JP3624566B2 - イオン照射装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、イオンビームを一次元で静電的または磁気的に走査すると共に、基板をイオンビームの走査方向と実質的に直交する方向に機械的に走査して基板にイオン注入等の処理を施す、いわゆるハイブリッドスキャン方式のイオン照射装置に関し、より具体的には、その基板の帯電(チャージアップ)を抑制する手段の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
ハイブリッドスキャン方式のイオン照射装置は、例えば特開平4−22900号公報等に開示されているが、その一例を図4に示す。
【0003】
このイオン照射装置は、図示しないイオン源から引き出され、かつ必要に応じて質量分析、加速等が行われたスポット状のイオンビーム2を、走査電源16から互いに180度位相の異なる走査電圧が印加される二組の走査電極4および6の協働によってX方向(例えば水平方向。以下同じ)に静電的に高速度で、例えば数百Hz程度で平行走査(パラレルスキャン)し、これをホルダ10に保持された基板(例えばウェーハ)8に照射してイオン注入等の処理を施すよう構成されている。イオンビーム2は、図に示すように、その走査領域3の一端部3aから中心部3cを経由して他端部3bまで往復走査される。
【0004】
走査電源16は、この例では、互いに180度位相の異なる三角波状の走査電圧+Vおよび−Vを出力するものであり、三角波状の走査信号Sを発生する走査信号発生器18と、それからの走査信号Sを昇圧して互いに逆極性の走査電圧+Vおよび−Vをそれぞれ出力する高圧増幅器20および22とを備えている。
【0005】
一方、基板8を保持するホルダ10をアーム12に取り付け、このアーム12を可逆転式のモータ(例えばダイレクトドライブモータ)14によって矢印Rのように往復旋回させることによって、ホルダ10をイオンビーム2の走査領域3において、前記X方向と実質的に直交するY方向(例えば垂直方向。以下同じ)に機械的に往復走査するようにしている。これと、イオンビーム2の前記走査との協働(ハイブリッドスキャン)によって、基板8の全面に均一にイオン照射が行われるようにしている。
【0006】
なお、ハイブリッドスキャン方式の場合、イオンビーム2を磁場によって走査する場合もある。また、イオンビーム2を必ずしもこの例のように平行走査しない場合もある。また、ホルダ10を前記Y方向に往復直線運動させる場合もある。ホルダ10を上記のように往復走査する代わりに、ウェーハディスクを一方向に回転させる場合もある。
【0007】
ところで、基板8にイオン注入等の処理を施す場合、イオンビームの照射に伴って基板8の表面が、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯電して放電等の不具合が発生する問題がある。
【0008】
これを防止するために、ホルダ10の上流側近傍11におけるイオンビーム走査領域3のほぼ中心部3cの外側に、図5に示すようなプラズマシャワー装置30を設けている。このプラズマシャワー装置30は、プラズマ36を生成してそれを小孔34を経由して、イオンビーム2の走査方向Xに交差する(より具体的にはほぼ直交する)方向からイオンビーム走査領域3の中心部3c付近に向けて供給するプラズマソース部32と、このプラズマソース部32の周囲に巻かれていて、直流のソースコイル電源37によって励磁されてプラズマソース部32の軸方向にほぼ沿う磁束40を発生させるソースコイル38とを有している。この磁束40は、プラズマソース部32におけるプラズマ36の生成に寄与すると共に、当該プラズマ36をイオンビーム走査領域3へガイドする働きをする。
【0009】
上記のようにしてプラズマシャワー装置30からイオンビーム走査領域3へプラズマ36を供給すると、当該プラズマ36中の電子(これは通常は例えば数十eV程度以下の低エネルギーである)は、イオンビーム2内にその正電位によって引き込まれる。基板8(図4参照)が帯電している場合はそれによってイオンビーム2の軸方向に電位勾配が生じるため、イオンビーム2内に引き込まれた電子は、この電位勾配によって基板8に引き寄せられ、基板表面のイオンビーム照射に伴う正電荷を中和する。正電荷が中和されれば、電子の基板8への引込みは自動的に止む。このようにして、電子が基板8に過不足なく供給されるので、イオンビーム照射に伴う基板8の帯電を抑制することができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上記プラズマ36中の電子をイオンビーム2中にその電位によって引き込ませるためには、プラズマ36をイオンビーム2のできるだけ近傍に供給する必要がある。
【0011】
ところが上記イオン照射装置では、イオンビーム2はX方向に走査されてその時間的位置が変化しているのに、プラズマシャワー装置30からのプラズマ36の供給は、イオンビーム走査領域3のほぼ中心部3c付近に向けてのスタティック(静的)なものであり、従って走査されるイオンビーム2に対してプラズマ36の供給、ひいては電子の供給が十分に追従していなかった。
