JP3702963B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造技術、特に、半導体チップ（以下、チップという。）に形成された電極パッドにキャリアに敷設されたインナリードをボンディングするボンディング技術に関し、例えば、チップのサイズと同等または略同等のサイズのチップ・サイズ・パッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ ＰａｃｋａｇｅまたはＣｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ。以下、ＣＳＰという。）を備えている半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法に利用して有効なものに関する。

ＩＣを使用する電子機器の小型薄形化に伴って、ＩＣのパッケージの縮小が要望されている。この要望に応ずるために各種のＣＳＰが開発されており、その一例として、次のように構成されているマイクロ・ボール・グリッド・アレイパッケージ（以下、μＢＧＡという。）がある。すなわち、チップの電極パッド側の主面にはテープキャリアが絶縁膜によって機械的に接続されているとともに、テープキャリアに敷設された各インナリードがチップの各電極パッドにボンディングされており、各アウタリードに各外部端子としてのバンプがそれぞれ半田付けされて突設されている。

このμＢＧＡにおけるインナリードのボンディング方法として、チップの全面にわたって配置された各電極パッドに多数本のインナリードが１本ずつボンディング工具によって次々に圧接されて行くシングルポイントボンディング法（以下、単にボンディング方法という。）がある。

なお、ＣＳＰを述べてある例としては、非特許文献１がある。

メモリチップをフィルムキャリアによるリード・オン・チップ方式のＴＡＢ型パッケージに実装するに際し、接合ずれによる接合強度低下を発生させず、さらにはフォーミング金型等が不要で低コストのメモリチップのＴＡＢパッケージのボンディング方法が述べられている例として、特許文献１がある。このボンディング方法においては、ボンディング工具によってボンディング前にインナリードが屈曲変形された後に、ボンディング工具によってインナリードが加圧されてチップの電極パッドに接合される。
「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ」，株式会社プレスジャーナル，１９９５年５月，ｐ．１１２−１１３ 特開平６−１３４２８号公報

しかしながら、前記したボンディング方法においては、インナリードの真下に電極パッドが位置した状態になるため、インナリードの中心線を画像認識装置によって認識することができないという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。

しかしながら、前記したボンディング方法においては、絶縁膜に機械的に接続されたチップが傾いていると、ボンディング工具によって次々にボンディングされて行くインナリードと電極パッドとの間隔の相互間に誤差がそれぞれ発生するため、ボンディング後の各インナリードのループ形状が相異なるという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。

前記したボンディング方法においては、水平に真っ直ぐ延びたインナリードがボンディング工具によって屈曲変形されるため、インナリードに歪みが発生してインナリードボンディング後のインナリードに応力が残留し、その結果、温度サイクル加速試験時等に熱膨張係数差による応力（以下、熱応力という。）が作用した際に、インナリードの応力残留部に亀裂が入るという問題点があることが、本発明者によって明らかにされた。

本発明の目的は、電極パッドの存在にかかわらずインナリードの中心線を認識することができるボンディング技術を提供することにある。

本発明の目的は、ボンディング後のループ形状を安定させることができるボンディング技術を提供することにある。

本発明の目的は、インナリードボンディング後のインナリードに応力が残留するのを防止することができるボンディング技術を提供することにある。

本発明の目的は、テープでの位置合わせを確保することによってテープによる製造を実現することができるボンディング技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。

すなわち、一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記ボンディングに際して、前記インナリードの一部がボンディング工具によって前記半導体チップの上に接触された後に、前記ボンディング工具が上昇され、次いで、前記ボンディング工具の先端部によって前記インナリードの中間部分が押されることにより、前記インナリードの一部が弯曲されるとともに、前記インナリードの先端部分が前記電極パッドに対応する位置に移動され、続いて、前記ボンディング工具が前記インナリードの先端部分に移動され、前記インナリードが前記電極パッドに押し付けられてボンディングされることを特徴とする。

前記した手段によれば、インナリードボンディングに際して、インナリードをボンディング工具によって変形させることができるため、インナリードを電極パッドに正確にボンディングすることができる。

本願において開示される発明のうち代表的なその他の概要を説明すれば、次の通りである。

１．一主面にインナリード群が敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されて、前記半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードに整合された後に、前記各インナリードが前記半導体チップの各電極パッドにボンディング工具によってボンディングされるボンディング方法において、
前記電極パッドを背景とする前記インナリードの画像が取り込まれる画像取り込み工程と、
前記取り込み画像上における前記インナリードにそれぞれ直交する画像走査線のうち、前記電極パッドを含む画像走査線の少なくとも１本および前記電極パッドの両脇の画像走査線の少なくとも１本ずつに各インナリード認識用測定線が設定されるインナリード認識用測定線設定工程と、
前記各インナリード認識用測定線毎に各線上の各点の輝度がそれぞれ測定される輝度測定工程と、
前記各インナリード認識用測定線の輝度が同一点毎に加算されて加算輝度分布波形が形成される形成工程と、
前記加算輝度分布波形に閾値が設定され、この閾値以上の領域における重心が算出されて前記インナリードの中心線が判定される判定工程と、
を備えていることを特徴とするボンディング方法。

２．一主面にインナリード群が敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されて、前記半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードに整合された後に、前記各インナリードが前記半導体チップの各電極パッドにボンディング工具によってボンディングされるボンディング方法において、
前記電極パッドを背景とする前記インナリードの画像が取り込まれる画像取り込み工程と、
前記取り込み画像上における前記インナリードにそれぞれ直交する画像走査線のうち、前記電極パッドを含む画像走査線の少なくとも１本および前記電極パッドの両脇の画像走査線の少なくとも１本ずつに各インナリード認識用測定線が設定されるインナリード認識用測定線設定工程と、
前記各インナリード認識用測定線毎に各線上の各点の輝度がそれぞれ測定される輝度測定工程と、
前記各インナリード認識用測定線毎に閾値がそれぞれ設定され閾値以上輝度分布波形が形成される形成工程と、
前記各閾値以上輝度分布波形が同一点毎に加算されて加算閾値以上輝度分布波形が形成され、この閾値以上の領域における重心が算出されて前記インナリードの中心線が判定される判定工程と、
を備えていることを特徴とするボンディング方法。

３．一主面にインナリード群が敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されて、前記半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードに整合された後に、前記各インナリードが前記半導体チップの各電極パッドにボンディング工具によってボンディングされるボンディング方法において、
前記キャリアおよび半導体チップの横方向から前記インナリードおよび前記電極パッドに対応する画像が取り込まれる画像取り込み工程と、
前記取り込み画像上における前記インナリードにそれぞれ直交する画像走査線のうち、前記電極パッドに対応する画像走査線の少なくとも１本および前記電極パッドに対応する画像の両脇の画像走査線の少なくとも１本ずつに各インナリード認識用測定線が設定されるインナリード認識用測定線設定工程と、
前記各インナリード認識用測定線毎に各線上の各点の輝度がそれぞれ測定される輝度測定工程と、
前記各インナリード認識用測定線の輝度が同一点毎に加算されて加算輝度分布波形が形成される形成工程と、
前記加算輝度分布波形に閾値が設定され、この閾値以上の領域における重心が算出されて前記インナリードの厚さの中心線が判定される判定工程と、
を備えていることを特徴とするボンディング方法。

４．一主面にインナリード群が敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されて、前記半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードに整合された後に、前記各インナリードが前記半導体チップの各電極パッドにボンディング工具によってボンディングされるボンディング方法において、
前記キャリアおよび半導体チップの横方向から前記インナリードおよび前記電極パッドに対応する画像が取り込まれる画像取り込み工程と、
前記取り込み画像上における前記インナリードにそれぞれ直交する画像走査線のうち、前記電極パッドに対応する画像走査線の少なくとも１本および前記電極パッドに対応する画像の両脇の画像走査線の少なくとも１本ずつに各インナリード認識用測定線が設定されるインナリード認識用測定線設定工程と、
前記各インナリード認識用測定線毎に各線上の各点の輝度がそれぞれ測定される輝度測定工程と、
前記各インナリード認識用測定線毎に閾値がそれぞれ設定され閾値以上輝度分布波形が形成される形成工程と、
前記各閾値以上輝度分布波形が同一点毎に加算されて加算閾値以上輝度分布波形が形成され、この閾値以上の領域における重心が算出されて前記インナリードの厚さの中心線が判定される判定工程と、
を備えていることを特徴とするボンディング方法。

５．一主面にインナリード群が敷設されたキャリアに絶縁膜を介して機械的に接続されている半導体チップの各電極パッドに、これら電極パッドにそれぞれ整合された前記各インナリードがボンディング工具によってボンディングされるボンディング装置において、
前記電極パッドを背景とする前記インナリードの画像を取り込む画像取り込み装置と、 前記取り込み画像上における前記インナリードにそれぞれ直交する画像走査線のうち、前記電極パッドを含む画像走査線の少なくとも１本および前記電極パッドの両脇の画像走査線の少なくとも１本ずつに各インナリード認識用測定線を設定するインナリード認識用測定線設定部と、
前記各インナリード認識用測定線毎に各線上の各点の輝度をそれぞれ測定する輝度測定部と、
前記各インナリード認識用測定線の輝度を同一点毎に加算して加算輝度分布波形を形成する形成部と、
前記加算輝度分布波形に閾値を設定し、この閾値以上の領域における重心を算出して前記インナリードの中心線を判定する判定工程と、
を備えていることを特徴とするボンディング装置。

６．一主面にインナリード群が敷設されたキャリアに絶縁膜を介して機械的に接続されている半導体チップの各電極パッドに、これら電極パッドにそれぞれ整合された前記各インナリードがボンディング工具によってボンディングされるボンディング装置において、
前記キャリアおよび半導体チップの横方向から前記インナリードおよび前記電極パッドに対応する画像を取り込む画像取り込み装置と、
前記取り込み画像上における前記インナリードにそれぞれ直交する画像走査線のうち、前記電極パッドに対応する画像走査線の少なくとも１本および前記電極パッドに対応する画像の両脇の画像走査線の少なくとも１本ずつに各インナリード認識用測定線を設定するインナリード認識用測定線設定部と、
前記各インナリード認識用測定線毎に各線上の各点の輝度をそれぞれ測定する輝度測定部と、
前記各インナリード認識用測定線の輝度を同一点毎に加算して加算輝度分布波形を形成する形成部と、
前記加算輝度分布波形に閾値を設定し、この閾値以上の領域における重心を算出して前記インナリードの厚さの中心線を判定する判定部と、
を備えていることを特徴とするボンディング装置。

７．一主面にインナリード群が敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続され、前記半導体チップの各電極パッドに前記各インナリードがボンディング工具によってボンディングされるボンディング方法において、
前記半導体チップの各電極パッドに前記各インナリードがボンディング工具によってボンディングされる以前に、前記半導体チップの前記電極パッド群を含む平面の前記ボンディング工具に対する高さが測定され、この測定された高さに基づいて前記ボンディング工具によるボンディングが実行されることを特徴とするボンディング方法。

８．前記高さの測定が、前記ボンディング工具が前記半導体チップの前記電極パッド群を含む平面に前記インナリードを介して接触されて実行されることを特徴とする項７に記載のボンディング方法。

９．前記高さの測定が、前記ボンディング工具が前記半導体チップにおける前記電極パッド群を含む平面の少なくとも３箇所に接触されて、前記半導体チップの平行度を求められることにより実行されることを特徴とする項７に記載のボンディング方法。

１０．前記半導体チップの高さの測定が、非接触形センサによって前記半導体チップにおける前記電極パッド群を含む平面を検出されることにより実行されることを特徴とする項７に記載のボンディング方法。

