JP3686563B2 - 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマ処理を用いた半導体装置の製造方法、およびプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程においては、ウエハ表面に形成された絶縁膜などの薄膜を微細パターンに加工するためのエッチング処理が行われる。このエッチング処理のための技術の1つに、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)法がある。
反応性イオンエッチング装置は、たとえば、処理室内に対向配置された一対の上部電極板および下部電極板を有しており、下部電極板上に半導体ウエハを載置できるようになっている。この半導体ウエハが載置される下部電極板には、高周波電力を印加するための高周波電力源が接続されている。処理室内にエッチングガスが導入された後、半導体ウエハが載置された下部電極板に高周波電力が印加されると、一対の電極板間に電界が形成され、この電界によりエッチングガスのプラズマが発生する。その結果、半導体ウエハが載置されている下部電極板に負の自己バイアス電圧が生じて、プラズマ中のイオンが半導体ウエハに引き寄せられてウエハ表面に衝突し、これにより、ウエハ表面に形成されている薄膜がエッチングされていく。
【0003】
イオンがウエハ表面(半導体ウエハ自身の表面またはその上に形成されている薄膜の表面を指す。)に衝突すると、ウエハ表面から2次電子が放出される。この放出された2次電子は、半導体ウエハに負の自己バイアス電圧が生じているために、半導体ウエハから離間する方向に加速されてプラズマ中を移動する。そして、プラズマ中を移動する過程において中性原子・分子に衝突し、中性原子や中性分子のイオン化を引き起こす。したがって、プラズマ中における2次電子の移動距離が長いほど、2次電子と中性原子・分子との衝突頻度が高くなるので、プラズマの高密度化を図ることができる。
【0004】
そこで、反応性イオンエッチング装置の中には、一対の電極板間に電界と直交する方向の磁界を形成するためのマグネットを備えたものがある。このマグネットを備えた反応性イオンエッチング装置(マグネトロンRIE装置)では、イオンのウエハ表面への衝突によって発生した2次電子が、電界および磁界によるローレンツ力を受け、この電界の方向および磁界の方向を含む面に直交する方向(E×B方向)にサイクロイド運動しながら移動(E×Bドリフト)する。これにより、プラズマ中における2次電子の移動距離が長くなって、プラズマの高密度化が達成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このようなマグネトロン方式のRIE装置では、2次電子がE×B方向に移動するため、E×B方向の下流側ほどプラズマ密度が高くなり、プラズマ密度の面内不均一を生じる。プラズマ密度が面内で不均一になると、ウエハ表面に入射するイオンの密度が面内で不均一になり、その結果、ウエハ表面におけるエッチング速度が不均一になって、ウエハ表面に対するエッチング処理にむらを生じる。また、プラズマ密度の面内不均一は、半導体ウエハに生じる自己バイアス電圧の不均一を招き、この自己バイアス電圧の不均一により半導体ウエハに電流が流れ、ゲート酸化膜の破壊などのダメージ(チャージングダメージ)を与えるおそれがある。
【0006】
このような問題点を解決するために、E×B方向の上流側ほど2次電子のE×Bドリフト量が少なくなるように、一対の電極板間に形成される磁界強度の面内分布を予め調整しておくことにより、プラズマ密度の面内均一化を図る方法が提案されている。また、半導体ウエハが載置される下部電極板に対向した上部電極板にも一定の高周波電力を印加し、この上部電極板付近において、下部電極板付近における2次電子のE×Bドリフトの方向と逆方向に2次電子をE×Bドリフトさせることにより、プラズマ密度の面内均一化を図る方法も提案されている。
【0007】
しかしながら、1個のイオンの衝突によって放出される2次電子の数(2次電子放出係数)は、イオンが衝突する面の材質によって異なるため、半導体ウエハ上の全面にエッチング対象の薄膜が存在している間と、この薄膜がエッチング除去されて半導体層や金属配線などが露出し始めた後とでは2次電子の放出量が変化する。そのため、上記のいずれの方法であっても、半導体ウエハ上のプラズマ密度を、エッチング処理の全期間を通じて面内均一に保つことはできない。
