JP3649205B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ(以下、TFTと称す)駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属し、特にTFTアレイ基板上に設けられたデータ線駆動回路によりクロック信号等の制御信号に基づいてデータ線を高周波で駆動する形式の電気光学装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】
従来、TFT駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、縦横に夫々配列された多数の走査線及びデータ線並びにこれらの各交点に対応して多数の画素電極がTFTアレイ基板上に設けられている。そして、これらに加えて、データ線駆動回路、サンプリング回路等を含みデータ線にデータ信号を供給するデータ信号供給手段や、走査線駆動回路等を含み走査線に走査信号を供給する走査信号供給手段が、このようなTFTアレイ基板上に設けられる場合がある。
【0003】
この場合、データ信号供給手段には、データ信号の供給タイミングの基準となるデータ線駆動回路を動作させるためのデータ線側基準クロックなどの制御信号、表示すべき画像の内容に対応しておりデータ信号の基となる画像信号、正や負の定電位電源等が、TFTアレイ基板に設けられた外部入力端子及び配線を介して夫々供給される。他方、走査信号供給手段には、走査信号の供給タイミングの基準となる走査線駆動回路を動作させるための走査線側基準クロック、正や負の定電位電源等が、やはりTFTアレイ基板に設けられた外部入力端子及び配線を介して供給される。そして走査信号供給手段においては、例えば走査線駆動回路により、走査線側基準クロックに基づくタイミングで走査信号を走査線に線順次で供給する。これに対応してデータ信号供給手段においては、例えば入力された画像信号をサンプリングするサンプリング回路を、データ線駆動回路がデータ線側基準クロックに基づくタイミングで順次駆動して、サンプリング回路からデータ信号がデータ線に供給される。これらの結果、走査線にゲート接続された各TFTは、走査信号の供給に応じて導通状態とされ、データ信号が当該TFTを介して画素電極に供給されて各画素における画像表示が行われる。
【0004】
近年特に、液晶プロジェクタ用の液晶装置等では、表示画像の高解像度化に伴って、非常に高い周波数のシリアルな画像信号が入力されるようになってきている。例えば、画像信号のドット周波数は、近時の高解像度のパソコン画面において使用されるXGA表示モードやSXGA表示モードになると、夫々約65MHzと約135MHzであり、従来のVGA表示モードにおけるドット周波数(約30MHz)を遥かに上回る。これに対応すべく、特にデータ信号供給手段に供給されるデータ線側基準クロックの周波数も非常に高くなってきている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の表示画像の高品位化の要請の下では、このように基準クロックの周波数を高くすることによる、高周波のクロックノイズの発生が無視し得ないようになる。即ち、例えば従来の比較的周波数の低いデータ線側基準クロックをデータ線駆動回路に供給してサンプリング回路を駆動する構成において、そのままクロック信号の周波数を上げたのでは、サンプリング回路に入力される画像信号中やサンプリング回路から出力されるデータ信号中に高周波のクロックノイズが発生して、データ線に供給すべきデータ信号が劣化してしまう。このように劣化したデータ信号の供給を受けたのでは、各画素電極により表示される画像もやはり劣化してしまうという問題点がある。例えば、各画素において中間レベルの階調表示を行う時に、10mV程度の微少なノイズが画像信号中に飛び込んだだけでも、表示画像中に視認可能な程度のノイズとして現れてしまう。これは、最高又は最低の液晶駆動電圧(例えば、0〜5V間の電圧)に対応する白又は黒レベルの表示を行っている場合と比べて、中間レベルにおける液晶駆動電圧の変化に対する液晶の透過率の変化が急峻だからである。このように高精度の多階調表示を実現するためには、高周波のクロックノイズの問題は重大である。
【0006】
他方で、相展開数を増やすことによりサンプリング回路に供給される画像信号の周波数を下げることはできるが、液晶パネルの基板に設けねばならない画像信号入力用の外部入力端子の数は、相展開数の増加に対応して増やさねばならない。即ち、例えば6相展開の場合には、画像信号入力用の外部入力端子は6個必要となり、12相展開の場合には、12個必要となる。更に、これらの画像信号入力用の外部入力端子からサンプリング回路まで引き回す配線の数も同様に相展開数だけ必要となる。これらの結果、画像信号用の配線が液晶パネルの基板面上を占める割合が増加して、サンプリング回路、データ線駆動回路等からなるデータ信号供給手段を形成する領域を基板上に確保するのが困難となる。ここで仮に従来のように、外部入力端子が設けられた基板の縁から見て、データ線駆動回路の一方の側へクロック信号等の制御信号用の配線を引き回し、データ線駆動回路の他方の側へ多数の画像信号用の配線を引き回したのでは、各側に引き回される配線数が顕著に異なるため、データ線駆動回路の周囲における配線の配置バランスが非常に悪くなる(即ち、配線が片側に偏る)という問題点が生じる。この場合、液晶パネルの基板を大きくして配線領域やデータ線駆動回路を形成する領域を確保することは可能であるが、これでは、限られた基板サイズでの画面の大型化という液晶パネルの技術分野における基本的要請に反してしまう。
【0007】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、画像信号の相展開数の増加に伴って配線数や外部入力端子数が増加してもこれらをバランス良く配線や配置することができ、しかも画像信号に対して高周波のクロック信号等の制御信号が及ぼす高周波のクロックノイズ等の悪影響を低減でき、高品位の画像表示を行える液晶装置及び当該液晶装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、基板上に、複数の画素で構成される表示領域と、前記基板の一辺側に設けられ前記画素に画像信号を供給するためのデータ線駆動回路と、前記データ線駆動回路に対向しない辺側に設けられた走査線駆動回路と、前記データ線駆動回路にクロック信号を供給するデータ線駆動回路のクロック信号線と、前記走査線駆動回路にクロック信号を供給する走査線駆動回路のクロック信号線と、前記データ線駆動回路のクロック信号線に接続されたデータ線駆動回路のクロック信号線用外部端子と、前記走査線駆動回路のクロック信号線に接続された走査線駆動回路のクロック信号線用外部端子と、前記画素に画像信号を供給する複数の画像信号線でなる画像信号線群と、前記画像信号線に接続される画像信号線用外部端子と、を備え、前記基板の前記一辺側に各々の外部端子が設けられ、前記画像信号線群の画像信号線用外部端子と前記データ線駆動回路のクロック信号線用外部端子との間に、定電位配線に接続される定電位配線用外部端子を設け、前記画像信号線用外部端子と前記走査線駆動回路のクロック信号線用外部端子との間に、定電位配線に接続される定電位配線用外部端子を設けたことを特徴とする。
【0012】
また本発明の電気光学装置は、前記データ線駆動回路は複数の構成回路からなり、各々の構成回路間には、定電位配線が配設されることを特徴とする。
【0013】
また本発明の電気光学装置は、定電位配線は、前記表示領域と前記走査線駆動回路との間に配設されることを特徴とする。
【0014】
また本発明の電気光学装置は、定電位配線は、前記表示領域を規定する周辺見切りに沿って配設されることを特徴とする。
【0015】
また本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【0016】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにする。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0018】
(液晶装置の構成)
電気光学装置の一例として、液晶装置の実施の形態の構成について図1から図8に基づいて説明する。図1は、液晶装置の実施の形態におけるTFTアレイ基板上に設けられた導電線(以下、シールド線と称す。)を含む各種配線、周辺回路等の構成を示す平面図であり、図2は、図1のシールド線のより詳細な2次元的レイアウトを示す平面図であり、図3(a)及び(b)は夫々、シールド線、画像信号線及びクロック信号線等の配線を示す図2のA−A’断面図及びB−B’断面図であり、図5は、図1の画素部分の拡大平面図であり、図6は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図7は、対向基板を含めて示す図6のH−H’断面図である。図8は、図1の画像信号線の2次元的レイアウトの一例を示す概略平面図(図8(a))及び他の例を示す概略平面図(図8(b))である。
【0019】
図1において、液晶装置200は、例えば石英基板、ハードガラス等からなるTFTアレイ基板1を備えている。TFTアレイ基板1上には、マトリクス状に設けられた複数の画素電極11と、X方向に複数配列されており夫々がY方向に沿って伸びるデータ線35と、Y方向に複数配列されており夫々がX方向に沿って伸びる走査線31と、各データ線35と画素電極11との間に夫々介在すると共に該間における導通状態及び非導通状態を、走査線31を介して夫々供給される走査信号に応じて夫々制御するスイッチング素子の一例としての複数のTFT30とが形成されている。またTFTアレイ基板1上には、後述の蓄積容量(図9参照)のための配線である容量線31’が、走査線31に沿ってほぼ平行に形成されている。
【0020】
TFTアレイ基板1上には更に、データ信号供給手段の一例を構成するサンプリング回路301及びデータ線駆動回路101と、走査信号供給手段の一例を構成する走査線駆動回路104とが形成されている。また、複数の画素電極11により規定される画面表示領域(即ち、実際に液晶の配向状態変化により画像が表示される液晶パネルの領域)の上辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路104間をつなぐための複数の配線105が設けられており、画面表示領域の四隅には、TFTアレイ基板1と対向基板との間で電気的導通をとるための導通材からなる銀点106が設けられている。但し、上下導通箇所は少なくとも1カ所で良い。以下図1から図8の説明において、TFTアレイ基板1の下辺に沿って複数設けられた外部入力端子102を介して入力される信号名称と、その信号配線とは、説明の容易化のために同一のアルファベット記号を信号及び配線の後に夫々付加して参照する(例えば、信号名称である“クロック信号CLX”に対し、その信号配線を“配線CLX”と呼ぶ)ことにする。
【0021】
走査線駆動回路104は、外部制御回路から外部入力端子102並びに配線VSSY及びVDDYを介して供給される、走査線駆動回路104用の負電源VSSY及び正電源VDDYを電源として用いて、スタート信号DYの入力により内蔵シフトレジスタ回路をスタートさせる。そして、外部入力端子102並びに配線CLY及びCLY’を介して供給される、走査線駆動回路104の内蔵シフトレジスタ回路用の基準クロック信号CLY及びその反転クロック信号CLY’に基づく所定タイミングで、走査線31に走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【0022】
データ線駆動回路101は、外部制御回路から外部入力端子102並びに信号配線VSSX及びVDDXを介して供給される、データ線駆動回路用の負電源VSSX及び正電源VDDXを電源として用いて、スタート信号DXの入力により内蔵シフトレジスタ回路をスタートさせる。そして、外部入力端子102並びに配線CLX及びCLX’を介して供給される、データ線駆動回路101の内蔵シフトレジスタ回路用の基準クロック信号CLX及びその反転クロック信号CLX’に基づき、走査線駆動回路104が走査信号を印加するタイミングに合わせて、外部入力端子102及び配線VID1〜VID12を介して供給される例えば12相展開された画像信号VID1〜VID12夫々について、データ線35毎にサンプリング回路駆動信号をサンプリング回路301にサンプリング回路駆動信号線306を介して所定タイミングで供給する。
【0023】
サンプリング回路301は、TFT302を各データ線35毎に備えており、配線VID1〜VID12がTFT302のソース電極に接続されており、サンプリング回路駆動信号線306がTFT302のゲート電極に接続されている。そして、画像信号VID1〜VID12が入力されると、これらの画像信号をサンプリングする。また、サンプリング回路駆動信号線306を介して、データ線駆動回路101からサンプリング回路駆動信号が入力されると、画像信号VID1〜VID12夫々についてサンプリングされた画像信号を、12本の隣接するデータ線35からなるグループ毎に順次印加する。
【0024】
以上のように、データ線駆動回路101とサンプリング回路301とは、12相展開された画像信号VID1〜VID12をデータ線35にデータ信号として供給するように構成されている。本実施の形態では隣接する12本のデータ線35に接続されるサンプリング回路301を同時に選択し、12本のデータ線35からなるグループ毎に順次転送していく方式を述べたが、データ線35を6本毎に選択してもよいし、24本毎に選択してもよい。或いは、2本以上の任意の本数を同時に選択してもよい。また、サンプリング回路301のTFT302の能力が高ければ、データ線毎に順次に選択してもよい。この際、少なくとも画像信号の相展開数だけ、画像信号用の外部入力端子102及び画像信号線が必要なことは言うまでもない。本実施の形態では特に、以下に述べるようにデータ線駆動回路101の両側から配線VID1〜VID12が引き回されているので、この本数(相展開数)は多くてもTFTアレイ基板1上にバランス良く配線できる。尚、画像信号の相展開数とサンプリング回路301を同時に選択する数が相等しくなるように構成してもよいし、前者が後者よりも多くなるように構成してもよい。
【0025】
図2に示すように、データ線駆動回路101は、スタート信号DXが入力されると、基準クロック信号CLX及びその反転クロック信号CLK’に基づく転送信号の順次生成を開始するシフトレジスタ回路101aと、シフトレジスタ回路101aからの転送信号を波形整形しバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号線306を介してサンプリング回路301に供給する波形制御回路101b及びバッファ回路101cとを備えている。また、サンプリング回路301は、12相展開された画像信号VID1〜VID12に対応してTFT302が12個ずつパラレルに各サンプリング回路駆動信号線306に接続されている。
【0026】
即ち、TFT302から構成されるスイッチS1〜S12が左から1本目のサンプリング回路駆動信号線306に接続されており、スイッチS13〜S24が左から2本目のサンプリング回路駆動信号線306に接続されており、スイッチSn-11〜Snが右端のサンプリング回路駆動信号線306に接続されている。図1では省略し図2で示したイネーブル信号ENB1及びENB2は、波形制御回路101b内に設けられたイネーブル回路に入力される。このイネーブル回路では、シフトレジスタ回路101aから順次出力されるパルスの幅を、イネーブル信号ENB1及びENB2のパルス幅に制限することにより、サンプリング回路301の選択期間を制御する。これにより、データ線12本分ずつ離れて同一の配線(VID1〜12)から画像信号を受けるデータ線35間におけるゴーストの発生を防止する。従って、イネーブル信号ENB1及びENB2は、クロック信号CLX及びCLX'と同じく、水平走査期間よりも短い周期を持つ高周波制御信号に属する。他方、シフトレジスタ回路101aに入力されるスタート信号DXは、クロック信号CLY及びCLY'や走査線駆動回路側のシフトレジスタに入力されるスタート信号DYと同じく、水平走査期間よりも短くない周期を持つ低周波制御信号に属する。
【0027】
ここで、シフトレジスタ回路101aの具体的な回路構成及び動作について図3を参照して説明する。尚、図3(a)は、イネーブル回路を含むシフトレジスタ回路を示す回路図であり、図3(b)は、このシフトレジスタ回路における各種信号のタイミングチャートである。
【0028】
先ず、図3(a)において、シフトレジスタ回路101aの各段の出力に対応してイネーブル回路112が夫々設けられている。シフトレジスタ回路101aの各段は、右方向(左から右へ向かう方向)に対応する転送方向で各段から転送信号が順次出力されるように、所定周期の基準クロック信号CLX及びその反転信号CLX’の2値レベルが変化する毎に転送信号に帰還をかけて次段に転送する2つのクロックドインバータを夫々含んで構成されている。また、イネーブル回路112は、シフトレジスタ回路101aの奇数段目から出力される転送信号のパルス幅を第1イネーブル信号ENB1のパルス幅に制限すると共に偶数段目から出力される転送信号のパルス幅を第2イネーブル信号ENB2のパルス幅に制限するように、転送信号とイネーブル信号ENB1又はENB2との排他的論理積をとるNAND回路と、その結果を反転させるインバータ回路とから構成されている。シフトレジスタ回路101aには、転送信号の転送をスタートさせるための信号DXが図中左側から入力される。
【0029】
図3(b)のタイミングチャートに示すタイミングで、この信号DX、クロック信号CLX及びその反転信号CLX’と、第1及び第2イネーブル信号ENB1及びENB2とが入力されると、上述のように構成されたシフトレジスタ回路101aからは、クロック信号CLXの半周期だけ順次遅れる転送信号が順次出力される。すると、イネーブル回路112により、この転送信号のパルス幅が信号ENB1及びENB2のパルス幅に制限されて、クロック信号CLXのパルス幅よりも幅の狭いパルスから夫々なるサンプリング回路駆動信号Q1、Q2、Q3、…、Qn(但し、nは奇数)が、図2に示した波形制御回路101b及びバッファ回路101cを介してサンプリング回路301に順次供給される。
【0030】
本実施の形態では特に、図1及び図2に示すように、TFTアレイ基板1には、負電源VSSY用の配線VSSYを兼ねた定電位のシールド線80、負電源VSSX用の配線VSSXを兼ねた定電位のシールド線80’、正電源VDDX用の配線VDDXを兼ねた定電位のシールド線82、及び正電源VDDY用の配線VDDYを兼ねた定電位のシールド線86が配線されている。これらのシールド線80、80’、82及び86により、画像信号線である配線VID1〜VID12は、配線CLX及びCLX'並びに配線ENB1及びENB2から電気的にシールドされている。従って、クロック信号CLXの周波数が高い場合でも、高周波制御信号線である配線CLX及びCLX'並びに配線ENB1及びENB2から配線VID1〜VID12への高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減できる。
【0031】
しかも、図1及び図2に示したように、第1画像信号線群の一例を構成する奇数番目の画像信号線VID1、3、5、7、9及び11は、TFTアレイ基板1上をX方向に見てデータ線駆動回路101の右側へ引き回されており、第2画像信号線群の一例を構成する偶数番目の画像信号線VID2、4、6、8、10及び12は、TFTアレイ基板1上でデータ線駆動回路101の左側へ引き回されている。従って、例えば12相展開というように比較的多相の相展開数を行うことにより、サンプリング回路301に供給される画像信号VID1〜12の周波数を下げつつ、多数の配線VID1〜12については、データ線駆動回路101の両側にバランス良く配置できる。この結果、サンプリング回路301及びデータ線駆動回路101からなるデータ信号供給手段を形成する領域をTFTアレイ基板1上に容易に確保することができる。従って、限られた基板サイズにおける画面の大型化が図られる。
【0032】
本実施の形態では特に、図2に示したように、定電位のシールド線80’により、画像信号線たる配線VID1〜12は、前述の高周波制御信号に属するクロック信号CLX及びCLX’並びにイネーブル信号ENB1及びENB2を供給する高周波制御信号線たる配線CLX及びCLX’並びに配線ENB1及びENB2から電気的にシールドされている。従って、クロック信号の周波数が高い場合でも、これらの高周波制御信号線から配線VID1〜12への高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減できる。他方、前述の低周波制御信号に属するスタート信号DX及びDY、並びにクロック信号CLY及びCLY’については、配線VID1〜12上の画像信号や、これに基づいて供給されたデータ線35上のデータ信号中の高周波ノイズの原因とはならない。このため、低周波制御信号線たる配線DX、DY、CLY及びCLY’は、定電位のシールド線によりシールドしてもよく、シールドしなくてもよい。本実施の形態では、図2に示したように、右側では配線VID1、3、…、11は、定電位の配線VDDYからなるシールド線86により配線DY、CLY及びCLY’からシールドされており、左側では配線VID2、4、…、12は定電位の配線VSSYからなるシールド線80により配線DYからシールドされている。また、配線DXからは、シールド線80’により配線VID1〜12はシールドされている。
【0033】
更に本実施の形態では特に、右側(奇数番目)の画像信号線群の中で高周波制御信号線たる配線CLX及びCLX’に近い側に位置する配線VID11は、配線VSSX及びVDDXから夫々なる2本のシールド線80’及び82の存在により、これらの配線CLX及びCLX’から離間されており、且つ電気的にシールドされている。また、左側(偶数番目)の画像信号線群の中で高周波制御信号線たる配線CLX及びCLX’に近い側に位置する配線VID12は、配線VSSXからなる1本のシールド線80’及び低周波制御信号線たる配線DXの存在により、これらの配線CLX及びCLX’から離間されており、且つ電気的にシールドされている。即ち、画像信号やデータ信号中の高周波ノイズの原因とはならない低周波制御信号線に属する配線DXを、高周波制御信号線たる配線CLX及びCLX’と配線VID12との間に、シールド線80’と共に配置することにより、配線CLX及びCLX’のVID12に対するクロックノイズ等の悪影響を更に低減できる。一般に距離及び障害物の介在に応じて電磁波は減少するので、配線CLX及びCLX’や配線ENB1及びENB2と配線VID1〜12との間にシールド線(配線80、80’、82、86等の定電位の配線)や低周波制御信号線(配線DX、DY、CLY、CLY’等の低周波制御信号が供給される配線)をなるべく多く配線する構成により、クロックノイズを発生させる電磁波が減少して、クロックノイズ等が低減する。このように、シールド線以外に低周波制御信号線を高周波制御信号線と画像信号線との間に介在させることはTFT基板1上スペースの有効利用及びノイズ低減の観点から見て有利である。
【0034】
また図2に示したように本実施の形態では、TFTアレイ基板1の周辺部上において、配線VID1〜12に夫々接続された外部入力端子102は両側に配置されており、その間に配線ENB1、ENB2、CLX’及びCLXに接続された外部入力端子102が集中配置されている。そして、配線VID12に接続された外部入力端子102と配線ENB1に接続された外部入力端子102との間に、シールド線80’(配線VSSX)に接続された外部入力端子102が配置されている。また、配線VID11に接続された外部入力端子102と配線CLXに接続された外部入力端子102との間に、シールド線80’(配線VSSX)に接続された外部入力端子102が配置されている。従って、配線VID1〜12と配線ENB1、ENB2、CLX’及びCLXとの間にシールド線80’を配線する構成を容易に得ることができる。特に、液晶装置200に入力される前段階で、例えば、表示情報処理回路等の外部回路から液晶装置200への配線中で、クロック信号CLX等が、画像信号VID1〜12に対しクロックノイズ等を発生させてしまう事態を効果的に阻止し得る。このように本実施の形態によれば、液晶装置200に入力される前後において、クロック信号用の配線から画像信号用の配線への高周波のクロックノイズの飛び込み等を低減できる。尚、より好ましくは、TFTアレイ基板1の周辺部において外部入力端子102を形成可能な領域において、配線VID1〜12用の外部入力端子102を可能な限り両側(右側及び左側)に寄せて配置すると共に、中央に集中配置される配線CLX’等用の外部入力端子102との間に可能な限り間隔を空けて、この間隔にシールド線80’等用の外部入力端子102を配置する。