１１．一主面にインナリード群が敷設されたキャリアに絶縁膜を介して機械的に接続されている半導体チップの各電極パッドに、前記各インナリードがボンディング工具によってボンディングされるボンディング装置において、
前記半導体チップの各電極パッドに前記各インナリードがボンディング工具によってボンディングされる以前に、前記半導体チップの前記電極パッド群を含む平面の前記ボンディング工具に対する高さが測定され、この測定された高さに基づいて前記ボンディング工具によるボンディングが実行されることを特徴とするボンディング装置。

１２．前記ボンディング工具が前記半導体チップの前記電極パッド群を含む平面に前記各インナリードを介して接触されて前記高さが測定されることを特徴とする項１１に記載のボンディング装置。

１３．前記ボンディング工具が前記半導体チップにおける前記電極パッド群を含む平面の少なくとも３箇所に接触されて前記半導体チップの平行度を求められることにより、前記高さが測定されることを特徴とする項１１に記載のボンディング装置。

１４．前記半導体チップにおける前記電極パッド群を含む平面を非接触形センサによって検出されて、前記半導体チップの高さが測定されることを特徴とする項１１に記載のボンディング装置。

１５．一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記インナリードが前記電極パッドにボンディングされる際に、前記インナリードの位置が個別または一括して観測され、この観測結果に基づいて前記インナリードがボンディング工具によって変形されて前記電極パッドにボンディングされることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

１６．前記キャリアに前記半導体チップが前記絶縁膜を介して機械的に接続される接続工程と、前記インナリードの位置が個別または一括して観測され、この観測結果に基づいて前記インナリードが前記ボンディング工具によって変形されて前記電極パッドにボンディングされるボンディング工程とを備えていることを特徴とする項１５に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

１７．前記インナリードが前記電極パッドにボンディングされる前に、前記キャリアに規則的に配列された規則部が観測され、この観測に基づいて前記半導体チップと前記ボンディング工具とが対応されることを特徴とする項１５に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

１８．前記キャリアに予め配置された特徴リードと、前記半導体チップに予め配置された特徴パッドとが観測され、この観測に基づいて前記インナリードと前記半導体チップとの位置が認識されることを特徴とする項１５に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

１９．前記インナリードの画像が取り込まれ、この取り込まれた画像に基づいて前記インナリードの位置が観測されることを特徴とする項１５に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

２０．一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法に使用されるボンディング装置であって、
前記インナリードが前記電極パッドにボンディングされる際に、前記インナリードの位置が個別または一括して観測され、この観測結果に基づいて前記インナリードがボンディング工具によって変形されて前記電極パッドにボンディングされることを特徴とするボンディング装置。

２１．前記インナリードの位置を個別または一括して観測する観測装置と、この観測結果に基づいて前記インナリードを前記ボンディング工具によって変形させて前記電極パッドにボンディングさせるコントローラとを備えていることを特徴とする項２０に記載のボンディング装置。

２２．前記インナリードが前記電極パッドにボンディングされる前に、前記キャリアに規則的に配列された規則部を観測する観測装置と、この観測に基づいて前記半導体チップと前記ボンディング工具との対応を求めるコントローラとを備えていることを特徴とする項２０に記載のボンディング装置。

２３．前記キャリアに予め配置された特徴リードと、前記半導体チップに予め配置された特徴パッドとを観測する観測装置と、この観測に基づいて前記インナリードと前記半導体チップとの位置を認識するコントローラとを備えていることを特徴とする項２０に記載のボンディング装置。

２４．前記インナリードの画像を取り込む画像取込み装置と、この取り込まれた画像に基づいて前記インナリードの位置を観測するコントローラとを備えていることを特徴とする項２０に記載のボンディング装置。

２５．一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記ボンディングに際して、前記インナリードの一部がボンディング工具によって弯曲されるとともに前記電極パッドに押し付けられてボンディングされることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

２６．前記インナリードの一部が前記ボンディング工具によって前記半導体チップの上に接触された後に、前記ボンディング工具が水平移動されて前記インナリードがＳ字形状に弯曲されることを特徴とする項２５に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

２７．前記インナリードの一部を前記半導体チップの上に接触させた前記ボンディング工具が上昇された後に、水平移動されることを特徴とする請求項２６に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

２８．前記インナリードの一部を前記半導体チップの上に接触させた前記ボンディング工具が上昇された後に、前記インナリードの基端部の方向に前記電極パッドの被ボンディング部を超えて水平移動され、さらに、被ボンディング部に戻されることを特徴とする請求項２７に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

２９．前記インナリードの一部が前記ボンディングによって叩かれて切断された後に、一方の切断部片がボンディング工具によって弯曲されるとともに、前記電極パッドにボンディングされることを特徴とする項２５に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

３０．前記インナリードの先端部が前記ボンディング工具によって前記半導体チップの上に接触されることを特徴とする請求項２６に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

３１．前記インナリードの一部が前記ボンディング工具によって前記半導体チップの方向に移動された後に、前記ボンディング工具が水平移動されて前記インナリードがＳ字形状に弯曲されることを特徴とする項２５に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

３２．前記インナリードの一部を前記半導体チップの方向に移動させた前記ボンディング工具が上昇された後に、前記インナリードの基端部の方向に前記電極パッドの被ボンディング部を超えて水平移動され、さらに、被ボンディング部に戻されることを特徴とする項３１に記載の半導体集積回路装置の製造方法。

３３．一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法に使用されるボンディング装置であって、
前記ボンディングに際して、前記インナリードの一部がボンディング工具によって弯曲されるとともに前記電極パッドに押し付けられてボンディングされることを特徴とするボンディング装置。

３４．前記インナリードの一部が前記ボンディング工具によって前記半導体チップの上に接触された後に、前記ボンディング工具が水平移動されて前記インナリードがＳ字形状に変形されることを特徴とする項３３に記載のボンディング装置。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
インナリードを電極パッドにボンディング工具によってボンディングするに際して、インナリードをボンディング工具によって変形させることができるため、インナリードを電極パッドに正確にボンディングすることができる。
インナリードをチップの電極パッドにインナリードボンディングするに際し、インナリードボンディング時にインナリードに歪みが発生するのを防止することができるため、インナリードボンディング後のインナリードに歪みによる応力が残留するのを未然に防止することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（発明の実施の形態１）
図１は本発明の一実施形態であるボンディング方法におけるインナリード認識方法を示す工程図である。図２はその各工程を説明する各説明図である。図３は本発明の一実施形態であるボンディング装置を示す模式図である。図４はそのボンディング方法の各工程を示す各部分断面図である。図５はワークを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は一部省略正面断面図である。図６は製造されたμＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部切断正面図である。

本実施形態において、本発明に係るボンディング方法は、μＢＧＡを備えているＩＣ（以下、μＢＧＡ・ＩＣという。）の製造方法のボンディング工程に使用されており、図３に示されているボンディング装置によって実施される。μＢＧＡ・ＩＣの製造方法のボンディング工程におけるワーク１は、図５に示されているように構成されている。ワーク１はテープキャリアにチップが絶縁層を介して機械的に接続されて構成されている。キャリアとしてのテープキャリア２はＴＣＰ・ＩＣ（テープ・キャリア・パッケージを備えているＩＣ）の製造方法に使用されているＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）テープに相当するものである。テープキャリア２は同一パターンが長手方向に繰り返されるように構成されているため、その構成の説明および図示は一単位だけについて行われている。

テープキャリア２はポリイミド等の絶縁性樹脂が用いられて同一パターンが長手方向に連続するテープ形状に一体成形されているキャリア本体３を備えており、キャリア本体３には正方形のバンプ形成部４が長手方向に一列横隊に整列されている。バンプ形成部４にはバンプホール５が多数個、正方形の環状線上において整列されて開設されており、各バンプホール５には後記するバンプが後記するアウタリードに電気的に接続するように構成されるようになっている。バンプ形成部４の四辺には長方形の長孔形状に形成された窓孔６が４本、正方形の枠形状に配置されて開口されている。

キャリア本体３の片側主面（以下、下面とする。）にはインナリード７が複数本、各窓孔６を短手方向に跨ぐようにしてそれぞれ配線されている。各インナリード７のバンプ形成部４側に位置する一端（以下、内側端とする。）には、各アウタリード８がそれぞれ一連に連設されており、互いに一連になったインナリード７とアウタリード８とは機械的かつ電気的に一体の状態になっている。インナリード７群およびアウタリード８群は、銅や金等の導電性を有する材料が使用されて形成されている。インナリード７群およびアウタリード８群の形成方法としては、キャリア本体３に溶着や接着等の適当な手段によって固着させた銅箔や金箔をリソグラフィー処理およびエッチング処理によってパターニングする方法や、キャリア本体３にリソグラフィー処理によって選択的に金めっき処理する方法等がある。各アウタリード８のバンプホール５に対向する部位は、バンプ形成部４から露出した状態になっている。

インナリード７群は各窓孔６の長手方向に間隔を置かれて互いに平行に配線されている。各インナリード７の窓孔６に架橋した部分における両端辺には三角形状のノッチ９が一対、尖端側を内向きに切り込まれるようにそれぞれ形成されている。つまり、インナリード７は両ノッチ９、９を結ぶ線において容易に切断され得るようになっている。各インナリード７において、一対のノッチ９、９は中央から窓孔６におけるバンプ形成部４と反対側（以下、外側とする。）に片寄った位置に配されている。すなわち、インナリード７における両ノッチ９、９が窓孔６の外側に寄った側の部分（以下、短い部分という。）７ａの長さは、インナリード７における両ノッチ９、９が窓孔６の内側辺から遠のいた側の部分（以下、長い部分という。）７ｂの長さよりも短くなっている。

キャリア本体３の下面にはエラストマやシリコンゴム製の絶縁膜１０が接着等の適当な手段によって被着されており、インナリード７群およびアウタリード８群は絶縁膜１０によって被覆されている。絶縁膜１０におけるキャリア本体３の各窓孔６に対向する部位には、長方形孔形状の窓孔１１がインナリード７群を外部に露出させるように、キャリア本体３の窓孔６よりも若干大きめに開口されている。したがって、テープキャリア２はキャリア本体３、インナリード７群、アウタリード８群および絶縁膜１０によって構成されている。

図５に示されているように、チップ１２はテープキャリア２の一単位と略等しい大きさの正方形の平板形状に形成されており、その一主面側（以下、アクティブ・エリア側という。）には、半導体素子を含む所望の半導体集積回路が作り込まれている。すなわち、チップ１２は所謂ＩＣ製造の前工程において半導体ウエハの状態でアクティブ・エリア側に半導体集積回路を作り込まれ、ダイシング工程において正方形の平板形状に分断されて製造される。チップ１２のアクティブ・エリア側の表面は、パッシベーション膜１３によって被覆されており、パッシベーション膜１３に形成された開口部には電極パッド１４が外部に露出する状態に形成されている。電極パッド１４は複数形成されており、テープキャリア２における各インナリード７に対応されている。

このように構成されたチップ１２は前記構成に係るテープキャリア２に、図５に示されているように機械的に接続されている。すなわち、チップ１２はテープキャリア２に各電極パッド１４が各インナリード７にそれぞれ整合するように配されて、パッシベーション膜１３と絶縁膜１０との間で接着されて機械的に接続される。この状態において、各インナリード７は各電極パッド１４に絶縁膜１０および接着層の厚さ分だけ上方に離れた位置でそれぞれ対向した状態になっている。各インナリード７において、一対のノッチ９、９は電極パッド１４の真上よりも左方に片寄った位置に配された状態になっており、インナリード７の長い部分７ｂの略中央部が電極パッド１４の真上に位置した状態になっている。

