JP3667616B2 - レベル変換回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はレベル変換回路、特にバランス入力型ECL(エミッタ結合ロジック)レベルの入力信号を受けてCMOS(相補MOS)レベルの出力信号に変換するレベル変換回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路(IC)では、高速動作を可能にするための1つの技法として、内部の回路動作をECLレベルで行い、インターフェース出力のみCMOSレベルに変換するのが一般的である。このとき、ECLレベルからCMOSレベルに変換するためにレベル変換回路を使用する。
【0003】
斯かる従来のレベル変換回路は、例えば特開平5−211433号公報の「レベル変換回路」等に開示されている。図3は、従来のバランス入力型ECLレベルの入力信号をCMOSレベルの出力信号にレベル変換するためのレベル変換回路例を、1部ブロックで示す回路図である。
【0004】
図3のレベル変換回路は、正相(又は非反転)入力端子16、逆相(又は反転)入力端子17、正相出力端子18、逆相出力端子19、電源端子20、接地(GND)端子21、第1レベルシフト回路200、第2レベルシフト回路300、第1インバータ回路100および第2インバータ回路101を含んでいる。更に、これら第1および第2レベルシフト回路200、300間に2個のPチャネルMOSトランジスタ(以下、PMOSTという)1、2および3個のNチャネルMOSトランジスタ(以下、NMOSTという)3〜5により構成される全差動増幅器を有する。また、この全差動増幅器と1対のインバータ回路100、101間に4対のPMOST8〜11およびNMOST12〜15により構成されるソース接地回路を有する。
【0005】
ここで、正相入力端子16は、NMOST3のゲートおよびレベルシフト回路200の入力端子202に接続される。一方、逆相入力端子17は、NMOST4のゲートおよびレベルシフト回路300の入力端子302に接続される。PMOST1のゲートは、レベルシフト回路200の出力端子201に、ドレインはNMOST3のドレインに、そしてソースは電源端子20に接続される。一方、PMOST2のゲートはレベルシフト回路300の出力端子301に、ドレインはNMOST4のドレインに、そしてソースは電源端子20に接続される。また、NMOST3、4のソースは、バイアス回路を構成するNMOST5のドレインに接続される。更に、NMOST5のゲートはバイアス端子22に接続され、ソースはGND端子21に接続される。
【0006】
次に、ソース接地回路を構成する4対のPMOST8〜11およびNMOST12〜15について説明する。PMOST8〜11のソースは、電源端子20に接続される。PMOST8および11のゲートは、全差動増幅器の第1出力ノード31であるPMOST1およびNMOST3のドレインに共通接続される。また、PMOST9および10のゲートは、全差動増幅器の第2出力ノード41であるPMOST2およびNMOST4のドレインに共通接続される。一方、NMOST12〜15のソースは、GND端子21に共通接続される。NMOST12および13のゲートは相互接続されると共に、これらゲートはNMOST12のドレインと共にPMOST8のドレインに接続される。NMOST13のドレインおよびPMOST9のドレインは、インバータ回路100の入力端子に共通接続されるノード51となる。また、NMOST14および15のゲートは相互接続され、これらゲートは更にNMOST14のドレインと共にPMOST10のドレインに接続される。一方、NMOST15のドレインおよびPMOST11のドレインは、インバータ回路101の入力端子に共通接続されるノード61となる。そして、インバータ回路100および101の出力は、それぞれ出力端子18および19に接続される。
【0007】
次に、図3に示すレベル変換回路の動作を説明する。ここで、第1レベルシフト回路200の出力を201とし、第2レベルシフト回路300の出力を301とし、PMOST1、2およびNMOST3〜5で構成される全差動増幅器の出力をそれぞれ31、41とする。また、PMOST9とNMOST13およびPMOST11とNMOST15で構成されるソ−ス接地回路の出力をそれぞれ51、61とする。
【0008】