【0035】
本実施の形態では、配線VSSY、VSSX、VDDX及びVSSYを夫々延設してシールド線80、80’、82及び86とすることにより、外部入力端子や配線を共用することが可能となり、装置構成の簡略化と省スペース化を図ることが出来る。また、シールド線80、80’、82及び86の電位は、このように定電位線との共用化により、容易に定電位とされる。但し、電源用の配線とシールド線を別個に配線してもよい。
【0036】
本実施の形態では、図2に示すように、負電源VSSXが入力される外部入力端子102が2つ設けられている。そして、配線VID1〜VID12は、負電源VSSXの電位(負電位)とされたシールド線80’により、TFTアレイ基板1上で囲まれている。特に、シフトレジスタ回路101aと波形制御回路101bとの間にも、データ線35と同じAl等の金属層から形成されたシールド線80’は延設されている。そして、延設されたシールド線80’の先端部は、後述のように第1層間絶縁層を介してAl等の金属層の下方において、例えば走査線31と同じポリシリコン等の導電性層から形成されたシールド線接続部81を介して、波形制御回路101b及びバッファ回路101cを囲むようにしてシールド線80’に接続されている。
【0037】
他方、図2に示すように、配線CLX及びCLX’は、データ線駆動回路101に隣接する部分においては、正電源VDDXの電位(正電位)とされたシールド線82により、TFTアレイ基板1上で囲まれている。特に、波形制御回路101bとバッファ回路101cとの間にも、データ線35と同じAl等の金属層から形成されたシールド線82は延設されており、その先端部は、例えば走査線31と同じポリシリコン等の導電性層から形成されたシールド線接続部83を介して波形制御回路101b及びシフトレジスタ回路101aを囲むようにしてシールド線82に接続されている。
【0038】
従って、配線VID1〜VID12は、TFTアレイ基板1上で配線CLX及びCLX’並びに配線ENB1及びENB2から2重にシールドされた構成が採られており、シフトレジスタ回路101a並びに波形制御回路101b及びバッファ回路101cに対するシールドも信頼性が高いものとされている。但し、このように囲む構成を採らなくても、配線CLX、CLX’、ENB1及びENB2と配線VID1〜VID12との間にシールド線80、80’、82及び86が少なくとも一本介在するように構成すれば、シールドの効果は多少なりとも得られる。
【0039】
本実施の形態では図1及び図2に示したように、シールド線80により、画面表示領域及び複数のデータ線35は、TFTアレイ基板1上で囲まれている。このため、当該画面表示領域及び複数のデータ線35も、配線CLX、CLX’、ENB1及びENB2からシールドされている。従って、データ線駆動回路101から出力されたサンプリング回路駆動信号、TFT30や画素電極11に到達したデータ信号等における、高周波のクロックノイズの発生等を低減できる。但し、このように画面表示領域までも囲む構成を採らなくても、サンプリング回路301に至るまでの配線VID1〜VID6をシールド線80、80’、82又は86によりシールドするように構成すれば、シールドの効果は多少なりとも得られる。この場合図1から分かるように、シールド線80は、配線VSSYから延設されており、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路104に電源信号VSSYを冗長的に供給するように延設されている。このため、たとえ、シールド線80或いは配線VSSYに断線が生じても、装置欠陥になり難いので有利である。
【0040】
図4(a)及び(b)の断面図に夫々示すように、外部入力端子102に接続された各種配線DY、VSSY、…、VDDXは、例えば、Al(アルミニウム)等の、データ線35と同一の低抵抗金属材料から形成されている。従って、シールド線80(配線VSSY)、80’(配線VSSX)、82(配線VDDX)及び86(配線VDDY)の引き回し領域が、たとえ長くても、各シールド線80、80’、82及び86の抵抗は実用上十分に低く抑えられる。即ち、図2に示したように、他の各種配線やシフトレジスタ回路101a並びに波形制御回路101b及びバッファ回路101cの隙間を縫ってジグザグにシールド線82や80’を長く配線でき、更に画面表示領域までも含めた広い領域にシールド線80を長く配線できる。このように比較的簡単な構成により、当該シールドの効果を全体として高めることが出来る。また図4(a)及び(b)に示すように、各種配線DY、VSSY、…、VDDXは、TFTアレイ基板1に形成された第1層間絶縁層42上に、即ち同一層上に形成されている。従って、シールドの効果がより効率良く発揮される。更に、このように構成すると、液晶装置200の製造プロセスにおいて、各種配線DY、VSSY、…、VDDXを、例えば、Al層等の同一の低抵抗金属層から同一工程により一括して形成できるので、製造上有利である。
【0041】
尚、図1から図4に示した外部入力端子102から入力される信号LCCOMは、共通電極の電源信号であり、配線LCCOM及び前述の銀点106を介して、後述の対向基板に設けられた共通電極(図9参照)に供給される。
【0042】
ここで図5の平面図に示すように、容量線31’は、TFTアレイ基板1上において走査線31(ゲート電極)と平行に、例えば走査線31と同じく導電性のポリシリコン層等から形成されており、シールド線80にコンタクトホール80aを介して接続されている。このように構成すれば、容量線31’を定電位とするための配線をシールド線80で兼用でき、容量線31’を定電位にするために必要な外部入力端子も、シールド線80用の外部入力端子102で兼用できる。
【0043】
本実施の形態では特に、サンプリング回路301は、図1中斜線領域で示すように且つ図6及び図7に示すように、対向基板2に形成された遮光性の周辺見切り53に対向する位置においてTFTアレイ基板1上に設けられており、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104は、液晶層50に面しないTFTアレイ基板1の狭く細長い周辺部分上に設けられている。TFTアレイ基板1の上には、画面表示領域の周囲において両基板を貼り合わせて液晶層50を包囲するシール部材の一例としての光硬化性樹脂からなるシール材52が、画面表示領域に沿って設けられている。そして、対向基板2上における画面表示領域とシール材52との間には、遮光性の周辺見切り53が設けられている。
【0044】
周辺見切り53は、後に画面表示領域に対応して開口部が設けられた遮光性のケースにTFTアレイ基板1が入れられた場合に、当該画面表示領域が製造誤差等により当該ケースの開口の縁に隠れてしまわないように、即ち、例えばTFTアレイ基板1のケースに対する数百μm程度のずれを許容するように、画面表示領域の周囲に少なくとも500μm以上の幅を持つ帯状の遮光性材料から形成されたものである。このような遮光性の周辺見切り53は、例えば、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)、Al(アルミニウム)等の金属材料を用いたスパッタリング、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等により対向基板2に形成される。或いは、カーボンやTi(チタン)をフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成される。また、TFTアレイ基板1上に遮光性の周辺見切り53を設けてもよい。周辺見切り53をTFTアレイ基板1上に内蔵すれば、TFTアレイ基板1と対向基板2との貼り合わせ工程での精度のばらつきで画素の開口領域が影響を受けることがないため、液晶パネルの透過率を高精度に維持することができる。
【0045】
シール材52の外側の領域には、画面表示領域の下辺に沿ってデータ線駆動回路101及び外部入力端子(実装端子)102が設けられており、画面表示領域の左右の2辺に沿って走査線駆動回路104が画面表示領域の両側に設けられている。そして、シール材52とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板2が当該シール材52によりTFTアレイ基板1に固着されている。
【0046】
以上のようにシールド線80及びサンプリング回路301は、TFTアレイ基板1上の周辺見切り53の下に設けられているので、TFTアレイ基板1上の省スペース化が図られ、例えば、走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101をTFTアレイ基板1の周辺部分に余裕を持って形成することができ、シールド線80の形成により液晶装置200における有効表示面積が減少することも殆ど又は全くない。
【0047】
図8(a)に、図1及び図2に示した走査線駆動回路101とサンプリング回路301との間における配線VID1〜12の引き回し方式を拡大して示す。同図において、奇数番目の画像信号線たる配線VID1、…、11と偶数番目の画像信号たる配線VID2、…、12とは、各配線毎に両側から櫛歯状に交互に引き回されている。従って、データ線駆動回路101の周囲において、配線VID1〜12及びサンプリング回路駆動信号線306は、大変規則性良く且つバランス良く配線さている。
【0048】
ところで、本実施の形態では、液晶を直流駆動により劣化させないためや表示画面上のフリッカを防止するため等に、液晶駆動電圧を反転させる各種の方式、例えば、フィールド又はフレーム反転駆動、走査線反転駆動(所謂1H反転駆動)、データ線反転駆動(所謂1S反転駆動)、ドット反転駆動などを採用可能である。ここで特に、1S反転やドット反転といった相隣接するデータ線間で電圧極性を反転させて液晶駆動を行う場合には、図8(a)に示したように一本の配線VID1〜12毎に櫛歯状にするよりも、図8(b)に示すように、相隣接する2本のデータ線35に対応する2本の配線VID1及び2、5及び6等を夫々一対として2本おきに一方の側(例えば右側)から引き回すと共に、それら以外の相隣接する2本のデータ線35に対応する2本の配線VID3及び4、7及び8等を夫々一対として2本おきに逆側(例えば左側)から引き回すと共に、データ線駆動回路101とサンプリング回路301の間で2本の配線を一対として夫々両側から櫛歯状にするのがより好ましい。このように配線すれば、TFTアレイ基板1上で相隣接する各対の配線1及び2、3及び4、…から供給される画像信号は夫々逆極性とされてデータ線35に供給されるので、これらの信号中に存在する同一のノイズ源に起因したノイズ成分については、これら各対をなす両者間で打ち消し合う効果が働くので、ノイズを低減するのに役立つ。
【0049】
(液晶パネル部分の構成)
次に、液晶装置200が含む液晶パネル部分の具体的構成について図9及び図10を参照して説明する。ここに、図9は液晶パネルのTFT30部分における断面図であり、図10は周辺見切りの下における液晶パネルのシールド線80に沿った断面図である。尚、図9及び図10においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0050】
図9の断面図において、液晶パネル10は、各画素に設けられるTFT30部分において、TFTアレイ基板1並びにその上に積層された半導体層32、ゲート絶縁層33、走査線31(ゲート電極)、第1層間絶縁層42、データ線35(ソース電極)、第2層間絶縁層43、画素電極11及び配向膜12を備えている。液晶パネル10はまた、例えばガラス基板から成る対向基板2並びにその上に積層された共通電極21、配向膜22及び遮光層23を備えている。液晶パネル10は更に、これらの両基板間に挟持された液晶層50を備えている。
【0051】
ここでは先ず、これらの層のうち、TFT30を除く各層の構成について順に説明する。
【0052】
第1及び第2層間絶縁層42及び43は夫々、5000〜15000Å程度の厚みを持つNSG、PSG、BSG、BPSGなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる。尚、TFTアレイ基板1上に、TFT30の下地となる層間絶縁層をシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から形成してもよい。
【0053】
画素電極11は例えば、ITO膜(Indium Tin Oxide膜)などの透明導電性薄膜からなる。このような画素電極11は、スパッタリング処理等によりITO膜等を約500〜2000Åの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を施すこと等により形成される。尚、当該液晶パネル10を反射型の液晶装置に用いる場合には、Al等の反射率の高い不透明な材料から画素電極11を形成してもよい。
【0054】
配向膜12は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。このような配向膜12は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により形成される。
【0055】
共通電極21は、対向基板2の全面に渡って形成されている。このような共通電極21は、例えばスパッタリング処理等によりITO膜等を約500〜2000Åの厚さに堆積して形成される。
【0056】
配向膜22は、例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。このような配向膜22は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により形成される。
【0057】
遮光層23は、TFT30に対向する所定領域に設けられている。このような遮光層23は、前述の周辺見切り53同様に、CrやNiなどの金属材料を用いたスパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチング等の工程により形成されたり、カーボンやTiをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成される。遮光層23は、TFT30の半導体層(ポリシリコン膜)32に対する遮光の他に、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。
【0058】
液晶層50は、画素電極11と共通電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基板1と対向基板2との間において、シール材52(図6及び図7参照)により囲まれた空間に液晶が真空吸引等により封入されることにより形成される。液晶層50は、画素電極11からの電界が印加されていない状態で配向膜12及び22により所定の配向状態を採る。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材52は、二つの基板1及び2をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのスペーサが混入されている。
【0059】
次に、TFT30に係る各層の構成について順に説明する。
【0060】
TFT30は、走査線31(ゲート電極)、走査線31からの電界によりチャネルが形成される半導体層32、走査線31と半導体層32とを絶縁するゲート絶縁層33、半導体層32に形成されたソース領域34、データ線35(ソース電極)、及び半導体層32に形成されたドレイン領域36を備えている。ドレイン領域36には、複数の画素電極11のうちの対応する一つが接続されている。
【0061】
ソース領域34及びドレイン領域36は後述のように、半導体層32に対し、n型又はp型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のN型用又はP型用のドーパントをドープすることにより形成されている。N型チャネルのTFTは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子であるTFT30として用いられることが多い。
【0062】
TFT30を構成する半導体層32は、例えば、TFTアレイ基板1上にa−Si(アモルファスシリコン)膜を形成後、アニール処理を施して約500〜2000Åの厚さに固相成長させることにより形成する。この際、Nチャネル型のTFT30の場合には、Sb(アンチモン)、As(砒素)、P(リン)などのV族元素のドーパントを用いたイオン注入等によりドープしてもよい。また、pチャネル型のTFT30の場合には、B(ボロン)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)などのIII族元素のドーパントを用いたイオン注入等によりドープする。特にTFT30をLDD(Lightly Doped Drain)構造を持つNチャネル型のTFTとする場合、P型の半導体層32に、ソース領域34及びドレイン領域36のうちチャネル側に夫々隣接する一部にPなどのV族元素のドーパントにより低濃度ドープ領域を形成し、同じくPなどのV族元素のドーパントにより高濃度ドープ領域を形成する。また、Pチャネル型のTFT30とする場合、N型の半導体層32に、BなどのIII族元素のドーパントを用いてソース領域34及びドレイン領域36を形成する。このようにLDD構造とした場合、ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。尚、TFT30は、LDD構造における低濃度ドープ領域にイオン注入したオフセット構造のTFTとしてもよいし、ゲート電極をマスクとして高濃度の不純物イオンをドープすることにより自己整合的に高濃度なソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のTFTとしてもよい。
【0063】
また本実施の形態では、図9において、TFT30のソース・ドレイン間に、ゲート絶縁膜2を介して、同一の走査信号が供給される2つのゲート電極31を設けて、デユアルゲート(ダブルゲート)構造のTFTとしてもよい。これにより、TFT30のリーク電流を低減することができる。また、デユアルゲート構造のTFTを、上述のLDD構造、或いはオフセット構造を持つようにすれば、更にTFT30のリーク電流を低減することができ、高いコントラスト比を実現することができる。また、デユアルゲート構造により、冗長性を持たすことができ、大幅に画素欠陥を低減できるだけでなく、高温動作時でも、リーク電流が低いため、高コントラスト比の画質を実現することができる。尚、TFT30のソース・ドレイン間に設けるゲート電極31は3つ以上でもよいことは言うまでもない。
【0064】
ゲート絶縁層33は、半導体層32を約900〜1300℃の温度により熱酸化することにより、300〜1500Å程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜を形成して得る。
【0065】
走査線31(ゲート電極)は、減圧CVD法等によりポリシリコン膜を堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により形成される。或いは、W(タングステン)、Mo(モリブデン)等の高融点金属膜又は金属シリサイド膜から形成されてもよい。この場合、走査線31(ゲート電極)を、遮光層23が覆う領域の一部又は全部に対応する遮光膜として配置すれば、金属膜や金属シリサイド膜の持つ遮光性により、遮光層23の一部又は全部を省略することも可能となる。この場合特に、対向基板2とTFTアレイ基板1との貼り合わせずれによる画素開口率の低下を防ぐことが出来る利点がある。
【0066】
データ線35(ソース電極)は、画素電極11と同様にITO膜等の透明導電性薄膜から形成してもよい。或いは、スパッタリング処理等により、約1000〜5000ナの厚さに堆積されたAl等の低抵抗金属や金属シリサイド等から形成してもよい。
【0067】
また、第1層間絶縁層42には、ソース領域34へ通じるコンタクトホール37及びドレイン領域36へ通じるコンタクトホール38が夫々形成されている。
【0068】
このソース領域34へのコンタクトホール37を介して、データ線35(ソース電極)はソース領域34に電気的接続される。更に、第2層間絶縁層43には、ドレイン領域36へのコンタクトホール38が形成されている。このドレイン領域36へのコンタクトホール38を介して、画素電極11はドレイン領域36に電気的接続される。前述の画素電極11は、このように構成された第2層間絶縁層43の上面に設けられている。各コンタクトホールは、例えば、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成される。
【0069】
尚、一般にはチャネルが形成される半導体層32は、光が入射すると光電変換効果により光電流が発生してしまいTFT30のトランジスタ特性が劣化するが、本実施の形態では、対向基板2には各TFT30に夫々対向する位置に遮光層23が形成されているので、入射光が半導体層32に入射することが防止される。更にこれに加えて又は代えて、ゲート電極を上側から覆うようにデータ線35(ソース電極)をAl等の不透明な金属薄膜から形成すれば、遮光層23と共に又は単独で、半導体層32への入射光(即ち、図9で上側からの光)の入射を効果的に防ぐことが出来る。
【0070】
図9において、画素電極11には蓄積容量70が夫々設けられている。この蓄積容量70は、より具体的には、半導体層32と同一工程により形成される第1蓄積容量電極層32’、ゲート絶縁層33と同一工程により形成される絶縁層33’、走査線31と同一工程により形成される容量線31’(第2蓄積容量電極)、第1及び第2層間絶縁層42及び43、並びに第1及び第2層間絶縁層42及び43を介して容量線31’に対向する画素電極11の一部から構成されている。このように蓄積容量70が設けられているため、デューティー比が小さくても高精細な表示が可能とされる。
【0071】
図10の断面図に示すように、周辺見切り53に対向し且つ複数の走査線31の上方の位置において第1層間絶縁層42上をシールド線80は通過する。そして、このシールド線80は、その殆どの部分が、前述したデータ線(ソース電極)35と同一工程で形成されたAl等の金属薄膜からなる低抵抗な配線である。
【0072】
このように液晶装置200の製造プロセスにおいて、シールド線80とデータ線35とを一括して形成できるので、製造上有利である。
【0073】
本実施の形態では特に、TFT30はポリシリコンタイプのTFTであるので、TFT30の形成時に同一薄膜形成工程で、サンプリング回路301、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の同じくポリシリコンTFTタイプのTFT302等から構成された周辺回路を形成できるので製造上有利である。
【0074】
例えば、これらの周辺回路は、Nチャネル型ポリシリコンTFT及びPチャネル型ポリシリコンTFTから構成される相補構造の複数のTFTからTFTアレイ基板1上の周辺部分に形成される。
【0075】
尚、図9及び図10には示されていないが、液晶パネル10においては、対向基板2の投射光が入射する側及びTFTアレイ基板1の投射光が出射する側には夫々、例えば、TN(ツイステッドネマティック)モード、 STN(スーパーTN)モード、D−STN(ダブル−STN)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【0076】
