JP3693876B2 - 整流器及び整流装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、整流器及び整流装置に関し、特に、負荷以外が消費する電力による損失が少ない整流器及び整流装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
交流を整流して直流を得る場合において、整流素子による不要な電力消費を抑えたり、高電圧の整流を実現したりするために、トランジスタの電流路を断続して整流する技術が用いられている。トランジスタを用いて整流を行う場合は、トランジスタが、整流する対象の電圧の印加を検知して、トランジスタの電流路をオン及びオフしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、バイポーラトランジスタが電圧の印加を検知する場合、電圧が立ち上がりを開始してからダイオードの順方向電圧程度に達するまでの間はトランジスタは電圧を検知できず、電流路のオン及びオフのタイミングが不正確になる。
また、電界効果トランジスタが電圧の印加を検知する場合も、電圧が立ち上がりを開始してからスレッショルド電圧に達するまでの間は電圧を検知できない。
【０００４】
さらに、トランジスタの制御端（たとえば、バイポーラトランジスタのベースや、電界効果トランジスタのゲート）は、電流路の両端をなす端子（たとえば、バイポーラトランジスタのエミッタ及びコレクタや、電界効果トランジスタのソース及びドレイン）に比べて耐圧が低く、容易に破壊される。
【０００５】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、オン及びオフのタイミングが正確に決められる整流器及び整流装置や、耐圧が大きい整流器及び整流装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点に係る整流器は、
第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備える、
ことを特徴とする。
【０００７】
このような整流器によれば、第２の電流路のオン及びオフのタイミングは基準電圧と第２の電流路の端との電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【０００８】
前記第１の電流路制御手段は、たとえば、前記第１の電流路の一端と前記第１の制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御するものであってもよい。
この場合、前記分圧手段は、前記第２の電流路の前記他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間に接続された電位差検出用の負荷を備えており、
前記第１の電流路の前記一端及び前記第１の制御端は、前記電位差検出用の負荷の両端に一対一に接続されていればよい。
【０００９】
前記整流器は、前記第１の電流路に直列に接続された電流検出用の負荷を備えていてもよい。
この場合、前記第２の電流路制御手段は第２の制御端を備え、前記第２の電流路のいずれかの端と前記第２の制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御するものであればよく、前記第２の電流路のいずれかの端及び前記第２の制御端は、前記電流検出用の負荷の両端に一対一に接続されていればよい。
【００１０】
前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、たとえば、ベースから構成される前記制御端と、エミッタ及びコレクタを両端とする前記電流路とを備えるバイポーラトランジスタから構成されていてもよい。
前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、たとえば、ゲートから構成される前記制御端と、ソース及びドレインを両端とする前記電流路とを備える電界効果トランジスタから構成されていてもよい。
【００１１】
また、この発明の第２の観点にかかる整流器は、
電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する第１の分圧手段と、を備え、
前記第１の電流路の前記他端は前記第２の電流路の一端に接続されており、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備える、
ことを特徴とする。
【００１２】
このような整流器によれば、第２の電流路のオン及びオフのタイミングは電位差検出用の負荷の両端間の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００１３】
前記第２の電流路制御手段は、たとえば、
前記電流源と前記第２の電流路の他端との間に接続された参照用負荷と、
前記第１の制御端と、第２の制御端と、前記第２の電流路とを備え、前記第１の制御端に印加された電圧及び前記第２の制御端に印加された電圧の大小関係を判別して、判別結果に基づき、前記第２の電流路を断続制御する比較制御手段と、
前記参照用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第２の制御端に印加する第２の分圧手段と、を備えるものとすれば、電位差検出用の負荷の両端間の電位差が正確に検知される。
【００１４】
前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、たとえば、ベースから構成される前記制御端と、エミッタ及びコレクタを両端とする前記電流路とを備えるバイポーラトランジスタから構成されていてもよい。
前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、たとえば、ゲートから構成される前記制御端と、ソース及びドレインを両端とする前記電流路とを備える電界効果トランジスタから構成されていてもよい。
【００１５】
前記電流源は、外部より供給される電流により充電されるキャパシタから構成されているものとすれば、別途電池等の電源を用意することなく、この整流器が駆動される。
【００１６】
また、この発明の第３の観点にかかる整流器は、
第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
外部より供給される電流により充電されるキャパシタより構成され、前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
前記第１の電流路の前記一端は前記第４の電流路の一端に接続されており、
前記第２の電流路の前記一端は前記第４の電流路の他端に接続されており、
前記第１及び第２の電流路制御素子は、前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路を実質的に導通させるように、前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
前記第３及び第４の電流路制御素子は、前記第２の電流路に電流が流れたとき、前記第４の電流路を実質的に導通させるように、前記第３及び第４の電流路を断続制御する、
ことを特徴とする。
【００１７】
このような整流器によれば、第４の電流路のオン及びオフのタイミングは第４の電流路の両端の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、外部から供給される電圧による制御端の破壊という事態が生じない。
【００１８】
前記第２の電流路制御素子は、第２の制御端の電位を、前記第２の電流路の両端の一方の電位以上且つ他方の電位以下に保つものであってもよい。
この場合、前記整流器は、前記第２の電流路の両端間の電圧を、前記第２の電流路の各端と前記第２の制御端との間の耐圧以下に規制する手段を備えるものとすれば、第２の電流路制御素子の破壊が防止される。
また、前記整流器は、前記キャパシタの両端間の電圧を、前記第２の電流路の各端と前記第２の制御端との間の耐圧以下に規制する手段を備えるものであっても、第２の電流路制御素子の破壊が防止される。
【００１９】
また、この発明の第４の観点にかかる整流装置は、
互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
各前記整流器の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
各前記整流器の電流源は、自己を含まない整流器の前記第２の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を、自己を含む整流器の前記第１の電流路に供給する手段を備え、
各前記整流器の前記第２の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第２の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする。
【００２０】
このような整流装置によれば、各整流器の第２の電流路のオン及びオフのタイミングは基準電圧と第２の電流路の端との電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００２１】
また、この発明の第５の観点にかかる整流装置は、
互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記制御端に印加する分圧手段と、を備え、
各前記整流器の第１の電流路の前記他端は当該整流器の第２の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、当該整流器の第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき当該第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
各前記整流器の分圧手段は、当該整流器の第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、当該第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
各前記整流器の電流源は、自己を含まない整流器の前記第２の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を供給する手段を備え、
各前記整流器の前記第２の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第２の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする。
【００２２】
このような整流装置によれば、各整流器の第２の電流路のオン及びオフのタイミングは電位差検出用の負荷の両端間の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００２３】
また、この発明の第６の観点にかかる整流装置は、
互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
各前記整流器の前記第１の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の前記第２の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の他端に接続されており、
各前記整流器の前記第１及び第２の電流路制御素子は、当該整流器の前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき当該整流器の前記第１の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
各前記整流器の基準電位源は、自己を含まない整流器の前記第４の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を、自己を含む整流器の前記第１乃至第３の電流路に供給する手段を備え、各前記整流器の前記第３及び第４の電流路制御素子は、当該整流器の第２の電流路に電流が流れたとき、当該整流器の第４の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の第３及び第４の電流路を断続制御し、
各前記整流器の前記第４の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第４の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする整流装置。
【００２４】
このような整流装置によれば、各整流器の第４の電流路のオン及びオフのタイミングは第４の電流路の両端の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、外部から供給される電圧による制御端の破壊という事態が生じない。
【００２５】
また、この発明の第７の観点にかかる整流装置は、
外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１及び第２の整流器の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１の電流路に供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、
前記第２の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする。
【００２６】
このような整流装置によれば、各整流器の第２の電流路のオン及びオフのタイミングは基準電圧と第２の電流路の端との電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００２７】
また、この発明の第８の観点にかかる整流装置は、
外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
各前記整流器の第１の電流路の前記他端は当該整流器の第２の電流路の一端に接続されており、
前記第１及び第２の整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、当該整流器の第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき当該第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１及び第２の整流器の分圧手段は、当該整流器の第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、当該第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１の電流路へと供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、
前記第２の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする。
【００２８】
このような整流装置によれば、各整流器の第２の電流路のオン及びオフのタイミングは電位差検出用の負荷の両端間の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００２９】
また、この発明の第９の観点にかかる整流装置は、
外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
各前記整流器の前記第１の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の前記第２の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の他端に接続されており、
各前記整流器の前記第１及び第２の電流路制御素子は、当該整流器の前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき当該整流器の前記第２の電流路を実質的に導通させるように、前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
各前記整流器の前記第３及び第４の電流路制御素子は、当該整流器の前記第２の電流路に電流が流れたとき、当該整流器の前記第４の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の前記第３及び第４の電流路を断続制御し、
各前記整流器の第４の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第４の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流し、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１乃至第３の電流路に供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第４の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、
前記第２の整流器の第４の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする。
【００３０】
このような整流装置によれば、各整流器の第４の電流路のオン及びオフのタイミングは第４の電流路の両端の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、外部から供給される電圧による制御端の破壊という事態が生じない。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、この発明の第１の実施の形態に係る整流器ＲＥＣＴ１の構成を示す回路図である。図示するように、整流器ＲＥＣＴ１は、トランジスタＱ１〜Ｑ７と、ダイオードＤ１と、抵抗器Ｒ１〜Ｒ１１と、コンデンサＣ１とより構成されている。
【００３２】
トランジスタＱ３及びＱ４は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成されており、トランジスタＱ１、Ｑ５及びＱ６は、いずれもＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成されている。トランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６は、それぞれ、ベース、エミッタ及びコレクタを備える。
トランジスタＱ２は、ｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor）より構成され、トランジスタＱ７は、ｎチャネルＪＦＥＴ（接合型ＦＥＴ：Junction Field Effect Transistor）より構成されている。トランジスタＱ２及びＱ７は、それぞれ、ゲート、ソース及びドレインを備える。
【００３３】
トランジスタＱ１のベースはトランジスタＱ３のコレクタに接続されており、トランジスタＱ１のエミッタはトランジスタＱ７のドレインに接続されており、トランジスタＱ１のコレクタは、トランジスタＱ２のゲートに接続されている。
【００３４】
トランジスタＱ２のゲートは、上述の通りトランジスタＱ１のコレクタに接続されており、トランジスタＱ２のソースは、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されており、トランジスタＱ２のドレインは、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている。
【００３５】
トランジスタＱ３のベースは、トランジスタＱ５のコレクタに接続されており、トランジスタＱ３のエミッタは、抵抗器Ｒ４を介してトランジスタＱ２のソースに接続されており、トランジスタＱ３のコレクタは、上述の通りトランジスタＱ１のベースに接続されている。
【００３６】
トランジスタＱ４のベースは、抵抗器Ｒ１０を介してトランジスタＱ７のゲートに接続されており、トランジスタＱ４のエミッタは、抵抗器Ｒ６を介してトランジスタＱ５のベースに接続されており、トランジスタＱ４のコレクタは、トランジスタＱ２のドレインに接続されている。
【００３７】
トランジスタＱ５のベースは、上述の通り抵抗器Ｒ６を介してトランジスタＱ４のコレクタに接続されており、トランジスタＱ５のエミッタは、トランジスタＱ６のエミッタ及びトランジスタＱ７のゲートに接続されており、トランジスタＱ５のコレクタは、上述の通りトランジスタＱ３のベースに接続されている。
【００３８】
トランジスタＱ６のベースは、抵抗器Ｒ８を介してトランジスタＱ６自身のエミッタに接続されており、トランジスタＱ６のエミッタは、上述の通りトランジスタＱ５のエミッタに接続されており、トランジスタＱ６のコレクタは、トランジスタＱ２のソースに接続されている。
【００３９】
トランジスタＱ７のゲートは、上述の通り抵抗器Ｒ１０を介してトランジスタＱ４のベースに接続されており、トランジスタＱ７のソースは、抵抗器Ｒ１１を介してトランジスタＱ７自身のゲートに接続されており、トランジスタＱ７のドレインは、上述の通りトランジスタＱ１のエミッタに接続されている。
【００４０】
ダイオードＤ１はアノード及びカソードを備え、抵抗器Ｒ１とカスケードに接続されて直列回路を構成している。ダイオードＤ１と抵抗器Ｒ１とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ１のアノードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ１のカソードに近い方の端は、トランジスタＱ１のエミッタに接続されている。
【００４１】
抵抗器Ｒ２は、トランジスタＱ２のゲート−ソース間にバイアス電圧を供給するためのもので、トランジスタＱ２のゲート及びソースの間に接続されている。抵抗器Ｒ３は、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間にバイアス電圧を供給するためのもので、トランジスタＱ１のベース及びエミッタの間に接続されている。抵抗器Ｒ４は、トランジスタＱ３のコレクタ−エミッタ間に流れる電流を制限するためのもので、上述の通り、トランジスタＱ２のソースとトランジスタＱ３のエミッタとの間に接続されている。抵抗器Ｒ５は、トランジスタＱ３のベース−エミッタ間にバイアス電圧を供給するためのもので、トランジスタＱ５のコレクタとトランジスタＱ２のソースとの間に接続されている。
【００４２】
抵抗器Ｒ６は、上述の通り、トランジスタＱ４のエミッタ及びトランジスタＱ５のベースの間に接続されている。抵抗器Ｒ７は、トランジスタＱ６のベース及びコレクタの間に接続されている。抵抗器Ｒ８は、上述の通り、トランジスタＱ６のベース及びエミッタの間に接続されている。抵抗器Ｒ９は、トランジスタＱ５のベース及びエミッタの間に接続されている。抵抗器Ｒ１０は、上述の通り、トランジスタＱ４のベース及びトランジスタＱ７のゲートの間に接続されている。抵抗器Ｒ１１は、上述の通り、トランジスタＱ７のゲート及びソースの間に接続されている。
【００４３】
なお、抵抗器Ｒ６〜Ｒ１１の抵抗値は、整流器ＲＥＣＴ１のアノードが整流器ＲＥＣＴ１のカソードより高電位であるとき、トランジスタＱ５のベースがトランジスタＱ６のベースより低電位となり、整流器ＲＥＣＴ１のアノードが整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位であるとき、トランジスタＱ５のベースがトランジスタＱ６のベースより高電位となるような値に選ばれている。
【００４４】
コンデンサＣ１は、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ２のソースとの間に接続されている。
【００４５】
図２に示すように、図１の構成の整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ１のカソードとを互いに接続し、単相交流を供給する外部の交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続し、他方の極を、外部の負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続したとする。
この場合において、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソード及び充電用端子より低電位になる。
【００４６】
すると、交流電源ＡＣＶから、負荷Ｚ、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子、ダイオードＤ１、コンデンサＣ１及び整流器ＲＥＣＴ１のアノードを経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００４７】
一方、整流器ＲＥＣＴ１の内部では、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子及び／又はコンデンサＣ１から、トランジスタＱ７のドレイン−ソース間、抵抗器Ｒ１１、Ｒ８及びＲ７を経てコンデンサＣ１及び／又は整流器ＲＥＣＴ１のアノードへと至る電流が流れる。また、トランジスタＱ６のエミッタ−ベース間にも電流が流れる。
【００４８】
この結果、抵抗器Ｒ８の両端間には、ダイオードの順方向電圧（以下、この順方向電圧の値をＶｆとする。ただし、Ｖｆ＞０であるとする。）にあたる大きさの電圧降下が発生する。このため、抵抗器Ｒ７及びＲ８の抵抗値をｒ７及びｒ８とすれば、整流器ＲＥＣＴ１のアノードの電位を基準とした場合のトランジスタＱ６のエミッタの電圧の値は、｛Ｖｆ・（ｒ７＋ｒ８）／ｒ８｝にほぼ等しくなる。
【００４９】
トランジスタＱ６のエミッタの電圧は、抵抗器Ｒ１０を介して、トランジスタＱ４のベースに印加される。そして、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ１のアノードに対し正極性で、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧がＶｆに至らない値であれば、トランジスタＱ４のエミッタをコレクタとして、トランジスタＱ４のコレクタをエミッタとしてみた場合、トランジスタＱ４はオンする条件を満たさず、従ってオフする。
【００５０】
トランジスタＱ４がオフすると、トランジスタＱ５のベースにベース電流を供給する経路は実質的に断たれる。このため、トランジスタＱ５もオフする。
トランジスタＱ５がオフしたとき、抵抗器Ｒ５には実質的に電流が流れないので、抵抗器Ｒ５の両端間には実質的に電圧降下が発生しない。従って、トランジスタＱ６のベース−エミッタ間の電圧はほぼ０ボルトとなり、従ってトランジスタＱ３もオフする。
【００５１】
トランジスタＱ３がオフすると、抵抗器Ｒ３には実質的に電流が流れず、抵抗器Ｒ３の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間の電圧もほぼ０ボルトとなり、トランジスタＱ１もオフする。
トランジスタＱ１がオフすると、抵抗器Ｒ２には実質的に電流が流れず、抵抗器Ｒ２の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ２のゲート−ソース間の電圧もほぼ０ボルトとなり、トランジスタＱ２もオフする。
従って、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【００５２】
一方、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて高電位になると、整流器ＲＥＣＴ１のカソード及び充電用端子が、整流器ＲＥＣＴ１のアノードより低電位となる。
【００５３】
すると、ダイオードＤ１は逆バイアスされるので、交流電源ＡＣＶからコンデンサＣ１へと流れる電流の経路は実質的に遮断され、コンデンサＣ１の充電は行われなくなる。
【００５４】
一方、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ１のアノードに対し負極性になり、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧がＶｆを超えると、トランジスタＱ４はオンする。
このため、トランジスタＱ４のコレクタ−エミッタ間の電圧はほぼ０ボルトとなる。そして、コンデンサＣ１から、トランジスタＱ７のドレイン−ソース間、抵抗器Ｒ１１、Ｒ９及びＲ６、トランジスタＱ４のエミッタ−コレクタ間を経て整流器ＲＥＣＴ１のカソードへと至る電流が流れ、抵抗器Ｒ９及びＲ６のそれぞれの両端間には電圧降下が発生する。
【００５５】
そして、抵抗器Ｒ９及びＲ６に電圧降下が生じる結果、抵抗器Ｒ９及びＲ６の接続点に接続されているトランジスタＱ５のベースが、トランジスタＱ６のベースより低電位になると、トランジスタＱ５はオンする。
【００５６】
トランジスタＱ５がオンすると、コンデンサＣ１から、トランジスタＱ７のドレイン−ソース間、抵抗器Ｒ１１、トランジスタＱ５のエミッタ−コレクタ間及び抵抗器Ｒ５を経てコンデンサＣ１に戻る電流が流れ、抵抗器Ｒ５の両端間には、トランジスタＱ３をオンさせる向きの電圧降下が発生する。従って、トランジスタＱ３はオンする。
【００５７】
トランジスタＱ３がオンすると、コンデンサＣ１から、抵抗器Ｒ３、トランジスタＱ３のコレクタ−エミッタ間及び抵抗器Ｒ４を経てコンデンサＣ１に戻る電流が流れ、抵抗器Ｒ３の両端間には、トランジスタＱ１をオンさせる向きの電圧降下が発生する。従って、トランジスタＱ１はオンする。
【００５８】
トランジスタＱ１がオンすると、コンデンサＣ１から、トランジスタＱ１のエミッタ−コレクタ間及び抵抗器Ｒ２を経てコンデンサＣ１に戻る電流が流れ、抵抗器Ｒ２の両端間には、トランジスタＱ２をオンさせる向きの電圧降下が発生する。従って、トランジスタＱ２はオンする。
従って、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間が導通する。
【００５９】
以上説明した動作により、図１の構成の整流器ＲＥＣＴ１は整流を行う。整流器ＲＥＣＴ１がオフしているとき（すなわち、トランジスタＱ２がオフしているとき）、トランジスタＱ１及びＱ３もオフするので、トランジスタＱ１〜Ｑ３及び抵抗器Ｒ２〜Ｒ４は電力を消費しない。
また、整流器ＲＥＣＴ１がオフしているとき、トランジスタＱ４もオフするため、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに印加される電圧がトランジスタＱ５のベースの耐圧を超える大きさであっても、トランジスタＱ５は破壊の危険から保護される。
また、トランジスタＱ２がオンすれば、トランジスタＱ２のドレイン−ソース間のインピーダンスは十分小さくなって、両者間の電圧降下は十分低くなる。このため、トランジスタＱ２は、整流の対象である電力を実質的に消費しない。
【００６０】
なお、整流器ＲＥＣＴ１の構成は、上述のものに限られない。
例えば、トランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６の各々については、そのコレクタが接続されるべき個所にエミッタが接続され、エミッタが接続されるべき個所にコレクタが接続されていてもよい。
