹凸加工した金属板にAgやAuの軟質膜を形成したものや、CuやAlの金網、もしくは凹凸加工した金属板にAgやAuの表面酸化防止膜を形成したものが用いられる。さらに別の方法としては、金網、もしくは凹凸加工した金属板の表面に緻密な金属箔を配置して一体に成形する方法がある。この金属箔には、金網、もしくは凹凸加工した金属板材料より軟質、または耐酸化性の良い金属箔を用いたものがより有効である。例えば、CuやAlの金網、もしくは凹凸加工した金属板表面にCu,Al,Ag,Au等の箔を形成したものが用いられる。
【0022】
高さの補正と電気抵抗,熱抵抗の低減を最適に実現するために、電極間に金網、もしくは凹凸加工した金属板だけでなく、軟質の金属箔と同時に配置してもよい。例えば、上側の主電極板と中間電極板の間にはAu箔を挿入し、下側の主電極板と中間電極板の間には金網、もしくは凹凸加工した金属板を挿入して、接触面積が異なる場合にも同じ荷重でほぼ同等の変形量を確保する方法も有効である。
【0023】
図7は、IGBT11を用いたスイッチングデバイスと逆並列に接続したフライホイールダイオード(FWD)12を組み込んだ逆導通型スイッチングデバイスに適用した例を示したものである。図には、右端の圧接型半導体装置の最外部から中央に向かった途中までの一部断面を示している。IGBTチップ11には上面側の第一主面のほぼ全面にエミッタ電極,下面側の第二主面にはコレクタ電極が形成されており、さらに第一主面には制御用電極(ゲート電極)が形成されている。また、FWD12には、シリコン基板の上面側にアノード電極,下面側にカソード電極が形成されている。これらの各半導体チップは、放熱と電気的接続を兼ねたMoからなる一体型の中間電極14の上に配置され、さらにチップごとに個別の中間電極13によりチップ上の各主電極と接する形で配置される。これらがさらに第1の共通主電極板(Cu)4と第2の共通主電極板(Cu)5に挟まれている。さらにこの中間電極13と共通主電極板4との間には、凹凸加工した金属板である銅の波板17が挟まれている。中間電極板の表面にはAuめっき膜15が約1μm形成され、共通電極板の表面にはNiめっき膜16が1〜3μm形成されている。上記半導体チップ、及び中間電極は枠24により互いに固定されている。また、IGBTチップ11のゲート電極18からはワイヤボンド19により配線が引き出され、さらに中間電極14上に形成されたゲート電極配線板20に接続される。上記一対の共通主電極板4,5の間は、セラミック製等の絶縁性の外筒21により外部絶縁され、さらに共通主電極板と絶縁外筒の間を金属板22によりパッケージ内部をシール封止したハーメチック構造となっている。ゲート電極配線は外筒21を貫通するシールされた配線23によりパッケージ外に引き出されている。
【0024】
上記の銅の波板17は、ピッチ1mm,板材の厚さ0.3mm で、表面には薄いAuめっきを施したものを用いた。初期の凹凸部を含めた全体の厚さは0.6mmであった。本実施例で実装された中間電極板の厚さばらつきは最大100μmあったが、中間電極板14とチップ11,12間に感圧紙を挟んで圧力分布を測定した結果、圧力差は小さく、ほぼ均一に加圧されていることがわかった。
【0025】
図8は、MOS制御型スイッチングデバイス11とフライホイールダイオード12を組み込んだ逆導通型スイッチングデバイスに適用した例を示したものである。これらの各半導体チップの下側の主電極(コレクタ,カソード)はAuとし、あらかじめAgめっき膜15が2〜3μm形成された中間電極14と加熱加圧接着されている。一方、各半導体チップの上側の主電極(エミッタ,アノード)はAlとし、あらかじめAuめっき膜15が1〜2μm形成された中間電極13と接合されている。本実施例では、表面にNiめっき膜16が2〜4μm形成された第1の共通主電極板(Cu)4と第2の共通主電極板(Cu)5の間に上記の中間電極と半導体チップが一体化したものを並列に配置する。この際、中間電極14と共通主電極板5との間に、凹凸加工した金属板として一体のエキスパンドメタル板17を挟んで、両共通主電極板4,5により全体を加圧した。
【0026】
上記で用いたエキスパンドメタル板17は、材質がAgで、金属板厚が約0.1 mm,約3000mesh,初期の凹凸部を含めた全体の厚さは約0.25mm であった。本実施例で実装されたチップ位置毎の厚さばらつきは最大80μmあったが、中間電極板13と共通主電極板4間に感圧紙を挟んで圧力分布を測定した結果、圧力差は小さく、ほぼ均一に加圧されていることがわかった。
【0027】