また、以上説明した液晶パネル10は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、3つの液晶パネル10がRGB用のライトバルブとして夫々用いられ、各パネルには夫々RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が入射光として夫々入射されることになる。従って、各実施の形態では、対向基板2に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、液晶パネル10においても遮光層23の形成されていない画素電極11に対向する所定領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板2上に形成してもよい。
【0077】
このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に本実施の形態の液晶パネルを適用できる。更に、対向基板2上に1画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶パネルが実現できる。更にまた、対向基板2上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、RGB色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶パネルが実現できる。
【0078】
液晶パネル10において、TFTアレイ基板1側における液晶分子の配向不良を抑制するために、第2層間絶縁層43の上に更に平坦化膜をスピンコート等で塗布してもよく、又はCMP処理を施してもよい。或いは、第2層間絶縁層43を平坦化膜で形成してもよい。
【0079】
液晶パネル10のスイッチング素子は、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンTFTであるとして説明したが、逆スタガ型のTFTやアモルファスシリコンTFT等の他の形式のTFTに対しても、本実施の形態は有効である。
【0080】
液晶パネル10においては、一例として液晶層50をネマティック液晶から構成したが、液晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜12及び22、並びに前述の偏光フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まることによる液晶パネルの高輝度化や低消費電力化の利点が得られる。更に、画素電極11をAl等の反射率の高い金属膜から構成することにより、液晶パネル10を反射型液晶装置に適用する場合には、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されたSH(スーパーホメオトロピック)型液晶などを用いても良い。更にまた、液晶パネル10においては、液晶層50に対し垂直な電界(縦電界)を印加するように対向基板2の側に共通電極21を設けているが、液晶層50に平行な電界(横電界)を印加するように一対の横電界発生用の電極から画素電極11を夫々構成する(即ち、対向基板2の側には縦電界発生用の電極を設けることなく、TFTアレイ基板1の側に横電界発生用の電極を設ける)ことも可能である。このように横電界を用いると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広げる上で有利である。その他、各種の液晶材料(液晶層)、動作モード、液晶配列、駆動方法等に本実施の形態を適用することが可能である。
【0081】
以上説明した実施の形態において更に、周辺見切り53下やTFTアレイ基板1の周辺部に、プリチャージ回路、検査回路等の周知の周辺回路を設けてもよい。プリチャージ回路は、コントラスト比の向上、データ線の電位レベルの安定、表示画面上のラインむらの低減等を目的として、データ線に対し、データ線駆動回路から供給されるデータ信号に先行するタイミングで、プリチャージ信号を供給することにより、データ信号をデータ線に書き込む際の負荷を軽減する回路である。例えば、特開平7−295520号公報に、このようなプリチャージ回路の一例が開示されている。他方、検査回路は、周辺見切り53下やTFTアレイ基板の周辺部に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための回路である。
【0082】
また、以上の実施の形態において、特開平9−127497号公報、特公平3−52611号公報、特開平3−125123号公報、特開平8−171101号公報等に開示されているように、TFTアレイ基板1上においてTFT30に対向する位置(即ち、TFT30の下側)にも、例えばW(タングステン)、Mo(モリブデン)等の高融点金属や金属シリサイドからなる遮光層を設けてもよい。このようにTFT30の下側にも遮光層を設ければ、TFTアレイ基板1の側からの戻り光等がTFT30に入射するのを未然に防ぐことができる。従って、当該液晶装置200を液晶プロジェクタ用のライトバルブとして好適に用いることが出来る。
【0083】
更にまた、以上の実施の形態において、TFT30に代えてMIM(Metal Insulator Metal)等の2端子型非線形素子等からスイッチング素子を構成してもよい。この場合、データ線及び走査線のうち一方の線を対向基板に配置して対向電極として機能させ、TFTアレイ基板に設けられた他方の線と画素電極との間にスイッチング素子を夫々配置して液晶駆動する。このように構成しても、画素信号線やデータ線をクロック信号線からシールドすることにより、高周波のクロックノイズの画像信号やデータ信号への飛び込みを防止する効果は発揮される。
【0084】
(液晶装置の動作)
次に、以上のように構成された液晶装置200の動作について図1を参照して説明する。
【0085】
先ず、走査線駆動回路104は、所定タイミングで走査線31に走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【0086】
これと並行して、12本の配線VID1〜VID12からパラレルな画像信号を受けると、サンプ
リング回路301は、これらの画像信号をサンプリングする。データ線駆動回路101は、走査線駆動回路104がゲート電圧を印加するタイミングに合わせて、12本の配線VID1〜VID12夫々について一つのデータ線毎にサンプリング回路駆動信号を供給して、サンプリング回路301のTFT302をオン状態とする。これにより、隣接する12本のデータ線35に対して、サンプリング回路301にサンプリングされたデータ信号を順次印加する。即ち、データ線駆動回路101とサンプリング回路301により、配線VID1〜VID12から入力された12相展開されたパラレルな画像信号VID1〜VID12は、データ線35に供給される。
【0087】
このように、走査信号(ゲート電圧)及びデータ信号(ソース電圧)の両方が印加されたTFT30においては、ソース領域34、半導体層32に形成されたチャネル及びドレイン領域36を介して画素電極11に電圧が印加される。そして、この画素電極11の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば3桁も長い時間だけ蓄積容量(図9参照)により保持される。ここで特に、シールド線80、80’、82及び86により、配線VID1〜VID12は、配線CLX及びCLX’並びに配線ENB1及びENB2からシールドされているので、クロック信号CLXの周波数が高い場合でも、配線CLX及びCLX’並びに配線ENB1及びENB2から配線VID1〜VID12への高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減できる。
【0088】
以上のように、画素電極11に電圧が印加されると、液晶層50におけるこの画素電極11と共通電極21とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変化し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶パネル10からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。
【0089】
以上の結果、表示すべき画像の解像度が高く、高周波のシリアルな画像信号VID1〜VID12が入力される場合にも、これに対応して周波数が高いクロック信号CLXを用いつつ、高周波のクロックノイズの発生により画質が劣化することは殆ど又は全く無くなり、高品位の画像表示が可能とされる。しかも、12相展開という比較的多数の相に相展開した結果、画像信号の周波数を落とすことにより、通常性能のサンプリング回路によりサンプリングを行うことが可能とされている。
【0090】
(電子機器)
次に、以上詳細に説明した液晶装置200を備えた電子機器の実施の形態について図11から図15を参照して説明する。
【0091】
先ず図11に、このように液晶装置200を備えた電子機器の概略構成を示す。
【0092】
図11において、電子機器は、表示情報出力源1000、表示情報処理回路1002、駆動回路1004、液晶パネル10、クロック発生回路1008並びに電源回路1010を備えて構成されている。表示情報出力源1000は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、光ディスク装置などのメモリ、テレビ信号を同調して出力する同調回路等を含み、クロック発生回路1008からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路1002に出力する。表示情報処理回路1002は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路1004に出力する。駆動回路1004は、液晶パネル10を駆動する。電源回路1010は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶パネル10を構成するTFTアレイ基板の上に、駆動回路1004を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路1002を搭載してもよい。
【0093】
次に図12から図15に、このように構成された電子機器の具体例を夫々示す。
【0094】
図12において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ1100は、上述した駆動回路1004がTFTアレイ基板上に搭載された液晶パネル10を含む液晶モジュールを3個用意し、夫々RGB用のライトバルブ100R、100G及び100Bとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投射光が発せられると、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によって、RGBの3原色に対応する光成分R、G、Bに分けられ、各色に対応するライトバルブ100R、100G及び100Bに夫々導かれる。この際特にB光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。そして、ライトバルブ100R、100G及び100Bにより夫々変調された3原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム1112により再度合成された後、投射レンズ1114を介してスクリーン1120にカラー画像として投射される。
【0095】
本実施の形態においては特に、前述のように遮光層をTFTの下側にも設けておけば、当該液晶パネル10からの入射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学系による反射光、入射光が通過する際のTFTアレイ基板の表面からの反射光、他の液晶パネルから出射した後にダイクロイックプリズム1112を突き抜けてくる入射光の一部(R光及びG光の一部)等が、戻り光としてTFTアレイ基板の側から入射しても、画素電極のスイッチング用のTFT等のチャネルに対する遮光を十分に行うことができる。この場合、小型化に適したプリズムを投射光学系に用いても、各液晶パネルのTFTアレイ基板とプリズムとの間において、戻り光防止用のARフィルムを貼り付けたり、偏光板にAR被膜処理を施したりすることが不要となるので、構成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。
【0096】
図13において、電子機器の他の例たるマルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ(PC)1200は、上述した液晶パネル10がトップカバーケース内に備えられており、更にCPU、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード1202が組み込まれた本体1204を備えている。
【0097】
図14において、電子機器の他の例たるページャ1300は、金属フレーム1302内に前述の駆動回路1004がTFTアレイ基板上に搭載されて液晶モジュールをなす液晶パネル10が、バックライト1306aを含むライトガイド1306、回路基板1308、第1及び第2のシールド板1310及び1312、二つの弾性導電体1314及び1316、並びにフィルムキャリアテープ1318と共に収容されている。この例の場合、前述の表示情報処理回路1002(図11参照)は、回路基板1308に搭載してもよく、液晶パネル10のTFTアレイ基板上に搭載してもよい。更に、前述の駆動回路1004を回路基板1308上に搭載することも可能である。
【0098】
尚、図14に示す例はページャであるので、回路基板1308等が設けられている。しかしながら、駆動回路1004や更に表示情報処理回路1002を搭載して液晶モジュールをなす液晶パネル10の場合には、金属フレーム1302内に液晶パネル10を固定したものを液晶装置として、或いはこれに加えてライトガイド1306を組み込んだバックライト式の液晶装置として、生産、販売、使用等することも可能である。
【0099】
また図15に示すように、駆動回路1004や表示情報処理回路1002を搭載しない液晶パネル10の場合には、駆動回路1004や表示情報処理回路1002を含むIC1324がポリイミドテープ1322上に実装されたTCP(Tape Carrier Package)1320に、TFTアレイ基板1の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続して、液晶装置として、生産、販売、使用等することも可能である。
【0100】
以上図12から図15を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが図11に示した電子機器の例として挙げられる。
【0101】
以上説明したように、本実施の形態によれば、高周波のクロックノイズの発生が低減されており、高品位の画像表示が可能であり、しかも基板サイズに比べて画面表示領域が大きい液晶装置200を備えた各種の電子機器を実現できる。
【0102】
[付記]
付記1.本電気光学装置は、基板上に複数のデータ線と、該複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前記複数のデータ線及び走査線に接続された複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子に接続された複数の画素電極と、画像信号が供給される複数の画像信号線と、クロック信号を含む制御信号が供給される複数の制御信号線と、前記画像信号線及び前記制御信号線を夫々介して前記画像信号及び前記制御信号が入力され、前記画像信号に対応するデータ信号を前記制御信号に基づいて前記複数のデータ線に供給するデータ信号供給手段とを備えており、前記複数の画像信号線のうち第1画像信号線群は前記基板上で前記データ信号供給手段の一方の側へ引き回されており、前記複数の画像信号線のうち第2画像信号線群は前記基板上で前記データ信号供給手段の他方の側へ引き回されており、前記第1及び第2画像信号線群を前記複数の制御信号線から夫々電気的にシールドする少なくとも1本の導電線を前記基板上に更に備えたことを特徴とする。
【0103】
この電気光学装置によれば、画像信号は、画像信号線を介して、データ信号供給手段に供給される。これと並行して、クロック信号、イネーブル信号等を含む制御信号は、制御信号線を介して、データ信号供給手段に供給される。すると、例えばデータ線駆動回路、サンプリング回路等を含んで構成されるデータ信号供給手段により、制御信号に基づいて画像信号に対応するデータ信号が、複数のデータ線に供給される。ここで特に、基板に配線された導電線により、画像信号線は、クロック信号線、イネーブル信号線等の制御信号線から夫々電気的にシールドされている。従って、クロック信号の周波数が高い場合でも、クロック信号線等の制御信号線から画像信号線への高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減できる。
【0104】
他方で、基板に形成されるか又は基板に接続された走査線駆動回路等を含む走査信号供給手段により、走査信号が走査線を介してスイッチング素子に供給される。これと並行して、上述のように高周波のクロックノイズ等が低減された画像信号に対応するデータ信号が、データ線を介してスイッチング素子に供給され、更にスイッチング素子を介して供給されるデータ信号により画素電極に印加される電圧が変化し、当該画素電極に対向する液晶が駆動される。
【0105】
以上の結果、表示すべき画像の解像度が高く、例えば多相展開された画像信号が入力される場合にも、高周波のクロックノイズ等の発生により画質が劣化することは殆ど又は全く無くなり、高品位の画像表示が可能とされる。しかも、第1画像信号線群は、基板上でデータ信号供給手段の一方の側へ引き回されており、第2画像信号線群は基板上でデータ信号供給手段の他方の側へ引き回されている。従って、例えば12相展開、24相展開、…というように相展開数を増やすことによりデータ信号供給手段に供給される画像信号の周波数を下げつつ、多相展開に対応する多数の画像信号線については、データ信号供給手段の両側にバランス良く配置できる。この結果、サンプリング回路或いはサンプリング回路、データ線駆動回路等からなるデータ信号供給手段を形成する領域を基板上に容易に確保することができる。従って、限られた基板サイズでの画面の大型化を図ることも可能となる。
【0106】
付記2.付記1に記載の電気光学装置において、前記導電線は、前記複数の制御信号線のうち少なくとも前記画像信号の水平走査期間よりも短い周期を持つ高周波制御信号を供給する高周波制御信号線から、前記第1及び第2画像信号線群をシールドすることを特徴とする。
【0107】
この電気光学装置によれば、導電線により、画像信号線は、複数の制御信号線のうち高周波制御信号(例えば、クロック信号、イネーブル信号等)を供給する高周波制御信号線から電気的にシールドされている。従って、クロック信号の周波数が高い場合でも、高周波制御信号線から画像信号線への高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減できる。尚、低周波制御信号(例えば、データ線駆動回路内のシフトレジスタ用のスタート信号等)については、画像信号やデータ信号中の高周波ノイズの原因とはならないため、これを供給する低周波制御信号線を導電線によりシールドしてもよく、シールドしなくてもよい。
【0108】
付記3.付記2に記載の電気光学装置において、前記第1及び第2画像信号線群と前記高周波制御信号線との間には、前記導電線と共に前記複数の制御信号線のうち少なくとも前記画像信号の水平走査期間よりも短くない周期を持つ低周波制御信号を供給する低周波制御信号線が配線されていることを特徴とする。
【0109】
この電気光学装置によれば、第1及び第2画像信号線群の中で高周波制御信号線に近い側に位置する画像信号線は、低周波制御信号線と導電線との少なくとも合計2本の配線の存在により、高周波制御信号線から離間され且つ電気的にシールドされている。即ち、画像信号やデータ信号中の高周波ノイズの原因とはならない低周波制御信号(例えば、データ線駆動回路内のシフトレジスタ用のスタート信号等)を供給する低周波制御信号線を、高周波制御信号線と画像信号線との間に導電線と共に配置することにより、高周波制御信号線の画像信号線に対するクロックノイズ等の悪影響を更に低減できる。特に、一般に距離及び障害物の介在に応じて電磁波は減少するので、制御信号線と画像信号線との間に導電線や低周波制御信号線をなるべく多く配線する構成により、高周波制御信号線から画像信号線に印加される電磁波が減少する。このように、導電線以外に低周波制御信号線を高周波制御信号線と画像信号線との間に介在させることは基板上スペースの有効利用及びノイズ低減の観点から見て有利である。
【0110】
付記4.付記1に記載の電気光学装置において、前記第1画像信号線群に接続されており外部画像信号源から前記画像信号が夫々入力される複数の第1外部入力端子と、前記第2画像信号線群に接続されており前記外部画像信号源から前記画像信号が夫々入力される複数の第2外部入力端子と、前記制御信号線に接続されており外部制御信号源から前記制御信号が夫々入力される複数の第3外部入力端子と、前記導電線に夫々接続された複数の第4外部入力端子とを前記基板の周辺部上に更に備えており、前記第1及び第2外部入力端子の間には、前記第3外部入力端子が配置されており、前記第1及び第3外部入力端子の間並びに前記第3及び第2外部入力端子の間には、前記第4外部入力端子が夫々配置されていることを特徴とする。
【0111】
この電気光学装置によれば、基板の周辺部上において、第1及び第2画像信号線群に夫々接続された複数の第1及び第2外部入力端子の間には、制御信号線に接続された複数の第3外部入力端子が配置されている。即ち、第1から第4外部入力端子が設けられた基板の周辺部上において、中央に制御信号線に接続された複数の第3外部入力端子が集中配置されており、その両側に第1及び第2画像信号線群に夫々接続された複数の第1及び第2外部入力端子が配置されている。そして、これらの間に、導電線に接続された第4外部入力端子が配置されている。従って、第1及び第2画像信号線群と制御信号線との間に基板上で距離を置くと共に、これらの間に導電線を配線する構成を容易に得ることができる。特に、当該電気光学装置に入力される前段階で、クロック信号等の制御信号が、画像信号に対しクロックノイズ等を発生させてしまう事態を効果的に阻止し得る。仮に、画像信号線に接続された複数の外部入力端子と制御信号線に接続された複数の外部入力端子とが混在していたり、隣接していたりすれば、当該電気光学装置に入力される前段階で、画像信号線と制御信号線とが隣接或いは近接する配線部分が不可避となり、画像信号中にクロックノイズ等が飛び込んでしまうのである。このように本発明によれば、電気光学装置に入力される前後において、クロック信号線から画像信号線への高周波のクロックノイズの飛び込みを低減できる。尚、より好ましくは、基板の周辺部において外部入力端子を形成可能な領域において、第1及び第2外部入力端子を可能な限り両側に寄せて配置すると共に、両者の間に配置される第3外部入力端子との間に可能な限り間隔を空けて、この間隔に導電線に接続された第4外部入力端子を配置する。
【0112】
付記5.付記4に記載の電気光学装置において、前記導電線は、前記複数の制御信号線のうち少なくとも前記画像信号の水平走査期間よりも短い周期を持つ高周波制御信号を供給する高周波制御信号線から、前記第1及び第2画像信号線群をシールドし、前記第3外部入力端子のうち前記第4外部入力端子に隣接する端子は、前記複数の制御信号線のうち少なくとも前記画像信号の水平走査期間よりも短くない周期を持つ低周波制御信号を供給する低周波制御信号線に接続されていることを特徴とする。
【0113】
この電気光学装置によれば、導電線により、画像信号線は、高周波制御信号線から電気的にシールドされている。ここで特に、制御信号線に接続された第3外部入力端子のうち導電線に接続された第4外部入力端子に隣接する端子は、低周波制御信号線に接続されているので、画像信号線は、低周波制御信号線と導電線との少なくとも合計2本の配線の存在により、高周波制御信号線から離間され且つ電気的にシールドされる。
