JP3597321B2

JP3597321B2 - Vacuum drying equipment

Info

Publication number: JP3597321B2
Application number: JP23282896A
Authority: JP
Inventors: 久明松井; 由雄谷口
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-09-03
Filing date: 1996-09-03
Publication date: 2004-12-08
Anticipated expiration: 2016-09-03
Also published as: JPH1076211A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プリント基板，ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）用基板，半導体基板，ＰＤＰ（ＰｌａｓｍａＤｉｓｐｌａｙＰａｎｅｌ）用基板，ＬＣＤに用いられるカラーフィルタ用基板等（以下、「基板」）に塗布されたレジスト等の塗布液を減圧乾燥させて、基板にレジスト膜等の被膜を形成する減圧乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７は、従来の減圧乾燥装置を示す側面断面図である。この減圧乾燥装置は、処理室（チャンバ）を形成するチャンバ蓋１と下部プレート３とを備えている。チャンバ蓋１は上下に昇降自在であるが、下部プレート３は装置筐体に固定されている。なお、チャンバ蓋１は、シリンダ２によって上下駆動するよう構成されている。また、下部プレート３には、基板を支持するための昇降可能なリフトピン４が挿通される複数の貫通孔１９と、処理室内の空気を排気するための複数の排気口１１と、処理室内にＮ_２等のガスを供給するためのガス供給口２５とが形成されている。さらに、下部プレート３の周囲には、Ｏリング１０が設けられており、チャンバ蓋１が下降した際の処理室の密閉状態を確保している。
【０００３】
そして、リフトピン４は昇降台６に固定されるとともに、下部プレート３に設けられた貫通孔１９に挿通されている。さらに、昇降台６は昇降棒７に連結しており、シリンダ８によって昇降棒７が昇降駆動すると、リフトピン４が昇降する構成となっている。そして処理室内の密閉性を確保するために、この下部プレート３と昇降台６との間にベローズ５が設けられている。また、排気口１１には、排気管１２が接続されており、さらに、排気管１２は図示しない真空ポンプに接続されている。また、ガス供給口２５は、ガス供給管２６に連通しており、ガス供給管２６は図示しないガス供給源に接続されている。
【０００４】
このように構成された従来の減圧乾燥装置における基板の処理手順を次に示す。まず、チャンバ蓋１が上昇した状態において、図示しない搬送アームによってその上面に塗布液が塗布された基板２０が処理室内に搬送される。そして、リフトピン４が上昇した位置において、搬送アームが基板２０をリフトピン４の上端部に載置する。基板２０を載置した後、搬送アームは処理室外に退避する。そして、シリンダ８が駆動し、リフトピン４を下降させる。基板２０に対して減圧乾燥処理を行うことが可能な高さ位置まで基板２０を下降させると、リフトピン４は停止するとともに、チャンバ蓋１がシリンダ２の駆動によって下降し、処理室内が密閉される。次に、処理室内を減圧するために、図示しない真空ポンプを作動して処理室内を減圧する。この減圧によって、基板の上面に塗布されたレジスト等の塗布液が乾燥し、基板の上面に被膜を形成する。
【０００５】
基板２０に対する処理が終了すると真空ポンプを停止させ、ガス供給口２５より処理室内にＮ_２等のガスを吹き込んで処理室内の減圧状態を解除した後、チャンバ蓋１を上昇させる。そして、シリンダ８を駆動することによってリフトピン４を上昇させ、基板２０を搬送アームに渡す所定の位置まで上昇させる。そこに、搬送アームが進入してきて基板２０を受け取り、処理室外に搬出する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の減圧乾燥装置によって、基板２０の上面に塗布されたレジスト等の塗布液を乾燥させると、基板２０のリフトピン４が接触している付近の領域（接触領域）と、それ以外の領域（非接触領域）とでは、温度差が生じる。これは、基板２０の温度と、リフトピン４の温度が異なるためで、基板２０に対して温度の異なるものが接触すると、その接触した付近の温度が、変化するためである。この温度差のために、基板２０を搬送アームから受け取ってから減圧乾燥処理が終了し再び搬送アームに基板２０を渡すまでの間、同一のリフトピンによって基板を支持しておくと、減圧乾燥処理を終え、基板２０の上面に形成された被膜の乾燥度合いが、接触領域と非接触領域とで異なってしまう。このように領域によって乾燥度合いの異なる被膜が形成された基板２０をナトリウムランプに翳すと、乾燥度合いの違いが濃淡の差であるピン跡として目視できる。
【０００７】
このピン跡の発生は、基板の下面内の任意の位置に基板と温度の異なる物を長時間接触させることに起因する。したがって基板を支持する形態がピン等による支持の場合だけでなく、プレート状の面による支持形態であっても基板に接触した部分がプレート跡となって現れる。
【０００８】
このようなピン跡が発生した基板を用いて、例えば、カラーフィルタを製造して、このカラーフィルタをＬＣＤに備え付けて画像を表示すると、ピン跡に対応した画像ムラが画面に表れるという問題や、ＬＣＤ等を製造した場合は、ピン跡が発生した領域とそれ以外の領域とで、基板上に形成される素子の電気的特性が異なるという問題が発生する。
【０００９】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、基板に対してピン跡等を生じさせない減圧乾燥装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、上面に塗布液が塗布された基板を処理室内に配置し、処理室内を密閉空間とした後、処理室内を減圧することによって、塗布液を乾燥させ、基板の上面に被膜を形成する減圧乾燥装置であって、処理室内を密閉空間として形成するための密閉空間形成手段と、処理室内の空気を排気することにより処理室内を減圧する減圧手段と、搬送装置によって減圧乾燥装置に搬送される基板を処理室内で受け取り、処理室内で基板の下面の位置に当接して基板を水平に支持する第１支持手段と、処理室内で第１支持手段が当接する基板の下面の位置と異なる位置に当接して基板を水平に支持する第２支持手段と、基板を第１支持手段によって支持する第１支持状態と、基板を第２支持手段によって支持する第２支持状態とを相互に切り換える切換手段とを備えている。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、第２支持手段は、基板の下面に当接する上端部の高さ位置が、第１支持状態において第１支持手段によって支持される基板の下面の高さより下方に配置されており、切換手段は、第１支持手段を昇降させる昇降手段を備え、当該昇降手段によって第１支持状態にある第１支持手段を下降させることにより、基板を第２支持手段に受け渡す。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の減圧乾燥装置において、第１支持手段は、昇降可能であるとともに上端部を基板の下面に当接させて基板を水平に支持する複数のリフトピンを備え、第２支持手段は、上端部を基板の下面に当接することによって基板を支持する複数のピン部材を備え、密閉空間形成手段は、第２支持状態にある基板より下方に位置し、周囲に遮蔽部材が設けられたプレート部材と、プレート部材に対して相対的に昇降自在であるとともに、下降時において周辺部が遮蔽部材に当接する処理室蓋部と、処理室蓋部をプレート部材に対して相対的に昇降させる蓋昇降手段とを備えている。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の減圧乾燥装置において、蓋昇降手段によって処理室蓋部がプレート部材に対して相対的に上昇している状態で、第１支持手段の複数のリフトピンに対して、搬送装置による基板の搬出入が行われる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