【0012】
即ち、上記のようにイオンビーム2をX方向に高速で走査する場合、イオンビーム2がプラズマシャワー装置30の近傍、即ち走査領域3の中心部3c付近にあるときは、プラズマ36をイオンビーム2の近傍に十分に供給することはできるけれども、イオンビーム2が遠ざかった場所、即ち走査領域3の両端部3a、3b付近に走査されたときは、プラズマ36をイオンビーム2の近傍に十分に供給することはできない。従ってそのときは、イオンビーム照射に伴う基板8の帯電を十分に抑制することはできない。
【0013】
特に近年は、基板8の大口径化が進んでおり、それに対応してイオンビーム2の走査幅も大きくなっているので、上記問題は一層深刻化している。
【0014】
そこでこの発明は、イオンビームの走査位置に追従してプラズマを供給して、イオンビーム走査領域の全域においてほぼ一様に基板の帯電を抑制することができるイオン照射装置を提供することを主たる目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
この発明のイオン照射装置は、前記イオンビームの走査方向にほぼ沿う磁束を発生させるものであって、当該磁束と前記ソースコイルによる磁束とによって合成磁界を形成し得る位置に設けられた補助コイルと、この補助コイルに、前記イオンビームの走査に同期した交流の補助コイル電流を供給する補助コイル電源とを備えることを特徴とする。
【0016】
上記構成によれば、プラズマシャワー装置のソースコイルによるイオンビーム走査方向に交差する方向の直流磁界と、補助コイルによるイオンビーム走査方向にほぼ沿っていて向きが反転する交流磁界とが合成された合成磁界が形成される。しかもこの補助コイルに供給する補助コイル電流はイオンビームの走査に同期したものであるため、上記合成磁界は、イオンビームの走査に追従して、プラズマシャワー装置からイオンビームの走査位置方向(またはその逆方向)に向かうものとなる。プラズマシャワー装置からのプラズマは、この合成磁界にガイドされてイオンビームに供給される。従って、イオンビームの走査位置に追従して当該イオンビームにプラズマを供給することができる。その結果、イオンビーム走査領域の全域においてほぼ一様に基板の帯電を抑制することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明に係るイオン照射装置におけるプラズマシャワー装置周りの一例を示す断面図である。図5の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【0018】
この実施例においては、前述したイオンビーム2の走査領域3を挟んでプラズマシャワー装置30に(より具体的にはそのプラズマソース部32に)対向する位置に、即ちイオンビーム走査領域3の中心部3cのプラズマシャワー装置30とは反対側の外側付近に、空心筒状の補助コイル42を、その中心軸がイオンビーム2の走査方向Xにほぼ平行になるように配置している。従ってこの補助コイル42は、イオンビーム2の走査方向Xにほぼ沿う磁束44を発生させる。この補助コイル42による磁界の最大値は、例えば数ガウス〜数十ガウス程度である。
【0019】
この補助コイル42には、補助コイル電源46から、イオンビーム2の走査に同期した交流の補助コイル電流Iを供給する。具体的には、この例では、イオンビーム2がその走査領域3の一端部3a付近にあるときには補助コイル42から図1中に示す向きに最大の磁束44を発生させ、他端部3b付近にあるときには図1中とは逆向きに最大の磁束44を発生させ、中心部3c付近にあるときには磁束44をほぼ0にするような補助コイル電流Iを供給する。
【0020】
より具体的には、図4で説明した走査信号発生器18から出力される走査信号Sは、例えば図2に示すような三角波状をしており、それが負側のピークにあるときにはイオンビーム2はその走査領域3の前記一端部3aに来るように走査され、走査信号Sが正側のピークにあるときはイオンビーム2は前記他端部3bに来るように走査される。補助コイル電源46は、この走査信号Sを用いて(例えばそれを増幅して)、この走査信号Sの波形に相似形かつ同期した、即ち同一周波数かつ同一位相の交流の補助コイル電流Iを補助コイル42に供給する。これによって、上記のようにイオンビーム2のX方向の走査に同期した補助コイル電流Iを補助コイル42に供給することができる。
【0021】