【0114】
付記6.付記1に記載の電気光学装置において、前記導電線は、前記データ信号供給手段に定電位のデータ線駆動用電源を供給するデータ線駆動用定電位線から構成された部分を含むことを特徴とする。
【0115】
この電気光学装置によれば、導電線は、前記データ信号供給手段に定電位のデータ線駆動用電源を供給するデータ線駆動用定電位線から構成された部分を含むので、外部入力端子や配線そのものを共用することにより、言い換えれば定電位線を延設して導電線とすることにより、構成の簡略化と省スペース化を図ることが出来、特に導電線を定電位とすることも極めて容易となる。
【0116】
付記7.付記6に記載の電気光学装置において、前記データ線駆動用定電位線は、相異なる定電位の電源を前記データ信号供給手段に供給する第1及び第2定電位線からなり、該第1定電位線から構成された前記導電線部分は、前記基板上で第1及び第2画像信号線群を囲み、前記第2定電位線から構成された前記導電線部分は、前記基板上で前記第1基板上で前記制御信号線を囲むことを特徴とする。
【0117】
この電気光学装置によれば、第1及び第2画像信号線群は、例えば接地電位の負電源を供給するための第1定電位線から構成された導電線部分により、基板上で囲まれている。制御信号線は、例えば正電源を供給するための第2定電位線から構成された導電線部分により、基板上で囲まれている。従って、画像信号線は、第1基板上で制御信号線から2重にシールドされた構成が得られる。
【0118】
付記8.付記1から7のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記導電線は、前記複数の画素電極により規定される画面表示領域及び前記複数のデータ線を前記基板上で囲むように延設されたこと特徴とする。
【0119】
この電気光学装置によれば、導電線により、画面表示領域及び複数のデータ線は、基板上で囲まれているので、当該画面表示領域及び複数のデータ線も、クロック信号線等の制御信号線からシールドされることになる。従って、データ信号供給手段から出力されたデータ信号、スイッチング素子や画素電極に到達したデータ信号等における、高周波のクロックノイズ等の発生を低減できる。
【0120】
付記9.付記8に記載の電気光学装置において、前記基板に対向して対向基板が設けられており、前記画面表示領域の輪郭に沿って前記基板及び対向基板のうち少なくとも一方に形成された遮光性の周辺見切りを更に備えており、前記導電線は前記周辺見切りに対向する位置において前記周辺見切りに沿って前記基板に設けられた部分を含むことを特徴とする。
【0121】
この電気光学装置によれば、導電線は、基板の周辺見切り下に設けられているので、TFTアレイ基板上の省スペース化が図られ、例えば、走査線駆動回路やデータ線駆動回路を基板の周辺部分に余裕を持って形成することができ、導電線形成により液晶装置における有効表示面積の減少することも殆ど又は全くない。
【0122】
付記10.付記1から9のいずれか一項に記載の液晶装置において、前記導電線及び前記データ線は、同一の低抵抗金属材料から形成されたことを特徴とする。
【0123】
この電気光学装置によれば、導電線は例えば、Al(アルミニウム)等の、データ線と同一の低抵抗金属材料から形成されているので、導電線の引き回し領域が、たとえ長くても、導電線の抵抗は実用上十分に低く抑えられる。即ち、抵抗増加によりシールドの効果を下げることなく、例えば他の配線や回路等の隙間を縫ってジグザグに導電線を長く配線したり、画面表示領域等までも含めた広い領域に導電線を長く配線することが可能となるので、比較的簡単な構成により、当該シールドの効果を全体として、より高めることが出来る。更に、当該電気光学装置の製造プロセスにおいて、導電線及びデータ線を、同一の低抵抗金属材料から同一工程により形成できる。即ち、導電線を形成することによる製造プロセスの増加を最低限に抑えることができる。
【0124】
付記11.付記1から10のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記画素電極に所定量の容量を付与する容量線を更に備えており、該容量線が前記導電線に接続されたことを特徴とする。
【0125】
この電気光学装置によれば、容量線により画素電極に所定量の容量が付与されているので、デューティー比が小さくても高精細な表示が可能とされる。そして、容量線は導電線に接続されている。従って、容量線の電位変動によるスイッチング素子や画素電極への悪影響は防止されている。しかも、容量線を定電位とするための配線を導電線で兼用でき、更に、容量線を定電位にするために必要な外部入力端子も、例えば、前述の第3外部入力端子或いは導電線専用の外部入力端子で兼用できる。
【0126】
付記12.付記1から11のいずれか一項に記載の電気光学装置において、走査信号を前記複数の走査線に順次供給する走査信号供給手段を前記基板上に更に備えており、前記導電線は、前記走査信号供給手段に定電位の走査線駆動用電源を供給する走査線駆動用定電位線から構成された部分を含むことを特徴とする。
【0127】
この電気光学装置によれば、走査線駆動用定電位線から構成された導電線部分により、画像信号線は、制御信号線から電気的にシールドされている。従って、クロック信号の周波数が高い場合でも、制御信号線から画像信号線への高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減できる。
【0128】
付記13.付記12に記載の電気光学装置において、前記走査信号供給手段は、前記複数の画素電極により規定される画面表示領域の両側に設けられており、前記走査線駆動用定電位線から構成された前記導電線部分は、前記画面表示領域及び前記複数のデータ線を前記基板上で囲むように且つ前記走査線供給手段に前記走査線駆動用電源を冗長的に供給するように延設されている。
【0129】
この電気光学装置によれば、走査線駆動用定電位線から構成された導電線部分により、画面表示領域及び複数のデータ線は、基板上で囲まれているので、当該画面表示領域及び複数のデータ線も、クロック信号線等の制御信号線からシールドされることになる。従って、データ信号供給手段から出力されたデータ信号、スイッチング素子や画素電極に到達したデータ信号等における、高周波のクロックノイズ等の発生を低減できる。更に、走査線駆動用定電位線から構成された導電線部分は、画面表示領域の両側に設けられた走査線供給手段に走査線駆動用電源を冗長的に供給するように延設されているので、たとえ、走査線駆動用定電位線から構成された導電線部分や、それ以外の部分で走査線駆動用定電位線に断線が生じても、装置欠陥になり難いので有利である。
【0130】
付記14.付記1から13のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記データ信号供給手段は、前記画像信号をサンプリングするサンプリング回路と、前記制御信号に基づいて該サンプリング回路を駆動するデータ線駆動回路とを備えており、前記第1画像信号線群に含まれる画像信号線と前記第2画像信号線群に含まれる画像信号線とは、前記データ線駆動回路と前記サンプリング回路との間において、少なくとも1本の画像信号線毎に前記データ線駆動回路の両側から櫛歯状に交互に引き回されていることを特徴とする。
【0131】
この電気光学装置によれば、第1画像信号線群に含まれる画像信号線(例えば、奇数番目のデータ線に対応する画像信号線VID1、3、5、7、…)と第2画像信号線群に含まれる画像信号線(例えば、偶数番目のデータ線に対応する画像信号線VID2、4、6、8、…)とは、少なくとも1本の画像信号線毎にデータ線駆動回路の両側から櫛歯状に交互に引き回されている。従って、データ線駆動回路の周囲で画像信号線やデータ線を規則正しく且つバランス良く配線することができる。
【0132】
付記15.付記14に記載の電気光学装置において、前記データ信号供給手段は、前記データ線毎に前記データ信号の電圧極性を反転し、前記第1画像信号線群に含まれる画像信号線と前記第2画像信号線群に含まれる画像信号線とは、相隣接する2本のデータ線に対応する2本の画像信号線を対にして前記データ線駆動回路の両側から櫛歯状に交互に引き回されていることを特徴とする。
【0133】
この電気光学装置によれば、データ信号供給手段により、データ線毎にデータ信号の電圧極性が反転され、所謂1S反転やドット反転といった反転駆動が行われ、表示画面上のフリッカが低減される。ここで、第1画像信号線群に含まれる画像信号線(例えば、相隣接する2本のデータ線に対応する2本おきの画像信号線VID1、2、5、6…)と第2画像信号線群に含まれる画像信号線(例えば、相隣接する2本のデータ線に対応する2本おきの画像信号線VID3、4、7、8…)とは、相隣接する2本のデータ線に対応する2本の画像信号線を対にしてデータ線駆動回路の両側から櫛歯状に交互に引き回されている。従って、相隣接する画像信号線には逆極性の画像信号が供給されることになり、同一のノイズ源に起因したノイズ成分については、これら両者間で打ち消し合う効果が働くので、ノイズを低減する上で有利である。
【0134】
付記16.電子機器は、付記1から15に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【0135】
この電子機器によれば、電子機器は、上述した本願発明の液晶装置を備えており、高周波のクロックノイズ等が低減されており、高品位の画像表示が可能となる。
【0136】
【発明の効果】
本発明の電気光学装置によれば、基板に配線された定電位の導電線により、画像信号線は、クロック信号線等の制御信号線からシールドされているので、クロック信号線から画像信号線への高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減でき、高解像度の画像を表示するための高周波数の画像信号に応じて高品位の画像表示を行える。
【0137】
また、本発明の電子機器によれば、高周波のクロックノイズが低減されており、基板サイズに比べて画面表示領域が大きい高品位の画像表示が可能な、液晶プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ページャ等の様々な電子機器を実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 液晶装置の実施の形態においてTFTアレイ基板上に形成されたシールド線を含む各種配線、周辺回路等の概略平面図である。
【図2】 図1のシールド線の2次元的レイアウトをより詳細に示す概略平面図である。
【図3】 図2に示したシフトレジスタ回路における回路図(a)及びタイミングチャート(b)である。
【図4】 図1のTFTアレイ基板上に形成されたシールド線、画像信号線、クロック信号線のA−A’断面図(a)及びB−B’断面図(b)である。
【図5】 図1のTFTアレイ基板上に形成された画素電極、走査線、データ等の画面表示領域端部における拡大平面図である。
【図6】 図1の液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図7】 図1の液晶装置の全体構成を示す断面図である。
【図8】 図1の画像信号線(配線VID1〜12)の2次元的レイアウトの一例を示す概略平面図(a)及び他の例を示す概略平面図(b)である。
【図9】 図1の液晶装置の画面表示領域に設けられたTFT部分における断面図である。
【図10】 図1の液晶装置の周辺見切り領域に設けられたシールド線部分における断面図である。
【図11】 本発明による電子機器の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。
【図12】 電子機器の一例としての液晶プロジェクタを示す断面図である。
【図13】 電子機器の他の例としてのパーソナルコンピュータを示す正面図である。
【図14】 電子機器の一例としてのページャを示す分解斜視図である。
【図15】 電子機器の一例としてのTCPを用いた液晶装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
1…TFTアレイ基板
2…対向基板
10…液晶パネル
11…画素電極
12…配向膜
21…共通電極
22…配向膜
23…遮光層
30…TFT
31…走査線(ゲート電極)
32…半導体層
33…ゲート絶縁層
34…ソース領域
35…データ線(ソース電極)
36…ドレイン領域
37、38…コンタクトホール
42…第1層間絶縁層
43…第2層間絶縁層
50…液晶層
52…シール材
53…周辺見切り
70…蓄積容量
80、80’、82、86…シールド線(定電位線)
101…データ線駆動回路
102…外部入力端子(実装端子)
104…走査線駆動回路
112…イネーブル回路
200…液晶装置
301…サンプリング回路
302…TFT
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to a technical field of an electro-optical device such as an active matrix driving type liquid crystal device driven by a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT) and an electronic apparatus using the same, and particularly, data provided on a TFT array substrate. The present invention belongs to a technical field of an electro-optical device of a type in which a data line is driven at a high frequency based on a control signal such as a clock signal by a line driving circuit and an electronic device using the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in an active matrix driving type liquid crystal device using TFT driving, a large number of pixel electrodes are provided on a TFT array substrate corresponding to a large number of scanning lines and data lines arranged in the vertical and horizontal directions and their intersections. Yes. In addition to these, a data signal supplying means for supplying a data signal to the data line including a data line driving circuit, a sampling circuit, and the like, and a scanning signal supplying means for supplying a scanning signal to the scanning line including a scanning line driving circuit, May be provided on such a TFT array substrate.
[0003]
In this case, the data signal supply means corresponds to the control signal such as the data line side reference clock for operating the data line driving circuit which is the reference of the data signal supply timing, and the content of the image to be displayed. An image signal as a signal base, a positive or negative constant potential power source, and the like are supplied via an external input terminal and a wiring provided on the TFT array substrate, respectively. On the other hand, the scanning signal supply means is also provided with a scanning line side reference clock for operating the scanning line driving circuit which is a reference for the scanning signal supply timing, a positive or negative constant potential power source, etc. on the TFT array substrate. It is supplied via an external input terminal and wiring. In the scanning signal supply means, for example, a scanning signal is supplied to the scanning lines line-sequentially at a timing based on the scanning line side reference clock by a scanning line driving circuit. In response to this, in the data signal supply means, for example, the data line driving circuit sequentially drives the sampling circuit that samples the input image signal at the timing based on the data line side reference clock, and the data signal is output from the sampling circuit. Supplied to the data line. As a result, each TFT gate-connected to the scanning line is turned on in response to the supply of the scanning signal, and the data signal is supplied to the pixel electrode through the TFT to display an image in each pixel.
[0004]
In recent years, in particular, in a liquid crystal device for a liquid crystal projector or the like, a serial image signal with a very high frequency has been input as the resolution of a display image is increased. For example, the dot frequency of the image signal is about 65 MHz and about 135 MHz in the XGA display mode and the SXGA display mode used on a recent high-resolution personal computer screen, respectively. Much higher than 30MHz). In order to cope with this, in particular, the frequency of the data line side reference clock supplied to the data signal supply means has become very high.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, under the recent demand for high-quality display images, the generation of high-frequency clock noise due to such a high reference clock frequency cannot be ignored. That is, for example, in a configuration in which the sampling circuit is driven by supplying a data line side reference clock having a relatively low frequency to the data line driving circuit, if the frequency of the clock signal is increased as it is, an image input to the sampling circuit High-frequency clock noise occurs in the signal or in the data signal output from the sampling circuit, and the data signal to be supplied to the data line is deteriorated. When such a deteriorated data signal is supplied, the image displayed by each pixel electrode also deteriorates. For example, when an intermediate level gradation display is performed in each pixel, even if a very small noise of about 10 mV jumps into the image signal, it appears as a visible noise in the display image. This is because the transmission of the liquid crystal with respect to the change in the liquid crystal driving voltage at the intermediate level is compared with the case where the white or black level display corresponding to the highest or lowest liquid crystal driving voltage (for example, a voltage between 0 to 5 V) is performed. This is because the rate change is steep. Thus, in order to realize high-precision multi-gradation display, the problem of high-frequency clock noise is serious.
