JP3683846B2 - シリコンウェーハの品質評価方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体集積回路の製造に用いられるシリコンウェーハの品質評価方法、なかでも、とりわけ集積度の高い1M以上の集積回路用のシリコンウェーハの品質評価方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路用のシリコンウェーハは、チョクラルスキー法(以下、CZ法と記する。)によって引き上げられたシリコン単結晶をスライス、ラップ、エッチングした後、鏡面研磨し、最終的に、表面の汚染およびパーティクルを除去するために、洗浄を行って出荷されている。
【0003】
しかるに、このシリコンウェーハの表面には、例えば特開平3−275598号公報に述べられているように、多数の微小なエッチピットが存在することが知られている。同公報では、このエッチピットを形成する欠陥がOSF(酸化誘起積層欠陥:Oxidation induced Stacking Fault)とは異質のものであること、また、このエッチピットはパーティクルカウンタで測定可能であること、0.2μm以上のピットが存在するウェーハは、4MB DRAM以上の集積回路には使用できないこと、0.2μm以上のピットをなくすためには、融液が固化した段階から900℃までを1.2℃/分以上の冷却速度で結晶を冷却すべきことを述べている。
【0004】
また、類似の従来技術として、特開平4−42893号公報がある。この公報では、このエッチピットがウェーハの電気的特性を損なうこと、0.2μm程度のエッチピットをなくすために、引き上げられたシリコン単結晶が冷却される際、1200℃から800℃の間を0.4℃/分よりも小さい速度で冷却されるべきことを提案している。
【0005】
【本発明が解決しようとする課題】
しかしながら、集積回路の集積度が上がってきた現在、0.2μm以上のピットをなくしただけでは、十分なデバイス歩留りが得られないことが明らかとなってきた。例えば、16MB DRAM用のシリコンウェーハとして0.2μm以上のピットのないウェーハを用いても十分に高い歩留りは得られず、また、4MB DRAM、1MB DRAMについても、0.2μm以上のピットのないウェーハを用いても、デバイスプロセスとウェーハの適合性の良し悪しによっては、常に良好な歩留りが得られるとは限らないことが明かとなった。そのため、電気的特性に優れ、高いデバイス歩留りを得られるシリコンウェーハの提供が切望されるようになった。
【0006】
更に、今後、64Mから256Mと集積度が向上していった場合、上記の従来技術では、十分に高いデバイス歩留りは得られないことが予想され、この点からも、電気的特性に優れたシリコンウェーハの提供が望まれている。
【0007】
そこで、本発明は、集積度の高い集積回路に用いた場合にも、高いデバイス歩留りを得られる電気的性能に優れた高品質のシリコンウェーハの品質評価方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決しようとする手段】
本発明は、チョクラスキー法によって引上げられたシリコン単結晶から所定の厚さにウェーハを切り出し、ラッピング、エッチング、鏡面研磨した後、アンモニア系洗浄を施し、表面に現われたエッチピットと個数を測定し、
(0.11μm以上のピット総数)に対する(0.13μm以上のピット総数)の比率
または
(0.10μm以上のピット総数)に対する(0.13μm以上のピット総数)の比率
を算出することによりシリコンウェーハ中の結晶欠陥の質と電気的特性を評価することを特徴とするシリコンウェーハの品質評価方法を提供するものである。
【0009】
【作用】
本発明者らは、アンモニア系洗浄したときのエッチピットとデバイス歩留りの関係について、注意深く研究を重ねた結果、高集積度のデバイス歩留りを左右する要因は、単に0.2μm以上の大きなエッチピットを形成する結晶欠陥のみならず、それよりも小さなエッチピットを形成する結晶欠陥も、デバイス歩留りに影響を与えうることを見いだした。以下、本発明の作用を、デバイス歩留りに対して重要なゲート酸化膜の絶縁耐圧とpn接合リークについて、エッチピットを形成する結晶欠陥との関連において、詳述する。
【0010】
