JP3702114B2 - アライメントマークを形成する方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はアライメントマークを形成する方法に係り、特によりよいアライメント性能を達成するためにタングステン化学的機械的研磨(WCMP)工程で使用される方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの集積度が高くなるにつれて、相互接続ラインの距離が必然的に短くなり、その結果ラインの幅も狭くなる。ライン幅が半サブミクロンのレベルで0.18ミクロンまで狭くなると、スピンオン グラス技術(SOG)という従来の全体平坦化技術はもはや不適当である。その代わりに化学的機械的研磨(CMP)技術が全体平坦化を行うために提案されて、超大規模集積回路(VLSI)の製造に使用されている。
【0003】
特に、WCMP工程は超々大規模集積回路(ULSI)の製造には将来必要な工程になるであろう。しかしながらCMP 工程はアライメント エラーという問題をかかえている。何故ならばCMP 工程は半導体基板の上にデバイス素子を平坦化するために使用されるので、アライメントマークが平坦化によって不鮮明になる可能性があるからである。これによりフォトマスクのアライメントが困難になり、その結果アライメント エラーが発生する。それによりその後の製造でパターン トランスファーエラーが発生する。このアライメント エラーはWCMPにより平坦化されるタングステン(W)層を含む製造ではより明白である。
【0004】
図1(A)〜(E)はASML社の提案に従ったゼロ層に形成されるアライメントマークの従来の製造フローを示す断面図である。
図1(A)では、約1,200Åの深さのトレンチ104を含むアライメントマーク パターン102が半導体基板上のアライメントマーク領域に先ず形成される。基板100はデバイスの素子領域(図示せず)を含む。製造工程で種々の物質の層を基板100に形成する必要があるので、種々の物質の層がアライメントマーク領域に形成される。デバイス素子領域の幾つかの製造工程の後に、約3,000Åの厚さのポリシリコン層106が基板100に形成される。図1(A)に示されたトレンチ104に対応するトレンチ107がポリシリコン層106に形成される。
【0005】
図1(C)では、約17,000Åの元々の厚さの絶縁層108がポリシリコン106上に形成されて、そこで絶縁層108はデバイス素子領域の絶縁の為に使用される。絶縁層108のプロフィールは通常はフラットではないので、平坦化は絶縁層108を平坦化するために行われる。絶縁層108は平坦化後に図1(C)に示されるようにトレンチ107で約10,000Åの厚さになる。
【0006】
この段階で、トレンチ構造は絶縁層108の表面で消える。絶縁層108を取り除くことはデバイス製造上必要である。絶縁層108を取り除いた後に、図1(D)に示されているように、約5,000Åの厚さのタングステンW層110が基板100の上に形成される。W層110はデバイス素子の領域にWプラグを形成するためのものである。W層110の露出した表面は、アライメントマーク領域の図1(B)に示されるデバイス素子領域とトレンチ107の下部構造のために平坦ではない。鋭い窪みがトレンチ107の上部のW層110に現れる。W層110を平坦化するためにWCMP工程が必要になる。
【0007】
図1(E)では、WCMP工程の後に、W層110はトレンチ107を充填するWプラグになる。約5,000Åの厚さのメタル配線層112が基板100の上に形成される。Wプラグ110aはWCPM工程の後に、ポリシリコン層106の高さと同じ高さを持つので、図1(A)で示されるアライメントマーク パターン102はメタル配線層106の露出された表面には最早や殆ど存在しない。これにより次のフォトマスクのアライメント不良が発生する。
【0008】
図2(A)〜(E)はASML社とニコン社の提案に従った非ゼロ層に形成されるアライメントマークの別の従来の製造フローを示す断面図である。
半導体基板200は図2(A)に示されるアライメントマーク領域を含み、デバイス素子領域(図示せず)を含んでいる。製造工程のためには、基板100上に種々の物質の層が形成される必要があるので、アライメントマーク領域にも種々の物質の層が形成される。図2(A)では、デバイス素子領域上の幾つかの製造工程の後に、約3,000Åの厚さのポリシリコン層202が基板200上に形成される。図2(B)では、デバイス素子領域の絶縁層として役立つ酸化層204が約17,000Åの厚さで基板200上に形成されて、約10,000Åの厚さ迄平坦化される。
【0009】
図2(C)では、アライメントマーク領域206では、開口部208がフォトリソグラフイとエッチングとにより形成される。開口部208はポリシリコン層202を露出し、その結果開口部208の深さは約10,000Åの酸化層204の厚さと同じになる。これはアライメントマークのステップ高である。
図2(C)と(D)では、Wプラグ210が開口部208を埋めることによって、形成される。Wプラグ210を形成するためには、W層(図示せず)が基板200に形成される。次にWCMP工程が行われて、酸化層204の上のW層を研磨する。残りのW層は開口部208に充填されるWプラグ210であるが、WCMP工程により全てが充填されない。Wプラグ210の窪み構造によりアライメントマーク パターンは維持されるが、ステップ高の質は悪い。
【0010】
図2(E)では、約5,000Åの厚さのメタル配線層212が基板200の上に形成される。メタル配線層212の目的はデバイス素子領域のメタルライン(図示せず)を相互接続することである。図2(C)に示される開口部208に対応するWプラグ210の窪み構造はメタル配線層212の露出した表面にも現れる。ここではステップ高が更に悪く、元の高さである約10,000Åから大きく減少される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
