JP2002341366A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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Publication number
JP2002341366A
JP2002341366A JP2001149781A JP2001149781A JP2002341366A JP 2002341366 A JP2002341366 A JP 2002341366A JP 2001149781 A JP2001149781 A JP 2001149781A JP 2001149781 A JP2001149781 A JP 2001149781A JP 2002341366 A JP2002341366 A JP 2002341366A
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JP
Japan
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liquid crystal
region
pixel
color filter
display device
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Pending
Application number
JP2001149781A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Nagata
徹也 永田
Toshio Miyazawa
敏夫 宮沢
Masataka Okamoto
正高 岡本
Hiroaki Asuma
宏明 阿須間
Koichi Abu
恒一 阿武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device which has superior color characteristics in either of cases wherein the device is used as a transmission type and a reflection type. SOLUTION: Each pixel area on the liquid-crystal side surface of one of substrates which are arranged opposite each other across liquid crystal has a reflection display area and a transmission display area, and an opening or cut is formed partially in the part of a color filter, formed in each pixel area on the liquid-crystal side surface of the other substrate, which faces the reflection display area.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、いわゆる部分透過型と称される液晶表示装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a so-called partial transmission type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】いわゆる部分透過型と称される液晶表示
装置は、たとえば携帯電話用の小型液晶表示装置として
用いられており、必要に応じて太陽の反射光あるいは内
蔵するバックライトの光によって表示面の映像を認識で
きるようになっている。すなわち、液晶を介して対向配
置される各透明基板のうち、その一方の透明基板の液晶
側の面には、x方向に延在されy方向に並設されるゲー
ト信号線とy方向に延在されx方向に並設されるドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各画
素領域には一方のゲート信号線からの走査信号の供給に
より駆動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジ
スタを介して一方のドレイン信号線からの映像信号が供
給される画素電極とが形成されている。
2. Description of the Related Art A so-called partially transmissive liquid crystal display device is used, for example, as a small liquid crystal display device for a cellular phone, and is displayed by reflected light of the sun or light of a built-in backlight as necessary. It can recognize the image of the surface. That is, of the transparent substrates opposed to each other via the liquid crystal, one of the transparent substrates has a liquid crystal side surface on which a gate signal line extending in the x direction and juxtaposed in the y direction extends in the y direction. A region surrounded by drain signal lines that are arranged in parallel in the x direction is defined as a pixel region. Each of these pixel regions includes a thin film transistor driven by supply of a scanning signal from one of the gate signal lines, and a thin film transistor. And a pixel electrode to which a video signal from one drain signal line is supplied.

【0003】この画素電極はたとえばITO(Indium-T
in-Oxide)のような透明電極からなり、他方の透明基板
の液晶側の面にて、各画素領域に共通に形成された透明
電極からなる対向電極との間に電界を発生せしめ、その
電界によって画素領域内の液晶の光透過率を制御するよ
うになっている。そして、この各画素領域のそれぞれに
おいて、その約半分の領域にたとえば金属層からなる反
射板を形成することにより、その反射板が形成された部
分(反射表示領域)において反射型の表示を行う機能
を、該反射板が形成されていない部分(透過表示領域)
において透過型の表示を行う機能を持たせるようにして
いる。
This pixel electrode is made of, for example, ITO (Indium-T
In-Oxide), an electric field is generated between the other transparent substrate on the liquid crystal side and a counter electrode composed of a transparent electrode commonly formed in each pixel area. Thereby, the light transmittance of the liquid crystal in the pixel region is controlled. In each of the pixel regions, a reflector made of, for example, a metal layer is formed in about half of the pixel region, thereby performing a reflective display in a portion (reflective display region) where the reflector is formed. To the portion where the reflection plate is not formed (transmissive display area)
Has a function of performing transmissive display.

【0004】この種の液晶表示装置の構成は、たとえば
特開平11−101992号公報、あるいは特開平11
−242226号公報に詳述されている。そして、この
ような液晶表示装置において、カラー表示用のものは、
互いに隣接するたとえば3つの各画素領域に対向させて
他方の透明基板の液晶側の面に赤色(R)、緑色
(G)、青色(B)のカラーフィルタが形成されてい
る。
The configuration of this type of liquid crystal display device is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-101992,
-242226. And in such a liquid crystal display device, the one for color display is
Red (R), green (G), and blue (B) color filters are formed on the liquid crystal side surface of the other transparent substrate so as to face three adjacent pixel regions, for example.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ここで、部分透過型の
液晶表示装置におけるカラーフィルタはその色純度を下
げて透過率を向上させた淡い色のものが使用されている
のが通常である。反射型として用いる場合、光がカラー
フィルタを2回通過する経路を経るため、この際の光の
減衰を低減させ、できるだけ明るい表示を得んがためで
ある。しかし、透過型として用いる場合、光がカラーフ
ィルタを1回通過するだけであり、反射型として用いる
場合と比較すると色再現性の劣った白っぽい表示となっ
てしまうことが指摘されている。仮に、色再現性の優れ
たカラーフィルタを用いると、反射型として用いる場合
の表示が極めて暗くなり実用に耐えないものとなってし
まう。
Here, a color filter in a partially transmissive liquid crystal display device is usually of a pale color whose color purity is reduced and transmittance is improved. When used as a reflection type, light passes through a color filter twice, so that attenuation of light at this time is reduced, and a display as bright as possible is obtained. However, it has been pointed out that when used as a transmissive type, light passes through a color filter only once, resulting in a whitish display with inferior color reproducibility as compared with a case where the type is used as a reflective type. If a color filter having excellent color reproducibility is used, the display when used as a reflection type becomes extremely dark, and is not practical.

【0006】この対策として、各画素領域の反射表示領
域と透過表示領域のそれぞれに対応させてそれぞれに適
当な光学特性のカラーフィルタを形成することも考えら
れるが、製造工程の増大、一方の透明基板に対する他方
の透明基板の合わせ裕度の減少等の不都合が生じること
になる。本発明は、このような事情に基づいてなされた
ものであり、その目的は、透過型および反射型として用
いてもそのいずれにおいても色特性に優れた液晶表示装
置を提供することにある。
As a countermeasure, it is conceivable to form a color filter having appropriate optical characteristics in correspondence with each of the reflective display area and the transmissive display area of each pixel area. Inconveniences such as a decrease in the alignment margin of the other transparent substrate with respect to the substrate occur. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which is excellent in color characteristics in both of a transmission type and a reflection type.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段1.本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側
の面の各画素領域に反射表示領域と透過表示領域とを有
し、他方の基板の液晶側の面の各画素領域に形成された
カラーフィルタの前記反射表示領域と対向する部分の一
部に開口あるいは切欠きが設けられていることを特徴と
するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows. Means 1. The liquid crystal display device according to the present invention has, for example, a reflective display area and a transmissive display area in each pixel area on a liquid crystal side surface of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. An opening or a notch is provided in a part of a portion of the color filter formed in each pixel region on the liquid crystal side facing the reflective display region.

【0008】手段2.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に反射表示領域と透過表
示領域とを有し、他方の基板の液晶側の面の各画素領域
に形成されたカラーフィルタの前記反射表示領域と対向
する部分であって前記透過表示領域と遠のいた端に開口
あるいは切欠きが設けられていることを特徴とするもの
である。
Means 2. The liquid crystal display device according to the present invention has, for example, a reflective display area and a transmissive display area in each pixel area on a liquid crystal side surface of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. A color filter formed in each pixel area on a liquid crystal side surface, wherein an opening or notch is provided at an end of the color filter facing the reflective display area and far from the transmissive display area. It is.

【0009】手段3.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に反射表示領域と透過表
示領域とを有し、他方の基板の液晶側の面の各画素領域
に形成されたカラーフィルタの前記反射表示領域と対向
する部分の一部に散在された複数の開口あるいは切欠き
が設けられていることを特徴とするものである。
Means 3. The liquid crystal display device according to the present invention has, for example, a reflective display area and a transmissive display area in each pixel area on a liquid crystal side surface of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. A plurality of openings or notches scattered in a part of a portion of the color filter formed in each pixel region on the liquid crystal side facing the reflective display region are provided.

【0010】手段4.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に反射表示領域と透過表
示領域とを有し、他方の基板の液晶側の面の各画素領域
に形成されたカラーフィルタの前記反射表示領域と対向
する部分の一部に散在された複数の丸形状の開口が設け
られていることを特徴とするものである。
Means 4. The liquid crystal display device according to the present invention has, for example, a reflective display area and a transmissive display area in each pixel area on a liquid crystal side surface of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. It is characterized in that a plurality of circular openings scattered are provided in a part of a portion of the color filter formed in each pixel region on the liquid crystal side facing the reflective display region.

【0011】手段5.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に形成された一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線とで囲まれる長方形状の画素領域で
あって、その幅方向にて3つに区分けされた領域のうち
中央の領域を反射表示領域とし両脇の領域を透過表示領
域とするとともに、他方の基板の液晶側の面に形成され
たカラーフィルタに、その幅方向にて3つに区分けされ
た領域のうち中央の領域に開口部が形成され、かつ、こ
の開口部は前記反射表示領域に対向する領域の一部に形
成されていることを特徴とするものである。
Means 5. The liquid crystal display device according to the present invention has, for example, a rectangular shape surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines formed on the liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. Of the three regions in the width direction, the central region is a reflective display region, the two side regions are transmissive display regions, and the other substrate has a liquid crystal side surface. In the formed color filter, an opening is formed in a central region of three regions divided in the width direction, and the opening is formed in a part of a region facing the reflective display region. It is characterized by having been done.