正相入力端子16および逆相入力端子17に、ECLレベルのバランス信号を入力すると、第1レベルシフト回路200の出力201は、正相入力端子16に入力した波形をレベルシフトした波形となる。同様に、第2レベルシフト回路300の出力301は、逆相入力端子17に入力した波形をレベルシフトした波形となる。PMOST1およびNMOST3のゲートに、それぞれ正相入力の信号が入力され、PMOST2およびNMOST4のゲートに、逆相入力の信号が入力されると、全差動増幅器の出力31および41は、正相入力端子16、逆相入力端子17に入力された波形が増幅された形で逆相出力および正相出力される。PMOST9およびNMOST13で構成されるソ−ス接地回路の出力51は、全差動増幅器の正相の出力信号41が入力されると、出力信号41を増幅して反転した逆相の信号を出力する。また、PMOST11およびNMOST15で構成されるソ−ス接地回路の出力61は、全差動増幅器の逆相の信号出力31が入力されると、出力信号31を増幅して反転した正相の信号を出力する。ソース接地回路出力51および61は、インバータ回路100および101によりCMOSレベルまで増幅され、それぞれ正相出力信号は正相出力端子18から、逆相出力信号は逆相出力端子19から出力される。
【0009】
図4は、上述した図3に示すレベル変換回路の動作波形図(又はタイミングチャート)を示す。(A)は、低周波信号入力時の入力端子16、17の入力信号とレベルシフト回路200、300の出力ノード201、301の信号電圧波形を示す。(B)は、高周波信号入力時の入力端子16、17の入力信号とレベルシフト回路200、300の出力ノード201、301の信号電圧波形を示す。(C)は、上述した全差動増幅器の出力ノード31、41の信号波形を示す。(D)は、インバータ回路100の入力ノード51の信号波形を示す。また、(E)は、図3に示すレベル変換回路の課題であるジッタ発生を説明する図である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来のレベル変換回路は、次の如き課題を有する。即ち、入力信号の周波数および振幅変動により、全差動増幅器の出力電圧レベルが変動し、ジッタ特性が劣化する。その理由を、図4の動作波形図で説明する。図4の波形図において、実線は高周波信号が入力された時の回路動作を示し、破線は低周波信号が入力された時の回路動作を示す。正相および逆相入力端子16、17から正相および逆相入力信号が、NMOST3、4とレベルシフト回路200、300の入力端子202、302に入力される。同時に、PMOST1、2に、レベルシフト回路200、300から一定レベル低くなった正相および逆相入力信号が、ノード201、301から入力される。例えば、入力信号が低周波のときは、NMOST3〜5およびPMOST1、2で構成される全差動増幅器の出力ノード31、41のレベルは、動作可能な最大出力電圧レベルとなる。しかし、入力信号が高周波になると、上述した全差動増幅器の出力ノード31、41のレベルは、動作可能な最大出力電圧レベルまでに達しないレベルで動作してしまう。
【0011】
このように、入力信号が低周波数時と高周波数時で、全差動増幅器の動作出力電圧レベルが変動してしまい、次段のPMOST9およびNMOST13で構成するソース接地回路の出力ノード51およびインバータ回路100の正相出力にも応答時間の変動が生じる。このため、入力信号の周波数変動により、正相および逆相出力端子に応答時間の変動した出力信号が出力され、ジッタが発生する。このジッタを発生させないためには、全差動増幅器の増幅率を大きくして応答速度を上げ、常に全差動増幅器の出力が最大動作出力レベルになるようにする必要がある。しかし、この手法により応答速度を上げるには、バイアス用NMOST5のドレイン電流を増加する必要があり、消費電力が増加するという別の問題が生じる。また、入力信号の振幅変動でも、全差動増幅器の応答速度が変動するため、上述と同様の問題が生じる。
【0012】
【発明の目的】
従って、本発明の目的は、消費電力を増加することなく、上述したジッタの発生を排除又は軽減可能なレベル変換回路を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明のレベル変換回路は、電源端子とGND端子間に接続された1対のレベルシフト回路間に接続され、バランス入力型ECL入力信号が入力される全差動増幅器と、この全差動増幅器の出力端子および1対のインバータ回路間に接続されたソース接地回路とを含み、1対のインバータ回路からCMOSレベルに変換された出力を得る回路であって、全差動増幅器の出力側とソース接地回路の入力側間に接続された1対のリミタ回路を備える。
【0014】
また、本発明のレベル変換回路の好適実施形態によると、リミタ回路は、全差動増幅器の出力ノードと電源端子間に接続された1対のNチャネルMOSトランジスタ(NMOST)により構成される。リミタ回路を構成する1対のNMOSTは、ソースが全差動増幅器の出力ノードに接続され、ドレインおよびゲートが電源端子に接続される。全差動増幅器は、1対のNMOSTと、このNMOSTのソースにドレインが接続され且つソースがGND端子に接続されたバイアス用NMOSTと、1対のNMOSTのドレインにドレインが接続され且つソースが電源端子に接続されたPチャネルMOSトランジスタ(PMOST)とにより構成される。また、上述したソース接地回路は、4対のPMOSTおよびNMOSTにより構成される。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明によるレベル変換回路の好適実施形態の構成および動作を、添付図を参照して詳細に説明する。
【0016】
先ず、図1は、本発明によるレベル変換回路の好適実施形態の構成図である。尚、説明の便宜上、上述した従来技術と対応する構成要素には、同様の参照符号を使用することとする。このレベル変換回路は、正相入力端子16、逆相入力端子17、正相出力端子18、逆相出力端子19、電源端子20およびGND(接地)端子21を有する。また、第1レベルシフト回路200、第2レベルシフト回路300、これら両レベルシフト回路200、300間に接続された全差動増幅器、第1インバータ回路100、第2レベルシフト回路101および全差動増幅器とインバータ回路100、101間に接続されるトランジスタ回路により構成される。
【0017】
先ず、全差動増幅器は、上述した従来技術と同様に、1対のPMOST1、2、3個のNMOST3〜5により構成される。正相入力端子16は、全差動増幅器を構成するNMOST3のゲートおよび第1レベルシフト回路200の入力端子202に接続される。一方、逆相入力端子17は、全差動増幅器を構成するNMOST4のゲートおよび第2レベルシフト回路300の入力端子302に接続される。PMOST1のゲートは、第1レベルシフト回路200の出力端子201に接続される。一方、PMOST2のゲートは、第2レベルシフト回路300の出力端子301に接続される。PMOST1のドレインは、NMOST3のドレインに接続され、ノード31を構成する。一方、PMOST4のドレインおよびNMOST2のドレインは相互接続されて、ノード41を構成する。最後に、NMOST3、4のソースは、NMOST5のドレインに接続され、NMOST5のゲートはバイアス端子22に接続され、ソースはGND端子21に接続される。
【0018】
次に、全差動増幅器とインバータ回路100、101間に接続されるトランジスタ回路は、NMOST6、7、12〜15およびPMOST8〜11により構成される。NMPOST6および7のドレインとゲートおよびPMOST8〜11のソースは、電源端子20に接続される。NMOST6のソース、PMOST9および11のゲートは、上述した全差動増幅器のノード31に接続される。一方、NMOST7のソースとPMOST8および10のゲートは、全差動増幅器のノード41に接続される。一方、NMOST12〜15のソースは、GND端子21に接続される。NMOST12のドレインは、NMOST12および13のゲートとPMOST8のドレインに接続される。また、NMOST13のドレインは、PMOST9のドレインに接続され、第1インバータ回路100の入力端子に接続されるノード51とする。NMOST14のドレインは、NMOST14および15のゲートおよびPMOST10のドレインに接続される。更に、NMOST15のドレインは、PMOST11のドレインに接続され、第2インバータ回路101の入力端子に接続されるノード61とする。1対のインバータ回路100および101の出力端子に、それぞれ上述した正相出力端子18および逆相出力端子19が接続される。
【0019】
図1に示す本発明のレベル変換回路は、図3に示す従来のレベル変換回路と対比すると明らかな如く、PMOST1、2およびNMOST3〜5により構成される全差動増幅器および4対のPMOST8〜11およびNMOST12〜15により構成されるソース接地回路は、共に同様である。従って、相違点は、全差動増幅器とPMOST8〜11およびNMOST12〜15により構成されるソース接地回路との間にNMOST6および7によるリミタ回路を付加したことである。
