JP3649799B2 - Display device - Google Patents

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Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、画像を投影する形式の表示装置に関する。特に、アクティブマトリクス型液晶表示装置を利用したリアプロジェクション型の画像表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶電気光学装置(一般に液晶パネルと呼ばれる)は、CRTと比較して軽量かつコンパクトな画像表示装置としてコンピュータ、電卓、時計など幅広い分野で使用されている。液晶パネルは、液晶材料の外場(電場、熱等)の印加に対する液晶分子の配向状態の変化や相転移により、液晶材料の光学的性質(干渉、散乱、回折、旋光、吸収等)が変化することを動作原理としている。
【0003】
一般的な液晶パネルの構成、駆動方法は、少なくとも一方が透光性を有し、間隔が1乃至数10μmに保たれた2枚の基板の間に液晶材料を挟み、前記2枚の基板の両方又はいずれか一方に形成された電極により液晶材料に電界を印加して液晶分子の配向状態を基板面内の画素毎に制御し、液晶パネルを透過する光量を制御する事で画像表示を行うものである。
この時、上記のいずれの光学的性質を利用するかによって、例えば液晶パネルの外側に偏光板を設ける等、動作モードに応じた構成とする。
【0004】
現在液晶パネルで広く用いられているのは、TN(ツイステッド・ネマチック)型またはSTN(スーパー・ツイステッド・ネマチック)型というもので、これらはそれぞれ液晶材料の旋光性、複屈折光の干渉といった光学的性質を利用しており、いずれも偏光板を設ける必要がある。
【0005】
また、上記液晶パネルで画像を表示させる場合、数多くの画素を同時に動作制御するために、種々の方法が提案されている。この中でアクティブマトリクス駆動が高画質、高密度の表示が可能な方法として、広く用いられている。
【0006】
これは各画素に非線型能動素子(ダイオード、トランジスタ等)を配置し、各画素を電気的に独立した関係になるようにし、余分な信号の干渉を排除し高画質を実現することを目的とするものである。この方法によれば各画素は電気的スイッチが接続されたコンデンサとして見ることができる。
【0007】
従って必要に応じてスイッチをON/OFFさせることで画素に電荷を注入/流出させることができる。さらにスイッチをOFFにすれば画素に電荷を保持されるためメモリー性を付与することが可能となる。
【0008】
以下にアクティブマトリクス回路を用いた液晶パネルの基板の作製方法の説明を行う。また、説明する液晶パネルは周辺駆動回路をも基板内に形成した、モノリシック型アクティブマトリクス回路とする。この制作工程について、図5を用いて説明する。この工程は低温ポリシリコンプロセスのものである。
【0009】
図4の左側に駆動回路のTFT の作製工程を、右側にアクティブマトリクス回路のTFT の作製工程をそれぞれ示す。
【0010】
まず、第一の絶縁基板としてガラス基板401の上に、下地酸化膜402として厚さ1000〜3000Åの酸化珪素膜を形成した。この酸化珪素膜の形成方法としては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマCVD 法を用いればよい。
【0011】
その後、プラズマCVD 法やLPCVD 法によってアモルファスのシリコン膜を300 〜1500Å、好ましくは500 〜1000Åに形成した。そして、500 ℃以上、好ましくは、500 〜600 ℃の温度で熱アニールを行い、シリコン膜を結晶化させた、もしくは、結晶性を高めた。熱アニールによって結晶化ののち、光(レーザーなど)アニールをおこなって、さらに結晶化を高めてもよい。また、熱アニールによる結晶化の際に特開平6-244103、同6-244104に記述されているように、ニッケル等のシリコンの結晶化を促進させる元素(触媒元素)を添加してもよい。
【0012】
次にシリコン膜をエッチングして、島上の駆動回路のTFT の活性層403(p チャネル型TFT 用)、404(N チャネル型TFT 用)とマトリクス回路のTFT (画素TFT)の活性層405を形成した。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法によって厚さ500 〜2000Åの酸化珪素のゲート絶縁膜406を形成した。ゲート絶縁膜の形成方法としては、プラズマCVD 法を用いてもよい。プラズマCVD 法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素(N2 O)もしくは酸素(O2 )とモノシラン(SiH4) を用いることが好ましかった。
【0013】
その後、厚さ2000〜6000Åのアルミニウムをスパッタ法によって基板全面に形成した。ここでアルミニウムはその後の熱プロセスによってヒロックやウィスカーが発生するのを防止するため、シリコンまたはスカンジウム、パラジウムなどを含有するものを用いてもよい。そしてこれをエッチングしてゲート電極407、408、409を形成する(図4(A ))。
【0014】
その後、イオンドーピング法によって、全ての島状活性層に、ゲート電極をマスクとして自己整合的に、フォスフィン(PH3 )をドーピングガスとして、燐が注入される。ドーズ量は1 ×1012〜5 ×1013原子/cm2 する。
この結果、弱いN型領域410、411、412が形成される。(図4(B ))
【0015】
次に、P チャネル型TFT の活性層を覆うフォトレジストのマスク413及び画素TFT の活性層405のうち、ゲート電極に平行にゲート電極409の端から3μm離れた部分まで覆うフォトレジストのマスク414が形成される。
【0016】
そして、再びイオンドーピング法によってフォスフィンをドーピングガスとして燐を注入する。ドーズ量は1 ×1014〜5 ×1015原子/cm2 とする。この結果として、強いN 型領域(ソース、ドレイン)415、416が形成される。画素TFT の活性層405の弱いN型領域412のうち、マスク414に覆われていた領域417は、今回のドーピングでは燐が注入されないので、弱いN 型のままとなる。(図4(C ))
【0017】
次に、N チャネル型TFT の活性層404、405をフォトレジストのマスク418で覆い、ジボラン(B2H6)をドーピングガスとして、イオンドーピング法により、島状領域403に硼素が注入される。ドーズ量は5 ×1014〜8 ×1015原子/cm2 とする。
【0018】
このドーピングでは、硼素のドーズ量が図4(C)における燐のドーズ量が上回るため、先に形成されていた弱いN型領域410は強いP型領域419に反転する。
【0019】
以上のドーピングにより、強いN型領域(ソース/ドレイン)415、416、強いP型領域(ソース/ドレイン)419、弱いN型領域(低濃度不純物領域)417が形成される。本実施例においては、低濃度不純物領域417の幅xは、約3μmとする。(図4(D ))
【0020】