また、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１に代えて、コンデンサＣ１からトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタへと向かう向きに電流を流すための、任意の構成を有する定電流源が接続されていてもよい。
また、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１や定電流源に代えて、抵抗器が接続されていてもよい。
【００６１】
また、図１の構成の整流器ＲＥＣＴ１は、図３に示すように、電池Ｂを備えていてもよい。この場合、図示するように、電池Ｂの正極はトランジスタＱ１のエミッタ及びトランジスタＱ７のドレインに接続され、電池Ｂの負極はトランジスタＱ６のコレクタに接続される。
なお、図３に示すように、図１の整流器ＲＥＣＴ１が電池Ｂを備える場合は、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１、抵抗器Ｒ１及び充電用端子は不要である。
【００６２】
また、図４に示すように、整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ３及びＱ４がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ１、Ｑ５及びＱ６がいずれもＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ２がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。また、図４に示すように、トランジスタＱ７がｐチャネルＪＦＥＴより構成されていてもよい。
【００６３】
ただし、整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ３及びＱ４がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ１、Ｑ５及びＱ６がＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ２がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されている場合、図４に示すように、トランジスタＱ２のソースは整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されており、トランジスタＱ２のドレインは整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されるものとする。また、ダイオードＤ１と抵抗器Ｒ１とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ１のカソードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ１のアノードに近い方の端は、トランジスタＱ１のエミッタに接続されるものとする。
【００６４】
そして、図４に示す構成を有している整流器ＲＥＣＴ１と、図２に示すものと実質的に同一の交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚとを、図５に示すように接続したとする。すなわち、図４に示す整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ１のアノードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続したとする。
【００６５】
図４の整流器ＲＥＣＴ１と、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚとを、図５に示すように接続した場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位になると、交流電源ＡＣＶから、整流器ＲＥＣＴ１のカソード、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１及び負荷Ｚを経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００６６】
一方、整流器ＲＥＣＴ１の内部では、コンデンサＣ１及び／又は整流器ＲＥＣＴ１のカソードから、抵抗器Ｒ７、Ｒ８及びＲ１１、トランジスタＱ７のソース−ドレイン間を経て、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子及び／又はコンデンサＣ１へと至る電流が流れる。また、トランジスタＱ６のエミッタ−ベース間にも電流が流れる。この結果、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電位を基準とした場合のトランジスタＱ６のエミッタの電圧の値は、｛−Ｖｆ・（ｒ７＋ｒ８）／ｒ８｝にほぼ等しくなる。
【００６７】
トランジスタＱ６のエミッタの電圧はトランジスタＱ４のベースに印加され、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ１のアノードに対し正極性で、整流器ＲＥＣＴ１のアノードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧が（−Ｖｆ）を超える値であれば、トランジスタＱ４はオフする。
そして、トランジスタＱ４がオフすると、トランジスタＱ５、Ｑ３、Ｑ１及びＱ２もオフする。従って、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【００６８】
一方、整流器ＲＥＣＴ１のカソードが、整流器ＲＥＣＴ１のアノード及び充電用端子より低電位となると、ダイオードＤ１は逆バイアスされ、コンデンサＣ１の充電は行われなくなる。
【００６９】
一方、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ１のアノードに対し負極性になり、整流器ＲＥＣＴ１のアノードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧が（−Ｖｆ）を下回ると、トランジスタＱ４はオンする。
そして、トランジスタＱ４がオンして抵抗器Ｒ９及びＲ６に電圧降下が生じ、トランジスタＱ５のベースがトランジスタＱ６のベースより高電位になると、トランジスタＱ５はオンする。すると、トランジスタＱ３、Ｑ１及びＱ２もオンし、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間が導通する。
【００７０】
以上説明した動作により、図４の構成の整流器ＲＥＣＴ１も整流を行い、整流器ＲＥＣＴ１がオフしているとき、トランジスタＱ１〜Ｑ３及び抵抗器Ｒ２〜Ｒ４は電力を消費しない。また、整流器ＲＥＣＴ１がオフしているとき、トランジスタＱ４もオフし、トランジスタＱ５は破壊の危険から保護される。また、トランジスタＱ２は、オンしているとき整流の対象である電力を実質的に消費しない。
なお、図４の構成において、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１に代えて、トランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタからコンデンサＣ１へと向かう向きに電流を流すための、任意の構成を有する定電流源が接続されていてもよい。
また、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１や定電流源に代えて、抵抗器が接続されていてもよい。
【００７１】
また、図４の構成の整流器ＲＥＣＴ１は、図６に示すように、電池Ｂを備えていてもよい。この場合、図示するように、電池Ｂの負極はトランジスタＱ１のエミッタ及びトランジスタＱ７のドレインに接続され、電池Ｂの正極は、トランジスタＱ６のコレクタに接続される。
なお、図６に示すように、図４の整流器ＲＥＣＴ１が電池Ｂを備える場合も、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１、抵抗器Ｒ１及び充電用端子は不要である。
【００７２】
また、整流器ＲＥＣＴ１は、整流する対象の電流の大きさがトランジスタＱ３のコレクタ−エミッタ間に流しうる電流の最大値以下であれば、図７や図８に示す構成を有していてもよい。
【００７３】
図７の構成は、図示するように、（ａ１）トランジスタＱ１及びＱ２と抵抗器Ｒ２〜Ｒ４とを備えず、（ａ２）トランジスタＱ３のエミッタが整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されており、トランジスタＱ３のコレクタが整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている、という各点を除いて、図１の構成と実質的に同一である。
図８の構成は、図示するように、（ｂ１）トランジスタＱ１及びＱ２と抵抗器Ｒ２〜Ｒ４とを備えず、（ｂ２）トランジスタＱ３のエミッタが整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されており、トランジスタＱ３のコレクタが整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている、という各点を除いて、図４の構成と実質的に同一である。
【００７４】
図７及び図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１においては、整流器ＲＥＣＴ１のアノードが整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位になってトランジスタＱ５がオフすれば、抵抗器Ｒ５の両端間に電圧降下が実質的に発生しなくなってトランジスタＱ３がオフすることにより、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間は実質的に遮断される。また、整流器ＲＥＣＴ１のアノードが整流器ＲＥＣＴ１のカソードより高電位になってトランジスタＱ５がオンすれば、抵抗器Ｒ５の両端間に電圧降下が発生してトランジスタＱ３がオンすることにより、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間が導通する。
【００７５】
また、図１、図４、図７及び図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６のうち、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成されるものはｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。また、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成されるものは、ｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。
ただし、差動増幅回路を構成するトランジスタＱ５及びＱ６は、いずれもバイポーラトランジスタから構成されているか、又はいずれもエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴから構成されていることが望ましい。
また、図１の構成の整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ２はＮＰＮ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよく、また、図４の構成の整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ２はＰＮＰ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよい。
【００７６】
バイポーラトランジスタに代えてエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴを用いる場合、バイポーラトランジスタのベースが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるようにするものとする。また、バイポーラトランジスタのエミッタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるようにする。また、バイポーラトランジスタのコレクタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるようにするものとする。
一方、ＭＯＳＦＥＴに代えてバイポーラトランジスタを用いる場合、ＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのベースが接続されるようにするものとする。また、ＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのエミッタが接続されるようにする。また、ＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのコレクタが接続されるようにするものとする。
【００７７】
なお、図１又は図７の構成の整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを互いに接続する場合、図９に示すように、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続し、他方の極を整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に接続し、更に、交流電源ＡＣＶの当該他方の極を、外部の負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続してもよい。
【００７８】
整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図９に示すように接続した場合も、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソード及び充電用端子より低電位になる。
そして、交流電源ＡＣＶの両極のうち負荷Ｚに接続されている方の極から、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子、ダイオードＤ１、抵抗器Ｒ１、コンデンサＣ１及び整流器ＲＥＣＴ１のアノードを経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００７９】
また、図１又は図７の構成の整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを互いに接続する場合、図１０に示すように、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続し、他方の極を整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に接続し、更に、交流電源ＡＣＶの当該他方の極を、外部の負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続してもよい。
【００８０】
整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図１０に示すように接続された場合は、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている方の極が、他方の極に比べて高電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位になる。
一方、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になった場合、交流電源ＡＣＶの両極のうち負荷Ｚに接続されている方の極から、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子、ダイオードＤ１、コンデンサＣ１、トランジスタＱ２が備える寄生ダイオード及び整流器ＲＥＣＴ１のカソードを経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００８１】
もっとも、整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図１０に示すように接続された場合、コンデンサＣ１の充電は、整流器ＲＥＣＴ１がオンすべき期間（つまり、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている方の極が他方の極に比べて低電位である期間）に行われる。
そして、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に流れる電流は、トランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６のうちオンしているもののコレクタ−エミッタ間と、トランジスタＱ７のドレイン−ゲート間にも流れる。また、トランジスタＱ１のコレクタ−エミッタ間に電流を流す経路が断たれている状態では、抵抗器Ｒ２には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ２がオンすることはない。
従って、整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図１０に示すように接続された場合、図１及び図７の構成の整流器ＲＥＣＴ１は、必ずしもコンデンサＣ１を備える必要がない。
【００８２】
また、図４又は図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを互いに接続する場合も、図１０に示すように接続してよい。
整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図１０に示すように接続した場合も、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている方の極が、他方の極に比べて高電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位になる。そして、交流電源ＡＣＶから、整流器ＲＥＣＴ１のカソード、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１を経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００８３】
また、図４又は図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを互いに接続する場合は、図９に示すように接続してもよい。
整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図９に示すように接続された場合は、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソード及び充電用端子より低電位になる。
一方、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて高電位になった場合、交流電源ＡＣＶから、整流器ＲＥＣＴ１のアノード、トランジスタＱ２の寄生ダイオード、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１及び整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子を経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００８４】
もっとも、整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図９に示すように接続された場合も、コンデンサＣ１の充電は、整流器ＲＥＣＴ１がオンすべき期間に行われる。また、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に流れる電流は、トランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６のうちオンしているもののコレクタ−エミッタ間と、トランジスタＱ７のドレイン−ゲート間とにも流れる。また、トランジスタＱ１のコレクタ−エミッタ間に電流を流す経路が断たれた状態では、トランジスタＱ２はオンしない。従って、整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図９に示すように接続された場合、図４及び図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１は、必ずしもコンデンサＣ１を備える必要がない。
【００８５】
（第２の実施の形態）
図１１は、この発明の第２の実施の形態に係る整流器ＲＥＣＴ２の構成を示す回路図である。図示するように、整流器ＲＥＣＴ２の構成は、
（ｃ１）トランジスタＱ３及び抵抗器Ｒ４を備えておらず、
（ｃ２）トランジスタＱ５及びＱ６がいずれもＮＰＮ型バイポーラトランジスタより構成されており、
（ｃ３）トランジスタＱ５のベースは、抵抗器Ｒ６を介してトランジスタＱ４のコレクタに接続されており、トランジスタＱ５のエミッタは、トランジスタＱ６のエミッタに接続されており、トランジスタＱ５のコレクタは、トランジスタＱ６のコレクタ及びトランジスタＱ７のゲートに接続されており、
（ｃ４）トランジスタＱ６のベースは、抵抗器Ｒ８を介してトランジスタＱ６自身のコレクタに接続されており、トランジスタＱ６のエミッタは、トランジスタＱ５のエミッタに接続されており、トランジスタＱ６のコレクタは、トランジスタＱ１のベースに接続されており、
（ｃ５）抵抗器Ｒ５は、トランジスタＱ５のエミッタとトランジスタＱ２のソースとの間に接続されており、
（ｃ６）抵抗器Ｒ７は、トランジスタＱ６のベース及びトランジスタＱ２のソースの間に接続されており、
（ｃ７）抵抗器Ｒ８は、トランジスタＱ６のベース及びトランジスタＱ５のコレクタの間に接続されており、
（ｃ８）抵抗器Ｒ９は、トランジスタＱ５のベース及びコレクタの間に接続されている、
という各点を除いて、図１の構成と実質的に同一である。
【００８６】
図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２を、図２に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚに接続したとする。すなわち、図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ２のカソードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ２のアノードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ２のカソードに接続したとする。
この場合において、整流器ＲＥＣＴ２のアノードが整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子より低電位になると、コンデンサＣ１が充電される。
【００８７】
一方、整流器ＲＥＣＴ２の内部では、整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子及び／又はコンデンサＣ１から、トランジスタＱ７のドレイン−ソース間、抵抗器Ｒ１１、Ｒ８及びＲ７を経てコンデンサＣ１及び／又は整流器ＲＥＣＴ２のアノードへと至る電流が流れる。また、トランジスタＱ６のベース−エミッタ間及び抵抗器Ｒ５にも電流が流れる。
【００８８】
トランジスタＱ５のコレクタの電圧は、抵抗器Ｒ１０を介してトランジスタＱ４のベースに印加される。そして、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ２のアノードに対し正極性で、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧がＶｆに至らない値であれば、トランジスタＱ４はオフする。
【００８９】
トランジスタＱ４がオフすると、抵抗器Ｒ６に実質的に電流が流れなくなるため、トランジスタＱ５のベースは、トランジスタＱ５自身のコレクタとほぼ同電位となり、トランジスタＱ５はオンする。すると、トランジスタＱ５と対をなして差動増幅回路を構成するトランジスタＱ６はオフする。
【００９０】
トランジスタＱ６がオフすると、抵抗器Ｒ３の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ１もオフする。トランジスタＱ１がオフすると、抵抗器Ｒ２の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ２もオフする。
従って、整流器ＲＥＣＴ２のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【００９１】
一方、整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子が、整流器ＲＥＣＴ２のアノードより低電位となると、ダイオードＤ１は逆バイアスされ、コンデンサＣ１の充電は行われなくなる。そして、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧がＶｆを超えると、トランジスタＱ４はオンする。すると、抵抗器Ｒ９及びＲ６に電圧降下が生じる結果、抵抗器Ｒ９及びＲ６の接続点に接続されているトランジスタＱ５のベースが、トランジスタＱ６のベースより低電位になって、トランジスタＱ５はオフし、トランジスタＱ６はオンする。
【００９２】
トランジスタＱ６がオンすると、コンデンサＣ１から、抵抗器Ｒ３、トランジスタＱ６のコレクタ及びエミッタ、抵抗器Ｒ５を経てコンデンサＣ１に戻る電流が流れる。このため、抵抗器Ｒ３の両端間には、トランジスタＱ１をオンさせる向きの電圧降下が発生し、トランジスタＱ１はオンする。トランジスタＱ１がオンすると、抵抗器Ｒ２の両端間にはトランジスタＱ２をオンさせる向きの電圧降下が発生し、トランジスタＱ２はオンする。
従って、整流器ＲＥＣＴ２のアノード−カソード間が導通する。
【００９３】
以上説明した動作により、図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２は整流を行う。整流器ＲＥＣＴ２がオフしているとき、トランジスタＱ１及びＱ２もオフするので、トランジスタＱ１、Ｑ２、抵抗器Ｒ２及びＲ３は電力を消費しない。また、整流器ＲＥＣＴ２がオフしているとき、トランジスタＱ４もオフするため、トランジスタＱ５は、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電圧による破壊の危険から保護される。また、トランジスタＱ２がオンすれば、トランジスタＱ２のドレイン−ソース間のインピーダンスは十分小さくなる。
【００９４】
なお、整流器ＲＥＣＴ２の構成も、上述のものに限られない。
例えば、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５のコレクタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１に代えて、コンデンサＣ１からトランジスタＱ５のコレクタへと向かう向きに電流を流すための、任意の構成を有する定電流源が接続されていてもよい。
また、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５のコレクタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１や定電流源に代えて、抵抗器が接続されていてもよい。
【００９５】
また図１２に示すように、整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ４〜Ｑ６がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ１がＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ２がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。また、図１２に示すように、トランジスタＱ７がｐチャネルＪＦＥＴより構成されていてもよい。
【００９６】
ただし、整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ４〜Ｑ６がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ１がＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ２がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されている場合、図１２に示すように、トランジスタＱ２のソースは整流器ＲＥＣＴ２のカソードに接続されており、トランジスタＱ２のドレインは整流器ＲＥＣＴ２のアノードに接続されるものとする。また、ダイオードＤ１と抵抗器Ｒ１とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ１のカソードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ１のアノードに近い方の端は、トランジスタＱ１のエミッタに接続されるものとする。
【００９７】
そして、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２を、図５に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚに接続したとする。すなわち、図１２の整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ２のアノードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ２のカソードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ２のアノードに接続したとする。
【００９８】
この場合において、整流器ＲＥＣＴ２のアノードが整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子より低電位になると、コンデンサＣ１が充電される。また、抵抗器Ｒ７及びＲ８やトランジスタＱ６のエミッタ−ベース間にも電流が流れる。そして、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ２のアノードに対し正極性で、整流器ＲＥＣＴ２のアノードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧が（−Ｖｆ）を超える値であれば、トランジスタＱ４はオフする。