[0006]
On the other hand, the frequency of the image signal supplied to the sampling circuit can be lowered by increasing the number of phase expansion, but the number of external input terminals for image signal input that must be provided on the substrate of the liquid crystal panel is the number of phase expansion. It must be increased in response to the increase. That is, for example, in the case of 6-phase development, 6 external input terminals for inputting image signals are required, and in the case of 12-phase development, 12 external input terminals are required. Further, the number of wirings routed from the external input terminal for inputting these image signals to the sampling circuit is also required by the number of phase developments. As a result, the proportion of the image signal wiring on the substrate surface of the liquid crystal panel is increased, and a region for forming the data signal supply means including the sampling circuit, the data line driving circuit, etc. is secured on the substrate. It becomes difficult. Here, as in the conventional case, a wiring for a control signal such as a clock signal is routed to one side of the data line driving circuit as viewed from the edge of the substrate on which the external input terminal is provided, and the other side of the data line driving circuit is connected. If a large number of wirings for image signals are routed to the side, the number of wirings routed to each side is remarkably different, so that the wiring arrangement balance around the data line driving circuit becomes very poor (that is, wiring) Is biased to one side). In this case, it is possible to secure the area for forming the wiring area and the data line driving circuit by enlarging the substrate of the liquid crystal panel. However, this increases the size of the screen with a limited substrate size. Contrary to basic requirements in the technical field.
[0007]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and even if the number of wirings and the number of external input terminals increase with an increase in the number of phase expansions of image signals, these can be wired and arranged in a well-balanced manner. In addition, it is possible to provide a liquid crystal device capable of reducing adverse effects such as high-frequency clock noise exerted by a control signal such as a high-frequency clock signal on an image signal, and capable of displaying a high-quality image, and an electronic apparatus including the liquid crystal device. Let it be an issue.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The electro-optical device according to the aspect of the invention includes a display area including a plurality of pixels on a substrate, a data line driving circuit that is provided on one side of the substrate and supplies an image signal to the pixels, and the data lines A scanning line driving circuit provided on a side not facing the driving circuit, a clock signal line of a data line driving circuit for supplying a clock signal to the data line driving circuit, and a scanning for supplying a clock signal to the scanning line driving circuit A clock signal line of the line drive circuit, a clock signal line external terminal of the data line drive circuit connected to the clock signal line of the data line drive circuit, and a scan line connected to the clock signal line of the scan line drive circuit An external terminal for a clock signal line of a driving circuit, an image signal line group composed of a plurality of image signal lines for supplying an image signal to the pixel, and an external terminal for an image signal line connected to the image signal line And each external terminal is provided on one side of the substrate, and is fixed between an image signal line external terminal of the image signal line group and a clock signal line external terminal of the data line driving circuit. A constant potential wiring external terminal connected to the potential wiring is provided, and the constant potential wiring connected to the constant potential wiring between the image signal line external terminal and the clock signal line external terminal of the scanning line driving circuit. An external terminal is provided.
[0012]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the data line driving circuit includes a plurality of constituent circuits, and a constant potential wiring is provided between the constituent circuits.
[0013]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the constant potential wiring may be disposed between the display area and the scanning line driving circuit.
[0014]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the constant potential wiring may be disposed along a peripheral parting that defines the display area.
[0015]
According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the electro-optical device.
[0016]
Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0018]
(Configuration of liquid crystal device)
As an example of an electro-optical device, a configuration of an embodiment of a liquid crystal device will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing configurations of various wirings, peripheral circuits, and the like including conductive lines (hereinafter referred to as shield lines) provided on the TFT array substrate in the embodiment of the liquid crystal device. FIGS. 3A and 3B are plan views showing a more detailed two-dimensional layout of the shield line in FIG. 1, and FIGS. 3A and 3B are views showing wiring such as a shield line, an image signal line, and a clock signal line, respectively. FIG. 5 is an enlarged plan view of the pixel portion of FIG. 1, and FIG. 6 is a diagram showing each component on which the TFT array substrate is formed. 7 is a plan view seen from the counter substrate side, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG. 6 including the counter substrate. FIG. 8 is a schematic plan view (FIG. 8A) showing an example of the two-dimensional layout of the image signal lines in FIG. 1 and a schematic plan view (FIG. 8B) showing another example.
[0019]
In FIG. 1, a liquid crystal device 200 includes a TFT array substrate 1 made of, for example, a quartz substrate or hard glass. On the TFT array substrate 1, a plurality of pixel electrodes 11 provided in a matrix, a plurality of data lines 35 arranged in the X direction and extending in the Y direction, and a plurality of data electrodes 35 arranged in the Y direction are arranged. The scanning lines 31 extending along the X direction, the data lines 35 and the pixel electrodes 11 are respectively interposed between the scanning lines 31 and the conductive and non-conductive states are supplied via the scanning lines 31. A plurality of TFTs 30 are formed as an example of switching elements that are controlled in accordance with scanning signals. On the TFT array substrate 1, a capacitor line 31 ′ that is a wiring for a storage capacitor (see FIG. 9) described later is formed substantially in parallel along the scanning line 31.
[0020]
On the TFT array substrate 1, a sampling circuit 301 and a data line driving circuit 101 that constitute an example of the data signal supply means, and a scanning line driving circuit 104 that constitutes an example of the scanning signal supply means are formed. Further, scanning provided on both sides of the screen display area is provided on the upper side of the screen display area defined by the plurality of pixel electrodes 11 (that is, the area of the liquid crystal panel in which an image is actually displayed by a change in the alignment state of the liquid crystal). A plurality of wirings 105 for connecting the line drive circuits 104 are provided, and silver made of a conductive material for establishing electrical conduction between the TFT array substrate 1 and the counter substrate is provided at the four corners of the screen display area. Point 106 is provided. However, at least one vertical conduction point is sufficient. In the following description of FIGS. 1 to 8, the names of signals input through the external input terminals 102 provided along the lower side of the TFT array substrate 1 and the signal wiring thereof are shown for ease of explanation. The same alphabet symbol is added after the signal and the wiring for reference (for example, the signal wiring is called “wiring CLX” for the signal name “clock signal CLX”).
[0021]
The scanning line driving circuit 104 uses the negative power supply VSSY and the positive power supply VDDY for the scanning line driving circuit 104 supplied from the external control circuit via the external input terminal 102 and the wirings VSSY and VDDY as power supplies. To start the built-in shift register circuit. The scanning line is supplied at a predetermined timing based on the reference clock signal CLY for the built-in shift register circuit of the scanning line driving circuit 104 and its inverted clock signal CLY ′, which is supplied via the external input terminal 102 and the wirings CLY and CLY ′. A scanning signal is applied to 31 in a line sequential manner in a pulse manner.
[0022]
The data line driving circuit 101 uses a negative power source VSSX and a positive power source VDDX for the data line driving circuit, which are supplied from the external control circuit via the external input terminal 102 and the signal wirings VSSX and VDDX, as a power source. To start the built-in shift register circuit. Based on the reference clock signal CLX for the built-in shift register circuit of the data line driving circuit 101 and its inverted clock signal CLX ′ supplied via the external input terminal 102 and the wirings CLX and CLX ′, the scanning line driving circuit 104. In accordance with the timing at which the scanning signal is applied, the sampling circuit drive signal is supplied for each data line 35 for each of the 12-phase developed image signals VID1 to VID12 supplied via the external input terminal 102 and the wirings VID1 to VID12. The signal is supplied to the sampling circuit 301 through the sampling circuit drive signal line 306 at a predetermined timing.
[0023]
The sampling circuit 301 includes a TFT 302 for each data line 35, wirings VID 1 to VID 12 are connected to the source electrode of the TFT 302, and a sampling circuit driving signal line 306 is connected to the gate electrode of the TFT 302. When the image signals VID1 to VID12 are input, these image signals are sampled. When a sampling circuit driving signal is input from the data line driving circuit 101 via the sampling circuit driving signal line 306, the image signals sampled for each of the image signals VID1 to VID12 are converted into twelve adjacent data lines 35. Sequentially applied to each group consisting of
[0024]
As described above, the data line driving circuit 101 and the sampling circuit 301 are configured to supply the image signals VID <b> 1 to VID <b> 12 expanded in 12 phases as data signals to the data line 35. In the present embodiment, the sampling circuit 301 connected to the 12 adjacent data lines 35 is selected at the same time, and the transfer is sequentially performed for each group of 12 data lines 35. May be selected every 6 or every 24. Alternatively, two or more arbitrary numbers may be selected at the same time. Further, if the capability of the TFT 302 of the sampling circuit 301 is high, the data may be sequentially selected for each data line. In this case, it goes without saying that the image signal external input terminals 102 and image signal lines are required at least as many as the number of phase expansions of the image signal. Particularly in the present embodiment, since the wirings VID1 to VID12 are routed from both sides of the data line driving circuit 101 as described below, the number (phase development number) is balanced on the TFT array substrate 1 at most. Wiring can be done well. Note that the number of phase expansions of the image signal and the number of sampling circuits 301 selected at the same time may be equal to each other, or the former may be configured to be greater than the latter.
[0025]
As shown in FIG. 2, when the start signal DX is input, the data line driving circuit 101 starts the sequential generation of the transfer signal based on the reference clock signal CLX and its inverted clock signal CLK ′; A waveform control circuit 101b and a buffer circuit 101c are provided which, after waveform shaping and buffering the transfer signal from the shift register circuit 101a, supply the sampling signal to the sampling circuit 301 via the sampling circuit drive signal line 306. The sampling circuit 301 has 12 TFTs 302 connected in parallel to each sampling circuit drive signal line 306 corresponding to the image signals VID1 to VID12 expanded in 12 phases.
[0026]
That is, the switches S1 to S12 configured by the TFT 302 are connected to the first sampling circuit drive signal line 306 from the left, and the switches S13 to S24 are connected to the second sampling circuit drive signal line 306 from the left. , Switches Sn-11 to Sn are connected to the rightmost sampling circuit drive signal line 306. The enable signals ENB1 and ENB2 omitted in FIG. 1 and shown in FIG. 2 are input to an enable circuit provided in the waveform control circuit 101b. In this enable circuit, the selection period of the sampling circuit 301 is controlled by limiting the width of the pulses sequentially output from the shift register circuit 101a to the pulse widths of the enable signals ENB1 and ENB2. This prevents ghosts from occurring between the data lines 35 that receive image signals from the same wiring (VID 1 to 12) separated by 12 data lines. Therefore, the enable signals ENB1 and ENB2 belong to a high frequency control signal having a cycle shorter than the horizontal scanning period, like the clock signals CLX and CLX ′. On the other hand, the start signal DX input to the shift register circuit 101a has a period not shorter than the horizontal scanning period, like the clock signals CLY and CLY ′ and the start signal DY input to the shift register on the scanning line driving circuit side. It belongs to the low frequency control signal.
[0027]
Here, a specific circuit configuration and operation of the shift register circuit 101a will be described with reference to FIG. 3A is a circuit diagram showing a shift register circuit including an enable circuit, and FIG. 3B is a timing chart of various signals in the shift register circuit.
[0028]
First, in FIG. 3A, an enable circuit 112 is provided corresponding to the output of each stage of the shift register circuit 101a. Each stage of the shift register circuit 101a outputs a reference clock signal CLX having a predetermined cycle and its inverted signal CLX so that a transfer signal is sequentially output from each stage in a transfer direction corresponding to the right direction (the direction from left to right). Each time the binary level of 'changes, it includes two clocked inverters that feed back the transfer signal and transfer it to the next stage. The enable circuit 112 limits the pulse width of the transfer signal output from the odd-numbered stage of the shift register circuit 101a to the pulse width of the first enable signal ENB1, and reduces the pulse width of the transfer signal output from the even-numbered stage. In order to limit to the pulse width of the second enable signal ENB2, the NAND circuit takes an exclusive logical product of the transfer signal and the enable signal ENB1 or ENB2, and an inverter circuit that inverts the result. A signal DX for starting transfer of a transfer signal is input to the shift register circuit 101a from the left side in the figure.
[0029]
When the signal DX, the clock signal CLX and its inverted signal CLX ′, and the first and second enable signals ENB1 and ENB2 are input at the timing shown in the timing chart of FIG. 3B, the configuration is as described above. Transfer signals that are sequentially delayed by a half cycle of the clock signal CLX are sequentially output from the shift register circuit 101a. Then, the enable circuit 112 limits the pulse width of the transfer signal to the pulse widths of the signals ENB1 and ENB2, and the sampling circuit drive signals Q1, Q2, and Q3 each having a pulse width narrower than the pulse width of the clock signal CLX. ,..., Qn (where n is an odd number) are sequentially supplied to the sampling circuit 301 via the waveform control circuit 101b and the buffer circuit 101c shown in FIG.
[0030]
Particularly in the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the TFT array substrate 1 also serves as a constant potential shield line 80 that also serves as the wiring VSSY for the negative power supply VSSY and the wiring VSSX for the negative power supply VSSX. The constant potential shield line 80 ', the constant potential shield line 82 that also serves as the wiring VDDX for the positive power supply VDDX, and the constant potential shield line 86 that also serves as the wiring VDDY for the positive power supply VDDY are wired. By these shield lines 80, 80 ′, 82 and 86, the wirings VID1 to VID12 which are image signal lines are electrically shielded from the wirings CLX and CLX ′ and the wirings ENB1 and ENB2. Accordingly, even when the frequency of the clock signal CLX is high, jumps of high-frequency clock noise or the like from the wirings CLX and CLX ′, which are high-frequency control signal lines, and the wirings ENB1 and ENB2 to the wirings VID1 to VID12 can be reduced.
[0031]
Moreover, as shown in FIGS. 1 and 2, odd-numbered image signal lines VID1, 3, 5, 7, 9, and 11 constituting an example of the first image signal line group are arranged on the TFT array substrate 1 as X The even-numbered image signal lines VID2, 4, 6, 8, 10, and 12 constituting an example of the second image signal line group are arranged in the TFT array. It is routed to the left side of the data line driving circuit 101 on the substrate 1. Therefore, for example, by performing a relatively multi-phase expansion number such as 12-phase expansion, the frequency of the image signals VID1 to 12 supplied to the sampling circuit 301 is lowered, and a large number of wirings VID1 to 12 are data They can be arranged on both sides of the line drive circuit 101 with good balance. As a result, a region for forming the data signal supply means including the sampling circuit 301 and the data line driving circuit 101 can be easily secured on the TFT array substrate 1. Therefore, the screen can be enlarged on a limited substrate size.
[0032]
Particularly in this embodiment, as shown in FIG. 2, the lines VID1 to VID12 as image signal lines are connected to the clock signals CLX and CLX ′ and the enable signal belonging to the above-described high-frequency control signal by the shield line 80 ′ having a constant potential. The wires CLX and CLX ′, which are high-frequency control signal lines that supply ENB1 and ENB2, are electrically shielded from the wires ENB1 and ENB2. Therefore, even when the frequency of the clock signal is high, jumping of high frequency clock noise or the like from these high frequency control signal lines to the wirings VID1 to VID12 can be reduced. On the other hand, for the start signals DX and DY and the clock signals CLY and CLY ′ belonging to the low-frequency control signal, the image signals on the wirings VID1 to 12 and the data signals on the data line 35 supplied based on the image signals are supplied. It does not cause high frequency noise inside. For this reason, the wirings DX, DY, CLY, and CLY ′, which are low-frequency control signal lines, may or may not be shielded by constant potential shield lines. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, on the right side, the wirings VID1, 3,..., 11 are shielded from the wirings DY, CLY, and CLY ′ by the shield line 86 made of the constant potential wiring VDDY. On the left side, the wirings VID2, 4,..., 12 are shielded from the wiring DY by a shield line 80 made of a constant potential wiring VSSY. Further, from the wiring DX, the wirings VID1 to VID12 are shielded by the shield line 80 ′.
[0033]
Further, in the present embodiment, in particular, in the right (odd number) image signal line group, the wiring VID11 located on the side close to the wirings CLX and CLX ′ which are high frequency control signal lines is two wirings VSSX and VDDX, respectively. The shield lines 80 'and 82 are separated from the wirings CLX and CLX' and are electrically shielded. In addition, the wiring VID12 located on the side close to the wirings CLX and CLX ′ which are high-frequency control signal lines in the left (even-numbered) image signal line group includes one shield line 80 ′ composed of the wiring VSSX and low-frequency control. Due to the presence of the wiring DX as a signal line, the wiring DXX is separated from the wirings CLX and CLX ′ and is electrically shielded. That is, the wiring DX belonging to the low frequency control signal line that does not cause high frequency noise in the image signal or the data signal is connected to the wiring CLX and CLX ′ serving as the high frequency control signal line and the wiring VID12 together with the shield line 80 ′. By disposing, the adverse effects such as clock noise on the VID 12 of the wirings CLX and CLX ′ can be further reduced. In general, electromagnetic waves decrease according to the distance and the presence of obstacles. Therefore, the shield lines (wirings 80, 80 ', 82, 86, etc.) are defined between the wirings CLX and CLX', the wirings ENB1 and ENB2, and the wirings VID1 to 12. The potential wiring) and the low frequency control signal lines (wirings to which low frequency control signals such as wirings DX, DY, CLY, CLY ′, etc.) are wired as much as possible reduce electromagnetic waves that generate clock noise. , Clock noise and the like are reduced. As described above, it is advantageous from the viewpoint of effective use of the space on the TFT substrate 1 and noise reduction to interpose the low frequency control signal line in addition to the shield line between the high frequency control signal line and the image signal line.
[0034]
Further, as shown in FIG. 2, in the present embodiment, on the peripheral portion of the TFT array substrate 1, the external input terminals 102 respectively connected to the wirings VID1 to VID12 are arranged on both sides, and the wiring ENB1, The external input terminals 102 connected to ENB2, CLX ′ and CLX are centrally arranged. The external input terminal 102 connected to the shield line 80 ′ (wiring VSSX) is arranged between the external input terminal 102 connected to the wiring VID12 and the external input terminal 102 connected to the wiring ENB1. Further, the external input terminal 102 connected to the shield line 80 ′ (wiring VSSX) is arranged between the external input terminal 102 connected to the wiring VID11 and the external input terminal 102 connected to the wiring CLX. Accordingly, it is possible to easily obtain a configuration in which the shield line 80 ′ is wired between the wirings VID1 to VID12 and the wirings ENB1, ENB2, CLX ′, and CLX. In particular, before being input to the liquid crystal device 200, for example, in the wiring from the external circuit such as the display information processing circuit to the liquid crystal device 200, the clock signal CLX or the like generates clock noise or the like with respect to the image signals VID1 to 12. It is possible to effectively prevent the situation that occurs. Thus, according to the present embodiment, before and after being input to the liquid crystal device 200, it is possible to reduce high-frequency clock noise jumping from the clock signal wiring to the image signal wiring. More preferably, in the region where the external input terminal 102 can be formed in the peripheral portion of the TFT array substrate 1, the external input terminals 102 for the wirings VID 1 to 12 are arranged as close to both sides (right side and left side) as possible. At the same time, the external input terminal 102 for the shield line 80 ′, etc. is arranged at this interval with a space as far as possible from the external input terminal 102 for the wiring CLX ′ etc. concentrated in the center.
[0035]
In the present embodiment, the wirings VSSY, VSSX, VDDX, and VSSY are respectively extended to form shield lines 80, 80 ′, 82, and 86, so that external input terminals and wirings can be shared, and the device configuration Simplification and space saving. Further, the potentials of the shield lines 80, 80 ′, 82, and 86 are easily set to a constant potential by sharing the constant potential line. However, the power supply wiring and the shield line may be separately wired.
[0036]
In the present embodiment, as shown in FIG. 2, two external input terminals 102 to which a negative power supply VSSX is input are provided. The wirings VID1 to VID12 are surrounded on the TFT array substrate 1 by a shield line 80 ′ that is set to the potential (negative potential) of the negative power supply VSSX. In particular, a shield line 80 ′ formed of the same metal layer as Al as the data line 35 extends between the shift register circuit 101 a and the waveform control circuit 101 b. The extended shield wire 80 ′ has a tip part, for example, from the same conductive layer such as polysilicon as the scanning line 31 below the metal layer such as Al via the first interlayer insulating layer as will be described later. It is connected to the shield line 80 ′ through the formed shield line connection portion 81 so as to surround the waveform control circuit 101b and the buffer circuit 101c.
[0037]
On the other hand, as shown in FIG. 2, the wirings CLX and CLX ′ are arranged on the TFT array substrate 1 in the portion adjacent to the data line driving circuit 101 by the shield line 82 set to the potential (positive potential) of the positive power supply VDDX. Surrounded by In particular, a shield line 82 formed of the same metal layer such as Al as the data line 35 extends between the waveform control circuit 101b and the buffer circuit 101c, and the tip of the shield line 82 is connected to the scanning line 31, for example. It is connected to the shield line 82 so as to surround the waveform control circuit 101b and the shift register circuit 101a via a shield line connection portion 83 formed of the same conductive layer such as polysilicon.
[0038]
Accordingly, the wirings VID1 to VID12 have a configuration in which the wirings CLX and CLX ′ and the wirings ENB1 and ENB2 are double-shielded on the TFT array substrate 1, and the shift register circuit 101a, the waveform control circuit 101b, and the buffer circuit are used. The shield for 101c is also highly reliable. However, at least one shield line 80, 80 ′, 82 and 86 is interposed between the wirings CLX, CLX ′, ENB1 and ENB2 and the wirings VID1 to VID12 without adopting such a surrounding configuration. If so, the effect of shielding can be obtained somewhat.
[0039]
In this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the screen display region and the plurality of data lines 35 are surrounded on the TFT array substrate 1 by the shield lines 80. For this reason, the screen display area and the plurality of data lines 35 are also shielded from the wirings CLX, CLX ′, ENB1, and ENB2. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of high-frequency clock noise in the sampling circuit driving signal output from the data line driving circuit 101, the data signal reaching the TFT 30 or the pixel electrode 11, and the like. However, even if the configuration surrounding the screen display area is not adopted, if the wirings VID1 to VID6 leading to the sampling circuit 301 are shielded by the shield lines 80, 80 ′, 82 or 86, the shield The effect can be obtained somewhat. In this case, as can be seen from FIG. 1, the shield line 80 extends from the wiring VSSY, and extends so as to redundantly supply the power supply signal VSSY to the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the screen display area. It is installed. For this reason, even if a disconnection occurs in the shield line 80 or the wiring VSSY, it is difficult to cause a device defect, which is advantageous.
[0040]
As shown in the cross-sectional views of FIGS. 4A and 4B, various wirings DY, VSSY,..., VDDX connected to the external input terminal 102 are connected to the data line 35 such as Al (aluminum), for example. It is formed from the same low resistance metal material. Therefore, even if the routing area of the shield lines 80 (wiring VSSY), 80 ′ (wiring VSSX), 82 (wiring VDDX) and 86 (wiring VDDY) is long, the shield lines 80, 80 ′, 82 and 86 The resistance is kept low enough for practical use. That is, as shown in FIG. 2, it is possible to sew shield wires 82 and 80 'in a zigzag pattern by sewing gaps between various other wirings, shift register circuit 101a, waveform control circuit 101b, and buffer circuit 101c, and further, screen display area The shield wire 80 can be wired long in a wide area including the above. Thus, the effect of the shield can be enhanced as a whole with a relatively simple configuration. As shown in FIGS. 4A and 4B, the various wirings DY, VSSY,..., VDDX are formed on the first interlayer insulating layer 42 formed on the TFT array substrate 1, that is, on the same layer. ing. Therefore, the shielding effect is more efficiently exhibited. Further, with this configuration, in the manufacturing process of the liquid crystal device 200, various wirings DY, VSSY,..., VDDX can be formed in one step from the same low-resistance metal layer such as an Al layer in the same process. This is advantageous in manufacturing.
[0041]
The signal LCCOM input from the external input terminal 102 shown in FIGS. 1 to 4 is a power supply signal for the common electrode, and is provided on the counter substrate described later via the wiring LCCOM and the silver point 106 described above. It is supplied to the common electrode (see FIG. 9).
[0042]
Here, as shown in the plan view of FIG. 5, the capacitor line 31 ′ is formed on the TFT array substrate 1 in parallel with the scanning line 31 (gate electrode), for example, from the conductive polysilicon layer or the like, similar to the scanning line 31. It is connected to the shield line 80 via the contact hole 80a. With this configuration, wiring for setting the capacitor line 31 ′ at a constant potential can also be used as the shield line 80, and an external input terminal necessary for setting the capacitor line 31 ′ at a constant potential can also be used for the shield line 80. The external input terminal 102 can also be used.
[0043]
Particularly in the present embodiment, the sampling circuit 301 is located at a position facing the light-blocking peripheral parting 53 formed on the counter substrate 2 as shown by the hatched area in FIG. 1 and as shown in FIGS. 6 and 7. The data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 are provided on the TFT array substrate 1, and are provided on the narrow and long peripheral portion of the TFT array substrate 1 that does not face the liquid crystal layer 50. On the TFT array substrate 1, a sealing material 52 made of a photocurable resin as an example of a sealing member that surrounds the liquid crystal layer 50 by adhering both substrates around the screen display region is provided along the screen display region. Is provided. A light-shielding peripheral parting 53 is provided between the screen display area on the counter substrate 2 and the sealing material 52.
[0044]
When the TFT array substrate 1 is placed in a light-shielding case that is provided with an opening corresponding to the screen display area later, the peripheral parting 53 is limited to the edge of the opening of the case due to a manufacturing error or the like. In other words, it is made of a band-shaped light-shielding material having a width of at least 500 μm around the screen display area so as to allow, for example, a deviation of about several hundred μm from the case of the TFT array substrate 1. It has been done. Such a light-shielding peripheral parting 53 is formed on the counter substrate 2 by sputtering using a metal material such as Cr (chromium), Ni (nickel), Al (aluminum), a photolithography process, an etching process, or the like. The Or it forms from materials, such as resin black which disperse | distributed carbon and Ti (titanium) in the photoresist. Further, a light-blocking peripheral parting 53 may be provided on the TFT array substrate 1. If the peripheral parting 53 is built in the TFT array substrate 1, the aperture area of the pixel is not affected by variations in accuracy in the bonding process between the TFT array substrate 1 and the counter substrate 2. The rate can be maintained with high accuracy.
[0045]
A data line driving circuit 101 and an external input terminal (mounting terminal) 102 are provided along the lower side of the screen display area in the area outside the sealing material 52, and scanning is performed along the left and right sides of the screen display area. Line drive circuits 104 are provided on both sides of the screen display area. The counter substrate 2 having substantially the same outline as the sealing material 52 is fixed to the TFT array substrate 1 by the sealing material 52.
[0046]
As described above, since the shield line 80 and the sampling circuit 301 are provided under the peripheral parting 53 on the TFT array substrate 1, space saving on the TFT array substrate 1 can be achieved, for example, a scanning line driving circuit. 104 and the data line driving circuit 101 can be formed with a margin in the peripheral portion of the TFT array substrate 1, and the effective display area in the liquid crystal device 200 is hardly or not reduced by the formation of the shield line 80.
[0047]
FIG. 8A shows an enlarged drawing method of the wirings VID1 to VID12 between the scanning line driving circuit 101 and the sampling circuit 301 shown in FIGS. In the figure, wirings VID1,..., 11 as odd-numbered image signal lines and wirings VID2,..., 12 as even-numbered image signal lines are alternately routed in a comb-teeth shape from both sides for each wiring. . Therefore, around the data line driving circuit 101, the wirings VID1 to VID12 and the sampling circuit driving signal line 306 are wired with very regularity and good balance.
[0048]
By the way, in this embodiment, various methods for inverting the liquid crystal driving voltage, for example, field or frame inversion driving, scanning line inversion, in order to prevent the liquid crystal from being deteriorated by DC driving or to prevent flicker on the display screen, etc. Driving (so-called 1H inversion driving), data line inversion driving (so-called 1S inversion driving), dot inversion driving, and the like can be employed. Here, in particular, when the liquid crystal driving is performed by inverting the voltage polarity between adjacent data lines such as 1S inversion and dot inversion, as shown in FIG. Rather than comb-teeth, as shown in FIG. 8 (b), two wires VID1, 2, 5, 6 and so on corresponding to two adjacent data lines 35 are paired every two wires. In addition to being routed from one side (for example, the right side), the other two lines VID3 and 4, 7, and 8 corresponding to the two adjacent data lines 35 are paired and the other side (for example, the other side) It is more preferable that the two wirings are paired between the data line driving circuit 101 and the sampling circuit 301 and are comb-shaped from both sides. If wired in this way, the image signals supplied from each pair of wirings 1 and 2, 3 and 4,... Adjacent to each other on the TFT array substrate 1 are reversed in polarity and supplied to the data line 35. The noise components caused by the same noise source existing in these signals have the effect of canceling each other out of each pair, which helps to reduce the noise.
[0049]
(Configuration of the LCD panel)
Next, a specific configuration of the liquid crystal panel portion included in the liquid crystal device 200 will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a cross-sectional view of the TFT 30 portion of the liquid crystal panel, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the shield line 80 of the liquid crystal panel under the peripheral parting. In FIGS. 9 and 10, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member recognizable on the drawings.
[0050]
In the cross-sectional view of FIG. 9, the liquid crystal panel 10 includes a TFT array substrate 1, a semiconductor layer 32, a gate insulating layer 33, a scanning line 31 (gate electrode), a first electrode, A first interlayer insulating layer 42, a data line 35 (source electrode), a second interlayer insulating layer 43, a pixel electrode 11, and an alignment film 12 are provided. The liquid crystal panel 10 also includes a counter substrate 2 made of, for example, a glass substrate, and a common electrode 21, an alignment film 22, and a light shielding layer 23 stacked thereon. The liquid crystal panel 10 further includes a liquid crystal layer 50 sandwiched between these two substrates.
[0051]
Here, first, the structure of each layer of these layers excluding the TFT 30 will be described in order.
[0052]
The first and second interlayer insulating layers 42 and 43 are each formed of a silicate glass film such as NSG, PSG, BSG, or BPSG, a silicon nitride film, a silicon oxide film, or the like having a thickness of about 5000 to 15000 mm. Note that an interlayer insulating layer serving as a base of the TFT 30 may be formed on the TFT array substrate 1 from a silicate glass film, a silicon nitride film, a silicon oxide film, or the like.
[0053]
The pixel electrode 11 is made of a transparent conductive thin film such as an ITO film (Indium Tin Oxide film). Such a pixel electrode 11 is formed by depositing an ITO film or the like to a thickness of about 500 to 2000 mm by sputtering or the like, and then performing a photolithography process or an etching process. When the liquid crystal panel 10 is used in a reflective liquid crystal device, the pixel electrode 11 may be formed from an opaque material having a high reflectance such as Al.
[0054]
The alignment film 12 is made of, for example, an organic thin film such as a polyimide thin film. Such an alignment film 12 is formed, for example, by applying a polyimide coating solution and then rubbing it in a predetermined direction so as to have a predetermined pretilt angle.
[0055]
The common electrode 21 is formed over the entire surface of the counter substrate 2. Such a common electrode 21 is formed, for example, by depositing an ITO film or the like to a thickness of about 500 to 2000 mm by sputtering or the like.
[0056]
The alignment film 22 is made of, for example, an organic thin film such as a polyimide thin film. Such an alignment film 22 is formed, for example, by applying a polyimide coating solution and then rubbing it in a predetermined direction so as to have a predetermined pretilt angle.
[0057]
The light shielding layer 23 is provided in a predetermined region facing the TFT 30. Such a light shielding layer 23 is formed by a process such as sputtering, photolithography and etching using a metal material such as Cr or Ni, or a resin in which carbon or Ti is dispersed in a photoresist, like the peripheral parting 53 described above. It is formed from a material such as black. The light shielding layer 23 has functions such as improving contrast and preventing color mixture of colors in addition to shielding the semiconductor layer (polysilicon film) 32 of the TFT 30.
[0058]
The liquid crystal layer 50 is a space surrounded by a sealing material 52 (see FIGS. 6 and 7) between the TFT array substrate 1 and the counter substrate 2 arranged so that the pixel electrode 11 and the common electrode 21 face each other. The liquid crystal is sealed by vacuum suction or the like. The liquid crystal layer 50 takes a predetermined alignment state by the alignment films 12 and 22 in a state where an electric field from the pixel electrode 11 is not applied. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one kind or several kinds of nematic liquid crystals are mixed. The sealing material 52 is an adhesive made of, for example, a photo-curing resin or a thermosetting resin for bonding the two substrates 1 and 2 around them, and a distance between the two substrates is set to a predetermined value. Spacers are mixed.
[0059]
Next, the configuration of each layer related to the TFT 30 will be described in order.
[0060]
The TFT 30 is formed on the scanning line 31 (gate electrode), the semiconductor layer 32 in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 31, a gate insulating layer 33 that insulates the scanning line 31 from the semiconductor layer 32, and the semiconductor layer 32. A source region 34, a data line 35 (source electrode), and a drain region 36 formed in the semiconductor layer 32 are provided. A corresponding one of the plurality of pixel electrodes 11 is connected to the drain region 36.
[0061]
As will be described later, the source region 34 and the drain region 36 are doped by doping the semiconductor layer 32 with a predetermined concentration of N-type or P-type dopant depending on whether an n-type or p-type channel is formed. Is formed. N-channel TFTs have the advantage of high operating speed, and are often used as TFTs 30 that are pixel switching elements.
[0062]
The semiconductor layer 32 constituting the TFT 30 is formed, for example, by forming an a-Si (amorphous silicon) film on the TFT array substrate 1 and then subjecting it to an annealing process to solid-phase growth to a thickness of about 500 to 2000 mm. . At this time, in the case of the N-channel TFT 30, doping may be performed by ion implantation using a dopant of a group V element such as Sb (antimony), As (arsenic), or P (phosphorus). In the case of the p-channel TFT 30, doping is performed by ion implantation using a group III element dopant such as B (boron), Ga (gallium), and In (indium). In particular, in the case where the TFT 30 is an N-channel TFT having an LDD (Lightly Doped Drain) structure, the source region 34 and the drain region 36 are partially adjacent to the channel side of the source region 34 and the drain region 36, respectively. A lightly doped region is formed with a dopant of a group V element, and a heavily doped region is formed with a dopant of a group V element such as P. In the case of a P-channel TFT 30, a source region 34 and a drain region 36 are formed in an N-type semiconductor layer 32 using a group III element dopant such as B. When the LDD structure is used as described above, there is an advantage that the short channel effect can be reduced. The TFT 30 may be an offset structure TFT in which ions are implanted into a lightly doped region in the LDD structure, or a high concentration source and drain in a self-aligned manner by doping high concentration impurity ions using a gate electrode as a mask. A self-aligned TFT for forming a region may be used.
[0063]
In the present embodiment, in FIG. 9, two gate electrodes 31 to which the same scanning signal is supplied are provided between the source and drain of the TFT 30 via the gate insulating film 2, and a dual gate (double gate) is provided. A TFT having a structure may be used. Thereby, the leakage current of the TFT 30 can be reduced. Further, if the dual gate TFT has the above-mentioned LDD structure or offset structure, the leakage current of the TFT 30 can be further reduced and a high contrast ratio can be realized. Further, the dual gate structure can provide redundancy, greatly reduce pixel defects, and can realize high contrast ratio image quality because of low leakage current even at high temperature operation. Needless to say, three or more gate electrodes 31 may be provided between the source and drain of the TFT 30.
[0064]
The gate insulating layer 33 is obtained by thermally oxidizing the semiconductor layer 32 at a temperature of about 900 to 1300 ° C. to form a relatively thin thermal oxide film of about 300 to 1500 mm.
[0065]
The scanning line 31 (gate electrode) is formed by a photolithography process, an etching process, or the like after depositing a polysilicon film by a low pressure CVD method or the like. Alternatively, it may be formed of a refractory metal film such as W (tungsten) or Mo (molybdenum) or a metal silicide film. In this case, if the scanning line 31 (gate electrode) is disposed as a light-shielding film corresponding to a part or all of the region covered by the light-shielding layer 23, the light-shielding property of the metal film or the metal silicide film causes the one of the light-shielding layers 23. It is also possible to omit some or all of the parts. In this case, in particular, there is an advantage that it is possible to prevent the pixel aperture ratio from being lowered due to the bonding deviation between the counter substrate 2 and the TFT array substrate 1.
[0066]
The data line 35 (source electrode) may be formed of a transparent conductive thin film such as an ITO film in the same manner as the pixel electrode 11. Alternatively, it may be formed of a low resistance metal such as Al or a metal silicide deposited to a thickness of about 1000 to 5000 by sputtering or the like.
[0067]
In the first interlayer insulating layer 42, a contact hole 37 that leads to the source region 34 and a contact hole 38 that leads to the drain region 36 are formed.
[0068]
The data line 35 (source electrode) is electrically connected to the source region 34 through the contact hole 37 to the source region 34. Further, a contact hole 38 to the drain region 36 is formed in the second interlayer insulating layer 43. The pixel electrode 11 is electrically connected to the drain region 36 through the contact hole 38 to the drain region 36. The pixel electrode 11 described above is provided on the upper surface of the second interlayer insulating layer 43 thus configured. Each contact hole is formed by dry etching such as reactive etching or reactive ion beam etching.
[0069]
In general, when light is incident on the semiconductor layer 32 in which a channel is formed, a photocurrent is generated due to a photoelectric conversion effect, and the transistor characteristics of the TFT 30 are deteriorated. Since the light shielding layers 23 are formed at positions facing the TFTs 30 respectively, incident light is prevented from entering the semiconductor layer 32. Further, in addition to or instead of this, if the data line 35 (source electrode) is formed of an opaque metal thin film such as Al so as to cover the gate electrode from the upper side, it is possible to connect to the semiconductor layer 32 together with the light shielding layer 23 or alone. Incident light (that is, light from the upper side in FIG. 9) can be effectively prevented from entering.
[0070]
In FIG. 9, a storage capacitor 70 is provided for each pixel electrode 11. More specifically, the storage capacitor 70 includes a first storage capacitor electrode layer 32 ′ formed by the same process as the semiconductor layer 32, an insulating layer 33 ′ formed by the same process as the gate insulating layer 33, and the scanning line 31. The capacitor line 31 ′ (second storage capacitor electrode), the first and second interlayer insulating layers 42 and 43, and the first and second interlayer insulating layers 42 and 43 formed through the same process as It is comprised from a part of pixel electrode 11 which opposes. Since the storage capacitor 70 is provided in this way, high-definition display is possible even when the duty ratio is small.
[0071]
As shown in the cross-sectional view of FIG. 10, the shield line 80 passes over the first interlayer insulating layer 42 at a position facing the peripheral parting line 53 and above the plurality of scanning lines 31. The shield line 80 is a low-resistance wire made of a metal thin film such as Al formed in the same process as the data line (source electrode) 35 described above.
[0072]
Thus, in the manufacturing process of the liquid crystal device 200, the shield line 80 and the data line 35 can be formed in a lump, which is advantageous in manufacturing.
[0073]
Particularly in this embodiment, since the TFT 30 is a polysilicon type TFT, the sampling circuit 301, the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, etc. are similarly polysilicon TFT type in the same thin film forming process when the TFT 30 is formed. A peripheral circuit composed of the TFT 302 and the like can be formed, which is advantageous in manufacturing.
[0074]
For example, these peripheral circuits are formed in a peripheral portion on the TFT array substrate 1 from a plurality of TFTs having a complementary structure composed of an N channel type polysilicon TFT and a P channel type polysilicon TFT.
[0075]
Although not shown in FIGS. 9 and 10, in the liquid crystal panel 10, for example, TN on the side on which the projection light of the counter substrate 2 enters and on the side on which the projection light of the TFT array substrate 1 exits, for example, (Twisted nematic) mode, STN (super TN) mode, D-STN (double-STN) mode, etc., depending on the normal white mode / normally black mode, polarizing film, retardation film, polarizing A plate or the like is arranged in a predetermined direction.
[0076]
Further, since the liquid crystal panel 10 described above is applied to a color liquid crystal projector, the three liquid crystal panels 10 are used as RGB light valves, and each panel is connected to a dichroic mirror for RGB color separation. The decomposed light of each color is incident as incident light. Therefore, in each embodiment, the counter substrate 2 is not provided with a color filter. However, in the liquid crystal panel 10 as well, an RGB color filter may be formed on the counter substrate 2 together with its protective film in a predetermined region facing the pixel electrode 11 where the light shielding layer 23 is not formed.
[0077]
In this way, the liquid crystal panel of the present embodiment can be applied to a color liquid crystal device such as a direct-view type or a reflective type color liquid crystal television other than the liquid crystal projector. Furthermore, a micro lens may be formed on the counter substrate 2 so as to correspond to one pixel. In this way, a bright liquid crystal panel can be realized by improving the collection efficiency of incident light. Furthermore, a dichroic filter that produces RGB colors by using interference of light may be formed by depositing several layers of interference layers having different refractive indexes on the counter substrate 2. According to this counter substrate with a dichroic filter, a brighter color liquid crystal panel can be realized.
[0078]
In the liquid crystal panel 10, a planarizing film may be further applied on the second interlayer insulating layer 43 by spin coating or the like in order to suppress alignment failure of liquid crystal molecules on the TFT array substrate 1 side, or CMP treatment may be performed. You may give it. Alternatively, the second interlayer insulating layer 43 may be formed of a planarizing film.
[0079]
Although the switching element of the liquid crystal panel 10 has been described as being a normal stagger type or coplanar type polysilicon TFT, this embodiment is also applied to other types of TFTs such as an inverted stagger type TFT and an amorphous silicon TFT. Is valid.
[0080]
In the liquid crystal panel 10, the liquid crystal layer 50 is composed of nematic liquid crystal as an example. However, if polymer dispersed liquid crystal in which liquid crystal is dispersed as fine particles in a polymer is used, the alignment films 12 and 22, and the above-described polarization Films, polarizing plates and the like are not necessary, and the advantages of high brightness and low power consumption of the liquid crystal panel due to increased light utilization efficiency can be obtained. Further, when the liquid crystal panel 10 is applied to a reflective liquid crystal device by forming the pixel electrode 11 from a metal film having a high reflectance such as Al, SH in which liquid crystal molecules are substantially vertically aligned in the absence of voltage application. (Super homeotropic) type liquid crystal may be used. Furthermore, in the liquid crystal panel 10, the common electrode 21 is provided on the side of the counter substrate 2 so as to apply an electric field (vertical electric field) perpendicular to the liquid crystal layer 50, but an electric field (horizontal) parallel to the liquid crystal layer 50 is provided. The pixel electrode 11 is composed of a pair of electrodes for generating a horizontal electric field so that an electric field is applied (that is, the side of the TFT array substrate 1 is not provided with the electrode for generating a vertical electric field on the side of the counter substrate 2). It is also possible to provide a lateral electric field generating electrode. Using a horizontal electric field in this way is more advantageous in widening the viewing angle than using a vertical electric field. In addition, the present embodiment can be applied to various liquid crystal materials (liquid crystal layers), operation modes, liquid crystal alignments, driving methods, and the like.
[0081]
In the embodiment described above, a known peripheral circuit such as a precharge circuit or an inspection circuit may be provided below the peripheral parting 53 or in the peripheral part of the TFT array substrate 1. The precharge circuit is a timing preceding the data signal supplied from the data line driving circuit to the data line for the purpose of improving the contrast ratio, stabilizing the potential level of the data line, and reducing line unevenness on the display screen. In this circuit, the precharge signal is supplied to reduce the load when the data signal is written to the data line. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 7-295520 discloses an example of such a precharge circuit. On the other hand, the inspection circuit is a circuit for inspecting the quality, defects, and the like of the liquid crystal device in the middle of manufacture and at the periphery of the peripheral parting 53 and the peripheral portion of the TFT array substrate.
[0082]
In the above embodiment, as disclosed in JP-A-9-127497, JP-B-3-52611, JP-A-3-125123, JP-A-8-171101, etc. A light shielding layer made of a refractory metal such as W (tungsten) or Mo (molybdenum) or a metal silicide may be provided on the array substrate 1 at a position facing the TFT 30 (that is, below the TFT 30). If a light shielding layer is also provided below the TFT 30 as described above, it is possible to prevent the return light from the TFT array substrate 1 from entering the TFT 30 in advance. Therefore, the liquid crystal device 200 can be suitably used as a light valve for a liquid crystal projector.
[0083]
Furthermore, in the above embodiment, the switching element may be composed of a two-terminal nonlinear element such as MIM (Metal Insulator Metal) instead of the TFT 30. In this case, one of the data line and the scanning line is arranged on the counter substrate to function as a counter electrode, and a switching element is arranged between the other line provided on the TFT array substrate and the pixel electrode. LCD drive. Even in such a configuration, the pixel signal line and the data line are shielded from the clock signal line, so that the effect of preventing the high-frequency clock noise from jumping into the image signal and the data signal is exhibited.
[0084]
(Operation of liquid crystal device)
Next, the operation of the liquid crystal device 200 configured as described above will be described with reference to FIG.
[0085]
First, the scanning line driving circuit 104 applies scanning signals to the scanning lines 31 in a pulse-sequential manner at predetermined timing.
[0086]
In parallel with this, if parallel image signals are received from the 12 wires VID1 to VID12,
The ring circuit 301 samples these image signals. The data line driving circuit 101 supplies a sampling circuit driving signal for each data line for each of the twelve wirings VID1 to VID12 in accordance with the timing at which the scanning line driving circuit 104 applies the gate voltage. The TFT 302 is turned on. Thereby, the sampled data signal is sequentially applied to the 12 adjacent data lines 35 to the sampling circuit 301. That is, the 12-phase expanded parallel image signals VID 1 to VID 12 input from the wirings VID 1 to VID 12 by the data line driving circuit 101 and the sampling circuit 301 are supplied to the data line 35.
[0087]
As described above, in the TFT 30 to which both the scanning signal (gate voltage) and the data signal (source voltage) are applied, the pixel electrode 11 is connected to the pixel region 11 via the source region 34 and the channel and drain region 36 formed in the semiconductor layer 32. A voltage is applied. The voltage of the pixel electrode 11 is held by the storage capacitor (see FIG. 9) for a time that is, for example, three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. In particular, since the wirings VID1 to VID12 are shielded from the wirings CLX and CLX ′ and the wirings ENB1 and ENB2 by the shield lines 80, 80 ′, 82 and 86, even when the frequency of the clock signal CLX is high. Jumps such as high-frequency clock noise from CLX and CLX ′ and the wirings ENB1 and ENB2 to the wirings VID1 to VID12 can be reduced.
[0088]
As described above, when a voltage is applied to the pixel electrode 11, the alignment state of the liquid crystal in the portion of the liquid crystal layer 50 sandwiched between the pixel electrode 11 and the common electrode 21 changes. In accordance with the applied voltage, incident light cannot pass through the liquid crystal part. In the normally black mode, incident light can pass through the liquid crystal part according to the applied voltage. The liquid crystal panel 10 emits light having a contrast corresponding to the image signal.
[0089]
As a result, even when high-resolution serial image signals VID1 to VID12 are input, an image to be displayed has high resolution, while using a clock signal CLX having a high frequency correspondingly. The image quality is hardly or completely deteriorated by the occurrence, and high-quality image display is possible. In addition, as a result of phase expansion into a relatively large number of phases, ie, 12-phase expansion, sampling can be performed by a normal performance sampling circuit by reducing the frequency of the image signal.
[0090]
(Electronics)
Next, an embodiment of an electronic apparatus provided with the liquid crystal device 200 described in detail above will be described with reference to FIGS.
[0091]
First, FIG. 11 shows a schematic configuration of an electronic apparatus including the liquid crystal device 200 as described above.
[0092]
In FIG. 11, the electronic device includes a display information output source 1000, a display information processing circuit 1002, a drive circuit 1004, a liquid crystal panel 10, a clock generation circuit 1008, and a power supply circuit 1010. The display information output source 1000 includes a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), a memory such as an optical disk device, a tuning circuit that tunes and outputs a television signal, and the like. Based on this, display information such as an image signal in a predetermined format is output to the display information processing circuit 1002. The display information processing circuit 1002 includes various known processing circuits such as an amplification / polarity inversion circuit, a phase expansion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit, and a display input based on a clock signal. A digital signal is sequentially generated from the information and output to the drive circuit 1004 together with the clock signal CLK. The drive circuit 1004 drives the liquid crystal panel 10. The power supply circuit 1010 supplies predetermined power to the above-described circuits. Note that the drive circuit 1004 may be mounted on the TFT array substrate constituting the liquid crystal panel 10, and in addition to this, the display information processing circuit 1002 may be mounted.
[0093]
Next, FIGS. 12 to 15 show specific examples of the electronic apparatus configured as described above.
[0094]
In FIG. 12, a liquid crystal projector 1100 as an example of an electronic device prepares three liquid crystal modules including the liquid crystal panel 10 in which the driving circuit 1004 described above is mounted on a TFT array substrate, and RGB light valves 100R and 100G, respectively. And as a projector used as 100B. In the liquid crystal projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. B is divided into the light valves 100R, 100G and 100B corresponding to the respective colors. At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are synthesized again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.
[0095]
In the present embodiment, in particular, if a light shielding layer is also provided on the lower side of the TFT as described above, the reflected light and incident light from the projection optical system in the liquid crystal projector based on the incident light from the liquid crystal panel 10 are not generated. Reflected light from the surface of the TFT array substrate when passing, part of incident light (part of R light and G light) that penetrates the dichroic prism 1112 after being emitted from another liquid crystal panel, etc. as return light Even if the light is incident from the TFT array substrate side, it is possible to sufficiently shield light from a channel such as a pixel electrode switching TFT. In this case, even if a prism suitable for miniaturization is used in the projection optical system, an AR film for preventing return light is attached between the TFT array substrate of each liquid crystal panel and the prism, or an AR film treatment is applied to the polarizing plate. It is very advantageous to make the configuration small and simple.
[0096]
In FIG. 13, a laptop personal computer (PC) 1200 compatible with multimedia, which is another example of an electronic device, includes the above-described liquid crystal panel 10 in a top cover case, and further includes a CPU, a memory, a modem, and the like. And a main body 1204 in which a keyboard 1202 is incorporated.
[0097]
In FIG. 14, a pager 1300 as another example of an electronic device includes a light guide including a backlight 1306a, in which a liquid crystal panel 10 in which the driving circuit 1004 is mounted on a TFT array substrate in a metal frame 1302 to form a liquid crystal module. 1306, a circuit board 1308, first and second shield plates 1310 and 1312, two elastic conductors 1314 and 1316, and a film carrier tape 1318. In the case of this example, the display information processing circuit 1002 (see FIG. 11) described above may be mounted on the circuit board 1308 or on the TFT array substrate of the liquid crystal panel 10. Further, the above-described drive circuit 1004 can be mounted on the circuit board 1308.
[0098]
14 is a pager, a circuit board 1308 and the like are provided. However, in the case of the liquid crystal panel 10 in which the driving circuit 1004 and the display information processing circuit 1002 are mounted to form a liquid crystal module, a liquid crystal device in which the liquid crystal panel 10 is fixed in a metal frame 1302 is used as or in addition to the liquid crystal device. As a backlight type liquid crystal device incorporating the light guide 1306, it is possible to produce, sell, use, and the like.
[0099]
As shown in FIG. 15, in the case of the liquid crystal panel 10 in which the driving circuit 1004 and the display information processing circuit 1002 are not mounted, an IC 1324 including the driving circuit 1004 and the display information processing circuit 1002 is mounted on a polyimide tape 1322. (Tape Carrier Package) 1320 can be physically and electrically connected to the periphery of the TFT array substrate 1 through an anisotropic conductive film to produce, sell, use, etc. as a liquid crystal device Is possible.
[0100]
In addition to the electronic devices described above with reference to FIGS. 12 to 15, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, an electronic notebook, a calculator, a word processor, an engineering workstation ( EWS), a mobile phone, a video phone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, and the like are examples of the electronic device shown in FIG.
[0101]
As described above, according to the present embodiment, the generation of high-frequency clock noise is reduced, high-quality image display is possible, and the screen display area is larger than the substrate size. Various electronic devices equipped with can be realized.
[0102]
[Appendix]
Appendix 1. The electro-optical device includes a plurality of data lines on a substrate, a plurality of scanning lines intersecting the plurality of data lines, a plurality of switching elements connected to the plurality of data lines and the scanning lines, and the plurality of the plurality of data lines. A plurality of pixel electrodes connected to the switching element; a plurality of image signal lines to which an image signal is supplied; a plurality of control signal lines to which a control signal including a clock signal is supplied; the image signal line and the control signal Data signal supply means for inputting the image signal and the control signal through each line, and supplying a data signal corresponding to the image signal to the plurality of data lines based on the control signal, Of the plurality of image signal lines, the first image signal line group is routed to one side of the data signal supply means on the substrate, and the second image signal line group of the plurality of image signal lines is the Base And at least one conductive line that is routed to the other side of the data signal supply means and electrically shields the first and second image signal line groups from the plurality of control signal lines, respectively. It is further provided on the substrate.
[0103]
According to this electro-optical device, the image signal is supplied to the data signal supply means via the image signal line. In parallel with this, a control signal including a clock signal, an enable signal and the like is supplied to the data signal supply means via the control signal line. Then, a data signal corresponding to an image signal is supplied to a plurality of data lines based on the control signal by a data signal supply unit configured to include, for example, a data line driving circuit and a sampling circuit. Here, in particular, the image signal lines are electrically shielded from control signal lines such as a clock signal line and an enable signal line by conductive lines wired on the substrate. Therefore, even when the frequency of the clock signal is high, it is possible to reduce the jumping of high-frequency clock noise or the like from the control signal line such as the clock signal line to the image signal line.
[0104]
On the other hand, a scanning signal is supplied to the switching element via the scanning line by scanning signal supply means including a scanning line driving circuit or the like formed on the substrate or connected to the substrate. In parallel with this, the data signal corresponding to the image signal with reduced high-frequency clock noise and the like as described above is supplied to the switching element via the data line, and further supplied via the switching element. As a result, the voltage applied to the pixel electrode changes, and the liquid crystal facing the pixel electrode is driven.
[0105]
As a result, the resolution of the image to be displayed is high. For example, even when an image signal that has been developed in multiple phases is input, the image quality is hardly or completely deteriorated due to the occurrence of high-frequency clock noise or the like. Image display is possible. Moreover, the first image signal line group is routed to one side of the data signal supply means on the substrate, and the second image signal line group is routed to the other side of the data signal supply means on the substrate. ing. Therefore, for example, a large number of image signal lines corresponding to multi-phase expansion while lowering the frequency of the image signal supplied to the data signal supply means by increasing the number of phase expansions such as 12-phase expansion, 24-phase expansion,. Can be arranged with good balance on both sides of the data signal supply means. As a result, it is possible to easily secure an area for forming the data signal supply means including the sampling circuit or the sampling circuit, the data line driving circuit, and the like on the substrate. Therefore, it is possible to increase the size of the screen with a limited substrate size.
[0106]
Appendix 2. In the electro-optical device according to appendix 1, the conductive line includes a high-frequency control signal line that supplies a high-frequency control signal having a period shorter than at least a horizontal scanning period of the image signal among the plurality of control signal lines. The first and second image signal line groups are shielded.
[0107]
According to this electro-optical device, the image signal line is electrically shielded from the high-frequency control signal line that supplies a high-frequency control signal (for example, a clock signal, an enable signal, etc.) among the plurality of control signal lines by the conductive line. ing. Therefore, even when the frequency of the clock signal is high, jumping of high-frequency clock noise or the like from the high-frequency control signal line to the image signal line can be reduced. Note that a low-frequency control signal (for example, a start signal for a shift register in a data line driving circuit) does not cause high-frequency noise in an image signal or a data signal. The wire may or may not be shielded with a conductive wire.