その後、450 〜850 ℃で0.5 〜3 時間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダメージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリコンの結晶性を回復させた。その後、全面に層間絶縁物420として、プラズマCVD 法によって酸化珪素膜を厚さ3000〜6000Å形成した。これは、窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。そして、層間絶縁膜420をウエットエッチング法またはドライエッチング法によって、エッチングして、ソース/ ドレインにコンタクトホールを形成した。
【0021】
そして、スパッタ法によって厚さ2000〜6000Åのアルミニウム膜、もしくはチタンとアルミニウムの多層膜を形成する。これをエッチングして、周辺回路の電極・配線421、422、423および画素TFT の電極・配線424、425を形成した。さらに、プラズマCVD 法によって、厚さ1000〜3000Åの窒化珪素膜426がパッシベーション膜として形成され、これをエッチングして層間膜とした。さらにこの上に表示用電極としてITOでなる透明電極427を1200Åの厚さに形成する。(図4(E ))
【0022】
さらに、プラズマCVD 法によって、厚さ1000〜3000Åの窒化珪素膜428をパッシベーション膜として形成して図4(F )に示される構造が得られる。
こうして得られた基板は図5において502で示される。
【0023】
次いで、図5において、対向する基板501上にはブラックマトリクスを形成する(図示せず)。ここで用いたブラックマトリクスはCrからなり、膜厚1200Åとし、公知のフォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングした。
【0024】
ここで、本実施例では液晶パネルにカラーフィルターを組み込んでカラー表示を行う場合について説明する。
まず図示しないブラックマトリクス上にカラーフィルターを形成する(図示せず)。カラーフィルターはエチレングリコール、モノエチルエーテルアセテート等の溶媒にR、G、B色を示す顔料を分散させた材料を各色毎に塗布、パターニング、硬化(焼成)を繰り返して、マイクロカラーフィルターを形成する。本実施例では各色の膜厚は1.7μmとする。
【0025】
さらにこの上にアクリル系樹脂からなる図示しないオーバーコート剤(平坦化膜)を形成する。オーバーコート剤は1μmの厚さで全面に形成する。
【0026】
次に図示しないカラーフィルター上に全面にITOよりなる透明電極503を形成する。また、マトリクス回路を形成した基板502の上にも透明電極503を形成する。さらに、透明電極503、504の上にポリイミドからなる配向膜505を形成する。
【0027】
次に配向膜505を通常の方法によりラビングする。この時ラビングの方向は上下の基板で90°の角度をなすような方向で行う。
【0028】
次に直径3.8 μmの酸化珪素より成るスペーサー506を基板の配向膜を塗布した基板上に散布する(図示せず)。
【0029】
次に、マトリクス回路を形成した基板502側にシール剤507を印刷し、基板601、602を重ね合わせ固定する。このときシール材は画素領域及び周辺駆動回路領域を内側にするように基板の外周近くに印刷する。こうして、液晶パネルのセルが形成される。
【0030】
次に液晶材料508を上記セルに真空注入法で注入する。使用した液晶材料はメルク社製ネマチック液晶ZLI−4792(商品名)である
こうして、図6で示される液晶パネルが形成される。
【0031】
上記で説明したような液晶表示パネルを用いて映像をスクリーンに投影する形式の表示装置が知られている。このような投影型表示装置は、その汎用性が高まるにつれて日常生活の中で利用される機会が増してきている。例えば、大画面に鮮明な画像を映し出せる特徴を生かして各種イベントや会議など様々な用途で利用されている。
【0032】
しかし、投影型表示装置はその構造上比較的大型になることを避けられず、装置の運搬に苦労を要するという問題がある。また、投影型表示装置の設置場所に要する空間が大きいという不具合も発生する。
【0033】
そのため、投影型表示装置が社会的に普及するにつれて表示装置本体の小型化を実現することが急務となっている。
【0034】
一般的な投影型表示装置の概要を図1に示す。 図1に示すような投影型表示装置は一般にリアプロジェクションと呼ばれるもので、スクリーンに投影された面側の反対側から画像を見る構成となっている。また逆に、スクリーンに投影された面側から画像を見る構成となっているものは投射型プロジェクションと呼ばれている。どちらも画像が反転する点以外の基本的な構成は同じである。
【0035】
まず、リアプロジェクションについて図1を用いて説明する。
【0036】
まず、白色光を発する光源101から発した光は図示しないレンズによって平行に方向の揃った光に補正される。白色光源としては、ハロゲンランプやキセノンランプやメタルハライドランプ等が用いられる。
次に反射ミラー102で真上に反射されて103で示される光学系装置に進入する。
【0037】
この際、光源101と反射ミラー102との間に紫外光、遠赤外光をカットする選択透過フィルターを挿入するのが望ましい。紫外光のカットは目を保護するためであり、遠赤外光のカットは表示装置内に熱が籠もるのを防ぐためである。
【0038】
103で示される光学系装置は、内部に液晶パネルと投影レンズを有した構成からなる。光学系装置103の内部に進入した光は、先に説明したような構造からなる液晶パネルに入射し、液晶の電気光学的な特性の変化を利用して光学変調される。
【0039】
また、画像をカラー表示するのであれば、光学系装置103にRGBそれぞれに対応したカラーフィルターやダイクロイックミラーを組み込んで、RGBそれぞれに対応した光学変調を行えばよい。ただし、白色光をいったんRGB三原色に分光してRGBに対応した3枚の液晶パネルで光学変調を行い、後にそれぞれの画像情報を含んだ光を合成するため、複雑な光学系を必要とする。
【0040】
次に、液晶パネルにおいて適当な光学変調がなされると、所定の表示画像が形成される。こうして得られた画像は投影レンズによって焦点を合わせこまれる。
【0041】
以上の過程を経て光学系装置103を通過した出力光は、反射ミラー104で反射されつつ徐々に拡大される。この時、反射ミラー104において光は表示装置本体106に設置されたスクリーン105の方向へ反射され、スクリーン105に内部から拡大投影された画像が表示される。
【0042】
この時の反射ミラーの数は1つに限るものではなく、スクリーン105上に投影される画像の大きさや投影レンズの焦点距離によって任意に設置数を変えればよい。
【0043】
図1で説明したようなリアプロジェクションに反射ミラーが用いられる理由は投影レンズの設計上の問題が大きく影響している。
【0044】
例えば、投射型プロジェクションの場合、投影レンズによって焦点を合わせこまれた照射光はある一定の距離Xを進んでスクリーンに達する。このある一定の距離Xは、画像がスクリーンの面積に適するまで拡大投影されるのに必要な光路長である。