まず、ゲート酸化膜は、シリコンウェーハのSiを1000℃前後の酸素雰囲気下で酸化し、SiO2とするものであり、シリコンウェーハ中に結晶欠陥が存在すると、それがゲート酸化膜内の介在物、すなわちウイークスポットとなり、絶縁耐圧を劣化させることが知られている。しかるに、最近のデバイスの高集積化に伴い、シリコンウェーハ上へのデバイス形成時のゲート酸化膜厚さは、薄くなっており、従来の25〜15nm程度の厚さだったものが、最近の4M、16MDRAMでは、10nm〜数nmになろうとしている。これにともない、ゲート酸化膜の絶縁耐圧を劣化させる結晶欠陥についても、従来より小さなサイズのものが問題視されるようになってきた。具体的には、ゲート酸化膜厚が20nmのときには、12nm程度の大きさの結晶欠陥まで許容されていたものが、ゲート酸化膜厚が10nmになると、5nm程度の大きさまでしか許容されなくなってきた(例えば、K.Yamabe,Y.Ozawa,S.Nadaharaand K.Imai:"Thermally Grown Silicon Dioxid with Higt Reliability",Semiconductor Silicon pp.346−363(1990)参照)。もし、これを上回るサイズの欠陥が、酸化膜中に存在すると、スイッチング動作不良等の不良を起こし、結果として、デバイス歩留りを低下させることとなる。
【0011】
次に、pn接合リークについてであるが、デバイスが高集積化してくると、メモリ1個当たりのキャパシタ面積が減少して容量の絶対値が小さくなること、および、デバイスに対する低電力化ニーズからリフレッシュ動作(記憶を保持し続けるために電荷を適時注入すること)の時間間隔を長くしなければならないことから、僅かなリーク電流も防止しなければならなくなってきた。しかるに、このpn接合界面の空乏層内に金属汚染や結晶欠陥の作る深い準位(電子−正孔対の生成・再結合中心を形成するバンドギャップ中心近傍に位置する準位の)があると、これを通して、リーク電流が僅かずつではあるが流れ、電荷を漏洩してしまうのである。pn接合リーク防止に対しては、従来から、クリーン度を上げ金属汚染を防止することが行なわれてきたが、今後は、シリコンウェーハの結晶欠陥についてもこれを極力少なくして、リーク原因を減らすべきことが要求されている。
【0012】
以上2つの観点から、いろいろな条件でシリコン単結晶を引き上げて、0.2μm以下のエッチピットについて調べてみると、単結晶の引き上げ条件によって、大小さまざまな分布ができることがわかった。さらに、これらのシリコン単結晶から作製したシリコンウェーハを用いて、デバイス歩留りとの関係を調べてみると、そのなかでも、アンモニア系洗浄したときに、比較的大きなサイズのピットを生成させる欠陥はデバイス歩留りに対する悪影響が小さく、比較的小さなサイズのピットを形成させる欠陥はデバイス歩留りに対する悪影響が大きいことがわかった。
【0013】
エッチピットを作る欠陥のでき方とその特質、デバイス歩留りに対する影響については、以下のように説明できる。即ち、凝固界面で導入された格子間シリコンと空孔は、その後の冷却過程で、過飽和となり、相互に反応・凝集・合体したり、また、同じく過飽和となった酸素と複合体を作る。これらの欠陥が、アンモニア系洗浄で選択的にエッチングされて、エッチピットを形成するのであるが、エッチピットの大きさはこれらの欠陥のサイズと形態に依存して決まる。本発明者らの実験によると、アンモニア系洗浄したとき、比較的大きなサイズのエッチピットを形成させるような欠陥(概ね、0.13μm以上のエッチピットを形成させる欠陥)は熱処理により、容易に溶解消滅しやすいという特性を持つ。このことから、デバイスプロセスにおける900℃から1000℃程度の酸化膜形成プロセスや、1100℃から1250℃程度のウエル拡散プロセスにおいて、比較的容易に、シュリンク・消滅するため、酸化膜内に介在物を残さないし、また、pn接合界面の空乏層内に結晶欠陥起因の深い準位を残さない。従って、このような欠陥が、デバイスプロセス前のシリコン単結晶またはシリコンウェーハに存在していたとしても、デバイスプロセス中に、消滅してしまうため、悪影響を与えず、結果として、高いデバイス歩留りを与える。
【0014】