図１は、この発明の第１の実施の形態である減圧乾燥装置の側面断面図である。この減圧乾燥装置は、処理室（チャンバ）を形成するチャンバ蓋１と下部プレート３とを備えている。チャンバ蓋１は上下に昇降自在であるが、下部プレート３は装置筐体に固定されている。なお、チャンバ蓋１は、シリンダ２によって上下駆動するよう構成されている。そしてこの実施の形態の減圧乾燥装置の下部プレート３には、基板を支持するための昇降可能なリフトピン１４が挿通される複数の貫通孔１９と、処理室内の空気を排気するための複数の排気口１１と、処理室内にＮ_２等のガスを供給するためのガス供給口２５と、さらに、複数の固定ピン１５が形成されている。そしてガス供給口２５は、ガス供給管２６に連通しており、ガス供給管２６は図示しないガス供給源に接続されている。このガス供給源が作動することによって、ガス供給口２５から処理室内にＮ_２等のガスを供給し、処理室の減圧状態を解除することができる。また、下部プレート３の周囲には、Ｏリング１０が設けられており、チャンバ蓋１が下降した際の処理室の密閉状態を確保している。
【００１５】
そして、リフトピン１４は昇降台６に固定されるとともに、下部プレート３に設けられた貫通孔１９に挿通されている。さらに、昇降台６は昇降棒７に連結しており、シリンダ８によって昇降棒７が昇降駆動すると、リフトピン１４が昇降する構成となっている。この実施の形態において昇降駆動機構は従来と同様に１つである。そして処理室内の密閉性を確保するために、この下部プレート３と昇降台６との間にベローズ５が設けられている。そして、リフトピン１４はベローズ５の内側に設置されている。また、排気口１１には、排気管１２が接続されている。そして排気管１２は真空ポンプＰに接続されており、当該真空ポンプＰによって密閉状態とされた処理室内の減圧が行われる。そして、処理室内の減圧を解除する際には、ガス供給源を作動させ、ガス供給管２６を介してガス供給口２５より処理室内にＮ_２等のガスを吹き込んで処理室内の減圧状態を解除する。
【００１６】
この実施の形態において、その上面にレジスト等の塗布液が塗布された基板２０を減圧乾燥処理する手順を図２，図３により説明する。図２は、搬送アーム３０によって基板２０が搬送される状態を示す側面図である。そして、図３は、この実施の形態の減圧乾燥装置の斜視図であるが、シリンダ２，排気管１２，ガス供給管２６，真空ポンプＰは省略している。
【００１７】
まず、基板２０を処理室内に搬入する際には、チャンバ蓋１が上昇した状態である。この状態でシリンダ８が作動してリフトピン１４をＺ方向に駆動し、搬送アーム３０から基板２０を受け取る位置まで上昇させる。そして、当該処理室内に隣接して設けられた基板搬送ロボットなどの搬送アーム３０がＹ方向に進入して、リフトピン１４の上方に基板２０を位置させる。そしてその位置で搬送アーム３０が下降することによって、上昇した位置で待機しているリフトピン１４に基板２０が載置される。このとき基板２０はリフトピン１４によって水平に支持されている。リフトピン１４に基板２０を受け渡した後、搬送アームは、処理室外に退避する。そしてシリンダ８が作動することによって、基板２０を載置したリフトピン１４は（−Ｚ）方向に下降する。リフトピン１４が下降していくと、基板２０の下面が複数の固定ピン１５の上端に当接する位置で、リフトピン１４から固定ピン１５に基板２０の受け渡しが行われる。そして基板２０に対する減圧乾燥処理は、基板２０を固定ピン１５が水平に支持した状態で行われる。このとき、リフトピン１４は基板２０の下面に接触しないように、十分下降している。そして、シリンダ２によってチャンバ蓋１を（−Ｚ）方向に下降し、処理室内を密閉状態とし、その後に真空ポンプＰが作動して処理室内を減圧する。
【００１８】
基板２０に塗布されたレジスト等の塗布液が乾燥するのに要する時間が十分経過すると、真空ポンプＰの減圧動作は停止する。そして図示しないガス供給源を作動させる。ガス供給源によって供給されるＮ_２等のガスは、ガス供給管２６，ガス供給口２５を介して処理室内に導かれる。このようにして処理室内の減圧状態を解除する。そして、チャンバ蓋１がシリンダ２によってＺ方向に上昇し、処理室から基板２０を搬出することができる状態にする。そしてシリンダ８がリフトピン１４をＺ方向に駆動し、上昇させる。リフトピン１４の上昇する際に、リフトピン１４の上端部が基板２０の下面に当接する位置で、固定ピン１５からリフトピン１４に対して基板２０の受け渡しが行われる。そしてさらにリフトピン１４が上昇し、搬送アーム３０との間で基板２０の受け渡しを行う所定の位置で停止する。その後、搬送アーム３０が処理室内に進入して基板２０をリフトピン１４から受け取り、処理室内から搬出する。
【００１９】
このような減圧乾燥装置では、基板２０を搬送アームから受け取ってから減圧乾燥処理が終了し再び搬送アームに基板２０を渡すまでの間、従来のように同一のピンによって基板を支持するものではなく、リフトピン１４と固定ピン１５とよって基板２０を受け渡ししている。また、リフトピン１４と固定ピン１５とによる２つの支持状態は、それぞれ基板２０の下面内の異なる位置を支持している。したがって、リフトピン１４が基板２０を支持している状態の時間と固定ピン１５が基板２０を支持している状態の時間は、それぞれ従来のリフトピンが支持していた時間に比べると短くなっている。したがって、この減圧乾燥装置では、基板２０にピン跡が発生することがない。
【００２０】
また、この実施の形態において、減圧乾燥処理中にリフトピン１４と固定ピン１５との間で基板２０を受け渡ししても良い。すなわち、処理室が密閉され、固定ピン１５に基板２０が載置された状態において、真空ポンプＰによって処理室内が減圧状態とされている際に、リフトピン１４を上昇させ、固定ピン１５に支持された基板２０をリフトピン１４が支持する形態とする。さらに、減圧乾燥処理中に、リフトピン１４によって基板２０が支持されている際に、リフトピン１４を下降して固定ピン１５に基板２０を受け渡すことも可能である。
【００２１】
これによって、リフトピン１４が基板２０を支持する状態と固定ピン１５が基板２０を支持する状態とがそれぞれ交互に行われるため、従来に比べると同一のピンによって支持される時間が短くなり、ピン跡が発生しない。
【００２２】
なお、この実施の形態において、各図面に示した排気口１１，固定ピン１５，リフトピン１４の位置または数はこれに限定するものでない。しかし、固定ピン１５，リフトピン１４の配置位置は、基板２０を支持した際に、基板２０の撓みが最も小さくなる位置に配置することが望ましい。
【００２３】
＜第２の実施の形態＞
図４は、この発明の第２の実施の形態である減圧乾燥装置の概念的斜視図である。この実施の形態が、第１の実施の形態と異なる点は、基板の支持部がピン状ではなく線状の支持形態が構成されていることである。
【００２４】
線状の支持部には、昇降可能なリフト支持部１７と固定支持部１６との２種類が設置されている。この実施の形態では貫通孔を介してリフト支持部１７が設けられており、シリンダ８が駆動すると昇降棒７の昇降によってリフト支持部１７が昇降する構成となっている。また、固定支持部１６は、下部プレート３に固定されている。そして、下部プレート３の周囲には、Ｏリング１０が設けられており、チャンバ蓋１が下降した際の処理室の密閉状態を確保する遮蔽部材として機能している。なお、この実施の形態において、基板を搬出入する際の基板の搬送アームは、第１の実施の形態と同様である。そして図示を省略する処理室を減圧および減圧を解除するための構成（排気口，排気管，ガス供給口，ガス供給管，ベローズ，真空ポンプ）も、第１の実施の形態と同様の形式である。
【００２５】
この実施の形態において基板が当該減圧乾燥装置に搬入される際には、リフト支持部１７がシリンダ８の駆動によってＺ方向に上昇し、搬送アームがリフト支持部の上端部に基板を載置する。そしてリフト支持部１７は、基板を水平に支持した状態で下降し、固定支持部１６に基板を載置する。そして、チャンバ蓋１が下降し、処理室を減圧することによって、基板に対して減圧乾燥処理を施す。その際に、リフト支持部１７は基板の下面に接触しないことが必要である。
【００２６】
以上のように搬送アームから基板を受け取り、基板に減圧乾燥処理を施し、塗布液が乾燥した基板を再び搬送アームに渡すまでの間には、リフト支持部１７による基板の支持と固定支持部１６による基板の支持との２つの支持状態がある。そしてそれぞれの支持状態で基板の支持する位置が異なるように構成されている。
【００２７】
したがってそれぞれの支持状態において、基板と各支持部との接触時間が短くなり、ピン跡のようなものは発生しない。
【００２８】
また、この実施の形態において、基板に対して減圧乾燥処理を施している間に、リフト支持部１７が昇降を繰り返すことによって、リフト支持部１７と固定支持部１６とが幾度か基板を受け渡しても良く、これによっても基板にピン跡のようなものが発生することを防止することができる。
【００２９】
＜第３の実施の形態＞
図５は、第３の実施の形態である減圧乾燥装置の概念的斜視図である。この実施の形態が、第１および第２の実施の形態と異なる点は、基板を支持する部分が、ピン状ではなく、線状でもなく、面状の支持形態が構成されていることである。
【００３０】
この実施の形態において、基板の外形よりも小さいリフトプレート１８が設けられており、処理室の下部プレート３の中央部には基板の外形よりも小さく、かつ、このリフトプレート１８が挿通する貫通孔が設けられている。そして、下部プレートの周囲には、チャンバ蓋１が下降した際に処理室の密閉状態を確保するためのＯリング１０が設けられている。また、シリンダ８は昇降棒７をＺ方向または（−Ｚ）方向に昇降駆動することによってリフトプレート１８をＺ軸に沿って昇降させることが可能なように構成されている。なお、この実施の形態において、基板を搬出入する際の基板の搬送アームは、第１の実施の形態と同様である。そして図示を省略する処理室を減圧および減圧を解除するための構成（排気口，排気管，ガス供給口，ガス供給管，ベローズ，真空ポンプ）も、第１の実施の形態と同様の形式である。
【００３１】
この実施の形態において、基板に減圧乾燥処理を施す手順を説明する。まずチャンバ蓋１が上方に位置し、基板を搬出入することが可能な状態で、シリンダ８によってリフトプレート１８が上昇し、搬送アームから基板を受け取る準備をする。そこに搬送アームが進入して処理対象である基板をリフトプレートの上面に載置する。その後搬送アームは退避するとともに、シリンダ８が駆動してリフトプレート１８を（−Ｚ）方向に下降する。リフトプレート８が下降すると、基板の外周部が下部プレートの基板支持部３ａに接触する。すなわちこの実施の形態では、基板の受け渡しは、リフトプレート１８と下部プレートの基板支持部３ａとで行われる。リフトプレート１８が下降し、リフトプレート１８の上面が下部プレート３の上面よりも低い位置になると、基板はリフトプレート１８による支持状態から下部プレートの基板支持部３ａによる支持状態になる。そして、チャンバ蓋１を（−Ｚ）方向に下降し、処理室内を密閉し、減圧することによって基板に対する減圧乾燥処理が行われる。
【００３２】
基板に塗布された塗布液の乾燥が十分に行われると、チャンバ蓋１がＺ軸に沿って上昇する。そしてシリンダ８が駆動してリフトプレート１８を上昇させ、基板支持部３ａに支持された状態にある基板をリフトプレート１８が受け取る。そして搬送アームとの基板の受け渡しを行う所定の位置まで上昇して停止する。そこに搬送アームが進入してきて処理済みの基板を搬出する。
【００３３】
このような構成によって、基板に減圧乾燥処理を行う間、リフトプレート１８による支持状態と基板支持部３ａによる支持状態との２つの支持状態が存在し、それぞれの支持状態では基板の面内の異なる位置を支持している。したがって、１つ当たりの支持部材が基板を支持する時間が短縮されるため、基板にプレート跡などを形成することがない。
【００３４】
また、この実施の形態において、基板に対して減圧乾燥処理を施している間に、リフトプレート１８が昇降を繰り返すことによって、リフトプレート１８と基板支持部３ａとが幾度か基板を受け渡しても良く、これによっても基板にプレート跡などが発生することを防止することができる。
【００３５】
＜第４の実施の形態＞
図６は、この発明の第４の実施の形態である減圧乾燥装置の側面断面図である。この減圧乾燥装置は、処理室を形成するチャンバ蓋１と下部プレート３とを備えており、チャンバ蓋１は上下に昇降自在であり、下部プレート３は装置筐体に固定されている。ここで、チャンバ蓋１の昇降運動は、シリンダ２によって実現されている。そしてこの実施の形態の減圧乾燥装置の下部プレート３には、複数の貫通孔１９と、固定ピン１５と、処理室内の空気を排気するための複数の排気口１１と、ガス供給管２６を介してガス供給源に連通されているガス供給口２５と、チャンバ蓋１が下降した際の処理室の密閉状態を確保してＯリング１０とが設けられている。
【００３６】
この実施の形態において基板２０を支持するための支持形態は、第１の実施の形態と同様のピン状の支持形態である。そしてこの実施の形態には、図６に示すように第１リフトピン１４ａと第２リフトピン１４ｂとが設けられており、それぞれが独立して昇降可能な構成となっている。詳しく説明すると、第１リフトピン１４ａは、昇降台６ａに設けられており、昇降台６ａには昇降棒７ａが接続されている。この昇降棒７ａはシリンダ８ａが作動することによって、上下方向に昇降する。したがってシリンダ８ａが作動すれば、それに伴って第１リフトピン１４ａが昇降する構成となっている。また、第２リフトピン１４ｂも同様に昇降台６ｂに設けられており、昇降台６ｂには昇降棒７ｂが接続されている。そしてこの昇降棒７ｂはシリンダ８ｂが作動することによって上下方向に昇降し、これに伴って第２リフトピン１４ｂも昇降する構成となっている。
【００３７】
そして第１リフトピン１４ａおよび第２リフトピン１４ｂは、それぞれ下部プレート３に設けられている複数の貫通孔１９に挿通されている。さらに、第１リフトピン１４ａを構成するリフトピンの全てに処理室の密閉性を確保するためのベローズ５ａが、第２リフトピン１４ｂを構成するリフトピンの全てに同じ目的でベローズ５ｂが設けられている。
【００３８】
そして、排気口１１には、排気管１２が接続されており、図示しない真空ポンプに接続されて、密閉状態とされた処理室内の減圧が可能な構成となっている。また、基板２０を搬出入する搬送アームは第１の実施の形態で示したものと同様である。
【００３９】
このような構成において、基板２０に対して減圧乾燥処理を行う際は、チャンバ蓋１が上昇した状態において第１リフトピン１４ａを上昇させる。このとき第２リフトピン１４ｂは、第１リフトピン１４ａと搬送アームとが行う基板２０の受け渡し行為に干渉しない位置まで下降している。この状態で搬送アームが基板２０を第１リフトピン１４ａの上端部に載置する。そして、第１リフトピン１４ａは基板２０を支持した状態で下降する。このとき第２リフトピン１４ｂは、必要に応じて上昇させる。そして第２リフトピン１４ｂの上端部が基板２０の下面に当接し、第１リフトピン１４ａと第２リフトピン１４ｂの間で基板の受け渡しが行われる。このようにして第１リフトピン１４ａによる支持状態から第２リフトピン１４ｂによる支持状態に移行する。そして、第１リフトピン１４ａは下降し、これに遅れて第２リフトピン１４ｂが下降する。そして、基板２０が固定ピン１５の上端部に接する位置まで下降すると、第２リフトピン１４ｂによる支持状態から固定ピン１５による支持状態に移行する。そしてチャンバ蓋１が下降して処理室を密閉し、処理室の減圧が行われる。
【００４０】
また、処理中も第１リフトピン１４ａと第２リフトピン１４ｂとを独立して昇降させることにより、基板２０の支持状態を変更することが可能である。そして、この実施の形態でも第１リフトピン１４ａによる支持状態と、第２リフトピン１４ｂによる支持状態と、固定ピン１５による支持状態との３つの基板２０の支持状態が存在するため、支持状態を切り換えることにより、各支持状態における基板を支持する時間を短くすることができ、基板にピン跡が生じることをより確実に防止することができる。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に記載の発明によれば、上面に塗布液が塗布された基板を処理室内に配置し、処理室内を密閉空間とした後、処理室内を減圧することによって、塗布液を乾燥させ、基板の上面に被膜を形成する減圧乾燥装置において、搬送装置によって減圧乾燥装置に搬送される基板を処理室内で受け取り、処理室内で基板の下面の位置に当接して基板を水平に支持する第１支持手段と、処理室内で第１支持手段が当接する基板の下面の位置と異なる位置に当接して基板を水平に支持する第２支持手段と、基板を第１支持手段によって支持する第１支持状態と、基板を第２支持手段によって支持する第２支持状態とを相互に切り換える切換手段とを備えるため、第１支持手段が基板を支持している第１支持状態の時間と第２支持手段が基板を支持している第２支持状態のそれぞれの時間は、それぞれ従来の基板支持部が基板を支持していた時間に比べると短くなる。したがって、この減圧乾燥装置では、基板にピン跡が発生することがない。
【００４２】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、第２支持手段は、基板の下面に当接する上端部の高さ位置が、第１支持状態において第１支持手段によって支持される基板の下面の高さより下方に配置されており、さらに、切換手段は、第１支持手段を昇降させる昇降手段を備え、当該昇降手段によって第１支持状態にある第１支持手段を下降させることにより、基板を第２支持手段に受け渡すため、従来と同様に１つの昇降駆動機構で基板を第１支持手段によって支持する第１支持状態と、基板を第２支持手段によって支持する第２支持状態とのいずれかに切り換えることができ、さらに、第１支持手段が基板を支持している第１支持状態の時間と第２支持手段が基板を支持している第２支持状態のそれぞれの時間は、それぞれ従来の基板支持部が基板を支持していた時間に比べると短くなり、基板にピン跡が発生することがない。
【００４３】
請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の減圧乾燥装置において、第１支持手段は昇降可能であるとともに上端部を基板の下面に当接させて基板を水平に支持する複数のリフトピンを備え、第２支持手段は上端部を基板の下面に当接することによって基板を支持する複数のピン部材を備え、密閉空間形成手段は、第２支持状態にある基板より下方に位置し、周囲に遮蔽部材が設けられたプレート部材と、プレート部材に対して相対的に昇降自在であるとともに、下降時において周辺部が遮蔽部材に当接する処理室蓋部と、処理室蓋部をプレート部材に対して相対的に昇降させる蓋昇降手段とを備えることによって、基板にピン跡が生じることのない減圧乾燥装置が実現できる。
【００４４】
請求項４に記載の発明によれば、請求項３に記載の減圧乾燥装置において、蓋昇降手段によって処理室蓋部がプレート部材に対して相対的に上昇している状態で、第１支持手段の複数のリフトピンに対して、搬送装置による基板の搬出入が行われるため、当該処理室内に基板を搬入したり、また当該処理室内から基板を搬出したりできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態である減圧乾燥装置の側面断面図である。
【図２】搬送アーム３０によって基板２０が搬送されることを示す側面図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態である減圧乾燥装置の斜視図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態である減圧乾燥装置の概念的斜視図である。
【図５】この発明の第３の実施の形態である減圧乾燥装置の概念的斜視図である。
【図６】この発明の第４の実施の形態である減圧乾燥装置の側面断面図である。
【図７】従来の減圧乾燥装置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
１チャンバ蓋
２，８，８ａ，８ｂシリンダ
３下部プレート
５ベローズ
１０Ｏリング
１１排気口
１２排気管
１４リフトピン
１４ａ第１リフトピン
１４ｂ第２リフトピン
１５固定ピン
１６固定支持部
１７リフト支持部
１８リフトプレート
１９貫通孔
２０基板
２５ガス供給口
２６ガス供給管
３０搬送アーム
Ｐ真空ポンプ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a resist applied to a printed substrate, a substrate for an LCD (Liquid Crystal Display), a semiconductor substrate, a substrate for a PDP (Plasma Display Panel), a substrate for a color filter used in an LCD (hereinafter, referred to as a “substrate”), and the like. The present invention relates to a reduced-pressure drying apparatus for forming a coating film such as a resist film on a substrate by drying the coating solution under reduced pressure.