[0108]
Appendix 3. In the electro-optical device according to attachment 2, between the first and second image signal line groups and the high-frequency control signal line, at least the horizontal of the image signal among the plurality of control signal lines together with the conductive line. A low frequency control signal line for supplying a low frequency control signal having a period not shorter than the scanning period is provided.
[0109]
According to this electro-optical device, the image signal lines located on the side closer to the high-frequency control signal line in the first and second image signal line groups are at least a total of two low-frequency control signal lines and conductive lines. Due to the presence of the wiring, it is separated from the high-frequency control signal line and is electrically shielded. That is, a low frequency control signal line that supplies a low frequency control signal (for example, a start signal for a shift register in a data line driving circuit) that does not cause high frequency noise in an image signal or a data signal is connected to the high frequency control signal. By arranging it together with the conductive line between the line and the image signal line, it is possible to further reduce adverse effects such as clock noise on the image signal line of the high frequency control signal line. In particular, since electromagnetic waves generally decrease according to the distance and the presence of obstacles, a configuration in which as many conductive lines and low-frequency control signal lines as possible are arranged between the control signal line and the image signal line, from the high-frequency control signal line. Electromagnetic waves applied to the image signal lines are reduced. As described above, it is advantageous from the viewpoint of effective use of the space on the substrate and noise reduction to interpose the low frequency control signal line in addition to the conductive line between the high frequency control signal line and the image signal line.
[0110]
Appendix 4. The electro-optical device according to attachment 1, wherein a plurality of first external input terminals that are connected to the first image signal line group and to which the image signals are input from an external image signal source, and the second image signal lines. A plurality of second external input terminals that are connected to a group and to which the image signal is input from the external image signal source, respectively, and the control signal that is connected to the control signal line and that is input from the external control signal source. A plurality of third external input terminals and a plurality of fourth external input terminals respectively connected to the conductive wires on the periphery of the substrate, and between the first and second external input terminals. The third external input terminal is disposed, and the fourth external input terminal is disposed between the first and third external input terminals and between the third and second external input terminals. It is characterized by being.
[0111]
According to this electro-optical device, the plurality of first and second external input terminals connected to the first and second image signal line groups are connected to the control signal line on the peripheral portion of the substrate. A plurality of third external input terminals are arranged. That is, a plurality of third external input terminals connected to the control signal line are centrally arranged on the periphery of the substrate on which the first to fourth external input terminals are provided, and the first and A plurality of first and second external input terminals respectively connected to the second image signal line group are arranged. And between these, the 4th external input terminal connected to the conductive wire is arranged. Accordingly, it is possible to easily obtain a configuration in which a distance is placed on the substrate between the first and second image signal line groups and the control signal line, and a conductive line is wired between them. In particular, it is possible to effectively prevent a control signal such as a clock signal from generating clock noise or the like with respect to an image signal before being input to the electro-optical device. If a plurality of external input terminals connected to the image signal line and a plurality of external input terminals connected to the control signal line are mixed or adjacent to each other, before being input to the electro-optical device. At this stage, the wiring portion where the image signal line and the control signal line are adjacent or close to each other becomes inevitable, and clock noise or the like jumps into the image signal. As described above, according to the present invention, it is possible to reduce high-frequency clock noise jumping from the clock signal line to the image signal line before and after being input to the electro-optical device. More preferably, in the region where the external input terminal can be formed in the peripheral portion of the substrate, the first and second external input terminals are arranged as close to both sides as possible, and the third arranged between them. A fourth external input terminal connected to the conductive line is arranged at a distance from the external input terminal as much as possible.
[0112]
Appendix 5. In the electro-optical device according to appendix 4, the conductive line includes a high-frequency control signal line that supplies a high-frequency control signal having a cycle shorter than a horizontal scanning period of the image signal among the plurality of control signal lines. The first and second image signal line groups are shielded, and the terminal adjacent to the fourth external input terminal among the third external input terminals is at least from the horizontal scanning period of the image signal among the plurality of control signal lines. It is also characterized in that it is connected to a low frequency control signal line that supplies a low frequency control signal having a cycle that is not short.
[0113]
According to this electro-optical device, the image signal line is electrically shielded from the high-frequency control signal line by the conductive line. Here, in particular, the terminal adjacent to the fourth external input terminal connected to the conductive line among the third external input terminals connected to the control signal line is connected to the low frequency control signal line. Is separated from the high-frequency control signal line and is electrically shielded by the presence of at least two wirings of the low-frequency control signal line and the conductive line.
[0114]
Appendix 6. The electro-optical device according to appendix 1, wherein the conductive line includes a portion composed of a data line driving constant potential line that supplies a constant potential data line driving power source to the data signal supply means. To do.
[0115]
According to this electro-optical device, the conductive line includes a portion composed of a data line driving constant potential line for supplying a constant potential data line driving power source to the data signal supply means. By sharing the device itself, in other words, by extending the constant potential line to be a conductive wire, the configuration can be simplified and the space can be saved. In particular, it is extremely easy to set the conductive wire to a constant potential. It becomes.
[0116]
Appendix 7. The electro-optical device according to appendix 6, wherein the data line driving constant potential line includes first and second constant potential lines for supplying power of different constant potentials to the data signal supply means. The conductive line portion formed of a potential line surrounds the first and second image signal line groups on the substrate, and the conductive line portion formed of the second constant potential line is formed on the substrate. The control signal line is surrounded on one substrate.
[0117]
According to this electro-optical device, the first and second image signal line groups are surrounded on the substrate by the conductive line portion formed of, for example, the first constant potential line for supplying a negative power supply having a ground potential. Yes. The control signal line is surrounded on the substrate by a conductive line portion made up of a second constant potential line for supplying positive power, for example. Therefore, the image signal line is double-shielded from the control signal line on the first substrate.
[0118]
Appendix 8. The electro-optical device according to any one of appendices 1 to 7, wherein the conductive line extends so as to surround a screen display region defined by the plurality of pixel electrodes and the plurality of data lines on the substrate. It is characterized by that.
[0119]
According to this electro-optical device, since the screen display area and the plurality of data lines are surrounded on the substrate by the conductive lines, the screen display area and the plurality of data lines are also control signal lines such as clock signal lines. Will be shielded from. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of high-frequency clock noise or the like in the data signal output from the data signal supply means, the data signal reaching the switching element or the pixel electrode, and the like.
[0120]
Appendix 9. The electro-optical device according to appendix 8, wherein a counter substrate is provided to face the substrate, and the light-shielding periphery is formed on at least one of the substrate and the counter substrate along the outline of the screen display region The conductive line further includes a part provided on the substrate along the peripheral parting at a position facing the peripheral parting.
[0121]
According to this electro-optical device, since the conductive lines are provided under the periphery of the substrate, space saving on the TFT array substrate can be achieved. For example, the scanning line driving circuit and the data line driving circuit are arranged on the substrate. The peripheral portion can be formed with a margin, and there is little or no reduction in the effective display area in the liquid crystal device due to the formation of the conductive lines.
[0122]
Appendix 10. The liquid crystal device according to any one of appendices 1 to 9, wherein the conductive line and the data line are formed of the same low-resistance metal material.
[0123]
According to this electro-optical device, since the conductive line is made of the same low-resistance metal material as the data line, such as Al (aluminum), the conductive line is long even if the lead-out area of the conductive line is long. The resistance is sufficiently low for practical use. That is, without lowering the shielding effect due to the increase in resistance, for example, the gap between other wirings and circuits can be sewn and the conductive lines can be extended in a zigzag pattern, or the conductive lines can be extended over a wide area including the screen display area. Since wiring becomes possible, the effect of the shield as a whole can be further enhanced with a relatively simple configuration. Furthermore, in the manufacturing process of the electro-optical device, the conductive line and the data line can be formed from the same low-resistance metal material in the same process. That is, an increase in the manufacturing process due to the formation of the conductive line can be minimized.
[0124]
Appendix 11. The electro-optical device according to any one of appendices 1 to 10, further comprising a capacitor line that applies a predetermined amount of capacitance to the pixel electrode, wherein the capacitor line is connected to the conductive line. And
[0125]
According to this electro-optical device, since a predetermined amount of capacitance is applied to the pixel electrode by the capacitance line, high-definition display is possible even when the duty ratio is small. The capacitor line is connected to the conductive line. Therefore, adverse effects on the switching element and the pixel electrode due to the potential fluctuation of the capacitor line are prevented. Moreover, the wiring for setting the capacitance line to a constant potential can be used also as the conductive line, and the external input terminal necessary for setting the capacitance line to the constant potential is, for example, dedicated to the third external input terminal or the conductive line described above. Can also be used as an external input terminal.
[0126]
Appendix 12. 12. The electro-optical device according to any one of appendices 1 to 11, further comprising a scanning signal supply unit on the substrate for sequentially supplying a scanning signal to the plurality of scanning lines, wherein the conductive line is the scanning line. It includes a portion constituted by a scanning line driving constant potential line for supplying a scanning line driving power source of constant potential to the signal supply means.
[0127]
According to this electro-optical device, the image signal line is electrically shielded from the control signal line by the conductive line portion constituted by the scanning line driving constant potential line. Therefore, even when the frequency of the clock signal is high, jumping of high-frequency clock noise or the like from the control signal line to the image signal line can be reduced.
[0128]
Appendix 13. The electro-optical device according to appendix 12, wherein the scanning signal supply unit is provided on both sides of a screen display region defined by the plurality of pixel electrodes, and is configured of the scanning line driving constant potential line. The conductive line portion extends so as to surround the screen display region and the plurality of data lines on the substrate and to supply the scanning line driving power supply redundantly to the scanning line supply means.
[0129]
According to this electro-optical device, the screen display area and the plurality of data lines are surrounded on the substrate by the conductive line portion formed of the scanning line driving constant potential line. The data line is also shielded from a control signal line such as a clock signal line. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of high-frequency clock noise or the like in the data signal output from the data signal supply means, the data signal reaching the switching element or the pixel electrode, and the like. Further, the conductive line portion constituted by the scanning line driving constant potential line is extended so as to supply the scanning line driving power supply redundantly to the scanning line supply means provided on both sides of the screen display area. Therefore, even if a disconnection occurs in the scanning line driving constant potential line in the conductive line portion constituted by the scanning line driving constant potential line or in other portions, it is advantageous because it is difficult to cause a device defect.
[0130]
Appendix 14. 14. The electro-optical device according to claim 1, wherein the data signal supply unit includes a sampling circuit that samples the image signal, and a data line driving circuit that drives the sampling circuit based on the control signal. The image signal lines included in the first image signal line group and the image signal lines included in the second image signal line group are between the data line driving circuit and the sampling circuit, It is characterized in that at least one image signal line is alternately drawn in a comb shape from both sides of the data line driving circuit.
[0131]
According to this electro-optical device, the image signal lines included in the first image signal line group (for example, the image signal lines VID1, 3, 5, 7,... Corresponding to the odd-numbered data lines) and the second image signal lines. The image signal lines included in the group (for example, the image signal lines VID2, 4, 6, 8,... Corresponding to the even-numbered data lines) are at least one image signal line from both sides of the data line driving circuit. It is drawn around alternately in a comb shape. Accordingly, the image signal lines and the data lines can be regularly and well-balanced around the data line driving circuit.
[0132]
Appendix 15. 15. The electro-optical device according to appendix 14, wherein the data signal supply unit inverts the voltage polarity of the data signal for each data line, and the image signal line and the second image included in the first image signal line group. The image signal lines included in the signal line group are alternately routed in a comb shape from both sides of the data line driving circuit with two image signal lines corresponding to two adjacent data lines as a pair. It is characterized by.
[0133]
According to this electro-optical device, the data signal supply means inverts the voltage polarity of the data signal for each data line, so-called inversion driving such as 1S inversion and dot inversion is performed, and flicker on the display screen is reduced. Here, the image signal lines included in the first image signal line group (for example, every two image signal lines VID1, 2, 5, 6... Corresponding to two adjacent data lines) and the second image signal. The image signal lines included in the line group (for example, every two image signal lines VID3, 4, 7, 8,... Corresponding to the two adjacent data lines) are the two adjacent data lines. Two corresponding image signal lines are alternately routed in a comb shape from both sides of the data line driving circuit. Accordingly, image signals having opposite polarities are supplied to adjacent image signal lines, and noise components caused by the same noise source have an effect of canceling each other, thereby reducing noise. This is advantageous.
[0134]
Appendix 16. An electronic apparatus includes the electro-optical device according to any one of appendices 1 to 15.
[0135]
According to this electronic apparatus, the electronic apparatus includes the above-described liquid crystal device of the present invention, which reduces high-frequency clock noise and the like, and enables high-quality image display.
[0136]
【The invention's effect】
According to the electro-optical device of the present invention, since the image signal line is shielded from the control signal line such as the clock signal line by the constant potential conductive line wired on the substrate, the clock signal line to the image signal line. Therefore, it is possible to reduce the jumping in of high-frequency clock noise and the like, and to display a high-quality image in accordance with a high-frequency image signal for displaying a high-resolution image.
[0137]
In addition, according to the electronic device of the present invention, various types of liquid crystal projectors, personal computers, pagers, etc. that can reduce high-frequency clock noise and display a high-quality image with a large screen display area compared to the substrate size. Electronic devices can be realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view of various wirings including a shield line formed on a TFT array substrate and peripheral circuits in an embodiment of a liquid crystal device.
FIG. 2 is a schematic plan view showing a two-dimensional layout of the shield line in FIG. 1 in more detail.
3 is a circuit diagram (a) and a timing chart (b) in the shift register circuit shown in FIG. 2. FIG.
4 is an AA ′ sectional view (a) and a BB ′ sectional view (b) of a shield line, an image signal line, and a clock signal line formed on the TFT array substrate of FIG. 1. FIG.
5 is an enlarged plan view of an end portion of a screen display area for pixel electrodes, scanning lines, data, etc. formed on the TFT array substrate of FIG. 1; FIG.
6 is a plan view showing an overall configuration of the liquid crystal device of FIG. 1. FIG.
7 is a cross-sectional view showing an overall configuration of the liquid crystal device of FIG. 1. FIG.
8 is a schematic plan view (a) showing an example of a two-dimensional layout of the image signal lines (wirings VID1 to 12) of FIG. 1, and a schematic plan view (b) showing another example.
9 is a cross-sectional view of a TFT portion provided in a screen display region of the liquid crystal device of FIG.
10 is a cross-sectional view of a shield line portion provided in a peripheral parting region of the liquid crystal device of FIG.
FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of an embodiment of an electronic device according to the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal projector as an example of an electronic apparatus.
FIG. 13 is a front view showing a personal computer as another example of an electronic apparatus.
FIG. 14 is an exploded perspective view showing a pager as an example of an electronic apparatus.
FIG. 15 is a perspective view showing a liquid crystal device using TCP as an example of an electronic apparatus.
[Explanation of symbols]
1 ... TFT array substrate
2 ... Counter substrate
10 ... LCD panel
11: Pixel electrode
12 ... Alignment film
21 ... Common electrode
22 ... Alignment film
23 ... Light shielding layer
30 ... TFT
31 ... Scanning line (gate electrode)
32 ... Semiconductor layer
33 ... Gate insulating layer
34 ... Source area
35 ... Data line (source electrode)
36 ... Drain region
37, 38 ... contact holes
42. First interlayer insulating layer
43 ... Second interlayer insulating layer
50 ... Liquid crystal layer
52 ... Sealing material
53.
70 ... Storage capacity
80, 80 ', 82, 86 ... shielded wire (constant potential wire)
101: Data line driving circuit
102 ... External input terminal (mounting terminal)
104: Scanning line driving circuit
112 ... Enable circuit
200 ... Liquid crystal device
301: Sampling circuit
302 ... TFT

Claims (6)

基板上に、複数の画素で構成される表示領域と、前記基板の一辺側に設けられ前記画素に画像信号を供給するためのデータ線駆動回路と、前記データ線駆動回路に対向しない辺側に設けられた走査線駆動回路と、前記データ線駆動回路にクロック信号を供給するデータ線駆動回路のクロック信号線と、前記走査線駆動回路にクロック信号を供給する走査線駆動回路のクロック信号線と、前記データ線駆動回路のクロック信号線に接続されたデータ線駆動回路のクロック信号線用外部端子と、前記走査線駆動回路のクロック信号線に接続された走査線駆動回路のクロック信号線用外部端子と、前記画素に画像信号を供給する複数の画像信号線でなる画像信号線群と、前記画像信号線に接続される画像信号線用外部端子と、を備え、
前記基板の前記一辺側に各々の外部端子が設けられ、
前記画像信号線群の画像信号線用外部端子と前記データ線駆動回路のクロック信号線用外部端子との間に、定電位配線に接続される定電位配線用外部端子を設け、前記画像信号線用外部端子と前記走査線駆動回路のクロック信号線用外部端子との間に、定電位配線に接続される定電位配線用外部端子を設けたことを特徴とする電気光学装置。
A display region including a plurality of pixels on a substrate; a data line driving circuit provided on one side of the substrate for supplying an image signal to the pixel; and a side not facing the data line driving circuit A scanning line driving circuit provided; a clock signal line of a data line driving circuit for supplying a clock signal to the data line driving circuit; a clock signal line of a scanning line driving circuit for supplying a clock signal to the scanning line driving circuit; A clock signal line external terminal of the data line driving circuit connected to the clock signal line of the data line driving circuit, and a clock signal line external of the scanning line driving circuit connected to the clock signal line of the scanning line driving circuit. A terminal, an image signal line group including a plurality of image signal lines for supplying an image signal to the pixel, and an image signal line external terminal connected to the image signal line,
Each external terminal is provided on the one side of the substrate,
A constant potential wiring external terminal connected to a constant potential wiring is provided between the image signal line external terminal of the image signal line group and the clock signal line external terminal of the data line driving circuit, and the image signal line An electro-optical device, wherein a constant potential wiring external terminal connected to a constant potential wiring is provided between an external terminal for clock and a clock signal line external terminal of the scanning line driving circuit.
前記データ線駆動回路は複数の構成回路からなり、各々の構成回路間には、定電位配線が配設されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。  The electro-optical device according to claim 1, wherein the data line driving circuit includes a plurality of constituent circuits, and a constant potential wiring is disposed between the constituent circuits. 定電位配線は、前記表示領域と前記走査線駆動回路との間に配設されることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。  The electro-optical device according to claim 1, wherein the constant potential wiring is disposed between the display region and the scanning line driving circuit. 定電位配線は、前記表示領域を規定する周辺見切りに沿って配設されることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。  The electro-optical device according to claim 3, wherein the constant potential wiring is disposed along a peripheral parting that defines the display area. 前記複数の画像信号線の本数は、層展開数の数であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。  The electro-optical device according to claim 1, wherein the number of the plurality of image signal lines is the number of layer developments. 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。  An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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