JP3626526B2 - コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- VQYHBXLHGKQYOY-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Ti+4] VQYHBXLHGKQYOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 241000549194 Euonymus europaeus Species 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/50—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges
- G11B23/505—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers
- G11B23/507—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers combined with means for reducing influence of physical parameters, e.g. temperature change, moisture
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関し、特に、トランスデューサとして磁気抵抗効果型素子を備え、磁気ディスクと接触しつつ信号の記録と再生を行なうコンタクト型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気ディスク装置に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
媒体である磁気ディスクへの情報の記録密度向上の要請に呼応して、磁気ディスク装置の磁気ヘッド素子には、信号特性が良好で高記録密度の達成が可能な磁気抵抗効果型素子が用いられつつある。この磁気抵抗効果型素子は、たとえば高透磁率合金等で構成されるため、腐食損傷に対して表面を保護する必要がある。そこで、典型的には特開平4−364217号公報に開示されているように、カーボンの保護膜が用いられる。また、カーボン保護膜は磁気ディスクや塵埃との偶発的な接触に対してヘッドを保護する役割りも担っている。一方、磁気ディスクの保護膜としても一般的にカーボンが用いられており、磁気ディスクの表面には、磁気ヘッドとの摺動を円滑にする等の目的で、さらに潤滑剤が塗られていることが一般的である。
【0003】
信号の記録密度を増大させるためには、原理上、磁気ヘッドの素子と磁気ディスクの間隔をできるだけ接近させることが望ましい。磁気ヘッドスライダは通常、浮上型であるが、究極的には磁気ヘッドが磁気ディスクと接触しつつ信号の記録と再生を行なうコンタクト記録に移行することが予測されている。
【0004】
磁気ヘッドの潤滑性を向上させる手段として、例えば特開昭56−77949号公報の技術では、磁気ヘッドスライダの基板に多孔質なセラミックスを用い、その孔に潤滑剤を含浸させる手法を開示している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
コンタクト記録型磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスクの摩擦、摩耗を長期に渡って最小にすることが大きな課題となる。磁気抵抗効果型素子が用いられる場合には、カーボンの保護膜同士の接触となる。カーボンは、通常用いられるスライダ材料の酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックスよりも表面エネルギが小さいため、潤滑剤が濡れにくくなる。従って、カーボン保護膜で覆われた磁気ヘッドと磁気ディスクの接触界面では、長期に渡っての摺動の過程で潤滑剤が途切れる懸念がある。
【0006】
ここで、前述の多孔質なセラミックスに潤滑剤を含浸させる手法を考えると、いくつかの問題点がある。すなわち、磁気抵抗効果型素子を薄膜プロセスで形成するためには極めて平滑な基板が必要であり、多孔質なセラミックス基板では不適なこと、セラミックス表面の小さな孔ではその表面にカーボン保護膜を形成すると埋まってしまうこと、残った孔の表面もカーボン保護膜で覆われるため、潤滑剤が濡れにくいことに変わりがないこと、等である。したがって、この多孔質なセラミックスに潤滑剤を含浸させる手法は磁気抵抗効果型素子とその保護膜を備えたヘッドの場合には必ずしも適切ではない。
【0007】
本発明の目的は、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することが可能なコンタクト型磁気ヘッドを提供することにある。
【0008】
本発明の他の目的は、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することにより、トランスデューサとして磁気抵抗効果型素子を用いることによる情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることが可能なコンタクト型磁気ヘッドを提供することにある。
【0009】
