JPH08249638A - コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 - Google Patents
コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JPH08249638A JPH08249638A JP5137695A JP5137695A JPH08249638A JP H08249638 A JPH08249638 A JP H08249638A JP 5137695 A JP5137695 A JP 5137695A JP 5137695 A JP5137695 A JP 5137695A JP H08249638 A JPH08249638 A JP H08249638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- magnetic disk
- magnetic head
- protective film
- contact type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 abstract description 55
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 54
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 54
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 6
- VQYHBXLHGKQYOY-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Ti+4] VQYHBXLHGKQYOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 241000549194 Euonymus europaeus Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/50—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges
- G11B23/505—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers
- G11B23/507—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers combined with means for reducing influence of physical parameters, e.g. temperature change, moisture
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスクに対
する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に
維持する。 【構成】 磁気ディスクの記録面に対向して接触する基
板１の主面に複数の接触パッド３を突設し、一つの接触
パッド３の内部には磁気抵抗効果型素子２を配置し、各
接触パッド３の表面にカーボン保護膜５を形成したコン
タクト型磁気ヘッド１０において、複数の接触パッド３
のカーボン保護膜５に当該カーボン保護膜５を貫通する
複数の穴４を穿設し、カーボン保護膜５よりも表面エネ
ルギが大きく潤滑剤に対して濡れ性の良好な下地の基板
１の表面１ａを露出させ、この穴４の内部に潤滑剤を捕
集して安定に保持するとともに、穴４から潤滑剤を接触
パッド３と磁気ディスクの接触界面に長期間安定に供給
して潤滑性能を維持する。
する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に
維持する。 【構成】 磁気ディスクの記録面に対向して接触する基
板１の主面に複数の接触パッド３を突設し、一つの接触
パッド３の内部には磁気抵抗効果型素子２を配置し、各
接触パッド３の表面にカーボン保護膜５を形成したコン
タクト型磁気ヘッド１０において、複数の接触パッド３
のカーボン保護膜５に当該カーボン保護膜５を貫通する
複数の穴４を穿設し、カーボン保護膜５よりも表面エネ
ルギが大きく潤滑剤に対して濡れ性の良好な下地の基板
１の表面１ａを露出させ、この穴４の内部に潤滑剤を捕
集して安定に保持するとともに、穴４から潤滑剤を接触
パッド３と磁気ディスクの接触界面に長期間安定に供給
して潤滑性能を維持する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンタクト型磁気ヘッ
ドおよび磁気ディスク装置に関し、特に、トランスデュ
ーサとして磁気抵抗効果型素子を備え、磁気ディスクと
接触しつつ信号の記録と再生を行なうコンタクト型磁気
ヘッドおよびそれを用いた磁気ディスク装置に適用して
有効な技術に関する。
ドおよび磁気ディスク装置に関し、特に、トランスデュ
ーサとして磁気抵抗効果型素子を備え、磁気ディスクと
接触しつつ信号の記録と再生を行なうコンタクト型磁気
ヘッドおよびそれを用いた磁気ディスク装置に適用して
有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】媒体である磁気ディスクへの情報の記録
密度向上の要請に呼応して、磁気ディスク装置の磁気ヘ
ッド素子には、信号特性が良好で高記録密度の達成が可
能な磁気抵抗効果型素子が用いられつつある。この磁気
抵抗効果型素子は、たとえば高透磁率合金等で構成され
るため、腐食損傷に対して表面を保護する必要がある。
そこで、典型的には特開平４−３６４２１７号公報に開
示されているように、カーボンの保護膜が用いられる。
また、カーボン保護膜は磁気ディスクや塵埃との偶発的
な接触に対してヘッドを保護する役割りも担っている。
一方、磁気ディスクの保護膜としても一般的にカーボン
が用いられており、磁気ディスクの表面には、磁気ヘッ
ドとの摺動を円滑にする等の目的で、さらに潤滑剤が塗
られていることが一般的である。
密度向上の要請に呼応して、磁気ディスク装置の磁気ヘ
ッド素子には、信号特性が良好で高記録密度の達成が可
能な磁気抵抗効果型素子が用いられつつある。この磁気
抵抗効果型素子は、たとえば高透磁率合金等で構成され
るため、腐食損傷に対して表面を保護する必要がある。
そこで、典型的には特開平４−３６４２１７号公報に開
示されているように、カーボンの保護膜が用いられる。
また、カーボン保護膜は磁気ディスクや塵埃との偶発的
な接触に対してヘッドを保護する役割りも担っている。
一方、磁気ディスクの保護膜としても一般的にカーボン
が用いられており、磁気ディスクの表面には、磁気ヘッ
ドとの摺動を円滑にする等の目的で、さらに潤滑剤が塗
られていることが一般的である。
【０００３】信号の記録密度を増大させるためには、原
理上、磁気ヘッドの素子と磁気ディスクの間隔をできる
だけ接近させることが望ましい。磁気ヘッドスライダは
通常、浮上型であるが、究極的には磁気ヘッドが磁気デ
ィスクと接触しつつ信号の記録と再生を行なうコンタク
ト記録に移行することが予測されている。
理上、磁気ヘッドの素子と磁気ディスクの間隔をできる
だけ接近させることが望ましい。磁気ヘッドスライダは
通常、浮上型であるが、究極的には磁気ヘッドが磁気デ
ィスクと接触しつつ信号の記録と再生を行なうコンタク
ト記録に移行することが予測されている。
【０００４】磁気ヘッドの潤滑性を向上させる手段とし
て、例えば特開昭５６−７７９４９号公報の技術では、
磁気ヘッドスライダの基板に多孔質なセラミックスを用
い、その孔に潤滑剤を含浸させる手法を開示している。
て、例えば特開昭５６−７７９４９号公報の技術では、
磁気ヘッドスライダの基板に多孔質なセラミックスを用
い、その孔に潤滑剤を含浸させる手法を開示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】コンタクト記録型磁気
ディスク装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスクの
摩擦、摩耗を長期に渡って最小にすることが大きな課題
となる。磁気抵抗効果型素子が用いられる場合には、カ
ーボンの保護膜同士の接触となる。カーボンは、通常用
いられるスライダ材料の酸化アルミニウム−炭化チタン
セラミックスよりも表面エネルギが小さいため、潤滑剤
が濡れにくくなる。従って、カーボン保護膜で覆われた
磁気ヘッドと磁気ディスクの接触界面では、長期に渡っ
ての摺動の過程で潤滑剤が途切れる懸念がある。
ディスク装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスクの
摩擦、摩耗を長期に渡って最小にすることが大きな課題
となる。磁気抵抗効果型素子が用いられる場合には、カ
ーボンの保護膜同士の接触となる。カーボンは、通常用
いられるスライダ材料の酸化アルミニウム−炭化チタン
セラミックスよりも表面エネルギが小さいため、潤滑剤
が濡れにくくなる。従って、カーボン保護膜で覆われた
磁気ヘッドと磁気ディスクの接触界面では、長期に渡っ
ての摺動の過程で潤滑剤が途切れる懸念がある。
【０００６】ここで、前述の多孔質なセラミックスに潤
滑剤を含浸させる手法を考えると、いくつかの問題点が
ある。すなわち、磁気抵抗効果型素子を薄膜プロセスで
形成するためには極めて平滑な基板が必要であり、多孔
質なセラミックス基板では不適なこと、セラミックス表
面の小さな孔ではその表面にカーボン保護膜を形成する
と埋まってしまうこと、残った孔の表面もカーボン保護
膜で覆われるため、潤滑剤が濡れにくいことに変わりが
ないこと、等である。したがって、この多孔質なセラミ
ックスに潤滑剤を含浸させる手法は磁気抵抗効果型素子
とその保護膜を備えたヘッドの場合には必ずしも適切で
はない。
滑剤を含浸させる手法を考えると、いくつかの問題点が
ある。すなわち、磁気抵抗効果型素子を薄膜プロセスで
形成するためには極めて平滑な基板が必要であり、多孔
質なセラミックス基板では不適なこと、セラミックス表
面の小さな孔ではその表面にカーボン保護膜を形成する
と埋まってしまうこと、残った孔の表面もカーボン保護
膜で覆われるため、潤滑剤が濡れにくいことに変わりが
ないこと、等である。したがって、この多孔質なセラミ
ックスに潤滑剤を含浸させる手法は磁気抵抗効果型素子
とその保護膜を備えたヘッドの場合には必ずしも適切で
はない。
【０００７】本発明の目的は、磁気ディスクに対する摺
動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持す
ることが可能なコンタクト型磁気ヘッドを提供すること
にある。
動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持す
ることが可能なコンタクト型磁気ヘッドを提供すること
にある。
【０００８】本発明の他の目的は、磁気ディスクに対す
る摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維
持することにより、トランスデューサとして磁気抵抗効
果型素子を用いることによる情報の記録密度の向上と動
作の信頼性とを両立させることが可能なコンタクト型磁
気ヘッドを提供することにある。
る摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維
持することにより、トランスデューサとして磁気抵抗効
果型素子を用いることによる情報の記録密度の向上と動
作の信頼性とを両立させることが可能なコンタクト型磁
気ヘッドを提供することにある。
【０００９】本発明のさらに他の目的は、コンタクト型
磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動領域に対する潤滑剤の
供給を長期間に渡って安定に維持することにより、情報
の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることが
可能な磁気ディスク装置を提供することにある。
磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動領域に対する潤滑剤の
供給を長期間に渡って安定に維持することにより、情報
の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることが
可能な磁気ディスク装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のコンタクト型磁
気ヘッドは、磁気ディスクと接触する基板主面の素子保
護膜に１個または複数の穴を設け、該保護膜よりも表面
エネルギが大きい面を露出させる構造を備えている。具
体的には、カーボン保護膜に１個または複数の穴を設
け、酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックス基板等
の表面を露出させる。基板がシリコンや炭化シリコンな
どの非酸化物の場合、その表面には自然酸化層が存在す
るため、この自然酸化層を露出させてもよい。あるい
は、強制的に酸化層を形成し、この強制酸化層を露出さ
せてもよい。
気ヘッドは、磁気ディスクと接触する基板主面の素子保
護膜に１個または複数の穴を設け、該保護膜よりも表面
エネルギが大きい面を露出させる構造を備えている。具
体的には、カーボン保護膜に１個または複数の穴を設
け、酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックス基板等
の表面を露出させる。基板がシリコンや炭化シリコンな
どの非酸化物の場合、その表面には自然酸化層が存在す
るため、この自然酸化層を露出させてもよい。あるい
は、強制的に酸化層を形成し、この強制酸化層を露出さ
せてもよい。
【００１１】また、本発明の磁気ディスク装置では、磁
気ディスクと接触する部分の素子保護膜に１個または複
数の穴を設け、該保護膜よりも表面エネルギが大きい面
を露出させた構造のコンタクト型磁気ヘッドを用い、コ
ンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクとを摺動させなが
ら稼働させる構成としたものである。
気ディスクと接触する部分の素子保護膜に１個または複
数の穴を設け、該保護膜よりも表面エネルギが大きい面
を露出させた構造のコンタクト型磁気ヘッドを用い、コ
ンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクとを摺動させなが
ら稼働させる構成としたものである。
【００１２】
【作用】酸化物の表面はカーボン保護膜よりも表面エネ
ルギが大きい。カーボン保護膜の表面エネルギが４０〜
６０エルグ／ｃｍであるのに対し、通常の酸化物では１
００エルグ／ｃｍもしくはそれ以上、酸化アルミニウム
−炭化チタンセラミックスで８０〜１００エルグ／ｃｍ
である。したがって、酸化物の表面の方が潤滑剤が濡れ
やすい。さらに、カーボン保護膜に設けた穴には膜厚分
の段差があるため、穴の内部に潤滑剤が溜る。磁気ディ
スクとの接触の際に、カーボン保護膜に穿設された穴に
保持されている潤滑剤が有効に供給され、コンタクト型
磁気ヘッドと磁気ディスクの間の摺動領域の潤滑作用を
なし、両者の円滑な摺動動作が実現される。カーボン保
護膜に穿設された穴の内部に溜る潤滑剤の量を増すため
に、穴をさらに基板内部側に掘り下げてもよい。
ルギが大きい。カーボン保護膜の表面エネルギが４０〜
６０エルグ／ｃｍであるのに対し、通常の酸化物では１
００エルグ／ｃｍもしくはそれ以上、酸化アルミニウム
−炭化チタンセラミックスで８０〜１００エルグ／ｃｍ
である。したがって、酸化物の表面の方が潤滑剤が濡れ
やすい。さらに、カーボン保護膜に設けた穴には膜厚分
の段差があるため、穴の内部に潤滑剤が溜る。磁気ディ
スクとの接触の際に、カーボン保護膜に穿設された穴に
保持されている潤滑剤が有効に供給され、コンタクト型
磁気ヘッドと磁気ディスクの間の摺動領域の潤滑作用を
なし、両者の円滑な摺動動作が実現される。カーボン保
護膜に穿設された穴の内部に溜る潤滑剤の量を増すため
に、穴をさらに基板内部側に掘り下げてもよい。
【００１３】カーボン保護膜の接触部に設けた穴の面積
だけ、実効接触面積は減少する。このため、接触面積に