[0002]
[Prior art]
FIG. 7 is a side sectional view showing a conventional vacuum drying apparatus. This reduced-pressure drying device includes a chamber lid 1 and a lower plate 3 that form a processing chamber (chamber). The chamber lid 1 is vertically movable up and down, but the lower plate 3 is fixed to the apparatus housing. The chamber lid 1 is configured to be driven up and down by a cylinder 2. The lower plate 3 has a plurality of through-holes 19 through which lift pins 4 for supporting the substrate that can be moved up and down are inserted, a plurality of exhaust ports 11 for exhausting air in the processing chamber, and an N in the processing chamber. ₂ And a gas supply port 25 for supplying such a gas. Further, an O-ring 10 is provided around the lower plate 3 to ensure a sealed state of the processing chamber when the chamber lid 1 is lowered.
[0003]
The lift pins 4 are fixed to the lift 6 and are inserted through through holes 19 provided in the lower plate 3. Further, the lift 6 is connected to a lift rod 7, and when the lift rod 7 is driven to move up and down by a cylinder 8, the lift pins 4 move up and down. A bellows 5 is provided between the lower plate 3 and the lift 6 in order to ensure the tightness of the processing chamber. An exhaust pipe 12 is connected to the exhaust port 11, and the exhaust pipe 12 is connected to a vacuum pump (not shown). Further, the gas supply port 25 communicates with a gas supply pipe 26, and the gas supply pipe 26 is connected to a gas supply source (not shown).
[0004]
The processing procedure of the substrate in the conventional vacuum drying apparatus configured as described above will be described below. First, with the chamber lid 1 raised, the substrate 20 having the upper surface coated with the coating liquid is transported into the processing chamber by a transport arm (not shown). Then, at the position where the lift pins 4 are lifted, the transfer arm places the substrate 20 on the upper ends of the lift pins 4. After placing the substrate 20, the transfer arm retreats outside the processing chamber. Then, the cylinder 8 is driven to lower the lift pin 4. When the substrate 20 is lowered to a position where the substrate 20 can be dried under reduced pressure, the lift pins 4 are stopped, and the chamber lid 1 is lowered by driving the cylinder 2 to seal the processing chamber. . Next, in order to reduce the pressure in the processing chamber, a vacuum pump (not shown) is operated to reduce the pressure in the processing chamber. Due to this reduced pressure, the coating liquid such as a resist applied on the upper surface of the substrate is dried, and a film is formed on the upper surface of the substrate.
[0005]
When the processing on the substrate 20 is completed, the vacuum pump is stopped, and N 2 is introduced into the processing chamber from the gas supply port 25. ₂ After the pressure in the processing chamber is released by blowing gas such as the above, the chamber lid 1 is raised. Then, the lift pins 4 are raised by driving the cylinder 8 to raise the substrate 20 to a predetermined position where the substrate 20 is transferred to the transfer arm. The transfer arm enters there, receives the substrate 20, and carries it out of the processing chamber.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a coating solution such as a resist applied to the upper surface of the substrate 20 is dried by a conventional reduced-pressure drying apparatus, a region near the lift pins 4 of the substrate 20 (contact region) and a region other than the contact region. (Non-contact area) causes a temperature difference. This is because the temperature of the substrate 20 and the temperature of the lift pins 4 are different. When a substrate having a different temperature comes into contact with the substrate 20, the temperature near the contact changes. Due to this temperature difference, if the substrate is supported by the same lift pins between the time when the substrate 20 is received from the transfer arm and the time when the reduced-pressure drying process is completed and the time when the substrate 20 is transferred to the transfer arm again, the reduced-pressure drying process is performed. After that, the degree of drying of the film formed on the upper surface of the substrate 20 differs between the contact region and the non-contact region. When the substrate 20 on which the film having a different degree of drying is formed is held over a sodium lamp as described above, the difference in the degree of drying can be visually observed as a pin mark which is a difference in density.
[0007]
The generation of the pin marks is caused by bringing the substrate and an object having a different temperature into contact with an arbitrary position on the lower surface of the substrate for a long time. Therefore, not only when the substrate is supported by pins or the like, but also when the substrate is supported by a plate-like surface, a portion that contacts the substrate appears as a plate mark.
[0008]
Using a substrate on which such pin marks have occurred, for example, when a color filter is manufactured and an image is displayed with this color filter provided on an LCD, image unevenness corresponding to the pin marks appears on the screen, When an LCD or the like is manufactured, there arises a problem that the electrical characteristics of elements formed on the substrate are different between the area where the pin mark has occurred and the other area.
[0009]
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a reduced-pressure drying apparatus that does not cause pin marks or the like on a substrate.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, a substrate having a coating liquid applied to an upper surface is disposed in a processing chamber, and after the processing chamber is made a closed space, the coating liquid is dried by reducing the pressure in the processing chamber to form a substrate. A reduced pressure drying apparatus for forming a film on the upper surface, a closed space forming means for forming the processing chamber as a closed space, a decompression means for depressurizing the processing chamber by exhausting air in the processing chamber, The substrate transferred to the reduced-pressure drying device by the transfer device is received in the processing chamber, First support means for abutting the lower surface of the substrate in the processing chamber to horizontally support the substrate, and holding the substrate horizontally in a different position from the lower surface of the substrate in the processing chamber abutting on the first support means There is provided a second supporting means for supporting, and a switching means for mutually switching between a first supporting state in which the substrate is supported by the first supporting means and a second supporting state in which the substrate is supported by the second supporting means.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, in the reduced-pressure drying apparatus according to the first aspect, the height position of the upper end of the second supporting means abutting on the lower surface of the substrate is set by the first supporting means in the first supporting state. The switching means is disposed below the height of the lower surface of the substrate to be supported, and the switching means includes elevating means for elevating the first supporting means, and lowering the first supporting means in the first supported state by the elevating means. The substrate is transferred to the second support means.
[0012]
According to a third aspect of the present invention, in the reduced-pressure drying apparatus according to the second aspect, the first supporting means is capable of vertically moving and supporting the substrate horizontally by contacting an upper end portion with a lower surface of the substrate. A lift pin, the second support means includes a plurality of pin members for supporting the substrate by abutting an upper end portion on a lower surface of the substrate, and the closed space forming means is located below the substrate in the second support state. A plate member having a shielding member provided therearound, a processing chamber lid portion that is vertically movable relative to the plate member, and a peripheral portion abuts on the shielding member at the time of lowering; A lid elevating means for elevating and lowering relative to the member.
[0013]
According to a fourth aspect of the present invention, in the reduced-pressure drying apparatus according to the third aspect, a plurality of the first support units are provided in a state in which the lid of the processing chamber is raised relative to the plate member by the lid elevating unit. For the lift pins, By transport device Loading and unloading of substrates Is done .