【0008】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、プラズマ密度の面内不均一による処理むらを生じたり、半導体基板にチャージングダメージを与えることなく半導体装置を製造するための方法を提供することである。
また、この発明の他の目的は、上記製造方法の実施に適していて、処理の全期間においてプラズマ密度を面内均一に保つことができ、これにより、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施すことができ、かつ、被処理物へのチャージングダメージを抑制できるプラズマ処理装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、半導体基板の表面にプラズマによる処理を施して半導体装置を製造する方法であって、第1電極の基板載置面上に被処理物としての半導体基板を載置する基板載置工程と、前記第1電極および前記第1電極の基板載置面に対向して配置された第2電極のそれぞれに高周波電力を供給してプラズマを発生させ、このプラズマによる処理を半導体基板の表面に施す基板処理工程と、この基板処理工程において、前記第2電極に供給される高周波電力の大きさを、被処理物の露出率に基づいて変更する電力調整工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0010】
なお、前記第1電極および第2電極間に、前記第1電極と前記第2電極とが対向する方向と直交する方向の磁界を形成する磁界形成工程をさらに含むことが好ましい。
たとえば、プラズマ中のイオンを半導体基板などの被処理物の表面に衝突させて行われるプラズマエッチング処理(イオンエッチング処理)では、プラズマ中のイオンと被処理物の表面との衝突の際に2次電子が放出される。この2次電子の放出率(1個のイオンの衝突によって放出される2次電子の個数=2次電子放出係数)は、被処理物の表面の材質によって異なる。そのため、被処理物の表面上におけるプラズマ密度が均一となるように第1電極および第2電極への電力量を予め調整していても、エッチング処理が進み、エッチング対象物が除去されるなどして被処理物の表面の材質が変化すると、2次電子の放出量が変化する結果、プラズマ密度が面内不均一になるおそれがある。
【0011】
そこで、請求項1に記載のように、半導体基板にプラズマ処理を施している途中で、被処理物の露出率に基づいて、第2電極に供給される高周波電力の大きさを調整(変更)することにより、プラズマ処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布をほぼ均一に保つことができる。これにより、プラズマ処理の全期間を通じて、半導体基板上におけるプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができ、半導体基板の表面に均一なプラズマ処理を施すことができる。
【0012】
また、半導体基板上におけるプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができるので、半導体基板に生じる自己バイアス電圧をほぼ均一に保つことができ、自己バイアス電圧の不均一による半導体基板へのチャージングダメージを抑制することができる。
なお、請求項2に記載のように、前記電力調整工程は、前記基板処理工程を開始してから所定時間が経過したことに応答して行われてもよい。
【0013】
また、請求項3に記載のように、前記基板処理工程において半導体基板の表面の状態を監視する表面状態監視工程をさらに含む場合には、前記電力調整工程は、前記表面状態監視工程において被処理物の表面の状態が変化したことに応答して行われてもよい。
【0014】
請求項4記載の発明は、被処理物を載置することができる載置面を有する第1電極と、この第1電極の載置面に対向して配置された第2電極と、前記第1電極に高周波電力を供給する第1電力供給手段と、前記第2電極に高周波電力を供給する第2電力供給手段と、前記第1電力供給手段および第2電力供給手段から前記第1電極および第2電極にそれぞれ高周波電力が供給され、これにより発生したプラズマによる被処理物の処理が開始された後に、前記第2電力供給手段から前記第2電極に供給される高周波電力の大きさを、被処理物の露出率に基づいて変更する電力調整手段とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置である。
【0015】
なお、前記第1電極および第2電極間に、前記第1電極と前記第2電極とが対向する方向と直交する方向の磁界を形成する磁界形成手段をさらに含むことが好ましい。
