JP3629403B2 - 回路装置 - Google Patents
回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3629403B2 JP3629403B2 JP2000140404A JP2000140404A JP3629403B2 JP 3629403 B2 JP3629403 B2 JP 3629403B2 JP 2000140404 A JP2000140404 A JP 2000140404A JP 2000140404 A JP2000140404 A JP 2000140404A JP 3629403 B2 JP3629403 B2 JP 3629403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- circuit
- programmable element
- input side
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/18—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、第1の端子および第2の端子を備えたプログラミング可能な素子と、スイッチング可能な素子と、入力側を備えた読み出し回路とを有しており、プログラミング可能な素子の第1の端子と第2の端子との間の導体路抵抗は電流により持続的に変更可能であり、スイッチング可能な素子は前記プログラミング可能な素子をプログラミングする制御信号に対する制御端子を有しており、読み出し回路の入力側はプログラミング可能な素子の第2の端子に接続されており、プログラミング可能な素子の第1の端子は第1の給電電位の端子に接続されており、スイッチング可能な素子の第1の端子はプログラミング可能な素子の第2の端子に接続されており、このスイッチング可能な素子の第2の端子は第2の給電電位の端子に接続されている、回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路は欠陥を有する回路部分の復旧のために冗長回路を有することが多い。特に集積メモリ回路では例えば正規のワード線ビット線が欠陥のあるメモリセルを有することがあり、こうしたセルは冗長ワード線ないし冗長ビット線によって置換される。このために集積メモリは例えば自己テスト装置によって検査され、続いて冗長素子のプログラミングが行われて正規の素子が置換される。冗長回路はこの場合、例えば電気フューズのかたちのプログラミング可能な素子を有しており、このフューズは置換すべき線路のアドレスを記憶するために用いられる。プログラミング可能な素子には通常、そのつどプログラミングされた状態を読み出す読み出し回路が接続されており、この読み出し回路は例えば揮発性メモリ素子を有している。この揮発性メモリ素子はフューズに接続されており、フューズラッチとも称される。プログラミング可能な素子は集積回路の製造プロセスの最終段階でいわゆるバーン電圧を印加することによりプログラミングされる。
【0003】
電気的にプログラミング可能な素子をプログラミングするために、回路には通常外部から高い電位レベルのバーン電圧が印加される。電気的にプログラミング可能な素子のプログラミング過程はここでは高い電圧または高い電流により行われ、これにより導体路抵抗の持続的な変更が生じる。これは例えば相応の電気フューズを溶融させることにより行われる。
【0004】
バーン電圧をプログラミング可能な素子のプログラミングのために回路に印加することにより、この回路とこれに接続された別の回路(例えば読み出し回路)の一部とに高い電圧差が生じる。集積回路の別の回路部分と比べて格段に高い電圧差を維持するために、高い電圧が印加される回路素子のほうを通常の動作電圧しか使用されない回路素子よりも大きく設計しなければならない。しかも新たなテクノロジを適用する際には、当該の回路素子を高い電圧差の構成から独立して維持することはできない。
【0005】
通常これまでは、当該の回路部分の回路素子、特にトランジスタは、障害を受けることなく高いバーン電圧を維持するように設計されてきた。半導体チップが複数の電気的にプログラミング可能な素子を有する場合、チップ上には相応の回路装置を収容するために高い必要面積が存在する。これにより集積回路の設計プロセスではチップ面積が増大するか、または他の個所で高まった必要面積を節約せざるを得なかった。前者の場合には集積半導体チップの製造に高い製造コストおよび経費コストがかかり、後者の場合には集積回路全体のパフォーマンス損失が発生する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、電気的にプログラミング可能な素子をプログラミングする回路とこれに接続された読み出し回路とを備えた回路装置を提供して、プログラミング可能な素子を高い電圧を用いてプログラミング可能にし、読み出し回路の回路素子をできる限り面積を節約して設計することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この課題は、保護回路が設けられており、この保護回路の第1の端子はプログラミング可能な素子の第2の端子に接続されており、第2の端子は読み出し回路の入力側に接続されており、第3の端子は所定の動作電圧に接続されており、保護回路の第2の端子での電圧が制限される回路装置を構成して解決される。有利な実施形態および別の実施態様は従属請求項に記載されている。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明の回路装置はプログラミング可能な素子を有しており、この素子の導体路抵抗は電流によって持続的に変更可能である。またスイッチング可能な素子が設けられており、この素子はプログラミング可能な素子をプログラミングする制御信号に対する制御端子を有している。プログラミング可能な素子は一方では第1の給電電位の端子に接続されており、他方では読み出し回路の入力側とスイッチング可能な素子の第1の端子とに接続されている。スイッチング可能な素子の第2の端子は第2の給電電位の端子に接続されている。プログラミング可能な素子の出力側と読み出し回路の入力側との間には保護回路が接続されており、読み出し回路の入力側の電圧が制限される。保護回路は読み出し回路の入力側に、最大でもバーン電圧の値よりも小さい最大電圧値が印加されるようにする。この最大電圧値は例えば通常の動作電圧の値をとる。したがって読み出し回路の回路素子はプログラミング過程中、通常の動作電圧での動作に比べて高い電位差を有さない。ゆえにこの回路素子は当該の回路以外の回路素子に比べて大きく設計する必要がない。すなわち読み出し回路はこの回路と共通に最小の必要面積で構成することができる。