図３に示されているボンディング装置２０はステージ２１を備えており、ステージ２１は前記構成に係るワーク１を水平に保持するように構成されている。ステージ２１の片脇にはＸＹテーブル２２が設備されており、ＸＹテーブル２２はその上に搭載されたボンディングヘッド２３をＸＹ方向に移動させるように構成されている。ボンディングヘッド２３には先端にボンディング工具２５を取り付けられたボンディングアーム２４の一端部が支持されており、ボンディングヘッド２３はボンディングアーム２４を操作することによりボンディング工具２５を上下動させるように構成されている。ボンディングアーム２４には位置検出センサ２６が設備されており、位置検出センサ２６は後記するメインコントローラに接続されている。ＸＹテーブル２２およびボンディングヘッド２３には、これらの作動を制御するコントローラ（以下、作動コントローラという。）２７が接続されており、作動コントローラ２７には作動を指令するコントローラ（以下、メインコントローラという。）２８が接続されている。メインコントローラ２８にはディスプレー２９が接続されている。

ボンディングヘッド２３にはインナリード認識装置３０を構成するための画像取り込み装置としての工業用テレビカメラ（以下、カメラという。）３１がスタンド３６によって設備されており、カメラ３１はステージ２１上のワーク１を撮映するようになっている。カメラ３１にはインナリード認識用測定線を設定するインナリード認識用測定線設定部（以下、設定部という。）３２が接続されており、設定部３２には輝度測定部３３が接続されている。輝度測定部３３には加算輝度分布波形を形成する形成部３４が接続され、形成部３４にはインナリードの中心線を判定する判定部３５が接続されている。判定部３５はメインコントローラ２８に接続されており、判定結果をメインコントローラ２８に送信するようになっている。

次に、前記構成に係るボンディング装置による本発明の一実施形態であるボンディング方法におけるインナリード認識方法を、図１、図２および図３によって説明する。

メインコントローラ２８はＸＹテーブル２２を駆動して、ステージ２１の上に載置されたワーク１におけるこれからボンディングしようとするインナリード７の撮映位置にカメラ３１を移動させる。カメラ３１は図１における画像取り込み工程４１を実行して、これからボンディングしようとするインナリード７を撮映する。カメラ３１によって撮映された図２（ａ）に示されている画像５１は、ディスプレイ２９に映し出されるとともに、設定部３２に入力される。

設定部３２は図１におけるインナリード認識用測定線設定工程４２を実行して、図２（ａ）に示されているように、画像５１におけるインナリード７にそれぞれ直交する画像走査線のうち、電極パッド１４を含む画像走査線の１本によって電極パッド対応インナリード認識用測定線（以下、中央測定線という。）５２を設定し、電極パッド１４の両脇の画像走査線の１本ずつによって各電極パッド外側インナリード認識用測定線（以下、それぞれ内側端部測定線および外側端部測定線という。）５３および５４を設定する。

輝度測定部３３は図１における輝度測定工程４３を実行して、中央測定線５２、内側端部測定線５３および外側端部測定線５４毎に各走査線上の各点における輝度をそれぞれ測定し、図２（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示されているように、中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａをそれぞれ形成する。これら中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａは形成部３４に入力される。

形成部３４は図１における形成工程４４を実行して、図２（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示された中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａを走査線上の各点を一致させて、すなわち、時系列を一致させて重ね合わせることにより、図２（ｅ）に示されている加算輝度分布波形５５を形成する。つまり、中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａの輝度が各点毎に加算されて、加算輝度分布波形５５が形成される。この加算輝度分布波形５５は判定部３５に入力される。

判定部３５は図１における判定工程４５を実行して、図２（ｆ）に示されているように、まず、加算輝度分布波形５５に閾値５６を設定する。続いて、加算輝度分布波形５５における閾値５６以上の領域５７における重心５８が算出され、この重心５８に対向する位置がこれからボンディングしようとするインナリード７の中心線の位置５９として判定される。つまり、これからボンディングしようとしているインナリード７の位置が正確に認識されたことになる。

以上のようにして求められたインナリード７の中心線の位置５９にボンディング装置２０のボンディング工具２５の中心線が、メインコントローラ２８の指令に基づいて作動コントローラ２７の制御によるＸＹテーブル２２の作動によって一致されることにより、インナリード７は電極パッド１４に正確にボンディングされる。

次に、前記構成に係るボンディング装置による本発明の一実施形態であるボンディング方法を、図４によって説明する。

図４（ａ）に示されているように、ボンディング工具２５がインナリード７の長い部分７ｂのノッチ９の近くの部位を押し下げると、インナリード７は両ノッチ９、９を結ぶ線から切断される。

図４（ｂ）に示されているように、ボンディング工具２５がさらに下降されることにより、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片が押し下げられてチップ１２の上面に着地される。

ボンディング工具２５がチップ１２の上面にインナリード７を介して着地したか否かは、ボンディングアーム２４に設備された位置検出センサ２６からの位置データを分析することによってメインコントローラ２８において判定される。ボンディング工具２５がチップ１２の上面に着地していないと判定した場合には、メインコントローラ２８はブザー等の警報装置を警報作動させるとともに、ディスプレー２９に警報内容を表示させる。次いで、作業者によるキーボードの手動操作またはメインコントローラ２８による自動指令制御によって、ボンディング工具２５は徐々に下降されてチップ１２の上面にインナリード７を介して着地される。

そして、ボンディング工具２５がチップ１２の上面にインナリード７を介して着地したと判定すると、メインコントローラ２８は着地時における位置検出センサ２６からの位置データを読み込んで、チップ１２の上面における着地点の高さを測定する。

ボンディング工具２５の高さを測定したメインコントローラ２８は、ボンディング工具２５を予め設定された所定の高さＨだけ図４（ｃ）に示されているように上昇させる。所定の高さＨは実験やコンピュータによるシュミレーションおよび過去の実績データ等の経験的手法によって、異なるボンディング条件毎に対応した最適値が求められ、予め、キーボードによってメインコントローラ２８に記憶されている。メインコントローラ２８は所定の高さＨを作動コントローラ２７に指令する。作動コントローラ２７はボンディングヘッド２３を制御してボンディングアーム２４を揺動させることにより、ボンディング工具２５を所定高さＨだけ上昇させる。

ボンディング工具２５が所定の高さＨだけ上昇すると、図４（ｃ）に示されているように、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片は、インナリード７のスプリングバックによってチップ１２の上面から離れるように若干上昇する。インナリード７の長い部分７ｂの切断部片がチップ１２から上昇した状態において、所定の高さＨだけ上昇したボンディング工具２５は、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片の上面から離れた状態になっている。

続いて、図４（ｄ）に示されているように、ボンディング工具２５はそのままの高さを維持した状態で、バンプ形成部４の方向に電極パッド１４の真上まで平行移動される。この平行移動に伴って、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片はボンディング工具２５によってバンプ形成部４の方向へずらされるとともに、斜め下方に押し下げられるため、その切断部片は所定のループ形状を形成された状態になるとともに、その先端部下面は電極パッド１４の上面に当接された状態になる。

次いで、図４（ｅ）に示されているように、ボンディング工具２５は下降されてインナリード７の長い部分７ｂの切断部片を押し下げる。この押し下げにより、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片の切り口側端部は、所定のループ形状を形成したまま電極パッド１４に押接される。ボンディング工具２５はインナリード７の長い部分７ｂの切断部片の切り口側端部を電極パッド１４に押接させるとともに、熱および超音波エネルギを作用させることにより熱圧着（圧接）させる。すなわち、インナリード７は電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされたことになる。

その後、前記したインナリード認識方法およびボンディング方法が各インナリード７毎に繰り返されることにより、チップ１２がテープキャリア２に電気的に接続される。各インナリード７毎のボンディングに際して、インナリード７がチップ１２の電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされる以前に、インナリード７の中心線の位置５９が認識されるとともに、チップ１２における電極パッド１４のボンディング工具２５に対する高さが逐次測定され、この認識された中心線の位置５９および測定された各高さに対応した最適条件でボンディング工具２５によるボンディングがそれぞれ実行される。

したがって、例えば、バンプ形成部４の下に絶縁膜１０を介して機械的に接続されたチップ１２が傾くことにより、ボンディング工具２５によって次々にボンディング（熱圧着）されて行くインナリード７と電極パッド１４との間隔の相互間に誤差がそれぞれ発生していたとしても、各インナリード７毎に相互間の誤差に対応した最適条件によってボンディング工具２５によるボンディングがそれぞれ実行されるため、ボンディング後の各インナリード７のループ形状はそれぞれ適正に形成されることになる。

全てのインナリード７について前記したボンディング作業が終了すると、図６に示されているように、テープキャリア２の各窓孔６の内部にエラストマやシリコンゴム等の絶縁性材料がポッティングされることによって、インナリード７群が樹脂封止部１５によって樹脂封止される。

次いで、テープキャリア２の各アウタリード８における各バンプホール５の底で露出した部位に半田ボールが半田付けされることにより、図６に示されているように、バンプ形成部４の上面から突出したバンプ１６がテープキャリア２に形成される。以上のようにして図６に示されているμＢＧＡ・ＩＣ１７が製造されたことになる。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) インナリード７を電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングするに際して、インナリード７がチップ１２の電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされる以前に、インナリード７の中心線の位置５９を逐次認識することにより、ボンディング工具２５をインナリード７に正確に整合させることができるため、各インナリード７を各電極パッド１４にいずれも適正にボンディングすることができるため、μＢＧＡ・ＩＣ１７の品質および信頼性並びに製造歩留りを高めることができる。

2) 中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａの輝度を同一点毎に加算して加算輝度分布波形５５を形成し、この加算輝度分布波形５５に閾値５６を設定することにより、加算輝度分布波形５５における閾値５６以上の領域５７を高く形成させることができるため、インナリード７の背景となる電極パッド１４の存在にかかわらず、インナリード７の中心線の位置５９を正確に判定することができ、これからボンディングしようとしているインナリード７の位置を正確に認識することができる。

図７は本発明の実施形態であるボンディング方法におけるインナリード認識方法を示す工程図である。図８はその各工程を説明する各説明図である。

本実施形態が前記実施形態１と異なる点は、インナリードおよび電極パッドに対応する画像を横から取り込んでインナリードの厚さの中心線を認識するように構成した点にある。本実施形態であるボンディング方法におけるインナリード認識方法を、図７および図８によって説明する。

本実施形態において、カメラは水平方向横向きになってインナリード７および電極パッド１４に対応する図８（ａ）に示された画像７１を取り込むことにより、図７における画像取り込み工程６１を実行する。水平方向横向きのカメラによって撮映された図８（ａ）に示されている画像７１は、ディスプレイに映し出されるとともに、設定部３２に入力される。

設定部３２は図７におけるインナリード認識用測定線設定工程６２を実行して、図８（ａ）に示されているように、画像７１におけるインナリード７にそれぞれ直交する垂直走査線（テレビ画像の場合は仮想的な走査線となるが、画像処理によって容易に設定することができる。）のうち、電極パッド１４を含む画像走査線の１本によって電極パッド対応インナリード認識用測定線（以下、中央測定線という。）７２を設定し、電極パッド１４の両脇の画像走査線の１本ずつによって各電極パッド外側インナリード認識用測定線（以下、それぞれ内側端部測定線および外側端部測定線という。）７３および７４を設定する。

輝度測定部３３は図１における輝度測定工程６３を実行して、中央測定線７２、内側端部測定線７３および外側端部測定線７４毎に各走査線上の各点における輝度をそれぞれ測定し、図８（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示されているように、中央測定線輝度波形７２ａ、内側端部測定線輝度波形７３ａおよび外側端部測定線輝度波形７４ａをそれぞれ形成する。これら中央測定線輝度波形７２ａ、内側端部測定線輝度波形７３ａおよび外側端部測定線輝度波形７４ａは形成部３４に入力される。