反対に、比較的小さなサイズのエッチピットを形成させるような欠陥(概ね、0.13μm以下のエッチピットを形成させる欠陥)は熱処理に対して安定であるため、デバイスプロセスにおける900℃から1000℃程度の酸化膜形成プロセスや、1100℃から1250℃程度のウエル拡散プロセスにおいても溶解しにくいため、酸化膜内に介在物を残したり、また、pn接合界面の空乏層内に結晶欠陥起因の深い準位を残す。そのため、このような欠陥を多数含有したシリコンウェーハを基板としてその上にデバイスを形成すると、酸化膜耐圧の絶縁不良を起こしたり、リーク電流が多くてリフレッシュ不良率が高くなるという弊害が出てきて、結果として、デバイス歩留りが低下してしまう。
【0015】
ところで、これら欠陥サイズの制御についてであるが、これは、シリコン単結晶の引き上げにおいて、凝固後の単結晶の冷却速度を所定の範囲に制御することにより可能であることを本発明者らは見いだした。例えば、凝固後の単結晶の冷却過程の1200℃から950℃の冷却速度を小さくすると、0.13μm以上のエッチピットを形成する結晶欠陥が増加し、また、950℃から800℃の冷却速度を大きくすると0.13μm以下のエッチピットを形成する結晶欠陥が減少する。
【0016】
本発明のエッチピットのサイズ分布を得るための好適な冷却速度の範囲は、凝固後の単結晶の冷却過程の1200℃から950℃の間の冷却速度を2.0℃//分以下とし、かつ、1200℃から950℃の間の冷却速度の最小値を1.0℃/分以下とすることであり、更に好ましくは、凝固後の単結晶の冷却過程の1200℃から950℃の間の冷却速度を2.0℃/分以下とし、かつ、1200℃から950℃の間の冷却速度の最小値を1.0℃/分以下0.4℃/分以上とすることである。最低の冷却速度を0.4℃/分以上とする理由は、これ以上、冷却速度を下げても効果は大きくならないこと、極端に冷却温度を下げるとその影響を受けて、引き上げ速度の低下と生産性の低下をきたしてしまうことによる。
【0017】
また、更に好ましい冷却速度の範囲としては、凝固後の単結晶の冷却過程の1200℃から950℃の間の冷却速度を2.0℃/分以下とし、かつ、凝固後の単結晶の冷却過程の1200℃から950℃の間の冷却速度の最小値を1.0℃/分以下0.4℃/分以上とし、なおかつ、950℃から800℃の間の冷却速度を0.6℃/分以上とすることである。950℃から800℃の間の冷却速度を規定する理由は、前述の説明のとおりで、0.13μm以下のエッチピットを形成する結晶欠陥を増加させないためである。
【0018】
なお、エッチピットのサイズの下限を0.10μmとするか、0.11μmとするかについては、使用するパーティクルカウンタの分解能により使い分ければよく、本質的には、0.13μmを境にして、それより大きなエッチピットを形成させるような欠陥はデバイス歩留りへの悪影響が少なく、それより小さなエッチピットを形成させるような欠陥はデバイス歩留りへの悪影響が大きいと考えればよい。
【0019】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【0020】
<実施例1>
図1は、本発明を適用したCZ法による引き上げ装置である。同図においては、ガス導入口(図示せず)および排気口1を備えたチャンバー2内にグラファイト製ルツボ3を回転自在に配置し、このルツボ3に石英ガラス製ルツボ4を嵌合している。グラファイト製ルツボ3、石英ガラス製ルツボ4は、16インチサイズとした。一方、これらルツボの上方には、先端部に種結晶をチャック5によって保持する引き上げワイヤー(図示せず)を配置しており、また、ルツボの周囲には加熱ヒーター6および炭素繊維製成形断熱材7を配している。さらに、凝固後にシリコン単結晶の冷却速度を所定範囲に制御するために、炉内のシリコン単結晶8を囲むような配置で下拡がりの熱反射材9を取り付けた。熱反射材9は、炭素繊維製成形断熱材で作製してある。この石英ガラス製ルツボ4に45kgの多結晶シリコンを装填・溶解した後、6インチサイズのシリコン単結晶を1.0〜1.2mm/分の引き上げ速度で引き上げたところ、その冷却速度は、表1に示すような範囲に制御できた。
【0021】
このシリコン単結晶を、通常の加工方法で、スライス・面取り・ラッピング・エッチングの後、鏡面研磨を行ない、最後に、アンモニア系洗浄液(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)で洗浄した。洗浄液の温度は、80℃、10分間の洗浄を2回行ない、合計洗浄時間を20分とした。このウェーハに発生したエッチピットを、レーザー式パーティクルカウンタ(日立電子エンジニアリング株式会社製LS6000)で測定したところ表1および表2に示すような結果となった。