上記構成によれば、プラズマシャワー装置30のソースコイル38によるイオンビーム走査方向Xに直交する方向の直流磁界40と、補助コイル42によるイオンビーム走査方向Xに平行で向きが反転する交流磁界44とが合成された合成磁界48が形成される。しかもこの補助コイル42に供給する補助コイル電流Iはイオンビーム2の走査に同期したものであるため、上記合成磁界48は、イオンビーム2の走査に追従して、常にプラズマシャワー装置30から(より具体的には、そのプラズマソース部32の小孔34付近から)イオンビーム2の走査位置方向に向かうものとなる。即ち、▲1▼図1に示すようにイオンビーム2がその走査領域3の一端部3a付近にあるときには、合成磁界48は図1に示すように左に大きく湾曲して当該一端部3a付近に向かい、▲2▼イオンビーム2が他端部3b付近にあるときには、合成磁界48は図1とは反転して右に大きく湾曲して当該他端部3b付近に向かい、▲3▼イオンビーム2が中心部3c付近にあるときには、交流磁界44が0になり、直流磁界40のみとなって、合成磁界48は当該中心部3c付近に向かう。
【0022】
プラズマシャワー装置30からのプラズマ36は、この合成磁界48にガイドされてイオンビーム2に供給される。従って、イオンビーム2の走査位置に追従して当該イオンビーム2にプラズマ36を供給することができる。その結果、イオンビーム走査領域3の全域においてほぼ一様に基板8(図4参照)の帯電を抑制することができる。従って基板8の大口径化にも十分に対応することができる。
【0023】
他の実施例を示すと、図3に示すように、プラズマシャワー装置30の前方付近に、イオンビーム2の走査領域3の一端部3a付近および他端部3b付近をそれぞれ取り囲むように、二つの空心筒状の補助コイル42を、その中心軸がイオンビーム2の走査方向Xにほぼ平行になるように配置しても良い。両補助コイル42は、互いに同じ向きに磁束44を発生させるように励磁される。従ってこの両補助コイル42によって、イオンビーム2の走査方向Xにほぼ沿う磁束44を発生させることができる。
【0024】
両補助コイル42は、互いに直列接続して、図1の実施例の場合と同様に、補助コイル電源46から、イオンビーム2の走査に同期した交流の、より具体的には前述した走査信号Sの波形に相似形かつ同期した、即ち同一周波数かつ同一位相の交流の補助コイル電流Iを供給する。
【0025】
この実施例の場合も、プラズマシャワー装置30のソースコイル38によるイオンビーム走査方向Xに直交する方向の直流磁界40と、両補助コイル42によるイオンビーム走査方向Xに平行で向きが反転する交流磁界44とが合成された合成磁界48が形成される。しかもこの補助コイル42に供給する補助コイル電流Iはイオンビーム2の走査に同期したものであるため、上記合成磁界48は、イオンビーム2の走査に追従して、常にプラズマシャワー装置30からイオンビーム2の走査位置方向に向かうものとなり、プラズマシャワー装置30からのプラズマ36は、この合成磁界48にガイドされてイオンビーム2に供給される。従って、イオンビーム2の走査位置に追従して当該イオンビーム2にプラズマ36を供給することができる。その結果、イオンビーム走査領域3の全域においてほぼ一様に基板8(図4参照)の帯電を抑制することができる。
【0026】
またこの図3の実施例の場合は、補助コイル42の中心部の磁束44を利用するので、図1の実施例の場合よりも磁界利用の効率が高いという利点がある。
【0027】
なお、プラズマ36は上記合成磁界48の向きまたはその逆向きのいずれにも沿って動くことができるので、合成磁界48の上下方向の向きは上記例とは逆向きでも良い。即ち、ソースコイル38による磁束40および補助コイル42による磁束44の両者は共に、上記例とは逆向きにしても良い。
【0028】
また、補助コイル42に供給する補助コイル電流Iの波形は、正弦波等でも良い。補助コイル42はコアを有するコイルでも良い。
【0029】
イオンビーム走査領域3は、例えば100mm〜300mm程度、イオンビーム2の走査周波数は例えば100Hz〜1000Hz程度である。プラズマソース部32でのプラズマ生成方式は、アーク放電式、高周波放電式、ECR放電式等を問わない。
【0030】
また、この発明は、図4に示した例以外のハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置、具体的には前述したように、イオンビーム2を平行走査しない装置、イオンビーム2を磁場によって走査する装置、ホルダ10を往復直線運動させる装置、またはホルダ10を往復走査する代わりにウェーハディスクを一方向に回転させる装置、等にも勿論適用することができる。
【0031】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、プラズマシャワー装置のソースコイルによる直流磁界と補助コイルによる交流磁界との合成磁界が形成され、しかもこの合成磁界は、イオンビームの走査に追従して、プラズマシャワー装置からイオンビームの走査位置方向またはその逆方向に向かうものとなる。プラズマシャワー装置からのプラズマは、この合成磁界にガイドされてイオンビームに供給される。従って、イオンビームの走査位置に追従して当該イオンビームにプラズマを供給することができる。その結果、イオンビーム走査領域の全域においてほぼ一様に基板の帯電を抑制することができる。従って、基板の大口径化にも十分に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るイオン照射装置におけるプラズマシャワー装置周りの一例を示す断面図である。
【図2】イオンビームの走査位置と、走査信号および補助コイル電流との関係の一例を示す図である。
【図3】この発明に係るイオン照射装置におけるプラズマシャワー装置周りの他の例を示す断面図である。
【図4】ハイブリッドスキャン方式のイオン照射装置の一例を部分的に示す斜視図である。
【図5】従来のイオン照射装置におけるプラズマシャワー装置周りの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
2 イオンビーム
8 基板
10 ホルダ
30 プラズマシャワー装置
32 プラズマソース部
36 プラズマ
38 ソースコイル
40 磁束
42 補助コイル
44 磁束
46 補助コイル電源
48 合成磁界
I 補助コイル電流
Claims (1)
- イオンビームを一方向に往復走査すると共に、基板を保持するホルダをイオンビームの走査方向と実質的に直交する方向に機械的に走査して、ホルダ上の基板にイオン注入等の処理を施す構成のイオン照射装置であって、ホルダの上流側近傍におけるイオンビームの走査領域の外側に設けられていて、プラズマを生成してそれをイオンビームの走査方向に交差する方向からイオンビームの走査領域に供給するプラズマソース部と、このプラズマソース部の周囲に巻かれていて当該プラズマソース部の軸方向にほぼ沿う磁束を発生させるソースコイルとを有するプラズマシャワー装置を備えるものにおいて、前記イオンビームの走査方向にほぼ沿う磁束を発生させるものであって、当該磁束と前記ソースコイルによる磁束とによって合成磁界を形成し得る位置に設けられた補助コイルと、この補助コイルに、前記イオンビームの走査に同期した交流の補助コイル電流を供給する補助コイル電源とを備えることを特徴とするイオン照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20288496A JP3624566B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20288496A JP3624566B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1027569A JPH1027569A (ja) | 1998-01-27 |
JP3624566B2 true JP3624566B2 (ja) | 2005-03-02 |
Family
ID=16464804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20288496A Expired - Fee Related JP3624566B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン照射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3624566B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DK1326718T3 (da) | 2000-10-04 | 2004-04-13 | Dow Corning Ireland Ltd | Fremgangsmåde og apparat til dannelse af en belægning |
JP3387488B2 (ja) | 2000-12-01 | 2003-03-17 | 日新電機株式会社 | イオンビーム照射装置 |
JP3680274B2 (ja) | 2002-03-27 | 2005-08-10 | 住友イートンノバ株式会社 | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
JP5042451B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-10-03 | 株式会社Sen | ビーム空間電荷中和装置及びこれを備えたイオン注入装置 |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP20288496A patent/JP3624566B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1027569A (ja) | 1998-01-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040928 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041014 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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