トランジスタＱ４がオフすると、トランジスタＱ５がオンしてトランジスタＱ６はオフする。トランジスタＱ６がオフするとトランジスタＱ１及びＱ２もオフし、従って、整流器ＲＥＣＴ２のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【００９９】
一方、整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子が、整流器ＲＥＣＴ２のアノードより低電位となると、ダイオードＤ１は逆バイアスされ、コンデンサＣ１の充電は行われなくなる。そして、整流器ＲＥＣＴ２のアノードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧が（−Ｖｆ）を下回ると、トランジスタＱ４はオンする。すると、抵抗器Ｒ９及びＲ６に電圧降下が生じ、トランジスタＱ５はオフし、トランジスタＱ６はオンする。トランジスタＱ６がオンすると、トランジスタＱ１及びＱ２もオンし、整流器ＲＥＣＴ２のアノード−カソード間が導通する。
以上説明した動作により、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２も整流を行う。
【０１００】
また、図１１及び図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ１及びＱ４〜Ｑ６のうち、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成されるものはｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。また、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成されるものは、ｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。
ただし、差動増幅回路を構成するトランジスタＱ５及びＱ６は、いずれもバイポーラトランジスタから構成されているか、又はいずれもエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴから構成されていることが望ましい。
また、図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ２はＮＰＮ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよく、また、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ２はＰＮＰ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよい。
【０１０１】
バイポーラトランジスタに代えてエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴを用いる場合、バイポーラトランジスタのベースが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるようにするものとする。また、バイポーラトランジスタのエミッタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるようにする。また、バイポーラトランジスタのコレクタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるようにするものとする。
一方、ＭＯＳＦＥＴに代えてバイポーラトランジスタを用いる場合、ＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのベースが接続されるようにするものとする。また、ＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのエミッタが接続されるようにする。また、ＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのコレクタが接続されるようにするものとする。
【０１０２】
なお、図１１又は図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図９又は図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続してもよい。
【０１０３】
図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図９に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続し、又は、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続したとする。この場合は、交流電源ＡＣＶの両極のうち整流器ＲＥＣＴ２のカソードに接続されている方の極が他方の極に比べて高電位になったとき、又は、交流電源ＡＣＶの両極のうち整流器ＲＥＣＴ２のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になったとき、整流器ＲＥＣＴ２のアノードが整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子より低電位になり、また、コンデンサＣ１が充電される。
【０１０４】
一方、図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続し、又は、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図９に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続したとする。この場合、コンデンサＣ１の充電は、整流器ＲＥＣＴ２がオンすべき期間に行われる。そして、整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子に流れる電流は、トランジスタＱ１及びＱ４〜Ｑ６のうちオンしているもののコレクタ−エミッタ間と、トランジスタＱ７のドレイン−ゲート間とにも流れる。また、トランジスタＱ１のコレクタ−エミッタ間に電流を流す経路が断たれた状態ではトランジスタＱ２はオンしない。従って、この場合、図１１及び図１２の整流器ＲＥＣＴ２は、必ずしもコンデンサＣ１を備える必要がない。
【０１０５】
（第３の実施の形態）
図１３は、この発明の第３の実施の形態に係る整流器ＲＥＣＴ３の構成を示す回路図である。図示するように、整流器ＲＥＣＴ３は、トランジスタＱ８〜Ｑ１１と、ダイオードＤ２と、抵抗器Ｒ１２〜Ｒ１５と、コンデンサＣ２とより構成されている。
【０１０６】
トランジスタＱ９〜Ｑ１１は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成されており、それぞれ、ベース、エミッタ及びコレクタを備える。トランジスタＱ８は、ｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成され、ゲート、ソース及びドレインを備える。
【０１０７】
トランジスタＱ８のゲートは、トランジスタＱ９のエミッタに接続されており、トランジスタＱ８のソースは、整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続されており、トランジスタＱ８のドレインは、整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続されている。
【０１０８】
トランジスタＱ９のベースは、トランジスタＱ１１のエミッタに接続されており、トランジスタＱ９のエミッタは、上述の通りトランジスタＱ８のゲートに接続されており、トランジスタＱ９のコレクタは、コンデンサＣ２の両端のうちトランジスタＱ８に接続されていない方の端に接続されている。
【０１０９】
トランジスタＱ１０のベースは、トランジスタＱ１１のベースに接続されており、トランジスタＱ１０のエミッタは、トランジスタＱ１０自身のベースに接続されており、トランジスタＱ１０のコレクタは、トランジスタＱ８のドレインに接続されている。
【０１１０】
トランジスタＱ１１のベースは、上述の通りトランジスタＱ１０のベースに接続されており、トランジスタＱ１１のエミッタは、上述の通りトランジスタＱ９のベースに接続されており、トランジスタＱ１１のコレクタは、トランジスタＱ８のソースに接続されている。
【０１１１】
ダイオードＤ２はアノード及びカソードを備え、抵抗器Ｒ１２とカスケードに接続されて直列回路を構成している。ダイオードＤ２と抵抗器Ｒ１２とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ２のアノードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ２のカソードに近い方の端は、トランジスタＱ９のコレクタに接続されている。
【０１１２】
抵抗器Ｒ１３は、トランジスタＱ８のゲート−ソース間にバイアス電圧を供給するためのもので、トランジスタＱ８のゲート及びソースの間に接続されている。
抵抗器Ｒ１４は、トランジスタＱ１０にベース電流及びコレクタ電流を供給するためのもので、トランジスタＱ１０のエミッタとトランジスタＱ９のコレクタとの間に接続されている。
抵抗器Ｒ１５は、トランジスタＱ１１にコレクタ電流を供給するためのもので、トランジスタＱ１１のエミッタとトランジスタＱ９のコレクタとの間に接続されている。
【０１１３】
コンデンサＣ２は、トランジスタＱ８のソースとトランジスタＱ９のコレクタとの間に接続されている。
【０１１４】
図１３の構成の整流器ＲＥＣＴ３を、図２に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚに接続したとする。すなわち、図１３の構成の整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ３のカソードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続したとする。
この場合において、整流器ＲＥＣＴ３のアノードが整流器ＲＥＣＴ３のカソード及び充電用端子より低電位になると、コンデンサＣ２が充電される。
【０１１５】
一方、トランジスタＱ１０がオンした場合は、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子及び／又はコンデンサＣ２から、抵抗器Ｒ１４、トランジスタＱ１０のベース−コレクタ間を、整流器ＲＥＣＴ３のカソード、負荷、交流電源ＡＣＶを経てコンデンサＣ２及び／又は整流器ＲＥＣＴ３のアノードへと至る電流が流れる。
また、トランジスタＱ１１がオンした場合は、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子及び／又はコンデンサＣ２から、抵抗器Ｒ１４、トランジスタＱ１１のベース−コレクタ間を経てコンデンサＣ２及び／又は整流器ＲＥＣＴ３のアノードへと至る電流が流れる。
【０１１６】
ただし、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧と、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧とのうち高い方の電圧は実質的にＶｆに等しくなる。このため、トランジスタＱ１０及びＱ１１のうち、各自のコレクタを基準としたベースの電圧が高い方がオンすれば、他方は、そのコレクタを基準としたベースの電圧がＶｆに達せず、従ってオフする。
【０１１７】
そして、整流器ＲＥＣＴ３のアノードが整流器ＲＥＣＴ３のカソード及び充電用端子より低電位になった場合は、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧は、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧より高くなる。従って、トランジスタＱ１１がオンして、トランジスタＱ１０はオフする。
【０１１８】
トランジスタＱ１１がオンすると、トランジスタＱ９のベースは整流器ＲＥＣＴ３のアノードと実質的に同電位になり、一方、トランジスタＱ９のエミッタは抵抗器Ｒ１３を介して整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続されている。このため、トランジスタＱ９のベースは、トランジスタＱ９自身のエミッタとほぼ同電位（又はトランジスタＱ９自身のエミッタより低電位）となる。従って、トランジスタＱ９はオフする。トランジスタＱ９がオフすると、抵抗器Ｒ１３の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ８もオフする。
従って、整流器ＲＥＣＴ３のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【０１１９】
そして、整流器ＲＥＣＴ３のアノードが整流器ＲＥＣＴ３のカソード及び充電用端子より高電位になった場合は、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧は、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧より高くなる。従って、トランジスタＱ１０がオンして、トランジスタＱ１１はオフする。
【０１２０】
トランジスタＱ１１がオフすると、コンデンサＣ２から、抵抗器Ｒ１５を経てトランジスタＱ９のベースへとベース電流が流れ、トランジスタＱ９はオンする。トランジスタＱ９がオンすると、抵抗器Ｒ１３の両端間には、トランジスタＱ８をオンさせる向きの電圧降下が発生し、トランジスタＱ８がオンする。
従って、整流器ＲＥＣＴ３のアノード−カソード間が導通する。
【０１２１】
以上説明した動作により、図１３の構成の整流器ＲＥＣＴ３は整流を行う。整流器ＲＥＣＴ３がオフしているとき、トランジスタＱ８及びＱ９がオフするので、トランジスタＱ８及びＱ９は電力を消費しない。
また、トランジスタＱ１０のエミッタがトランジスタＱ１０のコレクタに対し正極性である間は、トランジスタＱ１０のベース−コレクタ間の電位差はＶｆを超えないので、トランジスタＱ１０のベース及びコレクタの接合部は破壊されない。同様に、トランジスタＱ１１のエミッタがトランジスタＱ１０のコレクタに対し正極性である間は、トランジスタＱ１１のベース−コレクタ間の電位差はＶｆを超えないので、トランジスタＱ１１のベース及びコレクタの接合部は破壊されない。
また、トランジスタＱ１０のエミッタがトランジスタＱ１０のコレクタに対し負極性である間は、トランジスタＱ１０のベース−コレクタ間の電位差が、ベース及びコレクタの接合部の耐圧を超えない限り、この接合部は破壊されない。
従って、トランジスタＱ１０及びＱ１１は、整流器ＲＥＣＴ３のアノードやカソードの電圧による破壊の危険から保護される。また、トランジスタＱ８がオンすれば、トランジスタＱ８のドレイン−ソース間のインピーダンスは十分小さくなる。
【０１２２】
なお、整流器ＲＥＣＴ３の構成も、上述のものに限られない。
例えば、トランジスタＱ９〜Ｑ１１の各々については、そのコレクタが接続されるべき個所にエミッタが接続され、エミッタが接続されるべき個所にコレクタが接続されていてもよい。ただし、一般に、バイポーラトランジスタのコレクタ−ベース間の耐圧は、そのバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間の耐圧より高い。このため、トランジスタＱ１０及びＱ１１の各エミッタが整流器ＲＥＣＴ３のアノード及びカソードに接続されている構成より、トランジスタＱ１０及びＱ１１の各コレクタが整流器ＲＥＣＴ３のアノード及びカソードに接続されている構成の方が、一般に、トランジスタＱ１０及びＱ１１のコレクタ及びベースの接合部が破壊されにくい。
【０１２３】
また、図１３の整流器ＲＥＣＴ３は、図１４に示すように、ツェナーダイオードＤｚ１を備えていてもよい。
ツェナーダイオードＤｚ１はアノード及びカソードを備えている。ツェナーダイオードＤｚ１のアノードは、トランジスタＱ８のソースに接続され、ツェナーダイオードＤｚ１のカソードは、トランジスタＱ９のコレクタに接続される。
そして、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧は、Ｖｆより大きく、且つ、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧より小さい。
【０１２４】
図１４の構成においては、コンデンサＣ２が充電されると、コンデンサＣ２の両端のうちトランジスタＱ９に接続されている方の端には、他方の端に対して正極性の電圧が発生する。従って、図１４の構成において、ツェナーダイオードＤｚ１は、充電されたコンデンサＣ２が発生する電圧により逆バイアスされ、ツェナーダイオードＤｚ１の両端間の電圧（すなわち、コンデンサＣ２の両端間の電圧）は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下に保たれる。
一方、トランジスタＱ１１のコレクタはコンデンサＣ２に接続されており、また、トランジスタＱ１１のエミッタは、抵抗器Ｒ１５を介してコンデンサＣ２に接続されている。この結果、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の電圧は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下、すなわち、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧以下に保たれる。これにより、トランジスタＱ１１のベース及びエミッタの接合面の破壊が防止される。
【０１２５】
また、図１３の整流器ＲＥＣＴ３は、図１５に示すように、ツェナーダイオードＤｚ２を備えていてもよい。
ツェナーダイオードＤｚ２もアノード及びカソードを備え、ツェナーダイオードＤｚ２のアノードは、トランジスタＱ１１のコレクタに接続され、ツェナーダイオードＤｚ２のカソードは、トランジスタＱ１１のエミッタに接続される。
そして、ツェナーダイオードＤｚ２のツェナー電圧も、Ｖｆより大きく、且つ、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧より小さい。
【０１２６】
図１５の構成においては、トランジスタＱ１１がオフしているとき、トランジスタＱ１１のエミッタ−コレクタ間には、充電されたコンデンサＣ２が発生する電圧が印加され、トランジスタＱ１１のエミッタの電圧は、トランジスタＱ１１のコレクタに対して正極性となる。従ってツェナーダイオードＤｚ１は逆バイアスされ、ツェナーダイオードＤｚ１の両端間の電圧（すなわち、トランジスタＱ１１のコレクタ−エミッタ間の電圧）は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下に保たれる。この結果、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の電圧は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下、すなわち、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧以下に保たれる。これにより、トランジスタＱ１１のベース及びエミッタの接合面の破壊が防止される。
なお、図１３の整流器ＲＥＣＴ３は、図１４に示すツェナーダイオードＤｚ１と図１５に示すツェナーダイオードＤｚ２とを両方備えていてもよい。
【０１２７】
また、図１６に示すように、整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ９〜Ｑ１１がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ８がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。
【０１２８】
ただし、整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ９〜Ｑ１１がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ８がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されている場合、図１６に示すように、トランジスタＱ８のソースは整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続されており、トランジスタＱ８のドレインは整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続されるものとする。また、ダイオードＤ２と抵抗器Ｒ１２とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ２のカソードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ２のアノードに近い方の端は、トランジスタＱ９のコレクタに接続されるものとする。
【０１２９】
そして、図１６の構成の整流器ＲＥＣＴ３を、図５に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚに接続したとする。すなわち、図１６の整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ３のアノードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続したとする。この場合、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより低電位になると、コンデンサＣ２が充電される。
【０１３０】
一方、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより高電位になりトランジスタＱ１０がオンした場合は、コンデンサＣ２及び／又は整流器ＲＥＣＴ３のカソードから、交流電源ＡＣＶ、負荷Ｚ、整流器ＲＥＣＴ３のアノード、トランジスタＱ１０のコレクタ−ベース間及び抵抗器Ｒ１４を経て、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子及び／又はコンデンサＣ２へと至る電流が流れる。
また、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより低電位になりトランジスタＱ１１がオンした場合は、コンデンサＣ２及び／又は整流器ＲＥＣＴ３のカソードから、トランジスタＱ１０のコレクタ−ベース間及び抵抗器Ｒ１４を経て、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子及び／又はコンデンサＣ２へと至る電流が流れる。
【０１３１】
ただし、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧と、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧とのうち低い方の電圧は実質的に（−Ｖｆ）に等しくなる。このため、トランジスタＱ１０及びＱ１１のうち、各自のコレクタを基準としたベースの電圧が低い方がオンすれば、他方は、そのコレクタを基準としたベースの電圧が（−Ｖｆ）を超え、従ってオフする。
【０１３２】
そして、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより低電位になった場合は、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧は、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧より低くなる。従って、トランジスタＱ１１がオンして、トランジスタＱ１０はオフする。
トランジスタＱ１１がオンすると、トランジスタＱ９のベースは、トランジスタＱ９自身のエミッタとほぼ同電位（又はトランジスタＱ９自身のエミッタより高電位）となり、トランジスタＱ９はオフする。すると、トランジスタＱ８もオフする。従って、整流器ＲＥＣＴ３のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【０１３３】
一方、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより高電位になった場合は、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧は、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧より低くなる。従って、トランジスタＱ１０がオンして、トランジスタＱ１１はオフする。
トランジスタＱ１１がオフすると、トランジスタＱ９のベースへとベース電流が流れ、トランジスタＱ９はオンする。すると、抵抗器Ｒ１３の両端間には、トランジスタＱ８をオンさせる向きの電圧降下が発生し、トランジスタＱ８がオンする。従って、整流器ＲＥＣＴ３のアノード−カソード間が導通する。
以上説明した動作により、図１６の構成の整流器ＲＥＣＴ３も整流を行う。
【０１３４】
また、図１７に示すように、図１４の構成の整流器ＲＥＣＴ３においても、トランジスタＱ９〜Ｑ１１はＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ８はｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。ただし、この場合、図１７に示すように、ツェナーダイオードＤｚ１のアノードは、トランジスタＱ９のコレクタに接続され、ツェナーダイオードＤｚ１のカソードは、トランジスタＱ８のソースに接続されるものとする。
【０１３５】
図１７の構成においては、コンデンサＣ２が充電されると、コンデンサＣ２の両端のうちトランジスタＱ９に接続されている方の端には、他方の端に対して負極性の電圧が発生する。このため、ツェナーダイオードＤｚ１が逆バイアスされ、コンデンサＣ２の両端間の電圧は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下（つまり、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧以下）に保たれる。これにより、トランジスタＱ１１のベース及びエミッタの接合面の破壊が防止される。
【０１３６】
また、図１８に示すように、図１５の構成の整流器ＲＥＣＴ３においても、トランジスタＱ９〜Ｑ１１はＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ８はｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。ただし、この場合、図１８に示すように、ツェナーダイオードＤｚ２のアノードは、トランジスタＱ１１のエミッタに接続され、ツェナーダイオードＤｚ２のカソードは、トランジスタＱ１１のコレクタに接続される。
【０１３７】
図１８の構成においては、トランジスタＱ１１がオフしているとき、トランジスタＱ１１のエミッタの電圧は、トランジスタＱ１１のコレクタに対して負極性となる。従ってツェナーダイオードＤｚ１は逆バイアスされ、トランジスタＱ１１のコレクタ−エミッタ間の電圧は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下（つまり、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧以下）に保たれる。これにより、トランジスタＱ１１のベース及びエミッタの接合面の破壊が防止される。
なお、図１８の整流器ＲＥＣＴ３は、図１７に示すツェナーダイオードＤｚ１と図１８に示すツェナーダイオードＤｚ２とを両方備えていてもよい。
【０１３８】
また、図１３〜図１５の整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ９はｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよく、また、図１６〜図１８の整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ９はｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。
また、図１３〜図１５の構成の整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ８はＮＰＮ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよく、また、図１６〜図１８の構成の整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ２はＰＮＰ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよい。
バイポーラトランジスタに代えてエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴを用いる場合、バイポーラトランジスタのベースが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるようにするものとする。また、バイポーラトランジスタのエミッタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるようにする。また、バイポーラトランジスタのコレクタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるようにするものとする。
一方、ＭＯＳＦＥＴに代えてバイポーラトランジスタを用いる場合、ＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのベースが接続されるようにするものとする。また、ＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのエミッタが接続されるようにする。また、ＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのコレクタが接続されるようにするものとする。
【０１３９】
なお、図１３〜図１５又は図１６〜図１８の構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図９又は図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続してもよい。
【０１４０】