形成部３４は図１における形成工程６４を実行して、図８（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示された中央測定線輝度波形７２ａ、内側端部測定線輝度波形７３ａおよび外側端部測定線輝度波形７４ａを走査線上の各点を一致させて、すなわち、時系列を一致させて重ね合わせることにより、図８（ｅ）に示されている加算輝度分布波形７５を形成する。つまり、中央測定線輝度波形７２ａ、内側端部測定線輝度波形７３ａおよび外側端部測定線輝度波形７４ａの輝度が各点毎に加算されて、加算輝度分布波形７５が形成される。この加算輝度分布波形７５は判定部３５に入力される。

判定部３５は図１における判定工程６５を実行して、図８（ｆ）に示されているように、まず、加算輝度分布波形７５に閾値７６を設定する。続いて、加算輝度分布波形７５における閾値７６以上の領域７７における重心７８が算出され、この重心７８に対向する位置がインナリード７の厚さ方向の中心線の位置７９として判定される。つまり、これからボンディングしようとしているインナリード７の高さ位置が正確に認識されたことになる。

以上のようにして求められたインナリード７の厚さ方向の中心線の位置すなわち高さ方向の位置７９にボンディング装置２０のボンディング工具２５の高さが、メインコントローラ２８の指令に基づいて作動コントローラ２７の制御によるボンディングヘッド２３の作動に利用されることにより、インナリード７は電極パッド１４に正確にボンディングされる。

図９は本発明の実施形態であるボンディング方法におけるインナリード認識方法を示す工程図である。図１０はその各工程を説明する各説明図である。

本実施形態が前記実施形態１と異なる点は、図１０（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示されているように、中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａ毎に閾値５６Ａがそれぞれ設定され、閾値５６Ａを越える各領域５７Ａがそれぞれ求められた後に、これらが時系列を一致させて重ね合わせられることにより、図１０（ｅ）に示されている加算閾値以上輝度分布波形５５Ａが形成され、図１０（ｆ）に示されているように、加算閾値以上輝度分布波形５５Ａにおける領域５７Ａにおける重心５８が算出され、この重心５８に対向する位置がこれからボンディングしようとするインナリード７の中心線の位置５９として判定される点である。

なお、前記実施形態においても、同様に、各中央測定線輝度波形７２ａ、内側端部測定線輝度波形７３ａおよび外側端部測定線輝度波形７４ａ毎に閾値を越える各領域をそれぞれ求めた後に、加算閾値以上輝度分布波形を形成して重心を算出し、この重心によってインナリード７の厚さ方向の中心線の位置として判定することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、中央測定線、内側端部測定線および外側端部測定線は１本ずつ設定するに限らず、多数本程電極パッドの影響を相対的に減少させることができるため、カメラの画素数が許容する範囲内で可及的に多く設定することが望ましい。

画像取り込み装置としては工業用テレビカメラを使用するに限らず、ＣＣＤ等のエリアセンサやラインセンサ等を使用してもよい。その場合、画像取り込み装置を移動させて走査するように構成してもよいし、ステージを移動させて走査するように構成してもよい。

インナリードを電極パッドに電気的に接続するボンディング方法としては、超音波熱圧着方法を使用するに限らず、圧接方法や共晶方法等を使用することができる。

ボンディングを実行するボンディング装置はシングル・ポイント・ボンディング専用に構成するに限らず、既存のワイヤボンディング装置を利用して構成してもよい。

インナリード群およびアウタリード群の担体（キャリア）であるキャリア本体は、テープによって構成するに限らず、絶縁性を有する樹脂製のフィルムや、セラミックまたは絶縁性を有する樹脂等の材料を用いて形成された剛性を有する基板によって構成してもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるμＢＧＡ・ＩＣの製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、その他のＣＳＰ・ＩＣの製造方法等に使用されるボンディング技術全般に適用することができる。

（発明の実施の形態２）
図１１は本発明の一実施形態であるボンディング方法の各工程をそれぞれ示す各部分断面図である。図１２は本発明の一実施形態であるボンディング装置を示す模式図である。図１３はワークを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は一部省略一部切断正面図である。図１４は製造されたμＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は一部切断平面図、（ｂ）は一部切断正面図である。

本実施形態において、本発明に係るボンディング方法は、μＢＧＡを備えているＩＣ（以下、μＢＧＡ・ＩＣという。）の製造方法のボンディング工程に使用されており、図１２に示されているボンディング装置によって実施される。μＢＧＡ・ＩＣの製造方法のボンディング工程におけるワーク１は、図１３に示されているように構成されている。ワーク１はテープキャリアにチップが絶縁層を介して機械的に接続されて構成されている。キャリアとしてのテープキャリア２はＴＣＰ・ＩＣ（テープ・キャリア・パッケージを備えているＩＣ）の製造方法に使用されているＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）テープに相当するものである。テープキャリア２は同一パターンが長手方向に繰り返されるように構成されているため、その構成の説明および図示は一単位だけについて行われている。

テープキャリア２はポリイミド等の絶縁性樹脂が用いられて同一パターンが長手方向に連続するテープ形状に一体成形されているキャリア本体３を備えており、キャリア本体３には正方形のバンプ形成部４が長手方向に一列横隊に整列されている。バンプ形成部４にはバンプホール５が多数個、正方形の環状線上において整列されて開設されており、各バンプホール５には後記するバンプが後記するアウタリードに電気的に接続するように構成されるようになっている。バンプ形成部４の四辺には長方形の長孔形状に形成された窓孔６が４本、正方形の枠形状に配置されて開口されている。

キャリア本体３の片側主面（以下、下面とする。）にはインナリード７が複数本、各窓孔６を短手方向に跨ぐようにしてそれぞれ配線されている。各インナリード７のバンプ形成部４側に位置する一端（以下、内側端とする。）には、各アウタリード８がそれぞれ一連に連設されており、互いに一連になったインナリード７とアウタリード８とは機械的かつ電気的に一体の状態になっている。インナリード７群およびアウタリード８群は、銅や金等の導電性を有する材料が使用されて形成されている。インナリード７群およびアウタリード８群の形成方法としては、キャリア本体３に溶着や接着等の適当な手段によって固着させた銅箔や金箔をリソグラフィー処理およびエッチング処理によってパターニングする方法や、キャリア本体３にリソグラフィー処理によって選択的に金めっき処理する方法等がある。各アウタリード８のバンプホール５に対向する部位は、バンプ形成部４から露出した状態になっている。

インナリード７群は各窓孔６の長手方向に間隔を置かれて互いに平行に配線されている。各インナリード７の窓孔６に架橋した部分における両端辺には三角形状のノッチ９が一対、尖端側を内向きに切り込まれるようにそれぞれ形成されている。つまり、インナリード７は両ノッチ９、９を結ぶ線において容易に切断され得るようになっている。各インナリード７において、一対のノッチ９、９は中央から窓孔６におけるバンプ形成部４と反対側（以下、外側とする。）に片寄った位置に配されている。すなわち、インナリード７における両ノッチ９、９が窓孔６の外側に寄った側の部分（以下、短い部分という。）７ａの長さは、インナリード７における両ノッチ９、９が窓孔６の内側辺から遠のいた側の部分（以下、長い部分という。）７ｂの長さよりも短くなっている。

キャリア本体３の下面にはエラストマやシリコンゴム製の絶縁膜１０が接着等の適当な手段によって被着されており、インナリード７群およびアウタリード８群は絶縁膜１０によって被覆されている。絶縁膜１０におけるキャリア本体３の各窓孔６に対向する部位には、長方形孔形状の窓孔１１がインナリード７群を外部に露出させるように、キャリア本体３の窓孔６よりも若干大きめに開口されている。したがって、テープキャリア２はキャリア本体３、インナリード７群、アウタリード８群および絶縁膜１０によって構成されている。

図１３に示されているように、チップ１２はテープキャリア２の一単位と略等しい大きさの正方形の平板形状に形成されており、その一主面側（以下、アクティブ・エリア側という。）には、半導体素子を含む所望の半導体集積回路が作り込まれている。すなわち、チップ１２は所謂ＩＣ製造の前工程において半導体ウエハの状態でアクティブ・エリア側に半導体集積回路を作り込まれ、ダイシング工程において正方形の平板形状に分断されて製造される。チップ１２のアクティブ・エリア側の表面は、パッシベーション膜１３によって被覆されており、パッシベーション膜１３に形成された開口部には電極パッド１４が外部に露出する状態に形成されている。電極パッド１４は複数個が形成されており、テープキャリア２における各インナリード７に対応されている。

このように構成されたチップ１２は前記構成に係るテープキャリア２に、図１３に示されているように機械的に接続されている。すなわち、チップ１２はテープキャリア２に各電極パッド１４が各インナリード７にそれぞれ整合するように配されて、パッシベーション膜１３と絶縁膜１０との間で接着されて機械的に接続される。この状態において、各インナリード７は各電極パッド１４に絶縁膜１０および接着層の厚さ分だけ上方に離れた位置でそれぞれ対向した状態になっている。各インナリード７において、一対のノッチ９、９は電極パッド１４の真上よりも左方に片寄った位置に配された状態になっており、インナリード７の長い部分７ｂの略中央部が電極パッド１４の真上に位置した状態になっている。

図１２に示されているボンディング装置２０はステージ２１を備えており、ステージ２１は前記構成に係るワーク１を水平に保持するように構成されている。ステージ２１の片脇にはＸＹテーブル２２が設備されており、ＸＹテーブル２２はその上に搭載されたボンディングヘッド２３をＸＹ方向に移動させるように構成されている。ボンディングヘッド２３には先端にボンディング工具２５を取り付けられたボンディングアーム２４の一端部が支持されており、ボンディングヘッド２３はボンディングアーム２４を操作することによりボンディング工具２５を上下動させるように構成されている。ボンディングアーム２４には位置検出センサ２６が設置されており、位置検出センサ２６はボンディングアーム２４の上下位置を検出して後記するメインコントローラへ送信するようになっている。

ＸＹテーブル２２およびボンディングヘッド２３には、これらの作動を制御するコントローラ（以下、作動コントローラという。）２７が接続されており、作動コントローラ２７には作動を指令するコントローラ（以下、メインコントローラという。）２８が接続されている。メインコントローラ２８にはディスプレー２９、キーボード２９Ａおよび警報機としてのブザー２９Ｂが接続されている。

次に、前記構成に係るボンディング装置による本発明の一実施形態であるボンディング方法を、図１１によって説明する。

図１１（ａ）に示されているように、ボンディング工具２５がインナリード７の長い部分７ｂのノッチ９の近くの部位を押し下げると、インナリード７は両ノッチ９、９を結ぶ線から切断される。

図１１（ｂ）に示されているように、ボンディング工具２５がさらに下降されることにより、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片が押し下げられてチップ１２の上面に着地される。

ボンディング工具２５がチップ１２の上面にインナリード７を介して着地したか否かは、位置検出センサ２６からの位置データを分析することによってメインコントローラ２８において判定される。ボンディング工具２５がチップ１２の上面に着地していないと判定した場合には、メインコントローラ２８はブザー２９Ｂを警報作動させるとともに、ディスプレー２９に警報内容を表示させる。次いで、作業者によるキーボード２９Ａの手動操作またはメインコントローラ２８による自動指令制御によって、ボンディング工具２５は徐々に下降されてチップ１２の上面にインナリード７を介して着地される。

そして、ボンディング工具２５がチップ１２の上面にインナリード７を介して着地したと判定すると、メインコントローラ２８は着地時の位置検出センサ２６からの位置データを読み込んで、チップ１２の上面における着地点の高さを測定する。