【0009】
この回路装置の有利な実施形態では、保護回路はダイオードを有しており、このダイオードのアノードは読み出し回路の入力側に接続されており、このダイオードのカソードは所定の動作電圧に対する第3の端子に接続されている。これは例えば通常動作における正の動作電圧の値である。このESDに類似の構造では、電荷キャリアがダイオードに接続された線路へダイオードを介して放出され、直ちに電位の平衡が行われる利点がある。このように第3の給電電位よりも大きな電位に対して有効な保護が可能となる。他方ではダイオードの阻止作用により、読み出し回路の入力側での小さな電位値に対して目的に応じた通常動作が負の影響を被ることはない。
【0010】
保護回路の別の実施形態では、ダイオードのアノードはそれぞれ1つの抵抗を介して読み出し回路の入力側と、プログラミング可能な素子の第2の端子に接続されている。ダイオードとプログラミング可能な素子との間の抵抗は、プログラミング過程中ダイオードを通って流れる最大電流を制限する。これにより破壊が防止される。2つの抵抗はともに読み出し回路の入力側に対する時定数(RC定数)を定める。読み出し回路を有効に過電圧から保護するために、この時定数はダイオードのアノードの時定数よりも大きくなければならない。さらに抵抗を構成しても、通常動作においてプログラミング可能な素子の状態が読み出し回路によって制限されずに読み出し可能となるようにする要求が存在する。
【0011】
ダイオードを用いて構成された保護回路の別の有利な作用として、電気フューズとして構成されたプログラミング可能な素子のいわゆるトンネル電流に対して読み出し回路を保護できる点が挙げられる。ただし電気フューズが例えば高オームの状態にある場合、僅かな体積であっても電荷キャリアのフューズを通る流れが発生する。この電荷キャリアは既存のエネルギーバリアを越えてしまう(トンネルする)。このようなトンネル電流の電荷キャリアがこの保護回路を用いるとダイオードを介して放出される。保護回路を前述のように構成することにより、プログラミングすべき素子をスイッチング可能な素子を駆動することにより選択することができる。
【0012】
【実施例】
本発明を以下に図に即して詳細に説明する。
【0013】
図1には、第1の端子EFおよび第2の端子AFを備えたプログラミング可能な素子Fが示されている。この第1の端子EFと第2の端子AFとの間の導体路抵抗は電流によって持続的に変更可能である。この回路装置はさらにスイッチング可能な素子Tを有しており、この素子はプログラミング可能な素子Fをプログラミングするための制御信号に対する制御端子Sを有している。スイッチング可能な素子Tはここではトランジスタとして構成されている。さらに図1には入力側EAを備えた読み出し回路Aが示されており、この回路の入力側はノードKを介してプログラミング可能な素子Fの第2の端子AFに接続されている。プログラミング可能な素子Fの第1の端子EFは第1の給電電位V1の端子に接続されている。スイッチング可能な素子Tの第1の端子はプログラミング可能な素子Fの第2の端子AFに接続されており、この素子の第2の端子は第2の給電電位V2の端子に接続されている。保護回路1の第1の端子a1はプログラミング可能な素子Fの第2の端子AFに接続されており、保護回路の第2の端子a2は読み出し回路Aの入力側EAに接続されている。これは保護回路1の第2の端子a2での電圧、ひいては読み出し回路Aの入力側EAでの電圧を制限するために用いられる。
【0014】
保護回路1はこの実施例ではダイオードDを有しており、このダイオードのアノードは読み出し回路Aの入力側EAに接続されており、ダイオードのカソードは第3の給電電位V3の端子に接続されている。さらにダイオードDはそれぞれ1つの抵抗R1、R2を介してプログラミング可能な素子Fの第2の端子AFと、読み出し回路Aの入力側EAとに接続されている。
【0015】
以下に電気的にプログラミング可能な素子Fのプログラミング過程中の保護回路1の動作を説明する。
【0016】
電気的にプログラミング可能な素子Fは、例えばプログラミングされていない状態では高オームの状態にあり、プログラミングされた状態では低オームの状態にある。プログラミング過程中には例えば電位V1は正のバーン電圧の値をとり、電位V2は基準電圧の値をとる。スイッチング可能な素子Tの制御入力側Sを介してプログラミング可能な素子Fのプログラミング過程が開始される。スイッチング可能な素子Tが導通切換され、バーン電圧が印加されると、これに続いて電位の端子V1、V2間の電位差に基づいて高い電流がプログラミング可能な素子Fを通って流れる。プログラミング可能な素子Fは低オームの状態へ移行し、これによりノードKで電位はバーン電圧V1の値へ上昇する。ただしノードNでの電位は、例えば通常の正の動作電圧に相応する電位V3の値と、ダイオードDの順方向電圧との和を越えて上昇することはない。このダイオードの順方向電圧は電圧V1〜V3に比べれば比較的小さい。このことは読み出し回路Aの入力側EAでの電位がノードKに印加されるバーン電圧に対して保護されることを意味する。
【0017】
プログラミング可能な素子Fがプログラミングされない場合には、スイッチング可能な素子Tの制御入力側Sは駆動されない。ノードKでの電位は最大の電圧値まで上昇し、この最大の電圧値は電位V3の値、抵抗R1での電圧降下、およびダイオードの順方向電圧から加算される。後者の2つの電圧は特に高オームのプログラミング可能な素子Fを通るトンネル電流に起因している。ノードKでの電圧制限は、このノードに別のスイッチング素子が接続される場合に特に有利である。トランジスタの形のスイッチング可能な素子Tはバーン電圧を印加するために構成されている。電位V1の端子にバーン電圧が印加される場合には、電位V1の端子とノードKでの電位との間の電位差はプログラミング可能な素子Fをプログラミングするのに充分でなくなる。したがってプログラミング可能な素子Fは目的に応じてプログラミングされないこともある。