【0012】手段6.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に形成された一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線とで囲まれる長方形状の画素領域で
あって、その幅方向にて3つに区分けされた領域のうち
中央の領域を反射表示領域とし両脇の領域を透過表示領
域とするとともに、他方の基板の液晶側の面に形成され
たカラーフィルタに、その幅方向にて3つに区分けされ
た領域のうち中央の領域に開口部が形成され、かつ、こ
の開口部は前記反射表示領域に対向する領域にてその幅
方向に並設された複数の開口部からなることを特徴とす
るものである。
Means 6 The liquid crystal display device according to the present invention has, for example, a rectangular shape surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines formed on the liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. Of the three regions in the width direction, the central region is a reflective display region, the two side regions are transmissive display regions, and the other substrate has a liquid crystal side surface. In the formed color filter, an opening is formed in a central region among three regions divided in the width direction, and the opening is formed in a region facing the reflective display region in the width direction. And a plurality of openings arranged side by side.

【0013】手段7.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段1ないし手段6の構成を前提とし、他方の
基板の液晶側の面にカラーフィルタをも被って樹脂膜が
形成されていることを特徴とするものである。
Means 7. The liquid crystal display device according to the present invention is based on, for example, the configuration of the means 1 to 6, and is characterized in that a resin film is formed so as to cover a color filter on a surface of the other substrate on the liquid crystal side. is there.

【0014】手段8.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段1ないし手段6の構成を前提とし、他方の
基板の液晶側に形成されたカラーフィルタの開口部に該
開口部を埋めるようにして樹脂膜が形成されていること
を特徴とするものである。
Means 8. In the liquid crystal display device according to the present invention, for example, the resin film is formed so as to fill the opening of the color filter formed on the liquid crystal side of the other substrate on the premise of the structure of the means 1 to means 6. It is characterized by having.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明する。 実施例1. 《全体構成》図2は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路図である。同図は回路図ではある
が、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。同図
において、透明基板SUB1がある。この透明基板SU
B1は液晶を介して他の透明基板(図示せず)と対向配
置されるようになっている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. << Overall Configuration >> FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing an embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. Although the figure is a circuit diagram, it is drawn corresponding to an actual geometric arrangement. In the figure, there is a transparent substrate SUB1. This transparent substrate SU
B1 is arranged to face another transparent substrate (not shown) via the liquid crystal.

【0016】この透明基板SUB1の液晶側の面の周辺
を除く中央部には、図中x方向に延在しy方向に並設さ
れるゲート信号線GL、およびy方向に延在しx方向に
並設されるドレイン信号線DLが形成され、これら各信
号線で囲まれた領域によって画素領域が形成されてい
る。この画素領域はマトリクス状に多数配置されて液晶
表示領域13を構成するようになっている。
A gate signal line GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction in the drawing and a gate signal line GL extending in the y direction and extending in the x direction are provided at the center of the transparent substrate SUB1 except for the periphery of the liquid crystal side surface. Are formed in parallel with each other, and a region surrounded by each of the signal lines forms a pixel region. A large number of the pixel regions are arranged in a matrix to constitute a liquid crystal display region 13.

【0017】そして、ゲート信号線GLとこれに隣接す
る他のゲート信号線GLとの間にはx方向に延在する保
持容量電極配線CLが延在して形成され、この保持容量
電極配線CLは各画素領域において後述する容量素子C
addの一方の容量保持電極CTを構成するようになっ
ている。
A storage capacitor electrode line CL extending in the x direction is formed between the gate signal line GL and another gate signal line GL adjacent to the gate signal line GL. Represents a capacitive element C described later in each pixel region.
One of the capacitance holding electrodes CT of the add is configured.

【0018】各画素領域には、一方のゲート信号線GL
からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジ
スタTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して一
方のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される透
明の画素電極PIXとを備え、また、この画素電極PI
Xと前記保持容量電極配線CLとの間には保持容量素子
Caddが形成されている。
Each pixel region has one gate signal line GL
And a transparent pixel electrode PIX to which a video signal from one drain signal line DL is supplied via the thin film transistor TFT.
A storage capacitor Cadd is formed between X and the storage capacitor electrode line CL.

【0019】前記各ゲート信号線GLは、その両端(図
中左および右側)において、透明基板SUB1に搭載さ
れた半導体集積回路からなるゲート信号線駆動回路15
に接続され、このゲート信号線駆動回路15から出力さ
れる走査信号が順次供給されるようになっている。
Each of the gate signal lines GL has a gate signal line driving circuit 15 composed of a semiconductor integrated circuit mounted on a transparent substrate SUB1 at both ends (left and right in the figure).
And the scanning signals output from the gate signal line driving circuit 15 are sequentially supplied.

【0020】また、前記各ドレイン信号線DLは、その
一端(図中下側)において、透明基板SUB1に搭載さ
れた半導体集積回路からなるドレイン信号線駆動回路1
4に接続され、前記走査信号の供給のタイミングに合わ
せて映像信号が供給されるようになっている。
Each of the drain signal lines DL has, at one end (lower side in the figure), a drain signal line drive circuit 1 composed of a semiconductor integrated circuit mounted on a transparent substrate SUB1.
4 so that a video signal is supplied in synchronization with the supply timing of the scanning signal.

【0021】さらに、前記保持容量電極配線CLは、そ
の一端(図中左側)において、端子Vcomに接続され
るようになっている。この端子Vcomは、透明基板S
UB1の周辺に形成された入力端子18、19、100
と並設されて形成され、透明基板SUB1と対向配置さ
れる他の透明基板の液晶側の面にて各画素領域に共通な
透明の対向電極(図示せず)と同じ電位に保持されるよ
うになっている。
Further, the storage capacitor electrode wiring CL has one end (left side in the figure) connected to a terminal Vcom. This terminal Vcom is connected to the transparent substrate S
Input terminals 18, 19, 100 formed around UB1
Are formed in parallel with each other, and are kept at the same potential as a transparent counter electrode (not shown) common to each pixel region on a liquid crystal side surface of another transparent substrate arranged to face the transparent substrate SUB1. It has become.

【0022】なお、図中において、符号16はドレイン
信号線DLを充電するプリチャージ回路、符号17は入
力端子19、100に入力されるデジタル信号(コント
ロール信号)をゲート信号線駆動回路15およびドレイ
ン信号線駆動回路14を動かすのに充分な電圧にするレ
ベルシフト回路である。
In the figure, reference numeral 16 denotes a precharge circuit for charging the drain signal line DL, and reference numeral 17 denotes a digital signal (control signal) input to the input terminals 19 and 100 by the gate signal line drive circuit 15 and the drain signal. This is a level shift circuit that sets a voltage sufficient to operate the signal line drive circuit 14.

【0023】《画素構成》図3は本発明による液晶表示
装置の画素領域の一実施例を示す平面図であり、そのIV
−IVにおける断面を図4に示している。図3は、図2に
示した液晶表示領域13を構成する各画素領域のうち一
の画素領域の構成を示したもので、このため、この一の
画素領域の左右上下方向の各画素領域においても同様の
構成となっている。
<< Pixel Structure >> FIG. 3 is a plan view showing an embodiment of a pixel region of the liquid crystal display device according to the present invention, and its IV.
FIG. 4 shows a cross section taken along line -IV. FIG. 3 shows a configuration of one pixel region among the pixel regions constituting the liquid crystal display region 13 shown in FIG. 2. For this reason, in each pixel region in the left, right, up and down directions of this one pixel region. Has a similar configuration.

【0024】図2において、まず、透明基板SUB1の
液晶側の面には下地層SiOないしSiNが形成されて
いる。この下地層SiOは透明基板SUB1に含まれる
イオン性不純物が後述の薄膜トランジスタTFTに影響
を及ぼすのを回避するために形成されている。そして、
この下地層SiOの表面には、たとえばポリシリコン層
からなる半導体層ASが形成されている。この半導体層
ASはたとえばプラズマCVD装置によって成膜したア
モルファスSi膜をエキシマレーザによって多結晶化し
たものである。
In FIG. 2, first, an underlayer SiO or SiN is formed on the liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB1. The underlayer SiO is formed in order to prevent ionic impurities contained in the transparent substrate SUB1 from affecting a thin film transistor TFT described later. And
A semiconductor layer AS made of, for example, a polysilicon layer is formed on the surface of the underlayer SiO. The semiconductor layer AS is, for example, a polycrystalline amorphous Si film formed by a plasma CVD apparatus using an excimer laser.

【0025】この半導体層ASは、後述するゲート信号
線GLに隣接して形成される帯状の部分とこの部分に一
体となって画素領域のほぼ半分(図中上側)を占める矩
形状の部分とに形成されている。帯状の部分の半導体層
ASは後述する薄膜トランジスタTFTの半導体層とし
て形成され、矩形状の部分の半導体層ASは後述する容
量素子Caddの一対の電極のうち一方の電極として形
成されるようになっている。
The semiconductor layer AS includes a band-shaped portion formed adjacent to a gate signal line GL described later and a rectangular portion occupying almost half (upper side in the figure) of the pixel region integrally with this portion. Is formed. The band-shaped portion of the semiconductor layer AS is formed as a semiconductor layer of a thin film transistor TFT described later, and the rectangular portion of the semiconductor layer AS is formed as one electrode of a pair of electrodes of a capacitive element Cadd described later. I have.

【0026】そして、このように半導体層ASが形成さ
れた透明基板SUB1の表面には、該半導体層ASをも
覆ってたとえばSiO2あるいはSiNからなる第1絶
縁膜GIが形成されている。この第1絶縁膜GIは前記
薄膜トランジスタTFTのゲート絶縁膜として機能する
とともに、後述するゲート信号線GLとドレイン信号線
DLの層間絶縁膜の一つ、および後述する容量素子Ca
ddの誘電体膜の一つとして機能するようになってい
る。そして、第1絶縁膜GIの上面には、図中x方向に
延在しy方向に並設されるゲート信号線GLが形成さ
れ、このゲート信号線GLは後述するドレイン信号線D
Lとともに矩形状の画素領域を画するようになってい
る。
On the surface of the transparent substrate SUB1 on which the semiconductor layer AS is formed, a first insulating film GI made of, for example, SiO2 or SiN is formed so as to cover the semiconductor layer AS. The first insulating film GI functions as a gate insulating film of the thin film transistor TFT, and is one of interlayer insulating films of a gate signal line GL and a drain signal line DL described later, and a capacitive element Ca described later.
It functions as one of the dd dielectric films. On the upper surface of the first insulating film GI, a gate signal line GL extending in the x direction in the figure and juxtaposed in the y direction is formed, and this gate signal line GL is connected to a drain signal line D described later.
Together with L, a rectangular pixel area is defined.