【0045】
この距離Xを短くする最も簡単な手段は、投影レンズの諸パラメータを変えて短い距離で所定の大きさに拡大投影できるように調整すればよい。
しかしこの場合、投影レンズの厚みが増して大きくなる上、諸パラメータの設計が複雑になるため投影レンズの製造コストが高くなってしまう。また、広角レンズで無理やり拡大することになるので、表示画像の端に近づくにつれて歪みが生じるという問題が発生する。
【0046】
従って、投影レンズの製造コストを抑える意味でもスクリーンと投影レンズとの間には一定の距離Xを設ける必要がある。換言すれば、ある一定の距離Xを長く取れればその分投影レンズのコストを下げられると言える。勿論、光源の発光強度との兼ね合いを考慮しなければ、鮮明な画像を得られない。
【0047】
以上は投射型プロジェクションの例についてであるが、図1に示すような構造のリアプロジェクションとなると状況が異なってくる。
即ち、表示装置本体106の大きさが制限されるため、適当な光路長を確保するのが困難となる。
【0048】
これを解決するために、反射ミラーを用いて狭い空間内で適当な光路長を確保する構造が採用されてきた。こうすることで、厚みが薄く小さい投影レンズを用いて所定の表示画像を得ることが可能となった。
【0049】
しかし、複数個の反射ミラーを装置本体106内に設置すると図1の104で示される反射ミラーの裏側に斜線部で示されるデッドスペース(空きスペース)100が形成される。このデッドスペース100は、表示装置の小型化、低コスト化を進める上で削除すべき部位である。
【0050】
だが、通常表示装置本体の形状を削って見かけ上デッドスペースをなくすか、レンズの製造コストを犠牲にして表示装置の小型化をはかるのが現状であると言える。
【発明が解決しようとする課題】
【0051】
本明細書で開示する発明は、リアプロジェクション内のデッドスペースを利用して投影型画像表示装置の小型化、低コスト化を実現する技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0052】
本明細書で開示する発明の構成は、
光源から発した入射光を光学変調する光学変調素子と、
前記光学変調素子の出力光を集光する投影レンズと、
一方の面から入射した前記投影レンズにより集光された光の少なくとも半分を透過し、他方の面から入射した前記投影レンズにより集光された光の少なくとも半分を反射する機能を有する手段と、
前記手段で透過された光を反射する少なくとも一つのミラーと、
前記手段またはミラーで反射された光を投影するスクリーンと、
を有した投影型画像表示装置であって、
前記光学変調素子の出力光は前記手段を透過する第1の経路と、
少なくとも一つのミラーにより反射する第2の経路と、
前記手段により反射する第3の経路と、
を経て、
前記スクリーンに投影されることを特徴とする。
【0053】
即ち、図1において104で示される反射ミラーをハーフミラーまたはそれと同等の機能を有する手段に代えることで、100で示されるデッドスペースを活用する構成からなる。
【0054】
【実施例】
〔実施例1〕
【0055】
本実施例では、半透光性ミラー(以下、ハーフミラーと呼ぶ)を用いてリアプロジェクション内のデッドスペースを有効に利用した画像表示装置の構造について説明する。なお、本実施例で用いる画像表示装置の構造図(図2)において、装置本体およびその内部の各部品のサイズはすべて図1で示される従来構造の画像表示装置と同寸法で描かれている。
【0056】
まず、図2において白色光を発する光源201から発した光は図示しないレンズによって平行に方向の揃った光に補正される。白色光源としては、ハロゲンランプやキセノンランプやメタルハライドランプ等が用いられる。
次に反射ミラー202で反射されて203で示される光学系装置に進入する。
【0057】
この際、光源201と反射ミラー202との間に紫外光、遠赤外光をカットする選択透過フィルターを挿入するのが望ましい。紫外光のカットは目を保護するためであり、遠赤外光のカットは表示装置内に熱が籠もるのを防ぐためである。
【0058】
203で示される光学系装置は、内部に液晶パネルと投影レンズを有した構成からなる。光学系装置203の内部に進入した光は、液晶パネルに入射し、液晶の電気光学的な特性の変化を利用して光学変調される。
【0059】
この液晶パネルは、透光性を有した基板上にマトリクス状に配置された画素TFTとそれを駆動する周辺回路を集積化した構造を有したアクティブマトリクス型液晶電気光学装置である。
【0060】
また、画像をカラー表示するのであれば、光学系装置203にRGBそれぞれに対応したカラーフィルターやダイクロイックミラーを組み込んで、RGBそれぞれに対応した光学変調を行えばよい。この場合、白色光をいったんRGB三原色に分光して光学変調を行い、後にそれぞれの画像情報を含んだ光を合成する方式や液晶パネル内にRGBに対応するカラーフィルターを組み込む方式がとられるが、いすれにしても複雑な光学系を必要とする。
【0061】
次に、液晶パネルにおいて適当な光学変調がなされると、所定の表示画像が形成される。こうして得られた画像は投影レンズによって焦点を合わせこまれる。カラー表示の場合はRGBに分光されて各々光学変調された光がこの投影レンズで合成される。
【0062】
以上の過程を経て光学系装置203を通過した出力光は所定の画像情報を含んだ光となり、ハーフミラー204に入射する。
【0063】
ハーフミラー204を透過した光は、進行方向にある反射ミラー205によって反射され、再びハーフミラー204へと戻ってくる。そして、戻ってきた光の概略半分がハーフミラー204によってスクリーン206の方向へと反射される。
【0064】
こうして、反射を利用して光路長を稼いだ光はその進行過程において徐々に拡大され、スクリーン206上には所定の大きさに拡大投影される。
【0065】
本実施例のように、ハーフミラーを用いて従来デッドスペースであった空間を有効に利用することで、従来より狭い空間内においてもより長い光路長を確保することができる。なお、本実施例では、計2枚のミラーを用いたが任意の枚数のミラーで光学系を構成すればよい。
【0066】
以上のように、従来より長い光路長を確保できれば、投影レンズの低コスト化だけでなく、投影レンズ自体の小型化が可能となる。即ち、画像表示装置自体の価格を抑えることができる。
【0067】
また、光学系装置202が元来デッドスペースであった空間に設置されたため、光学系の配置の自由度が広がり、表示装置本体の小型化が容易となる。
〔実施例2〕
【0068】
本実施例では、物理現象である全反射を利用してリアプロジェクション内のデッドスペースを有効に利用した画像表示装置の構造について説明する。
【0069】
全反射とは、光学的に密な媒質1(屈折率が大きい)から疎な媒質2(屈折率が小さい)に光が進む時、臨界角I0 以上の入射角ではすべての入射光が反射される現象である。(図3)
例えば、水中から空気中へと光が進むとき、臨界角は約49°であり、それ以上の角度で入射した光はすべて反射される。
【0070】
即ち、画像表示装置内の光学系を適当な配置に調整することで、一般的な透光性基板を反射ミラーの如く利用することが可能である。本実施例は、かかる原理を利用した画像表示装置の構造例である。
【0071】
本実施例で示すリアプロジェクションの構造は実施例1において図2で説明したものと同じであるのでここでは省略する。実施例1と異なる点は、図2においてハーフミラー204の代わりに透光性基板を用いた点である。
【0072】
即ち、光学系装置において適当な光学変調がなされた光は、所定の画像情報を含んだ光となって透光性基板に入射する。
この時、入射光は屈折率の小さい空気中から屈折率の大きい透光性基板に入射するので反射は起こらずにそのまま透過する。
【0073】
次に、透光性基板を透過した光は、少なくとも一つの反射ミラーによって反射されて再び透光性基板へと戻る。
【0074】
ここで、反射ミラーで反射された光が透光性基板へと戻るときに、その入射角が臨界角以上であることが重要である。透光性基板の屈折率が既知であれば、透光性基板の内側から空気中に光が進む場合の臨界角は容易に求めることができる。
【0075】
このように、反射ミラーで反射された光が透光性基板へと戻るときに予め全反射するように配置しておけば、透光性基板を反射ミラーの如く利用することができる。この際、必要に応じて透光性基板に誘電体多層膜等を形成して表面屈折率を変えてもよい。
【0076】
こうして、反射を利用して光路長を稼いだ光はその進行過程において徐々に拡大され、スクリーン上には所定の大きさに拡大投影される。
【0077】
本実施例のように、物理現象である全反射を利用することで透光性基板に反射ミラーと同等の機能を付与すれば、従来デッドスペースであった空間を有効に利用することが可能となる。即ち、従来と同じ空間内においてもより長い光路長を確保することができる。
【0078】
また、本実施例は光学系の配置を調整することで従来よりもデッドスペースとなる空間の少ない構造とすることが可能である。
【0079】
従って、投影レンズの小型化および低コスト化が図れるだけでなく、従来よりもより小型の表示装置を構成することが可能となった。
【0080】
【発明の効果】
本発明は従来デッドスペースとなりがちであった反射ミラーの裏側を、電気光学装置の設置場所として有効に利用する技術を提供している。これにより、画像情報を含んだ光がスクリーンに達するまでの光路長を稼ぐことができるため、投影レンズの設計にかかるコストが低減される。
【0081】
また、光学系の自由度が拡がるため、画像表示装置自体の製造コストを引き下げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来構造の画像表示装置を示す図。
【図2】 本発明を利用した構造の画像表示装置を示す図。
【図3】 全反射について説明した図。
【図4】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図5】 液晶セルの構造を示す図。
【符号の説明】
101 光源
102 反射ミラー
103 電気光学装置
104 反射ミラー
105 スクリーン
106 表示装置本体
204 ハーフミラー
401 ガラス基板
402 酸化珪素膜
403、404、405 活性層
406 ゲート絶縁膜
407、408、409 ゲート電極
410、411、412 弱いN型領域
413、414 フォトレジストのマスク
415、416 強いN型領域
417 弱いN型領域
418 フォトレジストのマスク
419 強いP型領域
420 層間絶縁物
421、422、423 周辺回路の電極・配線
424、425 画素の電極・配線
426 窒化珪素膜
427 透明電極
428 窒化珪素膜
501 対向する基板
502 マトリクス回路を形成した基板
503、504 透明電極
505 配向膜
506 スペーサー
507 シール剤
508 液晶
[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The invention disclosed in the present specification relates to a display device that projects an image. In particular, the present invention relates to a rear projection type image display device using an active matrix liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
A liquid crystal electro-optical device (generally called a liquid crystal panel) is used in a wide range of fields such as a computer, a calculator, and a watch as an image display device that is lighter and more compact than a CRT. The liquid crystal panel changes the optical properties (interference, scattering, diffraction, optical rotation, absorption, etc.) of the liquid crystal material due to changes in the alignment state and phase transition of the liquid crystal molecules in response to the application of an external field (electric field, heat, etc.) of the liquid crystal material. This is the principle of operation.
[0003]
In a general liquid crystal panel configuration and driving method, at least one of them has a light-transmitting property and a liquid crystal material is sandwiched between two substrates having a distance of 1 to several tens of μm. An image is displayed by applying an electric field to the liquid crystal material by electrodes formed on both or either side to control the alignment state of liquid crystal molecules for each pixel in the substrate surface and controlling the amount of light transmitted through the liquid crystal panel. Is.
At this time, depending on which of the above optical properties is used, for example, a polarizing plate is provided on the outside of the liquid crystal panel, so that a configuration corresponding to the operation mode is adopted.
[0004]
Currently, the TN (twisted nematic) type or STN (super twisted nematic) type is widely used in liquid crystal panels. These are optical properties such as optical rotation of liquid crystal materials and interference of birefringent light, respectively. The property is utilized, and it is necessary to provide a polarizing plate in any case.
[0005]
Further, when displaying an image on the liquid crystal panel, various methods have been proposed in order to control the operation of many pixels simultaneously. Among them, active matrix driving is widely used as a method capable of high image quality and high density display.
[0006]
The purpose of this is to provide non-linear active elements (diodes, transistors, etc.) in each pixel so that each pixel is in an electrically independent relationship, eliminating interference of extra signals and realizing high image quality. To do. According to this method, each pixel can be viewed as a capacitor to which an electrical switch is connected.
[0007]
Accordingly, the charge can be injected / extracted to / from the pixel by turning on / off the switch as necessary. Further, when the switch is turned OFF, the charge is held in the pixel, so that it is possible to impart memory characteristics.
[0008]
A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal panel using an active matrix circuit will be described below. The liquid crystal panel to be described is a monolithic active matrix circuit in which peripheral drive circuits are also formed in the substrate. This production process will be described with reference to FIG. This step is for the low temperature polysilicon process.
[0009]
The left side of FIG. 4 shows the TFT manufacturing process of the drive circuit, and the right side shows the TFT manufacturing process of the active matrix circuit.
[0010]
First, a silicon oxide film having a thickness of 1000 to 3000 mm was formed as a base oxide film 402 on a glass substrate 401 as a first insulating substrate. As a method for forming this silicon oxide film, a sputtering method or a plasma CVD method in an oxygen atmosphere may be used.
[0011]
Thereafter, an amorphous silicon film was formed to 300 to 1500 mm, preferably 500 to 1000 mm, by plasma CVD or LPCVD. Then, thermal annealing was performed at a temperature of 500 ° C. or higher, preferably 500 to 600 ° C., to crystallize the silicon film or improve the crystallinity. After crystallization by thermal annealing, light (laser or the like) annealing may be performed to further increase crystallization. Further, at the time of crystallization by thermal annealing, as described in JP-A-6-244103 and JP-A-6-244104, an element (catalytic element) that promotes crystallization of silicon such as nickel may be added.
[0012]
Next, the silicon film is etched to form TFT active layers 403 (for p-channel TFTs) and 404 (for N-channel TFTs) for the driver circuit on the island and an active layer 405 for TFTs (pixel TFTs) for the matrix circuit. did. Further, a silicon oxide gate insulating film 406 having a thickness of 500 to 2000 mm was formed by sputtering in an oxygen atmosphere. As a method for forming the gate insulating film, a plasma CVD method may be used. In the case of forming a silicon oxide film by the plasma CVD method, it was preferable to use dinitrogen monoxide (N 2 O) or oxygen (O 2 ) and monosilane (SiH 4) as a source gas.
[0013]
Thereafter, aluminum having a thickness of 2000 to 6000 mm was formed on the entire surface of the substrate by sputtering. Here, in order to prevent hillocks and whiskers from being generated by a subsequent thermal process, aluminum containing silicon, scandium, palladium, or the like may be used. Then, this is etched to form gate electrodes 407, 408, and 409 (FIG. 4A).
[0014]
Thereafter, phosphorus is implanted into all island-like active layers by ion doping in a self-aligning manner using the gate electrode as a mask and phosphine (PH 3 ) as a doping gas. The dose is 1 × 10 12 to 5 × 10 13 atoms / cm 2 .
As a result, weak N-type regions 410, 411, 412 are formed. (Fig. 4 (B))
[0015]
Next, a photoresist mask 413 that covers the active layer of the P-channel TFT and a photoresist mask 414 that covers a portion 3 μm away from the end of the gate electrode 409 in parallel to the gate electrode of the active layer 405 of the pixel TFT. It is formed.
[0016]
Then, phosphorus is implanted again using phosphine as a doping gas by ion doping. The dose is 1 × 10 14 to 5 × 10 15 atoms / cm 2 . As a result, strong N-type regions (source and drain) 415 and 416 are formed. Of the weak N-type region 412 of the active layer 405 of the pixel TFT, the region 417 covered by the mask 414 remains weak N-type because phosphorus is not implanted in this doping. (Fig. 4 (C))
[0017]
Next, the active layers 404 and 405 of the N channel type TFT are covered with a photoresist mask 418, and boron is implanted into the island regions 403 by ion doping using diborane (B 2 H 6 ) as a doping gas. The dose is 5 × 10 14 to 8 × 10 15 atoms / cm 2 .
[0018]
In this doping, since the dose amount of boron exceeds the dose amount of phosphorus in FIG. 4C, the weak N-type region 410 formed previously is inverted to the strong P-type region 419.
[0019]
By the above doping, strong N-type regions (source / drain) 415 and 416, strong P-type regions (source / drain) 419, and weak N-type regions (low-concentration impurity regions) 417 are formed. In this embodiment, the width x of the low-concentration impurity region 417 is about 3 μm. (Fig. 4 (D))
[0020]
Thereafter, thermal annealing was performed at 450 to 850 ° C. for 0.5 to 3 hours to recover the damage due to doping, activate the doping impurities, and recover the crystallinity of silicon. Thereafter, a silicon oxide film having a thickness of 3000 to 6000 mm was formed as an interlayer insulator 420 on the entire surface by plasma CVD. This may be a silicon nitride film or a multilayer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film. Then, the interlayer insulating film 420 was etched by wet etching or dry etching to form contact holes in the source / drain.
[0021]
Then, an aluminum film having a thickness of 2000 to 6000 mm or a multilayer film of titanium and aluminum is formed by sputtering. This was etched to form electrodes / wirings 421, 422, 423 of the peripheral circuit and electrodes / wirings 424, 425 of the pixel TFT. Further, a silicon nitride film 426 having a thickness of 1000 to 3000 mm was formed as a passivation film by plasma CVD, and this was etched to form an interlayer film. Further, a transparent electrode 427 made of ITO is formed thereon as a display electrode to a thickness of 1200 mm. (Fig. 4 (E))
[0022]
Further, a silicon nitride film 428 having a thickness of 1000 to 3000 mm is formed as a passivation film by the plasma CVD method to obtain the structure shown in FIG.
The substrate thus obtained is indicated at 502 in FIG.
[0023]
Next, in FIG. 5, a black matrix is formed on the opposing substrate 501 (not shown). The black matrix used here is made of Cr, has a thickness of 1200 mm, and is patterned into a desired shape by a known photolithography method.
[0024]
Here, in this embodiment, a case where color display is performed by incorporating a color filter into a liquid crystal panel will be described.
First, a color filter is formed on a black matrix (not shown) (not shown). A color filter is formed by repeating coating, patterning, and curing (firing) a material in which pigments showing R, G, and B colors are dispersed in a solvent such as ethylene glycol and monoethyl ether acetate to form a micro color filter. . In this embodiment, the film thickness of each color is 1.7 μm.
[0025]
Further, an overcoat agent (planarizing film) (not shown) made of an acrylic resin is formed thereon. The overcoat agent is formed on the entire surface with a thickness of 1 μm.
[0026]
Next, a transparent electrode 503 made of ITO is formed on the entire surface of a color filter (not shown). A transparent electrode 503 is also formed on the substrate 502 on which the matrix circuit is formed. Further, an alignment film 505 made of polyimide is formed on the transparent electrodes 503 and 504.
[0027]
Next, the alignment film 505 is rubbed by a normal method. At this time, the rubbing is performed so that the upper and lower substrates form an angle of 90 °.
[0028]
Next, spacers 506 made of silicon oxide having a diameter of 3.8 μm are dispersed on the substrate coated with the alignment film (not shown).
[0029]
Next, a sealant 507 is printed on the substrate 502 side on which the matrix circuit is formed, and the substrates 601 and 602 are overlapped and fixed. At this time, the sealing material is printed near the outer periphery of the substrate so that the pixel region and the peripheral drive circuit region are inside. Thus, a cell of the liquid crystal panel is formed.
[0030]
Next, a liquid crystal material 508 is injected into the cell by a vacuum injection method. The liquid crystal material used is nematic liquid crystal ZLI-4792 (trade name) manufactured by Merck & Co. In this way, the liquid crystal panel shown in FIG. 6 is formed.
[0031]
There is known a display device of a type that projects an image on a screen using a liquid crystal display panel as described above. Such projection display devices are increasingly used in daily life as their versatility increases. For example, it is used for various purposes such as various events and conferences by taking advantage of the feature that a clear image can be displayed on a large screen.
[0032]
However, the projection display device cannot avoid being relatively large due to its structure, and there is a problem that it takes a lot of trouble to carry the device. In addition, there is a problem that a large space is required for the installation place of the projection display device.
[0033]
For this reason, it is an urgent need to reduce the size of the display device main body as the projection display device spreads socially.
[0034]
An outline of a general projection display apparatus is shown in FIG. The projection display device as shown in FIG. 1 is generally called rear projection, and has a configuration in which an image is viewed from the side opposite to the surface side projected on the screen. On the other hand, a configuration in which an image is viewed from the side projected on the screen is called a projection type projection. In both cases, the basic configuration is the same except that the image is inverted.
[0035]
First, rear projection will be described with reference to FIG.
[0036]
First, light emitted from the light source 101 that emits white light is corrected to light aligned in parallel by a lens (not shown). As the white light source, a halogen lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, or the like is used.
Next, the light is reflected directly above by the reflecting mirror 102 and enters the optical system apparatus indicated by 103.
[0037]
At this time, it is desirable to insert a selective transmission filter for cutting ultraviolet light and far infrared light between the light source 101 and the reflecting mirror 102. The ultraviolet light cut is for protecting the eyes, and the far infrared light cut is for preventing heat from being trapped in the display device.
[0038]
The optical system apparatus 103 is configured to have a liquid crystal panel and a projection lens inside. The light that has entered the optical system device 103 enters the liquid crystal panel having the structure described above, and is optically modulated by using the change in the electro-optical characteristics of the liquid crystal.
[0039]
If the image is displayed in color, a color filter or dichroic mirror corresponding to each of RGB may be incorporated in the optical system device 103 to perform optical modulation corresponding to each of RGB. However, since white light is once split into the three primary colors RGB, optical modulation is performed by three liquid crystal panels corresponding to RGB, and light including the respective image information is synthesized later, a complicated optical system is required.
[0040]
Next, when appropriate optical modulation is performed in the liquid crystal panel, a predetermined display image is formed. The image thus obtained is focused by the projection lens.
[0041]
The output light that has passed through the optical system device 103 through the above process is gradually enlarged while being reflected by the reflection mirror 104. At this time, the light is reflected by the reflection mirror 104 toward the screen 105 installed in the display device main body 106, and an image enlarged and projected from the inside is displayed on the screen 105.
[0042]
The number of reflecting mirrors at this time is not limited to one, and the number of reflection mirrors may be arbitrarily changed depending on the size of the image projected on the screen 105 and the focal length of the projection lens.
[0043]
The reason why the reflection mirror is used for the rear projection as described in FIG. 1 is greatly influenced by the design problem of the projection lens.
[0044]
For example, in the case of projection type projection, the irradiation light focused by the projection lens travels a certain distance X and reaches the screen. This certain distance X is the optical path length necessary for the image to be enlarged and projected until it fits the screen area.
[0045]
The simplest means for shortening the distance X may be adjusted so that the projection lens can be enlarged and projected to a predetermined size by changing various parameters of the projection lens.
In this case, however, the thickness of the projection lens increases and the design of various parameters becomes complicated, resulting in an increase in the manufacturing cost of the projection lens. In addition, since the image is forcibly enlarged with a wide-angle lens, there arises a problem that distortion occurs as the edge of the display image is approached.
[0046]
Therefore, it is necessary to provide a certain distance X between the screen and the projection lens in order to reduce the manufacturing cost of the projection lens. In other words, it can be said that the cost of the projection lens can be reduced correspondingly if a certain distance X is made longer. Of course, a clear image cannot be obtained unless the balance with the light emission intensity of the light source is taken into consideration.
[0047]
The above is an example of the projection type projection, but the situation is different when the rear projection has a structure as shown in FIG.
That is, since the size of the display device main body 106 is limited, it is difficult to ensure an appropriate optical path length.
[0048]
In order to solve this problem, a structure has been adopted in which an appropriate optical path length is secured in a narrow space using a reflecting mirror. By doing so, it has become possible to obtain a predetermined display image using a projection lens having a small thickness.
[0049]
However, when a plurality of reflecting mirrors are installed in the apparatus main body 106, a dead space (empty space) 100 indicated by hatching is formed on the back side of the reflecting mirror indicated by 104 in FIG. This dead space 100 is a part that should be deleted in order to reduce the size and cost of the display device.
[0050]
However, it can be said that the current situation is to reduce the size of the display device at the expense of the manufacturing cost of the lens, or by cutting the shape of the display device body to eliminate the apparent dead space.
[Problems to be solved by the invention]
[0051]
An object of the invention disclosed in this specification is to provide a technique for realizing a reduction in size and cost of a projection-type image display device by using a dead space in a rear projection.
[Means for Solving the Problems]
[0052]
The configuration of the invention disclosed in this specification is as follows.
An optical modulation element that optically modulates incident light emitted from a light source;
A projection lens for collecting the output light of the optical modulation element;
Means for transmitting at least half of the light collected by the projection lens incident from one surface and reflecting at least half of the light collected by the projection lens incident from the other surface;
At least one mirror for reflecting the light transmitted by the means;
A screen for projecting the light reflected by the means or mirror;
A projection-type image display device comprising:
A first path through which the output light of the optical modulation element is transmitted;
A second path reflected by at least one mirror;
A third path reflected by the means;
Through
It is projected on the screen.
[0053]
That is, the configuration is such that a dead space indicated by 100 is utilized by replacing the reflecting mirror indicated by 104 in FIG. 1 with a half mirror or means having the same function as that of the half mirror.
[0054]
【Example】
[Example 1]
[0055]
In the present embodiment, the structure of an image display apparatus that effectively uses a dead space in a rear projection using a semi-transparent mirror (hereinafter referred to as a half mirror) will be described. In the structural diagram (FIG. 2) of the image display device used in this embodiment, the size of the device main body and the components inside the device are all drawn with the same dimensions as those of the image display device having the conventional structure shown in FIG. .
[0056]
First, the light emitted from the light source 201 that emits white light in FIG. 2 is corrected to light that is aligned in parallel by a lens (not shown). As the white light source, a halogen lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, or the like is used.
Next, the light is reflected by the reflecting mirror 202 and enters the optical system apparatus indicated by 203.
[0057]
At this time, it is desirable to insert a selective transmission filter for cutting ultraviolet light and far infrared light between the light source 201 and the reflection mirror 202. The ultraviolet light cut is for protecting the eyes, and the far infrared light cut is for preventing heat from being trapped in the display device.
[0058]
The optical system apparatus 203 has a configuration having a liquid crystal panel and a projection lens inside. The light that has entered the optical system device 203 enters the liquid crystal panel, and is optically modulated by utilizing the change in electro-optical characteristics of the liquid crystal.
[0059]
This liquid crystal panel is an active matrix liquid crystal electro-optical device having a structure in which pixel TFTs arranged in a matrix on a substrate having translucency and peripheral circuits for driving the TFTs are integrated.
[0060]
If the image is displayed in color, a color filter or dichroic mirror corresponding to each of RGB may be incorporated in the optical system device 203 to perform optical modulation corresponding to each of RGB. In this case, the white light is once split into the three primary colors RGB to perform optical modulation, and then a method of combining the light including the respective image information or a method of incorporating a color filter corresponding to RGB in the liquid crystal panel is employed. In any case, a complicated optical system is required.
[0061]
Next, when appropriate optical modulation is performed in the liquid crystal panel, a predetermined display image is formed. The image thus obtained is focused by the projection lens. In the case of color display, light that is spectrally divided into RGB and optically modulated is combined by this projection lens.
[0062]
The output light that has passed through the optical system device 203 through the above process becomes light including predetermined image information and enters the half mirror 204.
[0063]
The light transmitted through the half mirror 204 is reflected by the reflection mirror 205 in the traveling direction, and returns to the half mirror 204 again. Then, approximately half of the returned light is reflected by the half mirror 204 toward the screen 206.
[0064]
In this way, the light that has gained the optical path length by using the reflection is gradually enlarged in the course of progress, and is enlarged and projected on the screen 206 to a predetermined size.
[0065]
As in this embodiment, by effectively using a space that has been a conventional dead space using a half mirror, a longer optical path length can be ensured even in a narrower space than in the past. In the present embodiment, a total of two mirrors are used, but an optical system may be configured by an arbitrary number of mirrors.
[0066]
As described above, if a longer optical path length than the conventional one can be secured, not only the cost of the projection lens can be reduced, but also the projection lens itself can be reduced in size. That is, the price of the image display device itself can be suppressed.
[0067]
Further, since the optical system device 202 is installed in a space that was originally a dead space, the degree of freedom of arrangement of the optical system is widened, and the display device main body can be easily downsized.
[Example 2]
[0068]
In the present embodiment, the structure of an image display apparatus that effectively uses a dead space in a rear projection by utilizing total reflection, which is a physical phenomenon, will be described.
[0069]
Total reflection means that when light travels from an optically dense medium 1 (having a high refractive index) to a sparse medium 2 (having a low refractive index), all incident light is reflected at an incident angle greater than the critical angle I 0. It is a phenomenon. (Figure 3)
For example, when light travels from water to air, the critical angle is about 49 °, and all light incident at an angle higher than that is reflected.
[0070]
That is, by adjusting the optical system in the image display device to an appropriate arrangement, a general translucent substrate can be used like a reflection mirror. The present embodiment is an example of the structure of an image display device using such a principle.
[0071]
The rear projection structure shown in this embodiment is the same as that described in FIG. The difference from the first embodiment is that a translucent substrate is used instead of the half mirror 204 in FIG.
[0072]
That is, light that has been appropriately optically modulated in the optical system apparatus is incident on the translucent substrate as light containing predetermined image information.
At this time, incident light enters the light-transmitting substrate having a large refractive index from the air having a small refractive index, and thus is transmitted without being reflected.
[0073]
Next, the light transmitted through the translucent substrate is reflected by at least one reflection mirror and returns to the translucent substrate again.
[0074]
Here, when the light reflected by the reflection mirror returns to the translucent substrate, it is important that the incident angle is not less than the critical angle. If the refractive index of the translucent substrate is known, the critical angle when light travels from the inside of the translucent substrate into the air can be easily obtained.
[0075]
Thus, if the light reflected by the reflection mirror is arranged so as to be totally reflected when returning to the light transmissive substrate, the light transmissive substrate can be used like a reflection mirror. At this time, if necessary, the surface refractive index may be changed by forming a dielectric multilayer film or the like on the translucent substrate.
[0076]
In this way, the light that has gained the optical path length by using the reflection is gradually enlarged in the course of progress, and is enlarged and projected to a predetermined size on the screen.
[0077]
As in this embodiment, if a function equivalent to that of a reflection mirror is given to a translucent substrate by using total reflection, which is a physical phenomenon, it is possible to effectively use a space that was previously a dead space. Become. That is, a longer optical path length can be ensured even in the same space as the conventional one.
[0078]
Further, in this embodiment, the arrangement of the optical system can be adjusted to provide a structure with less space that becomes a dead space as compared with the prior art.
[0079]
Therefore, not only can the projection lens be reduced in size and cost, but also a display device that is smaller than the conventional one can be configured.
[0080]
【The invention's effect】
The present invention provides a technique for effectively using the back side of a reflection mirror, which tends to be a dead space, as an installation place of an electro-optical device. Thereby, since the optical path length until the light containing image information reaches a screen can be earned, the cost concerning the design of a projection lens is reduced.
[0081]
In addition, since the degree of freedom of the optical system is expanded, the manufacturing cost of the image display device itself can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an image display device having a conventional structure.
FIG. 2 is a diagram showing an image display device having a structure using the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating total reflection.
4A and 4B illustrate a manufacturing process of a thin film transistor.
FIG. 5 shows a structure of a liquid crystal cell.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Light source 102 Reflection mirror 103 Electro-optical apparatus 104 Reflection mirror 105 Screen 106 Display apparatus main body 204 Half mirror 401 Glass substrate 402 Silicon oxide film 403, 404, 405 Active layer 406 Gate insulating film 407, 408, 409 Gate electrode 410, 411, 412 Weak N-type region 413, 414 Photoresist mask 415, 416 Strong N-type region 417 Weak N-type region 418 Photoresist mask 419 Strong P-type region 420 Interlayer insulators 421, 422, 423 Peripheral circuit electrodes / wiring 424 425 Pixel electrode / wiring 426 Silicon nitride film 427 Transparent electrode 428 Silicon nitride film 501 Opposing substrate 502 Substrate 503 and 504 on which matrix circuit is formed Transparent electrode 505 Alignment film 506 Spacer 507 Sealant 508 Liquid crystal

Claims (5)

光源から発した入射光を光学変調する光学変調素子と、
前記光学変調素子の出力光を集光する投影レンズと、
一方の面から入射した前記投影レンズにより集光された光の少なくとも半分を透過し、他方の面から入射した前記投影レンズにより集光された光の少なくとも半分を反射する機能を有する手段と、
前記手段で透過された光を反射する少なくとも一つのミラーと、
前記手段またはミラーで反射された光を投影するスクリーンと、
を有した投影型画像表示装置であって、
前記光学変調素子の出力光は前記手段を透過する第1の経路と、
少なくとも一つのミラーにより反射する第2の経路と、
前記手段により反射する第3の経路と、
を経て、
前記スクリーンに投影されることを特徴とする表示装置。
An optical modulation element that optically modulates incident light emitted from a light source;
A projection lens for collecting the output light of the optical modulation element;
Means for transmitting at least half of the light collected by the projection lens incident from one surface and reflecting at least half of the light collected by the projection lens incident from the other surface;
At least one mirror for reflecting the light transmitted by the means;
A screen for projecting the light reflected by the means or mirror;
A projection-type image display device comprising:
A first path through which the output light of the optical modulation element is transmitted;
A second path reflected by at least one mirror;
A third path reflected by the means;
Through
A display device projected onto the screen.
請求項1において、入射光を透過または反射する機能を有する手段とは半透光性ミラーであることを特徴とする表示装置。2. The display device according to claim 1, wherein the means having a function of transmitting or reflecting incident light is a semi-transparent mirror. 請求項1において、入射光を透過または反射する機能を有する手段とは透光性基板であり、
前記透光性基板による光の反射は全反射を利用したものであることを特徴とする表示装置。
In claim 1, the means having a function of transmitting or reflecting incident light is a translucent substrate,
The display device according to claim 1, wherein the reflection of light by the translucent substrate utilizes total reflection.
請求項1において、光学変調素子として液晶電気光学装置が用いられることを特徴とする表示装置。The display device according to claim 1, wherein a liquid crystal electro-optical device is used as the optical modulation element. 請求項1において、光学変調素子は液晶電気光学装置であり、
前記液晶電気光学装置は同一の透光性基板を用いて一体化されていることを特徴とする表示装置。
In Claim 1, the optical modulation element is a liquid crystal electro-optical device,
The liquid crystal electro-optical device is integrated using the same translucent substrate.
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