このように、正しい信号に対応するためのアランメント センサの為の十分なステップ高がないので、次のフォトマスクのアライメントが困難になる。従って、アライメント エラーが避けられない。
上記の2つの従来の方法がアライメント パターンを形成するために提案されている。Wプラグがデバイス製造には含まれているので、基板を全体的に平坦化するためにはWCMP工程を行う必要があるが、それはアライメント パターンのステップ高を減少する。
【0012】
アライメント パターンのプロファイルは劣化されるか、又は完全にかすれて消される。アライメントマーク パターンの不十分なステップ高のためにアライメント センサーの信号が極めて弱くなり、その結果アライメント エラーが生じる。即ち、フォトマスク アライメントが不可能になる。これらの全てがその後のデバイスの製造に多大の影響を及ぼす。
WCMP工程が製造方法に含まれているが、より良いアライメント パターンを形成する方法を提供することが本発明の目的である。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の前記及び他の目的に従って、発明により提供されるより質の良いアライメント パターンを形成する方法は幾つかのステップを含んでいる。
まず半導体基板の上にポリシリコン層を形成して、次にポリシリコン層中央部の殆どを取り除いて基板を露出し、そこにアライメントマークが形成される。次に酸化層が基板上に形成され、開口部を形成するためにパターン化され基板を露出させる。これが元のアライメントマーク パターンである。W層が基板上に堆積され、WCMPにより平坦化され、酸化層を露出させる。WCMP工程の後に残るメタル配線層はWプラグとして開口部を充填する。
中央領域のポリシリコン層は取り除かれるので、この領域に形成される開口部は従来のものより深く、従ってメタル配線層はそれぞれ従来のステップ高より高いステップ高をもつマーク開口部を含む。これはフォトマスク アライメントにとって大変役に立つ。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明は以下の添付図面を参照しながら好ましい実施の形態の詳細な説明を読むと完全に理解できる。
図3(A)〜(F)は、本発明の好ましい実施の形態に従って、WCMP工程を含むアライメントマーク パターンの製造フローを図示している。
【0015】
図3(A)では、半導体基板300はアライメントマーク領域とデバイス素子領域(図示せず)とを含む。製造工程としては基板300の上に種々の物質の層を形成する必要があるので、種々の物質の層がアライメントマーク領域に形成される。図3(A)では、デバイス素子領域の幾つかの製造工程の後に、約3,000Åの厚さを持つポリシリコン層302が基板300上に形成される。図3(B)では、ポリシリコン層302の中央領域はアライメントマーク領域から取り除かれていて、基板300は露出され、アライメントの微細構成が増加する。
【0016】
ポリシリコン層302はラインの様なポリシリコン層302aになる。次にデバイス素子領域の絶縁層として供される酸化層306がポリシリコン層302aの上に約17,000Åの厚さで形成される。
酸化層306は CMP工程によって平坦化されて、ラインの様なポリシリコン層302aの表面から酸化層306の表面までの約10,000Åの厚さになる。従って、基板300の上の酸化層の厚さは約13,000Åである。
【0017】
図3(D)では、開口部308がアライメント領域に形成される。それは図3(B)の領域に対応する。開口部308は基板を露出して、約13,000Åの厚さの深さになる。それは例えば図2(C)に示されている従来の開口部208より3,000Å深い。これは以下に見られる様に、より良いステップ高を作る上で非常に役に立つ。図3(D)と(E)では、W層(図示せず)が約5,000Åの厚さで基板300の上に化学的蒸着(CVD)により形成されて、開口部308を埋める。
【0018】
WCMP工程が平坦化のためにW層上で行われた後、酸化層306が露出され、残存W層であるWプラグ312が開口部308の内部に形成される。W層は主にデバイス素子領域にWプラグ(図示せず)を形成するために使用され、その結果Wプラグ312も形成される。図3(E)では、約5,000Åの厚さの、デバイス素子領域で相互接続メタルラインとし使用されるメタル配線層314がスパッタリング工程によって基板300上に形成される。メタル配線層314とWプラグ312は電気的に結合される。開口部308の深さがより深いので、メタル配線層314は開口部308の上にあり、十分なステップ高を持つマーク開口部を含む。結論として、アライメント パターンを形成する発明は以下の特長を持つ。
【0019】
開口部308の深さは増加するので、アライメントマーク パターンのステップ高はWCMP工程が行われた後でも十分増加する。種々の目的の幾つかの層がアライメントマーク パターンの上に形成された後に、パターン プロファイルは十分良好に維持される。アライメント センサーがフォトマスク用に強力な、正しい信号を発生するので問題はない。
製造歩留まりは維持される。本発明の実験的な結果によれば、3つの標準公差で予測される最大エラーは60ミクロンである。これは60ミクロンのアライメントを越える確率はたった2.7%である事を意味する。
【0020】
本発明は好ましい実施の形態を使用して説明された。しかしながら、発明の範囲は開示される実施の形態に限定されない事は理解されるべきである。種々の変更や同種の仕組みもカバーするように意図されている。特許請求の範囲はすべての変更や同種の仕組みをカバーするように広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ASML社のプロポーザルに従って、ゼロ層の上に形成されるアライメントマークパターンの従来の製造フローを示す断面図。
【図2】 ASML社とニコン社のプロポーザルに従って、非ゼロ層の上に形成されるアライメントマーク パターンの別の従来の製造フローを示す断面図。
【図3】本発明の実施の形態に従った、タングステンの化学的機械的研磨工程を含むアライメントマーク パターンの製造フローを示す断面図。
【符号の説明】
300 基板
302 ポリシリコン層
306 酸化層
308 開口部
312 Wプラグ
314 メタル配線層
Claims (6)
- タングステン化学的機械的研磨(WCMP)工程を含むアライメントマーク パターンを形成する方法において、
半導体基板にポリシリコン層を形成する工程と、
前記ポリシリコン層の一部を除去し、露出した基板領域がアライメントマーク領域になるよう前記基板を露出させる工程と、
前記基板上に酸化層を形成する工程と、
露出した基板領域に開口部を形成するために前記酸化層をパターン化して前記基板を露出させる工程と、
前記開口部の内部にタングステン(W)プラグを形成する工程と、
前記基板上にメタル配線層を形成する工程と、
を具備し、
前記Wプラグを形成する工程がさらに
前記開口部を十分に充填するよう前記基板上にW層を形成する工程と、
前記基板を平坦化するために、前記酸化層が露出し、前記開口部内の残存W層が前記Wプラグとなるよう WCMP 工程を実施する工程とを含む
ことを特徴とするアライメントマークを形成する方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記ポリシリコン層は約3,000Åの厚さであることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記酸化層はアライメントマーク領域で約13,000Åの厚さであり、残存ポリシリコン層の上で約10,000Åの厚さであることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記酸化層に形成される前記開口部の深さは約13,000Åの厚さであることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記W層は前記開口部を十分に埋められる程度の約5,000Åの厚さで化学蒸着被着(CVD)により形成されることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記メタル配線層は約5,000Åの厚さになるようにスパッタリング工程によって形成されることを特徴とする方法。
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US6271596B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-08-07 | Agere Systems Guardian Corp. | Damascene capacitors for integrated circuits |
US6194287B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Shallow trench isolation (STI) method with reproducible alignment registration |
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US6258611B1 (en) * | 1999-10-21 | 2001-07-10 | Vlsi Technology, Inc. | Method for determining translation portion of misalignment error in a stepper |
US6281114B1 (en) * | 2000-02-07 | 2001-08-28 | Infineon Technologies Ag | Planarization after metal chemical mechanical polishing in semiconductor wafer fabrication |
US6562691B2 (en) * | 2001-03-06 | 2003-05-13 | Macronix International Co., Ltd. | Method for forming protrusive alignment-mark |
JP2003168687A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Nec Electronics Corp | 目合わせパターンおよびその製造方法 |
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US5858854A (en) * | 1996-10-16 | 1999-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming high contrast alignment marks |
US5747369A (en) * | 1997-01-13 | 1998-05-05 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Formation of a capacitor using a sacrificial etch stop |
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