【0027】なお、このゲート信号線GLは耐熱性を有
する導電膜であればよく、たとえばAl、Cr、Ta、
TiW等が選択される。この実施例ではゲート信号線G
LとしてTiWが用いられている。このゲート信号線G
Lはその一部が画素領域内に延在され、前記帯状の半導
体層ASに交差するようにして重畳されている。このゲ
ート信号線GLの延在部GLは薄膜トランジスタTFT
のゲート電極GTとして形成されている。
The gate signal line GL may be any conductive film having heat resistance, for example, Al, Cr, Ta,
TiW or the like is selected. In this embodiment, the gate signal line G
TiW is used as L. This gate signal line G
L is partially extended in the pixel region and overlapped so as to intersect with the band-shaped semiconductor layer AS. The extension GL of the gate signal line GL is a thin film transistor TFT
Is formed as the gate electrode GT.

【0028】なお、このゲート信号線GLの形成後は、
第1絶縁膜GIを介して不純物のイオン打ち込みをし、
前記半導体層ASにおいて前記ゲート電極GTの直下を
除く領域を導電化させることによって、薄膜トランジス
タTFTのソース領域およびドレイン領域が形成される
とともに、前記容量素子Caddの一対の電極のうち一
方の電極が形成されるようになっている。
After the formation of the gate signal line GL,
Ion implantation of impurities through the first insulating film GI,
By making the region of the semiconductor layer AS other than immediately below the gate electrode GT conductive, a source region and a drain region of the thin film transistor TFT are formed, and one of a pair of electrodes of the capacitor Cadd is formed. It is supposed to be.

【0029】また、画素領域の中央における第1絶縁膜
GIの上面には図中x方向に延在する保持容量電極配線
CLが形成され、この保持容量電極配線CLは画素領域
の図中上側の領域に延在する保持容量電極CTと一体に
形成されるようになっている。この保持容量電極配線C
L(保持容量電極CT)はゲート信号線GLと同層でか
つ同一の材料で形成されている。
On the upper surface of the first insulating film GI at the center of the pixel region, a storage capacitor electrode line CL extending in the x direction in the figure is formed. The storage capacitor electrode CT extending to the region is formed integrally. This storage capacitor electrode wiring C
L (storage capacitor electrode CT) is formed in the same layer and the same material as the gate signal line GL.

【0030】前記ゲート信号線GLおよび保持容量電極
配線CL(保持容量電極CT)をも覆って前記第1絶縁
膜GIの上面には第2絶縁膜INがたとえばSiO2あ
るいはSiNによって形成されている。さらに、この第
2絶縁膜INの上面には、画素領域のほぼ半分の領域
(図中上側の領域)を占めるようにしてたとえばアルミ
ニュウム(Al)からなる金属膜10が形成されてい
る。
A second insulating film IN is formed of, for example, SiO2 or SiN on the upper surface of the first insulating film GI so as to cover the gate signal line GL and the storage capacitor electrode wiring CL (the storage capacitor electrode CT). Further, a metal film 10 made of, for example, aluminum (Al) is formed on the upper surface of the second insulating film IN so as to occupy almost half of the pixel region (upper region in the drawing).

【0031】この金属膜10は前記薄膜トランジスタT
FTに近接する部分において、前記第2絶縁膜INおよ
び第1絶縁膜GIに形成されたコンタクトホールCH1
を通して前記半導体層ASと接続されている。金属膜1
0と接続される半導体層ASは薄膜トランジスタTFT
のソース領域に相当する部分となっており、これに対し
て該薄膜トランジスタTFTのドレイン領域は前記ゲー
ト電極GTと重畳される部分を間にして反対側の半導体
層ASの領域でコンタクトホールCH2を通して後述す
るドレイン信号線DLに接続されるようになっている。
また、この金属膜10は前記保持容量電極CTに重畳す
るようにして画素のほぼ中央部にまで延在されている。
The metal film 10 is formed on the thin film transistor T
In a portion near the FT, a contact hole CH1 formed in the second insulating film IN and the first insulating film GI is formed.
Through the semiconductor layer AS. Metal film 1
The semiconductor layer AS connected to 0 is a thin film transistor TFT
In contrast, the drain region of the thin film transistor TFT has a portion overlapped with the gate electrode GT and a region of the semiconductor layer AS on the opposite side through a contact hole CH2. To be connected to the drain signal line DL.
The metal film 10 extends to almost the center of the pixel so as to overlap the storage capacitor electrode CT.

【0032】すなわち、この金属膜10は反射型の画素
領域を形成するための反射板を構成するとともに、前記
容量素子Caddの他方の電極をも構成するようになっ
ている。容量素子Caddは、薄膜トランジスタTFT
のソース領域と保持容量電極CTとの間に、該保持容量
電極CTを一方の電極、矩形状の半導体層ASを他方の
電極、第1絶縁膜GIを誘電体膜とする第1の容量素子
と、該保持容量電極CTを一方の電極、金属膜10を他
方の電極、第2絶縁膜INを誘電体膜とする第2の容量
素子とが並列に接続された2段構成の容量素子を構成し
ている(図1参照)。
That is, the metal film 10 constitutes a reflection plate for forming a reflection type pixel region, and also constitutes the other electrode of the capacitive element Cadd. The capacitance element Cadd is a thin film transistor TFT
Between the source region and the storage capacitor electrode CT, the first capacitor element having the storage capacitor electrode CT as one electrode, the rectangular semiconductor layer AS as the other electrode, and the first insulating film GI as a dielectric film And a two-stage capacitor in which the storage capacitor electrode CT is connected in parallel to one electrode, the metal film 10 is the other electrode, and the second capacitor is a second insulating film IN as a dielectric film. (See FIG. 1).

【0033】また、第2絶縁層INの上面には、図中y
方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLが
形成されている。このドレイン信号線DLは前述したゲ
ート信号線GLとで画素領域を画するようになってい
る。ドレイン信号線DLは、たとえばアルミニュウム、
TiWを下地層としたアルミニュウム、MoSiを下地
層としたアルミニュウムが用いられている。アルミニュ
ウムがポリシリコン層と直接に接触するたとえば400
℃以上のプロセス温度では導通不良を生ずる場合がある
ことから、上述のような下地層を形成することが有効と
なる。
Further, on the upper surface of the second insulating layer IN, y in FIG.
A drain signal line DL extending in the direction and juxtaposed in the x direction is formed. The drain signal line DL defines a pixel region with the above-described gate signal line GL. The drain signal line DL is, for example, aluminum,
Aluminum having an underlying layer of TiW and aluminum having an underlying layer of MoSi are used. For example, when the aluminum is in direct contact with the polysilicon layer,
Since a conduction failure may occur at a process temperature of not less than ° C., it is effective to form the underlayer as described above.

【0034】このドレイン信号線DLはその一部が第2
絶縁膜INおよび第1絶縁膜GIに形成されたコンタク
トホールCH2を通して前記薄膜トランジスタTFTの
ドレイン領域(ドレイン信号線DLと接続される側をド
レイン領域とこの明細書では定義する)に接続されてい
る。
A part of the drain signal line DL is the second
The thin film transistor TFT is connected to a drain region (a side connected to the drain signal line DL is defined as a drain region in this specification) through a contact hole CH2 formed in the insulating film IN and the first insulating film GI.

【0035】そして、このドイレン信号線DLおよび前
記金属膜10をも覆って第2絶縁膜INの上面には第3
絶縁膜PSVが形成されている。この第3絶縁膜PSV
はたとえばSiO2あるいはSiNにより形成されてい
る。しかし、有機膜を塗布等によって形成するようにし
てもよい。塗布等により形成する有機膜の場合、その表
面を平坦化でき、液晶の配向を良好な状態とすることが
できる。
A third insulating film IN is formed on the upper surface of the second insulating film IN so as to cover the drain signal line DL and the metal film 10.
An insulating film PSV is formed. This third insulating film PSV
Is formed of, for example, SiO2 or SiN. However, an organic film may be formed by coating or the like. In the case of an organic film formed by coating or the like, the surface can be flattened, and the orientation of the liquid crystal can be made favorable.

【0036】この第3絶縁膜PSVの上面にはたとえば
ITO(Indium-Tin-Oxide)膜からなる画素電極PIX
が形成されている。この場合、前記第3絶縁膜PSVが
有機膜で形成されている場合、その膜に発生するピンホ
ールの発生を大幅に抑制できるので、ITO膜の画素電
極PIXの形成のためのパターニングの際の前記金属膜
10へのダメージを防止することができる効果を奏す
る。
The pixel electrode PIX made of, for example, an ITO (Indium-Tin-Oxide) film is formed on the upper surface of the third insulating film PSV.
Are formed. In this case, when the third insulating film PSV is formed of an organic film, the occurrence of pinholes generated in the film can be significantly suppressed, and therefore, when the third insulating film PSV is patterned for forming the pixel electrode PIX of the ITO film. There is an effect that damage to the metal film 10 can be prevented.

【0037】この画素電極PIXは薄膜トランジスタT
FTに隣接する部分において前記第3絶縁膜PSVに形
成されたコンタクトホールCH3を通して前記金属膜1
0と接続されている。
This pixel electrode PIX is a thin film transistor T
In the portion adjacent to the FT, the metal film 1 is passed through a contact hole CH3 formed in the third insulating film PSV.
0 is connected.

【0038】これにより、画素電極PIXは前記金属膜
10を介して薄膜トランジスタTFTのソース領域と接
続されるようになり、該薄膜トランジスタTFTがオン
した際にはドレイン信号線DLからの映像信号が該薄膜
トランジスタTFTを介して画素電極PIXに供給され
ることになる。
As a result, the pixel electrode PIX is connected to the source region of the thin film transistor TFT via the metal film 10, and when the thin film transistor TFT is turned on, the video signal from the drain signal line DL is applied to the thin film transistor TFT. It is supplied to the pixel electrode PIX via the TFT.