比例する摩擦力が減少し、磁気抵抗効果型素子と潤滑剤
にとって有害な摩擦熱の発生を抑制する働きもある。
だけ、実効接触面積は減少する。このため、接触面積に
比例する摩擦力が減少し、磁気抵抗効果型素子と潤滑剤
にとって有害な摩擦熱の発生を抑制する働きもある。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１５】（実施例１）図１は、本発明の一実施例で
あるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形
状の一例を示す略平面図であり、図２は、本実施例のコ
ンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触し
た稼働状態の一例を示す側面図である。
あるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形
状の一例を示す略平面図であり、図２は、本実施例のコ
ンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触し
た稼働状態の一例を示す側面図である。
【００１６】この実施例では、基板１の磁気ディスク６
に対向する磁気ディスク接触面（主面）に当該磁気ディ
スク６に接触する複数の接触パッド３（本実施例では３
個）が突設され、この接触パッド３の中の１つに電磁変
換を行うトランスデューサとしての磁気抵抗効果型素子
２が内蔵されている。基板１に突設された全ての接触パ
ッド３の頂部にはカーボン保護膜５が被覆され、カーボ
ン保護膜５の厚さは、たとえば５ないし２０ｎｍに設定
されている。本実施例では、このカーボン保護膜５に穴
４が形成されている。この穴４の深さは、本実施例で
は、図２に例示されるように、接触パッド３の表面のカ
ーボン保護膜５を貫通して下地の接触パッド３の表面１
ａを露出させる値に設定されている。また、穴４の開口
部の形状は、たとえば、コンタクト型磁気ヘッド１０の
磁気ディスク６に対する相対的な移動方向（図１の左右
方向）に交差する方向に長軸を持つ長円形に形成され、
カーボン保護膜５を形成する際に、たとえば、ホトリソ
グラフィ技術を用いて穿設される。
に対向する磁気ディスク接触面（主面）に当該磁気ディ
スク６に接触する複数の接触パッド３（本実施例では３
個）が突設され、この接触パッド３の中の１つに電磁変
換を行うトランスデューサとしての磁気抵抗効果型素子
２が内蔵されている。基板１に突設された全ての接触パ
ッド３の頂部にはカーボン保護膜５が被覆され、カーボ
ン保護膜５の厚さは、たとえば５ないし２０ｎｍに設定
されている。本実施例では、このカーボン保護膜５に穴
４が形成されている。この穴４の深さは、本実施例で
は、図２に例示されるように、接触パッド３の表面のカ
ーボン保護膜５を貫通して下地の接触パッド３の表面１
ａを露出させる値に設定されている。また、穴４の開口
部の形状は、たとえば、コンタクト型磁気ヘッド１０の
磁気ディスク６に対する相対的な移動方向（図１の左右
方向）に交差する方向に長軸を持つ長円形に形成され、
カーボン保護膜５を形成する際に、たとえば、ホトリソ
グラフィ技術を用いて穿設される。
【００１７】図９および図１０は、本実施例のコンタク
ト型磁気ヘッド１０の製造プロセスの一部を工程順に示
す略断面図である。
ト型磁気ヘッド１０の製造プロセスの一部を工程順に示
す略断面図である。
【００１８】すなわち、図９（ａ）に例示されるよう
に、以前のプロセスで磁気抵抗効果型素子２が形成され
ている基板１の磁気ディスク接触面にカーボン保護膜５
を、スパッタリングや化学気相成長法等の技術によって
必要な厚さ（本実施例では５ないし２０ｎｍ）に被着形
成する。
に、以前のプロセスで磁気抵抗効果型素子２が形成され
ている基板１の磁気ディスク接触面にカーボン保護膜５
を、スパッタリングや化学気相成長法等の技術によって
必要な厚さ（本実施例では５ないし２０ｎｍ）に被着形
成する。
【００１９】次に、図９（ｂ）に例示されるように、カ
ーボン保護膜５（磁気ディスク接触面）のうち、接触パ
ッド３になる領域の直上部に、当該接触パッド３の形状
に選択的にホトレジスト２０のマスクを形成する。
ーボン保護膜５（磁気ディスク接触面）のうち、接触パ
ッド３になる領域の直上部に、当該接触パッド３の形状
に選択的にホトレジスト２０のマスクを形成する。
【００２０】次に、図９（ｃ）に例示されるように、ホ
トレジスト２０をマスクとしてアルゴンイオン等のイオ
ンを用いたイオンエッチングによって、カーボン保護膜
５およびその下側の基板１をエッチングする。
トレジスト２０をマスクとしてアルゴンイオン等のイオ
ンを用いたイオンエッチングによって、カーボン保護膜
５およびその下側の基板１をエッチングする。
【００２１】次に、図９（ｄ）に例示されるように、マ
スクのホトレジスト２０を除去することにより、基板１
には、頂部がカーボン保護膜５によって覆われた複数の
接触パッド３が、基板１が突出した状態に形成される。
また、磁気抵抗効果型素子２を含む接触パッド３では、
当該磁気抵抗効果型素子２がカーボン保護膜５によって
覆われ、図２に例示されるような磁気ディスク６との直
接的な接触から保護される状態となる。
スクのホトレジスト２０を除去することにより、基板１
には、頂部がカーボン保護膜５によって覆われた複数の
接触パッド３が、基板１が突出した状態に形成される。
また、磁気抵抗効果型素子２を含む接触パッド３では、
当該磁気抵抗効果型素子２がカーボン保護膜５によって
覆われ、図２に例示されるような磁気ディスク６との直
接的な接触から保護される状態となる。
【００２２】本実施例では、この後、さらに図１０
（ａ）に例示されるように、複数の接触パッド３を覆う
カーボン保護膜５の表面に、長円形の穴４の形状に当該
カーボン保護膜５が選択的に露出するようにホトレジス
ト２１のマスクを形成し、さらに、図１０（ｂ）に例示
されるように、このホトレジスト２１をマスクとする選
択的なイオンエッチング等によってカーボン保護膜５に
穴４を穿設し、下地の接触パッド３の表面１ａ（基板１
の材質）を露出させ、その後、図１０（ｃ）のように、
マスクとしてのホトレジスト２１を除去する。これによ
り、図１に例示されるような、複数の接触パッド３を覆
うカーボン保護膜５に長円形の複数の穴４が穿設された
形状を得ることができる。
（ａ）に例示されるように、複数の接触パッド３を覆う
カーボン保護膜５の表面に、長円形の穴４の形状に当該
カーボン保護膜５が選択的に露出するようにホトレジス
ト２１のマスクを形成し、さらに、図１０（ｂ）に例示
されるように、このホトレジスト２１をマスクとする選
択的なイオンエッチング等によってカーボン保護膜５に
穴４を穿設し、下地の接触パッド３の表面１ａ（基板１
の材質）を露出させ、その後、図１０（ｃ）のように、
マスクとしてのホトレジスト２１を除去する。これによ
り、図１に例示されるような、複数の接触パッド３を覆
うカーボン保護膜５に長円形の複数の穴４が穿設された
形状を得ることができる。
【００２３】なお、接触パッド３のカーボン保護膜５に
対する複数の穴４の形成方法としては、図１０に例示し
たようなホトリソグラフィ技術を用いることに限らず、
たとえば図９の（ａ）〜（ｄ）の加工方法によって複数
の接触パッド３を形成した後、個々の接触パッド３の目
的部位に対するレーザビームの選択的な照射によって穴
４を穿設する技術、あるいは、イオンビーム等の選択的
な照射によって穴４を穿設する技術等を用いることがで
きる。レーザビームを用いる場合には、穴４の内周が加
熱によって酸化されることによって表面エネルギの大き
な表面が形成されるので、カーボン保護膜５の膜厚の途
中の深さに設定してもよい。
対する複数の穴４の形成方法としては、図１０に例示し
たようなホトリソグラフィ技術を用いることに限らず、
たとえば図９の（ａ）〜（ｄ）の加工方法によって複数
の接触パッド３を形成した後、個々の接触パッド３の目
的部位に対するレーザビームの選択的な照射によって穴
４を穿設する技術、あるいは、イオンビーム等の選択的
な照射によって穴４を穿設する技術等を用いることがで
きる。レーザビームを用いる場合には、穴４の内周が加
熱によって酸化されることによって表面エネルギの大き