【0022】
また、この6インチサイズのシリコンウェーハ上に厚さ約25nmの酸化膜をつけ、その上に上層がアルミニウム、下層がドープされた直径5mmの2層ゲート電極を200個形成し、このMOSダイオードのそれぞれについて、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層と基板シリコンの裏面の電極間に印加し、その電圧をステップ的に、酸化膜にかかる電界換算で0.25MV/cmずつ、各ステップ200msecの保持時間で次第に高くしていった場合のリーク電流を測定し、リーク電流が1μA/cm2になったときの印加電圧の値を、6MV/cm以下、6〜8MV/cm、8MV/cm以上という3つの範囲に分類し、表2に示した。
【0023】
また、同じシリコン単結晶から同様の手法で6インチサイズの鏡面研磨シリコンウェーハを作製し、その上に、デザインルール1.3μmのダイナミック型RAMを200個形成し、リフレッシュ時間(ある電荷注入から次の電荷注入までの時間)を512サイクル/8msecとし、ビット不良を測定したところ、リフレッシュ不良率は表2に示すとおりとなった。
【0024】
<実施例2>
図2は、本発明を適用したCZ法による引き上げ装置である。同図においては、ガス導入口(図示せず)および排気口1を備えたチャンバー2内にグラファイト製ルツボ3を回転自在に配置し、このルツボ3に石英ガラス製ルツボ4を嵌合している。グラファイト製ルツボ3、石英ガラス製ルツボ4は、18インチサイズとした。一方、これらルツボの上方には、先端部に種結晶をチャック5によって保持する引き上げワイヤー(図示せず)を配置しており、また、ルツボの周囲には、加熱ヒーター6および炭素繊維製成形断熱材7を配している。さらに、凝固後のシリコン単結晶の冷却速度を所定範囲に制御するために、炉内のシリコン単結晶8を囲むような配置で内径300mm、高さ100mmのサイズの結晶加熱ヒーター10を取り付け、引き上げの頭部形成から尾部形成までの全期間にわたって7kwの電力を投入した。この石英ガラス製ルツボ4に55kgの多結晶シリコンを装填・溶解した後、8インチサイズのシリコン単結晶を0.8〜1.0mm/分の引き上げ速度で引き上げたところ、その冷却速度は、表1に示すような範囲に制御できた。
【0025】
このシリコン単結晶を、通常の加工方法で、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの後、鏡面研磨を行ない、最後に、アンモニア系洗浄液(NH4OH:H2O2:H2O=0.2:1:10)で洗浄した。洗浄液の温度は、80℃、10分間の洗浄を2回行ない、合計洗浄時間を20分とした。このウェーハに発生したエッチピットを、レーザー式パーティクルカウンタ(日立電子エンジニアリング株式会社製LS6000)で測定したところ表1および表2に示すような結果となった。
【0026】
また、この8インチサイズのシリコンウェーハ上に厚さ約25nmの酸化膜をつけ、その上に上層がアルミニウム、下層がドープされた直径5mmの2層ゲート電極を368個形成し、このMOSダイオードのそれぞれについて、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層と基板シリコンの裏面の電極間に印加し、その電圧をステップ的に、酸化膜にかかる電解換算で0.25MV/cmずつ、各ステップ200msecの保持時間で次第に高くしていった場合のリーク電流を測定し、リーク電流が1μA/cm2になったときの印加電圧の値を、6MV/cm以下、6〜8MV/cm、8MV/cm以上という3つの範囲に分類し、表2に示した。
【0027】
また、同じシリコン単結晶から同様の手法で8インチサイズの鏡面研磨シリコンウェーハを作製し、その上に、デザインルール1.3μmのダイナミック型RAMを368個形成し、リフレッシュ時間(ある電荷注入から次の電荷注入までの時間)を512サイクル/8msecとし、ビット不良を測定したところ、リフレッシュ不良率は表2に示すとおりとなった。
【0028】
<実施例3>