ボンディング工具２５の高さを測定したメインコントローラ２８は、ボンディング工具２５を予め設定された所定の高さＨだけ図１１（ｃ）に示されているように上昇させる。所定の高さＨは実験やコンピュータによるシュミレーションおよび過去の実績データ等の経験的手法によって、異なるボンディング条件毎に対応した最適値が求められ、予め、キーボード２９Ａによってメインコントローラ２８に記憶されている。メインコントローラ２８は所定の高さＨを作動コントローラ２７に指令する。作動コントローラ２７はボンディングヘッド２３を制御してボンディングアーム２４を揺動させることにより、ボンディング工具２５を所定高さＨだけ上昇させる。

ボンディング工具２５が所定の高さＨだけ上昇すると、図１１（ｃ）に示されているように、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片は、インナリード７のスプリングバックによってチップ１２の上面から離れるように若干上昇する。インナリード７の長い部分７ｂの切断部片がチップ１２から上昇した状態において、所定の高さＨだけ上昇したボンディング工具２５は、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片の上面から離れた状態になっている。

続いて、図１１（ｄ）に示されているように、ボンディング工具２５はそのままの高さを維持した状態で、バンプ形成部４の方向に電極パッド１４の真上まで平行移動される。この平行移動に伴って、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片はボンディング工具２５によってバンプ形成部４の方向へずらされるとともに、斜め下方に押し下げられるため、その切断部片は所定のループ形状を形成された状態になるとともに、その先端部下面は電極パッド１４の上面に当接された状態になる。

次いで、図１１（ｅ）に示されているように、ボンディング工具２５は下降されてインナリード７の長い部分７ｂの切断部片を押し下げる。この押し下げにより、インナリード７の長い部分７ｂの切断部片の切り口側端部は、所定のループ形状を形成したまま電極パッド１４に押接される。ボンディング工具２５はインナリード７の長い部分７ｂの切断部片の切り口側端部を電極パッド１４に押接させるとともに、熱および超音波エネルギを作用させることにより熱圧着（圧接）させる。すなわち、インナリード７は電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされたことになる。

その後、前記したボンディング作業が各インナリード７毎に繰り返されることにより、チップ１２がテープキャリア２に電気的に接続される。各インナリード７毎のボンディングに際して、インナリード７がチップ１２の電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされる以前に、チップ１２における電極パッド１４のボンディング工具２５に対する高さが逐次測定され、この測定された各高さに対応した最適条件でボンディング工具２５によるボンディングがそれぞれ実行される。したがって、例えば、バンプ形成部４の下に絶縁膜１０を介して機械的に接続されたチップ１２が傾くことにより、ボンディング工具２５によって次々にボンディング（熱圧着）されて行くインナリード７と電極パッド１４との間隔の相互間に誤差がそれぞれ発生していたとしても、各インナリード７毎に相互間の誤差に対応した最適条件によってボンディング工具２５によるボンディングがそれぞれ実行されるため、ボンディング後の各インナリード７のループ形状はそれぞれ適正に形成されることになる。

全てのインナリード７について前記したボンディング作業が終了すると、図１４に示されているように、テープキャリア２の各窓孔６の内部にエラストマやシリコンゴム等の絶縁性材料がポッティングされることによって、インナリード７群が樹脂封止部１５によって樹脂封止される。

次いで、テープキャリア２の各アウタリード８における各バンプホール５の底で露出した部位に半田ボールが半田付けされることにより、図１４に示されているように、バンプ形成部４の上面から突出したバンプ１６がテープキャリア２に形成される。以上のようにして図１４に示されているμＢＧＡ・ＩＣ１７が製造されたことになる。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) インナリード７を電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングするに際し、インナリード７がチップ１２の電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされる以前に、チップ１２の電極パッド１４のボンディング工具２５に対する高さを逐次測定し、測定した各高さにそれぞれ対応した最適条件によってボンディング工具２５によるボンディングを実行することにより、各インナリード７を各電極パッド１４にいずれも適正なループ形状をもってボンディングすることができるため、μＢＧＡ・ＩＣ１７の品質および信頼性並びに製造歩留りを高めることができる。

2) 例えば、バンプ形成部４の下に絶縁膜１０を介して機械的に接続されたチップ１２が傾くことにより、ボンディング工具２５によって次々にボンディングされて行くインナリード７と電極パッド１４との間隔の相互間に誤差がそれぞれ発生していたとしても、各インナリード７毎に相互間の誤差に対応した最適条件下によってボンディング工具２５によるボンディングがそれぞれ実行されるため、ボンディング後の各インナリード７のループ形状をいずれも適正に形成することができる。

3) 高さの測定と測定後のボンディングとを同一のボンディング工具２５の一連の作動によって連続して実行することにより、ボンディング作業を同一ステージにおいて完了させることができるため、ボンディングの作業時間を短縮することができるとともに、ボンディング装置の構造を簡単化することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、高さの測定は各インナリード毎に実行するに限らず、チップにおける電極パッド群を含む平面である上面の少なくとも３箇所にボンディング工具を接触させて、チップの平行度を求めることにより実行してもよい。

また、高さの測定はボンディング工具をチップの電極パッド群を含む平面である上面に接触させて実行するに限らず、レーザー測距器等の非接触形センサを使用することにより実行してもよい。非接触形センサによる測定は、オンラインで実行してもよいし、オフラインで実行してもよい。

インナリードを電極パッドに電気的に接続するボンディング方法としては、超音波熱圧着方法を使用するに限らず、圧接方法や共晶方法等を使用することができる。

ボンディングを実行するボンディング装置はシングル・ポイント・ボンディング専用に構成するに限らず、既存のワイヤボンディング装置を利用して構成してもよい。

インナリード群およびアウタインナリード群の担体（キャリア）であるキャリア本体は、テープによって構成するに限らず、絶縁性を有する樹脂製のフィルムや、セラミックまたは絶縁性を有する樹脂等の材料を用いて形成された剛性を有する基板によって構成してもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるμＢＧＡ・ＩＣの製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、その他のＣＳＰ・ＩＣの製造方法等に使用されるボンディング技術全般に適用することができる。

（発明の実施の形態３）
図１５は本発明の一実施形態であるμＢＧＡ・ＩＣの製造方法を示す工程図である。図１６はそれに使用されるボンディング装置を示す正面図である。図１７はその主要部を示す一部切断正面図である。図１８は同じく平面図である。図１９は同じくブロック図を含む一部切断正面図である。図２０はワークを示す一部省略平面図である。図２１の（ａ）は同じく一部切断正面図、（ｂ）は一部切断側面図である。図２２はチップを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部切断正面図、（ｃ）は拡大した一部切断側面図である。図２３はワークのステージへの供給および位置決め方法を示す斜視図である。図２４はインナリードと電極パッドとの位置関係測定方法を説明するための説明図であり、（ａ）はワーク全体を示す画面図、（ｂ）は特徴リードの測定ステップを示す画面図、（ｃ）は特徴パッドの測定ステップを示す画面図である。図２５はインナリード認識方法の各工程を説明する各説明図である。図２６はボンディング方法の各工程を説明する各説明図である。

本実施形態において、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、μＢＧＡを備えているＩＣ（以下、μＢＧＡ・ＩＣという。）を製造する方法として構成されており、その主要工程であるボンディング工程は図１６〜図１９に示されているボンディング装置によって実施される。

図１５に示されているように、このμＢＧＡ・ＩＣの製造方法においては、図２０〜図２１に示されているワークがワーク準備工程において準備されて、ボンディング方法が実施されるボンディング工程に供給される。すなわち、このボンディング工程に供給されるワーク１は、図２０および図２１に示されているように構成されている。ワーク１はテープキャリアにチップが絶縁層を介して機械的に接続されて構成されている。キャリアとしてのテープキャリア２はＴＣＰ・ＩＣ（テープ・キャリア・パッケージを備えているＩＣ）の製造方法に使用されているＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）テープに相当するものである。テープキャリア２は同一パターンが長手方向に繰り返されるように構成されているため、その構成の説明および図示は一単位だけについて行われている。

テープキャリア２はポリイミド等の絶縁性樹脂が用いられて同一パターンが長手方向に連続するテープ形状に一体成形されているキャリア本体３を備えており、キャリア本体３にはバンプ形成部４が長手方向に一列横隊に整列されている。バンプ形成部４にはバンプホール５が多数個、４本の平行線上において整列されて開設されており、各バンプホール５には後記するバンプが後記するアウタリードに電気的に接続するように構成されるようになっている。バンプ形成部４の中心線上には長孔形状に形成された窓孔６が、バンプホール５の列と平行に開口されている。また、バンプ形成部４の外周辺部には切断を補助するための長孔６Ａが４本、長方形の枠形状に配されて開設されている。

キャリア本体３の片側主面（以下、下面とする。）にはインナリード７が複数本、窓孔６に短手方向に突き出すようにそれぞれ配線されている。各インナリード７のバンプ形成部４側に位置する一端（以下、外側端とする。）には、各アウタリード８がそれぞれ一連に連設されており、互いに一連になったインナリード７とアウタリード８とは機械的かつ電気的に一体の状態になっている。各アウタリード８のバンプホール５に対向する部位は、バンプ形成部４から露出した状態になっており、各アウタリード８の外側端は長孔６Ａの外側まで伸びた状態になっている。インナリード７群およびアウタリード８群は、銅や金等の導電性を有する材料が使用されて形成されている。インナリード７群およびアウタリード８群の形成方法としては、キャリア本体３に溶着や接着等の適当な手段によって固着させた銅箔や金箔をリソグラフィー処理およびエッチング処理によってパターニングする方法や、キャリア本体３にリソグラフィー処理によって選択的に金めっき処理する方法等がある。

インナリード７群は各窓孔６の長手方向に間隔を置かれて互いに平行に配線されている。各インナリード７の窓孔６に突き出た部分は窓孔６の中心線を跨いだ位置で切断された状態になっている。すなわち、インナリード７の窓孔６に突き出た部分の長さは窓孔６の幅よりも短く幅の半分よりも長く設定されている。

キャリア本体３の両端辺部には規則的に配列された規則部としてのスプロケット・ホール（以下、ホールという。）３Ａが多数個、長さ方向に等間隔にそれぞれ配列されて開設されており、各ホール３Ａは正方形の孔形状に形成されている。また、キャリア本体３におけるアウタリード８群の両脇には特徴部としてのリード（以下、特徴リードという。）９Ａを表示するための特徴リード表示孔（以下、表示孔という。）３Ｂが一対、対角位置にそれぞれ開設されており、各表示孔３Ｂは正方形の孔形状に形成されている。各表示孔３Ｂのキャリア本体３の下面には特徴リード９Ａがそれぞれ形成されており、各特徴リード９Ａはインナリード７およびアウタリード８と区別し得るように略ｈ形状に形成されて横向きに配置されている。

キャリア本体３の下面にはエラストマやシリコンゴム製の絶縁膜１０が接着等の適当な手段によって被着されており、インナリード７群およびアウタリード８群は絶縁膜１０によって被覆されている。絶縁膜１０におけるキャリア本体３の窓孔６に対向する部位には、長方形孔形状の窓孔１１がインナリード７群を外部に露出させるように、キャリア本体３の窓孔６よりも若干大きめに開口されている。したがって、テープキャリア２はキャリア本体３、インナリード７群、アウタリード８群および絶縁膜１０によって構成されている。

図２２に示されているように、チップ１２は長方形の平板形状に形成されており、その一主面側（以下、アクティブ・エリア側という。）には、半導体素子を含む所望の半導体集積回路が作り込まれている。すなわち、チップ１２は所謂ＩＣ製造の前工程において半導体ウエハの状態でアクティブ・エリア側に半導体集積回路を作り込まれ、ダイシング工程において長方形の平板形状に分断されて製造される。チップ１２のアクティブ・エリア側の表面は、パッシベーション膜１３によって被覆されており、パッシベーション膜１３に形成された開口部には電極パッド１４が外部に露出する状態に形成されている。電極パッド１４は複数形成されており、テープキャリア２における各インナリード７に対応されている。また、電極パッド１４群の列の両脇には特徴部としてのパッド（以下、特徴パッドという。）１４Ａが一対、それぞれ形成されており、各特徴パッド１４Ａは電極パッド１４と区別し得るようにＴ字形状に形成されている。