な表面が形成されるので、カーボン保護膜５の膜厚の途
中の深さに設定してもよい。
【００２４】このようにしてカーボン保護膜５に穿設さ
れた穴４によって基板１（接触パッド３）の表面１ａが
露出する。基板１は通常酸化アルミニウム−炭化チタン
セラミックス基板が選ばれるが、シリコンや炭化シリコ
ンなどの非酸化物でもよい。このシリコンや炭化シリコ
ンなどの非酸化物で基板１を構成する場合、その表面に
は自然酸化層が存在するため、穴４の穿設によって、こ
の自然酸化層が露出する。あるいは、酸素で反応性イオ
ンエッチングをかけるなどして強制的に酸化層を形成
し、この酸化層を穴４の穿設によって露出させてもよ
い。磁気ディスク６の表面には潤滑剤７が塗布されてい
るが、カーボン膜の表面のため、通常必ずしも全面を被
覆できない。潤滑剤７は穴４の底面の基板１の表面１ａ
に濡れやすいため、穴４の内部に潤滑剤７が安定に保持
されることによって溜る。コンタクト型磁気ヘッド１０
が磁気ディスク６の上を滑るとき、従来のようなコンタ
クト型磁気ヘッドでは、接触パッド３と磁気ディスク６
の界面で潤滑剤が途切れる懸念が生じるが、本実施例の
コンタクト型磁気ヘッド１０では、接触パッド３のカー
ボン保護膜５に穿設された穴４の内部に潤滑剤７が安定
に保持されて溜っているため、この穴４から潤滑剤７が
コンタクト型磁気ヘッド１０と磁気ディスク６の接触界
面に安定に供給され、長期間に渡って潤滑剤７による潤
滑作用が有効に機能する。
れた穴４によって基板１（接触パッド３）の表面１ａが
露出する。基板１は通常酸化アルミニウム−炭化チタン
セラミックス基板が選ばれるが、シリコンや炭化シリコ
ンなどの非酸化物でもよい。このシリコンや炭化シリコ
ンなどの非酸化物で基板１を構成する場合、その表面に
は自然酸化層が存在するため、穴４の穿設によって、こ
の自然酸化層が露出する。あるいは、酸素で反応性イオ
ンエッチングをかけるなどして強制的に酸化層を形成
し、この酸化層を穴４の穿設によって露出させてもよ
い。磁気ディスク６の表面には潤滑剤７が塗布されてい
るが、カーボン膜の表面のため、通常必ずしも全面を被
覆できない。潤滑剤７は穴４の底面の基板１の表面１ａ
に濡れやすいため、穴４の内部に潤滑剤７が安定に保持
されることによって溜る。コンタクト型磁気ヘッド１０
が磁気ディスク６の上を滑るとき、従来のようなコンタ
クト型磁気ヘッドでは、接触パッド３と磁気ディスク６
の界面で潤滑剤が途切れる懸念が生じるが、本実施例の
コンタクト型磁気ヘッド１０では、接触パッド３のカー
ボン保護膜５に穿設された穴４の内部に潤滑剤７が安定
に保持されて溜っているため、この穴４から潤滑剤７が
コンタクト型磁気ヘッド１０と磁気ディスク６の接触界
面に安定に供給され、長期間に渡って潤滑剤７による潤
滑作用が有効に機能する。
【００２５】以上説明したように、本実施例のコンタク
ト型磁気ヘッド１０によれば、磁気ディスク６に対向し
て接触する基板１の主面に複数の接触パッド３を突設
し、一つの接触パッド３の内部に磁気抵抗効果型素子２
を配置するとともに、磁気抵抗効果型素子２を保護する
ように接触パッド３にカーボン保護膜５が形成された構
造において、接触パッド３のカーボン保護膜５に複数の
穴４を穿設して、カーボン保護膜５よりも濡れ性の高い
基板１の表面１ａを露出させ、この穴４の内部に潤滑剤
７を安定に保持させるので、磁気ディスクとの接触界面
に潤滑剤７を長期間に渡って安定に供給して潤滑作用を
維持することができる。
ト型磁気ヘッド１０によれば、磁気ディスク６に対向し
て接触する基板１の主面に複数の接触パッド３を突設
し、一つの接触パッド３の内部に磁気抵抗効果型素子２
を配置するとともに、磁気抵抗効果型素子２を保護する
ように接触パッド３にカーボン保護膜５が形成された構
造において、接触パッド３のカーボン保護膜５に複数の
穴４を穿設して、カーボン保護膜５よりも濡れ性の高い
基板１の表面１ａを露出させ、この穴４の内部に潤滑剤
７を安定に保持させるので、磁気ディスクとの接触界面
に潤滑剤７を長期間に渡って安定に供給して潤滑作用を
維持することができる。
【００２６】この結果、コンタクト型磁気ヘッド１０お
よび磁気ディスク６の双方の摩耗損傷をともに小さく
し、さらに、摩擦熱による磁気抵抗効果型素子２の再生
信号のノイズ増大を防止することができ、コンタクト型
磁気ヘッド１０の動作の信頼性を向上させることができ
る。これにより、動作の信頼性の向上と、コンタクト型
磁気ヘッド１０を用いることによる磁気ディスク６にお
ける情報の記録密度向上とを両立できる。
よび磁気ディスク６の双方の摩耗損傷をともに小さく
し、さらに、摩擦熱による磁気抵抗効果型素子２の再生
信号のノイズ増大を防止することができ、コンタクト型
磁気ヘッド１０の動作の信頼性を向上させることができ
る。これにより、動作の信頼性の向上と、コンタクト型
磁気ヘッド１０を用いることによる磁気ディスク６にお
ける情報の記録密度向上とを両立できる。
【００２７】（実施例２）図３は、本発明の他の実施例
であるコンタクト型磁気ヘッドの構成の一例を示す側面
図である。この実施例２では、コンタクト型磁気ヘッド
１０Ａの基板１の接触パッド３に穿設され、潤滑剤７が
溜る穴４Ａの深さを実施例１の場合よりも深くした例を
示す。すなわち、この実施例２では、穴４Ａはカーボン
保護膜５を貫通し、さらに基板１（接触パッド３）の内
部に及んでいる。前述のように、穴４Ａはカーボン保護
膜５を形成した後、カーボン保護膜５の表面にマスクを
かけ、アルゴンイオン等を用いたイオンエッチングによ
って穿設される。穴４Ａの深さは、エッチング時間の制
御等によって、容易にカーボン保護膜５の膜厚の２０ｎ
ｍ以上に深く形成できる。たとえば、穴４Ａの深さを接
触パッド３の高さと同程度にする場合には、前述の図９
（ｂ）の製造プロセスにおいて、接触パッド３の形状に
ホトレジスト２０のマスクを形成する際に、穴４Ａのパ
ターンも同時に形成し、接触パッド３と穴４Ａを一回の
イオンエッチングで同時に形成することもできる。
であるコンタクト型磁気ヘッドの構成の一例を示す側面
図である。この実施例２では、コンタクト型磁気ヘッド
１０Ａの基板１の接触パッド３に穿設され、潤滑剤７が
溜る穴４Ａの深さを実施例１の場合よりも深くした例を
示す。すなわち、この実施例２では、穴４Ａはカーボン
保護膜５を貫通し、さらに基板１（接触パッド３）の内
部に及んでいる。前述のように、穴４Ａはカーボン保護
膜５を形成した後、カーボン保護膜５の表面にマスクを
かけ、アルゴンイオン等を用いたイオンエッチングによ
って穿設される。穴４Ａの深さは、エッチング時間の制
御等によって、容易にカーボン保護膜５の膜厚の２０ｎ
ｍ以上に深く形成できる。たとえば、穴４Ａの深さを接
触パッド３の高さと同程度にする場合には、前述の図９
（ｂ）の製造プロセスにおいて、接触パッド３の形状に
ホトレジスト２０のマスクを形成する際に、穴４Ａのパ
ターンも同時に形成し、接触パッド３と穴４Ａを一回の
イオンエッチングで同時に形成することもできる。
【００２８】この実施例２によれば、前記実施例１の効
果に加えて、穴４Ａの深さを深くしたことにより、潤滑
剤７に濡れる面積および保持する潤滑剤７の量を増すこ
とができ、潤滑剤７がコンタクト型磁気ヘッド１０Ａと
磁気ディスク６の接触界面に安定に作用する期間をより
長くできる、という効果が得られる。
果に加えて、穴４Ａの深さを深くしたことにより、潤滑
剤７に濡れる面積および保持する潤滑剤７の量を増すこ
とができ、潤滑剤７がコンタクト型磁気ヘッド１０Ａと
磁気ディスク６の接触界面に安定に作用する期間をより
長くできる、という効果が得られる。
【００２９】（実施例３）図４は、本発明のさらに他の
実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接
触面の形状の一例を示す平面図である。
実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接
触面の形状の一例を示す平面図である。
【００３０】この実施例３の場合には、コンタクト型磁
気ヘッド１０Ｂの基板１の接触パッド３に穿設され、潤
滑剤が溜る穴４Ｂの形状を、実施例１に例示した長円形
とは異なる円形に形成するとともに、個々の穴４Ｂの開