図3は、本発明を適用したCZ法による引き上げ装置である。同図においては、ガス導入口(図示せず)および排気口1を備えたチャンバー11内にグラファイト製ルツボ3を回転自在に配置し、このルツボ3に石英ガラス製ルツボ4を嵌合している。グラファイト製ルツボ3、石英ガラス製ルツボ4は、18インチサイズとした。一方、これらルツボの上方には、先端部に種結晶をチャック5によって保持する引き上げワイヤー(図示せず)を配置しており、また、ルツボの周囲には加熱ヒーター6および炭素繊維製成形断熱材7を配している。さらに、凝固後にシリコン単結晶の冷却速度を所定範囲に制御するために、炉内のシリコン単結晶8を囲むような配置で内径260mm、高さ100mmのサイズの結晶加熱ヒーター10を取り付け、引き上げの頭部形成から尾部形成までの全期間にわたって15kwの電力を投入した。また、この引き上げ装置の水冷チャンバー11は、結晶加熱ヒーター10直上から結晶が冷却されるように主部がドーム状ではなく、直角に形成されている。この石英ガラス製ルツボ4に50kgの多結晶シリコンを装填・溶解した後、6インチサイズのシリコン単結晶を0.9〜1.1mm/分の引上げ速度で引上げたところ、その冷却速度は、表1に示すような範囲に制御できた。
【0029】
このシリコン単結晶を、通常の加工方法で、スライス・面取り・ラッピング・エッチングの後、鏡面研磨を行ない、最後に、アンモニア系洗浄液(NH4OH:H2O2:H2O=3:1:5)で洗浄した。洗浄液の温度は、80℃、10分間の洗浄を2回行ない、合計洗浄時間を20分とした。このウェーハに発生したエッチピットを、レーザー式パーティクルカウンタ(日立電子エンジニアリング株式会社製LS6000)で測定したところ表1および表2に示すような結果となった。
【0030】
また、この6インチサイズのシリコンウェーハ上に厚さ約25nmの酸化膜をつけ、その上に上層がアルミニウム、下層がドープされた直径5mmの2層ゲート電極を200個形成し、このMOSダイオードのそれぞれについて、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層と基板シリコンの裏面の電極間に印加し、その電圧をステップ的に、酸化膜にかかる電界換算で0.25MV/cmずつ、各ステップ200msecの保持時間で次第に高くしていった場合のリーク電流を測定し、リーク電流が1μA/cm2になったときの印加電圧の値を、6MV/cm以下、6〜8MV/cm、8MV/cm以上という3つの範囲に分類し、表2に示した。
【0031】
また、同じシリコン単結晶から同様の手法で6インチサイズの鏡面研磨シリコンウェーハを作製し、その上に、デザインルール1.3μmのダイナミック型RAMを200個形成し、リフレッシュ時間(ある電荷注入から次の電荷注入までの時間)を512サイクル/8msecとし、ビット不良を測定したところ、リフレッシュ不良率は表2に示すとおりとなった。
【0032】
<実施例4>
図4は、本発明を適用したCZ法による引き上げ装置である。同図においては、ガス導入口(図示せず)および排気口1を備えたチャンバー2内にグラファイト製ルツボ3を回転自在に配して、このルツボ3に石英ガラス製ルツボ4を嵌合している。グラファイト製ルツボ3、石英ガラス製ルツボ4は、22インチサイズとした。一方、これらルツボの上方には、先端部に種結晶をチャック5によって保持する引き上げワイヤー(図示せず)を配置しており、また、ルツボの周囲には加熱ヒーター6および炭素繊維製成形断熱材7を配している。さらに、凝固後にシリコン単結晶の冷却速度を所定範囲に制御するために、炉内のシリコン単結晶8を囲むような配置で内径280mm、高さ70mmのサイズの結晶加熱ヒーター10を取り付け、引き上げの頭部形成から尾部形成までの全期間にわたって15kwの電力を投入した。また、ヒーターの熱が効率よくシリコン結晶8に当たるように、保温材12をヒーターを取り巻くように配してある。この石英ガラス製ルツボ4に100kgの多結晶シリコンを装填・溶解した後、8インチサイズのシリコン単結晶を0.7〜0.9mm/分の引上速度で引き上げたところ、その冷却速度は、表1に示すような範囲に制御できた。
【0033】