本発明のさらに他の目的は、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動領域に対する潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することにより、情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることが可能な磁気ディスク装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のコンタクト型磁気ヘッドは、磁気ディスクと接触する基板主面の素子保護膜に1個または複数の穴を設け、該保護膜よりも表面エネルギが大きい面を露出させる構造を備えている。具体的には、カーボン保護膜に1個または複数の穴を設け、酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックス基板等の表面を露出させる。基板がシリコンや炭化シリコンなどの非酸化物の場合、その表面には自然酸化層が存在するため、この自然酸化層を露出させてもよい。あるいは、強制的に酸化層を形成し、この強制酸化層を露出させてもよい。
【0011】
また、本発明の磁気ディスク装置では、磁気ディスクと接触する部分の素子保護膜に1個または複数の穴を設け、該保護膜よりも表面エネルギが大きい面を露出させた構造のコンタクト型磁気ヘッドを用い、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクとを摺動させながら稼働させる構成としたものである。
【0012】
【作用】
酸化物の表面はカーボン保護膜よりも表面エネルギが大きい。カーボン保護膜の表面エネルギが40〜60エルグ/cmであるのに対し、通常の酸化物では100エルグ/cmもしくはそれ以上、酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックスで80〜100エルグ/cmである。したがって、酸化物の表面の方が潤滑剤が濡れやすい。さらに、カーボン保護膜に設けた穴には膜厚分の段差があるため、穴の内部に潤滑剤が溜る。磁気ディスクとの接触の際に、カーボン保護膜に穿設された穴に保持されている潤滑剤が有効に供給され、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクの間の摺動領域の潤滑作用をなし、両者の円滑な摺動動作が実現される。カーボン保護膜に穿設された穴の内部に溜る潤滑剤の量を増すために、穴をさらに基板内部側に掘り下げてもよい。
【0013】
カーボン保護膜の接触部に設けた穴の面積だけ、実効接触面積は減少する。このため、接触面積に比例する摩擦力が減少し、磁気抵抗効果型素子と潤滑剤にとって有害な摩擦熱の発生を抑制する働きもある。
【0014】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0015】
(実施例1)
図1は、本発明の一実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す略平面図であり、図2は、本実施例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【0016】
この実施例では、基板1の磁気ディスク6に対向する磁気ディスク接触面(主面)に当該磁気ディスク6に接触する複数の接触パッド3(本実施例では3個)が突設され、この接触パッド3の中の1つに電磁変換を行うトランスデューサとしての磁気抵抗効果型素子2が内蔵されている。基板1に突設された全ての接触パッド3の頂部にはカーボン保護膜5が被覆され、カーボン保護膜5の厚さは、たとえば5ないし20nmに設定されている。本実施例では、このカーボン保護膜5に穴4が形成されている。この穴4の深さは、本実施例では、図2に例示されるように、接触パッド3の表面のカーボン保護膜5を貫通して下地の接触パッド3の表面1aを露出させる値に設定されている。また、穴4の開口部の形状は、たとえば、コンタクト型磁気ヘッド10の磁気ディスク6に対する相対的な移動方向(図1の左右方向)に交差する方向に長軸を持つ長円形に形成され、カーボン保護膜5を形成する際に、たとえば、ホトリソグラフィ技術を用いて穿設される。
【0017】
図9および図10は、本実施例のコンタクト型磁気ヘッド10の製造プロセスの一部を工程順に示す略断面図である。
【0018】
すなわち、図9(a)に例示されるように、以前のプロセスで磁気抵抗効果型素子2が形成されている基板1の磁気ディスク接触面にカーボン保護膜5を、スパッタリングや化学気相成長法等の技術によって必要な厚さ(本実施例では5ないし20nm)に被着形成する。
【0019】
次に、図9(b)に例示されるように、カーボン保護膜5(磁気ディスク接触面)のうち、接触パッド3になる領域の直上部に、当該接触パッド3の形状に選択的にホトレジスト20のマスクを形成する。
【0020】
次に、図9(c)に例示されるように、ホトレジスト20をマスクとしてアルゴンイオン等のイオンを用いたイオンエッチングによって、カーボン保護膜5およびその下側の基板1をエッチングする。
【0021】