図１３〜図１５のいずれかの構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図９に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続し、又は、図１６〜図１８のいずれかの構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続したとする。この場合は、交流電源ＡＣＶの両極のうち整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続されている方の極が他方の極に比べて高電位になったとき、又は、交流電源ＡＣＶの両極のうち整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になったとき、整流器ＲＥＣＴ３のアノードが整流器ＲＥＣＴ３のカソード及び充電用端子より低電位になり、また、コンデンサＣ２が充電される。
【０１４１】
一方、図１３〜図１５のいずれかの構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続し、又は、図１６〜図１８のいずれかの構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図９に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続したとする。この場合、コンデンサＣ２の充電は、整流器ＲＥＣＴ３がオンすべき期間に行われる。そして、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子に流れる電流は、トランジスタＱ９〜Ｑ１１のうちオンしているもののコレクタ−エミッタ間にも流れる。また、トランジスタＱ９のコレクタ−エミッタ間に電流を流す経路が断たれた状態では、抵抗器Ｒ１３には実質的に電圧降下が発生せず、トランジスタＱ８はオンしない。従って、この場合、図１３及び図１６の整流器ＲＥＣＴ３は、必ずしもコンデンサＣ２を備える必要がない。
【０１４２】
（第４の実施の形態）
次に、この発明の第４の実施の形態にかかる整流回路を図１９に示す。
この整流回路は、図示するように、整流器Ｒａ及びＲｂと、変成器Ｔ１とより構成される。
整流器Ｒａ及びＲｂは、いずれも、図１及び図７に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１１に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１３に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有し、それぞれ、アノード、カソード及び充電用端子を備える。
【０１４３】
整流器Ｒａ及びＲｂの各アノードは、変成器Ｔ１の後述の二次巻線の両端に１対１に接続されている。整流器Ｒａ及びＲｂの各カソードは互いに接続され、この整流回路の電源出力端の正極をなす。整流器Ｒａ及びＲｂの各充電用端子は、いずれも変成器Ｔ１の後述する中点タップに接続されている。
【０１４４】
変成器Ｔ１は、互いに誘導結合された一次巻線及び二次巻線を備え、二次巻線のほぼ中点には、中点タップが設けられている。変成器Ｔ１の一次巻線の両端はこの整流回路の電源入力端の両極をなす。変成器Ｔ１の二次巻線の両端は、上述の通り、整流器Ｒａ及びＲｂの各アノードに、１対１に接続されている。二次巻線の中点タップは、この整流回路の電源出力端の負極をなす。
【０１４５】
この整流回路の電源出力端の正極と負極との間に外部の負荷Ｚを接続し、電源入力端の両極間に、整流する対象の単相交流電圧を供給する交流電源ＡＣＶを接続したとする。この場合、この整流回路の変成器Ｔ１の二次巻線の両端には、交流電源ＡＣＶが供給する単相交流電圧に実質的に比例した振幅の単相交流電圧が発生し、二次巻線の各極は、二次巻線の中点タップの電位を基準とした極性を交互に反転させる。
【０１４６】
そして、変成器Ｔ１の二次巻線の両端のうち、整流器Ｒａのアノードに接続されている方の電圧が、二次巻線の中点タップの電位に対し正極性となったとする。このとき、整流器Ｒａのカソードは、負荷を介して二次巻線の中点タップに接続されているので、整流器Ｒａのアノードは、整流器Ｒａのカソードより高電位となる。従って、整流器Ｒａのアノード−カソード間は導通し、変成器Ｔ１の二次巻線のうち整流器Ｒａのアノードに接続されている方の端から、整流器Ｒａのアノード及びカソード、負荷Ｚを順に経て変成器Ｔ１の二次巻線の中点タップに至る電流が流れる。
しかし、整流器Ｒａの充電用端子に印加されている中点タップの電圧は、整流器Ｒａのアノードの電位に対して負極性である。従って、整流器Ｒａが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）の充電は行われない。
【０１４７】
一方、変成器Ｔ１の二次巻線の両端のうち整流器Ｒａのアノードに接続されている方の電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し正極性となったとき、二次巻線の他方の端は、中点タップの電位に対して負極性となる。そして、整流器Ｒｂのカソードは、負荷を介して二次巻線の中点タップに接続されているので、整流器Ｒｂのアノードは、整流器Ｒｂのカソードより低電位となる。従って、整流器Ｒｂのアノード−カソード間は実質的に遮断される。
しかし、整流器Ｒｂの充電用端子に印加されている中点タップの電圧は、整流器Ｒｂのアノードの電位に対して正極性である。従って、整流器Ｒａが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
【０１４８】
逆に、変成器Ｔ１の二次巻線の両端のうち、整流器Ｒａのアノードに接続されている方の電圧が、二次巻線の中点タップの電位に対し負極性となった場合、整流器Ｒａのアノードは整流器Ｒａのカソードより低電位となり、整流器Ｒｂのアノードは整流器Ｒｂのカソードより高電位となる。
従って、整流器Ｒｂのアノード−カソード間は導通し、変成器Ｔ１の二次巻線のうち整流器Ｒｂのアノードに接続されている方の端から、整流器Ｒｂのアノード及びカソード、外部の負荷を順に経て変成器Ｔ１の二次巻線の中点タップに至る電流が流れる。ただし整流器ＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）の充電は行われない。
一方、整流器Ｒａのアノード−カソード間は実質的に遮断され、整流器ＲａのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
【０１４９】
以上の動作が繰り返されることにより、図１９の整流回路は、全波整流を行う。図１９の整流回路においては、整流する対象の単相交流電圧が電源入力端に印加された結果変成器Ｔ１の二次巻線に生じる電圧が、整流器Ｒａ及びＲｂが備えるコンデンサＣ１又はＣ２を充電するための電圧として、整流器Ｒａ及びＲｂに供給される。
【０１５０】
なお、この整流回路の構成も、上述のものに限られない。
たとえば、この整流回路は、図２０に示す構成を有していてもよい。
図２０に示す整流回路の構成は、図示するように、整流器Ｒａの充電用端子が整流器Ｒｂのアノードに接続され、整流器Ｒｂの充電用端子が整流器Ｒａのアノードに接続されている点を除いて、図１９に示す構成と実質的に同一である。
【０１５１】
図２０の構成においても、整流器Ｒａのアノードの電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し正極性となると、整流器Ｒａの充電用端子の電圧は、整流器Ｒａのアノードの電位に対して負極性となり、また整流器Ｒｂの充電用端子の電圧は、整流器Ｒｂのアノードの電位に対して正極性となる。従って、整流器Ｒａのアノード−カソード間が導通して整流器Ｒｂのアノード−カソード間が遮断される間、整流器Ｒｂが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
一方で、整流器Ｒａのアノードの電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し負極性となると、整流器Ｒａの充電用端子の電圧は、整流器Ｒａのアノードの電位に対して正極性となり、また整流器Ｒｂの充電用端子の電圧は、整流器Ｒｂのアノードの電位に対して負極性となる。従って、整流器Ｒｂのアノード−カソード間が導通して整流器Ｒａのアノード−カソード間が遮断される間、整流器Ｒａが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
従って、図２０の整流回路も全波整流を行い、また変成器Ｔ１の二次巻線に生じる電圧により、整流器Ｒａ及びＲｂが備えるコンデンサＣ１又はＣ２が充電される。
【０１５２】
図２０の構成で、整流器Ｒａ及びＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）に充電時に印加される電圧は、変成器Ｔ１の二次巻線の両端間に生じる交流電圧の振幅が等しければ図１９の構成の整流器Ｒａ及びＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）に充電時に印加される電圧より高い。従って、図２０の構成では、図１９の構成に比べ、コンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が効率的に充電される。
【０１５３】
なお、図１９及び図２０の構成において、整流器Ｒａ及びＲｂは、いずれも、図４及び図８に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１２に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１６に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有していてもよい。この場合、整流器Ｒａ及びＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）の充電は、各自が属する整流器がオンすべき期間に行われるので、整流器Ｒａ及びＲｂは、必ずしもコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）を備える必要がない。
【０１５４】
また、整流器Ｒａ及びＲｂは、いずれも、図４及び図８に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１２に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１６に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有している場合、この整流回路は、たとえば図２１あるいは図２２に示す構成を有していればよい。
【０１５５】
図２１の構成は、図示するように、（ｄ１）整流器Ｒａ及びＲｂの各カソードが、変成器Ｔ１の二次巻線の両端に１対１に接続されており、（ｄ２）整流器Ｒａ及びＲｂの各アノードが互いに接続されてこの整流回路の電源出力端の負極をなしており、（ｄ３）変成器Ｔ１の二次巻線の中点タップがこの整流回路の電源出力端の正極をなしている、という点を除き、図１９の構成と実質的に同一である。
また、図２２の構成は、図示するように、（ｄ１）〜（ｄ３）として上述した点を除き、図２０の構成と実質的に同一である。
【０１５６】
図２１や図２２の整流回路においては、整流器Ｒａのカソードの電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し負極性となると、整流器Ｒａの充電用端子の電圧は、整流器Ｒａのカソードの電位に対して正極性となり、また整流器Ｒｂの充電用端子の電圧は、整流器Ｒｂのカソードの電位に対して負極性となる。従って、整流器Ｒａのアノード−カソード間が導通して整流器Ｒｂのアノード−カソード間が遮断される間、整流器Ｒｂが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
一方で、整流器Ｒａのカソードの電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し正極性となると、整流器Ｒａの充電用端子の電圧は、整流器Ｒａのカソードの電位に対して負極性となり、また整流器Ｒｂの充電用端子の電圧は、整流器Ｒｂのカソードの電位に対して正極性となる。従って、整流器Ｒｂのアノード−カソード間が導通して整流器Ｒａのアノード−カソード間が遮断される間、整流器Ｒａが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
【０１５７】
なお、図２１及び図２２の構成において、整流器Ｒａ及びＲｂは、いずれも、図１及び図７に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１１に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１３に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有していてもよい。この場合、整流器Ｒａ及びＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）の充電は、各自が属する整流器がオンすべき期間に行われるので、整流器Ｒａ及びＲｂは、必ずしもコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）を備える必要がない。
【０１５８】
（第５の実施の形態）
次に、この発明の第５の実施の形態にかかる整流回路を図２３に示す。
この整流回路は、図示するように、整流器Ｒｃ及びＲｄと、変成器Ｔ２と、コイルＬとより構成される。
整流器Ｒｃ及びＲｄは、いずれも、図１及び図７に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１１に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１３に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有し、それぞれ、アノード、カソード及び充電用端子を備える。
【０１５９】
整流器Ｒｃ及びＲｄの各アノードは、変成器Ｔ２の後述の二次巻線の両端に１対１に接続されている。整流器Ｒｃ及びＲｄの各カソードと、整流器Ｒｃ及びＲｄの各充電用端子と、コイルＬの一端とは互いに接続されている。なお、コイルＬの他端は、この整流回路の電源出力端の正極をなす。
【０１６０】
変成器Ｔ２は、互いに誘導結合された一次巻線及び二次巻線を備えている。変成器Ｔ２の一次巻線の両端はこの整流回路の入力端の両極をなす。変成器Ｔ２の二次巻線の両端は、上述の通り、整流器Ｒｃ及びＲｄの各アノードに、１対１に接続されている。そして、二次巻線の両端のうち、整流器Ｒｄに接続されているほうの端は、この整流回路の電源出力端の負極をなす。
【０１６１】
この整流回路の電源出力端の正極と負極との間に負荷Ｚを接続し、電源入力端の両極間に交流電源ＡＣＶを接続して、交流電源ＡＣＶが単相交流電圧を供給したとする。
【０１６２】
この場合、変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｃに接続されているほうの端が他方の端より高電位になると、整流器Ｒｃのアノードは整流器Ｒｃのカソード及び充電用端子より高電位となって、整流器Ｒｃのアノード−カソード間は導通する。従って、変成器Ｔ２の二次巻線から、整流器Ｒｃ、コイルＬ、負荷Ｚを順に経て変成器Ｔ２の二次巻線に戻る電流が流れる。そして、この整流回路の電源出力端の正極は負極の電位に対し正極の電圧となる。
一方、整流器Ｒｄのアノードは整流器Ｒｄのカソード及び充電用端子より低電位となって、整流器Ｒｄのアノード−カソード間は実質的に遮断され、整流器ＲｄのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
【０１６３】
この場合、変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｃに接続されているほうの端が他方の端より低電位になると、整流器Ｒｃのアノードは整流器Ｒｃのカソード及び充電用端子より低電位となって、整流器Ｒｃのアノード−カソード間は遮断される。そして、整流器ＲｃのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
一方、コイルＬの両端には、この整流回路の電源出力端の正極に接続された方の端が他方の端に対して正極性となるような向きの逆起電力が発生する。このため、整流器Ｒｄのアノードが整流器Ｒｄのカソード及び充電用端子より高電位となって、整流器Ｒｄのアノード−カソード間は導通する。従って、コイルＬから、負荷Ｚ及び整流器Ｒｄのアノード−カソード間を順に経てコイルＬに戻る電流が流れる。そして、この整流回路の電源出力端の正極は負極の電位に対し正極の電圧を保つ。
【０１６４】
以上の動作が繰り返されることにより、図２３の整流回路は、負荷に、極性が一定の電力を供給する。図２３の整流回路では、変成器Ｔ２の二次巻線に生じる電圧や、コイルＬに生じた逆起電力による電圧が、整流器Ｒｃ及びＲｄが備えるコンデンサＣ１又はＣ２を充電するための電圧として、整流器Ｒｃ及びＲｄに供給される。
【０１６５】
なお、この整流回路の構成も、上述のものに限られない。
たとえば、この整流回路は、図２４に示す構成を有していてもよい。
図２４に示す整流回路の構成は、図示するように、整流器Ｒｄの充電用端子が電源出力端の正極に接続されている点を除いて、図２３に示す構成と実質的に同一である。また、図２４の構成の動作は、図２３の構成の動作と実質的に同一である。
【０１６６】
また、整流器Ｒｃ及びＲｄは、いずれも、図４及び図８に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１２に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１６に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有していてもよい。この場合、この整流回路は、たとえば図２５あるいは図２６に示す構成を有していればよい。
【０１６７】
図２５の構成は、図示するように、（ｅ１）整流器Ｒｃ及びＲｄの各カソードが、変成器Ｔ２の二次巻線の両端に１対１に接続されており、（ｅ２）整流器Ｒｃ及びＲｄの各アノード及び各充電用端子と、コイルＬの一端が互いに接続されていて、コイルＬの他端がこの整流回路の電源出力端の負極をなしており、（ｅ３）変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｄに接続されている方の端がこの整流回路の電源出力端の正極をなしている、という点を除き、図２３の構成と実質的に同一である。
また、図２６の構成は、図示するように、（ｅ１）〜（ｅ３）として上述した点を除き、図２４の構成と実質的に同一である。
【０１６８】
図２５や図２６の構成の整流回路の電源出力端の正極と負極との間に負荷Ｚを接続し、電源入力端の両極間に交流電源ＡＣＶを接続して、交流電源ＡＣＶが単相交流電圧を供給した場合、変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｃに接続されているほうの端が他方の端より低電位になると、整流器Ｒｃのアノード−カソード間は導通し、変成器Ｔ２の二次巻線から、負荷Ｚ、コイルＬ及び整流器Ｒｃを順に経て変成器Ｔ２の二次巻線に戻る電流が流れる。一方、整流器Ｒｄのアノード−カソード間は実質的に遮断され、整流器ＲｄのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
また、変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｃに接続されている方の端が他方の端より高電位になると、整流器Ｒｃのアノード−カソード間は遮断される。そして、整流器ＲｃのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。一方、コイルＬの両端には、この整流回路の電源出力端の負極に接続された方の端が他方の端に対して負極性となるような向きの逆起電力が発生する。このため整流器Ｒｄのアノード−カソード間は導通し、コイルＬから、整流器Ｒｄのアノード−カソード間及び負荷Ｚを順に経てコイルＬに戻る電流が流れる。
以上の動作が繰り返されることにより、図２５及び図２６の整流回路は、負荷に、極性が一定の電力を供給する。
【０１６９】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、オン及びオフのタイミングが正確に決められる整流器及び整流装置や、耐圧が大きい整流器及び整流装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る整流器の構成を示す回路図である。
【図２】図１の整流器と交流電源と負荷との接続関係を示す回路図である。
【図３】図１の整流器の変形例を示す回路図である。
【図４】図１の整流器の変形例を示す回路図である。
【図５】図４の整流器と交流電源と負荷との接続関係を示す回路図である。
【図６】図４の整流器の変形例を示す回路図である。
【図７】図１の整流器の変形例を示す回路図である。
【図８】図４の整流器の変形例を示す回路図である。
【図９】図１又は図７の整流器と交流電源と負荷との接続関係を示す回路図である。
【図１０】図４又は図８の整流器と交流電源と負荷との接続関係を示す回路図である。
【図１１】この発明の第２の実施の形態に係る整流器の構成を示す回路図である。
【図１２】図１１の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１３】この発明の第３の実施の形態に係る整流器の構成を示す回路図である。
【図１４】図１３の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１５】図１３の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１６】図１３の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１７】図１６の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１８】図１６の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１９】この発明の第４の実施の形態に係る整流回路の構成を示す回路図である。
【図２０】図１９の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２１】図１９の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２２】図２１の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２３】この発明の第５の実施の形態に係る整流回路の構成を示す回路図である。
【図２４】図２３の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２５】図２３の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２６】図２４の整流回路の変形例を示す回路図である。
【符号の説明】
ＲＥＣＴ１〜ＲＥＣＴ３、Ｒａ〜Ｒｄ 整流器
Ｑ１〜Ｑ１１ トランジスタ
Ｄ１、Ｄ２ ダイオード
Ｄｚ１、Ｄｚ２ ツェナーダイオード
Ｒ１〜Ｒ１５ 抵抗器
Ｃ１、Ｃ２ コンデンサ
Ｔ１、Ｔ２ 変成器
Ｌ コイル
ＡＣＶ 交流電源
Ｚ 負荷
【発明の属する技術分野】
この発明は、整流器及び整流装置に関し、特に、負荷以外が消費する電力による損失が少ない整流器及び整流装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
交流を整流して直流を得る場合において、整流素子による不要な電力消費を抑えたり、高電圧の整流を実現したりするために、トランジスタの電流路を断続して整流する技術が用いられている。トランジスタを用いて整流を行う場合は、トランジスタが、整流する対象の電圧の印加を検知して、トランジスタの電流路をオン及びオフしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、バイポーラトランジスタが電圧の印加を検知する場合、電圧が立ち上がりを開始してからダイオードの順方向電圧程度に達するまでの間はトランジスタは電圧を検知できず、電流路のオン及びオフのタイミングが不正確になる。
また、電界効果トランジスタが電圧の印加を検知する場合も、電圧が立ち上がりを開始してからスレッショルド電圧に達するまでの間は電圧を検知できない。
【０００４】
さらに、トランジスタの制御端（たとえば、バイポーラトランジスタのベースや、電界効果トランジスタのゲート）は、電流路の両端をなす端子（たとえば、バイポーラトランジスタのエミッタ及びコレクタや、電界効果トランジスタのソース及びドレイン）に比べて耐圧が低く、容易に破壊される。
【０００５】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、オン及びオフのタイミングが正確に決められる整流器及び整流装置や、耐圧が大きい整流器及び整流装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点に係る整流器は、
第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備える、
ことを特徴とする。
【０００７】
このような整流器によれば、第２の電流路のオン及びオフのタイミングは基準電圧と第２の電流路の端との電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【０００８】
前記第１の電流路制御手段は、たとえば、前記第１の電流路の一端と前記第１の制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御するものであってもよい。
この場合、前記分圧手段は、前記第２の電流路の前記他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間に接続された電位差検出用の負荷を備えており、
前記第１の電流路の前記一端及び前記第１の制御端は、前記電位差検出用の負荷の両端に一対一に接続されていればよい。
【０００９】
前記整流器は、前記第１の電流路に直列に接続された電流検出用の負荷を備えていてもよい。
この場合、前記第２の電流路制御手段は第２の制御端を備え、前記第２の電流路のいずれかの端と前記第２の制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御するものであればよく、前記第２の電流路のいずれかの端及び前記第２の制御端は、前記電流検出用の負荷の両端に一対一に接続されていればよい。
【００１０】
前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、たとえば、ベースから構成される前記制御端と、エミッタ及びコレクタを両端とする前記電流路とを備えるバイポーラトランジスタから構成されていてもよい。
前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、たとえば、ゲートから構成される前記制御端と、ソース及びドレインを両端とする前記電流路とを備える電界効果トランジスタから構成されていてもよい。
【００１１】
また、この発明の第２の観点にかかる整流器は、
電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する第１の分圧手段と、を備え、
前記第１の電流路の前記他端は前記第２の電流路の一端に接続されており、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備える、
ことを特徴とする。
【００１２】
このような整流器によれば、第２の電流路のオン及びオフのタイミングは電位差検出用の負荷の両端間の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００１３】
前記第２の電流路制御手段は、たとえば、
前記電流源と前記第２の電流路の他端との間に接続された参照用負荷と、
前記第１の制御端と、第２の制御端と、前記第２の電流路とを備え、前記第１の制御端に印加された電圧及び前記第２の制御端に印加された電圧の大小関係を判別して、判別結果に基づき、前記第２の電流路を断続制御する比較制御手段と、
前記参照用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第２の制御端に印加する第２の分圧手段と、を備えるものとすれば、電位差検出用の負荷の両端間の電位差が正確に検知される。
【００１４】
前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、たとえば、ベースから構成される前記制御端と、エミッタ及びコレクタを両端とする前記電流路とを備えるバイポーラトランジスタから構成されていてもよい。
前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、たとえば、ゲートから構成される前記制御端と、ソース及びドレインを両端とする前記電流路とを備える電界効果トランジスタから構成されていてもよい。
【００１５】
前記電流源は、外部より供給される電流により充電されるキャパシタから構成されているものとすれば、別途電池等の電源を用意することなく、この整流器が駆動される。
【００１６】
また、この発明の第３の観点にかかる整流器は、
第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
外部より供給される電流により充電されるキャパシタより構成され、前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
前記第１の電流路の前記一端は前記第４の電流路の一端に接続されており、
前記第２の電流路の前記一端は前記第４の電流路の他端に接続されており、
前記第１及び第２の電流路制御素子は、前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路を実質的に導通させるように、前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
前記第３及び第４の電流路制御素子は、前記第２の電流路に電流が流れたとき、前記第４の電流路を実質的に導通させるように、前記第３及び第４の電流路を断続制御する、
ことを特徴とする。
【００１７】
このような整流器によれば、第４の電流路のオン及びオフのタイミングは第４の電流路の両端の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、外部から供給される電圧による制御端の破壊という事態が生じない。
【００１８】
前記第２の電流路制御素子は、第２の制御端の電位を、前記第２の電流路の両端の一方の電位以上且つ他方の電位以下に保つものであってもよい。
この場合、前記整流器は、前記第２の電流路の両端間の電圧を、前記第２の電流路の各端と前記第２の制御端との間の耐圧以下に規制する手段を備えるものとすれば、第２の電流路制御素子の破壊が防止される。