このシリコン単結晶を、通常の加工方法で、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの後、鏡面研磨を行ない、最後に、アンモニア系洗浄液(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)で洗浄した。洗浄液の温度は、80℃、5分間の洗浄を4回行ない、合計洗浄時間を20分とした。このウェーハに発生したエッチピットを、レーザー式パーティクルカウンタ(日立電子エンジニアリング株式会社製LS6000)で測定したところ表1および表2に示すような結果となった。
【0034】
また、この8インチサイズのシリコンウェーハ上に、厚さ約25nmの酸化膜をつけ、その上に上層がアルミニウム、下層がドープされた直径5mmの2層ゲート電極を368個形成し、このMOSダイオードのそれぞれについて、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層と基板シリコンの裏面の電極間に印加し、その電圧をステップ的に、酸化膜にかかる電界換算で0.25MV/cmずつ、各ステップ200msecの保持時間で次第に高くしていった場合のリーク電流を測定し、リーク電流が1μA/cm2になったときの印加電圧の値を、6MV/cm以下、6〜8MV/cm、8MV/cm以上という3つの範囲に分類し、表2に示した。
【0035】
また、同じシリコン単結晶から同様の手法で8インチサイズの鏡面研磨シリコンウェーハを作製し、その上に、デザインルール1.3μmのダイナミック型RAMを368個形成し、リフレッシュ時間(ある電荷注入から次の電荷注入までの時間)を512サイクル/8msecとし、ビット不良を測定したところ、リフレッシュ不良率は表2に示すとおりとなった。
【0036】
<実施例5>
図5は、本発明を適用したCZ法による引き上げ装置である。同図においては、ガス導入口(図示せず)および排気口1を備えたチャンバー11内にグラファイト製ルツボ3を回転自在に配して、このルツボ3に石英ガラス製ルツボ4を嵌合している。グラファイト製ルツボ3、石英ガラス製ルツボ4は、20インチサイズとした。一方、これらルツボの上方には、先端部に種結晶をチャック5によって保持する引き上げワイヤー(図示せず)を配置しており、また、ルツボの周囲には加熱ヒーター6および炭素繊維製成形断熱材7を配してある。凝固界面から上に向かって結晶8を取り囲む形の逆円錘状の輻射スクリーン13を配置している。さらに、凝固後のシリコン単結晶の冷却速度を所定範囲に制御するために、炉内のシリコン単結晶8を囲むような配置で内径260mm、高さ100mmのサイズの結晶加熱ヒーター10を、引上の頭部形成から尾部形成までの全期間にわたって15kwの電力を投入した。また、ヒーターの熱が効率よくシリコン結晶8に当たるように、保温材12をヒーターを取り巻くように配してある。さらにこの引上装置の水冷チャンバー11は、結晶加熱ヒーター10直上から結晶が冷却されるように、主部がドーム状ではなく、直角に形成されている。この石英ガラス製ルツボ4に75kgの多結晶シリコンを装填・溶解した後、6インチサイズのシリコン単結晶を0.8〜1.0mm/分の引き上げ速度で引き上げたところ、その冷却速度は、表1に示すような範囲に制御できた。
【0037】
このシリコン単結晶を、通常の加工方法で、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの後、鏡面研磨を行ない、最後に、アンモニア系洗浄液(NH4OH:H2O2:H2O=0.3:1:10)で洗浄した。洗浄液の温度は、80℃、20分間の洗浄を1回行なった。このウェーハに発生したエッチピットを、レーザー式パーティクルカウンタ(日立電子エンジニアリング株式会社製LS6000)で測定したところ表1および表2に示すような結果となった。
【0038】
また、この6インチサイズのシリコンウェーハ上に厚さ約25nmの酸化膜をつけ、その上に上層がアルミニウム、下層がドープされた直径5mmの2層ゲート電極を200個形成し、このMOSダイオードのそれぞれについて、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層と基板シリコンの裏面の電極間に印加し、その電圧をステップ的に、酸化膜にかかる電界換算で0.25MV/cmずつ、各ステップ200msecの保持時間で次第に高くしていった場合のリーク電流を測定し、リーク電流が1μA/cm2になったときの印加電圧の値を、6MV/cm以下、6〜8MV/cm、8MV/cm以上という3つの範囲に分類し、表2に示した。
【0039】
また、同じシリコン単結晶から同様の手法で6インチサイズの鏡面研磨シリコンウェーハを作製し、その上に、デザインルール1.3μmのダイナミック型RAMを200個形成し、リフレッシュ時間(ある電荷注入から次の電荷注入までの時間)を512サイクル/8msecとし、ビット不良を測定したところ、リフレッシュ不良率は表2に示すとおりとなった。
【0040】
<比較例1>
図6は、この比較例に適用したCZ法による引き上げ装置である。同図においては、ガス導入口(図示せず)および排気口1を備えたチャンバー2内にグラファイト製ルツボ3を回転自在に配して、このルツボ3に石英ガラス製ルツボ4を嵌合している。グラファイト製ルツボ3、石英ガラス製ルツボ4は、16インチサイズとした。一方、これらルツボの上方には、先端部に種結晶をチャック5によって保持する引き上げワイヤー(図示せず)を配置しており、また、ルツボの周囲には加熱ヒーター6および炭素繊維製成形断熱材7を配してある。この石英ガラス製ルツボ4に45kgの多結晶シリコンを装填・溶解した後、6インチサイズのシリコン単結晶を0.8〜1.3mm/分の引き上げ速度で引き上げたところ、その冷却速度は、表1に示すような範囲となった。
【0041】
このシリコン単結晶を、通常の加工方法で、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの後、鏡面研磨を行ない、最後に、アンモニア系洗浄液(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)で洗浄した。洗浄液の温度は、80℃、10分間の洗浄を2回行ない、合計洗浄時間を20分とした。このウェーハに発生したエッチピットを、レーザー式パーティクルカウンタ(日立電子エンジニアリング株式会社製LS6000)で測定したところ表1および表2に示すような結果となった。
【0042】
また、この6インチサイズのシリコンウェーハ上に厚さ約25nmの酸化膜をつけ、その上に上層がアルミニウム、下層がドープされた直径5mmの2層ゲート電極を200個形成し、このMOSダイオードのそれぞれについて、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層と基板シリコンの裏面の電極間に印加し、その電圧をステップ的に、酸化膜にかかる電界換算で0.25MV/cmずつ、各ステップ200msecの保持時間で次第に高くしていった場合のリーク電流を測定し、リーク電流が1μA/cm2になったときの印加電圧の値を、6MV/cm以下、6〜8MV/cm、8MV/cm以上という3つの範囲に分類し、表2に示した。
【0043】
また、同じシリコン単結晶から同様の手法で6インチサイズの鏡面研磨シリコンウェーハを作製し、その上に、デザインルール1.3μmのダイナミック型RAMを200個形成し、リフレッシュ時間(ある電荷注入から次の電荷注入までの時間)を512サイクル/8msecとし、ビット不良を測定したところ、リフレッシュ不良率は表2に示すとおりとなった。
【0044】
<比較例2>
図7は、この比較例に適用したCZ法による引き上げ装置である。同図においては、ガス導入口(図示せず)および排気口1を備えたチャンバー2内にグラファイト製ルツボ3を回転自在に配して、このルツボ3に石英ガラス製ルツボ4を嵌合している。グラファイト製ルツボ3、石英ガラス製ルツボ4は、18インチサイズとした。一方、これらルツボの上方には、先端部に種結晶をチャック5によって保持する引き上げワイヤー(図示せず)を配置しており、また、ルツボの周囲には加熱ヒーター6および炭素繊維製成形断熱材7を配しており、凝固界面から上に向かって結晶8を取り囲む形の逆円錘状の輻射スクリーン13を設置している。この石英ガラス製ルツボ4に50kgの多結晶シリコンを装填・溶解した後、6インチサイズのシリコン単結晶を1.3〜1.7mm/分の引き上げ速度で引き上げたところ、その冷却速度は、表1に示すような範囲となった。
【0045】
このシリコン単結晶を、通常の加工方法で、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの後、鏡面研磨を行ない、最後に、アンモニア系洗浄液(NH4OH:H2O2:H2O=0.2:1:10)で洗浄した。洗浄液の温度は、80℃、10分間の洗浄を2回行ない、合計洗浄時間を20分とした。このウェーハに発生したエッチピットを、レーザー式パーティクルカウンタ(日立電子エンジニアリング株式会社製LS6000)で測定したところ表1および表2に示すような結果となった。
【0046】
また、この6インチサイズのシリコンウェーハ上に厚さ約25nmの酸化膜をつけ、その上に上層がアルミニウム、下層がドープされた直径5mmの2層ゲート電極を200個形成し、このMOSダイオードのそれぞれについて、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層と基板シリコンの裏面の電極間に印加し、その電圧をステップ的に、酸化膜にかかる電界換算で0.25MV/cmずつ、各ステップ200msecの保持時間で次第に高くしていった場合のリーク電流を測定し、リーク電流が1μA/cm2になったときの印加電圧の値を、6MV/cm以下、6〜8MV/cm、8MV/cm以上という3つの範囲に分類し、表2に示した。
【0047】
また、同じシリコン単結晶から同様の手法で6インチサイズの鏡面研磨シリコンウェーハを作製し、その上に、デザインルール1.3μmのダイナミック型RAMを200個形成し、リフレッシュ時間(ある電荷注入から次の電荷注入までの時間)を512サイクル/8msecとし、ビット不良を測定したところ、リフレッシュ不良率は表2に示すとおりとなった。
【0048】
【表1】
【0049】
【表2】
【0050】
【発明の効果】
本発明のシリコンウェーハは、デバイス形成時に酸化膜絶縁耐圧不良やpn接合リーク不良を引き起こすような有害な欠陥が少ないシリコンウェーハであり、特に、集積度の高いデバイスを歩留りよく製造するのに好適なものである。
【0051】
また、本発明の結晶欠陥評価方法によれば、市販のレーザー式パーティクルカウンタさえあれば複雑な熱処理を施すことなく容易かつ簡便に、しかも、非破壊でシリコンウェーハの電気的特性を評価することができる。従って、例えば、シリコン製造段階で、シリコンウェーハの品質管理や出荷検査にこの方法を使えば、その歩留り向上が図られるし、また、デバイス製造段階では、使用前のシリコンウェーハを、予め本発明の評価方法によりウェーハを選別・グレード分けし、デバイスの集積度ごとに使い分けすることができるので、全体として、高いデバイス歩留りを得ることができる。
【0052】
このように、本発明は、高集積度のデバイスを歩留り良く製造するのに貢献する優れた発明である。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明の実施例1において用いられた単結晶引上げ装置の概略構成を示す図。
【図2】は、本発明の実施例2において用いられた単結晶引上げ装置の概略構成を示す図。
【図3】は、本発明の実施例3において用いられた単結晶引上げ装置の概略構成を示す図。
【図4】は、本発明の実施例4において用いられた単結晶引上げ装置の概略構成を示す図。
【図5】は、本発明の実施例5において用いられた単結晶引上げ装置の概略構成を示す図。
【図6】は、比較例1において用いられた単結晶引上げ装置の概略構成を示す図。
【図7】は、比較例2において用いられた単結晶引上げ装置の概略構成を示す図。
【符号の説明】
1…排気孔 2…(ドーム型)水冷チャンバー
3…グラファイト製ルツボ 4…石英ガラス製ルツボ
5…種結晶チャック 6…加熱ヒーター
7…断熱材 8…シリコン単結晶
9…熱反射材 10…結晶加熱ヒーター
11…(天井がフラットな)水冷チャンバー
12…断熱材 13…輻射スクリーン
Claims (1)
- チョクラルスキー法によって引き上げられたシリコン単結晶から所定の厚さにウェーハを切り出し、ラッピング、エッチング、鏡面研磨した後、アンモニア系洗浄を施し、表面に現れたエッチピットのサイズと個数を測定し、
(0.11μm以上のピット総数)に対する(0.13μm以上のピット総数)の比率
または
(0.10μm以上のピット総数)に対する(0.13μm以上のピット総数)の比率
を算出することによりシリコンウェーハ中の結晶欠陥の質と電気的特性を評価することを特徴とするシリコンウェーハの品質評価方法。
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