【0039】ここで、画素電極PIXとの接続部におけ
る金属膜10の表面には、選択的に形成された介在層1
1が形成されている。この介在層11は、前記金属膜1
0としてたとえばアルミニュウム(Al)等を用いた場
合、画素電極PIXであるITO膜との接触が良好とな
らないことから、たとえばモリブデンシリコン(MoS
i)、あるいはチタンタングステン(TiW)等の金属
を介在させて形成されるものである。
Here, the selectively formed intervening layer 1 is formed on the surface of the metal film 10 at the connection with the pixel electrode PIX.
1 is formed. The intervening layer 11 is formed by the metal film 1
When aluminum (Al) or the like is used as 0, for example, molybdenum silicon (MoS) is used because contact with the ITO film as the pixel electrode PIX is not good.
i) or formed by interposing a metal such as titanium tungsten (TiW).

【0040】この場合、この介在層11は金属膜10の
全域に形成することが製造工程の上で好ましいが、この
実施例では、画素電極PIXとの接続部を中心として一
定の範囲で選択的に設けている。この理由は、該金属膜
10を反射板として機能させることから、仮に、該金属
膜10の全域に介在層11を形成した場合、その介在層
11によって光反射率が低下する場合が通常であるから
である。このことから、前記金属膜10として反射率の
大きな材料を選択できるとともに、画素電極PIXとの
信頼性ある接続を図ることができるようになる。
In this case, the intervening layer 11 is preferably formed over the entire area of the metal film 10 from the viewpoint of the manufacturing process. In this embodiment, however, the intervening layer 11 is selectively formed within a certain range around the connection with the pixel electrode PIX. Is provided. The reason for this is that the metal film 10 functions as a reflection plate. Therefore, if the intervening layer 11 is formed over the entire area of the metal film 10, the light reflectance is usually reduced by the intervening layer 11. Because. Thus, a material having a high reflectance can be selected as the metal film 10, and a reliable connection with the pixel electrode PIX can be achieved.

【0041】また、本実施例では、前記介在層11と同
一の材料からなる導電材をドレイン信号線DLにも重畳
させて形成している。しかし、必ずしも形成しなくても
よいことはいうまでもない。
In this embodiment, a conductive material made of the same material as that of the intervening layer 11 is formed so as to overlap the drain signal line DL. However, needless to say, it is not always necessary to form them.

【0042】なお、前記画素電極PIXは、この画素電
極PIXが形成された透明基板SUB1と液晶を介して
対向配置される他の透明基板(図示せず)の液晶側の面
に各画素領域に共通に形成された透明の対向電極との間
に電界を生じせしめ、この電界によって該液晶の光透過
率を制御せしめるようになっている。
The pixel electrode PIX is provided on each of the pixel regions on a liquid crystal side surface of another transparent substrate (not shown) opposed to the transparent substrate SUB1 on which the pixel electrode PIX is formed via a liquid crystal. An electric field is generated between the common counter electrode and the transparent counter electrode, and the light transmittance of the liquid crystal is controlled by the electric field.

【0043】このように構成された液晶表示装置は、反
射板として機能する金属膜10は液晶と直接接触しない
構成となっており、該液晶との間には第3絶縁膜PSV
と酸化され難い材料からなる画素電極PIXとを介在さ
せた構成となっている。
In the liquid crystal display device thus configured, the metal film 10 functioning as a reflector does not directly contact the liquid crystal, and the third insulating film PSV is provided between the metal film 10 and the liquid crystal.
And a pixel electrode PIX made of a material that is not easily oxidized.

【0044】このため、前記金属膜10が他の金属との
間で液晶を介在させた電池作用が発生しにくい構成とな
っているから、該電池作用に原因する液晶の劣化等を防
止できる効果を奏する。このように構成された透明基板
SUB1は液晶を介して透明基板SUB2と対向配置さ
れている。
For this reason, since the metal film 10 has a configuration in which a battery action with liquid crystal interposed between other metals is unlikely to occur, it is possible to prevent the liquid crystal from being deteriorated due to the battery action. To play. The transparent substrate SUB1 configured as described above is arranged to face the transparent substrate SUB2 via the liquid crystal.

【0045】透明基板SUB2の液晶側の面には、その
各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスが形
成されている。すなわち、少なくとも液晶表示部13に
形成されたブラックマトリクスBMは各画素領域の周辺
部を残す領域に開口が形成されたパターンをなし、これ
により表示のコントラストの向上を図っている。また、
このブラックマトリクスBMは透明基板SUB1側の薄
膜トランジスタTFTを充分被うようにして形成され、
該薄膜トランジスタTFTへの外来光の照射を妨げるこ
とによって該薄膜トランジスタTFTの特性劣化を回避
するようになっている。このブラックマトリクスBMは
たとえば黒色顔料が含有された樹脂膜で構成されてい
る。
On the liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB2, a black matrix is formed so as to define each pixel region. That is, at least the black matrix BM formed in the liquid crystal display unit 13 has a pattern in which an opening is formed in a region where a peripheral portion of each pixel region is left, thereby improving display contrast. Also,
The black matrix BM is formed so as to sufficiently cover the thin film transistor TFT on the transparent substrate SUB1 side.
By preventing irradiation of external light to the thin film transistor TFT, deterioration of characteristics of the thin film transistor TFT is avoided. The black matrix BM is formed of, for example, a resin film containing a black pigment.

【0046】ブラックマトリクスBMが形成された透明
基板SUB2の面には該ブラックマトリクスBMの開口
を被ってカラーフィルタFILが形成されている。この
カラーフィルタFILはたとえば赤(R)、緑(G)、
青(B)の各色のフィルタからなり、y方向に並設され
る各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成
され、x方向に順次隣接する画素領域群に共通に赤
(R)色、緑(G)色、青(B)色、赤(R)色、…、
というような配列で形成されている。これら各カラーフ
ィルタFILはその色に対応する顔料が含有された樹脂
膜で構成されている。なお、これらカラーフィルタFI
Lは、その一部に開口部を有するようになっているが、
このことについては後にさらに詳述する。
On the surface of the transparent substrate SUB2 on which the black matrix BM is formed, a color filter FIL is formed so as to cover the opening of the black matrix BM. This color filter FIL includes, for example, red (R), green (G),
For example, a red filter is formed in common in each pixel region group arranged in the y direction, and a red (R) color is commonly formed in pixel region groups sequentially adjacent in the x direction. , Green (G), blue (B), red (R),.
It is formed in such an arrangement. Each of these color filters FIL is composed of a resin film containing a pigment corresponding to the color. Note that these color filters FI
L has an opening in a part thereof,
This will be described in more detail later.

【0047】ブラックマトリクスBMおよびカラーフィ
ルタFILが形成された透明基板SUB2の表面にはこ
れらブラックマトリクスBMおよびカラーフィルタFI
Lをも被って平坦化膜OCが形成されている。この平坦
化膜OCは塗布によって形成できる樹脂膜からなり、前
記ブラックマトリクスBMおよびカラーフィルタFIL
の形成によって顕在化する段差をなくすために設けられ
る。
On the surface of the transparent substrate SUB2 on which the black matrix BM and the color filter FIL are formed, the black matrix BM and the color filter FI are provided.
A flattening film OC is formed so as to cover L. The flattening film OC is formed of a resin film that can be formed by coating, and the black matrix BM and the color filter FIL are formed.
Is provided in order to eliminate a step that becomes apparent due to the formation of

【0048】この平坦膜OCの上面には、たとえばIT
O膜からなる透光性の導電膜が形成され、この導電膜に
よって各画素領域に共通の対向電極CTが形成されてい
る。この平坦化膜OCの表面には配向膜が形成され、こ
の配向膜は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成
されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を
決定づけるようになっている
On the upper surface of this flat film OC, for example, IT
A light-transmitting conductive film made of an O film is formed, and the conductive film forms a common counter electrode CT in each pixel region. An alignment film is formed on the surface of the flattening film OC. The alignment film is a film that directly contacts the liquid crystal, and the rubbing formed on the surface determines the initial alignment direction of the liquid crystal molecules. Is

【0049】《カラーフィルタ》図1は、前記カラーフ
ィルタFILの構成を示した平面図(透明基板SUB2
側から観た平面図)である。同図は一の画素領域とそれ
に隣接する他の画素領域の一部をも示している。該カラ
ーフィルタFILは各画素領域を画するようにして形成
されたブラックマトリクスBMの各開口部を被って形成
され、かつ、同一の色のものはy方向に並設される各画
素領域において共通になっている。そして、画素領域に
おける該カラーフィルタFILは、その反射表示領域に
おいて、その反射板と対向する部分のうちたとえばその
中央に開口部HLが設けられている。この開口部HL
は、前記反射表示領域の周辺から内側へほぼ等しい距離
の部分に輪郭を有する矩形状となっている。
<< Color Filter >> FIG. 1 is a plan view (transparent substrate SUB2) showing the structure of the color filter FIL.
FIG. FIG. 1 also shows one pixel region and a part of another pixel region adjacent thereto. The color filter FIL is formed to cover each opening of the black matrix BM formed so as to define each pixel region, and the same color filter is common to each pixel region arranged in the y direction. It has become. In the color filter FIL in the pixel region, an opening HL is provided in, for example, a center of a portion facing the reflector in the reflective display region. This opening HL
Is a rectangular shape having an outline at a portion that is approximately the same distance inward from the periphery of the reflective display area.

【0050】これにより、透過表示領域を透過する光
(バックライトからの光)はその全てはカラーフィルタ
FILを通過するようになり、反射表示領域を反射する
光(太陽光等の外来光)はその一部がカラーフィルタF
ILを通過し、残りの部分が該カラーフィルタFILを
通過することなく観察者の目に入射されることになる。
このように構成された液晶表示装置は、反射表示領域に
形成されるカラーフィルタFILに開口部を設けること
により、そこを通過する光の減衰を大幅に減少させるこ
とができるようになる。
As a result, all of the light (light from the backlight) transmitted through the transmissive display area passes through the color filter FIL, and the light (external light such as sunlight) reflected on the reflective display area is reduced. Part of it is a color filter F
The light passes through the IL, and the remaining portion enters the eyes of the observer without passing through the color filter FIL.
In the liquid crystal display device configured as described above, by providing an opening in the color filter FIL formed in the reflective display area, the attenuation of light passing therethrough can be significantly reduced.