図２０および図２１に示されているように、ワーク１においてチップ１２はテープキャリア２に機械的に接続されている。すなわち、チップ１２はテープキャリア２に各電極パッド１４が各インナリード７にそれぞれ整合するように配された状態で、パッシベーション膜１３と絶縁膜１０との間で接着されて機械的に接続される。この状態において、インナリード７は電極パッド１４に絶縁膜１０および接着層の厚さ分だけ上方に離れた位置で対向した状態になっており、インナリード７の先端部は電極パッド１４の真上に位置した状態になっている。

図１６に示されているように、ボンディング装置８０にはステージ２１が設定されており、ステージ２１は前記構成に係るワーク１を水平に保持するように構成されている。図１９に示されているように、ステージ２１の片脇にはＸＹテーブル２２が設備されており、ＸＹテーブル２２はその上に搭載されたボンディングヘッド２３をＸＹ方向に移動させるように構成されている。ボンディングヘッド２３には先端にボンディング工具２５を取り付けられたボンディングアーム２４の一端部が支持されており、ボンディングヘッド２３はボンディングアーム２４を操作することによりボンディング工具２５を上下動させるように構成されている。ボンディングアーム２４には位置検出センサ２６が設備されており、位置検出センサ２６は後記するメインコントローラに接続されている。ＸＹテーブル２２およびボンディングヘッド２３には、これらの作動を制御するコントローラ（以下、作動コントローラという。）２７が接続されており、作動コントローラ２７には作動を指令するコントローラ（以下、メインコントローラという。）２８が接続されている。メインコントローラ２８にはディスプレー２９が接続されている。

ＸＹテーブル２２にはインナリード認識装置３０を構成するための画像取り込み装置としての工業用テレビカメラ（以下、カメラという。）３１がスタンド３６によって設備されており、カメラ３１はステージ２１上のワーク１を撮映するようになっている。カメラ３１にはインナリード認識用測定線を設定するインナリード認識用測定線設定部（以下、設定部という。）３２が接続されており、設定部３２には輝度測定部３３が接続されている。輝度測定部３３には加算輝度分布波形を形成する形成部３４が接続され、形成部３４にはインナリードの中心線を判定する判定部３５が接続されている。判定部３５はメインコントローラ２８に接続されており、判定結果をメインコントローラ２８に送信するようになっている。

図１６に示されているように、ボンディング装置８０はワーク１を搬送するためのローディングリール８１およびアンローディングリール８２を備えており、ワーク１はローディングリール８１とアンローディングリール８２との間に張られている。ローディングリール８１の下側にはスペーサテープ巻取りリール８３が支持されており、スペーサテープ巻取りリール８３はローディングリール８１がワーク１を繰り出した後のスペーサテープ８４を巻き取るように構成されている。アンローディングリール８２の下側にはスペーサテープ繰出しリール８５が支持されており、スペーサテープ繰出しリール８５はアンローディングリール８２がワーク１を巻き取る際にスペーサテープ８６を繰り出して行くように構成されている。

図１７および図１８に示されているように、ボンディング装置８０のステージ２１が設定された場所には昇降駆動装置８７によって昇降されるヒートブロック８８が設備されており、ヒートブロック８８の上面には窪み８９がワーク１のチップ１２を収容し得るように掘り下げられている。ヒートブロック８８の上面における窪み８９の外側部分によって下側押さえ９０が形成されている。ヒートブロック８８の真上には下側押さえ９０と同形の長方形枠形状に形成された上側押さえ９１が設備されており、上側押さえ９１はロータリーアクチュエータ９２によって上下方向に往復回動されるように支持されている。上側押さえ９１は下側に回動してワーク１におけるチップ１２の周囲を下側押さえ９０に押さえ付けることにより、ワーク１をステージ２１に固定するようになっている。

ボンディング装置８０におけるワーク１の両側（以下、前側および後側とする。）端部には、前後で一対のガイドレール９３、９３が左右方向に平行で水平にそれぞれ敷設されている。ワーク１はホール３Ａ群が配列されたキャリア本体３の両端部を両ガイドレール９３、９３によって摺動自在に挟まれた状態で水平に案内されて、ローディングリール８１側からアンローディングリール８２の方向に送られるようになっている。

両ガイドレール９３、９３のステージ２１から右側に離れた位置には、前後で一対の送りローラ９４、９４がキャリア本体３の両端部下面に接する状態で回転自在に支持されており、両送りローラ９４、９４には送りモータ９５に駆動されるベルト９６が巻き掛けられている。両送りローラ９４、９４のキャリア本体３を挟んだ上側には前後で一対の押さえローラ９７、９７が、送りローラ９４と協働してキャリア本体３を挟むように配設されており、両押さえローラ９７、９７は他端部をピン９８によって上下方向に回動自在に支持されたアーム９９の一端部に回転自在に支持されている。アーム９９のピン９８寄りの位置にはスプリング１００がアーム９９を下方に付勢するように係止されており、アーム９９のスプリング１００よりも押さえローラ９７寄りの位置には電磁プランジャ１０１がアーム９９を上下動させるように係合されている。

両ガイドレール９３、９３のステージ２１から左側に離れた位置には、前後で一対のバックテンションローラ１０２、１０２がキャリア本体３の両端部下面に接する状態で回転自在に支持されており、両バックテンションローラ１０２、１０２にはバックテンションモータ１０３に駆動されるベルト１０４が巻き掛けられている。両バックテンションローラ１０２、１０２のキャリア本体３を挟んだ上側には前後で一対の押さえローラ１０５、１０５が、バックテンションローラ１０２と協働してキャリア本体３を挟むように配設されており、両押さえローラ１０５、１０５は他端部をピン１０６によって上下方向に回動自在に支持されたアーム１０７の一端部に回転自在に支持されている。アーム１０７のピン１０６寄りの位置にはスプリング１０８がアーム１０７を下方に付勢するように係止されており、アーム１０７のスプリング１０８よりも押さえローラ１０５寄りの位置には電磁プランジャ１０９がアーム１０７を上下動させるように係合されている。

後側のガイドレール９３のステージ２１から右側に離れた位置にはホール覗き孔１１０が、キャリア本体３に開設されたホール３Ａよりも大きい長方形の孔形状に開設されており、ホール覗き孔１１０の真上にはホール検出装置としてのホトセンサ１１１が、スタンド等で支持されて設備されている。ホトセンサ１１１はホール覗き孔１１０を通してホール３Ａを検出するように構成されている。ホトセンサ１１１にはホール３Ａの通過に基づいてワーク１の位置を制御するワーク位置コントローラ１１２が接続されており、このコントローラ１１２は送りモータ９５やバックテンションモータ１０３、電磁プランジャ１０１および１０９を後述する通り制御するように構成されている。

以下、前記構成に係るボンディング装置によるボンディング方法を説明する。

まず、ワークのステージへの供給および位置決め方法が説明される。この説明において、キャリア２における隣合うチップ１２、１２間の間隔（１ピッチ）ｐは、図２３に示されているように、キャリア２のホール３Ａの数で４個分に相当する寸法に設定されているものとする。

図１６に示されている状態において、送り側の電磁プランジャ１０１が予め設定されたシーケンスによって伸長作動されると、図１７に示されているように、アーム９９がスプリング１００によって下方に回動されるため、押さえローラ９７は送りローラ９４との間でキャリア本体３をスプリング１００の弾発力によって挟んだ状態になる。同時に、バックテンション側の電磁プランジャ１０９が短縮されると、アーム１０７がスプリング１０８の弾発力に抗して上方に回動されるため、押さえローラ１０５はバックテンションローラ１０２との間でのキャリア本体３の挟持状態を解除する。続いて、送りローラ９４が送りモータ９５によって予め設定されたシーケンスに基づいて回転されると、送りローラ９４と押さえローラ９７とによって挟まれたキャリア本体３はローディングリール８１側からアンローディングリール８２側への方向に送られる。

この送り作動によって、キャリア２が隣合うホール３Ａ、３Ａ間のピッチＰで３ピッチ分だけ送られると、図２３に示されているように、ホトセンサ１１１の位置は送り開始位置Ｊ１から第２位置Ｊ２に相対的に移動する。この際、送りローラ９４および押さえローラ９７とキャリア本体３との間の滑りがあるため、第２位置Ｊ２は不確定である。

なお、キャリア２が送りモータ９５によってホール３ＡのピッチＰで２ピッチ（２×Ｐ）分だけ送られると、バックテンション側の電磁プランジャ１０９が予め設定されたシーケンスによって伸長作動される。バックテンション側の電磁プランジャ１０９が伸長すると、アーム１０７がスプリング１０８の弾発力によって下方に回動されるため、押さえローラ１０５はバックテンションローラ１０２との間でキャリア本体３をスプリング１０８の弾発力によって挟んだ状態になる。続いて、バックテンションローラ１０２がバックテンションモータ１０３によって回転されると、バックテンションローラ１０２と押さえローラ１０５とによって挟まれたキャリア本体３はローディングリール８１側からアンローディングリール８２側への方向に引っ張られる。これにより、キャリア２の弛みは除去された状態になる。

次いで、送りモータ９５はキャリア２をホール３Ａのピッチで１ピッチ（１×Ｐ）分だけ送る作動を実行する。この送りに伴って、ホトセンサ１１１の位置は図２３に示されているように、第３位置Ｊ３、第４位置Ｊ４および第５位置Ｊ５と相対的に移動することになる。但し、ホトセンサ１１１は第３位置Ｊ３を通過する際にホール３Ａの上流側開口縁を検出すると、送りモータ９５を停止させる。送りモータ９５が停止すると、ホトセンサ１１１の位置は第３位置Ｊ３と第４位置Ｊ４との間の任意の位置すなわちホール３Ａ内の中間位置で相対的に停止する。

次いで、送りモータ９５はキャリア２をホール３Ａの幅Ｗで１個（１×Ｗ）分だけ送る作動を実行する。この送りに伴って、ホトセンサ１１１の位置は第４位置Ｊ４を確実に超えることになる。但し、ホトセンサ１１１は第４位置Ｊ４を通過する際にホール３Ａの下流側開口縁を検出すると、送りモータ９５を停止させる。これにより、ホトセンサ１１１は第４位置Ｊ４で相対的に停止する。

次いで、送りモータ９５はキャリア２をステージ２１の中心とチップ１２の中心とが合う位置に来るように予め設定された補正値Ｋだけ送って停止する。この送りおよび停止作動によって、ホトセンサ１１１は第５位置Ｊ５に相対的に停止する。この第５位置Ｊ５は隣合うホール３Ａ、３Ａ間において補正値Ｋによって規定される常に一定した位置になるため、ワーク１はステージ２１に対して常に一定の関係位置に供給されて停止された状態になる。

以上説明した通り、ホトセンサ１１１によってキャリア２のホール３Ａの下流側開口縁を検出してそこから所定の補正値Ｋだけキャリア２を送るように構成することにより、チップ１２の大きさやインナリード７およびアウタリード８の長さが変更された場合や、ホール３Ａ間のピッチやホール３Ａの大きさが変更された場合等であっても、ピッチの大きさやピッチ数および補正値Ｋに関する数値を適宜に入力する簡単な作業によって多種多様の変更に迅速に対応することができるため、機種の変更等の混流生産に対処することができ、他面、ボンディング装置の汎用性を高めることができる。

以上のようにしてワーク１がステージ２１に対して予め設定された一定の位置に供給されて停止されると、昇降駆動装置８７によってヒートブロック８８が上昇されるとともに、ロータリーアクチュエータ９２によって上側押さえ９１が下降される。上側押さえ９１の下降により、ワーク１はヒートブロック８８の下側押さえ９０に押さえ付けられるため、ワーク１はステージ２１に対して位置決めされた状態になる。また、ワーク１のチップ１２の下面はヒートブロック８８の窪み８９の底面に当接した状態になるため、チップ１２はヒートブロック８８によって加熱される状態になる。

ワークがステージに対して位置決めされると、ワークにおけるインナリードと電極パッドとの位置関係が、次に説明される方法によって測定されて適宜に補正される。

前述した通り、ワーク１はステージ２１に対して予め設定された位置関係に常に停止されるため、例えば、図２４に示されているように、カメラ３１の中心とワーク１の中心とを略合致させることができる。図２４において、カメラ３１の中心をワーク１の座標の原点Ｏと仮定すると、左側の特徴リード９Ａの座標位置はワーク１の設計データから求めることができる。

そこで、図２４（ｂ）に示されているように、左側の特徴リード９Ａの座標位置にカメラ３１の切り出しウインドが設定される。ここで、実際のワーク１においては、キャリア本体３やホール３Ａ等が設計値どおりに形成されているとは限らないので、例えば、図２４（ｂ）に示されているように、実際の特徴リード９Ａと、設計上の特徴リード９Ａ’との間には誤差（ΔＸａ、ΔＹａ）が発生している。この誤差（ΔＸａ、ΔＹａ）は次のアルゴリズムによって求められる。

まず、カメラ３１によって撮映された実際の特徴リード９Ａが画像認識され、この認識により原点Ｏに対するその中心座標（Ｘａ、Ｙａ）が求められる。この中心座標（Ｘａ、Ｙａ）と、設計上の特徴リード９Ａの原点Ｏに対する中心座標（Ｘａ’、Ｙａ’）との差が求められる。この差の値が誤差の値（ΔＸａ、ΔＹａ）になる。

次に、図２４（ｃ）に示されているように、左側の特徴パッド１４Ａの座標位置にカメラ３１の切り出しウインドが設定される。ここで、実際のワーク１においては、キャリア本体３にチップ１２が設計どおりに固着されているとは限らないので、例えば、図２４（ｃ）に示されているように、実際の特徴パッド１４Ａと、設計上の特徴リード１４Ａ’との間には誤差（ΔＸｂ、ΔＹｂ）が発生している。この誤差の値（ΔＸｂ、ΔＹｂ）は特徴リード９Ａの場合と同じアルゴリズムによって求められる。

以降、右側の特徴リード９Ａおよび特徴パッド１４Ａについて誤差の値が同様の方法によってそれぞれ求められる。これらの誤差の値に対しての統計処理によって、設計上の各インナリード７の座標位置および各電極パッド１４の座標位置に関する誤差の値がそれぞれ求められる。そして、これらの誤差の値のそれぞれと予め設定された許容値とが比較される。範囲外である場合には補正が不能である旨が警報される。範囲内である場合には、互いに対向するインナリード７と電極パッド１４との間の各補正値がそれぞれ求められる。

以上説明した通り、特徴リード９Ａおよび特徴パッド１４Ａを使用して各インナリード７と各電極パッド１４との位置関係をそれぞれ求めることにより、補正不能の誤差に対するボンディング作業を省略することができ、また、補正可能なものについては補正によってボンディングの精度を向上させることができる。さらに、次のインナリード認識方法において、カメラ３１の切り出しウインドを各インナリード７と各電極パッド１４との関係位置に精密に設定させることができる。

以上のようにしてワークにおけるインナリードと電極パッドとの位置関係が求められると、図２５に示されているインナリード認識方法が実行される。

図１９において、メインコントローラ２８はＸＹテーブル２２を駆動して、ステージ２１の上に載置されたワーク１におけるこれからボンディングしようとするインナリード７の撮映位置にカメラ３１を移動させる。この際、前述のようにして求められたインナリード７の位置座標が使用される。カメラ３１は画像取込み工程４１（図１参照。以下、同じ。）を実行して、これからボンディングしようとするインナリード７を撮映する。カメラ３１によって撮映された図２５（ａ）に示されている画像５１は、ディスプレイ２９に映し出されるとともに、設定部３２に入力される。

設定部３２はインナリード認識用測定線設定工程４２を実行して、図２５（ａ）に示されているように、画像５１におけるインナリード７にそれぞれ直交する画像走査線のうち、電極パッド１４を含む画像走査線の１本によって電極パッド対応インナリード認識用測定線（以下、中央測定線という。）５２を設定し、電極パッド１４の両脇の画像走査線の１本ずつによって各電極パッド外側インナリード認識用測定線（以下、それぞれ内側端部測定線および外側端部測定線という。）５３および５４を設定する。

輝度測定部３３は輝度測定工程４３を実行して、中央測定線５２、内側端部測定線５３および外側端部測定線５４毎に各走査線上の各点における輝度をそれぞれ測定し、図２５（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示されているように、中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａをそれぞれ形成する。これら中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａは形成部３４に入力される。

形成部３４は形成工程４４を実行して、図２５（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示された中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａを走査線上の各点を一致させて、すなわち、時系列を一致させて重ね合わせることにより、図２５（ｅ）に示されている加算輝度分布波形５５を形成する。つまり、中央測定線輝度波形５２ａ、内側端部測定線輝度波形５３ａおよび外側端部測定線輝度波形５４ａの輝度が各点毎に加算されて、加算輝度分布波形５５が形成される。この加算輝度分布波形５５は判定部３５に入力される。

判定部３５は判定工程４５を実行して、図２５（ｆ）に示されているように、まず、加算輝度分布波形５５に閾値５６を設定する。続いて、加算輝度分布波形５５における閾値５６以上の領域５７における重心５８が算出され、この重心５８に対向する位置がこれからボンディングしようとするインナリード７の中心線の位置５９として判定される。つまり、これからボンディングしようとしているインナリード７の位置が正確に認識されたことになる。

以上のようにして求められたインナリード７の中心線の位置５９にボンディング装置２０のボンディング工具２５の中心線が、メインコントローラ２８の指令に基づいて作動コントローラ２７の制御によるＸＹテーブル２２の作動によって一致されることにより、図２６に示されているように、インナリード７は電極パッド１４にボンディング工具２５によって正確にボンディングされる。

図２６（ａ）に示されているように、ボンディング工具２５がインナリード７の電極パッド１４の真上の部分を、ボンディング工具２５がチップ１２の上面にインナリード７を介して着地しない程度の高さまで押し下げる。ボンディング工具２５がチップ１２の上面にインナリード７を介して着地したか否かは、ボンディングアーム２４に設備された位置検出センサ２６からの位置データを分析することによってメインコントローラ２８において判定される。

インナリード７の先端部を所定の高さまで押し下げると、図２６（ｂ）に示されているように、ボンディング工具２５がインナリード７の絶縁膜１０に支持された基端部の方向に平行移動される。この平行移動に伴って、インナリード７は全体的にＳ字形状に弯曲される。すなわち、インナリード７の基端部には歪が発生しないループ形状に曲げ癖が付けられ、その先端部下面は電極パッド１４の上面に当接された状態になる。

なお、この際、ボンディング工具２５は垂直に下降した後に水平移動させるに限らず、図２６（ｂ）に想像線の軌跡で示したように、ボンディング工具２５は斜め下方に移動させてもよい。

次いで、図２６（ｃ）に示されているように、ボンディング工具２５は電極パッド１４の中心の真上に戻され、続いて、ボンディング工具２５は垂直に下降される。この下降により、ボンディング工具２５はインナリード７の先端部を電極パッド１４に押し付ける。ボンディング工具２５はインナリード７の先端部を電極パッド１４に押し付けるとともに、熱および超音波エネルギを作用させることにより熱圧着させる。すなわち、インナリード７は電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされた状態になる。

その後、前記したインナリード認識方法およびボンディング方法が各インナリード７毎に繰り返されることにより、チップ１２がテープキャリア２に電気的に接続される。各インナリード７毎のボンディングに際して、インナリード７がチップ１２の電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされる以前に、インナリード７の中心線の位置５９が認識され、この認識された中心線の位置５９に対応した最適条件でボンディング工具２５によるボンディングがそれぞれ実行される。

全てのインナリード７について前記したボンディング作業が終了すると、前述した作動によってテープキャリア２が前述したワークのステージへの供給および位置決め方法によって１ピッチｐ分だけ送られる。以降、前述した工程が繰り返し実行されることにより、ローディングリール８１から繰り出されるワーク１についてボンディング方法が順次実行されて行く。

その後、図１５に示されているように、μＢＧＡ・ＩＣの製造方法における樹脂封止体成形工程において、テープキャリア２の各窓孔６の内部にエラストマやシリコンゴム等の絶縁性材料が図２７に示されているようにポッティングされることによって、インナリード７群および電極パッド１４群が樹脂封止部１５によって樹脂封止される。

また、μＢＧＡ・ＩＣの製造方法におけるバンプ形成工程において、テープキャリア２の各アウタリード８における各バンプホール５の底で露出した部位に半田ボールが半田付けされることにより、バンプ形成部４の上面から突出したバンプ１６がテープキャリア２に図２７に示されているように形成される。

以上、説明した製造方法により、図２８に示されているμＢＧＡ・ＩＣ１７が製造されたことになる。

次に、チップの高さを測定してからボンディング工具によるボンディングが実施される図２９〜図３３に示されているボンディング方法を説明する。

図２９に示されているように、ボンディング工具２５がインナリード７の先端部を押し下げると、インナリード７は絶縁膜１０の窓孔１１の上側縁を起点として下方に弯曲される。

図３０に示されているように、ボンディング工具２５がさらに下降されることにより、インナリード７の先端部が押し下げられてチップ１２の上面に着地される。

ボンディング工具２５がチップ１２の上面にインナリード７を介して着地したか否かは、位置検出センサ２６からの位置データを分析することによってメインコントローラ２８において判定される。ボンディング工具２５がチップ１２の上面に着地していないと判定した場合には、メインコントローラ２８はボンディング工具２５を徐々に下降させてチップ１２の上面にインナリード７を介して着地させる。

そして、ボンディング工具２５がチップ１２の上面にインナリード７を介して着地したと判定すると、メインコントローラ２８は着地時の位置検出センサ２６からの位置データを読み込んで、チップ１２の上面における着地点の高さを測定する。

ボンディング工具２５の高さを測定したメインコントローラ２８は、図３１に示されているように、ボンディング工具２５を予め設定された所定の高さＨだけ上昇させる。所定の高さＨは実験やコンピュータによるシュミレーションおよび過去の実績データ等の経験的手法によって、異なるボンディング条件毎に対応した最適値が求められ、メインコントローラ２８に予め記憶されている。メインコントローラ２８は所定の高さＨを作動コントローラ２７に指令する。作動コントローラ２７はボンディングヘッド２３を制御してボンディングアーム２４を揺動させることにより、ボンディング工具２５を所定高さＨだけ上昇させる。

ボンディング工具２５が所定の高さＨだけ上昇すると、図３１に示されているように、インナリード７の先端部はインナリード７のスプリングバックによってチップ１２の上面から離れるように若干上昇する。インナリード７の先端部がチップ１２から上昇した状態において、所定の高さＨだけ上昇したボンディング工具２５は、インナリード７の先端部上面から離れた状態になっている。