【図面の簡単な説明】
【図1】電気的にプログラミング可能な素子とこの素子に接続された読み出し回路とをプログラミングするための回路を備えた回路装置の図である。
【符号の説明】
1 保護回路
F プログラミング可能な素子
A 読み出し回路
T トランジスタ
S 制御端子
R1、R2 抵抗
D ダイオード
EF、AF、EA、a1、a2 端子
N、K ノード
V1、V2、V3 給電電位
Claims (4)
- 第1の端子(EF)および第2の端子(AF)を備えたプログラミング可能な素子(F)と、スイッチング可能な素子(T)と、入力側(EA)を備えた読み出し回路(A)とを有しており、
前記プログラミング可能な素子の第1の端子(EF)と第2の端子(AF)との間の導体路抵抗は電流により持続的に変更可能であり、
前記スイッチング可能な素子は前記プログラミング可能な素子(F)をプログラミングする制御信号に対する制御端子(S)を有しており、
前記読み出し回路の入力側は前記プログラミング可能な素子(F)の第2の端子(AF)に接続されており、
前記プログラミング可能な素子(F)の第1の端子(EF)は第1の給電電位(V1)の端子に接続されており、
前記スイッチング可能な素子(T)の第1の端子は前記プログラミング可能な素子(F)の第2の端子(AF)に接続されており、該スイッチング可能な素子(T)の第2の端子は第2の給電電位(V2)の端子に接続されている、
回路装置において、
保護回路(1)が設けられており、
該保護回路の第1の端子(a1)は前記プログラミング可能な素子(F)の第2の端子(AF)に接続されており、該保護回路の第2の端子(a2)は前記読み出し回路(A)の入力側(EA)に接続されており、該保護回路の第3の端子(a3)は所定の動作電圧(V3)に接続されており、
保護回路(1)の第2の端子(a2)での電圧が制限される
ことを特徴とする回路装置。 - 前記保護回路(1)はダイオード(D)を有しており、該ダイオードのアノードは読み出し回路(A)の入力側(EA)に接続されており、該ダイオードのカソードは所定の動作電圧(V3)に対する第3の端子に接続されている、請求項1記載の回路装置。
- 前記ダイオード(D)のアノードはそれぞれ1つの抵抗(R1、R2)を介して読み出し回路(A)の入力側(EA)と、前記プログラミング可能な素子(F)の第2の端子(AF)に接続されている、請求項2記載の回路装置。
- 前記プログラミング可能な素子(F)は電気フューズを有する、請求項1から3までのいずれか1項記載の回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19922360.2 | 1999-05-14 | ||
DE19922360A DE19922360C2 (de) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Schaltungsanordnung zur Programmierung eines elektrisch programmierbaren Elementes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000339989A JP2000339989A (ja) | 2000-12-08 |
JP3629403B2 true JP3629403B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=7908145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000140404A Expired - Fee Related JP3629403B2 (ja) | 1999-05-14 | 2000-05-12 | 回路装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6366518B1 (ja) |
JP (1) | JP3629403B2 (ja) |
DE (1) | DE19922360C2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10114611A1 (de) * | 2001-03-23 | 2002-10-17 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Logikschaltung |
DE102005019587B4 (de) * | 2005-04-27 | 2007-05-10 | Infineon Technologies Ag | Fuse-Speicherzelle mit verbessertem Schutz gegen unberechtigten Zugriff |
EP2869304B1 (en) * | 2013-11-05 | 2019-01-02 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Memory cell and memory device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3872450A (en) * | 1973-06-21 | 1975-03-18 | Motorola Inc | Fusible link memory cell for a programmable read only memory |
US5334880A (en) * | 1991-04-30 | 1994-08-02 | International Business Machines Corporation | Low voltage programmable storage element |
JPH07122099A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体メモリ |