この構成によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができ、処理の全期間においてプラズマ密度を面内均一に保つことができ、これにより、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施すことができ、かつ、被処理物へのチャージングダメージを抑制することができる。ゆえに、このプラズマ処理装置を半導体装置の製造に用いた場合、プラズマ処理のむらやチャージングダメージの発生していない高品質な半導体装置を製造することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る反応性イオンエッチング(RIE)装置の構成を示す図解的な断面図である。この反応性イオンエッチング装置は、マグネトロン方式の反応性イオンエッチング装置であり、たとえば、被処理物としての半導体ウエハWの表面(半導体ウエハW上の露出面。半導体ウエハW自身の表面またはその上に形成された薄膜の表面)にエッチング処理を施して、半導体ウエハWの表面に形成されている絶縁膜などの薄膜を微細パターンに加工するために用いられる。
【0017】
この反応性イオンエッチング装置は、処理チャンバ1と、この処理チャンバ1内で上下方向に対向して配置された下部電極2および上部電極3と、処理チャンバ1の外周面に沿って配置されたダイポールリングマグネット(DRM:Dipole Ring Magnet)4とを有している。
下部電極2は、処理チャンバ1の底面を貫通して設けられた電極本体部21と、この電極本体部21の上面に固定されたウエハ載置電極板22とで構成されている。電極本体部21には、下部高周波電源5が接続されており、この下部高周波電源5から所定周波数(たとえば、13.56MHz)の高周波電力が印可されるようになっている。また、ウエハ載置電極板22の上面は、被処理物としての半導体ウエハWを載置するための載置面となっている。
【0018】
上部電極3は、下部電極2の上方に対向して配置されており、処理チャンバ1の天面を貫通して設けられた電極中央部31と、この電極中央部31の周囲に設けられたリング状の電極外周部32とを含む。電極外周部32は、絶縁物321を介して処理チャンバ1の天面に貫通して設けられている。電極中央部31の下面には、複数個のガス供給口33が開口して形成されている。電極中央部31の内部には、ガス供給口33と連通したガス供給路34が形成されており、このガス供給路34には、図示しないガス供給源から処理ガスとしてのエッチングガスが供給されるようになっている。エッチングガスとしては、たとえば、Ar/C4F8/COやO2などを用いることができる。
【0019】
電極中央部31は、アース接続されており、常にグランド電位に保たれている。一方、電極外周部32には、上部高周波電源6が接続されており、この上部高周波電源6から所定周波数(たとえば、100MHz)の高周波電力が印加されるようになっている。また、この実施形態では、上部高周波電源6にコントローラ7が接続されていて、このコントローラ7により、上部高周波電源6から電極外周部32に印加される高周波電力の大きさが、エッチング処理を開始してからの経過時間に応じて制御されるようになっている。
【0020】
ダイポールリングマグネット4は、下部電極2と上部電極3との間に、下部電極2(ウエハ載置電極板22)の上面とほぼ平行な一方向の磁界Bを形成するためのものである。このダイポールリングマグネット4は、たとえば、図2に示すように、処理チャンバ1の中心を通る軸線Cを中心とする円周上に配置された32個のマグネットエレメント41を備えている。これらのマグネットエレメント41は、一定の法則性をもって着磁されている。すなわち、任意のマグネットエレメントの中心と軸線Cとを結ぶ直線が磁界Bの方向に対してなす角度をθとすると、そのマグネットエレメントが形成する磁界の方向Beは、そのマグネットエレメントの中心と軸線Cとを結ぶ直線に対して角度θをなすように着磁されており、軸線Cに関して対称な位置にあるマグネットエレメントは、互いに同じ方向の磁界を形成するようになっている。
【0021】
半導体ウエハWの表面にエッチング処理を施す際には、まず、半導体ウエハWが、その表面を上方に向けた状態で、下部電極2のウエハ載置電極板22上に載置される。次いで、図示しない排気機構によって処理チャンバ1内の雰囲気が排気され、処理チャンバ1内がほぼ真空状態にされた後、この処理チャンバ1内にガス供給路34およびガス供給口33からエッチングガスが導入される。その後、処理チャンバ1内に処理ガスが充満した状態で、たとえば、下部高周波電源5から下部電極2に約1500Wの高周波電力が印加されるとともに、上部高周波電源6から上部電極3に約200Wの高周波電力が印加される。これにより、処理チャンバ1内にエッチングガスのプラズマが発生する。