続いて、図３２に示されているように、ボンディング工具２５はそのままの高さを維持した状態で、バンプ形成部４の方向に電極パッド１４の中心の真上を通り過ぎた所定の位置まで平行移動される。この平行移動に伴って、インナリード７はボンディング工具２５によってバンプ形成部４の方向へずらされるとともに、斜め下方に押し下げられるため、その中間部は所定のループ形状を形成された状態になるとともに、その先端部下面は電極パッド１４の上面に当接された状態になる。

次いで、図３３に示されているように、ボンディング工具２５は電極パッド１４の真上位置に移動された後に垂直に下降される。この下降により、インナリード７の先端部は所定のループ形状を形成したままの状態で、ボンディング工具２５によって電極パッド１４に所定の力で押し付けられる。ボンディング工具２５はインナリード７の先端部を電極パッド１４に押し付けるとともに、熱および超音波エネルギを作用させることにより熱圧着させる。すなわち、インナリード７は電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされたことになる。

以上説明した通り、インナリード７を電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングするに際し、インナリード７がチップ１２の電極パッド１４にボンディング工具２５によってボンディングされる以前に、チップ１２の電極パッド１４のボンディング工具２５に対する高さを逐次測定し、測定した各高さにそれぞれ対応した最適条件によってボンディング工具２５によるボンディングを実行することにより、各インナリード７を各電極パッド１４にいずれも適正なループ形状をもってボンディングすることができるため、μＢＧＡ・ＩＣ１７の品質および信頼性並びに製造歩留りを高めることができる。

例えば、バンプ形成部４の下に絶縁膜１０を介して機械的に接続されたチップ１２が傾くことにより、ボンディング工具２５によって次々にボンディングされて行くインナリード７と電極パッド１４との間隔の相互間に誤差がそれぞれ発生していたとしても、各インナリード７毎に相互間の誤差に対応した最適条件下によってボンディング工具２５によるボンディングがそれぞれ実行されるため、ボンディング後の各インナリード７のループ形状をいずれも適正に形成することができる。

ちなみに、インナリード７と電極パッド１４との間隔の誤差が小さい場合には、ボンディング工具２５によってインナリード７をチップ１２に着地させない方が作業時間を短縮されるので、有利である。

高さの測定と測定後のボンディングとを同一のボンディング工具２５の一連の作動によって連続して実行することにより、ボンディング作業を同一ステージにおいて完了させることができるため、ボンディングの作業時間を短縮することができるとともに、ボンディング装置の構造を簡単化することができる。

なお、ボンディング工具２５は前記実施形態の軌跡に制御するに限らず、例えば、図３４に示されている軌跡のように制御してもよい。

図３４において、Ｓは移動開始点を示しており、Ｅは移動終了点を示している。移動開始点Ｓはインナリードの先端部またはノッチの部分に設定され、移動終了点Ｅは電極パッドに設定される。

図３４（ａ）の軌跡は、インデックスを最も早く設定することができる。

図３４（ｂ）の軌跡は、インナリードをＳ字形状に成形することができる。

図３４（ｃ）の軌跡は、チップ面を検出することができ、チップが傾いた場合にステージとチップとの間にゴミ等が入り高さが変化した時に有効である。

図３４（ｄ）の軌跡は、窓孔間に架橋されたインナリードの切断に有効であるとともに、インナリードの成形に有効である。

図３４（ｅ）の軌跡は、インナリードをＳ字形状に成形することができるとともに、チップ面を検出することができる。

図３４（ｆ）の軌跡も、インナリードをＳ字形状に成形することができるとともに、窓孔に架橋されたインナリードの切断に有効である。

図３４（ｇ）の軌跡は、チップ面を検出することができ、窓孔間に架橋されたインナリードの切断に有効であり、インナリードの成形に有効である。

図３４（ｈ）の軌跡は、インナリードをＳ字形状に成形することができるとともに、チップ面を検出することができ、また、窓孔間に架橋されたインナリードの切断に有効であり、インナリードの成形に有効である。

なお、図３４の各図において、垂直および水平移動は斜め移動に設定してもよい。

本発明の一実施形態であるボンディング方法におけるインナリード認識方法を示す工程図である。 その各工程を説明する各説明図である。 本発明の一実施形態であるボンディング装置を示す模式図である。 本発明の一実施形態であるボンディング方法を示しており、（ａ）はインナリードの切断工程を示す拡大部分断面図、（ｂ）は高さ測定工程を示す拡大部分断面図、（ｃ）は高さ測定後のボンディング工具上昇工程を示す拡大部分断面図、（ｄ）はインナリード成形工程を示す拡大部分断面図、（ｅ）はボンディング工程を示す拡大部分断面図である。 ワークを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は一部省略正面断面図である。 製造されたμＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部切断正面図である。 本発明の実施形態であるボンディング方法におけるインナリード認識方法を示す工程図である。 その各工程を説明する各説明図である。 本発明の実施形態であるボンディング方法におけるインナリード認識方法を示す工程図である。 その各工程を説明する各説明図である。 本発明の一実施形態であるボンディング方法を示しており、（ａ）はインナリードの切断工程を示す部分断面図、（ｂ）は高さ測定工程を示す部分断面図、（ｃ）は高さ測定後のボンディング工具上昇工程を示す部分断面図、（ｄ）はインナリード成形工程を示す部分断面図、（ｅ）はボンディング工程を示す部分断面図である。 本発明の一実施形態であるボンディング装置を示す模式図である。 ワークを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は一部省略一部切断正面図である。 製造されたμＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は一部切断平面図、（ｂ）は一部切断正面図である。 本発明の一実施形態であるμＢＧＡ・ＩＣの製造方法を示す工程図である。 それに使用されるボンディング装置を示す正面図である。 その主要部を示す一部切断正面図である。 同じく平面図である。 同じくブロック図を含む一部切断正面図である。 ワークを示す一部省略平面図である。 （ａ）は同じく一部切断正面図、（ｂ）は一部切断側面図である。 チップを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部切断正面図、（ｃ）は拡大した一部切断側面図である。 ワークのステージへの供給および位置決め方法を示す斜視図である。 インナリードと電極パッドとの位置関係測定方法を説明するための説明図であり、（ａ）はワーク全体を示す画面図、（ｂ）は特徴リードの測定ステップを示す画面図、（ｃ）は特徴パッドの測定ステップを示す画面図である。 インナリード認識方法の各工程を説明する各説明図である。 ボンディング方法の各工程を説明する各説明図である。 製造されたμＢＧＡ・ＩＣを示す正面断面図である。 同じく外観斜視図である。 チップの高さを測定してからボンディング工具によるボンディングが実施されるボンディング方法を示しており、初期曲げ工程の正面断面図である。 同じく着地工程の正面断面図である。 同じく上昇工程の正面断面図である。 同じく平行移動工程の正面断面図である。 同じく熱圧着工程の正面断面図である。 ボンディング工具の軌跡の変形形態を示す各軌跡図である。

符号の説明

１…ワーク、２…テープキャリア（キャリア）、３…キャリア本体、４…バンプ形成部、５…バンプホール、６…窓孔、７…インナリード、７ａ…短い部分、７ｂ…長い部分（切断部片）、８…アウタリード、９…ノッチ、１０…絶縁膜、１１…窓孔、１２…チップ、１３…パッシベーション膜、１４…電極パッド、１５…樹脂封止部、１６…バンプ、１７…μＢＧＡ・ＩＣ（半導体装置）、２０…ボンディング装置、２１…ステージ、２２…ＸＹテーブル、２３…ボンディングヘッド、２４…ボンディングアーム、２５…ボンディング工具、２６…位置検出センサ、２７…作動コントローラ、２８…メインコントローラ、２９…ディスプレー、２９Ａ…キーボード、２９Ｂ…ブザー（警報機）、３０…インナリード認識装置、３１…工業用テレビカメラ（画像取り込み装置）、３２…インナリード認識用測定線設定部（設定部）、３３…輝度測定部、３４…形成部、３５…判定部、３６…スタンド、４１…画像取り込み工程、４２…インナリード認識用測定線設定工程、４３…輝度測定工程、４４…形成工程、４５…判定工程、５１…画像、５２…中央測定線、５３…内側端部測定線、５４…外側端部測定線、５２ａ…中央測定線輝度波形、５３ａ…内側端部測定線輝度波形、５４ａ…外側端部測定線輝度波形、５５…加算輝度分布波形、５５Ａ…加算閾値以上輝度分布波形、５６、５６Ａ…閾値、５７、５７Ａ…領域、５８…重心、５９…中心線の位置、６１…画像取り込み工程、６２…インナリード認識用測定線設定工程、６３…輝度測定工程、６４…形成工程、６５…判定工程、７１…画像、７２…中央測定線、７２ａ…中央測定線輝度波形、７３…内側端部測定線、７３ａ…内側端部測定線輝度波形、７４…外側端部測定線、７４ａ…外側端部測定線輝度波形、７５…加算輝度分布波形、７６…閾値、７７…領域、７８…重心、７９…厚さ方向の中心線の位置（高さ方向の位置）、８０…ボンディング装置、８１…ローディングリール、８２…アンローディングリール、８３…スペーサテープ巻取りリール、８４…スペーサテープ、８５…スペーサテープ繰出しリール、８６…スペーサテープ、８７…昇降駆動装置、８８…ヒートブロック、８９…窪み、９０…下側押さえ、９１…上側押さえ、９２…ロータリーアクチュエータ、９３…ガイドレール、９４…送りローラ、９５…送りモータ、９６…ベルト、９７…押さえローラ、９８…ピン、９９…アーム、１００…スプリング、１０１…電磁プランジャ、１０２…バックテンションローラ、１０３…バックテンションモータ、１０４…ベルト、１０５…押さえローラ、１０６…ピン、１０７…アーム、１０８…スプリング、１０９…電磁プランジャ、１１０…ホール覗き孔、１１１…ホトセンサ、１１２…ワーク位置コントローラ、３Ａ…スプロケット・ホール（ホール）、３Ｂ…特徴リード表示孔（表示孔）、６Ａ…長孔、９Ａ…特徴リード、１４Ａ…特徴パッド。

Claims (5)

1. 一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法であって、
   前記ボンディングに際して、前記インナリードの一部がボンディング工具によって前記半導体チップの上に接触された後に、前記ボンディング工具が上昇され、次いで、前記ボンディング工具の先端部によって前記インナリードの中間部分が押されることにより、前記インナリードの一部が弯曲されるとともに、前記インナリードの先端部分が前記電極パッドに対応する位置に移動され、続いて、前記ボンディング工具が前記インナリードの先端部分に移動され、前記インナリードが前記電極パッドに押し付けられてボンディングされることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
2. 前記インナリードの一部が前記ボンディング工具によって前記半導体チップの上に接触された後に前記ボンディング工具が上昇され、次いで、前記ボンディング工具が水平移動されて前記インナリードがＳ字形状に弯曲されることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
3. 前記インナリードの一部を前記半導体チップの上に接触させた前記ボンディング工具が上昇された後に、前記インナリードの基端部の方向に前記電極パッドの被ボンディング部を超えて水平移動され、さらに、被ボンディング部に戻されることを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
4. 前記インナリードの一部が前記ボンディング工具によって叩かれて切断された後に、一方の切断部片が前記ボンディング工具によって弯曲されるとともに、前記電極パッドにボンディングされることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
5. 一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法であって、
   前記インナリードの一部がボンディング工具によって前記半導体チップの方向に移動された後に、前記ボンディング工具が上昇され、次いで、前記インナリードの基端部の方向に前記電極パッドの被ボンディング部を超えて水平移動されることで、前記インナリードがＳ字形状に弯曲され、さらに、前記ボンディング工具が前記被ボンディング部に戻されて、前記インナリードの先端部分が前記ボンディング工具によって前記被ボンディング部に押し付けられてボンディングされることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

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