次に、図9(d)に例示されるように、マスクのホトレジスト20を除去することにより、基板1には、頂部がカーボン保護膜5によって覆われた複数の接触パッド3が、基板1が突出した状態に形成される。また、磁気抵抗効果型素子2を含む接触パッド3では、当該磁気抵抗効果型素子2がカーボン保護膜5によって覆われ、図2に例示されるような磁気ディスク6との直接的な接触から保護される状態となる。
【0022】
本実施例では、この後、さらに図10(a)に例示されるように、複数の接触パッド3を覆うカーボン保護膜5の表面に、長円形の穴4の形状に当該カーボン保護膜5が選択的に露出するようにホトレジスト21のマスクを形成し、さらに、図10(b)に例示されるように、このホトレジスト21をマスクとする選択的なイオンエッチング等によってカーボン保護膜5に穴4を穿設し、下地の接触パッド3の表面1a(基板1の材質)を露出させ、その後、図10(c)のように、マスクとしてのホトレジスト21を除去する。これにより、図1に例示されるような、複数の接触パッド3を覆うカーボン保護膜5に長円形の複数の穴4が穿設された形状を得ることができる。
【0023】
なお、接触パッド3のカーボン保護膜5に対する複数の穴4の形成方法としては、図10に例示したようなホトリソグラフィ技術を用いることに限らず、たとえば図9の(a)〜(d)の加工方法によって複数の接触パッド3を形成した後、個々の接触パッド3の目的部位に対するレーザビームの選択的な照射によって穴4を穿設する技術、あるいは、イオンビーム等の選択的な照射によって穴4を穿設する技術等を用いることができる。レーザビームを用いる場合には、穴4の内周が加熱によって酸化されることによって表面エネルギの大きな表面が形成されるので、カーボン保護膜5の膜厚の途中の深さに設定してもよい。
【0024】
このようにしてカーボン保護膜5に穿設された穴4によって基板1(接触パッド3)の表面1aが露出する。基板1は通常酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックス基板が選ばれるが、シリコンや炭化シリコンなどの非酸化物でもよい。このシリコンや炭化シリコンなどの非酸化物で基板1を構成する場合、その表面には自然酸化層が存在するため、穴4の穿設によって、この自然酸化層が露出する。あるいは、酸素で反応性イオンエッチングをかけるなどして強制的に酸化層を形成し、この酸化層を穴4の穿設によって露出させてもよい。磁気ディスク6の表面には潤滑剤7が塗布されているが、カーボン膜の表面のため、通常必ずしも全面を被覆できない。潤滑剤7は穴4の底面の基板1の表面1aに濡れやすいため、穴4の内部に潤滑剤7が安定に保持されることによって溜る。コンタクト型磁気ヘッド10が磁気ディスク6の上を滑るとき、従来のようなコンタクト型磁気ヘッドでは、接触パッド3と磁気ディスク6の界面で潤滑剤が途切れる懸念が生じるが、本実施例のコンタクト型磁気ヘッド10では、接触パッド3のカーボン保護膜5に穿設された穴4の内部に潤滑剤7が安定に保持されて溜っているため、この穴4から潤滑剤7がコンタクト型磁気ヘッド10と磁気ディスク6の接触界面に安定に供給され、長期間に渡って潤滑剤7による潤滑作用が有効に機能する。
【0025】
以上説明したように、本実施例のコンタクト型磁気ヘッド10によれば、磁気ディスク6に対向して接触する基板1の主面に複数の接触パッド3を突設し、一つの接触パッド3の内部に磁気抵抗効果型素子2を配置するとともに、磁気抵抗効果型素子2を保護するように接触パッド3にカーボン保護膜5が形成された構造において、接触パッド3のカーボン保護膜5に複数の穴4を穿設して、カーボン保護膜5よりも濡れ性の高い基板1の表面1aを露出させ、この穴4の内部に潤滑剤7を安定に保持させるので、磁気ディスクとの接触界面に潤滑剤7を長期間に渡って安定に供給して潤滑作用を維持することができる。
【0026】
この結果、コンタクト型磁気ヘッド10および磁気ディスク6の双方の摩耗損傷をともに小さくし、さらに、摩擦熱による磁気抵抗効果型素子2の再生信号のノイズ増大を防止することができ、コンタクト型磁気ヘッド10の動作の信頼性を向上させることができる。これにより、動作の信頼性の向上と、コンタクト型磁気ヘッド10を用いることによる磁気ディスク6における情報の記録密度向上とを両立できる。
【0027】
(実施例2)
図3は、本発明の他の実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの構成の一例を示す側面図である。この実施例2では、コンタクト型磁気ヘッド10Aの基板1の接触パッド3に穿設され、潤滑剤7が溜る穴4Aの深さを実施例1の場合よりも深くした例を示す。すなわち、この実施例2では、穴4Aはカーボン保護膜5を貫通し、さらに基板1(接触パッド3)の内部に及んでいる。前述のように、穴4Aはカーボン保護膜5を形成した後、カーボン保護膜5の表面にマスクをかけ、アルゴンイオン等を用いたイオンエッチングによって穿設される。穴4Aの深さは、エッチング時間の制御等によって、容易にカーボン保護膜5の膜厚の20nm以上に深く形成できる。たとえば、穴4Aの深さを接触パッド3の高さと同程度にする場合には、前述の図9(b)の製造プロセスにおいて、接触パッド3の形状にホトレジスト20のマスクを形成する際に、穴4Aのパターンも同時に形成し、接触パッド3と穴4Aを一回のイオンエッチングで同時に形成することもできる。
【0028】