図9はゲート制御電極をチップから取り出すためのピン25がチップの中央に形成された実装形態の例を示している。図7と同様にIGBT11を用いたスイッチングデバイスと逆並列に接続したフライホイールダイオード(FWD)12を組み込んだ逆導通型スイッチングデバイスに適用した例を示した。これらの各半導体チップの下側の主電極(コレクタ,カソード)はAu電極とし、あらかじめAgめっき膜が2〜3μm形成された中間電極14と加熱加圧接着されている。一方、中間電極13の表面にはAuめっき膜15が2〜3μm形成され、各半導体チップと加圧接触されている。これらがさらに表面にAgめっき膜が2〜4μm形成されている第1の共通主電極板(Cu)4と第2の共通主電極板(Cu)に挟まれている。高さばらつきを吸収するために、金網を二重に重ねた複合金網17が、中央に穴のあいた形状に加工されて、中間電極板13と共通電極板4の間の、上記ピン25、およびピンの絶縁用部材26の周りに配置される。この方法では個別の複合金網17は中央のピンの絶縁用部材26によりその位置ずれを防止できるので、組立作業性等がよい。
【0028】
金網を二重に重ねた複合金網は、金網を2枚重ねた状態で金型により所定の形状にプレス打抜きを行うことにより周辺部が一体化されており、一つの複合金網部品として取り扱うことができる。
【0029】
ゲート配線27は、第1の共通主電極板(Cu)4に設けられた溝28に収納されてパッケージの外周部に引き出され、さらに配線29,23によりパッケージ外部に取り出されている。接触抵抗をより一層低減するために、本実施例ではCuの複合金網を用い、さらにその表面にAuめっきを施した。これにより中間電極板、および共通電極板との間の接触抵抗を大幅に低減することができた。加圧力の小さい領域において、特にこの効果が顕著であった。本実施例で実装したチップ位置毎の厚さばらつきを最大200μmとしたが、中間電極板14と共通主電極板5間に感圧紙を挟んで圧力分布を測定した結果、圧力差は小さく、ほぼ均一に加圧されていることがわかった。
【0030】
上記の様に種類の異なる半導体チップを一つのパッケージ内に並列実装する場合で、種類毎にその厚さが大きく異なる場合には、チップ種に応じて中間電極板の平均厚さを変えたものを準備しチップ厚さの大きな違いを調整し、さらに本発明の金網、もしくは凹凸加工した金属板による変形を主に中間電極板および半導体チップの厚さのばらつきの吸収に用いる方法も有効である。
【0031】
図10は、GTOに適用した例を示す。半導体素子基板31は、シリコン (Si)で構成され、内部に少なくとも1つのPN接合を有している。半導体素子基板31は、一方の主面にアルミニウム(Al)で構成されたカソード電極及びゲート電極が形成され、他方の主面にアルミニウム(Al)で構成されたアノード電極が形成されている。カソード電極、及びアノード電極の上側にはそれぞれモリブデン(Mo)からなる中間電極板32,33が配置されている。中間電極板32,33と銅(Cu)の一対の外部主電極板4,5間に、Cuの金網34,35を配置し、全体を加圧した。半導体素子基板10の側面にはキャップ材36が配置されている。半導体基板上のゲート電極には、ゲートリード37の一部が接触配置され、その一部はゲート絶縁体38と皿バネ39によりゲート電極に圧接されている。上記部分はすべて絶縁体40,一対の外部電極4,5、及びフランジ41により囲まれた機密パッケージ内に配置されている。ゲートリード37の他端部はシール構造を介して、絶縁体40の外部にゲート端子として導出される。
【0032】
図11は、表面にAgの緻密な薄膜層を形成したCuのパンチングメタル42をウエハサイズの半導体素子31のカソード電極側と中間電極板32の間に配置した例を示している。半導体素子31のアノード電極側と共通電極板5の間にはそれぞれAgめっきを施したMoの金属箔43、および中間電極板33を配置した。パンチング銅板42により、べたのCu板よりも高さばらつきを吸収でき、接触抵抗を下げることができた。
【0033】
図12は半導体チップ1のコレクタ側電極と主電極板5と間に中間電極板がない場合の例を示している。半導体素子の加圧による破壊を防止するため、金網、もしくは凹凸加工した金属板はエミッタ側の中間電極板2と主電極板4と間に配置した。本実施例では凹凸加工した金属板としてスリット加工したエンボス板44を用いた。接触抵抗のより一層の低減、及びチップ保護のためにチップ主電極と主電極板5と間には軟質金属の箔45を挿入した。
【0034】
従来、一般に共通電極板、及び中間電極板の表面は接触抵抗を低減するためにその表面粗さ(Rmax)を1μm以下に仕上げることが必要だったが、上記金網、もしくは凹凸加工した金属板,軟質金属箔等を挟む共通電極板、及び中間電極板の表面は最大表面粗さ(Rmax)1μmを超える粗い凹凸状態でも、材料が表面凹凸にあわせて変形し、接触面積がミクロに増大して接触抵抗を低減できるので、加工コストの低減が図れる。