【0022】
こうして発生したプラズマ中の電子は、下部電極2および上部電極3に引き寄せられて、それぞれ下部電極2上の半導体ウエハWおよび上部電極3に入射することにより、下部電極2上の半導体ウエハWおよび上部電極3に負の自己バイアス電圧を生じさせる。その結果、半導体ウエハWとプラズマとの間に電位差が生じ、この電位差による電界(下部自己バイアス電界)E1が半導体ウエハWの表面付近に生じる。この下部自己バイアス電界E1によって、プラズマ中のイオンが半導体ウエハWに向けて加速され、半導体ウエハWの表面に衝突することにより、半導体ウエハWの表面に形成されている薄膜がエッチングされていく。
【0023】
イオンが半導体ウエハWの表面に衝突すると、半導体ウエハWの表面から2次電子が放出される。この放出された2次電子は、下部自己バイアス電界E1およびダイポールリングマグネット4によって形成されている磁界Bによるローレンツ力を受け、この下部自己バイアス電界E1の方向および磁界Bの方向を含む面に直交する方向(E1×B方向)にサイクロイド運動しながらドリフトする。これにより、2次電子をプラズマ中で長い距離をドリフトさせることができるから、2次電子と中性原子・分子との衝突頻度を高めることができ、プラズマの高密度化を図ることができる。
【0024】
一方、上部電極3に負の自己バイアス電圧を生じることにより、上部電極3とプラズマとの間にも電位差が生じ、この電位差による電界(上部自己バイアス電界)E2が上部電極3の下面付近に生じる。そのため、上部電極3の下面付近においては、プラズマ中の電子が上部自己バイアス電界E2およびダイポールリングマグネット4によって形成されている磁界Bによるローレンツ力を受け、この上部自己バイアス電界E2の方向および磁界Bの方向を含む面に直交する方向(E2×B方向)にサイクロイド運動しながらドリフトする。この電子のドリフト方向(E2×B方向)は、半導体ウエハWの表面付近における2次電子のドリフト方向(E1×B方向)と逆方向となる。したがって、適当な強さの上部自己バイアス電界E2が生じるように、上部電極3に印加する高周波電力の大きさを設定しておけば、プラズマ中の電子をほぼ均一に分散させることができ、半導体ウエハW上におけるプラズマの密度分布を面内均一にすることができる。
【0025】
こうして半導体ウエハWの表面に形成されている薄膜のエッチングが進み、この薄膜により覆われていた酸化膜(層間絶縁膜)や金属配線などの下層が露出し始めると、半導体ウエハWの表面からの2次電子の放出量が変化する。すると、プラズマ中の電子の分布が不均一になり、半導体ウエハW上におけるプラズマ密度が面内不均一になる。
そこで、この実施形態では、エッチング処理を開始してから上記下層が露出し始めるまでに要する時間を実験などで調べて、第1次処理時間としてコントローラ7に記憶させている。そして、エッチング処理の開始から第1次処理時間が経過すると、これ以降もプラズマ中の電子の分布が均一になるように、コントローラ7によって上部高周波電源6が制御されて、上部高周波電源6から上部電極3に印加される高周波電力の大きさが約200Wから約300Wに変更される。これにより、エッチング処理の全期間を通じて、半導体ウエハW上のプラズマ密度がほぼ面内均一に保たれる。
【0026】
以上のようにこの実施形態によれば、エッチング処理の開始から第1次処理時間が経過した時点で、上部高周波電源6から上部電極3に印加される高周波電力の大きさを再調整することにより、エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布がほぼ均一になるようにしている。これにより、エッチング処理の全期間を通じて、半導体ウエハW上におけるプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができ、半導体ウエハWの表面に均一なエッチング処理を、下層とのエッチング選択比を面内で均一に保ちつつ施すことができる。
【0027】
また、半導体ウエハW上におけるプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができるので、半導体ウエハWに生じる自己バイアス電圧E1をほぼ均一に保つことができ、自己バイアス電圧E1の不均一による半導体ウエハWへのチャージングダメージを抑制することができる。