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
<First embodiment>
FIG. 1 is a side sectional view of a reduced-pressure drying apparatus according to a first embodiment of the present invention. This reduced-pressure drying device includes a chamber lid 1 and a lower plate 3 that form a processing chamber (chamber). The chamber lid 1 is vertically movable up and down, but the lower plate 3 is fixed to the apparatus housing. The chamber lid 1 is configured to be driven up and down by a cylinder 2. The lower plate 3 of the reduced-pressure drying apparatus of this embodiment has a plurality of through holes 19 through which lift pins 14 for supporting a substrate are inserted and a plurality of exhaust holes for exhausting air in the processing chamber. Mouth 11 and N in processing chamber ₂ A gas supply port 25 for supplying such a gas and a plurality of fixing pins 15 are formed. The gas supply port 25 communicates with a gas supply pipe 26, and the gas supply pipe 26 is connected to a gas supply source (not shown). By operating this gas supply source, N gas enters the processing chamber from the gas supply port 25. ₂ Or the like can be supplied to release the reduced pressure state of the processing chamber. An O-ring 10 is provided around the lower plate 3 to ensure a sealed state of the processing chamber when the chamber lid 1 is lowered.
[0015]
The lift pins 14 are fixed to the lift 6 and are inserted through through holes 19 provided in the lower plate 3. Further, the lift 6 is connected to a lift rod 7, and when the lift rod 7 is driven up and down by the cylinder 8, the lift pins 14 move up and down. In this embodiment, one lifting drive mechanism is provided as in the conventional case. A bellows 5 is provided between the lower plate 3 and the lift 6 in order to ensure the tightness of the processing chamber. The lift pins 14 are provided inside the bellows 5. An exhaust pipe 12 is connected to the exhaust port 11. The exhaust pipe 12 is connected to a vacuum pump P, and the vacuum pump P reduces the pressure in the sealed processing chamber. Then, when releasing the pressure reduction in the processing chamber, the gas supply source is operated, and N 2 is introduced into the processing chamber from the gas supply port 25 through the gas supply pipe 26. ₂ The pressure in the processing chamber is released by blowing gas such as.
[0016]
In this embodiment, the procedure of drying under reduced pressure the substrate 20 having its upper surface coated with a coating liquid such as a resist will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a side view illustrating a state where the substrate 20 is transferred by the transfer arm 30. FIG. 3 is a perspective view of the reduced-pressure drying apparatus according to this embodiment, but the cylinder 2, the exhaust pipe 12, the gas supply pipe 26, and the vacuum pump P are omitted.
[0017]
First, when the substrate 20 is carried into the processing chamber, the chamber lid 1 is in a state of being raised. In this state, the cylinder 8 operates to drive the lift pins 14 in the Z direction to raise the lift pins 14 to a position where the substrate 20 is received from the transfer arm 30. Then, a transfer arm 30 such as a substrate transfer robot provided adjacent to the processing chamber enters in the Y direction, and positions the substrate 20 above the lift pins 14. The substrate 20 is placed on the lift pins 14 waiting at the raised position by lowering the transfer arm 30 at that position. At this time, the substrate 20 is horizontally supported by the lift pins 14. After transferring the substrate 20 to the lift pins 14, the transfer arm retreats outside the processing chamber. When the cylinder 8 operates, the lift pins 14 on which the substrate 20 is placed are lowered in the (-Z) direction. When the lift pins 14 descend, the substrate 20 is transferred from the lift pins 14 to the fixed pins 15 at a position where the lower surface of the substrate 20 contacts the upper ends of the plurality of fixed pins 15. The drying under reduced pressure on the substrate 20 is performed in a state where the substrate 20 is horizontally supported by the fixing pins 15. At this time, the lift pins 14 are sufficiently lowered so as not to contact the lower surface of the substrate 20. Then, the chamber lid 1 is lowered by the cylinder 2 in the (-Z) direction to make the processing chamber hermetically closed, and then the vacuum pump P is operated to depressurize the processing chamber.
[0018]
When the time required for drying the coating liquid such as the resist applied to the substrate 20 has sufficiently passed, the pressure reducing operation of the vacuum pump P stops. Then, a gas supply source (not shown) is operated. N supplied by gas supply ₂ Such gas is introduced into the processing chamber through the gas supply pipe 26 and the gas supply port 25. Thus, the reduced pressure state in the processing chamber is released. Then, the chamber lid 1 is moved up in the Z direction by the cylinder 2 so that the substrate 20 can be carried out of the processing chamber. Then, the cylinder 8 drives the lift pin 14 in the Z direction to raise it. When the lift pins 14 move upward, the substrate 20 is transferred from the fixed pins 15 to the lift pins 14 at a position where the upper end of the lift pins 14 contacts the lower surface of the substrate 20. Then, the lift pins 14 further rise and stop at a predetermined position where the transfer of the substrate 20 to and from the transfer arm 30 is performed. Thereafter, the transfer arm 30 enters the processing chamber, receives the substrate 20 from the lift pins 14, and unloads the substrate 20 from the processing chamber.
[0019]
In such a reduced-pressure drying apparatus, the substrate is not supported by the same pins as in the related art from the time when the substrate 20 is received from the transfer arm to the time when the reduced-pressure drying process is completed and the substrate 20 is transferred to the transfer arm again. The substrate 20 is transferred by the lift pins 14 and the fixing pins 15. The two support states of the lift pins 14 and the fixing pins 15 support different positions on the lower surface of the substrate 20, respectively. Therefore, the time when the lift pins 14 support the substrate 20 and the time when the fixing pins 15 support the substrate 20 are shorter than the times when the conventional lift pins support the respective substrates. Therefore, in this reduced-pressure drying apparatus, no pin mark is generated on the substrate 20.
[0020]
In this embodiment, the substrate 20 may be transferred between the lift pins 14 and the fixing pins 15 during the reduced-pressure drying process. That is, in a state where the processing chamber is closed and the substrate 20 is placed on the fixing pins 15, the lift pins 14 are raised and supported by the fixing pins 15 when the processing chamber is in a reduced pressure state by the vacuum pump P. The substrate 20 is supported by the lift pins 14. Further, when the substrate 20 is supported by the lift pins 14 during the reduced-pressure drying process, the lift pins 14 can be lowered to transfer the substrate 20 to the fixed pins 15.
[0021]
As a result, the state in which the lift pins 14 support the substrate 20 and the state in which the fixing pins 15 support the substrate 20 are alternately performed. Does not occur.
[0022]
In this embodiment, the positions or numbers of the exhaust port 11, the fixing pins 15, and the lift pins 14 shown in each drawing are not limited to these. However, it is desirable that the fixing pins 15 and the lift pins 14 are arranged at positions where the bending of the substrate 20 is minimized when the substrate 20 is supported.
[0023]
<Second embodiment>
FIG. 4 is a conceptual perspective view of a reduced-pressure drying apparatus according to a second embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment in that the supporting portion of the substrate is formed in a linear shape instead of a pin shape.
[0024]
The linear support portion is provided with two types of lift support portions 17 and fixed support portions 16 that can be raised and lowered. In this embodiment, a lift support portion 17 is provided through a through-hole, and the lift support portion 17 moves up and down by moving up and down the lifting rod 7 when the cylinder 8 is driven. In addition, the fixed support 16 is fixed to the lower plate 3. An O-ring 10 is provided around the lower plate 3, and functions as a shielding member for ensuring a sealed state of the processing chamber when the chamber lid 1 is lowered. Note that, in this embodiment, the substrate transfer arm for loading and unloading the substrate is the same as in the first embodiment. The configuration (exhaust port, exhaust pipe, gas supply port, gas supply pipe, bellows, vacuum pump) for depressurizing and depressurizing the processing chamber (not shown) is the same as that of the first embodiment. is there.