【0035】
上記中間電極の材料としては、熱膨張係数がSiと外部主電極材料の中間で、熱伝導性,電気伝導性の良好な材料が用いられる。具体的にはタングステン(W)やモリブデン(Mo)等の単体金属、またはそれらを主たる構成材料とするCu−W,Ag−W,Cu−Mo,Ag−Mo,Cu−FeNi等の複合材料または合金、さらには金属とセラミックスやカーボンとの複合材料、たとえばCu/SiC,Cu/C,Al/SiC,Al/AlN,Cu/Cu2O 等が好ましい。一方、主電極には電気伝導性で熱伝導性の良い銅やアルミニウム、またはそれらを主体とする合金類、たとえばCu−Ag,Cu−Sn,Cu−Zr,Cu−Zr−Cr,Cu−Ni−Si−Zr等や、前述のような複合材料を使用するのが好ましい。
【0036】
本発明の実装方式は、もちろんダイオードを含まないIGBT等のスイッチング半導体のみからなる圧接型半導体装置にも用いることができる他、例えばダイオードチップのみを多数個上記の方法で圧接型パッケージに実装することももちろん有効である。また、上記実施例では、主としてIGBTを用いて説明したが、本発明は少なくとも第一主面に第一の主電極と第二主面に第二の主電極を有する半導体素子全般を対象としており、IGBT以外の絶縁ゲート形トランジスタ(MOSトランジスタ)や、IGCT(Insulated Gate Controlled Thyristor)などを含む絶縁ゲート形サイリスタ(MOS制御サイリスタ)や、GTO,サイリスタ、及びダイオードなどに対しても同様に実施できる。また、Si素子以外のSiC,GaNなどの化合物半導体素子に対しても同様に有効である。
【0037】
本発明の圧接型半導体装置では、大型化(大容量化)しても安定した電極間の接触状態が得られるため、電気抵抗,熱抵抗の小さな半導体装置が得られる。従って、この圧接型半導体装置を用いることにより、変換器容積、及びコストを大幅に削減した大容量変換器が実現できるようになる。図13に本発明によるIGBTの圧接型半導体装置を主変換素子として電力用変換器に応用した場合の1ブリッジ分の構成回路図を示す。主変換素子となるIGBT素子50とダイオード素子51が逆並列に配置され、これらがn個直列に接続された構成となっている。これらIGBTとダイオードは、本発明による多数の半導体チップを並列実装した圧接型半導体装置を示している。上記図7〜図9の実施例の逆導通型IGBT圧接型半導体装置の場合には図中のIGBTチップとダイオードチップがまとめて一つのパッケージに収められた形となる。これにスナバ回路52、及び限流回路が設けてある。図14は、図13の3相ブリッジを4多重した自励式変換器の構成を示したものである。本発明の圧接型半導体装置は、複数個をその主電極板外側と面接触する形で水冷電極を挟んで直列接続するスタック構造と呼ぶ形に実装され、スタック全体を一括で加圧する。本発明によれば、従来より低い加圧力でも均一な接触が得られるので、上記スタック構造等を簡略化できるという効果もある。
【0038】
本発明の圧接型半導体装置は、上記の例に限らず電力系統に用いられる自励式大容量変換器やミル用変換器として用いられる大容量変換器に特に好適で、可変速揚水発電,ビル内変電所設備,電鉄用変電設備,ナトリウム硫黄(NaS)電池システム,車両等の変換器にも用いることができる。
【0039】
【発明の効果】
本発明によれば、ウエハの大口径化によるパッケージの大型化や、大容量化に対応する素子の多チップ並列化に伴って、ますます困難になる大面積域での均一圧接を比較的低圧力で簡単に実現することができる、すなわち接触面の高さのばらつきを十分に吸収し、かつ接触界面での熱抵抗,電気抵抗を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本構成を示す断面図。
【図2】金網の加圧による変形過程を示すモデル図。
【図3】金網の厚さ方向の変形量、及び電気抵抗と加圧力との関係を示した図。
【図4】凹凸加工した金属板の断面構造例を示す図。
【図5】凹凸加工した金属板の外観写真の例。
【図6】凹凸加工した金属板の加圧による変形過程を示すモデル図。
【図7】IGBTに適用した本発明の実施例を示す図。
【図8】IGBTに適用した本発明の実施例を示す図。
【図9】IGBTに適用した本発明の実施例を示す図。
【図10】ウエハサイズ半導体素子に適用した本発明の実施例を示す図。
【図11】ウエハサイズ半導体素子に適用した本発明の実施例を示す図。
【図12】本発明の実施例を示す図。
【図13】本発明の半導体装置を用いた1ブリッジ分の構成回路図。
【図14】図13の3相ブリッジを4多重した自励式変換器の構成図。
【図15】従来方式で加圧した場合の軟質金属の変形挙動を説明する図。
【符号の説明】
1…半導体素子、2,3,13,14,32,33…中間電極板、4,5…主電極板、6,9,10,17,34,35,42,44…金網、もしくは凹凸加工した金属板、7,8…電極板、11…IGBT、12…フライホイールダイオード、15,16…金属めっき膜、18…ゲート電極、19…ワイヤボンド、20…ゲート電極配線板、21…絶縁性外筒、22…金属板、23…気密貫通配線、24…枠、25…ピン、26…絶縁用部材、27…ゲート配線、28…溝、29…配線、31…ウエハサイズ半導体素子、36…キャップ材、37…ゲートリード、38…ゲート絶縁体、39…皿バネ、40…絶縁体、41…フランジ、43,45…金属箔、50…IGBT素子、51…ダイオード素子、52…スナバ回路、53…軟質金属シート、54,55…電極部材、56…摩擦力(摩擦抵抗)。
Claims (11)
- 両面に露出する一対の主電極板の間を絶縁性の外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に少なくとも第一の主電極,第二主面に第二の主電極を有する少なくとも一つ以上の半導体素子を組み込んだ半導体装置であって、該半導体素子の主電極と該主電極板の間に金網を配置することを特徴とする圧接型半導体装置。
- 両面に露出する一対の主電極板の間を絶縁性の外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に少なくとも第一の主電極,第二主面に第二の主電極を有する少なくとも一つ以上の半導体素子を組み込んだ半導体装置であって、各半導体素子の主電極とこれに対向する主電極板との間に導電性の中間電極板を介装し、さらに少なくとも一方の該中間電極板とこれに対向する主電極板間に金網を配置することを特徴とする圧接型半導体装置。
- 前記金網がCu,Al,Ag,Au,Niまたはこれらを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の圧接型半導体装置。
- 前記金網の表面に、金網の材料より軟質、または耐酸化性の良い緻密な金属層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の圧接型半導体装置。
- 前記各半導体素子の主電極,中間電極板、及び主電極板のうち互いに対向する少なくとも一つの接触面間に、さらに軟質金属箔を介装することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の圧接型半導体装置。
- 前記中間電極、または主電極板の少なくとも一方の面に、軟質金属膜を形成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の圧接型半導体装置。
- 前記主電極板、及び中間電極板の少なくとも一面が最大表面粗さ (Rmax)1μmを超える粗い凹凸加工がなされていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の圧接型半導体装置。
- 前記半導体素子が第一主面に第一主電極と制御電極,第二主面に第二主電極を有する絶縁ゲート形素子であり、さらに同一の圧接型パッケージ内には第一主面に第一主電極,第二主面に第二主電極を有するフライホイールダイオードを、上記絶縁ゲート形素子と逆並列に複数個並置して組み込んだことを特徴とする請求項1乃至7のいずかに記載の圧接型半導体装置。
- 前記半導体素子が、少なくとも一つのPN接合を有する1枚の半導体素子基板であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の圧接型半導体装置。
- 両面に露出する一対の主電極板の間を絶縁性の外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に少なくとも第一の主電極,第二主面に第二の主電極を有する少なくとも一つ以上の半導体素子を組み込み、さらに該半導体素子と該主電極板の間に金網を配置した圧接型半導体装置を主変換素子として用いたことを特徴とする電力変換器。
- 両面に露出する一対の主電極板の間を絶縁性の外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に少なくとも第一の主電極,第二主面に第二の主電極を有する少なくとも一つ以上の半導体素子を組み込み、かつ各半導体素子の主電極とこれに対向する主電極板との間に導電性を有する中間電極板を介装し、さらに該中間電極板とこれに対向する主電極板間の少なくとも一方に金網を配置した圧接型半導体装置を主変換素子として用いたことを特徴とする電力変換器。
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