この実施例2によれば、前記実施例1の効果に加えて、穴4Aの深さを深くしたことにより、潤滑剤7に濡れる面積および保持する潤滑剤7の量を増すことができ、潤滑剤7がコンタクト型磁気ヘッド10Aと磁気ディスク6の接触界面に安定に作用する期間をより長くできる、という効果が得られる。
【0029】
(実施例3)
図4は、本発明のさらに他の実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図である。
【0030】
この実施例3の場合には、コンタクト型磁気ヘッド10Bの基板1の接触パッド3に穿設され、潤滑剤が溜る穴4Bの形状を、実施例1に例示した長円形とは異なる円形に形成するとともに、個々の穴4Bの開口部の面積を実施例1の場合よりも小さくした例を示す。小さな円形の穴4Bは、複数の接触パッド3のほぼ全面に分散して穿設されている。この場合、個々の穴4Bの内部に保持される潤滑剤7の量は少なくなるが、穴4Bの数を増やすことにより、必要な潤滑剤7の量を賄うことができる。
【0031】
本実施例3のコンタクト型磁気ヘッド10Bのように、接触パッド3に穿設される個々の穴4Bの開口部の面積を小さくすることにより、大きな塵埃の穴4Bの内部への浸入を防止することができ、穴4Bに侵入して保持された塵埃が接触パッド3の表面から突出して磁気ディスク6の表面に接触することに起因する磁気ディスク6の損傷等の障害を未然に防止することができる。
【0032】
(実施例4)
図5は、本発明のさらに他の実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であり、図6は、本実施例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【0033】
この実施例4では、コンタクト型磁気ヘッド10Cの基板1に、磁気抵抗効果型素子2を含む接触パッド9と浮上レール8が形成されており、接触パッド9および浮上レール8の表面にはカーボン保護膜5が形成されている。すなわち、コンタクト型磁気ヘッド10Cの磁気ディスク接触面には、磁気ディスク6に対する相対的な移動方向(図5の左右方向)における基板1の中心軸を対称軸として両側端に一対の浮上レール8が突設され、基板1の移動方向の後端縁の中央部に接触パッド9が配置されている。本実施例4では、基板1の表面1aを露出させる穴4Cは接触パッド9のカーボン保護膜5に選択的に形成されている。この穴4Cの内部には潤滑剤7が安定に保持される。
【0034】
図6に例示されるように、浮上レール8は大きな面積を持ち、回転する磁気ディスク6の表面に形成される空気流によって磁気ディスク6上にコンタクト型磁気ヘッド10Cの基板1を傾斜した姿勢に浮上させ、磁気抵抗効果型素子2が配置された接触パッド9のみが磁気ディスク6と接触する。接触パッド9に形成された穴4Cは実施例1と同様に、その内部に保持している潤滑剤7を接触パッド9と磁気ディスク6の接触界面に安定に供給する作用をなし、接触パッド9と磁気ディスク6との摺動動作を円滑にする。磁気ディスク6の回転が停止すると、浮上レール8も浮上力を失い、磁気ディスク6と接触する。このとき、潤滑剤7を溜める穴4Cが、接触面積の広い浮上レール8の表面には存在しないため、潤滑剤7を介してコンタクト型磁気ヘッド10Cが磁気ディスク6に粘着する、いわゆるコンタクト型磁気ヘッド10Cの固着障害を防止することができる。
【0035】
このように、本実施例4のコンタクト型磁気ヘッド10Cによれば、稼働時に、磁気抵抗効果型素子2が配置された接触パッド9のカーボン保護膜5を選択的に磁気ディスク6の表面に接触させる一部浮上型のコンタクト型磁気ヘッド10Cにおいて、磁気ディスク6に対する固着障害の発生を回避しつつ、接触パッド9と磁気ディスク6との接触界面に接触パッド9に選択的に設けられた穴4Cから効果的に潤滑剤7を作用させることが可能となり、磁気抵抗効果型素子2が配置された接触パッド9を磁気ディスク6の表面に接触させることによる情報の高記録密度の達成と、動作の信頼性の向上の双方を実現することができる。
【0036】
(実施例5)
図7は、本発明のさらに他の実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であり、図8は、本実施例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【0037】
この実施例5のコンタクト型磁気ヘッド10Dは、潤滑剤が溜る穴4Dの形状を変えたところが前述の実施例4のコンタクト型磁気ヘッド10Cと異なっている。すなわち、本実施例5では、磁気抵抗効果型素子2が配置された接触パッド9のカーボン保護膜5にに穿設された穴4Dは細長いスリット部41と、幅広の拡幅部42とで構成され、さらに、拡幅部42の後端縁にはギザギザ部43が形成されている。幅の狭いスリット部41は毛細管現象を利用して潤滑剤7の磁気ディスク6からの遊離成分を積極的に捕集し、拡幅部42は捕集された潤滑剤7を磁気ディスク6との接触界面に供給する作用をなす。穴4Dの内部の潤滑剤7は後端縁の拡幅部42のギザギザ部43の複数の先端部から供給されるため、拡幅部42の幅方向(ギザギザ部43の配列方向)の広い範囲で一様に接触界面に供給される。
【0038】