また、前記整流器は、前記キャパシタの両端間の電圧を、前記第２の電流路の各端と前記第２の制御端との間の耐圧以下に規制する手段を備えるものであっても、第２の電流路制御素子の破壊が防止される。
【００１９】
また、この発明の第４の観点にかかる整流装置は、
互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
各前記整流器の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
各前記整流器の電流源は、自己を含まない整流器の前記第２の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を、自己を含む整流器の前記第１の電流路に供給する手段を備え、
各前記整流器の前記第２の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第２の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする。
【００２０】
このような整流装置によれば、各整流器の第２の電流路のオン及びオフのタイミングは基準電圧と第２の電流路の端との電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００２１】
また、この発明の第５の観点にかかる整流装置は、
互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記制御端に印加する分圧手段と、を備え、
各前記整流器の第１の電流路の前記他端は当該整流器の第２の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、当該整流器の第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき当該第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
各前記整流器の分圧手段は、当該整流器の第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、当該第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
各前記整流器の電流源は、自己を含まない整流器の前記第２の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を供給する手段を備え、
各前記整流器の前記第２の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第２の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする。
【００２２】
このような整流装置によれば、各整流器の第２の電流路のオン及びオフのタイミングは電位差検出用の負荷の両端間の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００２３】
また、この発明の第６の観点にかかる整流装置は、
互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
各前記整流器の前記第１の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の前記第２の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の他端に接続されており、
各前記整流器の前記第１及び第２の電流路制御素子は、当該整流器の前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき当該整流器の前記第１の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
各前記整流器の基準電位源は、自己を含まない整流器の前記第４の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を、自己を含む整流器の前記第１乃至第３の電流路に供給する手段を備え、各前記整流器の前記第３及び第４の電流路制御素子は、当該整流器の第２の電流路に電流が流れたとき、当該整流器の第４の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の第３及び第４の電流路を断続制御し、
各前記整流器の前記第４の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第４の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする整流装置。
【００２４】
このような整流装置によれば、各整流器の第４の電流路のオン及びオフのタイミングは第４の電流路の両端の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、外部から供給される電圧による制御端の破壊という事態が生じない。
【００２５】
また、この発明の第７の観点にかかる整流装置は、
外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１及び第２の整流器の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１の電流路に供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、
前記第２の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする。
【００２６】
このような整流装置によれば、各整流器の第２の電流路のオン及びオフのタイミングは基準電圧と第２の電流路の端との電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００２７】
また、この発明の第８の観点にかかる整流装置は、
外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
各前記整流器の第１の電流路の前記他端は当該整流器の第２の電流路の一端に接続されており、
前記第１及び第２の整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、当該整流器の第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき当該第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１及び第２の整流器の分圧手段は、当該整流器の第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、当該第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１の電流路へと供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、
前記第２の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする。
【００２８】
このような整流装置によれば、各整流器の第２の電流路のオン及びオフのタイミングは電位差検出用の負荷の両端間の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、制御端も所定範囲を超える電圧の印加による破壊から守られる。
【００２９】
また、この発明の第９の観点にかかる整流装置は、
外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
各前記整流器の前記第１の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の前記第２の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の他端に接続されており、
各前記整流器の前記第１及び第２の電流路制御素子は、当該整流器の前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき当該整流器の前記第２の電流路を実質的に導通させるように、前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
各前記整流器の前記第３及び第４の電流路制御素子は、当該整流器の前記第２の電流路に電流が流れたとき、当該整流器の前記第４の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の前記第３及び第４の電流路を断続制御し、
各前記整流器の第４の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第４の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流し、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１乃至第３の電流路に供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第４の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、
前記第２の整流器の第４の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする。
【００３０】
このような整流装置によれば、各整流器の第４の電流路のオン及びオフのタイミングは第４の電流路の両端の電位差に基づいて決定されるので、わずかな電位差の発生も正確にタイミングの決定に反映される。また、外部から供給される電圧による制御端の破壊という事態が生じない。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、この発明の第１の実施の形態に係る整流器ＲＥＣＴ１の構成を示す回路図である。図示するように、整流器ＲＥＣＴ１は、トランジスタＱ１〜Ｑ７と、ダイオードＤ１と、抵抗器Ｒ１〜Ｒ１１と、コンデンサＣ１とより構成されている。
【００３２】
トランジスタＱ３及びＱ４は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成されており、トランジスタＱ１、Ｑ５及びＱ６は、いずれもＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成されている。トランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６は、それぞれ、ベース、エミッタ及びコレクタを備える。
トランジスタＱ２は、ｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor）より構成され、トランジスタＱ７は、ｎチャネルＪＦＥＴ（接合型ＦＥＴ：Junction Field Effect Transistor）より構成されている。トランジスタＱ２及びＱ７は、それぞれ、ゲート、ソース及びドレインを備える。
【００３３】
トランジスタＱ１のベースはトランジスタＱ３のコレクタに接続されており、トランジスタＱ１のエミッタはトランジスタＱ７のドレインに接続されており、トランジスタＱ１のコレクタは、トランジスタＱ２のゲートに接続されている。
【００３４】
トランジスタＱ２のゲートは、上述の通りトランジスタＱ１のコレクタに接続されており、トランジスタＱ２のソースは、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されており、トランジスタＱ２のドレインは、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている。
【００３５】
トランジスタＱ３のベースは、トランジスタＱ５のコレクタに接続されており、トランジスタＱ３のエミッタは、抵抗器Ｒ４を介してトランジスタＱ２のソースに接続されており、トランジスタＱ３のコレクタは、上述の通りトランジスタＱ１のベースに接続されている。
【００３６】
トランジスタＱ４のベースは、抵抗器Ｒ１０を介してトランジスタＱ７のゲートに接続されており、トランジスタＱ４のエミッタは、抵抗器Ｒ６を介してトランジスタＱ５のベースに接続されており、トランジスタＱ４のコレクタは、トランジスタＱ２のドレインに接続されている。
【００３７】
トランジスタＱ５のベースは、上述の通り抵抗器Ｒ６を介してトランジスタＱ４のコレクタに接続されており、トランジスタＱ５のエミッタは、トランジスタＱ６のエミッタ及びトランジスタＱ７のゲートに接続されており、トランジスタＱ５のコレクタは、上述の通りトランジスタＱ３のベースに接続されている。
【００３８】
トランジスタＱ６のベースは、抵抗器Ｒ８を介してトランジスタＱ６自身のエミッタに接続されており、トランジスタＱ６のエミッタは、上述の通りトランジスタＱ５のエミッタに接続されており、トランジスタＱ６のコレクタは、トランジスタＱ２のソースに接続されている。
【００３９】
トランジスタＱ７のゲートは、上述の通り抵抗器Ｒ１０を介してトランジスタＱ４のベースに接続されており、トランジスタＱ７のソースは、抵抗器Ｒ１１を介してトランジスタＱ７自身のゲートに接続されており、トランジスタＱ７のドレインは、上述の通りトランジスタＱ１のエミッタに接続されている。
【００４０】
ダイオードＤ１はアノード及びカソードを備え、抵抗器Ｒ１とカスケードに接続されて直列回路を構成している。ダイオードＤ１と抵抗器Ｒ１とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ１のアノードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ１のカソードに近い方の端は、トランジスタＱ１のエミッタに接続されている。
【００４１】
抵抗器Ｒ２は、トランジスタＱ２のゲート−ソース間にバイアス電圧を供給するためのもので、トランジスタＱ２のゲート及びソースの間に接続されている。抵抗器Ｒ３は、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間にバイアス電圧を供給するためのもので、トランジスタＱ１のベース及びエミッタの間に接続されている。抵抗器Ｒ４は、トランジスタＱ３のコレクタ−エミッタ間に流れる電流を制限するためのもので、上述の通り、トランジスタＱ２のソースとトランジスタＱ３のエミッタとの間に接続されている。抵抗器Ｒ５は、トランジスタＱ３のベース−エミッタ間にバイアス電圧を供給するためのもので、トランジスタＱ５のコレクタとトランジスタＱ２のソースとの間に接続されている。
【００４２】
抵抗器Ｒ６は、上述の通り、トランジスタＱ４のエミッタ及びトランジスタＱ５のベースの間に接続されている。抵抗器Ｒ７は、トランジスタＱ６のベース及びコレクタの間に接続されている。抵抗器Ｒ８は、上述の通り、トランジスタＱ６のベース及びエミッタの間に接続されている。抵抗器Ｒ９は、トランジスタＱ５のベース及びエミッタの間に接続されている。抵抗器Ｒ１０は、上述の通り、トランジスタＱ４のベース及びトランジスタＱ７のゲートの間に接続されている。抵抗器Ｒ１１は、上述の通り、トランジスタＱ７のゲート及びソースの間に接続されている。
【００４３】
なお、抵抗器Ｒ６〜Ｒ１１の抵抗値は、整流器ＲＥＣＴ１のアノードが整流器ＲＥＣＴ１のカソードより高電位であるとき、トランジスタＱ５のベースがトランジスタＱ６のベースより低電位となり、整流器ＲＥＣＴ１のアノードが整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位であるとき、トランジスタＱ５のベースがトランジスタＱ６のベースより高電位となるような値に選ばれている。
【００４４】
コンデンサＣ１は、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ２のソースとの間に接続されている。
【００４５】
図２に示すように、図１の構成の整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ１のカソードとを互いに接続し、単相交流を供給する外部の交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続し、他方の極を、外部の負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続したとする。
この場合において、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソード及び充電用端子より低電位になる。
【００４６】
すると、交流電源ＡＣＶから、負荷Ｚ、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子、ダイオードＤ１、コンデンサＣ１及び整流器ＲＥＣＴ１のアノードを経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００４７】
一方、整流器ＲＥＣＴ１の内部では、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子及び／又はコンデンサＣ１から、トランジスタＱ７のドレイン−ソース間、抵抗器Ｒ１１、Ｒ８及びＲ７を経てコンデンサＣ１及び／又は整流器ＲＥＣＴ１のアノードへと至る電流が流れる。また、トランジスタＱ６のエミッタ−ベース間にも電流が流れる。
【００４８】
この結果、抵抗器Ｒ８の両端間には、ダイオードの順方向電圧（以下、この順方向電圧の値をＶｆとする。ただし、Ｖｆ＞０であるとする。）にあたる大きさの電圧降下が発生する。このため、抵抗器Ｒ７及びＲ８の抵抗値をｒ７及びｒ８とすれば、整流器ＲＥＣＴ１のアノードの電位を基準とした場合のトランジスタＱ６のエミッタの電圧の値は、｛Ｖｆ・（ｒ７＋ｒ８）／ｒ８｝にほぼ等しくなる。
【００４９】
トランジスタＱ６のエミッタの電圧は、抵抗器Ｒ１０を介して、トランジスタＱ４のベースに印加される。そして、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ１のアノードに対し正極性で、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧がＶｆに至らない値であれば、トランジスタＱ４のエミッタをコレクタとして、トランジスタＱ４のコレクタをエミッタとしてみた場合、トランジスタＱ４はオンする条件を満たさず、従ってオフする。
【００５０】
トランジスタＱ４がオフすると、トランジスタＱ５のベースにベース電流を供給する経路は実質的に断たれる。このため、トランジスタＱ５もオフする。
トランジスタＱ５がオフしたとき、抵抗器Ｒ５には実質的に電流が流れないので、抵抗器Ｒ５の両端間には実質的に電圧降下が発生しない。従って、トランジスタＱ６のベース−エミッタ間の電圧はほぼ０ボルトとなり、従ってトランジスタＱ３もオフする。
【００５１】
トランジスタＱ３がオフすると、抵抗器Ｒ３には実質的に電流が流れず、抵抗器Ｒ３の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間の電圧もほぼ０ボルトとなり、トランジスタＱ１もオフする。
トランジスタＱ１がオフすると、抵抗器Ｒ２には実質的に電流が流れず、抵抗器Ｒ２の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ２のゲート−ソース間の電圧もほぼ０ボルトとなり、トランジスタＱ２もオフする。
従って、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【００５２】
一方、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて高電位になると、整流器ＲＥＣＴ１のカソード及び充電用端子が、整流器ＲＥＣＴ１のアノードより低電位となる。
【００５３】
すると、ダイオードＤ１は逆バイアスされるので、交流電源ＡＣＶからコンデンサＣ１へと流れる電流の経路は実質的に遮断され、コンデンサＣ１の充電は行われなくなる。
【００５４】
一方、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ１のアノードに対し負極性になり、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧がＶｆを超えると、トランジスタＱ４はオンする。
このため、トランジスタＱ４のコレクタ−エミッタ間の電圧はほぼ０ボルトとなる。そして、コンデンサＣ１から、トランジスタＱ７のドレイン−ソース間、抵抗器Ｒ１１、Ｒ９及びＲ６、トランジスタＱ４のエミッタ−コレクタ間を経て整流器ＲＥＣＴ１のカソードへと至る電流が流れ、抵抗器Ｒ９及びＲ６のそれぞれの両端間には電圧降下が発生する。
【００５５】
そして、抵抗器Ｒ９及びＲ６に電圧降下が生じる結果、抵抗器Ｒ９及びＲ６の接続点に接続されているトランジスタＱ５のベースが、トランジスタＱ６のベースより低電位になると、トランジスタＱ５はオンする。
【００５６】
トランジスタＱ５がオンすると、コンデンサＣ１から、トランジスタＱ７のドレイン−ソース間、抵抗器Ｒ１１、トランジスタＱ５のエミッタ−コレクタ間及び抵抗器Ｒ５を経てコンデンサＣ１に戻る電流が流れ、抵抗器Ｒ５の両端間には、トランジスタＱ３をオンさせる向きの電圧降下が発生する。従って、トランジスタＱ３はオンする。
【００５７】
トランジスタＱ３がオンすると、コンデンサＣ１から、抵抗器Ｒ３、トランジスタＱ３のコレクタ−エミッタ間及び抵抗器Ｒ４を経てコンデンサＣ１に戻る電流が流れ、抵抗器Ｒ３の両端間には、トランジスタＱ１をオンさせる向きの電圧降下が発生する。従って、トランジスタＱ１はオンする。
【００５８】
トランジスタＱ１がオンすると、コンデンサＣ１から、トランジスタＱ１のエミッタ−コレクタ間及び抵抗器Ｒ２を経てコンデンサＣ１に戻る電流が流れ、抵抗器Ｒ２の両端間には、トランジスタＱ２をオンさせる向きの電圧降下が発生する。従って、トランジスタＱ２はオンする。
従って、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間が導通する。
【００５９】
以上説明した動作により、図１の構成の整流器ＲＥＣＴ１は整流を行う。整流器ＲＥＣＴ１がオフしているとき（すなわち、トランジスタＱ２がオフしているとき）、トランジスタＱ１及びＱ３もオフするので、トランジスタＱ１〜Ｑ３及び抵抗器Ｒ２〜Ｒ４は電力を消費しない。
また、整流器ＲＥＣＴ１がオフしているとき、トランジスタＱ４もオフするため、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに印加される電圧がトランジスタＱ５のベースの耐圧を超える大きさであっても、トランジスタＱ５は破壊の危険から保護される。
また、トランジスタＱ２がオンすれば、トランジスタＱ２のドレイン−ソース間のインピーダンスは十分小さくなって、両者間の電圧降下は十分低くなる。このため、トランジスタＱ２は、整流の対象である電力を実質的に消費しない。
【００６０】
なお、整流器ＲＥＣＴ１の構成は、上述のものに限られない。
例えば、トランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６の各々については、そのコレクタが接続されるべき個所にエミッタが接続され、エミッタが接続されるべき個所にコレクタが接続されていてもよい。
また、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１に代えて、コンデンサＣ１からトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタへと向かう向きに電流を流すための、任意の構成を有する定電流源が接続されていてもよい。
また、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１や定電流源に代えて、抵抗器が接続されていてもよい。
【００６１】
また、図１の構成の整流器ＲＥＣＴ１は、図３に示すように、電池Ｂを備えていてもよい。この場合、図示するように、電池Ｂの正極はトランジスタＱ１のエミッタ及びトランジスタＱ７のドレインに接続され、電池Ｂの負極はトランジスタＱ６のコレクタに接続される。
なお、図３に示すように、図１の整流器ＲＥＣＴ１が電池Ｂを備える場合は、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１、抵抗器Ｒ１及び充電用端子は不要である。
【００６２】
また、図４に示すように、整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ３及びＱ４がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ１、Ｑ５及びＱ６がいずれもＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ２がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。また、図４に示すように、トランジスタＱ７がｐチャネルＪＦＥＴより構成されていてもよい。
【００６３】
ただし、整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ３及びＱ４がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ１、Ｑ５及びＱ６がＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ２がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されている場合、図４に示すように、トランジスタＱ２のソースは整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されており、トランジスタＱ２のドレインは整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されるものとする。また、ダイオードＤ１と抵抗器Ｒ１とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ１のカソードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ１のアノードに近い方の端は、トランジスタＱ１のエミッタに接続されるものとする。
【００６４】
そして、図４に示す構成を有している整流器ＲＥＣＴ１と、図２に示すものと実質的に同一の交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚとを、図５に示すように接続したとする。すなわち、図４に示す整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ１のアノードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続したとする。
【００６５】
図４の整流器ＲＥＣＴ１と、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚとを、図５に示すように接続した場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位になると、交流電源ＡＣＶから、整流器ＲＥＣＴ１のカソード、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１及び負荷Ｚを経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００６６】
一方、整流器ＲＥＣＴ１の内部では、コンデンサＣ１及び／又は整流器ＲＥＣＴ１のカソードから、抵抗器Ｒ７、Ｒ８及びＲ１１、トランジスタＱ７のソース−ドレイン間を経て、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子及び／又はコンデンサＣ１へと至る電流が流れる。また、トランジスタＱ６のエミッタ−ベース間にも電流が流れる。この結果、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電位を基準とした場合のトランジスタＱ６のエミッタの電圧の値は、｛−Ｖｆ・（ｒ７＋ｒ８）／ｒ８｝にほぼ等しくなる。
【００６７】
トランジスタＱ６のエミッタの電圧はトランジスタＱ４のベースに印加され、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ１のアノードに対し正極性で、整流器ＲＥＣＴ１のアノードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧が（−Ｖｆ）を超える値であれば、トランジスタＱ４はオフする。
そして、トランジスタＱ４がオフすると、トランジスタＱ５、Ｑ３、Ｑ１及びＱ２もオフする。従って、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【００６８】
一方、整流器ＲＥＣＴ１のカソードが、整流器ＲＥＣＴ１のアノード及び充電用端子より低電位となると、ダイオードＤ１は逆バイアスされ、コンデンサＣ１の充電は行われなくなる。
【００６９】
一方、整流器ＲＥＣＴ１のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ１のアノードに対し負極性になり、整流器ＲＥＣＴ１のアノードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧が（−Ｖｆ）を下回ると、トランジスタＱ４はオンする。
そして、トランジスタＱ４がオンして抵抗器Ｒ９及びＲ６に電圧降下が生じ、トランジスタＱ５のベースがトランジスタＱ６のベースより高電位になると、トランジスタＱ５はオンする。すると、トランジスタＱ３、Ｑ１及びＱ２もオンし、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間が導通する。
【００７０】
以上説明した動作により、図４の構成の整流器ＲＥＣＴ１も整流を行い、整流器ＲＥＣＴ１がオフしているとき、トランジスタＱ１〜Ｑ３及び抵抗器Ｒ２〜Ｒ４は電力を消費しない。また、整流器ＲＥＣＴ１がオフしているとき、トランジスタＱ４もオフし、トランジスタＱ５は破壊の危険から保護される。また、トランジスタＱ２は、オンしているとき整流の対象である電力を実質的に消費しない。
なお、図４の構成において、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１に代えて、トランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタからコンデンサＣ１へと向かう向きに電流を流すための、任意の構成を有する定電流源が接続されていてもよい。