なお、この実施形態では、エッチング処理の開始から第1処理時間が経過した時点で、上部高周波電源6から上部電極3に印加される高周波電力の大きさを再調整するとしたが、たとえば、半導体ウエハWの高周波電圧・電流波形を監視しておき、これら波形の高調波成分の振幅・位相差などが変化したことに基づいて終点検出を行い、上部高周波電源6から上部電極3に印加される高周波電力の大きさを再調整するようにしてもよい。すなわち、半導体ウエハWの表面の薄膜がエッチング除去されて下層が露出するなどして、半導体ウエハWの表面の状態が変化したことに基づき、上部高周波電源6から上部電極3に印加される高周波電力の大きさを再調整すればよい。
【0028】
また、半導体ウエハWの表面の被エッチング膜の露出率(レジストパターンの開口率)が異なると、2次電子放出係数の面積平均値が異なることに着目し、被エッチング膜の露出率に応じて、上部高周波電源6から上部電極3に印加される高周波電力の大きさを調整することが好ましい。たとえば、シリコン酸化膜をエッチングする場合、このシリコン酸化膜に比べてレジストパターンの2次電子放出係数は一般に小さいので、シリコン酸化膜の露出率が大きいほど、上部高周波電源6から上部電極3に印加される高周波電力が大きく設定されることが好ましい。
【0029】
さらに、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の実施形態では、反応性イオンエッチング装置を例にとって説明したが、この反応性イオンエッチング装置に限定されず、たとえばプラズマアッシング装置やプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置など、被処理物にプラズマによる処理を施す装置に本発明を広く適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る反応性イオンエッチング(RIE)装置の構成を示す図解的な断面図である。
【図2】ダイポールリングマグネットの構成を説明するための図解的な平面図である。
【符号の説明】
1 処理チャンバ
2 下部電極(第1電極)
3 上部電極(第2電極)
4 ダイポールリングマグネット(磁界形成手段)
5 下部高周波電源(第1電力供給手段)
6 上部高周波電源(第2電力供給手段)
7 コントローラ(電力調整手段)
B 磁界
E1 下部自己バイアス電界
E2 上部自己バイアス電界
W 半導体ウエハ(半導体基板、被処理物)
Claims (4)
- 半導体基板の表面にプラズマによる処理を施して半導体装置を製造する方法であって、
第1電極の基板載置面上に被処理物としての半導体基板を載置する基板載置工程と、
前記第1電極および前記第1電極の基板載置面に対向して配置された第2電極のそれぞれに高周波電力を供給してプラズマを発生させ、このプラズマによる処理を半導体基板の表面に施す基板処理工程と、
この基板処理工程において、前記第2電極に供給される高周波電力の大きさを、被処理物の露出率に基づいて変更する電力調整工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記電力調整工程は、前記基板処理工程を開始してから所定時間が経過したことに応答して行われることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板処理工程において半導体基板の表面の状態を監視する表面状態監視工程をさらに含み、
前記電力調整工程は、前記表面状態監視工程において被処理物の表面の状態が変化したことに応答して行われることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 被処理物を載置することができる載置面を有する第1電極と、
この第1電極の載置面に対向して配置された第2電極と、
前記第1電極に高周波電力を供給する第1電力供給手段と、
前記第2電極に高周波電力を供給する第2電力供給手段と、
前記第1電力供給手段および第2電力供給手段から前記第1電極および第2電極にそれぞれ高周波電力が供給され、これにより発生したプラズマによる被処理物の処理が開始された後に、前記第2電力供給手段から前記第2電極に供給される高周波電力の大きさを、被処理物の露出率に基づいて変更する電力調整手段と
を含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
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