JP3706207B2 - 電圧監視回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばマイクロコンピュータ等のようなクロックを発生する発振器を内蔵した電子回路をリセットするリセット回路として用いられ、電源電圧を監視して該電源電圧が所定の値よりも低下した時にリセット信号を生成する電圧監視回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図2は、従来の電圧監視回路の一構成例を示す回路図である。
この電圧監視回路10は、コンパレータ11を有している。コンパレータ11の第1の電源電圧入力端子は、バッテリ(以下、BATという)の+側から供給される電源電圧VDDに接続されている。又、コンパレータ11の第2の電源電圧入力端子は、グランドに接続されている。更に、コンパレータ11の非反転入力端子(+)は抵抗12を介して電源電圧VDDに接続されると共に、抵抗13を介してグランドに接続されている。抵抗13には、コンデンサ14が並列接続されている。この非反転入力端子(+)には、電源電圧VDDが抵抗12と抵抗13とで分圧された入力電圧inが供給されるようになっている。
コンパレータ11の反転入力端子(−)は抵抗15を介してツェナ・ダイオード16のカソードKに接続されると共に、抵抗17を介してグランドに接続されている。抵抗17には、コンデンサ18が並列接続されている。ツェナ・ダイオード16のアノードAはグランドに接続され、該ツェナ・ダイオード16のカソードKが抵抗19を介して電源電圧VDDに接続されている。BATの−側は、グランドに接続されている。この反転入力端子(−)には、ツェナ・ダイオード16のツェナ電圧が抵抗15と抵抗17とで分圧された基準電圧Refが供給されるようになっている。
【0003】
又、コンパレータ11の出力端子は、中央処理装置(以下、CPUという)20のリセット端子Rに接続されている。CPU20の第1の電源電圧入力端子Vddは、電源電圧VDDに接続されている。CPU20の第2の電源電圧入力端子Gは、グランドに接続されている。CPU20に内蔵された発振器(以下、OSCという)20aには、外付けのコンデンサ21及び抵抗22が接続されている。CPU20は、入力信号INに対してプログラムに基づいた処理を行い、出力信号OUTを出力する機能を有している。
図3は、図2の動作を説明するためのタイムチャートであり、縦軸に電圧、及び横軸に時間がとられている。
この図を参照しつつ、図2の動作を説明する。
CPU20は、電源電圧VDDがBATから供給されており、内蔵の発振器20aによって該CPU20の動作クロックを生成し、入力信号INに対してプログラムに基づいた処理を行って出力信号OUTを出力する。又、発振器20aは、コンデンサ21及び抵抗22により発振周波数が設定されている。コンパレータ11の入力電圧inは基準電圧Refと比較され、該入力電圧inが基準電圧Refよりも高い場合に高レベル(以下、“H”という)の出力信号S11をCPU20のリセット端子Rに供給する。この時、CPU20は、通常の動作を行う。そして、時刻t1において、BATの消耗等によって電源電圧VDDが低下し始めた時、電源電圧VDDの低下に連動して入力電圧inが低下し始める。その後、時刻t2において、入力電圧inが基準電圧Refよりも低くなった場合に低レベル(以下、“L”という)の出力信号S11をCPU20のリセット端子Rに供給することにより、リセットを行う。このように、電源電圧VDDが低下し始めた時、CPU20が論理的に正常に動作している時に該CPU20をリセットし、出力信号OUTにエラーが出ないようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の電圧監視回路10では、次のような課題があった。
即ち、入力電圧inのばらつきと基準電圧Refのばらつきが独立しているので、基準電圧Refは、両者のばらつきの最悪の状態を想定して設定する必要がある。そのため、基準電圧Refは、必要以上に高く設定されることがある。例えば、CPU20が正常に動作する下限の電源電圧VDDを抵抗12と抵抗13とで分圧した入力電圧inを1.0±0.3Vとし、基準電圧Refのばらつきが±0.4Vとすると、この基準電圧Refは、入力電圧inの最悪値1.3V(1.0+0.3V)に基準電圧Refのばらつきの最悪値0.4Vを加算した1.7Vに設定されることがある。
従って、入力電圧inが1.7Vのときリセットされる場合があり、実質的にCPU20が正常に動作する電源電圧VDDの範囲が狭くなる。例えば、CPU20は、入力電圧inが1.0Vに低下するまで正常に動作するものであっても、該入力電圧inが1.7Vになった時にリセットされてしまう。そのため、この1.7Vの入力電圧inに対応した電源電圧VDDがCPU20の実質的な動作下限電圧になり、BATの使用時間が真の使用限度時間よりも短くなるという問題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明のうちの第1の発明は、正常な電源電圧が与えられた場合に抵抗とコンデンサとで決定される固有の発振周波数で発振する発振器を内蔵して該発振周波数に基づくクロックにタイミング制御された動作を行う電子回路に対し、前記電源電圧を監視して該電源電圧が所定の値よりも低下した時にリセット信号を生成して与える電圧監視回路において、次のような手段を備えている。
即ち、前記クロックを微分して微分信号を生成する微分回路と、前記微分信号を整流して半波整流信号を生成する整流手段と、前記半波整流信号を積分して積分信号を生成する積分回路と、前記積分信号の値を前記電源電圧のレベルを反映した基準値と比較し、該積分信号の値が該基準値よりも低い場合は、前記電源電圧の低下によって前記発振周波数が低下したと判断して前記リセット信号を出力するリセット信号生成回路とを、備えている。
この第1の発明によれば、以上のように電圧監視回路を構成したので、電子回路内の発振器から出力されたクロックは微分回路で微分され、整流手段で半波整流信号になる。この半波整流信号は積分回路で積分されてリセット信号生成回路へ出力される。リセット信号生成回路において、積分信号の値は基準値と比較され、基準値以上の場合、電子回路は通常の動作を行う。一方、積分信号の値が基準値よりも低い場合は、リセット信号生成回路からリセット信号が電子回路に出力され、この電子回路がリセットされる。
【0006】
第2の発明では、正常な電源電圧が与えられた場合に抵抗とコンデンサとで決定される固有の発振周波数で発振する発振器を内蔵して該発振周波数に基づくクロックにタイミング制御された動作を行う電子回路に対し、前記電源電圧を監視して該電源電圧が所定の値よりも低下した時にリセット信号を生成して与える電圧監視回路において、次のような手段を備えている。
即ち、前記クロックを微分して第1の微分信号を生成する第1の微分回路と、前記第1の微分信号を整流して第1の半波整流信号を生成する第1の整流手段と、前記クロックを反転して反転クロックを生成するインバータと、前記反転クロックを微分して第2の微分信号を生成する第2の微分回路と、前記第2の微分信号を整流して第2の半波整流信号を生成する第2の整流手段と、前記第1及び第2の半波整流信号の合成信号を生成する合成手段と、前記合成信号を積分して積分信号を生成する積分回路と、前記積分信号の値を前記電源電圧のレベルを反映した基準値と比較し、該積分信号の値が該基準値よりも低い場合は、前記電源電圧の低下によって前記発振周波数が低下したと判断して前記リセット信号を出力するリセット信号生成回路とを、備えている。
この第2の発明によれば、クロックは第1の微分回路で微分され、第1の整流手段で第1の半波整流信号になる。それと同時に、クロックはインバータで反転されて反転クロックになり、この反転クロックが第2の微分回路で微分され、第2の整流手段で第2の半波整流信号になる。第1及び第2の半波整流信号は、合成手段で合成信号になる。この合成信号は積分回路で積分されてリセット信号生成回路へ出力される。リセット信号生成回路において、積分信号の値は基準値と比較され、基準値以上の場合、電子回路は通常の動作を行う。一方、積分信号の値が基準値よりも低い場合は、リセット信号生成回路からリセット信号が電子回路に出力され、この電子回路がリセットされる。従って、前記課題を解決できるのである。
【0007】
【発明の実施の形態】
第1の実施形態
図1は、本発明の第1の実施形態を示す電圧監視回路の回路図である。
この電圧監視回路30は、電子回路(例えば、CPU)40から出力されたクロックS40を入力する入力端子31を有している。入力端子31は、コンデンサ32を介してノードN1に接続されている。ノードN1は、抵抗33を介してグランドに接続されている。これらのコンデンサ32と抵抗33とで クロックS40を微分して微分信号S32を生成する微分回路が構成されている。更に、ノードN1は、整流手段であるダイオード34のアノードAに接続されている。ダイオード34は、微分信号S32を整流して半波整流信号S34を生成する機能を有している。ダイオード34のカソードKは、ダイオード35のアノードAに接続されると共に、抵抗36を介してダイオード35のカソードKに接続されている。ダイオード35のカソードKは、抵抗37を介してノードN2に接続されている。ノードN2は、コンデンサ38を介してグランドに接続されている。これらのダイオード35と抵抗36,37とコンデンサ38とで、充電時定数がR37×C38、及び放電時定数が(R36+R37)×C38の積分回路が構成されている。但し、R36は抵抗36の抵抗値、R37は抵抗37の抵抗値、C38はコンデンサ38の容量値である。この積分回路は、半波整流信号S34を積分して積分信号S37を生成する回路である。更に、ノードN2は、リセット信号生成回路であるシュミットトリガバッファ39の入力端子に接続されている。シュミットトリガバッファ39の出力端子は、CPU40のリセット端子Rに接続されている。シュミットトリガバッファ39の第1の電源電圧入力端子は、BATの+側から供給される電源電圧VDDに接続されている。又、シュミットトリガバッファ39の第2の電源電圧入力端子は、グランドに接続されている。このシュミットトリガバッファ39は、積分信号S37の値を電源電圧VDDのレベルを反映した基準値VT と比較し、該積分信号S37の値が該基準値VT よりも低い場合は、電源電圧VDDの低下によってOSC40aの発振周波数が低下したと判断してリセット信号S39を出力する機能を有している。
【0008】
CPU40の第1の電源電圧入力端子Vddは、電源電圧VDDに接続されている。CPU40の第2の電源電圧入力端子Gは、グランドに接続されている。CPU40に内蔵されたOSC40aには、外付けのコンデンサ41及び抵抗42が接続されている。これらのコンデンサ41と抵抗42とでOSC40aの発振周波数が決定される。OSC40aの出力信号は、バッファ40bを経て前記クロックS40として出力される。このCPU40は、入力信号INに対してプログラムに基づいた処理を行い、出力信号OUTを出力する機能を有している。
図4は、図1中のOSC40aの一例を示す回路図である。
このOSC40aは、インバータ43,44を有している。インバータ43の入力端子と出力端子は、抵抗42を介して接続されている。更に、インバータ43の出力端子は、インバータ44の入力端子に接続されている。インバータ44の出力端子は、コンデンサ41を介してインバータ43の入力端子に接続されている。
【0009】
このOSC40aでは、インバータ44の出力信号S44が“H”になっているとすると、インバータ43の出力信号S43は“L”である。この時、コンデンサ41の充電電流は、インバータ44の出力端子からコンデンサ41及び抵抗42を経てインバータ44の入力端子へ流れる。この電流による抵抗42の両端の電圧降下でインバータ43の入力信号S42は、出力信号S43に対して正、つまり“H”になっている。この結果、出力信号S43は“L”となり、安定している。コンデンサ41と抵抗42の値で決まる一定の時間Tの間、この充電電流が流れると、充電が完了して電流が流れなくなる。すると、抵抗42の両端の電圧降下も0になるので、入力信号S42は“L”になり、出力信号S43が “H”に反転する。この時、出力信号S44は、“L”に反転する。次に、インバータ43の出力端子から抵抗42及びコンデンサ43を経てインバータ44の出力端子に充電電流が流れる。この充電も一定の時間Tの後に終了し、出力信号S43は“H”から“L”反転し、出力信号S44が“L”から“H”に反転する。このようにして、時間Tの周期で出力信号S44は“H”と“L”を交互に繰り返す。
【0010】
図5は、図1中のCPU40の電源電圧とOSC40aの発振周波数との関係を説明する図であり、縦軸に発振周波数、及び横軸に電源電圧がとられている。
グラフAは、発振周波数が1000kHz になるように、C41(コンデンサ41の容量値)を27pF、及びR42(抵抗42の抵抗値)を10kΩとした場合の電源電圧VDDとOSC40aの発振周波数との関係を示している。又、グラフBは、発振周波数が500kHzになるように、C41を62pF、及びR42を10kΩとした場合の電源電圧VDDとOSC40aの発振周波数との関係を示している。これらのグラフA及びグラフBに示されているように、電源電圧VDDが約2V以下に低下すると、OSC40a内の各インバータ43,44のドライブ能力が低下するので、動作速度が低下して発振周波数が低下し始める。例えば、グラフAにおいて、電源電圧VDDがV1(約1.1V)になると発振周波数はf1(=500kHz)になる。又、グラフBでは、電源電圧VDDがV2(約0.9V)になると発振周波数はf2(=250kHz)になる。本実施形態では、この性質を利用して電圧監視回路を構成している。
【0011】
図6は、図1の動作を説明するためのタイムチャートであり、縦軸に電圧、及び横軸に時間がとられている。
この図を参照しつつ、図1の動作を説明する。
時刻t1において、BATの消耗等によって電源電圧VDDが低下し始めた時、OSC40aの発振周波数は急激に低下し、クロックS40の周期が急激に長くなる。クロックS40の周期が長くなると、コンデンサ32及び抵抗33による微分回路の出力信号である微分信号S32はパルスの間隔が長くなる。すると、半波整流信号S34のパルスの間隔も長くなり、積分信号S37のレベルも急激に低下する。この時、電源電圧VDDの低下によってシュミットトリガバッファ39のヒステリシス特性の下端も低下する。このヒステリシス特性の下端が、電源電圧のレベルを反映した基準値VT になる。
時刻t2において、積分信号S37は基準値VT よりも低くなり、シュミットトリガバッファ39の出力信号であるリセット信号S39が“H”から“L”に変化し、CPU40がリセットされる。
【0012】
以上のように、この第1の実施形態では、CPU40に内蔵されたOSC40aの発振周波数の低下に基づいて電源電圧VDDの低下を検知することによってリセット信号S39を得ているので、CPU40が動作できる電源電圧VDDの最低の限界に連動してリセットすることになる。そのため、CPU40が動作する電源電圧の範囲を従来に比べて広くすることができる。その結果、BATは使用時間の限界まで使用でき、従来よりも使用時間が長くなる。
【0013】
第2の実施形態
図7は、本発明の第2の実施形態を示す電圧監視回路の回路図であり、第1の実施形態を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この電圧監視回路30Aでは、図1中の電圧監視回路30に、インバータ51と、コンデンサ52及び抵抗53で構成された第2の微分回路と、第2の整流手段であるダイオード54とが追加されている。即ち、入力端子31はインバータ51の入力端子に接続されている。インバータ51の第1の電源電圧入力端子は電源電圧VDDに接続され、該インバータ51の第2の電源電圧入力端子がグランドに接続されている。インバータ51は、クロックS40を反転して反転クロックS51を生成する機能を有している。インバータ51の出力端子は、コンデンサ52を介してノードN3に接続されている。ノードN3は、抵抗53を介してグランドに接続されている。更に、ノードN3は、ダイオード54のアノードAに接続されている。ダイオード54のカソードKは、合成手段であるノードN4を介してダイオード34のカソードKに接続されている。ノードN4は、ダイオード34のカソードKから出力される第1の半波整流信号とダイオード54のカソードKから出力される第2の半波整流信号の合成信号SMを生成する機能を有している。他は、図1と同様の構成である。
【0014】
図8は、図7の動作を説明するためのタイムチャートであり、縦軸に電圧、及び横軸に時間がとられている。
図7の電圧監視回路30Aでは、次の点が図1の動作と異なっている。
クロックS40は、インバータ51で反転されて反転クロックS51になる。反転クロックS51は、第2の微分回路で微分されて微分信号S52になる。この微分信号S52と微分信号S32とは、互いに逆位相になっている。微分信号S52及び微分信号S32はダイオード54及びダイオード34でそれぞれ整流され、ノードN4で合成されて合成信号SMとなって積分回路へ送出される。この合成信号SMは、図6中の半波整流信号S34に対して倍の密度のパルスになっている。そのため、積分信号S37は、第1の実施形態に比べてリップルが少なくなり、シュミットトリガバッファ39におけるレベルの低下を検出する精度が向上する。又、積分回路の時定数は、第1の実施形態よりも相対的に小さくしてもよい。
【0015】
以上のように、この第2の実施形態では、第1の実施形態の利点に加え、積分信号S37のリップルが第1の実施形態に比べて少なくなるので、積分信号S37のレベルの低下を検出する精度が向上する。更に、積分回路の時定数を第1の実施形態よりも相対的に小さくすることができるので、コンデンサ38の容量値を小さくすることにより、この電圧監視回路のLSI(大規模集積回路)化が容易にできる。
尚、本発明は上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次のようなものがある。
(a) 実施形態では、電子回路はCPUとしているが、クロックに基づいて動作する個別素子を組み合わせた論理回路でもよい。
(b) 実施形態では、リセット信号生成回路はシュミットトリガバッファとしているが、例えば積分信号S37を電源電圧VDDの低下に対応して設定した基準値と比較するコンパレータで構成してもよい。
【0016】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、第1の発明によれば、電子回路に内蔵された発振器の発振周波数の低下に基づいて電源電圧の低下を検知することによってリセット信号を得ているので、電子回路が動作できる電源電圧の最低の限界に連動してリセットすることになる。そのため、電子回路の動作する電源電圧の範囲を従来に比べて広くすることができる。このため、電源電圧を例えばBATから供給している場合、このBATを使用時間の限界まで使用でき、従来よりも使用時間を長くできる。
第2の発明によれば、第1の発明の効果に加え、積分信号のリップルは第1の発明に比べて少なくなるので、積分信号のレベルの低下を検出する精度を向上できる。更に、積分回路の時定数を第1の発明よりも相対的に小さくすることができるので、積分回路を構成するコンデンサの容量値を小さくすることにより、この電圧監視回路を容易にLSI化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の電圧監視回路の回路図である。
【図2】従来の電圧監視回路の回路図である。
【図3】図2のタイムチャートである。
【図4】図1中のOSC40aの回路図である。
【図5】図1中のCPUの電源電圧と発振周波数との関係を説明する図である。
【図6】図1のタイムチャートである。
【図7】本発明の第2の実施形態の電圧監視回路の回路図である。
【図8】図7のタイムチャートである。
【符号の説明】
10,30,30A 電圧監視回路
20,40 マイクロコンピュータ(電子回路)
20a,40a 発振器
32,52 コンデンサ(微分回路)
33,53 抵抗(微分回路)
34,54 ダイオード(整流手段)
35 ダイオード(積分回路)
36,37 抵抗(積分回路)
38 コンデンサ(積分回路)
39 シュミットトリガバッファ(リセット信号生成回路)
51 インバータ
N4 ノード(合成手段)
VDD 電源電圧
Claims (2)
- 正常な電源電圧が与えられた場合に抵抗とコンデンサとで決定される固有の発振周波数で発振する発振器を内蔵して該発振周波数に基づくクロックにタイミング制御された動作を行う電子回路に対し、前記電源電圧を監視して該電源電圧が所定の値よりも低下した時にリセット信号を生成して与える電圧監視回路において、
前記クロックを微分して微分信号を生成する微分回路と、
前記微分信号を整流して半波整流信号を生成する整流手段と、
前記半波整流信号を積分して積分信号を生成する積分回路と、
前記積分信号の値を前記電源電圧のレベルを反映した基準値と比較し、該積分信号の値が該基準値よりも低い場合は、前記電源電圧の低下によって前記発振周波数が低下したと判断して前記リセット信号を出力するリセット信号生成回路とを、
備えたことを特徴とする電圧監視回路。 - 正常な電源電圧が与えられた場合に抵抗とコンデンサとで決定される固有の発振周波数で発振する発振器を内蔵して該発振周波数に基づくクロックにタイミング制御された動作を行う電子回路に対し、前記電源電圧を監視して該電源電圧が所定の値よりも低下した時にリセット信号を生成して与える電圧監視回路において、
前記クロックを微分して第1の微分信号を生成する第1の微分回路と、
前記第1の微分信号を整流して第1の半波整流信号を生成する第1の整流手段と、
前記クロックを反転して反転クロックを生成するインバータと、
前記反転クロックを微分して第2の微分信号を生成する第2の微分回路と、
前記第2の微分信号を整流して第2の半波整流信号を生成する第2の整流手段と、
前記第1及び第2の半波整流信号の合成信号を生成する合成手段と、
前記合成信号を積分して積分信号を生成する積分回路と、
前記積分信号の値を前記電源電圧のレベルを反映した基準値と比較し、該積分信号の値が該基準値よりも低い場合は、前記電源電圧の低下によって前記発振周波数が低下したと判断して前記リセット信号を出力するリセット信号生成回路とを、
備えたことを特徴とする電圧監視回路。
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