また、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５及びＱ６の各エミッタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１や定電流源に代えて、抵抗器が接続されていてもよい。
【００７１】
また、図４の構成の整流器ＲＥＣＴ１は、図６に示すように、電池Ｂを備えていてもよい。この場合、図示するように、電池Ｂの負極はトランジスタＱ１のエミッタ及びトランジスタＱ７のドレインに接続され、電池Ｂの正極は、トランジスタＱ６のコレクタに接続される。
なお、図６に示すように、図４の整流器ＲＥＣＴ１が電池Ｂを備える場合も、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１、抵抗器Ｒ１及び充電用端子は不要である。
【００７２】
また、整流器ＲＥＣＴ１は、整流する対象の電流の大きさがトランジスタＱ３のコレクタ−エミッタ間に流しうる電流の最大値以下であれば、図７や図８に示す構成を有していてもよい。
【００７３】
図７の構成は、図示するように、（ａ１）トランジスタＱ１及びＱ２と抵抗器Ｒ２〜Ｒ４とを備えず、（ａ２）トランジスタＱ３のエミッタが整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されており、トランジスタＱ３のコレクタが整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている、という各点を除いて、図１の構成と実質的に同一である。
図８の構成は、図示するように、（ｂ１）トランジスタＱ１及びＱ２と抵抗器Ｒ２〜Ｒ４とを備えず、（ｂ２）トランジスタＱ３のエミッタが整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されており、トランジスタＱ３のコレクタが整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている、という各点を除いて、図４の構成と実質的に同一である。
【００７４】
図７及び図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１においては、整流器ＲＥＣＴ１のアノードが整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位になってトランジスタＱ５がオフすれば、抵抗器Ｒ５の両端間に電圧降下が実質的に発生しなくなってトランジスタＱ３がオフすることにより、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間は実質的に遮断される。また、整流器ＲＥＣＴ１のアノードが整流器ＲＥＣＴ１のカソードより高電位になってトランジスタＱ５がオンすれば、抵抗器Ｒ５の両端間に電圧降下が発生してトランジスタＱ３がオンすることにより、整流器ＲＥＣＴ１のアノード−カソード間が導通する。
【００７５】
また、図１、図４、図７及び図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６のうち、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成されるものはｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。また、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成されるものは、ｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。
ただし、差動増幅回路を構成するトランジスタＱ５及びＱ６は、いずれもバイポーラトランジスタから構成されているか、又はいずれもエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴから構成されていることが望ましい。
また、図１の構成の整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ２はＮＰＮ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよく、また、図４の構成の整流器ＲＥＣＴ１のトランジスタＱ２はＰＮＰ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよい。
【００７６】
バイポーラトランジスタに代えてエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴを用いる場合、バイポーラトランジスタのベースが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるようにするものとする。また、バイポーラトランジスタのエミッタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるようにする。また、バイポーラトランジスタのコレクタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるようにするものとする。
一方、ＭＯＳＦＥＴに代えてバイポーラトランジスタを用いる場合、ＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのベースが接続されるようにするものとする。また、ＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのエミッタが接続されるようにする。また、ＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのコレクタが接続されるようにするものとする。
【００７７】
なお、図１又は図７の構成の整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを互いに接続する場合、図９に示すように、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続し、他方の極を整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に接続し、更に、交流電源ＡＣＶの当該他方の極を、外部の負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続してもよい。
【００７８】
整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図９に示すように接続した場合も、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソード及び充電用端子より低電位になる。
そして、交流電源ＡＣＶの両極のうち負荷Ｚに接続されている方の極から、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子、ダイオードＤ１、抵抗器Ｒ１、コンデンサＣ１及び整流器ＲＥＣＴ１のアノードを経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００７９】
また、図１又は図７の構成の整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを互いに接続する場合、図１０に示すように、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続し、他方の極を整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に接続し、更に、交流電源ＡＣＶの当該他方の極を、外部の負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続してもよい。
【００８０】
整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図１０に示すように接続された場合は、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている方の極が、他方の極に比べて高電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位になる。
一方、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になった場合、交流電源ＡＣＶの両極のうち負荷Ｚに接続されている方の極から、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子、ダイオードＤ１、コンデンサＣ１、トランジスタＱ２が備える寄生ダイオード及び整流器ＲＥＣＴ１のカソードを経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００８１】
もっとも、整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図１０に示すように接続された場合、コンデンサＣ１の充電は、整流器ＲＥＣＴ１がオンすべき期間（つまり、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている方の極が他方の極に比べて低電位である期間）に行われる。
そして、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に流れる電流は、トランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６のうちオンしているもののコレクタ−エミッタ間と、トランジスタＱ７のドレイン−ゲート間にも流れる。また、トランジスタＱ１のコレクタ−エミッタ間に電流を流す経路が断たれている状態では、抵抗器Ｒ２には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ２がオンすることはない。
従って、整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図１０に示すように接続された場合、図１及び図７の構成の整流器ＲＥＣＴ１は、必ずしもコンデンサＣ１を備える必要がない。
【００８２】
また、図４又は図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを互いに接続する場合も、図１０に示すように接続してよい。
整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図１０に示すように接続した場合も、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のカソードに接続されている方の極が、他方の極に比べて高電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソードより低電位になる。そして、交流電源ＡＣＶから、整流器ＲＥＣＴ１のカソード、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１を経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００８３】
また、図４又は図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを互いに接続する場合は、図９に示すように接続してもよい。
整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図９に示すように接続された場合は、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になった場合、整流器ＲＥＣＴ１のアノードは、整流器ＲＥＣＴ１のカソード及び充電用端子より低電位になる。
一方、交流電源ＡＣＶの両極のうち、整流器ＲＥＣＴ１のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて高電位になった場合、交流電源ＡＣＶから、整流器ＲＥＣＴ１のアノード、トランジスタＱ２の寄生ダイオード、コンデンサＣ１、ダイオードＤ１及び整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子を経て交流電源ＡＣＶに戻る電流が流れ、コンデンサＣ１が充電される。
【００８４】
もっとも、整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図９に示すように接続された場合も、コンデンサＣ１の充電は、整流器ＲＥＣＴ１がオンすべき期間に行われる。また、整流器ＲＥＣＴ１の充電用端子に流れる電流は、トランジスタＱ１及びＱ３〜Ｑ６のうちオンしているもののコレクタ−エミッタ間と、トランジスタＱ７のドレイン−ゲート間とにも流れる。また、トランジスタＱ１のコレクタ−エミッタ間に電流を流す経路が断たれた状態では、トランジスタＱ２はオンしない。従って、整流器ＲＥＣＴ１、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚが図９に示すように接続された場合、図４及び図８の構成の整流器ＲＥＣＴ１は、必ずしもコンデンサＣ１を備える必要がない。
【００８５】
（第２の実施の形態）
図１１は、この発明の第２の実施の形態に係る整流器ＲＥＣＴ２の構成を示す回路図である。図示するように、整流器ＲＥＣＴ２の構成は、
（ｃ１）トランジスタＱ３及び抵抗器Ｒ４を備えておらず、
（ｃ２）トランジスタＱ５及びＱ６がいずれもＮＰＮ型バイポーラトランジスタより構成されており、
（ｃ３）トランジスタＱ５のベースは、抵抗器Ｒ６を介してトランジスタＱ４のコレクタに接続されており、トランジスタＱ５のエミッタは、トランジスタＱ６のエミッタに接続されており、トランジスタＱ５のコレクタは、トランジスタＱ６のコレクタ及びトランジスタＱ７のゲートに接続されており、
（ｃ４）トランジスタＱ６のベースは、抵抗器Ｒ８を介してトランジスタＱ６自身のコレクタに接続されており、トランジスタＱ６のエミッタは、トランジスタＱ５のエミッタに接続されており、トランジスタＱ６のコレクタは、トランジスタＱ１のベースに接続されており、
（ｃ５）抵抗器Ｒ５は、トランジスタＱ５のエミッタとトランジスタＱ２のソースとの間に接続されており、
（ｃ６）抵抗器Ｒ７は、トランジスタＱ６のベース及びトランジスタＱ２のソースの間に接続されており、
（ｃ７）抵抗器Ｒ８は、トランジスタＱ６のベース及びトランジスタＱ５のコレクタの間に接続されており、
（ｃ８）抵抗器Ｒ９は、トランジスタＱ５のベース及びコレクタの間に接続されている、
という各点を除いて、図１の構成と実質的に同一である。
【００８６】
図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２を、図２に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚに接続したとする。すなわち、図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ２のカソードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ２のアノードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ２のカソードに接続したとする。
この場合において、整流器ＲＥＣＴ２のアノードが整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子より低電位になると、コンデンサＣ１が充電される。
【００８７】
一方、整流器ＲＥＣＴ２の内部では、整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子及び／又はコンデンサＣ１から、トランジスタＱ７のドレイン−ソース間、抵抗器Ｒ１１、Ｒ８及びＲ７を経てコンデンサＣ１及び／又は整流器ＲＥＣＴ２のアノードへと至る電流が流れる。また、トランジスタＱ６のベース−エミッタ間及び抵抗器Ｒ５にも電流が流れる。
【００８８】
トランジスタＱ５のコレクタの電圧は、抵抗器Ｒ１０を介してトランジスタＱ４のベースに印加される。そして、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ２のアノードに対し正極性で、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧がＶｆに至らない値であれば、トランジスタＱ４はオフする。
【００８９】
トランジスタＱ４がオフすると、抵抗器Ｒ６に実質的に電流が流れなくなるため、トランジスタＱ５のベースは、トランジスタＱ５自身のコレクタとほぼ同電位となり、トランジスタＱ５はオンする。すると、トランジスタＱ５と対をなして差動増幅回路を構成するトランジスタＱ６はオフする。
【００９０】
トランジスタＱ６がオフすると、抵抗器Ｒ３の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ１もオフする。トランジスタＱ１がオフすると、抵抗器Ｒ２の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ２もオフする。
従って、整流器ＲＥＣＴ２のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【００９１】
一方、整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子が、整流器ＲＥＣＴ２のアノードより低電位となると、ダイオードＤ１は逆バイアスされ、コンデンサＣ１の充電は行われなくなる。そして、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧がＶｆを超えると、トランジスタＱ４はオンする。すると、抵抗器Ｒ９及びＲ６に電圧降下が生じる結果、抵抗器Ｒ９及びＲ６の接続点に接続されているトランジスタＱ５のベースが、トランジスタＱ６のベースより低電位になって、トランジスタＱ５はオフし、トランジスタＱ６はオンする。
【００９２】
トランジスタＱ６がオンすると、コンデンサＣ１から、抵抗器Ｒ３、トランジスタＱ６のコレクタ及びエミッタ、抵抗器Ｒ５を経てコンデンサＣ１に戻る電流が流れる。このため、抵抗器Ｒ３の両端間には、トランジスタＱ１をオンさせる向きの電圧降下が発生し、トランジスタＱ１はオンする。トランジスタＱ１がオンすると、抵抗器Ｒ２の両端間にはトランジスタＱ２をオンさせる向きの電圧降下が発生し、トランジスタＱ２はオンする。
従って、整流器ＲＥＣＴ２のアノード−カソード間が導通する。
【００９３】
以上説明した動作により、図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２は整流を行う。整流器ＲＥＣＴ２がオフしているとき、トランジスタＱ１及びＱ２もオフするので、トランジスタＱ１、Ｑ２、抵抗器Ｒ２及びＲ３は電力を消費しない。また、整流器ＲＥＣＴ２がオフしているとき、トランジスタＱ４もオフするため、トランジスタＱ５は、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電圧による破壊の危険から保護される。また、トランジスタＱ２がオンすれば、トランジスタＱ２のドレイン−ソース間のインピーダンスは十分小さくなる。
【００９４】
なお、整流器ＲＥＣＴ２の構成も、上述のものに限られない。
例えば、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５のコレクタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１に代えて、コンデンサＣ１からトランジスタＱ５のコレクタへと向かう向きに電流を流すための、任意の構成を有する定電流源が接続されていてもよい。
また、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ５のコレクタとの間には、トランジスタＱ７及び抵抗器Ｒ１１や定電流源に代えて、抵抗器が接続されていてもよい。
【００９５】
また図１２に示すように、整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ４〜Ｑ６がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ１がＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ２がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。また、図１２に示すように、トランジスタＱ７がｐチャネルＪＦＥＴより構成されていてもよい。
【００９６】
ただし、整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ４〜Ｑ６がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ１がＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ２がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されている場合、図１２に示すように、トランジスタＱ２のソースは整流器ＲＥＣＴ２のカソードに接続されており、トランジスタＱ２のドレインは整流器ＲＥＣＴ２のアノードに接続されるものとする。また、ダイオードＤ１と抵抗器Ｒ１とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ１のカソードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ１のアノードに近い方の端は、トランジスタＱ１のエミッタに接続されるものとする。
【００９７】
そして、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２を、図５に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚに接続したとする。すなわち、図１２の整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ２のアノードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ２のカソードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ２のアノードに接続したとする。
【００９８】
この場合において、整流器ＲＥＣＴ２のアノードが整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子より低電位になると、コンデンサＣ１が充電される。また、抵抗器Ｒ７及びＲ８やトランジスタＱ６のエミッタ−ベース間にも電流が流れる。そして、整流器ＲＥＣＴ２のカソードの電圧が整流器ＲＥＣＴ２のアノードに対し正極性で、整流器ＲＥＣＴ２のアノードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧が（−Ｖｆ）を超える値であれば、トランジスタＱ４はオフする。
トランジスタＱ４がオフすると、トランジスタＱ５がオンしてトランジスタＱ６はオフする。トランジスタＱ６がオフするとトランジスタＱ１及びＱ２もオフし、従って、整流器ＲＥＣＴ２のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【００９９】
一方、整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子が、整流器ＲＥＣＴ２のアノードより低電位となると、ダイオードＤ１は逆バイアスされ、コンデンサＣ１の充電は行われなくなる。そして、整流器ＲＥＣＴ２のアノードの電位を基準としたトランジスタＱ４のベースの電圧が（−Ｖｆ）を下回ると、トランジスタＱ４はオンする。すると、抵抗器Ｒ９及びＲ６に電圧降下が生じ、トランジスタＱ５はオフし、トランジスタＱ６はオンする。トランジスタＱ６がオンすると、トランジスタＱ１及びＱ２もオンし、整流器ＲＥＣＴ２のアノード−カソード間が導通する。
以上説明した動作により、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２も整流を行う。
【０１００】
また、図１１及び図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ１及びＱ４〜Ｑ６のうち、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成されるものはｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。また、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成されるものは、ｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。
ただし、差動増幅回路を構成するトランジスタＱ５及びＱ６は、いずれもバイポーラトランジスタから構成されているか、又はいずれもエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴから構成されていることが望ましい。
また、図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ２はＮＰＮ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよく、また、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２のトランジスタＱ２はＰＮＰ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよい。
【０１０１】
バイポーラトランジスタに代えてエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴを用いる場合、バイポーラトランジスタのベースが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるようにするものとする。また、バイポーラトランジスタのエミッタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるようにする。また、バイポーラトランジスタのコレクタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるようにするものとする。
一方、ＭＯＳＦＥＴに代えてバイポーラトランジスタを用いる場合、ＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのベースが接続されるようにするものとする。また、ＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのエミッタが接続されるようにする。また、ＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのコレクタが接続されるようにするものとする。
【０１０２】
なお、図１１又は図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図９又は図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続してもよい。
【０１０３】
図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図９に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続し、又は、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続したとする。この場合は、交流電源ＡＣＶの両極のうち整流器ＲＥＣＴ２のカソードに接続されている方の極が他方の極に比べて高電位になったとき、又は、交流電源ＡＣＶの両極のうち整流器ＲＥＣＴ２のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になったとき、整流器ＲＥＣＴ２のアノードが整流器ＲＥＣＴ２のカソード及び充電用端子より低電位になり、また、コンデンサＣ１が充電される。
【０１０４】
一方、図１１の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続し、又は、図１２の構成の整流器ＲＥＣＴ２、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図９に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続したとする。この場合、コンデンサＣ１の充電は、整流器ＲＥＣＴ２がオンすべき期間に行われる。そして、整流器ＲＥＣＴ２の充電用端子に流れる電流は、トランジスタＱ１及びＱ４〜Ｑ６のうちオンしているもののコレクタ−エミッタ間と、トランジスタＱ７のドレイン−ゲート間とにも流れる。また、トランジスタＱ１のコレクタ−エミッタ間に電流を流す経路が断たれた状態ではトランジスタＱ２はオンしない。従って、この場合、図１１及び図１２の整流器ＲＥＣＴ２は、必ずしもコンデンサＣ１を備える必要がない。
【０１０５】
（第３の実施の形態）
図１３は、この発明の第３の実施の形態に係る整流器ＲＥＣＴ３の構成を示す回路図である。図示するように、整流器ＲＥＣＴ３は、トランジスタＱ８〜Ｑ１１と、ダイオードＤ２と、抵抗器Ｒ１２〜Ｒ１５と、コンデンサＣ２とより構成されている。
【０１０６】
トランジスタＱ９〜Ｑ１１は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタから構成されており、それぞれ、ベース、エミッタ及びコレクタを備える。トランジスタＱ８は、ｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成され、ゲート、ソース及びドレインを備える。
【０１０７】
トランジスタＱ８のゲートは、トランジスタＱ９のエミッタに接続されており、トランジスタＱ８のソースは、整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続されており、トランジスタＱ８のドレインは、整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続されている。
【０１０８】
トランジスタＱ９のベースは、トランジスタＱ１１のエミッタに接続されており、トランジスタＱ９のエミッタは、上述の通りトランジスタＱ８のゲートに接続されており、トランジスタＱ９のコレクタは、コンデンサＣ２の両端のうちトランジスタＱ８に接続されていない方の端に接続されている。
【０１０９】
トランジスタＱ１０のベースは、トランジスタＱ１１のベースに接続されており、トランジスタＱ１０のエミッタは、トランジスタＱ１０自身のベースに接続されており、トランジスタＱ１０のコレクタは、トランジスタＱ８のドレインに接続されている。
【０１１０】
トランジスタＱ１１のベースは、上述の通りトランジスタＱ１０のベースに接続されており、トランジスタＱ１１のエミッタは、上述の通りトランジスタＱ９のベースに接続されており、トランジスタＱ１１のコレクタは、トランジスタＱ８のソースに接続されている。
【０１１１】
ダイオードＤ２はアノード及びカソードを備え、抵抗器Ｒ１２とカスケードに接続されて直列回路を構成している。ダイオードＤ２と抵抗器Ｒ１２とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ２のアノードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ２のカソードに近い方の端は、トランジスタＱ９のコレクタに接続されている。
【０１１２】
抵抗器Ｒ１３は、トランジスタＱ８のゲート−ソース間にバイアス電圧を供給するためのもので、トランジスタＱ８のゲート及びソースの間に接続されている。
抵抗器Ｒ１４は、トランジスタＱ１０にベース電流及びコレクタ電流を供給するためのもので、トランジスタＱ１０のエミッタとトランジスタＱ９のコレクタとの間に接続されている。
抵抗器Ｒ１５は、トランジスタＱ１１にコレクタ電流を供給するためのもので、トランジスタＱ１１のエミッタとトランジスタＱ９のコレクタとの間に接続されている。
【０１１３】
コンデンサＣ２は、トランジスタＱ８のソースとトランジスタＱ９のコレクタとの間に接続されている。
【０１１４】
図１３の構成の整流器ＲＥＣＴ３を、図２に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚに接続したとする。すなわち、図１３の構成の整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ３のカソードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続したとする。
この場合において、整流器ＲＥＣＴ３のアノードが整流器ＲＥＣＴ３のカソード及び充電用端子より低電位になると、コンデンサＣ２が充電される。
【０１１５】
一方、トランジスタＱ１０がオンした場合は、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子及び／又はコンデンサＣ２から、抵抗器Ｒ１４、トランジスタＱ１０のベース−コレクタ間を、整流器ＲＥＣＴ３のカソード、負荷、交流電源ＡＣＶを経てコンデンサＣ２及び／又は整流器ＲＥＣＴ３のアノードへと至る電流が流れる。
また、トランジスタＱ１１がオンした場合は、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子及び／又はコンデンサＣ２から、抵抗器Ｒ１４、トランジスタＱ１１のベース−コレクタ間を経てコンデンサＣ２及び／又は整流器ＲＥＣＴ３のアノードへと至る電流が流れる。
【０１１６】
ただし、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧と、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧とのうち高い方の電圧は実質的にＶｆに等しくなる。このため、トランジスタＱ１０及びＱ１１のうち、各自のコレクタを基準としたベースの電圧が高い方がオンすれば、他方は、そのコレクタを基準としたベースの電圧がＶｆに達せず、従ってオフする。
【０１１７】
そして、整流器ＲＥＣＴ３のアノードが整流器ＲＥＣＴ３のカソード及び充電用端子より低電位になった場合は、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧は、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧より高くなる。従って、トランジスタＱ１１がオンして、トランジスタＱ１０はオフする。
【０１１８】
トランジスタＱ１１がオンすると、トランジスタＱ９のベースは整流器ＲＥＣＴ３のアノードと実質的に同電位になり、一方、トランジスタＱ９のエミッタは抵抗器Ｒ１３を介して整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続されている。このため、トランジスタＱ９のベースは、トランジスタＱ９自身のエミッタとほぼ同電位（又はトランジスタＱ９自身のエミッタより低電位）となる。従って、トランジスタＱ９はオフする。トランジスタＱ９がオフすると、抵抗器Ｒ１３の両端間には実質的に電圧降下が発生しないので、トランジスタＱ８もオフする。
従って、整流器ＲＥＣＴ３のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【０１１９】
そして、整流器ＲＥＣＴ３のアノードが整流器ＲＥＣＴ３のカソード及び充電用端子より高電位になった場合は、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧は、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧より高くなる。従って、トランジスタＱ１０がオンして、トランジスタＱ１１はオフする。
【０１２０】
トランジスタＱ１１がオフすると、コンデンサＣ２から、抵抗器Ｒ１５を経てトランジスタＱ９のベースへとベース電流が流れ、トランジスタＱ９はオンする。トランジスタＱ９がオンすると、抵抗器Ｒ１３の両端間には、トランジスタＱ８をオンさせる向きの電圧降下が発生し、トランジスタＱ８がオンする。
従って、整流器ＲＥＣＴ３のアノード−カソード間が導通する。
【０１２１】
以上説明した動作により、図１３の構成の整流器ＲＥＣＴ３は整流を行う。整流器ＲＥＣＴ３がオフしているとき、トランジスタＱ８及びＱ９がオフするので、トランジスタＱ８及びＱ９は電力を消費しない。
また、トランジスタＱ１０のエミッタがトランジスタＱ１０のコレクタに対し正極性である間は、トランジスタＱ１０のベース−コレクタ間の電位差はＶｆを超えないので、トランジスタＱ１０のベース及びコレクタの接合部は破壊されない。同様に、トランジスタＱ１１のエミッタがトランジスタＱ１０のコレクタに対し正極性である間は、トランジスタＱ１１のベース−コレクタ間の電位差はＶｆを超えないので、トランジスタＱ１１のベース及びコレクタの接合部は破壊されない。
また、トランジスタＱ１０のエミッタがトランジスタＱ１０のコレクタに対し負極性である間は、トランジスタＱ１０のベース−コレクタ間の電位差が、ベース及びコレクタの接合部の耐圧を超えない限り、この接合部は破壊されない。
従って、トランジスタＱ１０及びＱ１１は、整流器ＲＥＣＴ３のアノードやカソードの電圧による破壊の危険から保護される。また、トランジスタＱ８がオンすれば、トランジスタＱ８のドレイン−ソース間のインピーダンスは十分小さくなる。
【０１２２】
なお、整流器ＲＥＣＴ３の構成も、上述のものに限られない。
例えば、トランジスタＱ９〜Ｑ１１の各々については、そのコレクタが接続されるべき個所にエミッタが接続され、エミッタが接続されるべき個所にコレクタが接続されていてもよい。ただし、一般に、バイポーラトランジスタのコレクタ−ベース間の耐圧は、そのバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間の耐圧より高い。このため、トランジスタＱ１０及びＱ１１の各エミッタが整流器ＲＥＣＴ３のアノード及びカソードに接続されている構成より、トランジスタＱ１０及びＱ１１の各コレクタが整流器ＲＥＣＴ３のアノード及びカソードに接続されている構成の方が、一般に、トランジスタＱ１０及びＱ１１のコレクタ及びベースの接合部が破壊されにくい。
【０１２３】
また、図１３の整流器ＲＥＣＴ３は、図１４に示すように、ツェナーダイオードＤｚ１を備えていてもよい。
ツェナーダイオードＤｚ１はアノード及びカソードを備えている。ツェナーダイオードＤｚ１のアノードは、トランジスタＱ８のソースに接続され、ツェナーダイオードＤｚ１のカソードは、トランジスタＱ９のコレクタに接続される。
そして、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧は、Ｖｆより大きく、且つ、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧より小さい。
【０１２４】
図１４の構成においては、コンデンサＣ２が充電されると、コンデンサＣ２の両端のうちトランジスタＱ９に接続されている方の端には、他方の端に対して正極性の電圧が発生する。従って、図１４の構成において、ツェナーダイオードＤｚ１は、充電されたコンデンサＣ２が発生する電圧により逆バイアスされ、ツェナーダイオードＤｚ１の両端間の電圧（すなわち、コンデンサＣ２の両端間の電圧）は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下に保たれる。
一方、トランジスタＱ１１のコレクタはコンデンサＣ２に接続されており、また、トランジスタＱ１１のエミッタは、抵抗器Ｒ１５を介してコンデンサＣ２に接続されている。この結果、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の電圧は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下、すなわち、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧以下に保たれる。これにより、トランジスタＱ１１のベース及びエミッタの接合面の破壊が防止される。
【０１２５】
また、図１３の整流器ＲＥＣＴ３は、図１５に示すように、ツェナーダイオードＤｚ２を備えていてもよい。
ツェナーダイオードＤｚ２もアノード及びカソードを備え、ツェナーダイオードＤｚ２のアノードは、トランジスタＱ１１のコレクタに接続され、ツェナーダイオードＤｚ２のカソードは、トランジスタＱ１１のエミッタに接続される。
そして、ツェナーダイオードＤｚ２のツェナー電圧も、Ｖｆより大きく、且つ、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧より小さい。
【０１２６】
図１５の構成においては、トランジスタＱ１１がオフしているとき、トランジスタＱ１１のエミッタ−コレクタ間には、充電されたコンデンサＣ２が発生する電圧が印加され、トランジスタＱ１１のエミッタの電圧は、トランジスタＱ１１のコレクタに対して正極性となる。従ってツェナーダイオードＤｚ１は逆バイアスされ、ツェナーダイオードＤｚ１の両端間の電圧（すなわち、トランジスタＱ１１のコレクタ−エミッタ間の電圧）は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下に保たれる。この結果、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の電圧は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下、すなわち、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧以下に保たれる。これにより、トランジスタＱ１１のベース及びエミッタの接合面の破壊が防止される。
なお、図１３の整流器ＲＥＣＴ３は、図１４に示すツェナーダイオードＤｚ１と図１５に示すツェナーダイオードＤｚ２とを両方備えていてもよい。
【０１２７】
また、図１６に示すように、整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ９〜Ｑ１１がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ８がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。
【０１２８】
ただし、整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ９〜Ｑ１１がＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ８がｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されている場合、図１６に示すように、トランジスタＱ８のソースは整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続されており、トランジスタＱ８のドレインは整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続されるものとする。また、ダイオードＤ２と抵抗器Ｒ１２とより構成される直列回路の両端のうち、ダイオードＤ２のカソードに近い方の端は整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子に接続されており、ダイオードＤ２のアノードに近い方の端は、トランジスタＱ９のコレクタに接続されるものとする。
【０１２９】
そして、図１６の構成の整流器ＲＥＣＴ３を、図５に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚに接続したとする。すなわち、図１６の整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子と整流器ＲＥＣＴ３のアノードとを互いに接続し、交流電源ＡＣＶの出力端の一方の極を整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続し、他方の極を、負荷Ｚを介して整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続したとする。この場合、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより低電位になると、コンデンサＣ２が充電される。
【０１３０】
一方、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより高電位になりトランジスタＱ１０がオンした場合は、コンデンサＣ２及び／又は整流器ＲＥＣＴ３のカソードから、交流電源ＡＣＶ、負荷Ｚ、整流器ＲＥＣＴ３のアノード、トランジスタＱ１０のコレクタ−ベース間及び抵抗器Ｒ１４を経て、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子及び／又はコンデンサＣ２へと至る電流が流れる。
また、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより低電位になりトランジスタＱ１１がオンした場合は、コンデンサＣ２及び／又は整流器ＲＥＣＴ３のカソードから、トランジスタＱ１０のコレクタ−ベース間及び抵抗器Ｒ１４を経て、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子及び／又はコンデンサＣ２へと至る電流が流れる。
【０１３１】
ただし、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧と、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧とのうち低い方の電圧は実質的に（−Ｖｆ）に等しくなる。このため、トランジスタＱ１０及びＱ１１のうち、各自のコレクタを基準としたベースの電圧が低い方がオンすれば、他方は、そのコレクタを基準としたベースの電圧が（−Ｖｆ）を超え、従ってオフする。
【０１３２】
そして、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより低電位になった場合は、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧は、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧より低くなる。従って、トランジスタＱ１１がオンして、トランジスタＱ１０はオフする。
トランジスタＱ１１がオンすると、トランジスタＱ９のベースは、トランジスタＱ９自身のエミッタとほぼ同電位（又はトランジスタＱ９自身のエミッタより高電位）となり、トランジスタＱ９はオフする。すると、トランジスタＱ８もオフする。従って、整流器ＲＥＣＴ３のアノード−カソード間は実質的に遮断される。
【０１３３】
一方、整流器ＲＥＣＴ３のアノード及び充電用端子が整流器ＲＥＣＴ３のカソードより高電位になった場合は、トランジスタＱ１０のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１０のベースの電圧は、トランジスタＱ１１のコレクタを基準とした場合のトランジスタＱ１１のベースの電圧より低くなる。従って、トランジスタＱ１０がオンして、トランジスタＱ１１はオフする。
トランジスタＱ１１がオフすると、トランジスタＱ９のベースへとベース電流が流れ、トランジスタＱ９はオンする。すると、抵抗器Ｒ１３の両端間には、トランジスタＱ８をオンさせる向きの電圧降下が発生し、トランジスタＱ８がオンする。従って、整流器ＲＥＣＴ３のアノード−カソード間が導通する。
以上説明した動作により、図１６の構成の整流器ＲＥＣＴ３も整流を行う。
【０１３４】
また、図１７に示すように、図１４の構成の整流器ＲＥＣＴ３においても、トランジスタＱ９〜Ｑ１１はＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ８はｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。ただし、この場合、図１７に示すように、ツェナーダイオードＤｚ１のアノードは、トランジスタＱ９のコレクタに接続され、ツェナーダイオードＤｚ１のカソードは、トランジスタＱ８のソースに接続されるものとする。
【０１３５】
図１７の構成においては、コンデンサＣ２が充電されると、コンデンサＣ２の両端のうちトランジスタＱ９に接続されている方の端には、他方の端に対して負極性の電圧が発生する。このため、ツェナーダイオードＤｚ１が逆バイアスされ、コンデンサＣ２の両端間の電圧は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下（つまり、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧以下）に保たれる。これにより、トランジスタＱ１１のベース及びエミッタの接合面の破壊が防止される。
【０１３６】
また、図１８に示すように、図１５の構成の整流器ＲＥＣＴ３においても、トランジスタＱ９〜Ｑ１１はＰＮＰ型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタＱ８はｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴより構成されていてもよい。ただし、この場合、図１８に示すように、ツェナーダイオードＤｚ２のアノードは、トランジスタＱ１１のエミッタに接続され、ツェナーダイオードＤｚ２のカソードは、トランジスタＱ１１のコレクタに接続される。
【０１３７】
図１８の構成においては、トランジスタＱ１１がオフしているとき、トランジスタＱ１１のエミッタの電圧は、トランジスタＱ１１のコレクタに対して負極性となる。従ってツェナーダイオードＤｚ１は逆バイアスされ、トランジスタＱ１１のコレクタ−エミッタ間の電圧は、ツェナーダイオードＤｚ１のツェナー電圧以下（つまり、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間の耐圧以下）に保たれる。これにより、トランジスタＱ１１のベース及びエミッタの接合面の破壊が防止される。
なお、図１８の整流器ＲＥＣＴ３は、図１７に示すツェナーダイオードＤｚ１と図１８に示すツェナーダイオードＤｚ２とを両方備えていてもよい。
【０１３８】
また、図１３〜図１５の整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ９はｎチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよく、また、図１６〜図１８の整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ９はｐチャネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴに置き換えられてもよい。
また、図１３〜図１５の構成の整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ８はＮＰＮ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよく、また、図１６〜図１８の構成の整流器ＲＥＣＴ３のトランジスタＱ２はＰＮＰ型バイポーラトランジスタに置き換えられてもよい。
バイポーラトランジスタに代えてエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴを用いる場合、バイポーラトランジスタのベースが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるようにするものとする。また、バイポーラトランジスタのエミッタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるようにする。また、バイポーラトランジスタのコレクタが接続されるべき箇所にはＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるようにするものとする。
一方、ＭＯＳＦＥＴに代えてバイポーラトランジスタを用いる場合、ＭＯＳＦＥＴのゲートが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのベースが接続されるようにするものとする。また、ＭＯＳＦＥＴのソースが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのエミッタが接続されるようにする。また、ＭＯＳＦＥＴのドレインが接続されるべき箇所にはバイポーラトランジスタのコレクタが接続されるようにするものとする。
【０１３９】
なお、図１３〜図１５又は図１６〜図１８の構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図９又は図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続してもよい。
【０１４０】
図１３〜図１５のいずれかの構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図９に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続し、又は、図１６〜図１８のいずれかの構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続したとする。この場合は、交流電源ＡＣＶの両極のうち整流器ＲＥＣＴ３のカソードに接続されている方の極が他方の極に比べて高電位になったとき、又は、交流電源ＡＣＶの両極のうち整流器ＲＥＣＴ３のアノードに接続されている方の極が、他方の極に比べて低電位になったとき、整流器ＲＥＣＴ３のアノードが整流器ＲＥＣＴ３のカソード及び充電用端子より低電位になり、また、コンデンサＣ２が充電される。
【０１４１】
一方、図１３〜図１５のいずれかの構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを、図１０に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続し、又は、図１６〜図１８のいずれかの構成の整流器ＲＥＣＴ３、交流電源ＡＣＶ及び負荷Ｚを図９に示す接続関係と実質的に同一の接続関係を有するようにして接続したとする。この場合、コンデンサＣ２の充電は、整流器ＲＥＣＴ３がオンすべき期間に行われる。そして、整流器ＲＥＣＴ３の充電用端子に流れる電流は、トランジスタＱ９〜Ｑ１１のうちオンしているもののコレクタ−エミッタ間にも流れる。また、トランジスタＱ９のコレクタ−エミッタ間に電流を流す経路が断たれた状態では、抵抗器Ｒ１３には実質的に電圧降下が発生せず、トランジスタＱ８はオンしない。従って、この場合、図１３及び図１６の整流器ＲＥＣＴ３は、必ずしもコンデンサＣ２を備える必要がない。
【０１４２】
（第４の実施の形態）
次に、この発明の第４の実施の形態にかかる整流回路を図１９に示す。
この整流回路は、図示するように、整流器Ｒａ及びＲｂと、変成器Ｔ１とより構成される。
整流器Ｒａ及びＲｂは、いずれも、図１及び図７に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１１に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１３に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有し、それぞれ、アノード、カソード及び充電用端子を備える。
【０１４３】
整流器Ｒａ及びＲｂの各アノードは、変成器Ｔ１の後述の二次巻線の両端に１対１に接続されている。整流器Ｒａ及びＲｂの各カソードは互いに接続され、この整流回路の電源出力端の正極をなす。整流器Ｒａ及びＲｂの各充電用端子は、いずれも変成器Ｔ１の後述する中点タップに接続されている。
【０１４４】
変成器Ｔ１は、互いに誘導結合された一次巻線及び二次巻線を備え、二次巻線のほぼ中点には、中点タップが設けられている。変成器Ｔ１の一次巻線の両端はこの整流回路の電源入力端の両極をなす。変成器Ｔ１の二次巻線の両端は、上述の通り、整流器Ｒａ及びＲｂの各アノードに、１対１に接続されている。二次巻線の中点タップは、この整流回路の電源出力端の負極をなす。
【０１４５】
この整流回路の電源出力端の正極と負極との間に外部の負荷Ｚを接続し、電源入力端の両極間に、整流する対象の単相交流電圧を供給する交流電源ＡＣＶを接続したとする。この場合、この整流回路の変成器Ｔ１の二次巻線の両端には、交流電源ＡＣＶが供給する単相交流電圧に実質的に比例した振幅の単相交流電圧が発生し、二次巻線の各極は、二次巻線の中点タップの電位を基準とした極性を交互に反転させる。
【０１４６】
そして、変成器Ｔ１の二次巻線の両端のうち、整流器Ｒａのアノードに接続されている方の電圧が、二次巻線の中点タップの電位に対し正極性となったとする。このとき、整流器Ｒａのカソードは、負荷を介して二次巻線の中点タップに接続されているので、整流器Ｒａのアノードは、整流器Ｒａのカソードより高電位となる。従って、整流器Ｒａのアノード−カソード間は導通し、変成器Ｔ１の二次巻線のうち整流器Ｒａのアノードに接続されている方の端から、整流器Ｒａのアノード及びカソード、負荷Ｚを順に経て変成器Ｔ１の二次巻線の中点タップに至る電流が流れる。
しかし、整流器Ｒａの充電用端子に印加されている中点タップの電圧は、整流器Ｒａのアノードの電位に対して負極性である。従って、整流器Ｒａが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）の充電は行われない。
【０１４７】
一方、変成器Ｔ１の二次巻線の両端のうち整流器Ｒａのアノードに接続されている方の電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し正極性となったとき、二次巻線の他方の端は、中点タップの電位に対して負極性となる。そして、整流器Ｒｂのカソードは、負荷を介して二次巻線の中点タップに接続されているので、整流器Ｒｂのアノードは、整流器Ｒｂのカソードより低電位となる。従って、整流器Ｒｂのアノード−カソード間は実質的に遮断される。
しかし、整流器Ｒｂの充電用端子に印加されている中点タップの電圧は、整流器Ｒｂのアノードの電位に対して正極性である。従って、整流器Ｒａが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
【０１４８】
逆に、変成器Ｔ１の二次巻線の両端のうち、整流器Ｒａのアノードに接続されている方の電圧が、二次巻線の中点タップの電位に対し負極性となった場合、整流器Ｒａのアノードは整流器Ｒａのカソードより低電位となり、整流器Ｒｂのアノードは整流器Ｒｂのカソードより高電位となる。
従って、整流器Ｒｂのアノード−カソード間は導通し、変成器Ｔ１の二次巻線のうち整流器Ｒｂのアノードに接続されている方の端から、整流器Ｒｂのアノード及びカソード、外部の負荷を順に経て変成器Ｔ１の二次巻線の中点タップに至る電流が流れる。ただし整流器ＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）の充電は行われない。
一方、整流器Ｒａのアノード−カソード間は実質的に遮断され、整流器ＲａのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
【０１４９】
以上の動作が繰り返されることにより、図１９の整流回路は、全波整流を行う。図１９の整流回路においては、整流する対象の単相交流電圧が電源入力端に印加された結果変成器Ｔ１の二次巻線に生じる電圧が、整流器Ｒａ及びＲｂが備えるコンデンサＣ１又はＣ２を充電するための電圧として、整流器Ｒａ及びＲｂに供給される。
【０１５０】
なお、この整流回路の構成も、上述のものに限られない。
たとえば、この整流回路は、図２０に示す構成を有していてもよい。
図２０に示す整流回路の構成は、図示するように、整流器Ｒａの充電用端子が整流器Ｒｂのアノードに接続され、整流器Ｒｂの充電用端子が整流器Ｒａのアノードに接続されている点を除いて、図１９に示す構成と実質的に同一である。
【０１５１】
図２０の構成においても、整流器Ｒａのアノードの電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し正極性となると、整流器Ｒａの充電用端子の電圧は、整流器Ｒａのアノードの電位に対して負極性となり、また整流器Ｒｂの充電用端子の電圧は、整流器Ｒｂのアノードの電位に対して正極性となる。従って、整流器Ｒａのアノード−カソード間が導通して整流器Ｒｂのアノード−カソード間が遮断される間、整流器Ｒｂが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
一方で、整流器Ｒａのアノードの電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し負極性となると、整流器Ｒａの充電用端子の電圧は、整流器Ｒａのアノードの電位に対して正極性となり、また整流器Ｒｂの充電用端子の電圧は、整流器Ｒｂのアノードの電位に対して負極性となる。従って、整流器Ｒｂのアノード−カソード間が導通して整流器Ｒａのアノード−カソード間が遮断される間、整流器Ｒａが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
従って、図２０の整流回路も全波整流を行い、また変成器Ｔ１の二次巻線に生じる電圧により、整流器Ｒａ及びＲｂが備えるコンデンサＣ１又はＣ２が充電される。
【０１５２】