口部の面積を実施例１の場合よりも小さくした例を示
す。小さな円形の穴４Ｂは、複数の接触パッド３のほぼ
全面に分散して穿設されている。この場合、個々の穴４
Ｂの内部に保持される潤滑剤７の量は少なくなるが、穴
４Ｂの数を増やすことにより、必要な潤滑剤７の量を賄
うことができる。
気ヘッド１０Ｂの基板１の接触パッド３に穿設され、潤
滑剤が溜る穴４Ｂの形状を、実施例１に例示した長円形
とは異なる円形に形成するとともに、個々の穴４Ｂの開
口部の面積を実施例１の場合よりも小さくした例を示
す。小さな円形の穴４Ｂは、複数の接触パッド３のほぼ
全面に分散して穿設されている。この場合、個々の穴４
Ｂの内部に保持される潤滑剤７の量は少なくなるが、穴
４Ｂの数を増やすことにより、必要な潤滑剤７の量を賄
うことができる。
【００３１】本実施例３のコンタクト型磁気ヘッド１０
Ｂのように、接触パッド３に穿設される個々の穴４Ｂの
開口部の面積を小さくすることにより、大きな塵埃の穴
４Ｂの内部への浸入を防止することができ、穴４Ｂに侵
入して保持された塵埃が接触パッド３の表面から突出し
て磁気ディスク６の表面に接触することに起因する磁気
ディスク６の損傷等の障害を未然に防止することができ
る。
Ｂのように、接触パッド３に穿設される個々の穴４Ｂの
開口部の面積を小さくすることにより、大きな塵埃の穴
４Ｂの内部への浸入を防止することができ、穴４Ｂに侵
入して保持された塵埃が接触パッド３の表面から突出し
て磁気ディスク６の表面に接触することに起因する磁気
ディスク６の損傷等の障害を未然に防止することができ
る。
【００３２】（実施例４）図５は、本発明のさらに他の
実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接
触面の形状の一例を示す平面図であり、図６は、本実施
例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと
接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接
触面の形状の一例を示す平面図であり、図６は、本実施
例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと
接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【００３３】この実施例４では、コンタクト型磁気ヘッ
ド１０Ｃの基板１に、磁気抵抗効果型素子２を含む接触
パッド９と浮上レール８が形成されており、接触パッド
９および浮上レール８の表面にはカーボン保護膜５が形
成されている。すなわち、コンタクト型磁気ヘッド１０
Ｃの磁気ディスク接触面には、磁気ディスク６に対する
相対的な移動方向（図５の左右方向）における基板１の
中心軸を対称軸として両側端に一対の浮上レール８が突
設され、基板１の移動方向の後端縁の中央部に接触パッ
ド９が配置されている。本実施例４では、基板１の表面
１ａを露出させる穴４Ｃは接触パッド９のカーボン保護
膜５に選択的に形成されている。この穴４Ｃの内部には
潤滑剤７が安定に保持される。
ド１０Ｃの基板１に、磁気抵抗効果型素子２を含む接触
パッド９と浮上レール８が形成されており、接触パッド
９および浮上レール８の表面にはカーボン保護膜５が形
成されている。すなわち、コンタクト型磁気ヘッド１０
Ｃの磁気ディスク接触面には、磁気ディスク６に対する
相対的な移動方向（図５の左右方向）における基板１の
中心軸を対称軸として両側端に一対の浮上レール８が突
設され、基板１の移動方向の後端縁の中央部に接触パッ
ド９が配置されている。本実施例４では、基板１の表面
１ａを露出させる穴４Ｃは接触パッド９のカーボン保護
膜５に選択的に形成されている。この穴４Ｃの内部には
潤滑剤７が安定に保持される。
【００３４】図６に例示されるように、浮上レール８は
大きな面積を持ち、回転する磁気ディスク６の表面に形
成される空気流によって磁気ディスク６上にコンタクト
型磁気ヘッド１０Ｃの基板１を傾斜した姿勢に浮上さ
せ、磁気抵抗効果型素子２が配置された接触パッド９の
みが磁気ディスク６と接触する。接触パッド９に形成さ
れた穴４Ｃは実施例１と同様に、その内部に保持してい
る潤滑剤７を接触パッド９と磁気ディスク６の接触界面
に安定に供給する作用をなし、接触パッド９と磁気ディ
スク６との摺動動作を円滑にする。磁気ディスク６の回
転が停止すると、浮上レール８も浮上力を失い、磁気デ
ィスク６と接触する。このとき、潤滑剤７を溜める穴４
Ｃが、接触面積の広い浮上レール８の表面には存在しな
いため、潤滑剤７を介してコンタクト型磁気ヘッド１０
Ｃが磁気ディスク６に粘着する、いわゆるコンタクト型
磁気ヘッド１０Ｃの固着障害を防止することができる。
大きな面積を持ち、回転する磁気ディスク６の表面に形
成される空気流によって磁気ディスク６上にコンタクト
型磁気ヘッド１０Ｃの基板１を傾斜した姿勢に浮上さ
せ、磁気抵抗効果型素子２が配置された接触パッド９の
みが磁気ディスク６と接触する。接触パッド９に形成さ
れた穴４Ｃは実施例１と同様に、その内部に保持してい
る潤滑剤７を接触パッド９と磁気ディスク６の接触界面
に安定に供給する作用をなし、接触パッド９と磁気ディ
スク６との摺動動作を円滑にする。磁気ディスク６の回
転が停止すると、浮上レール８も浮上力を失い、磁気デ
ィスク６と接触する。このとき、潤滑剤７を溜める穴４
Ｃが、接触面積の広い浮上レール８の表面には存在しな
いため、潤滑剤７を介してコンタクト型磁気ヘッド１０
Ｃが磁気ディスク６に粘着する、いわゆるコンタクト型
磁気ヘッド１０Ｃの固着障害を防止することができる。
【００３５】このように、本実施例４のコンタクト型磁
気ヘッド１０Ｃによれば、稼働時に、磁気抵抗効果型素
子２が配置された接触パッド９のカーボン保護膜５を選
択的に磁気ディスク６の表面に接触させる一部浮上型の
コンタクト型磁気ヘッド１０Ｃにおいて、磁気ディスク
６に対する固着障害の発生を回避しつつ、接触パッド９
と磁気ディスク６との接触界面に接触パッド９に選択的
に設けられた穴４Ｃから効果的に潤滑剤７を作用させる
ことが可能となり、磁気抵抗効果型素子２が配置された
接触パッド９を磁気ディスク６の表面に接触させること
による情報の高記録密度の達成と、動作の信頼性の向上
の双方を実現することができる。
気ヘッド１０Ｃによれば、稼働時に、磁気抵抗効果型素
子２が配置された接触パッド９のカーボン保護膜５を選
択的に磁気ディスク６の表面に接触させる一部浮上型の
コンタクト型磁気ヘッド１０Ｃにおいて、磁気ディスク
６に対する固着障害の発生を回避しつつ、接触パッド９
と磁気ディスク６との接触界面に接触パッド９に選択的
に設けられた穴４Ｃから効果的に潤滑剤７を作用させる
ことが可能となり、磁気抵抗効果型素子２が配置された
接触パッド９を磁気ディスク６の表面に接触させること
による情報の高記録密度の達成と、動作の信頼性の向上
の双方を実現することができる。
【００３６】（実施例５）図７は、本発明のさらに他の
実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接
触面の形状の一例を示す平面図であり、図８は、本実施
例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと
接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接
触面の形状の一例を示す平面図であり、図８は、本実施
例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと
接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【００３７】この実施例５のコンタクト型磁気ヘッド１
０Ｄは、潤滑剤が溜る穴４Ｄの形状を変えたところが前
述の実施例４のコンタクト型磁気ヘッド１０Ｃと異なっ
ている。すなわち、本実施例５では、磁気抵抗効果型素
子２が配置された接触パッド９のカーボン保護膜５にに
穿設された穴４Ｄは細長いスリット部４１と、幅広の拡
幅部４２とで構成され、さらに、拡幅部４２の後端縁に
はギザギザ部４３が形成されている。幅の狭いスリット
部４１は毛細管現象を利用して潤滑剤７の磁気ディスク
６からの遊離成分を積極的に捕集し、拡幅部４２は捕集
された潤滑剤７を磁気ディスク６との接触界面に供給す
る作用をなす。穴４Ｄの内部の潤滑剤７は後端縁の拡幅
部４２のギザギザ部４３の複数の先端部から供給される
ため、拡幅部４２の幅方向（ギザギザ部４３の配列方
向）の広い範囲で一様に接触界面に供給される。
０Ｄは、潤滑剤が溜る穴４Ｄの形状を変えたところが前
述の実施例４のコンタクト型磁気ヘッド１０Ｃと異なっ
ている。すなわち、本実施例５では、磁気抵抗効果型素
子２が配置された接触パッド９のカーボン保護膜５にに
穿設された穴４Ｄは細長いスリット部４１と、幅広の拡
幅部４２とで構成され、さらに、拡幅部４２の後端縁に
はギザギザ部４３が形成されている。幅の狭いスリット
部４１は毛細管現象を利用して潤滑剤７の磁気ディスク
６からの遊離成分を積極的に捕集し、拡幅部４２は捕集
された潤滑剤７を磁気ディスク６との接触界面に供給す
る作用をなす。穴４Ｄの内部の潤滑剤７は後端縁の拡幅
部４２のギザギザ部４３の複数の先端部から供給される
ため、拡幅部４２の幅方向（ギザギザ部４３の配列方
向）の広い範囲で一様に接触界面に供給される。
【００３８】この場合、潤滑剤７の穴４Ｄの内部への捕
集量を多くするためにスリット部４１のみを選択的に深
く形成することも可能である。すなわち、図８に例示さ
れる接触パッド９の断面では、穴４Ｄのスリット部４１
が他の拡幅部４２やギザギザ部４３に比較して選択的に
深くなっている。
集量を多くするためにスリット部４１のみを選択的に深
く形成することも可能である。すなわち、図８に例示さ
れる接触パッド９の断面では、穴４Ｄのスリット部４１
が他の拡幅部４２やギザギザ部４３に比較して選択的に
深くなっている。
【００３９】このように、本実施例５のコンタクト型磁
気ヘッド１０Ｄによれば、磁気ディスク６からの潤滑剤
７の遊離成分を穴４Ｄの深いスリット部４１に毛管現象
等によって積極的に捕集し、捕集したこの潤滑剤７を、
後端の拡幅部４２およびギザギザ部４３から磁気ディス
ク６と接触パッド９との接触界面に均等かつ安定に供給
することが可能となる。
気ヘッド１０Ｄによれば、磁気ディスク６からの潤滑剤
７の遊離成分を穴４Ｄの深いスリット部４１に毛管現象
等によって積極的に捕集し、捕集したこの潤滑剤７を、
後端の拡幅部４２およびギザギザ部４３から磁気ディス
ク６と接触パッド９との接触界面に均等かつ安定に供給
することが可能となる。
【００４０】（実施例６）図１１は本発明の一実施例で
ある磁気ディスク装置の構造の一部を破断して例示する
斜視図である。
ある磁気ディスク装置の構造の一部を破断して例示する
斜視図である。
【００４１】本実施例の磁気ディスク装置は、前述の各
実施例で述べたコンタクト型磁気ヘッド１０（１０Ａ〜
１０Ｄ）を搭載している。
実施例で述べたコンタクト型磁気ヘッド１０（１０Ａ〜
１０Ｄ）を搭載している。
【００４２】複数の磁気ディスク６が共通のスピンドル
１４に所定の間隔で同軸かつ平行な姿勢で固定され、個
々の磁気ディスク６の記録面には、ロードアーム１１の
先端部に保持されたコンタクト型磁気ヘッド１０（１０
Ａ〜１０Ｄ）がセットされている。ロードアーム１１の
先端部に保持されたコンタクト型磁気ヘッド１０は磁気
ディスク６に所定の押圧荷重で押し付けられている。ロ
ードアーム１１の基端部はピボット軸１２ａを中心とし
て揺動するアクチュエータ１２に支持され、このアクチ
ュエータ１２はさらにボイスコイルモータ１３によって
駆動される。
１４に所定の間隔で同軸かつ平行な姿勢で固定され、個
々の磁気ディスク６の記録面には、ロードアーム１１の
先端部に保持されたコンタクト型磁気ヘッド１０（１０
Ａ〜１０Ｄ）がセットされている。ロードアーム１１の
先端部に保持されたコンタクト型磁気ヘッド１０は磁気
ディスク６に所定の押圧荷重で押し付けられている。ロ
ードアーム１１の基端部はピボット軸１２ａを中心とし
て揺動するアクチュエータ１２に支持され、このアクチ
ュエータ１２はさらにボイスコイルモータ１３によって
駆動される。
【００４３】すなわち、ボイスコイルモータ１３に対す
る通電方向や通電量の制御によって、アクチュエータ１
２およびロードアーム１１は磁気ディスク６と平行な平
面内を、揺動速度や角度が制御された揺動運動し、この
揺動運動によって、ロードアーム１１の先端部に支持さ
れているコンタクト型磁気ヘッド１０は磁気ディスク６
の記録面上を当該磁気ディスク６の径方向に移動し、た
とえば磁気ディスク６の記録面上に同心円状に配置され
た複数のトラックの間の移動（シーク動作）や、特定の
トラックに対して追従する動作を行う。
る通電方向や通電量の制御によって、アクチュエータ１
２およびロードアーム１１は磁気ディスク６と平行な平
面内を、揺動速度や角度が制御された揺動運動し、この
揺動運動によって、ロードアーム１１の先端部に支持さ
れているコンタクト型磁気ヘッド１０は磁気ディスク６
の記録面上を当該磁気ディスク６の径方向に移動し、た
とえば磁気ディスク６の記録面上に同心円状に配置され
た複数のトラックの間の移動（シーク動作）や、特定の
トラックに対して追従する動作を行う。
【００４４】このように、本実施例の磁気ディスク装置
によれば、磁気ディスク６に対する接触面に設けられた
接触パッド３や接触パッド９のカーボン保護膜５に潤滑
剤７に対する濡れ性の良好な基板１の表面１ａを露出さ
せる穴４（４Ａ〜４Ｄ）を穿設し、この穴の内部に潤滑
剤７を保持する構成のコンタクト型磁気ヘッド１０（１
０Ａ〜１０Ｄ）を備えているので、コンタクト型磁気ヘ
ッド１０（１０Ａ〜１０Ｄ）を用いることによる磁気デ
ィスク６での情報の高記録密度化の実現と、磁気ディス
ク６に対する接触パッド３や接触パッド９の接触界面へ
の潤滑剤７の安定供給による動作の円滑化、すなわち動
作の信頼性の向上とを両立させることができる。
によれば、磁気ディスク６に対する接触面に設けられた
接触パッド３や接触パッド９のカーボン保護膜５に潤滑
剤７に対する濡れ性の良好な基板１の表面１ａを露出さ
せる穴４（４Ａ〜４Ｄ）を穿設し、この穴の内部に潤滑
剤７を保持する構成のコンタクト型磁気ヘッド１０（１
０Ａ〜１０Ｄ）を備えているので、コンタクト型磁気ヘ
ッド１０（１０Ａ〜１０Ｄ）を用いることによる磁気デ
ィスク６での情報の高記録密度化の実現と、磁気ディス
ク６に対する接触パッド３や接触パッド９の接触界面へ
の潤滑剤７の安定供給による動作の円滑化、すなわち動
作の信頼性の向上とを両立させることができる。
【００４５】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４６】たとえば、保護膜としては、一例としてカ
ーボン保護膜を用いる場合を例示したが、本発明はカー
ボン保護膜に限定されるものではない。トランスデュー
サとしては、一例として磁気抵抗効果型素子を用いる場
合を例示したが、本発明は磁気抵抗効果型素子に限定さ
れるものではない。
ーボン保護膜を用いる場合を例示したが、本発明はカー
ボン保護膜に限定されるものではない。トランスデュー
サとしては、一例として磁気抵抗効果型素子を用いる場
合を例示したが、本発明は磁気抵抗効果型素子に限定さ
れるものではない。
【００４７】また、上述の各実施例に例示したコンタク
ト型磁気ヘッドの外観形状や接触パッドの形状等、さら
には接触パッドに穿設された穴の形状は、一例であり、
本発明はそれらの形状および構造に限定されるものでは
ない。
ト型磁気ヘッドの外観形状や接触パッドの形状等、さら
には接触パッドに穿設された穴の形状は、一例であり、
本発明はそれらの形状および構造に限定されるものでは
ない。
【００４８】
【発明の効果】本発明のコンタクト型磁気ヘッドによれ
ば、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を
長期間に渡って安定に維持することができる、という効
果が得られる。
ば、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を
長期間に渡って安定に維持することができる、という効
果が得られる。
【００４９】また、本発明のコンタクト型磁気ヘッドに
よれば、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供
給を長期間に渡って安定に維持することにより、トラン
スデューサとして磁気抵抗効果型素子を用いることによ
る情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させる
ことができる、という効果が得られる。
よれば、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供
給を長期間に渡って安定に維持することにより、トラン
スデューサとして磁気抵抗効果型素子を用いることによ
る情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させる
ことができる、という効果が得られる。
【００５０】また、本発明の磁気ディスク装置によれ
ば、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動領域
に対する潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持する
ことにより、情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを
両立させることができる、という効果が得られる。
ば、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動領域
に対する潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持する
ことにより、情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを
両立させることができる、という効果が得られる。
【図１】本発明の実施例１であるコンタクト型磁気ヘッ
ドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す略平面図で
ある。
ドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す略平面図で
ある。
【図２】本発明の実施例１であるコンタクト型磁気ヘッ
ドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を
示す側面図である。
ドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を
示す側面図である。
【図３】本発明の実施例２であるコンタクト型磁気ヘッ
ドの構成の一例を示す側面図である。
ドの構成の一例を示す側面図である。
【図４】本発明の実施例３であるコンタクト型磁気ヘッ
ドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であ
る。
ドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であ
る。
【図５】本発明の実施例４であるコンタクト型磁気ヘッ
ドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であ
る。
ドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であ
る。
【図６】本発明の実施例４であるコンタクト型磁気ヘッ
ドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を
示す側面図である。
ドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を
示す側面図である。
【図７】本発明の実施例５であるコンタクト型磁気ヘッ
ドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であ
る。
ドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であ
る。
【図８】本発明の実施例５であるコンタクト型磁気ヘッ
ドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を
示す側面図である。
ドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を
示す側面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１であるコ
ンタクト型磁気ヘッドの製造プロセスの一部を工程順に
示す略断面図である。
ンタクト型磁気ヘッドの製造プロセスの一部を工程順に
示す略断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例１である
コンタクト型磁気ヘッドの製造プロセスの一部を工程順
に示す略断面図である。
コンタクト型磁気ヘッドの製造プロセスの一部を工程順
に示す略断面図である。
【図１１】本発明の一実施例である磁気ディスク装置の
構造の一部を破断して例示する斜視図である。
構造の一部を破断して例示する斜視図である。
１…基板、１ａ…表面、２…磁気抵抗効果型素子、３…
接触パッド、４，４Ａ〜４Ｄ…穴、４１…スリット部、
４２…拡幅部、４３…ギザギザ部、５…カーボン保護
膜、６…磁気ディスク、７…潤滑剤、８…浮上レール、
９…接触パッド、１０，１０Ａ〜１０Ｄ…コンタクト型
磁気ヘッド、１１…ロードアーム、１２…アクチュエー
タ、１２ａ…ピボット軸、１３…ボイスコイルモータ、
１４…スピンドル、２０…ホトレジスト、２１…ホトレ
ジスト。
接触パッド、４，４Ａ〜４Ｄ…穴、４１…スリット部、
４２…拡幅部、４３…ギザギザ部、５…カーボン保護
膜、６…磁気ディスク、７…潤滑剤、８…浮上レール、
９…接触パッド、１０，１０Ａ〜１０Ｄ…コンタクト型
磁気ヘッド、１１…ロードアーム、１２…アクチュエー
タ、１２ａ…ピボット軸、１３…ボイスコイルモータ、
１４…スピンドル、２０…ホトレジスト、２１…ホトレ
ジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 薗部 秀樹 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 徳山 幹夫 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 田中 秀明 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (5)
- 【請求項１】 電磁変換によって磁気ディスクに対する
情報の記録再生動作を行うトランスデューサが前記磁気
ディスクに対向する基板主面に配置され、前記基板主面
の少なくとも前記トランスデューサの配置領域に保護膜
が形成されたコンタクト型磁気ヘッドであって、前記保
護膜よりも表面エネルギの大きな面を露出させる少なく
とも一個の穴を前記保護膜に穿設したことを特徴とする
コンタクト型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 電磁変換によって磁気ディスクに対する
情報の記録再生動作を行うトランスデューサが前記磁気
ディスクに対向する基板主面に配置され、前記基板主面
の少なくとも前記トランスデューサの配置領域に保護膜
が形成されたコンタクト型磁気ヘッドであって、前記保
護膜に前記基板主面上の自然酸化膜または強制酸化膜ま
たは前記基板主面自体を構成する酸化物を露出させる穴
を穿設したことを特徴とするコンタクト型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 電磁変換によって磁気ディスクに対する
情報の記録再生動作を行うトランスデューサが前記磁気
ディスクに対向する基板主面に配置され、前記基板主面
の少なくとも前記トランスデューサの配置領域に保護膜
が形成されたコンタクト型磁気ヘッドであって、前記保
護膜よりも表面エネルギの大きな面を露出させる少なく
とも一個の穴が前記保護膜に穿設され、前記穴は、前記
コンタクト型磁気ヘッドの前記磁気ディスクに対する相
対的な移動方向に平行に形成されたスリット部と、この
スリット部の後端縁に形成された拡幅部とからなること
を特徴とするコンタクト型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載のコンタクト
型磁気ヘッドにおいて、 前記穴は、前記保護膜を貫通して前記基板主面の内部に
及ぶ深さを有する構造、 あるいは、前記コンタクト型磁気ヘッドの前記磁気ディ
スクに対する相対的な移動方向の後端縁にギザギザが形
成された構造、の少なくとも一方の構造を有することを
特徴とするコンタクト型磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載のコンタ
クト型磁気ヘッドと、前記コンタクト型磁気ヘッドによ
って情報の記録再生が行われる磁気ディスクと、前記コ
ンタクト型磁気ヘッドを支持し、当該コンタクト型磁気
ヘッドを前記磁気ディスクに対して所望の荷重で押圧す
るロードアームと、前記ロードアームを介して前記コン
タクト型磁気ヘッドの前記磁気ディスクの径方向におけ
る移動および位置決めを行うアクチュエータと、前記磁
気ディスクを回転駆動するスピンドルとを含み、前記コ
ンタクト型磁気ヘッドと前記磁気ディスクとが接触した
状態で情報の記録再生動作が行われることを特徴とする
磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05137695A JP3626526B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05137695A JP3626526B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08249638A true JPH08249638A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3626526B2 JP3626526B2 (ja) | 2005-03-09 |
Family
ID=12885240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05137695A Expired - Fee Related JP3626526B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3626526B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100469246B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록용 슬라이더 |
| KR100528885B1 (ko) * | 1999-01-30 | 2005-11-16 | 삼성전자주식회사 | 자기 기록 디스크 장치의 헤드 슬라이더 구조 |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP05137695A patent/JP3626526B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100528885B1 (ko) * | 1999-01-30 | 2005-11-16 | 삼성전자주식회사 | 자기 기록 디스크 장치의 헤드 슬라이더 구조 |
| KR100469246B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록용 슬라이더 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3626526B2 (ja) | 2005-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100543380B1 (ko) | 베어링 패드 구조를 갖는 디스크 헤드 슬라이더 | |
| US6349018B2 (en) | Negative pressure air bearing slider | |
| US6351345B1 (en) | Air bearing slider and method of producing the same | |
| WO1998021716A1 (en) | Disc head slider having surface discontinuities to minimize fly stiction | |
| JPH07147070A (ja) | ディスク・ドライブおよび変換器アセンブリ | |
| JP2001344724A (ja) | 浮上ヘッドスライダ | |
| US5872684A (en) | Air bearing slider having a relieved trailing edge | |
| JP3207269B2 (ja) | 磁気記録用フライトスライダー | |
| JPH0869674A (ja) | 磁気ヘッドスライダ | |
| KR100298962B1 (ko) | 슬라이더와변환기조립체및데이타저장장치 | |
| US20020051316A1 (en) | Patterned and directional selective roughening of a slider air-bearing surface | |
| JPWO2001069601A1 (ja) | 負圧ヘッドスライダ及びディスク装置 | |
| JP3861387B2 (ja) | ヘッドスライダとディスク装置 | |
| US6606222B1 (en) | Convergent channel, trenched disc head slider | |
| JP3213592B2 (ja) | 浮上ヘッドスライダおよび記録ディスク駆動装置 | |
| US6231801B1 (en) | Method to reduce wear for proximity recording in a magnetic disc storage system | |
| JP4180823B2 (ja) | 高耐摩耗滑りパッドを使った摩耗耐久性 | |
| US6185071B1 (en) | Head slider having streamlined pads | |
| JPH05114227A (ja) | 情報記憶システムにおけるフレキシブル媒体の安定化方法及び装置 | |
| JP3626526B2 (ja) | コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 | |
| US6181519B1 (en) | Tri-pad air bearing head slider having leading edge and trailing edge of air bearing side pads tapered to minimize takeoff and landing velocity and time | |
| US7460336B1 (en) | Slider design including stiction reduction pads | |
| JP3678530B2 (ja) | ディスク装置 | |
| JPH0963030A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0863924A (ja) | 磁気ディスク装置用の磁気ヘッド支持装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040401 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040413 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040609 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20041109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20041203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |