JP3594917B2 - 強誘電性液晶表示素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子に係り、特に強誘電性液晶表示素子(FLCD)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
クラーク及びラガーウオルにより提案された強誘電性液晶を用いた液晶表示素子(特開昭56−107216号公報)は、双安定性を有し、且つ電界の変化に対する応答が高速であることから、大画面で高精細な動画映像表示を可能にする液晶表示素子としての応用が期待されている。
【0003】
また、先行技術としては、例えば、J.Kanbe et al.:Ferroelectrics,114(1991)3,J.Xue et al.:Dig.Tech.Pap.SID,31(2000)13が挙げられる。
【0004】
このように、強誘電性液晶ディスプレイ(FLCD)は、高速応答性による動画映像の美しい表示やメモリー性を利用した電子ペーパーへの応用が期待される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の強誘電性液晶を用いた液晶表示素子は、強誘電性液晶の均一な配向を得ることが困難であるという問題があった。すなわち、FLCの配向制御は非常に複雑で困難とされ、シェブロン層構造に由来するジグザグ欠陥は電気光学的コントラスト・双安定メモリー性を大きく低下させ、これがFLCのディスプレイ応用にとって大きな障害となっている。
【0006】
このジグザグ欠陥の形成メカニズムについて数多くの報告があるが、パラレルラビング配向セルの冷却過程において、Sm(スメクティック)C* 相転移時にまずC1シェブロン構造が形成され、その後、C2構造への不均一な構造転移により両者が共存し、ジグザグ欠陥が形成される。
【0007】
図8に示すように、C1構造のダイレクター分布はC2構造に比べ一様である反面、基板表面のダイレクターはラビング方向から外れている。そのため、SmC* 相に転移後、降温に伴ってFLCのティルト角が増大する過程で、表面アンカリングによりC1からC2への構造転移が生じる。
【0008】
図9は通常のFLCセルの室温における偏光顕微鏡写真(代用図面)である。この図から明らかなように降温過程において通常のFLCセルではSmAからSmC相(C1)に転移後、C1からC2への構造転移がセル内で不均一に生じ、ジグザグ欠陥の発生が見られる。
【0009】
かかるジグザグ欠陥はC1−C2構造転移に由来するため、この構造転移を阻止した一様なC1構造の実現が望まれる。
【0010】
本発明は、上記状況に鑑みて、強誘電性液晶を用いた均一な配向を有する強誘電性液晶表示素子を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、強誘電性液晶のシェブロン層構造に着目し、液晶組成物を基板面上に成膜させ、この液晶組成物と異なる相転移温度を有する強誘電性液晶を一対の基板間に挟持させる。すなわち、本発明では、図1に示すように、SmA−SmC* 相転移点を降下させた表面層を有するハイブリッド構造の強誘電性液晶を用いた液晶表示素子(FLCD)を提供する。この構造では、バルクFLCのティルト角が増大しても、基板表面に近づくにつれティルト角が減少し、C1−C2構造転移を抑制することができる。
【0012】
すなわち、
〔1〕一対の基板間に液晶層を挟持させる強誘電性液晶表示素子において、前記一対の基板間の少なくとも一方の基板面付近とそれを除く領域の間で、前記液晶層の相転移温度が異なるように構成したことを特徴とする。
【0013】
〔2〕上記〔1〕記載の強誘電性液晶表示素子において、前記液晶層が少なくとも強誘電性液晶を含有することを特徴とする。
【0014】
〔3〕上記〔1〕又は〔2〕記載の強誘電性液晶表示素子において、前記液晶層が、相転移温度の異なる少なくとも2種類の液晶組成物から構成されることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
まず、以下に本発明の一例を示す。
【0016】
本発明の製造方法は、強誘電性液晶の2つのシェブロン層構造(C1構造及びC2構造)のうち、C1構造のみを得るために、強誘電性液晶に対して相転移温度を異にする液晶組成物の薄膜を予め基板面上に形成し、次に、その基板間に強誘電性液晶を介在させることを特徴としている。つまり、本発明の製造方法で製造された液晶表示素子は、2種類の液晶組成物から構成され、これらの組成物の間に濃度勾配が生じることにより、基板表面付近において液晶の相転移温度が変調された構造を有する。
【0017】
これにより、本発明の製造方法で製造された液晶表示素子においては、C2構造が抑制され、C1構造のみの均一な配向が得られる。これは、強誘電性液晶と配向制御膜の間に、強誘電性液晶に対して相転移温度を異にする液晶組成物が介在することにより、強誘電性液晶に対する配向制御膜の束縛力が低下した結果、その束縛力に対してエネルギー的に有利なC2構造が抑制されるためと考えられる。
【0018】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
【0019】
本発明において使用する強誘電性液晶は、通常この技術分野で強誘電性液晶と認識されるものであれば特に制限なく使用することができるが、強誘電相の良好な配向状態を得るため、強誘電相より上の温度領域でスメクティック(Sm)A相又はネマティック(Ne)相を呈するものを使用することが好ましい。
【0020】
また、本発明で使用する、強誘電性液晶に対して相転移温度を異にする液晶組成物は、配向制御膜の束縛力を効果的に低下させるように、強誘電性液晶に対する相転移温度差が大きいものほど好ましい。
【0021】
このような液晶組成物としては、C1構造とC2構造の間の構造転移が生じる温度領域において、スメクティックA相又はネマティック相を呈するものが好ましく、さらに好ましくは、強誘電性液晶が強誘電相を呈する温度領域において、スメクティックA相又はネマティック相を呈するものが好ましい。なぜなら、スメクティックA相又はネマティック相は、強誘電性液晶に対する配向制御膜の束縛力を大きく低下させるためである。
【0022】
配向制御膜としては、従来用いられているラビング処理を施したポリイミド配向膜を特に制限なく用いることができる。また、有機薄膜に紫外線を照射した、この技術分野で光配向制御膜と呼ばれる配向制御膜を用いることもできる。
【0023】
基板としては、薄膜トランジスタ付きガラス基板、ITO付きガラス基板、ITO付きプラスチック基板等を使用することができる。これらの基板上にカラーフィルター層が付与されているものも好適に使用することができる。
【0024】
(実施例1)
図2は本発明にかかるSmA−SmC相転移点を降下(変調)させた表面層を有する強誘電性液晶表示素子の模式図である。
【0025】
(1)ITO透明電極付きの厚さ1mmのガラス基板を用意し、透明電極面にポリイミド膜を300Åの厚さで形成した後、ラビング処理を施してポリイミド配向膜付きガラス基板(S−1)11を得た。
【0026】
次に、室温においてスメクティックA相を呈する液晶組成物「FELIX−020」(クラリアント製)(L−1)0.1重量部及びアセトン99.9重量部からなる溶液(M)を調整した。
【0027】
次に、溶液(M)を、ガラス基板(S−1)11における配向膜が形成された面上にスピンコートし、その後アセトンを揮発させて、図2(a)に示すように、液晶組成物(L−1)の薄膜12付きガラス基板(S−2)13を得た。この液晶組成物(L−1)の薄膜12の厚さは、偏光顕微鏡でその光学異方性が確認されないほどの大きさであり、原子間力顕微鏡を用いた測定より80Åと見積もられた。
【0028】
(2)このようにして得た2枚のガラス基板(S−2)13を、配向膜が形成された面が内側になるようにして2μmの間隔をもって対向させて、図2(b)に示すように、液晶セル(A)14を作製した。このとき、液晶セル(A)14の2枚の基板13,13のラビング方向は、パラレル方向になるように設定した。
【0029】
(3)次に、液晶セル(A)14を80℃に保ちながら、強誘電性液晶「FELIX−M4654/100」(クラリアント製)(F−1)を等方性液体相のまま注入し、その後徐々に温度を室温まで下げることにより、強誘電性液晶(F−1)をネマティック相、スメクティックA相を順に経由して強誘電相まで相転移させた〔図2(c)参照〕。なお、図2において、15は液晶セル(A)14のバルク領域を示している。
【0030】
その液晶セル(A)14のバルク領域15の拡大模式図を図3に示す。
【0031】
図3から明らかなように、一対の基板13,13の少なくとも一方の基板面付近、つまりバルク領域15内の表面領域15Aにおける液晶層の相転移温度を変調させる。すなわち、SmA−SmC* 相転移点を降下(変調)させた表面層を有するハイブリッド構造の強誘電性液晶を得ることができる。
【0032】
したがって、バルクFLCのティルト角が増大しても、基板表面に近づくにつれティルト角が減少し、C1−C2構造転移を抑制できる。
【0033】
そこで、この液晶セル(A)14の偏光顕微鏡観察を行った。このとき、2枚の偏光板の透過軸は直交させ、液晶セル(A)14のラビング方向と一方の偏光板の透過軸との角度は10度をなすように配置し、温度は30℃に設定した。この偏光顕微鏡観察の結果を図4に示す。この図から、本発明の液晶表示素子はC1構造のみの均一な配向を有することが分かる。
【0034】
(実施例2)
実施例1の液晶組成物(L−1)を、室温においてネマティック相を呈する液晶組成物「C2053」(ジャパンエナジー製)(L−2)に変更した以外は同様にして液晶セル(B)を作製し、偏光顕微鏡観察を行った。その偏光顕微鏡観察の結果を図5に示す。この図からも、本発明の液晶表示素子はC1構造のみの均一な配向を有することが分かる。
【0035】
(実施例3)
実施例1の液晶組成物(L−1)を、強誘電性液晶(F−1)70重量部とアクリレート系高分子「UCL−001」(大日本インキ化学製)30重量部からなる液晶組成物(L−3)に変更した以外は同様にして液晶セル(C)を作製し、偏光顕微鏡観察を行った。液晶組成物(L−3)の相転移温度は、強誘電性液晶(F−1)に比べて約5℃低い。偏光顕微鏡観察の結果を図6に示す。この図からも、本発明の液晶表示素子はC1構造のみの均一な配向を有することが分かる。
【0036】
(実施例4)
実施例1の液晶組成物(L−1)を、強誘電性液晶「FELIX−M4851/100」(クラリアント製)(F−2)に変更した以外は同様にして液晶セル(D)を作製し、偏光顕微鏡観察を行った。強誘電性液晶(F−2)の相転移温度は、強誘電性液晶(F−1)に比べて、スメクティックA相と強誘電相の間及びネマティック相とスメクティックA相の間の相転移温度において約6℃高い。すなわち、SmA−SmC* 相転移点を変調させた表面層を有するハイブリッド構造の強誘電性液晶を得ることができる。その偏光顕微鏡観察の結果を図7に示す。この図からも、本発明の液晶表示素子はC1構造のみの均一な配向を有することが分かる。
【0037】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0038】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、強誘電性液晶を用いた表示素子において、均一な配向を有する強誘電性液晶表示素子を提供することができる。従って、本発明の液晶表示素子は、強誘電性液晶の双安定性と高速応答性を利用した、大画面で高精細な動画映像表示の可能な液晶表示素子を実現することができ、その有用的効果は著大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるSmA−SmC相転移点を降下(変調)させた表面層を有する強誘電性液晶表示素子の模式図である。
【図2】本発明の実施例を示すSmA−SmC相転移点を降下させた表面層を有する強誘電性液晶表示素子の概略製造工程断面図である。
【図3】図2における強誘電性液晶表示素子のバルク領域の模式図である。
【図4】本発明の強誘電性液晶表示素子の製造方法により得た実施例1における強誘電性液晶表示素子の偏光顕微鏡写真(代用図面)である。
【図5】本発明の強誘電性液晶表示素子の製造方法により得た実施例2における強誘電性液晶表示素子の偏光顕微鏡写真(代用図面)である。
【図6】本発明の強誘電性液晶表示素子の製造方法により得た実施例3における強誘電性液晶表示素子の偏光顕微鏡写真(代用図面)である。
【図7】本発明の強誘電性液晶表示素子の製造方法により得た実施例4における強誘電性液晶表示素子の偏光顕微鏡写真(代用図面)である。
【図8】従来のC1及びC2シェブロンのFLC配向モデルの模式図である。
【図9】通常のFLCセルの室温における偏光顕微鏡写真(代用図面)である。
【符号の説明】
11 ポリイミド配向膜付きガラス基板(S−1)
12 液晶組成物(L−1)の薄膜
13 液晶組成物(L−1)の薄膜付きガラス基板(S−2)
14 液晶セル(A)
15 液晶セル(A)のバルク領域
15A バルク領域内の表面領域
Claims (3)
- 一対の基板間に液晶層を挟持させる強誘電性液晶表示素子において、前記一対の基板間の少なくとも一方の基板面付近とそれを除く領域の間で、前記液晶層の相転移温度が異なるように構成したことを特徴とする強誘電性液晶表示素子。
- 請求項1記載の強誘電性液晶表示素子において、前記液晶層が少なくとも強誘電性液晶を含有することを特徴とする強誘電性液晶表示素子。
- 請求項1又は2記載の強誘電性液晶表示素子において、前記液晶層が、相転移温度の異なる少なくとも2種類の液晶組成物から構成されることを特徴とする強誘電性液晶表示素子。
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