[0025]
In this embodiment, when a substrate is carried into the vacuum drying apparatus, the lift support unit 17 is moved up in the Z direction by driving the cylinder 8, and the transfer arm places the substrate on the upper end of the lift support unit. . Then, the lift support unit 17 descends while supporting the substrate horizontally, and places the substrate on the fixed support unit 16. Then, the chamber lid 1 is lowered, and the pressure in the processing chamber is reduced, so that the substrate is subjected to a reduced pressure drying process. At this time, it is necessary that the lift support portion 17 does not contact the lower surface of the substrate.
[0026]
As described above, the substrate is received from the transfer arm, the substrate is subjected to a reduced pressure drying process, and the substrate after the application liquid is dried is transferred to the transfer arm again. There are two supporting states, that is, the supporting state of the substrate. The position where the substrate is supported is different in each supporting state.
[0027]
Therefore, in each supporting state, the contact time between the substrate and each supporting portion is shortened, and no pin marks are generated.
[0028]
Further, in this embodiment, while the substrate is subjected to the reduced-pressure drying process, the lift support unit 17 repeatedly moves up and down, so that the lift support unit 17 and the fixed support unit 16 pass the substrate several times. This can also prevent the occurrence of pin marks on the substrate.
[0029]
<Third embodiment>
FIG. 5 is a conceptual perspective view of a reduced-pressure drying apparatus according to the third embodiment. This embodiment is different from the first and second embodiments in that the portion for supporting the substrate is not pin-shaped, not linear, and has a planar support mode. .
[0030]
In this embodiment, a lift plate 18 smaller than the outer shape of the substrate is provided, and a through hole through which the lift plate 18 is inserted is smaller than the outer shape of the substrate at the center of the lower plate 3 of the processing chamber. Is provided. An O-ring 10 is provided around the lower plate for ensuring a sealed state of the processing chamber when the chamber lid 1 is lowered. The cylinder 8 is configured so that the lift plate 18 can be moved up and down along the Z axis by driving the lift bar 7 to move up and down in the Z direction or the (−Z) direction. Note that, in this embodiment, the substrate transfer arm for loading and unloading the substrate is the same as in the first embodiment. The configuration (exhaust port, exhaust pipe, gas supply port, gas supply pipe, bellows, vacuum pump) for depressurizing and depressurizing the processing chamber (not shown) is the same as that of the first embodiment. is there.
[0031]
In this embodiment, a procedure for performing a reduced pressure drying process on a substrate will be described. First, the lift plate 18 is raised by the cylinder 8 in a state where the chamber lid 1 is located above and the substrate can be carried in and out, and preparations for receiving the substrate from the transfer arm are made. Then, the transfer arm enters and the substrate to be processed is placed on the upper surface of the lift plate. Thereafter, the transfer arm is retracted, and the cylinder 8 is driven to lower the lift plate 18 in the (-Z) direction. When the lift plate 8 is lowered, the outer peripheral portion of the substrate comes into contact with the substrate support 3a of the lower plate. That is, in this embodiment, the delivery of the substrate is performed by the lift plate 18 and the substrate support 3a of the lower plate. When the lift plate 18 is lowered and the upper surface of the lift plate 18 is lower than the upper surface of the lower plate 3, the substrate is changed from the state supported by the lift plate 18 to the state supported by the substrate support 3a of the lower plate. Then, the chamber lid 1 is lowered in the (-Z) direction, the processing chamber is sealed, and the substrate is reduced in pressure to perform a reduced pressure drying process.
[0032]
When the application liquid applied to the substrate is sufficiently dried, the chamber lid 1 moves up along the Z axis. Then, the cylinder 8 is driven to lift the lift plate 18, and the lift plate 18 receives the substrate supported by the substrate support 3a. Then, it rises to a predetermined position for transferring the substrate to and from the transfer arm and stops. The transport arm enters there and unloads the processed substrate.
[0033]
With such a configuration, while the substrate is subjected to the reduced-pressure drying process, there are two support states, that is, the support state by the lift plate 18 and the support state by the substrate support unit 3a. Supporting position. Therefore, since the time for each supporting member to support the substrate is reduced, no trace of a plate is formed on the substrate.
[0034]
In this embodiment, the lift plate 18 and the substrate support 3a may transfer the substrate several times by repeatedly lifting and lowering the lift plate 18 while performing the reduced-pressure drying process on the substrate. This can also prevent the occurrence of plate marks or the like on the substrate.
[0035]
<Fourth embodiment>
FIG. 6 is a side sectional view of a reduced-pressure drying apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. The reduced-pressure drying apparatus includes a chamber lid 1 that forms a processing chamber and a lower plate 3. The chamber lid 1 is vertically movable up and down, and the lower plate 3 is fixed to an apparatus housing. Here, the vertical movement of the chamber lid 1 is realized by the cylinder 2. The lower plate 3 of the reduced-pressure drying apparatus according to this embodiment is provided with a plurality of through holes 19, fixing pins 15, a plurality of exhaust ports 11 for exhausting air in the processing chamber, and a gas supply pipe 26. A gas supply port 25 communicating with a gas supply source is provided, and an O-ring 10 is provided to ensure a sealed state of the processing chamber when the chamber lid 1 is lowered.
[0036]
In this embodiment, a support form for supporting the substrate 20 is a pin-like support form similar to the first embodiment. In this embodiment, as shown in FIG. 6, a first lift pin 14a and a second lift pin 14b are provided, and each of them is configured to be able to move up and down independently. More specifically, the first lift pins 14a are provided on the lifting platform 6a, and the lifting bar 6a is connected to the lifting platform 6a. The lifting rod 7a is moved up and down by the operation of the cylinder 8a. Therefore, when the cylinder 8a operates, the first lift pin 14a moves up and down accordingly. The second lift pins 14b are also provided on the lift 6b, and the lift 6b is connected to the lift rod 7b. The lifting rod 7b moves up and down by the operation of the cylinder 8b, and the second lift pin 14b moves up and down accordingly.
[0037]
The first lift pins 14a and the second lift pins 14b are respectively inserted into a plurality of through holes 19 provided in the lower plate 3. Further, a bellows 5a for ensuring the hermeticity of the processing chamber is provided for all of the lift pins constituting the first lift pins 14a, and a bellows 5b is provided for all of the lift pins constituting the second lift pins 14b for the same purpose.
[0038]
An exhaust pipe 12 is connected to the exhaust port 11, and is connected to a vacuum pump (not shown) so that the pressure in the sealed processing chamber can be reduced. Further, the transfer arm for transferring the substrate 20 in and out is the same as that shown in the first embodiment.