【0020】
次に、図1に示すレベル変換回路の動作を説明する。ここで、第1レベルシフト回路200の出力を201とし、第2レベルシフト回路300の出力を301とする。PMOST1、2およびNMOST3〜5で構成される全差動増幅器の出力を、それぞれ31および41とする。また、PMOST9とNMOST13およびPMOST11とNMOST15とで構成されるソ−ス接地回路の出力を、それぞれ51および61とする。
【0021】
正相入力端子16および逆相入力端子17にECLレベルのバランス型入力信号を入力すると、レベルシフト回路200の出力201には、正相入力端子16に入力した波形をレベルシフトした波形が出力される。同様に、レベルシフト回路300の出力301には、逆相入力端子17に入力した波形をレベルシフトした波形が出力される。PMOST1およびNMOST3のゲートに、それぞれ正相入力の信号が入力され、PMOST2およびNMOST4のゲートに、逆相入力の信号が入力されると、全差動増幅器の出力31および41は、正相入力端子16および逆相入力端子17に入力された波形が増幅された形で逆相出力および正相出力される。このとき、全差動増幅器の出力31および41の出力電圧レベルは、NMOST5のドレイン電流により、下記のMOSトランジスタの電流式(1)および(2)で決まる。
Id=K*(Vgs−Vt)2 ・・・・・ (1)
ここで、KおよびVtは定数である。
【0022】
次に、上述した(1)式を変形すると、下記の(2)式が得られる。
Vgs=SEQ(Id/K)−Vt ・・・・・ (2)
ここで、(2)式のIdはドレイン電流で、Vgsはゲートーソース間電圧である。本発明のレベル変換回路において、IdはNMOST5に流れる電流であり、VgsはNMOST6および7の電源端子20および全差動増幅器の出力ノード31および41間の電圧となる。
【0023】
ここで、PMOST1およびNMOST3のゲートに、それぞれ正相入力の信号が入力され、PMOST2およびNMOST4のゲートに逆相入力の信号が入力されると、NMOST3はオン(導通)し、NMOST4はオフ(非導通)となる。このとき、全差動増幅器に流れる電流は、PMOST1およびNMOST6のドレイン電流で決まる。PMOST1のドレイン電流は、上述の(1)式で決まる一定のため、NMOST6に流れるドレイン電流は、NMOST5で設定された電流とPMOST1に流れるドレイン電流の差分となる。また、上述の(2)式により、NMOST6に流れるドレイン電流が決まれば、NMOST6のVgsが決まり、全差動増幅器の出力電圧レベルが決まる。次に、PMOST9およびNMOST13で構成されるソ−ス接地回路の出力51は、全差動増幅器の正相の出力信号41が入力されると、出力信号41を増幅して反転した逆相の信号を出力する。
【0024】
また、PMOST11およびNMOST15で構成されるソ−ス接地回路の出力61は、全差動増幅器の逆相の信号出力31が入力されると、出力信号31を増幅して反転した正相の信号を出力する。ソース接地出力51および61は、インバータ回路100および101によりCMOSレベルまで増幅され、正相出力信号は正相出力端子18に、逆相出力信号は逆相出力端子19から出力される。
【0025】
本発明のレベル変換回路は、全差動増幅器の出力電圧レベルを、NMOST5のドレイン電流調整することにより任意のレベルに設定することができる。つまり、全差動増幅器の出力電圧レベルを、入力信号が高周波数時の動作出力電圧レベルに設定することにより、入力信号が低周波数および高周波数時でも動作出力電圧レベルが必ず同じになる。このことで、入力信号の周波数変動よる全差動増幅器の応答時間の変動はなく、出力信号にジッタが発生しない。また、入力信号の振幅変動でも、差動増幅器の動作出力電圧レベルを、振幅が最小時の動作出力電圧レベルに設定することにより、上記と同等な結果が得られ、ジッタは発生しない。
【0026】
次に、図2の動作波形図を参照して説明する。図2(A)〜(E)は、上述した図4(A)〜(E)に対応する。即ち、入力信号の周波数変動による回路動作を示すものである。図2において、実線は高周波信号を入力時の回路動作を示し、破線は低周波信号を入力時の回路動作を示す。正相および逆相入力端子16、17から正相および逆相入力信号がNMOST3、4および1対のレベルシフト回路200、300の入力端子202、302に入力される。同時に、PMOST1、2に、レベルシフト回路200、300である一定レベル低くなった正相および逆相入力信号201、301が入力される。入力信号が高周波数の時に、NMOST3〜5およびPMOST1、2で構成される全差動増幅器の出力ノード31、41の出力電圧レベルは、NMOST6、7およびNMOST5のドレイン電流により出力電圧レベルが決まり、入力信号が高周波数時でも、全差動増幅器の出力ノード31、41の動作電圧レベルは、低周波信号と同じ出力電圧レベルで動作する。
【0027】
このため、入力信号の周波数変動による全差動増幅器の出力電圧レベル変動はなく動作する。このため、次段のPMOST9およびNMOST13、PMOST11およびNMOST15で構成されるソース接地回路およびインバータ回路100、101にも応答時間の変動が生じない。従って、正相および逆相出力信号に入力周波数変動による応答時間に変動がないため、ジッタが発生しない。
【0028】
以上、本発明によるレベル変換回路の好適実施形態の構成および動作を詳述した。しかし、斯かる実施形態は、本発明の単なる例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではないことに留意されたい。本発明の要旨を逸脱することなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であること、当業者には容易に理解できよう。
【0029】
【発明の効果】
以上の説明から明らかな如く、本発明のレベル変換回路によると、次の如き実用上の顕著な効果が得られる。即ち、回路の特性および性能向上を実現できることである。その理由は、レベル変換回路を構成する全差動増幅回路の出力にリミッタ回路を設けることにより、動作出力電圧レベルを常に一定にすることが可能になる。従って、周波数および振幅変動に基づく全差動増幅器の動作出力電圧レベル変動によるジッタ特性劣化を防止するからである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるレベル変換回路の好適実施形態の構成を示す、1部ブロックで示す回路図である。
【図2】図1に示すレベル変換回路の好適実施形態の動作説明用波形図である。
【図3】従来のレベル変換回路の回路図である。
【図4】図3に示す従来のレベル変換回路の動作説明用波形図である。
【符号の説明】
1、2、8〜11 PチャネルMOSトランジスタ(PMOST)
3〜7、12〜15 NチャネルMOSトランジスタ(NMOST)
16 正相入力端子
17 逆相入力端子
18 正相出力端子
19 逆相出力端子
20 電源端子
21 GND端子
22 バイアス端子
100、101 インバータ回路
200、300 レベルシフト回路
Claims (5)
- 電源端子とGND端子間に接続された1対のレベルシフト回路間に接続され、バランク入力型ECL入力信号が入力される全差動増幅器と、該全差動増幅器の出力端子および1対のインバータ回路間に接続されたソース接地回路とを含み、前記1対のインバータ回路からCMOSレベルに変換された出力を得るレベル変換回路において、
前記全差動増幅器の出力側と前記ソース接地回路の入力側間に接続された1対のリミタ回路を備えることを特徴とするレベル変換回路。 - 前記リミタ回路は、前記全差動増幅器の出力ノードと前記電源端子間に接続された1対のNチャネルMOSトランジスタ(NMOST)により構成されることを特徴とする請求項1に記載のレベル変換回路。
- 前記リミタ回路を構成する1対のNMOSTは、ソースが前記全差動増幅器の出力ノードに接続され、ドレインおよびゲートが前記電源端子に接続されることを特徴とする請求項2に記載のレベル変換回路。
- 前記全差動増幅器は、1対のNMOSTと、該NMOSTのソースにドレインが接続され且つソースが前記GND端子に接続されたバイアス用NMOSTと、前記1対のNMOSTのドレインにドレインが接続され且つソースが前記電源端子に接続されたPチャネルMOSトランジスタ(PMOST)とにより構成されることを特徴とする請求項1、2又は3に記載のレベル変換回路。
- 前記ソース接地回路は、4対のPMOSTおよびNMOSTにより構成されることを特徴とする請求項1、2、3又は4に記載のレベル変換回路。
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