図２０の構成で、整流器Ｒａ及びＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）に充電時に印加される電圧は、変成器Ｔ１の二次巻線の両端間に生じる交流電圧の振幅が等しければ図１９の構成の整流器Ｒａ及びＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）に充電時に印加される電圧より高い。従って、図２０の構成では、図１９の構成に比べ、コンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が効率的に充電される。
【０１５３】
なお、図１９及び図２０の構成において、整流器Ｒａ及びＲｂは、いずれも、図４及び図８に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１２に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１６に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有していてもよい。この場合、整流器Ｒａ及びＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）の充電は、各自が属する整流器がオンすべき期間に行われるので、整流器Ｒａ及びＲｂは、必ずしもコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）を備える必要がない。
【０１５４】
また、整流器Ｒａ及びＲｂは、いずれも、図４及び図８に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１２に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１６に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有している場合、この整流回路は、たとえば図２１あるいは図２２に示す構成を有していればよい。
【０１５５】
図２１の構成は、図示するように、（ｄ１）整流器Ｒａ及びＲｂの各カソードが、変成器Ｔ１の二次巻線の両端に１対１に接続されており、（ｄ２）整流器Ｒａ及びＲｂの各アノードが互いに接続されてこの整流回路の電源出力端の負極をなしており、（ｄ３）変成器Ｔ１の二次巻線の中点タップがこの整流回路の電源出力端の正極をなしている、という点を除き、図１９の構成と実質的に同一である。
また、図２２の構成は、図示するように、（ｄ１）〜（ｄ３）として上述した点を除き、図２０の構成と実質的に同一である。
【０１５６】
図２１や図２２の整流回路においては、整流器Ｒａのカソードの電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し負極性となると、整流器Ｒａの充電用端子の電圧は、整流器Ｒａのカソードの電位に対して正極性となり、また整流器Ｒｂの充電用端子の電圧は、整流器Ｒｂのカソードの電位に対して負極性となる。従って、整流器Ｒａのアノード−カソード間が導通して整流器Ｒｂのアノード−カソード間が遮断される間、整流器Ｒｂが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
一方で、整流器Ｒａのカソードの電圧が二次巻線の中点タップの電位に対し正極性となると、整流器Ｒａの充電用端子の電圧は、整流器Ｒａのカソードの電位に対して負極性となり、また整流器Ｒｂの充電用端子の電圧は、整流器Ｒｂのカソードの電位に対して正極性となる。従って、整流器Ｒｂのアノード−カソード間が導通して整流器Ｒａのアノード−カソード間が遮断される間、整流器Ｒａが備えるコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
【０１５７】
なお、図２１及び図２２の構成において、整流器Ｒａ及びＲｂは、いずれも、図１及び図７に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１１に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１３に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有していてもよい。この場合、整流器Ｒａ及びＲｂのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）の充電は、各自が属する整流器がオンすべき期間に行われるので、整流器Ｒａ及びＲｂは、必ずしもコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）を備える必要がない。
【０１５８】
（第５の実施の形態）
次に、この発明の第５の実施の形態にかかる整流回路を図２３に示す。
この整流回路は、図示するように、整流器Ｒｃ及びＲｄと、変成器Ｔ２と、コイルＬとより構成される。
整流器Ｒｃ及びＲｄは、いずれも、図１及び図７に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１１に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１３に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有し、それぞれ、アノード、カソード及び充電用端子を備える。
【０１５９】
整流器Ｒｃ及びＲｄの各アノードは、変成器Ｔ２の後述の二次巻線の両端に１対１に接続されている。整流器Ｒｃ及びＲｄの各カソードと、整流器Ｒｃ及びＲｄの各充電用端子と、コイルＬの一端とは互いに接続されている。なお、コイルＬの他端は、この整流回路の電源出力端の正極をなす。
【０１６０】
変成器Ｔ２は、互いに誘導結合された一次巻線及び二次巻線を備えている。変成器Ｔ２の一次巻線の両端はこの整流回路の入力端の両極をなす。変成器Ｔ２の二次巻線の両端は、上述の通り、整流器Ｒｃ及びＲｄの各アノードに、１対１に接続されている。そして、二次巻線の両端のうち、整流器Ｒｄに接続されているほうの端は、この整流回路の電源出力端の負極をなす。
【０１６１】
この整流回路の電源出力端の正極と負極との間に負荷Ｚを接続し、電源入力端の両極間に交流電源ＡＣＶを接続して、交流電源ＡＣＶが単相交流電圧を供給したとする。
【０１６２】
この場合、変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｃに接続されているほうの端が他方の端より高電位になると、整流器Ｒｃのアノードは整流器Ｒｃのカソード及び充電用端子より高電位となって、整流器Ｒｃのアノード−カソード間は導通する。従って、変成器Ｔ２の二次巻線から、整流器Ｒｃ、コイルＬ、負荷Ｚを順に経て変成器Ｔ２の二次巻線に戻る電流が流れる。そして、この整流回路の電源出力端の正極は負極の電位に対し正極の電圧となる。
一方、整流器Ｒｄのアノードは整流器Ｒｄのカソード及び充電用端子より低電位となって、整流器Ｒｄのアノード−カソード間は実質的に遮断され、整流器ＲｄのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
【０１６３】
この場合、変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｃに接続されているほうの端が他方の端より低電位になると、整流器Ｒｃのアノードは整流器Ｒｃのカソード及び充電用端子より低電位となって、整流器Ｒｃのアノード−カソード間は遮断される。そして、整流器ＲｃのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
一方、コイルＬの両端には、この整流回路の電源出力端の正極に接続された方の端が他方の端に対して正極性となるような向きの逆起電力が発生する。このため、整流器Ｒｄのアノードが整流器Ｒｄのカソード及び充電用端子より高電位となって、整流器Ｒｄのアノード−カソード間は導通する。従って、コイルＬから、負荷Ｚ及び整流器Ｒｄのアノード−カソード間を順に経てコイルＬに戻る電流が流れる。そして、この整流回路の電源出力端の正極は負極の電位に対し正極の電圧を保つ。
【０１６４】
以上の動作が繰り返されることにより、図２３の整流回路は、負荷に、極性が一定の電力を供給する。図２３の整流回路では、変成器Ｔ２の二次巻線に生じる電圧や、コイルＬに生じた逆起電力による電圧が、整流器Ｒｃ及びＲｄが備えるコンデンサＣ１又はＣ２を充電するための電圧として、整流器Ｒｃ及びＲｄに供給される。
【０１６５】
なお、この整流回路の構成も、上述のものに限られない。
たとえば、この整流回路は、図２４に示す構成を有していてもよい。
図２４に示す整流回路の構成は、図示するように、整流器Ｒｄの充電用端子が電源出力端の正極に接続されている点を除いて、図２３に示す構成と実質的に同一である。また、図２４の構成の動作は、図２３の構成の動作と実質的に同一である。
【０１６６】
また、整流器Ｒｃ及びＲｄは、いずれも、図４及び図８に示す整流器ＲＥＣＴ１、図１２に示す整流器ＲＥＣＴ２、図１６に示す整流器ＲＥＣＴ３のうちいずれかと実質的に同一の構成を有していてもよい。この場合、この整流回路は、たとえば図２５あるいは図２６に示す構成を有していればよい。
【０１６７】
図２５の構成は、図示するように、（ｅ１）整流器Ｒｃ及びＲｄの各カソードが、変成器Ｔ２の二次巻線の両端に１対１に接続されており、（ｅ２）整流器Ｒｃ及びＲｄの各アノード及び各充電用端子と、コイルＬの一端が互いに接続されていて、コイルＬの他端がこの整流回路の電源出力端の負極をなしており、（ｅ３）変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｄに接続されている方の端がこの整流回路の電源出力端の正極をなしている、という点を除き、図２３の構成と実質的に同一である。
また、図２６の構成は、図示するように、（ｅ１）〜（ｅ３）として上述した点を除き、図２４の構成と実質的に同一である。
【０１６８】
図２５や図２６の構成の整流回路の電源出力端の正極と負極との間に負荷Ｚを接続し、電源入力端の両極間に交流電源ＡＣＶを接続して、交流電源ＡＣＶが単相交流電圧を供給した場合、変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｃに接続されているほうの端が他方の端より低電位になると、整流器Ｒｃのアノード−カソード間は導通し、変成器Ｔ２の二次巻線から、負荷Ｚ、コイルＬ及び整流器Ｒｃを順に経て変成器Ｔ２の二次巻線に戻る電流が流れる。一方、整流器Ｒｄのアノード−カソード間は実質的に遮断され、整流器ＲｄのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。
また、変成器Ｔ２の二次巻線の両端のうち整流器Ｒｃに接続されている方の端が他方の端より高電位になると、整流器Ｒｃのアノード−カソード間は遮断される。そして、整流器ＲｃのコンデンサＣ１（又はコンデンサＣ２）が充電される。一方、コイルＬの両端には、この整流回路の電源出力端の負極に接続された方の端が他方の端に対して負極性となるような向きの逆起電力が発生する。このため整流器Ｒｄのアノード−カソード間は導通し、コイルＬから、整流器Ｒｄのアノード−カソード間及び負荷Ｚを順に経てコイルＬに戻る電流が流れる。
以上の動作が繰り返されることにより、図２５及び図２６の整流回路は、負荷に、極性が一定の電力を供給する。
【０１６９】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、オン及びオフのタイミングが正確に決められる整流器及び整流装置や、耐圧が大きい整流器及び整流装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る整流器の構成を示す回路図である。
【図２】図１の整流器と交流電源と負荷との接続関係を示す回路図である。
【図３】図１の整流器の変形例を示す回路図である。
【図４】図１の整流器の変形例を示す回路図である。
【図５】図４の整流器と交流電源と負荷との接続関係を示す回路図である。
【図６】図４の整流器の変形例を示す回路図である。
【図７】図１の整流器の変形例を示す回路図である。
【図８】図４の整流器の変形例を示す回路図である。
【図９】図１又は図７の整流器と交流電源と負荷との接続関係を示す回路図である。
【図１０】図４又は図８の整流器と交流電源と負荷との接続関係を示す回路図である。
【図１１】この発明の第２の実施の形態に係る整流器の構成を示す回路図である。
【図１２】図１１の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１３】この発明の第３の実施の形態に係る整流器の構成を示す回路図である。
【図１４】図１３の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１５】図１３の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１６】図１３の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１７】図１６の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１８】図１６の整流器の変形例を示す回路図である。
【図１９】この発明の第４の実施の形態に係る整流回路の構成を示す回路図である。
【図２０】図１９の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２１】図１９の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２２】図２１の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２３】この発明の第５の実施の形態に係る整流回路の構成を示す回路図である。
【図２４】図２３の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２５】図２３の整流回路の変形例を示す回路図である。
【図２６】図２４の整流回路の変形例を示す回路図である。
【符号の説明】
ＲＥＣＴ１〜ＲＥＣＴ３、Ｒａ〜Ｒｄ 整流器
Ｑ１〜Ｑ１１ トランジスタ
Ｄ１、Ｄ２ ダイオード
Ｄｚ１、Ｄｚ２ ツェナーダイオード
Ｒ１〜Ｒ１５ 抵抗器
Ｃ１、Ｃ２ コンデンサ
Ｔ１、Ｔ２ 変成器
Ｌ コイル
ＡＣＶ 交流電源
Ｚ 負荷
Claims (19)
- 第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備える、
ことを特徴とする整流器。 - 前記第１の電流路制御手段は、前記第１の電流路の一端と前記第１の制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御するものであり、
前記分圧手段は、前記第２の電流路の前記他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間に接続された電位差検出用の負荷を備えており、
前記第１の電流路の前記一端及び前記第１の制御端は、前記電位差検出用の負荷の両端に一対一に接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の整流器。 - 前記第１の電流路に直列に接続された電流検出用の負荷を備え、
前記第２の電流路制御手段は第２の制御端を備え、前記第２の電流路のいずれかの端と前記第２の制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御するものであり、前記第２の電流路のいずれかの端及び前記第２の制御端は、前記電流検出用の負荷の両端に一対一に接続されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の整流器。 - 前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、ベースから構成される前記制御端と、エミッタ及びコレクタを両端とする前記電流路とを備えるバイポーラトランジスタから構成される、
ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の整流器。 - 前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、ゲートから構成される前記制御端と、ソース及びドレインを両端とする前記電流路とを備える電界効果トランジスタから構成される、
ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の整流器。 - 電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する第１の分圧手段と、を備え、
前記第１の電流路の前記他端は前記第２の電流路の一端に接続されており、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備える、
ことを特徴とする整流器。 - 前記第２の電流路制御手段は、
前記電流源と前記第２の電流路の他端との間に接続された参照用負荷と、
前記第１の制御端と、第２の制御端と、前記第２の電流路とを備え、前記第１の制御端に印加された電圧及び前記第２の制御端に印加された電圧の大小関係を判別して、判別結果に基づき、前記第２の電流路を断続制御する比較制御手段と、
前記参照用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第２の制御端に印加する第２の分圧手段と、を備える、
ことを特徴とする請求項６に記載の整流器。 - 前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、ベースから構成される前記制御端と、エミッタ及びコレクタを両端とする前記電流路とを備えるバイポーラトランジスタから構成される、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の整流器。 - 前記第１及び第２の電流路制御手段のうち少なくとも一方は、ゲートから構成される前記第１の制御端と、ソース及びドレインを両端とする前記電流路とを備える電界効果トランジスタから構成される、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の整流器。 - 前記電流源は、外部より供給される電流により充電されるキャパシタから構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の整流器。 - 第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
外部より供給される電流により充電されるキャパシタより構成され、前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
前記第１の電流路の前記一端は前記第４の電流路の一端に接続されており、
前記第２の電流路の前記一端は前記第４の電流路の他端に接続されており、
前記第１及び第２の電流路制御素子は、前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路を実質的に導通させるように、前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
前記第３及び第４の電流路制御素子は、前記第２の電流路に電流が流れたとき、前記第４の電流路を実質的に導通させるように、前記第３及び第４の電流路を断続制御する、
ことを特徴とする整流器。 - 前記第２の電流路制御素子は、第２の制御端の電位を、前記第２の電流路の両端の一方の電位以上且つ他方の電位以下に保つものであり、
前記第２の電流路の両端間の電圧を、前記第２の電流路の各端と前記第２の制御端との間の耐圧以下に規制する手段を備える、
ことを特徴とする請求項１１に記載の整流器。 - 前記第２の電流路制御素子は、第２の制御端の電位を、前記第２の電流路の両端の一方の電位以上且つ他方の電位以下に保つものであり、
前記キャパシタの両端間の電圧を、前記第２の電流路の各端と前記第２の制御端との間の耐圧以下に規制する手段を備える、
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の整流器。 - 互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
各前記整流器の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
各前記整流器の電流源は、自己を含まない整流器の前記第２の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を、自己を含む整流器の前記第１の電流路に供給する手段を備え、
各前記整流器の前記第２の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第２の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする整流装置。 - 互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記制御端に印加する分圧手段と、を備え、
各前記整流器の第１の電流路の前記他端は当該整流器の第２の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、当該整流器の第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき当該第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
各前記整流器の分圧手段は、当該整流器の第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、当該第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
各前記整流器の電流源は、自己を含まない整流器の前記第２の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を供給する手段を備え、
各前記整流器の前記第２の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第２の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする整流装置。 - 互いに実質的に逆相の１対の交流電圧が供給されたとき、これらの交流電圧をそれぞれ半波整流し、半波整流により得られた互いに実質的に逆相の電圧を重畳して出力することにより前記交流電圧を全波整流する整流装置であって、
１対の整流器を備え、各々の前記整流器は、
第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
各前記整流器の前記第１の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の前記第２の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の他端に接続されており、
各前記整流器の前記第１及び第２の電流路制御素子は、当該整流器の前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき当該整流器の前記第１の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
各前記整流器の基準電位源は、自己を含まない整流器の前記第４の電流路に前記所定の向きと反対の向きの電圧が印加されているとき当該電圧により発生する電流を、自己を含む整流器の前記第１乃至第３の電流路に供給する手段を備え、各前記整流器の前記第３及び第４の電流路制御素子は、当該整流器の第２の電流路に電流が流れたとき、当該整流器の第４の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の第３及び第４の電流路を断続制御し、
各前記整流器の前記第４の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第４の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流す、
ことを特徴とする整流装置。 - 外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
第１の制御端及び第１の電流路を備え、前記第１の制御端の電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御手段と、
前記第１の電流路に電流を供給する電流源と、
第２の電流路を備え、前記第１の電流路に流れる電流を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
一対の出力端を備え、前記出力端の一方が前記第２の電流路の一端に接続され、前記一対の出力端間に基準電圧を発生する基準電圧源と、
前記第２の電流路の他端と前記基準電圧源の出力端の前記他端との間の電位差を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
前記第１及び第２の整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、前記第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき前記第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１及び第２の整流器の分圧手段は、前記第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、前記第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１の電流路に供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、
前記第２の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする整流装置。 - 外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
電流を供給する電流源と、
一端が電位差検出用の負荷を介して前記電流源に接続された第１の電流路を備え、前記第１の電流路の他端の電圧を検知し、検知した結果に従って前記第１の電流路を断続制御することにより、前記電流源から前記第１の電流路へと供給される電流を断続する第１の電流路制御手段と、
第１の制御端及び第２の電流路を備え、前記第１の制御端に印加された電圧を検知し、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御手段と、
前記電位差検出用の負荷に発生する電圧降下の量を表す電圧を発生して前記第１の制御端に印加する分圧手段と、を備え、
各前記整流器の第１の電流路の前記他端は当該整流器の第２の電流路の一端に接続されており、
前記第１及び第２の整流器の第１及び第２の電流路制御手段は、当該整流器の第２の電流路の両端間に所定の向きの電圧が印加されたとき当該第２の電流路に電流を流すよう、各自の電流路を断続制御し、
前記第１及び第２の整流器の分圧手段は、当該整流器の第１の制御端に印加する電圧が所定範囲の値であるか否かを判別し、所定範囲の値でないと判別したとき、当該第１の制御端に所定範囲の値を有する電圧を印加する制御端保護手段を備え、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１の電流路へと供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、
前記第２の整流器の第２の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする整流装置。 - 外部の負荷に直列に接続されて直列回路を構成するインダクタと、
交流電圧が供給されたとき、当該交流電圧を半波整流し、半波整流により得られる電流を前記インダクタ及び前記外部の負荷に流す第１の整流器と、
前記第１の整流器から前記インダクタに供給される電流が実質的に供給されない間に前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記外部の負荷に流す第２の整流器と、を備え、
前記第１及び第２の整流器は、
第１の電流路と、第１の制御端とを備え、前記第１の電流路の一端及び前記第１の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第１の電流路を断続制御する第１の電流路制御素子と、
第２の電流路と、前記第１の制御端に接続された第２の制御端とを備え、前記第２の電流路の一端及び前記第の制御端の電位差を一定値以下に保ち、当該電位差を検知して、検知した結果に従って、前記第２の電流路を断続制御する第２の電流路制御素子と、
前記第２の電流路に直列に接続された第１の負荷と、
第３の電流路を備え、前記第１の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第３の電流路を断続制御する第３の電流路制御素子と、
前記第３の電流路に直列に接続された第２の負荷と、
第４の電流路を備え、前記第２の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、前記第４の電流路を断続制御する第４の電流路制御素子と、
前記第１乃至第３の各電流路に電流を供給する電流源と、を備え、
各前記整流器の前記第１の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の一端に接続されており、
各前記整流器の前記第２の電流路の前記一端は、当該整流器の前記第４の電流路の他端に接続されており、
各前記整流器の前記第１及び第２の電流路制御素子は、当該整流器の前記第４の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき当該整流器の前記第２の電流路を実質的に導通させるように、前記第１及び第２の電流路を断続制御し、
各前記整流器の前記第３及び第４の電流路制御素子は、当該整流器の前記第２の電流路に電流が流れたとき、当該整流器の前記第４の電流路を実質的に導通させるように、当該整流器の前記第３及び第４の電流路を断続制御し、
各前記整流器の第４の電流路の一端同士又は他端同士は互いに接続されて出力端をなし、各前記整流器の前記第４の電流路に流れる電流を重畳して前記出力端に流し、
前記第２の整流器の電流源は、前記インダクタが自己誘導する起電力により生じる電流を前記第２の整流器の第１乃至第３の電流路に供給する手段を備え、
前記第１の整流器の第４の電流路は、前記直列回路に直列に接続されており、前記第２の整流器の第４の電流路は、前記直列回路に並列に接続されている、
ことを特徴とする整流装置。
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