[0039]
In such a configuration, when performing the reduced pressure drying process on the substrate 20, the first lift pins 14a are raised in a state where the chamber lid 1 is raised. At this time, the second lift pins 14b have been lowered to a position where they do not interfere with the transfer of the substrate 20 performed by the first lift pins 14a and the transfer arm. In this state, the transfer arm places the substrate 20 on the upper end of the first lift pin 14a. Then, the first lift pins 14a descend while supporting the substrate 20. At this time, the second lift pins 14b are raised as necessary. Then, the upper end of the second lift pin 14b contacts the lower surface of the substrate 20, and the transfer of the substrate is performed between the first lift pin 14a and the second lift pin 14b. In this way, the state is shifted from the state supported by the first lift pins 14a to the state supported by the second lift pins 14b. Then, the first lift pin 14a descends, and the second lift pin 14b descends later. Then, when the substrate 20 is lowered to a position where it comes into contact with the upper end of the fixing pin 15, the state is shifted from the state supported by the second lift pins 14b to the state supported by the fixing pins 15. Then, the chamber lid 1 is lowered to seal the processing chamber, and the pressure in the processing chamber is reduced.
[0040]
Also, during the processing, the support state of the substrate 20 can be changed by independently raising and lowering the first lift pins 14a and the second lift pins 14b. Also in this embodiment, since there are three support states of the substrate 20, that is, the support state by the first lift pins 14 a, the support state by the second lift pins 14 b, and the support state by the fixed pins 15, the support state is switched. Accordingly, the time for supporting the substrate in each supporting state can be shortened, and the occurrence of pin marks on the substrate can be more reliably prevented.
[0041]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the substrate on which the coating solution is applied is disposed in the processing chamber, and after the processing chamber is closed, the pressure in the processing chamber is reduced. In a vacuum drying device for drying the coating liquid and forming a film on the upper surface of the substrate, The substrate transferred to the reduced-pressure drying device by the transfer device is received in the processing chamber, First support means for abutting the lower surface of the substrate in the processing chamber to horizontally support the substrate, and holding the substrate horizontally in a different position from the lower surface of the substrate in the processing chamber abutting on the first support means A first supporting means for supporting the substrate; a switching means for switching between a first supporting state in which the substrate is supported by the first supporting means and a second supporting state in which the substrate is supported by the second supporting means; The time of the first supporting state in which the supporting means supports the substrate and the time of the second supporting state in which the second supporting means supports the substrate were respectively determined by the conventional substrate supporting portions supporting the substrate. It is shorter than the time. Therefore, in this reduced-pressure drying apparatus, no pin mark is generated on the substrate.
[0042]
According to the second aspect of the present invention, in the vacuum drying apparatus according to the first aspect, the second supporting means may be configured such that a height position of an upper end portion abutting on a lower surface of the substrate is the first supporting position in the first supporting state. The switching means is arranged below the height of the lower surface of the substrate supported by the means, and the switching means further includes elevating means for elevating the first supporting means, and the first supporting means in the first supporting state by the elevating means. Is lowered to thereby transfer the substrate to the second support means, so that the substrate is supported by the first support means by one elevating drive mechanism as in the prior art, and the substrate is supported by the second support means as in the prior art. And the second support state in which the first support means supports the substrate and the second support state in which the second support means supports the substrate. Each time Is shortened when the conventional substrate support each compared to the time supported the substrate, pin marks does not occur in the substrate.
[0043]
According to the third aspect of the present invention, in the vacuum drying apparatus according to the second aspect, the first supporting means is vertically movable and supports the substrate horizontally by contacting an upper end portion with a lower surface of the substrate. The second support means includes a plurality of pin members for supporting the substrate by contacting the upper end portion to the lower surface of the substrate, and the closed space forming means is located below the substrate in the second support state. A plate member having a shielding member provided therearound, a processing chamber lid portion that is vertically movable relative to the plate member, and a peripheral portion abuts on the shielding member at the time of lowering; By providing the lid elevating means for elevating and lowering the member relatively, a reduced-pressure drying apparatus which does not cause pin marks on the substrate can be realized.
[0044]
According to the fourth aspect of the present invention, in the reduced pressure drying apparatus according to the third aspect, the first supporting means is provided in a state where the processing chamber lid is relatively raised with respect to the plate member by the lid elevating means. For multiple lift pins, Depends on transfer device Loading and unloading of substrates Is done Therefore, a substrate can be loaded into or out of the processing chamber.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side sectional view of a reduced-pressure drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view showing that a substrate 20 is transferred by a transfer arm 30.
FIG. 3 is a perspective view of a reduced-pressure drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a conceptual perspective view of a reduced-pressure drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a conceptual perspective view of a reduced-pressure drying apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a side sectional view of a reduced-pressure drying apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a side sectional view showing a conventional vacuum drying apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Chamber lid
2,8,8a, 8b cylinder
3 Lower plate
5 Bellows
10 O-ring
11 Exhaust port
12 Exhaust pipe
14 lift pins
14a First lift pin
14b 2nd lift pin
15 Fixing pin
16 Fixed support
17 Lift support
18 Lift plate
19 Through hole
20 substrates
25 Gas supply port
26 Gas supply pipe
30 Transfer arm
P vacuum pump

Claims

After the substrate coated with the coating liquid on the upper surface is disposed in the processing chamber, and the processing chamber is made a closed space, the coating liquid is dried by reducing the pressure in the processing chamber to form a film on the upper surface of the substrate Vacuum drying device,
Closed space forming means for forming the processing chamber as the closed space,
Decompression means for decompressing the processing chamber by exhausting air in the processing chamber,
First support means for receiving the substrate transferred to the reduced-pressure drying device by the transfer device in the processing chamber, and abutting the lower surface of the substrate in the processing chamber to horizontally support the substrate;
Second support means for supporting the substrate horizontally by contacting a position different from the position of the lower surface of the substrate with which the first support means contacts in the processing chamber;
Switching means for mutually switching between a first support state in which the substrate is supported by the first support means and a second support state in which the substrate is supported by the second support means;
A vacuum drying device comprising:

The reduced-pressure drying device according to claim 1,
The second support means is arranged such that a height position of an upper end portion abutting on a lower surface of the substrate is lower than a height of a lower surface of the substrate supported by the first support means in the first support state. ,
The switching means includes elevating means for elevating the first support means, and lowering the first support means in the first support state by the elevating means, thereby receiving the substrate on the second support means. A vacuum drying device characterized by passing.

The reduced-pressure drying device according to claim 2,
The first support means includes a plurality of lift pins that are vertically movable and support the substrate horizontally by bringing an upper end portion into contact with a lower surface of the substrate,
The second support means includes a plurality of pin members that support the substrate by contacting an upper end portion with a lower surface of the substrate,
The closed space forming means,
A plate member located below the substrate in the second support state and provided with a shielding member around the plate member;
A process chamber lid that is relatively movable up and down relative to the plate member, and a peripheral portion abuts the shielding member when descending,
Lid elevating means for elevating the processing chamber lid relative to the plate member,
A vacuum drying device comprising:

The reduced-pressure drying device according to claim 3,
The transfer of the substrate by the transfer device with respect to the plurality of lift pins of the first support means in a state where the processing chamber cover is raised relatively to the plate member by the cover lifting means. Is carried out .