この場合、潤滑剤7の穴4Dの内部への捕集量を多くするためにスリット部41のみを選択的に深く形成することも可能である。すなわち、図8に例示される接触パッド9の断面では、穴4Dのスリット部41が他の拡幅部42やギザギザ部43に比較して選択的に深くなっている。
【0039】
このように、本実施例5のコンタクト型磁気ヘッド10Dによれば、磁気ディスク6からの潤滑剤7の遊離成分を穴4Dの深いスリット部41に毛管現象等によって積極的に捕集し、捕集したこの潤滑剤7を、後端の拡幅部42およびギザギザ部43から磁気ディスク6と接触パッド9との接触界面に均等かつ安定に供給することが可能となる。
【0040】
(実施例6)
図11は本発明の一実施例である磁気ディスク装置の構造の一部を破断して例示する斜視図である。
【0041】
本実施例の磁気ディスク装置は、前述の各実施例で述べたコンタクト型磁気ヘッド10(10A〜10D)を搭載している。
【0042】
複数の磁気ディスク6が共通のスピンドル14に所定の間隔で同軸かつ平行な姿勢で固定され、個々の磁気ディスク6の記録面には、ロードアーム11の先端部に保持されたコンタクト型磁気ヘッド10(10A〜10D)がセットされている。ロードアーム11の先端部に保持されたコンタクト型磁気ヘッド10は磁気ディスク6に所定の押圧荷重で押し付けられている。ロードアーム11の基端部はピボット軸12aを中心として揺動するアクチュエータ12に支持され、このアクチュエータ12はさらにボイスコイルモータ13によって駆動される。
【0043】
すなわち、ボイスコイルモータ13に対する通電方向や通電量の制御によって、アクチュエータ12およびロードアーム11は磁気ディスク6と平行な平面内を、揺動速度や角度が制御された揺動運動し、この揺動運動によって、ロードアーム11の先端部に支持されているコンタクト型磁気ヘッド10は磁気ディスク6の記録面上を当該磁気ディスク6の径方向に移動し、たとえば磁気ディスク6の記録面上に同心円状に配置された複数のトラックの間の移動(シーク動作)や、特定のトラックに対して追従する動作を行う。
【0044】
このように、本実施例の磁気ディスク装置によれば、磁気ディスク6に対する接触面に設けられた接触パッド3や接触パッド9のカーボン保護膜5に潤滑剤7に対する濡れ性の良好な基板1の表面1aを露出させる穴4(4A〜4D)を穿設し、この穴の内部に潤滑剤7を保持する構成のコンタクト型磁気ヘッド10(10A〜10D)を備えているので、コンタクト型磁気ヘッド10(10A〜10D)を用いることによる磁気ディスク6での情報の高記録密度化の実現と、磁気ディスク6に対する接触パッド3や接触パッド9の接触界面への潤滑剤7の安定供給による動作の円滑化、すなわち動作の信頼性の向上とを両立させることができる。
【0045】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0046】
たとえば、保護膜としては、一例としてカーボン保護膜を用いる場合を例示したが、本発明はカーボン保護膜に限定されるものではない。トランスデューサとしては、一例として磁気抵抗効果型素子を用いる場合を例示したが、本発明は磁気抵抗効果型素子に限定されるものではない。
【0047】
また、上述の各実施例に例示したコンタクト型磁気ヘッドの外観形状や接触パッドの形状等、さらには接触パッドに穿設された穴の形状は、一例であり、本発明はそれらの形状および構造に限定されるものではない。
【0048】
【発明の効果】
本発明のコンタクト型磁気ヘッドによれば、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することができる、という効果が得られる。
【0049】
また、本発明のコンタクト型磁気ヘッドによれば、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することにより、トランスデューサとして磁気抵抗効果型素子を用いることによる情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることができる、という効果が得られる。
【0050】
また、本発明の磁気ディスク装置によれば、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動領域に対する潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することにより、情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す略平面図である。
【図2】本発明の実施例1であるコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【図3】本発明の実施例2であるコンタクト型磁気ヘッドの構成の一例を示す側面図である。
【図4】本発明の実施例3であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図である。
【図5】本発明の実施例4であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図である。
【図6】本発明の実施例4であるコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【図7】本発明の実施例5であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図である。
【図8】本発明の実施例5であるコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【図9】(a)〜(d)は、本発明の実施例1であるコンタクト型磁気ヘッドの製造プロセスの一部を工程順に示す略断面図である。
【図10】(a)〜(c)は、本発明の実施例1であるコンタクト型磁気ヘッドの製造プロセスの一部を工程順に示す略断面図である。
【図11】本発明の一実施例である磁気ディスク装置の構造の一部を破断して例示する斜視図である。
【符号の説明】
1…基板、1a…表面、2…磁気抵抗効果型素子、3…接触パッド、4,4A〜4D…穴、41…スリット部、42…拡幅部、43…ギザギザ部、5…カーボン保護膜、6…磁気ディスク、7…潤滑剤、8…浮上レール、9…接触パッド、10,10A〜10D…コンタクト型磁気ヘッド、11…ロードアーム、12…アクチュエータ、12a…ピボット軸、13…ボイスコイルモータ、14…スピンドル、20…ホトレジスト、21…ホトレジスト。
Claims (3)
- 電磁変換によって磁気ディスクに対する情報の記録再生動作を行うトランスデューサが前記磁気ディスクに対向する基板主面に配置され、前記基板主面の少なくとも前記トランスデューサの配置領域に保護膜が形成されたコンタクト型磁気ヘッドであって、前記保護膜よりも表面エネルギの大きな面を露出させる少なくとも一個の穴が前記保護膜に穿設され、前記穴は、前記コンタクト型磁気ヘッドの前記磁気ディスクに対する相対的な移動方向に平行に形成されたスリット部と、このスリット部の後端縁に形成された拡幅部とからなることを特徴とするコンタクト型磁気ヘッド。
- 請求項1記載のコンタクト型磁気ヘッドにおいて、
前記穴は、前記保護膜を貫通して前記基板主面の内部に及ぶ深さを有する構造、
あるいは、前記コンタクト型磁気ヘッドの前記磁気ディスクに対する相対的な移動方向の後端縁にギザギザが形成された構造、
の少なくとも一方の構造を有することを特徴とするコンタクト型磁気ヘッド。 - 請求項1または2記載のコンタクト型磁気ヘッドと、前記コンタクト型磁気ヘッドによって情報の記録再生が行われる磁気ディスクと、前記コンタクト型磁気ヘッドを支持し、当該コンタクト型磁気ヘッドを前記磁気ディスクに対して所望の荷重で押圧するロードアームと、前記ロードアームを介して前記コンタクト型磁気ヘッドの前記磁気ディスクの径方向における移動および位置決めを行うアクチュエータと、前記磁気ディスクを回転駆動するスピンドルとを含み、前記コンタクト型磁気ヘッドと前記磁気ディスクとが接触した状態で情報の記録再生動作が行われることを特徴とする磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05137695A JP3626526B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05137695A JP3626526B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08249638A JPH08249638A (ja) | 1996-09-27 |
JP3626526B2 true JP3626526B2 (ja) | 2005-03-09 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05137695A Expired - Fee Related JP3626526B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3626526B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100528885B1 (ko) * | 1999-01-30 | 2005-11-16 | 삼성전자주식회사 | 자기 기록 디스크 장치의 헤드 슬라이더 구조 |
KR100469246B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록용 슬라이더 |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP05137695A patent/JP3626526B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08249638A (ja) | 1996-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040413 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 3 |
|
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 Year of fee payment: 8 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 Year of fee payment: 8 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |