JP3614527B2 - 静電沈澱器 - Google Patents

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は静電沈澱器および炭素粒子収集方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
アメリカ合衆国特許第5,064,634号には、吸入可能な放射性核種を製造するための方法および装置が記載されている。とくに1500°Cないし2500°Cの範囲内の温度に加熱される炭素ルツボが記載されている。
【0003】
【発明が解決すべき課題】
かかる温度下の炭素ルツボは約10nmの大きさの炭素粒子を生じる。泡立たせることによって溶液中にこれらの粒子を合体させる通常の方法は十分なものではない。それらの収集と関連付けられるさらに他の問題はそれらの放射性の性質である。どのような収集装置もオペレータの被爆に対して遮蔽することが必要である。
【0004】
本発明の目的は上述された欠点を克服するかまたはそれを実質上改善することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、炭素粒子含有ガスが通過しかつ入口および出口を有する通路を画成するハウジング;粒子を帯電させるべくガスがそれを通って通過するイオン源;前記入口と前記出口との間でかつ前記イオン源から下流に間隔が置かれた電極;および前記イオン源と前記電極との間で電位を確立する手段からなり;前記電極が粒子がその上に堆積されるべく引き付けられる可溶性材料で被覆されることを特徴とする静電沈澱器が開示される。
【0006】
本発明によれば、さらに、電極が粒子がそれに引き付けられることにより堆積される可溶性材料からなるコーテイングを含むことを特徴とする静電沈澱器用電極が開示される。
【0007】
本発明によれば、さらに、ガス流から粒子を収集するための静電沈澱器において、ガスがそれを通って入口と出口との間で通過する通路;前記入口と前記出口との間にありかつそれを通って前記ガスが粒子を帯電させるべく通過するイオン源;ガスがそれを通って通過する液体を収容する容器;および粒子が前記液体に引き付けられるように前記イオン源と前記容器との間電位を確立するための手段からなることを特徴とする静電沈澱器が開示される。
【0008】
本発明によれば、さらに、炭素粒子含有ガスが通過しかつ入口および出口を有する通路を画成するハウジング;前記通路内に突出しかつ前記入口と前記出口との間に配置されるイオン源;前記入口と前記出口との間で前記通路の少なくとも1部分を取り囲む壁;液体を受容するための前記通路内の液体受容手段;前記イオン源と前記液体との間で電位を確立し得る手段;および前記通路内に分散されるべき小滴を前記液体から発生させる手段からなり;前記電位の印加時、前記小滴と粒子が前記壁に引き付けられることを特徴とする静電沈澱器が開示される。
【0009】
本発明によれば、また、炭素粒子を集める炭素粒子収集方法において、該方法が、粒子を含有するガス流を室内に通し、前記ガス流が不活性ガスおよび空気を包含し;粒子を帯電させるために前記室内のイオン源を通して前記ガス流を通し;前記イオン源と電極との間電位を確立することにより前記電極に粒子を引き付ける工程を含むことを特徴とする炭素粒子収集方法が開示される。
【0010】
本発明の好適な実施例を以下に添付図面を参照して例として説明する。
【0011】
【実施例】
添付図面の図1ないし図3には静電沈澱器10が概略的に描かれている。この静電沈澱器10は入口11から出口12へ沈澱器を通過するガス流から炭素粒子を収集するものである。静電沈澱器10は7kVの電界強度を有しかつ約10mAの電流で作動する。
【0012】
入口11を経由してガスは通路13に沿って室14に通り、それからガスは出口12により終端する中央通路16に延びる横方向通路15を経由して出る。
【0013】
室14内に配置されるのは界面活性剤としてまた作用するグルコースまたはスクロースで被覆されたステンレス鋼製の網(316型鋼)から形成される収集電極17である。可溶塩がまた使用され得る。本質において理解されるべきことは、電極に必要なことが炭素粒子に関連して「担体」として作用しかつそれにより炭素粒子を取るように電極17から除去され得る物質で被覆されるのみであるということである。
【0014】
通路13は調整ネジ19によつて取り付けられたイオン源18を通って導かれる。
【0015】
沈澱器10はテフロンベース20およびテフロンキヤツプ21からなる本体構造を有する。ベース20とキヤツプ21を接合しているのはアクリルスリーブ22である。調整ネジ19は一方の端子を備える一方、他方の端子はネジ23により設けられる。該ネジ23は導電性帯片またはワイヤ24によつて網状の収集電極17に接合される。
【0016】
代表的には、揮発性の放射性核種を含有する炭素ルツボを加熱することにより発生される炭素粒子はアルゴンガスにより運ばれる。しかしながら、これは特別な沈澱器のためには不満足な担体である。この問題に取り組むために、ベンチユリ管30が設けられる。該ベンチユリ管30は入口31および出口32を有する。入口31と出口32との間に延在する通路33はマニホールド36から通路35が延びる減径された部分34を有する。マニホールド36から延びているのは空気入口37である。したがつて、出口32を経由して、炭素粒子を含有する、空気とアルゴンの混合物が出る。出口32は静電沈澱器10の入口11に接続される。好ましくはベンチユリ管30はテフロンから形成される。
【0017】
図6および図7には沈澱器が略示される。この実施例において、沈澱器は単数もしくは複数の出口53がそれから延びる室52に延在する入口51を有する。室52の下方端は界面活性剤として作用するために微量のグリセリンを含有する塩性溶液55を収容する容器54で終端する。該容器54は塩性溶液55が更新され得るように入口56および出口57を備えるかまたは代替的に沈澱器が容器54を通る安定した流れが存在するように配置され得る。
【0018】
入口56は端子の一方を提供する調整ネジ60を介して取り付けられるイオン源59を通って延びる通路50と連通する。また、室52に搬送された炭素粒子が塩性溶液55に誘引されるように、他の端子61は塩性溶液55を帯電する。
【0019】
前述されたごとく、炭素粒子はアルゴンおよび空気のガス状混合物中に含有される。
【0020】
図8には静電沈澱器80が略示されている。該沈澱器80は端部キヤツプ82によりその上方端で閉止された略筒状の管81を含んでいる。該管81の下方端は上方部分84および下方部分85を含むベース構体83に取り付けられる。管81および上方部分84は通路86を画成するために協働し、キヤツプ82はガス出口87を備え、そして上方部分84はガス入口88を備えている。ガス入口88は開口89を有する通路86で終端する。開口89およびそれから延びる通路90は筒状(または截頭円錐)壁91に対して実質上「正接(タンジェント)」して延び、その結果通路86に流入するガスは管81の長手方向軸線のまわりに渦を巻く。
【0021】
キヤツプ82は上方部分84であるテフロンのごとき絶縁材料から形成される。上方部分84と下方部分85との間に挟まれるのはマイラー(商標)から形成され得るダイアフラム92である。
【0022】
下方部分85には超音波変換器およびガス構体93が取り付けられる。
【0023】
キヤツプ82は軸101と一体に形成される。針の形のイオン源針94がその下端で出るようにキヤツプ82および軸101を通って延びる。イオン源針94は下端95を有する。
【0024】
上方部分84を貫通するのは皮下注射器の針96がそれを通って延びるかまたは進入する通路95である。
【0025】
沈澱器80は疏水性部分97および親水性部分98を有する。
【0026】
上述した沈澱器80の作動において、ダイアフラム92と変換器およびガス構体93との間のキヤビテイ101は水および微量の界面活性剤、例えば、グリセリンで充填される。
【0027】
最初に、水が皮下注射器または他の手段を経由してダイアフラム92の上方面に供給される。その後、超音波変換器93はダイアフラム92を振動させるべく作動される。代表的には変換器は約1.7MHzで発振する超音波クリスタルである。ダイアフラム92上の水は「ミスト」(小さい水滴)の稠密な流れを形成するために付勢される。ダイアフラム92に供給される水は、水に必要な自由なイオンまたは導電性であるような他のイオン化学薬品を供給するために、塩性または他のイオン化学薬品であることが望ましい。
【0028】
電位は端部95(コロナ点)とダイアフラム92に供給される液体との間に印加される。これは針96を介してなされ得る。上述したミストを作ることにおいて超音波変換器は部分98を取り囲む管81の内部壁99の「洗い流し」を生じる。水はまた上方部分84の内部壁100を流れ落ちる。ダイアフラム92上の水、および湿った壁99および100は静電気収集電極を形成する。
【0029】
イオン化されるガス中の粒子はそれゆえ水滴および壁に引き付けられ、一方水滴それ自体がイオン化されかつまた壁99および100に引き付けられる。この点において理解されるべきことは、電位が針94および96に印加され、より詳しくは正の8kvの電荷が、約100μA最大電流で、針95に印加されるということである。
【0030】
超音波変換器はミストがこれが端部95で短絡を生じる範囲に上昇しないことを保証するために制御される。
【0031】
針96を有する皮下注射器はダイアフラム92の上方部分で液体と電気的に接触するように上方部分84に挿入され、それにより戻り接地電位を作りかつまた沈澱器80の内部に液体を導入する手段を設ける。針96はまた炭素粒子を含有する液体を除去すべく使用され得る。
【0032】
上述した沈澱器80において、水とは別の他の液体が使用され得る。例えばこの液体は油を基礎にした液体であつてもよい。
【0033】
【発明の効果】
叙上のごとく、本発明は、炭素粒子含有ガスが通過しかつ入口および出口を有する通路を画成するハウジング;前記通路内に突出しかつ前記入口と前記出口との間に配置されるイオン源;前記入口と前記出口との間で前記通路の少なくとも1部分を取り囲む壁;液体を受容するための前記通路内の液体受容手段;前記イオン源と前記液体との間で電位を確立し得る手段;および前記通路内に分散されるべき小滴を前記液体から発生させる手段からなり;前記電位の印加時、前記小滴と粒子が前記壁に引き付けられる構成としたので、沈澱器を通過するガス流中に含有される炭素粒子が水滴により良好にトラツプされる改良した型の静電沈澱器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】静電沈澱器を示す概略断面側面図である。
【図2】図1の静電沈澱器を示す概略断面正面図である。
【図3】図1および図2の静電沈澱器を示す概略上面図である。
【図4】図1の静電沈澱器により使用されるようなベンチユリ管を示す概略断面側面図である。
【図5】図4のベンチユリ管を示す概略断面端面図である。
【図6】さらに他の静電沈澱器を示す概略断面側面図である。
【図7】図6の沈澱器を示す概略断面正面図である。
【図8】さらに他の沈澱器を示す概略断面側面図である。
【符の説明】
10 静電沈澱器
11 入口
12 出口
13 通路
14 室
16 中央通路
17 電極
18 イオン源
19 調整ネジ
20 ベース
21 キヤツプ
30 ベンチユリ管
31 入口
32 出口
51 入口
52 室
58 通路
59 イオン源
80 静電沈澱器
81 筒状管
82 キヤツプ
83 ベース構体
84 上方部分
85 下方部分
87 ガス出口
88 ガス入口
92 ダイアフラム
93 超音波変換器
95 イオン源
96 針

Claims (15)

  1. 炭素粒子含有ガスが通過しかつ入口および出口を有する通路を画成するハウジング;
    前記通路内に突出しかつ前記入口と前記出口との間に配置されるイオン源;
    前記入口と前記出口との間で前記通路の少なくとも1部分を取り囲む壁;
    液体を受容するための前記通路内の液体受容手段;
    前記イオン源と前記液体との間で電位を確立し得る手段;および
    前記通路内に分散されるべき小滴を前記液体から発生させる手段からなり;
    前記電位の印加時、前記小滴と粒子が前記壁に引き付けられることを特徴とする静電沈澱器。
  2. 前記通路が前記液体受容手段から略上方に延びかつ前記出口が前記通路の上部に配置され、そして前記入口が前記液体受容手段に隣接して配置されることを特徴とする請求項1に記載の静電沈澱器。
  3. 前記イオン源が前記通路内に突出しかつ前記液体受容手段の上方に間隔をおいて配置された針であることを特徴とする請求項1に記載の静電沈澱器。
  4. 前記静電沈澱器がさらに前記液体受容手段へ液体を供給および前記液体受容手段から液体を回収するための手段を含むことを特徴とする請求項1に記載の静電沈澱器。
  5. 前記通路が垂直の長手方向軸線を有し、そして前記入口がガスを前記軸線のまわりに回動させるべく前記通路に対して少なくとも部分的に正接して延びることを特徴とする請求項1に記載の静電沈澱器。
  6. 前記液体から小滴を発生させるための手段が前記液体受容手段を振動させるための手段を含むことを特徴とする請求項1に記載の静電沈澱器。
  7. 前記液体受容手段が略水平に広がるダイアフラムであり、そして前記振動させるための手段が超音波変換器であることを特徴とする請求項6に記載の静電沈澱器。
  8. 前記壁が上部の疏水性部分および下部の親水性部分を含むことを特徴とする請求項1に記載の静電沈澱器。
  9. 炭素粒子含有ガスが通過しかつ前記ガスのための下部の入口および前記ガスのための上部の出口を有する略上方に延び通路を画成するハウジング;
    前記通路内に突出しかつ前記入口と前記出口との間に配置されるイオン源;
    前記入口と前記出口との間で前記通路の少なくとも1部分を取り囲む壁;
    前記通路の下部端を横断するように広がり、かつ液体が供給されるように略水平に配置されたダイアフラム;
    前記ダイアフラムの振動により前記ダイアフラムの上の液体から小滴を発生させる振動を生起する、前記ダイアフラムと関連して動作可能な振動器;および
    電位の印加時に小滴と粒子が前記壁に引き付けられるように、前記イオン源と前記液体との間で電位を確立し得る手段とを備えていることを特徴とする静電沈澱器。
  10. 前記振動器が、超音波変換器であることを特徴とする請求項9に記載の静電沈殿器。
  11. 前記静電沈澱器が前記通路の内側に液体を供給および前記通路の内側から液体を回収するための手段を含むことを特徴とする請求項9または10に記載の静電沈澱器。
  12. 前記壁が上部の疏水性部分および下部の親水性部分を含むことを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の静電沈澱器。
  13. 前記イオン源が前記通路内に突出しかつ前記ダイアフラムの上方に間隔をおいて配置された下部端を有する針であることを特徴とする請求項9〜12のいずれか1項に記載の静電沈澱器。
  14. 前記通路の内側に液体を供給および前記通路の内側から液体を回収するための手段は、前記電位を確立するために用いられることを特徴とする請求項11に記載の静電沈澱器。
  15. 前記液体を供給および回収するための手段は、皮下注射器であり、前記イオン源と前記皮下注射器から射出された前記液体との間前記電位を確立するための手段を備えていることを特徴とする請求項14に記載の静電沈澱器。
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