【0051】このように減衰が少ない光はカラーフィル
タFILを通過した減衰の多い光と合成され、全体とし
て減衰の少ない光として観察者の目に入射されることに
なる。このため、明るくいわゆる色づきのよい表示がな
されるようになる。そして、カラーフィルタFILの開
口部HLを反射表示領域のほぼ中央部に設けることによ
り、透明基板SUB1と透明基板SUB2との合わせず
れによって、該開口部HLの一部が透過表示領域に対向
して配置されることを回避することができる。
The light having a small attenuation as described above is combined with the light having a large attenuation that has passed through the color filter FIL, and is incident on the eyes of the observer as light having a small attenuation as a whole. For this reason, a bright and well-colored display is provided. By providing the opening HL of the color filter FIL substantially in the center of the reflective display area, a part of the opening HL faces the transmissive display area due to misalignment between the transparent substrate SUB1 and the transparent substrate SUB2. The arrangement can be avoided.

【0052】実施例2.図5は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図1と対応した図と
なっている。上述した実施例では、カラーフィルタFI
Lに形成される開口部は、反射表示領域のほぼ中央に位
置づけられるようにして形成したものである。しかし、
図5に示すように、透過表示領域から遠のくようにして
反射領域の端に位置づけられるようにして形成してもよ
い。このようにした場合、たとえ透明基板SUB1と透
明基板SUB2との合わせずれが生じても、透過表示領
域を透過する光はカラーフィルタFILの開口部を通る
ことなく、確実にカラーフィルタFILを通過するよう
に構成することができる。
Embodiment 2 FIG. FIG. 5 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG. In the above-described embodiment, the color filter FI
The opening formed in L is formed so as to be positioned substantially at the center of the reflective display area. But,
As shown in FIG. 5, it may be formed so as to be located far from the transmissive display area and at the end of the reflective area. In this case, even if the misalignment between the transparent substrate SUB1 and the transparent substrate SUB2 occurs, the light transmitted through the transmissive display area surely passes through the color filter FIL without passing through the opening of the color filter FIL. It can be configured as follows.

【0053】実施例3.図6は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図1と対応した図と
なっている。同図は、画素領域をそのy方向に境界を有
する3つの領域に区分させ、たとえばその中央の領域を
反射表示領域、両側の各領域を透過表示領域としたもの
である。
Embodiment 3 FIG. FIG. 6 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG. In the figure, the pixel region is divided into three regions having a boundary in the y direction, for example, a central region is a reflective display region, and each region on both sides is a transmissive display region.

【0054】そして、カラーフィルタFILもそのy方
向に境界を有する3つの領域に区分させ、その中央の領
域を開口部としている。この場合、該開口部の幅は反射
表示領域の幅よりも小さく設定され、これにより、反射
表示領域の反射電極を反射する光は該カラーフィルタF
ILを通る光と該カラーフィルタFILを通らない光
(開口部を通る光)の混合した光を認識できるようにな
る。
The color filter FIL is also divided into three regions having boundaries in the y direction, and the central region is defined as an opening. In this case, the width of the opening is set to be smaller than the width of the reflective display area.
Light mixed with light passing through the IL and light not passing through the color filter FIL (light passing through the opening) can be recognized.

【0055】このようにした場合、カラーフィルタFI
Lの開口部は細長い形状となりその幅を極めて小さく構
成することができる。このことは、該カラーフィルタF
ILが形成された面にて該開口部による段差を平坦化膜
OCの形成によって大幅に少なくでき、液晶の層厚の均
一化が図れることを意味する。
In this case, the color filter FI
The opening of L has an elongated shape and can be configured to have a very small width. This means that the color filter F
The level difference due to the opening can be significantly reduced by forming the flattening film OC on the surface where the IL is formed, which means that the thickness of the liquid crystal can be made uniform.

【0056】液晶の層厚は表示性能に敏感に影響し、こ
の厚さが均一でないと場所ごとにコントラストの異なる
表示むらが発生する。カラーフィルタFILに開口部を
形成した場合には通常このカラーフィルタFILの厚さ
分の段差が生じ1つの画素領域内で液晶の層厚が異なる
部分が生じる。このため、開口部がない場合と比べコン
トラストが低下することになる。
The layer thickness of the liquid crystal has a sensitive influence on the display performance, and if the thickness is not uniform, display unevenness with different contrast depending on the place occurs. When an opening is formed in the color filter FIL, a step corresponding to the thickness of the color filter FIL usually occurs, and a portion having a different liquid crystal layer thickness occurs in one pixel region. Therefore, the contrast is reduced as compared with the case where there is no opening.

【0057】液晶の複屈折効果を利用した表示モード、
たとえば反射型の表示に用いられる単偏光板ツイストネ
マチック表示モード等では、液晶の厚さに敏感となり、
該厚さが最適値に対して変動すると、コントラストを低
下させてしまう。
Display mode utilizing the birefringence effect of liquid crystal,
For example, in the case of a single-polarizer twisted nematic display mode used for a reflection type display, it is sensitive to the thickness of the liquid crystal,
If the thickness fluctuates from the optimum value, the contrast is reduced.

【0058】実施例4.図7は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図6と対応した図と
なっている。前記実施例3と同様の趣旨で構成されるも
ので、カラーフィルタFILに形成される開口部HLを
その短辺方向に複数に分割させ、これにより、さらに各
開口部の幅を大幅に小さくさせるようにしたものであ
る。
Embodiment 4 FIG. FIG. 7 is a block diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG. The opening HL formed in the color filter FIL is divided into a plurality of portions in the short side direction, thereby further reducing the width of each opening significantly. It is like that.

【0059】実施例5.図8は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図1と対応した図と
なっている。同図では、カラーフィルタFILに形成す
る開口部HLは帯状とすることなく、複数のマトリクス
状に散在された矩形状としていることにある。開口部H
Lの数を多くすることにより、それらの径を小さくで
き、その上面に形成する平坦化膜OCによって段差によ
る影響を大幅に小さくすることができる。
Embodiment 5 FIG. FIG. 8 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG. In the figure, the opening HL formed in the color filter FIL is not formed in a band shape but in a rectangular shape scattered in a plurality of matrices. Opening H
By increasing the number of L, their diameter can be reduced, and the influence of the step can be greatly reduced by the flattening film OC formed on the upper surface.

【0060】実施例6.図9は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図8と対応した図と
なっている。同図では、カラーフィルタFILに形成す
る開口部は、複数のマトリクス状に散在された丸形状と
していることにある。
Embodiment 6 FIG. FIG. 9 is a block diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG. In the figure, the openings formed in the color filter FIL have a circular shape scattered in a plurality of matrices.

【0061】実施例7.上述した実施例では、透明基板
SUB2の表面にカラーフィルタFILをも被って平坦
化膜OCを形成したものであるが、これに限定されるこ
となく、該平坦化膜OCをカラーフィルタFILの開口
部HLのみに該開口部HLを埋めるようにして選択的に
形成するようにしてもよい。
Embodiment 7 FIG. In the above-described embodiment, the flattening film OC is formed by covering the surface of the transparent substrate SUB2 with the color filter FIL. However, the present invention is not limited to this. The openings HL may be selectively formed so as to fill the openings HL only in the portions HL.

【0062】実施例8.図10は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図6と対応した図
となっている。図6と異なる構成は、カラーフィルタF
ILの開口部HLの形状を細長い帯状とすることなく、
反射表示領域内の一部においてほぼ方形状に近い形状と
したことにある。このようにした場合、該開口部HLの
周辺の長さを小さくすることができるようになる。カラ
ーフィルタFILの開口部HLの周辺は、その部分の段
差による液晶の配向の乱れが発生しやすく、これを原因
としてコントラストの低下が生じる。このコントラスト
の低下の程度は該開口部HLの周辺の長さに依存するこ
とから、同じ面積の開口部HLを形成する場合におい
て、該開口部をほぼ方形状に近い形状とすることによ
り、液晶の配向乱れが生じる領域をできるだけ少なくす
るようにしている。
Embodiment 8 FIG. FIG. 10 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG. The configuration different from that of FIG.
Without making the shape of the opening HL of the IL into an elongated strip shape,
A part of the reflective display area has a shape close to a square. In this case, the length of the periphery of the opening HL can be reduced. In the periphery of the opening HL of the color filter FIL, the alignment of the liquid crystal is likely to be disturbed due to a step in that portion, and this causes a decrease in contrast. Since the degree of the decrease in contrast depends on the length of the periphery of the opening HL, when the opening HL having the same area is formed, the opening is formed to have a substantially rectangular shape, so that the In this case, the region where the alignment disorder is generated is made as small as possible.

【0063】実施例9.図11は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図1と対応した図
となっている。同図は、画素領域において、周辺を除く
中央部に透過表示領域を形成し該周辺に反射表示領域を
形成し、かつ、カラーフィルタFILの開口部を該反射
表示領域の端に形成したことにある。
Embodiment 9 FIG. FIG. 11 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG. This figure shows that, in the pixel region, a transmissive display region is formed in a central portion excluding the periphery, a reflective display region is formed in the periphery, and an opening of the color filter FIL is formed at an end of the reflective display region. is there.

【0064】実施例10.上述した各実施例では、ブラ
ックマトリクスBMが備えられているものについて説明
したものである。しかし、このブラックマトリクスBM
は形成されていなくてもよいことはもちろんである。
Embodiment 10 FIG. In each of the embodiments described above, the case where the black matrix BM is provided has been described. However, this black matrix BM
Need not be formed.

【0065】透明基板SUB1に対する透明基板SUB
2の合わせを精度よく行うことができれば、透明基板S
UB1側に形成されたゲート信号線GLおよびドレイン
信号線DLがブラックマトリクスBMの機能を兼用させ
ることができるからである。しかし、これら信号線によ
る光の反射が反射型表示の際のコントラストを低下させ
る憂いがある。
The transparent substrate SUB with respect to the transparent substrate SUB1
If the two can be accurately aligned, the transparent substrate S
This is because the gate signal line GL and the drain signal line DL formed on the UB1 side can also serve the function of the black matrix BM. However, there is a concern that the reflection of light by these signal lines lowers the contrast in reflective display.

【0066】このため、上述した図3(図4)に示すよ
うに、ドレイン信号線DLの表面に形成されたMoSi
あるいはTiW等のバリアメタルで被った構成は、反射
電極として用いるAlに比べ半分程度の反射率であるた
め、上述した不都合もなく極めて効果的となる。なお、
ゲート信号線GLの場合、図3に示したように、それ自
体TiW等で形成することにより、上述した不都合をな
くすことができる。
For this reason, as shown in FIG. 3 (FIG. 4), the MoSi formed on the surface of the drain signal line DL is formed.
Alternatively, a configuration covered with a barrier metal such as TiW has a reflectance that is about half that of Al used as a reflective electrode, and thus is extremely effective without the above-described inconvenience. In addition,
In the case of the gate signal line GL, as shown in FIG. 3, by forming itself with TiW or the like, the above-described inconvenience can be eliminated.

【0067】図12は、図3に示した構成を前提に、ブ
ラックマトリクスBMを形成していない場合の構成を示
す平面図である。カラーフィルタFILとこれに隣接す
る他のカラーフィルタFILとの間の領域は、ドレイン
信号線DLに対向するようにして配置され、該ドレイン
信号線DLがブラックマトリクスBMの機能を併せ持つ
ようにしている。
FIG. 12 is a plan view showing the configuration when the black matrix BM is not formed, based on the configuration shown in FIG. A region between the color filter FIL and another color filter FIL adjacent to the color filter FIL is arranged so as to face the drain signal line DL, and the drain signal line DL also has the function of the black matrix BM. .

【0068】また、図13は、画素領域の周辺を除く中
央部を反射表示領域、該周辺を透過表示領域とした構成
を前提に、ブラックマトリクスBMを形成していない場
合の構成を示す図である。この場合、カラーフィルタF
ILの開口部HLは反射表示領域に対向する部分のうち
その一部に形成されていればよいが、同図では画素領域
のほぼ中央にてドレイン信号線DLの方向に沿って細長
に形成されている。さらに、図13におけるカラーフィ
ルタFILの開口部HLがドレイン信号線DL方向につ
ながった形状であってもよい。
FIG. 13 is a diagram showing a configuration in the case where the black matrix BM is not formed on the premise that the central portion excluding the periphery of the pixel region is a reflective display region and the periphery is a transmissive display region. is there. In this case, the color filter F
The opening portion HL of the IL may be formed in a part of the portion facing the reflective display region, but in the same figure, it is formed to be elongated at substantially the center of the pixel region along the direction of the drain signal line DL. ing. Further, the opening HL of the color filter FIL in FIG. 13 may have a shape connected in the direction of the drain signal line DL.

【0069】実施例11.上述した各実施例は、各画素
領域に形成される薄膜トランジスタTFTの半導体層A
Sは多結晶シリコン(p−Si)を用いたものである。
しかし、本発明は、非晶質シリコン(a−Si)を用い
たものにも適用できることはいうまでもない。
Embodiment 11 FIG. In each of the above-described embodiments, the semiconductor layer A of the thin film transistor TFT formed in each pixel region is used.
S uses polycrystalline silicon (p-Si).
However, it goes without saying that the present invention is also applicable to those using amorphous silicon (a-Si).

【0070】図14は、a−Siからなる薄膜トランジ
スタTFTを備える液晶表示装置の画素の構成を示す図
である。同図はカラー表示の一画素となる3つの画素領
域を示している。なお、同図のXV−XV線における断
面を図15に示している。
FIG. 14 is a diagram showing a configuration of a pixel of a liquid crystal display device provided with a thin film transistor TFT made of a-Si. FIG. 1 shows three pixel regions which are one pixel of a color display. FIG. 15 shows a cross section taken along line XV-XV in FIG.

【0071】各図において、透明基板SUB1の液晶側
の面に、まず、x方向に延在しy方向に並設される一対
のゲート信号線GLが形成されている。このゲート信号
線GLはたとえばAl(アルミニュウム)からなりその表
面は陽極酸化膜AOFが形成されている。これらゲート
信号線GLは後述の一対のドレイン信号線DLとともに
矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素
領域として構成するようになっている。
In each figure, a pair of gate signal lines GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction are formed on the surface of the transparent substrate SUB1 on the liquid crystal side. The gate signal line GL is made of, for example, Al (aluminum), and has an anodic oxide film AOF formed on the surface thereof. These gate signal lines GL surround a rectangular area together with a pair of drain signal lines DL described later, and this area is configured as a pixel area.

【0072】そして、この画素領域の僅かながらの周辺
を除く中央部にはたとえばITO(Indium−Tin−Oxid
e)膜のような透光性の画素電極(第1画素電極)PX
1が形成されている。この画素電極PX1は画素領域の
うちバックライトBLからの光が透過できる領域(透過
表示領域)において画素電極として機能するもので、後
述する反射電極を兼ねる画素電極(第2画素電極)PX
2とは区別されるものである。
Then, for example, ITO (Indium-Tin-Oxid) is provided at the center of the pixel region except for a slight periphery.
e) Transparent pixel electrode (first pixel electrode) PX such as a film
1 is formed. The pixel electrode PX1 functions as a pixel electrode in a region (transmissive display region) of the pixel region through which light from the backlight BL can pass, and a pixel electrode (second pixel electrode) PX that also serves as a reflective electrode described later.
2 is distinguished.

【0073】このようにゲート信号線GL、画素電極P
X1が形成された透明基板SUB1の表面にはたとえば
SiN(窒化シリコン)からなる絶縁膜GIが形成され
ている。この絶縁膜GIは薄膜トランジスタTFTの形
成領域(ゲート信号線GLの一部領域)およびその近傍
のゲート信号線GLとドレイン信号線DLとの交差部に
及んで形成されている。
As described above, the gate signal line GL and the pixel electrode P
On the surface of the transparent substrate SUB1 on which X1 is formed, an insulating film GI made of, for example, SiN (silicon nitride) is formed. The insulating film GI is formed over a region where the thin film transistor TFT is formed (part of the gate signal line GL) and an intersection between the gate signal line GL and the drain signal line DL in the vicinity thereof.

【0074】薄膜トランジスタTFTの形成領域に形成
された絶縁膜GIは該薄膜トランジスタTFTのゲート
絶縁膜としての機能を、ゲート信号線GLとドレイン信
号線DLとの交差部に形成された絶縁膜GIは層間絶縁
膜としての機能を有するようになっている。
The insulating film GI formed in the region where the thin film transistor TFT is formed functions as a gate insulating film of the thin film transistor TFT, and the insulating film GI formed at the intersection of the gate signal line GL and the drain signal line DL serves as an interlayer. It has a function as an insulating film.

【0075】そして、この絶縁膜の表面に非晶質(アモ
ルファス)のSi(シリコン)からなる半導体層ASが
形成されている。この半導体層ASは、薄膜トランジス
タTFTのそれであって、その上面にドレイン電極SD
1およびソース電極SD2を形成することにより、ゲー
ト信号線GLの一部をゲート電極とする逆スタガ構造の
MIS型トランジスタを構成することができる。
Then, a semiconductor layer AS made of amorphous Si (silicon) is formed on the surface of the insulating film. This semiconductor layer AS is that of the thin film transistor TFT and has a drain electrode SD on its upper surface.
By forming the gate electrode 1 and the source electrode SD2, an MIS transistor having an inverted staggered structure in which a part of the gate signal line GL is used as a gate electrode can be formed.

【0076】なお、前記半導体層ASはゲート信号線G
Lのドレイン信号線DLとの交差部にも延在されて形成
され、これによりそれら各信号線の層間絶縁膜としての
機能を前記絶縁膜GIとともに強化している。
The semiconductor layer AS has a gate signal line G
L is also formed to extend to the intersection with the drain signal line DL, thereby enhancing the function of each signal line as an interlayer insulating film together with the insulating film GI.

【0077】また、図15では明確化されていないが、
前記半導体層ASの表面であって前記ドレイン電極SD
1およびソース電極SD2との界面には高濃度の不純物
(たとえば燐)がドープされた半導体層が形成され、こ
の半導体層によってコンタクト層d0を構成するように
なっている。前記ドイレン電極SD1およびソース電極
SD2は、たとえばドレイン信号線DLの形成の際に同
時に形成されるようになっている。
Although not clarified in FIG. 15,
The drain electrode SD on the surface of the semiconductor layer AS;
A semiconductor layer doped with a high-concentration impurity (for example, phosphorus) is formed at the interface between the semiconductor layer 1 and the source electrode SD2, and this semiconductor layer constitutes a contact layer d0. The drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed simultaneously, for example, when the drain signal line DL is formed.

【0078】すなわち、y方向に延在されx方向に並設
されるドレイン信号線DLが形成され、その一部が前記
半導体層ASの上面にまで延在されてドレイン電極SD
1が形成され、また、このドレイン電極SD1と薄膜ト
ランジスタTFTのチャネル長分だけ離間されてソース
電極SD2が形成されている。このドレイン信号線DL
はたとえばCrとAlの順次積層体から構成されてい
る。
That is, a drain signal line DL extending in the y-direction and juxtaposed in the x-direction is formed, a part of which extends to the upper surface of the semiconductor layer AS to form a drain electrode SD.
1 is formed, and a source electrode SD2 is formed to be separated from the drain electrode SD1 by the channel length of the thin film transistor TFT. This drain signal line DL
Is composed of, for example, a sequentially laminated body of Cr and Al.

【0079】ソース電極SD2は半導体層AS面から画
素領域側へ至るようにして若干延在されて前記画素電極
PX1との電気的接続が図れるとともに、後述の反射電
極を兼ねる画素電極PX2との接続を図るためのコンタ
クト部が形成されている。
The source electrode SD2 extends slightly from the surface of the semiconductor layer AS to the pixel region side to achieve an electrical connection with the pixel electrode PX1, and a connection with a pixel electrode PX2 also serving as a reflective electrode described later. A contact portion for achieving the above is formed.

【0080】ここで、このソース電極SD2の延在部
は、上述のように前記画素電極PX1およびPX2との
接続を図らんとする機能ばかりでなく、反射表示領域
(後述の画素電極PX2が形成される領域)において、
該画素電極PX2に段差による高低差が大幅にでないよ
うに、該反射表示領域の大部分の領域にまで及んで形成
されている。
Here, the extending portion of the source electrode SD2 not only has a function of achieving connection with the pixel electrodes PX1 and PX2 as described above, but also has a reflective display area (where a pixel electrode PX2 described later is formed). Area)
The pixel electrode PX2 is formed so as to extend to most of the reflective display area so that a height difference due to a step is not large.

【0081】すなわち、前記ソース電極SD2の延在部
を前記画素電極PX1およびPX2との接続を図る機能
をもたせるのみとした場合、該延在部をコンタクト部と
して形成すればよく、その延在部も比較的短いものとな
る。すると、その延在部の周辺の段差が後述の反射電極
を兼ねる画素電極PX2を形成する面(後述する保護膜
PSVの上面)に顕在化され、該画素電極PX2の面に
も段差が形成されることになる。
That is, when the extending portion of the source electrode SD2 only has a function of establishing connection with the pixel electrodes PX1 and PX2, the extending portion may be formed as a contact portion. Is also relatively short. Then, a step around the extending portion becomes apparent on a surface (upper surface of a protective film PSV described later) forming a pixel electrode PX2 also serving as a reflective electrode described later, and a step is also formed on the surface of the pixel electrode PX2. Will be.

【0082】また、本実施例のような構成とすることに
よって、前記ソース電極SD2の延在部は比較的面積の
大きな領域を占め、このことは、その辺が比較的長くな
ることを意味する。このため、液晶表示装置の製造にお
いて、該画素電極PX2の近傍にごみ等の不純物が残存
しにくくなり、該不純物による弊害を除去できることに
なる。
Further, with the configuration as in this embodiment, the extending portion of the source electrode SD2 occupies a relatively large area, which means that its side is relatively long. . Therefore, in the manufacture of the liquid crystal display device, impurities such as dust hardly remain in the vicinity of the pixel electrode PX2, and the adverse effects due to the impurities can be removed.

【0083】ちなみに、コンタクト部としての機能を有
する薄膜トランジスタTFTのソース電極の場合、該コ
ンタクト部の面積は小さく、その辺もフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチングによって若干複雑な形成と
なり、そこにごみ等の不純物が残存してコンタクト部と
しての機能を損なわせる場合が往々にして生じていた。
By the way, in the case of the source electrode of the thin film transistor TFT having a function as a contact portion, the area of the contact portion is small, and the sides thereof are formed slightly complicated by selective etching by the photolithography technique, and impurities such as dusts are formed there. Often remains and impairs the function as a contact portion.

【0084】このようにドイレン信号線DL、薄膜トラ
ンジスタTFTのドレイン電極SD1およびソース電極
SD2が形成された透明基板SUB1の表面にはたとえ
ばSiNからなる保護膜PSVが形成されている。この
保護膜PSVは前記薄膜トランジスタTFTの液晶との
直接の接触を回避する層で、該薄膜トランジスタTFT
の特性劣化を防止せんとするものである。
On the surface of the transparent substrate SUB1 on which the drain signal line DL, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT are formed, a protective film PSV made of, for example, SiN is formed. The protective film PSV is a layer for avoiding direct contact of the thin film transistor TFT with the liquid crystal.
This is intended to prevent the deterioration of the characteristics.

【0085】また、この保護膜PSVにはコンタクトホ
ールCHが形成され、このコンタクトホールCHには薄
膜トランジスタTFTの前記ソース電極SD2の一部が
露出されるようになっている。保護膜PSVの上面には
反射電極を兼ねる画素電極PX2が形成されている。こ
の画素電極はPX2はたとえばCrおよびAlの順次積
層体からなる非透光性の導電膜から構成されている。
A contact hole CH is formed in the protective film PSV, and a part of the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT is exposed in the contact hole CH. On the upper surface of the protective film PSV, a pixel electrode PX2 also serving as a reflective electrode is formed. The pixel electrode PX2 is formed of a non-light-transmitting conductive film made of, for example, a sequentially laminated body of Cr and Al.

【0086】この画素電極PX2は光透過部となる領域
を回避して画素領域の大部分を占めるようにして形成さ
れている。画素電極PX2は、その一部が前記保護膜P
SVの一部に形成されたコンタクトホールCHを通して
薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2に電気的に
接続されている。また、この画素電極PX2は、前記薄
膜トランジスタTFTを駆動させるゲート信号線GLと
は異なる他の隣接するゲート信号線GLに重畳されるま
で延在されて形成され、この部分において前記保護膜P
SVを誘電体膜とする容量素子Caddが形成されてい
る。
The pixel electrode PX2 is formed so as to occupy most of the pixel region while avoiding the region serving as the light transmitting portion. Part of the pixel electrode PX2 is formed of the protective film P.
It is electrically connected to the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT through a contact hole CH formed in a part of the SV. The pixel electrode PX2 is formed so as to extend until it overlaps with another adjacent gate signal line GL different from the gate signal line GL for driving the thin film transistor TFT.
A capacitance element Cadd using SV as a dielectric film is formed.

【0087】そして、このように画素電極PX2が形成
された透明基板SUB1の上面には該画素電極PX2等
をも被って配向膜(図示せず)が形成されている。この
配向膜は液晶LCと直接に当接する膜で、その表面に形
成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向
を決定づけるようになっている。
Then, an alignment film (not shown) is formed on the upper surface of the transparent substrate SUB1 on which the pixel electrode PX2 is formed so as to cover the pixel electrode PX2 and the like. This alignment film is a film that directly contacts the liquid crystal LC, and determines the initial alignment direction of the molecules of the liquid crystal by rubbing formed on the surface thereof.

【0088】このように構成された透明基板SUB1
に、液晶LCを介して透明基板SUB2が対向配置さ
れ、この透明基板SUB2の液晶側の面には、その各画
素領域を画するようにしてブラックマトリクスBMが形
成されている。すなわち、少なくとも液晶表示部ARに
形成されたブラックマトリクスBMは各画素領域の周辺
部を残す領域に開口が形成されたパターンをなし、これ
により表示のコントラストの向上を図っている。
The transparent substrate SUB1 constructed as described above
In addition, a transparent substrate SUB2 is disposed to face through a liquid crystal LC, and a black matrix BM is formed on the liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB2 so as to define each pixel region. That is, at least the black matrix BM formed in the liquid crystal display part AR forms a pattern in which an opening is formed in a region that leaves the peripheral portion of each pixel region, thereby improving display contrast.

【0089】また、このブラックマトリクスBMは透明
基板SUB1側の薄膜トランジスタTFTを充分被うよ
うにして形成され、該薄膜トランジスタTFTへの外来
光の照射を妨げることによって該薄膜トランジスタTF
Tの特性劣化を回避するようになっている。このブラッ
クマトリクスBMはたとえば黒色顔料が含有された樹脂
膜で構成されている。
The black matrix BM is formed so as to sufficiently cover the thin film transistor TFT on the transparent substrate SUB1 side, and prevents the thin film transistor TF from being irradiated with external light.
The characteristic deterioration of T is avoided. The black matrix BM is formed of, for example, a resin film containing a black pigment.

【0090】ブラックマトリクスBMが形成された透明
基板SUB2の面には該ブラックマトリクスBMの開口
を被ってカラーフィルタFILが形成されている。この
カラーフィルタはたとえば赤(R)、緑(G)、青
(B)の各色のフィルタからなり、y方向に並設される
各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成さ
れ、該画素領域群にx方向に順次隣接する画素領域群に
共通に赤(R)色、緑(G)色、青(B)色、赤(R)
色、…、というような配列で形成されている。これら各
フィルタはその色に対応する顔料が含有された樹脂膜で
構成されている。
A color filter FIL is formed on the surface of the transparent substrate SUB2 on which the black matrix BM is formed so as to cover the opening of the black matrix BM. This color filter includes, for example, filters of red (R), green (G), and blue (B). For example, a red filter is commonly formed in each pixel region group arranged in the y direction. Red (R), green (G), blue (B), and red (R) colors are common to the pixel region groups sequentially adjacent to the region group in the x direction.
It is formed in an array of colors,. Each of these filters is composed of a resin film containing a pigment corresponding to the color.

【0091】ここで、この実施例では、前記カラーフィ
ルタFILは、各画素領域の反射表示領域に対向する部
分の一部において開口部HLが形成されている。この場
合の開口部HLは、画素領域の幅方向(x方向)に延在
するたとえば長方形をなし、反射表示領域のほぼ中央に
位置づけられるようになっている。このようにした場
合、透明基板SUB1と透明基板SUB2のy方向の合
わせずれが生じても該開口部HLの一部が透過表示領域
に対向することはない。
Here, in this embodiment, the color filter FIL has an opening HL in a part of each pixel area facing the reflective display area. In this case, the opening HL has, for example, a rectangular shape extending in the width direction (x direction) of the pixel region, and is positioned substantially at the center of the reflective display region. In such a case, even if the misalignment of the transparent substrate SUB1 and the transparent substrate SUB2 in the y direction occurs, a part of the opening HL does not face the transmissive display area.

【0092】なお、このようにカラーフィルタFIに開
口部HLを設けることは液晶の層厚の均一化を妨げるこ
とになるが、前述したように透明基板SUB1側におい
て段差を充分になくした構成としていることから、事実
上弊害のない範囲に抑えることができるようになる。ま
た、カラーフィルタFILに形成する開口部HLはこの
ように形成する必要はなく、上述した各実施例で説明し
たように形成してもよいことはもちろんである。
Although the provision of the openings HL in the color filter FI hinders the uniformity of the liquid crystal layer thickness as described above, the structure in which the steps are sufficiently eliminated on the transparent substrate SUB1 side as described above. Therefore, it can be suppressed to a range where there is virtually no adverse effect. Further, the opening HL formed in the color filter FIL does not need to be formed in this manner, and may be formed as described in each of the above-described embodiments.

【0093】ブラックマトリクスBMおよびカラーフィ
ルタFILが形成された透明基板SUB2の表面にはこ
れらブラックマトリクスBMおよびカラーフィルタFI
Lをも被って平坦化膜OCが形成されている。この平坦
化膜OCは塗布によって形成できる樹脂膜からなり、前
記ブラックマトリクスBMおよびカラーフィルタFIL
の形成によって顕在化する段差をなくすために設けられ
る。
On the surface of the transparent substrate SUB2 on which the black matrix BM and the color filter FIL are formed, the black matrix BM and the color filter FI are provided.
A flattening film OC is formed so as to cover L. The flattening film OC is formed of a resin film that can be formed by coating, and the black matrix BM and the color filter FIL are formed.
Is provided in order to eliminate a step that becomes apparent due to the formation of

【0094】この平坦膜OCの上面には、たとえばIT
O膜からなる透光性の導電膜が形成され、この導電膜に
よって各画素領域に共通の対向電極CTが形成されてい
る。この平坦化膜OCの表面には配向膜(図示せず)が
形成され、この配向膜は液晶LCと直接に当接する膜
で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分
子の初期配向方向を決定づけるようになっている
On the upper surface of this flat film OC, for example, IT
A light-transmitting conductive film made of an O film is formed, and the conductive film forms a common counter electrode CT in each pixel region. An alignment film (not shown) is formed on the surface of the flattening film OC. The alignment film is a film directly in contact with the liquid crystal LC, and the initial alignment direction of the liquid crystal molecules is formed by rubbing formed on the surface. Is determined

【0095】[0095]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、透過型および反射
型として用いてもそのいずれも色特性に優れたものを得
ることができる。また、一方の基板と他方の基板の合わ
せずれによっても、カラーフィルタの開口部を反射表示
領域の一部に対向するように形成することができる。
As is apparent from the above description,
According to the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to obtain a liquid crystal display device having excellent color characteristics even when used as a transmission type or a reflection type. Further, the opening of the color filter can be formed so as to face a part of the reflective display region even when one substrate and the other substrate are misaligned.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図で、反射表示領域および透過表示領域を有
する画素領域におけるカラーフィルタの構成の一実施例
を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating an embodiment of a pixel of a liquid crystal display device according to the present invention, and is a plan view illustrating an embodiment of a configuration of a color filter in a pixel region having a reflective display region and a transmissive display region.

【図2】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
等価回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing one embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】 本発明による液晶表示装置の一方の基板側の
画素の一実施例を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing one embodiment of a pixel on one substrate side of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図4】 図3のIV−IVにおける断面を示す図である。FIG. 4 is a view showing a cross section taken along line IV-IV of FIG. 3;

【図5】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing one embodiment of a pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図6】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図8】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図9】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図10】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図11】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図12】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図13】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図14】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す平面図である。
FIG. 14 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図15】 図14のXV−XV線における断面図であ
る。
15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SUB1…透明基板、AS…半導体層、GL…ゲート信
号線、DL…ドレイン信号線、CL…保持容量電極配
線、TFT…薄膜トランジスタTFT、Cadd…保持
容量素子、PIX…画素電極、10…金属層(反射板、
容量素子の一方の電極)、FIL…カラーフィルタ、H
L…開口部。
SUB1: transparent substrate, AS: semiconductor layer, GL: gate signal line, DL: drain signal line, CL: storage capacitor electrode wiring, TFT: thin film transistor TFT, Cadd: storage capacitor element, PIX: pixel electrode, 10: metal layer ( reflector,
FIL ... color filter, H
L: Opening.

フロントページの続き (72)発明者 宮沢 敏夫 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 岡本 正高 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 阿須間 宏明 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 阿武 恒一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 2H090 HA03 HD05 HD06 LA01 LA15 LA20 2H091 FA02Y FA14Y FA41Z FD24 GA02 GA03 GA16 LA15 2H092 GA60 JA24 JB07 JB21 JB31 JB52 JB57 JB58 JB61 KB14 NA01 PA08 PA12 Continuing from the front page (72) Inventor Toshio Miyazawa 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Prefecture Hitachi Display Co., Ltd. (72) Inventor Masataka Okamoto 3681-Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi Device Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Hiroaki Asuma 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Pref. In Hitachi Display Group (72) Inventor Koichi Abu 3300-Hayano, Mobara-shi, Chiba F-term in Hitachi Display Group, Inc. 2H090 HA03 HD05 HD06 HD06 LA01 LA15 LA20 2H091 FA02Y FA14Y FA41Z FD24 GA02 GA03 GA16 LA15 2H092 GA60 JA24 JB07 JB21 JB31 JB52 JB57 JB58 JB61 KB14 NA01 PA08 PA12

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に反射表示領域と
透過表示領域とを有し、 他方の基板の液晶側の面の各画素領域に形成されたカラ
ーフィルタの前記反射表示領域と対向する部分の一部に
開口あるいは切欠きが設けられていることを特徴とする
液晶表示装置。
1. A liquid crystal display device comprising: a first substrate having a reflective display region and a transmissive display region in each pixel region on a liquid crystal side of one of substrates opposed to each other via a liquid crystal; A liquid crystal display device, wherein an opening or a notch is provided in a part of a portion of the color filter formed in each pixel region facing the reflective display region.
【請求項2】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に反射表示領域と
透過表示領域とを有し、 他方の基板の液晶側の面の各画素領域に形成されたカラ
ーフィルタの前記反射表示領域と対向する部分であって
前記透過表示領域と遠のいた端に開口あるいは切欠きが
設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
2. A liquid crystal display device, comprising: a substrate having a reflective display area and a transmissive display area in each pixel area on a liquid crystal side of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween; A liquid crystal display device comprising a color filter formed in each pixel region, wherein an opening or a notch is provided at a portion facing the reflective display region and far from the transmissive display region.
【請求項3】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に反射表示領域と
透過表示領域とを有し、 他方の基板の液晶側の面の各画素領域に形成されたカラ
ーフィルタの前記反射表示領域と対向する部分の一部に
散在された複数の開口あるいは切欠きが設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
3. A reflective display area and a transmissive display area are provided in each pixel area on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other via a liquid crystal, and the other substrate has a liquid crystal side surface. A liquid crystal display device comprising a plurality of openings or notches scattered in a part of a portion of a color filter formed in each pixel region facing the reflective display region.
【請求項4】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に反射表示領域と
透過表示領域とを有し、 他方の基板の液晶側の面の各画素領域に形成されたカラ
ーフィルタの前記反射表示領域と対向する部分の一部に
散在された複数の丸形状の開口が設けられていることを
特徴とする液晶表示装置。
4. A reflective display area and a transmissive display area are provided in each pixel area on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween, and the other substrate has a liquid crystal side surface. A liquid crystal display device comprising a plurality of circular openings scattered in a part of a portion of a color filter formed in each pixel region facing the reflective display region.
【請求項5】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面に形成された一対のゲート信号
線と一対のドレイン信号線とで囲まれる長方形状の画素
領域であって、 その幅方向にて3つに区分けされた領域のうち中央の領
域を反射表示領域とし両脇の領域を透過表示領域とする
とともに、 他方の基板の液晶側の面に形成されたカラーフィルタ
に、その幅方向にて3つに区分けされた領域のうち中央
の領域に開口部が形成され、 かつ、この開口部は前記反射表示領域に対向する領域の
一部に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
5. A rectangular pixel area surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines formed on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. The central region of the three regions divided in the width direction is a reflective display region, the regions on both sides are transmissive display regions, and a color filter formed on the liquid crystal side surface of the other substrate. Preferably, an opening is formed in a central region of the three regions divided in the width direction, and the opening is formed in a part of a region facing the reflective display region. Characteristic liquid crystal display device.
【請求項6】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面に形成された一対のゲート信号
線と一対のドレイン信号線とで囲まれる長方形状の画素
領域であって、 その幅方向にて3つに区分けされた領域のうち中央の領
域を反射表示領域とし両脇の領域を透過表示領域とする
とともに、 他方の基板の液晶側の面に形成されたカラーフィルタ
に、その幅方向にて3つに区分けされた領域のうち中央
の領域に開口部が形成され、 かつ、この開口部は前記反射表示領域に対向する領域に
てその幅方向に並設された複数の開口部からなることを
特徴とする液晶表示装置。
6. A rectangular pixel region surrounded by a pair of gate signal lines and a pair of drain signal lines formed on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. The central region of the three regions divided in the width direction is a reflective display region, the regions on both sides are transmissive display regions, and a color filter formed on the liquid crystal side surface of the other substrate. An opening is formed in a central region of the three regions divided in the width direction, and the opening is arranged in the width direction in a region facing the reflective display region. A liquid crystal display device comprising a plurality of openings.
【請求項7】 他方の基板の液晶側の面にカラーフィル
タをも被って樹脂膜が形成されていることを特徴とする
請求項1ないし6のうちいずれかに記載の液晶表示装
置。
7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a resin film is formed so as to cover a color filter on a surface of the other substrate on a liquid crystal side.
【請求項8】 他方の基板の液晶側に形成されたカラー
フィルタの開口部に該開口部を埋めるようにして樹脂膜
が形成されていることを特徴とする請求項1ないし6の
うちいずれかに記載の液晶表示装置。
8. The resin film according to claim 1, wherein a resin film is formed so as to fill the opening of the color filter formed on the liquid crystal side of the other substrate. 3. The liquid crystal display device according to 1.
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