KR100248350B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2000-03-15 | 김영환 | 메모리 장치용 휴즈 옵션 회로 |
US6163492A (en) * | 1998-10-23 | 2000-12-19 | Mosel Vitelic, Inc. | Programmable latches that include non-volatile programmable elements |
US6111797A (en) * | 1998-12-04 | 2000-08-29 | Micron Technology, Inc. | DRAM array with gridded sense amplifier power source for enhanced column repair |
US6097645A (en) * | 1999-03-04 | 2000-08-01 | Texas Instruments Incorporated | High speed column redundancy scheme |
-
1999
- 1999-05-14 DE DE19922360A patent/DE19922360C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000140404A patent/JP3629403B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-15 US US09/571,486 patent/US6366518B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000339989A (ja) | 2000-12-08 |
DE19922360A1 (de) | 2000-11-23 |
US6366518B1 (en) | 2002-04-02 |
DE19922360C2 (de) | 2001-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7495945B2 (en) | Non-volatile memory cell for storage of a data item in an integrated circuit | |
US5566107A (en) | Programmable circuit for enabling an associated circuit | |
US5508638A (en) | Low current redundancy fuse assembly | |
TWI273249B (en) | On-chip resistance monitor and diagnoses for electrical fuses | |
TWI570735B (zh) | 包含具有反熔絲組件之非揮發性記憶體結構之電子器件及其使用方法 | |
US4896055A (en) | Semiconductor integrated circuit technology for eliminating circuits or arrays having abnormal operating characteristics | |
US6498526B2 (en) | Fuse circuit and program status detecting method thereof | |
USRE35828E (en) | Anti-fuse circuit and method wherein the read operation and programming operation are reversed | |
EP0116440B1 (en) | Integrated semiconductor circuit device for generating a switching control signal | |
KR910001533B1 (ko) | 휴즈회로와 그내의 휴즈상태 검출회로를 갖는 반도체장치 | |
JPH05266682A (ja) | トランジスター・スナップ・バックによるアンチ・ヒューズ・プログラミング | |
JP2002064143A (ja) | フューズプログラム回路 | |
CN112582013A (zh) | 反熔丝存储单元电路、阵列电路及其读写方法 | |
US7995367B2 (en) | Circuit arrangement comprising a non-volatile memory cell and method | |
JP2006236511A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
TW544688B (en) | Semiconductor memory device | |
US20050274966A1 (en) | Fuse and write method for fuse | |
CN111445943B (zh) | 一种片上一次可编程电路 | |
JP3629403B2 (ja) | 回路装置 | |
JP3848022B2 (ja) | 電気フューズ素子を備えた半導体集積回路装置 | |
EP0019381A1 (en) | Semiconductor memory device with address signal level setting | |
KR100487914B1 (ko) | 안티퓨우즈안정화회로 | |
US7085181B2 (en) | Semiconductor device having storage circuit which stores data in nonvolatile manner by using fuse element | |
EP0466247B1 (en) | Stable low-dissipation reference circuit | |
US5247476A (en) | Semiconductor memory device having a mask rom and a prom |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |