JP3585039B2

JP3585039B2 - Hole forming method

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Publication number: JP3585039B2
Application number: JP2002083225A
Authority: JP
Inventors: 勇西村
Original assignee: 株式会社半導体先端テクノロジーズ
Priority date: 2002-03-25
Filing date: 2002-03-25
Publication date: 2004-11-04
Anticipated expiration: 2022-03-25
Also published as: JP2003282700A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ホール形成方法に関する。さらに具体的には、基板に形成された絶縁膜にエッチングにより、微細なコンタクトホールを形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化、微細化に伴い、半導体装置の製造工程において形成されるコンタクトホール等のホールについても微細化が要求されている。
【０００３】
図９（ａ）〜（ｃ）は、従来のコンタクトホール形成方法の各工程を説明するための断面模式図であり、図１０は、従来のコンタクトホール形成方法を説明するためのフロー図である。
以下、図９及び図１０を用いて、従来のコンタクトホールの形成方法について説明する。
【０００４】
まず、図９（ａ）に示すように、拡散層４を有する基板２に形成された酸化膜８の表面に、レジスト膜１４を形成する（ステップＳ４０）。その後、図９（ｂ）に示すように、レジスト膜１４に、露光、現像処理を行い、ホール１６を形成する（ステップＳ４２）。
【０００５】
次に、図９（ｃ）に示すように、ホール１６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして、酸化膜８にエッチングを施す（ステップＳ４４）。その後、レジスト膜１４を除去する（ステップＳ４６）。このようにして、酸化膜８にコンタクトホール３０を形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、コンタクトホール３０は、エッチングにより形成されるが、ここで、マスクとして用いられるのは、ホール１６の形成されたレジスト膜１４である。従って、コンタクトホール３０の大きさは、レジスト膜１４に形成されるホール１６の大きさによって左右されるため、コンタクトホール３０は、ホール１６より小さくすることができない。このため、上述のような方法により、微細なコンタクトホール２６を形成するためには、要求されるコンタクトホールより微細なホールをレジスト膜に形成しなければならない。
【０００７】
また、ホール１６の寸法の制限は、レジスト膜１４にレジストパターン１６を形成する際に用いる露光装置の解像度Ｒによって決定される。従って、微細なレジストパターンを形成するためには、露光装置の解像度Ｒを高くする必要がある。
【０００８】
また、露光装置の解像度Ｒは、一般に、Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡと表され、使用されるレジストや、光源、レンズの開口数により決定される。なお、ここで、ｋは、レジストにより決定される係数、λは、光源の波長、ＮＡはレンズの開口数を示す。従って、解像度Ｒを高くするには、レジストや、光源、レンズの開口数を変化させる必要がある。しかし、レジストや光源の波長やレンズの開口数の変化により解像度Ｒを高くするには限界があるため、必ずしも、微細化するコンタクトホールの形成に対応できる微細なホールをレジスト膜に形成できない場合がある。
【０００９】
従って、この発明は、露光装置の解像度の制限による、コンタクトホールの微細化の制限を越えて、より微細なコンタクトホールを形成することを目的として、改良したコンタクトホールの形成方法を提案するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明におけるホール形成方法は、基板に、被加工対象膜を形成する被加工対象膜形成工程と、
前記被加工対象膜の表面に、多結晶シリコン膜を形成する多結晶シリコン膜形成工程と、
前記多結晶シリコン膜の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜の表面に、マスク用の絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記マスク用の絶縁膜の表面に、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に、ホールを形成するホール形成工程と、
前記ホール形成工程においてホールの形成された前記レジスト膜をマスクとして、前記マスク用の絶縁膜を、側壁部に斜度を設けたホールが形成されるようにエッチングする絶縁膜エッチング工程と、
前記絶縁膜エッチング工程においてエッチングされた前記マスク用の絶縁膜をマスクとして、前記酸化膜のエッチングを行う酸化膜エッチング工程と、
少なくとも前記酸化膜エッチング工程においてエッチングされた前記酸化膜をマスクとして、前記多結晶シリコン膜をエッチングする多結晶シリコン膜エッチング工程と、
前記多結晶シリコン膜エッチング工程において、エッチングされた前記多結晶シリコン膜をマスクとして、前記被加工対象膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
を備えるものである。
【００１１】
また、この発明におけるホール形成方法は、前記被加工膜形成工程の前に、前記基板に保護用の絶縁膜を形成する保護用絶縁膜形成工程と、
前記コンタクトホール形成工程の後、前記コンタクトホールの底部に露出する前記保護用の絶縁膜をエッチングにより除去する保護用絶縁膜除去工程と、
を備えるものである。
【００１２】
また、この発明におけるホール形成方法は、前記マスク用の絶縁膜が、窒化膜であるものである。
【００１４】
また、この発明におけるホール形成方法は、前記被加工対象膜が、酸化膜であるものである。
【００１５】
また、この発明におけるホール形成方法は、前記保護用の絶縁膜が、窒化膜であるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を省略ないし簡略化する。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１におけるホール形成前の積層状態を示す断面模式図である。
【００１８】
図１において、拡散層４が形成されたＳｉ基板２の表面には、窒化膜６が形成されている。窒化膜６は、後に説明する多結晶シリコン膜１０の除去の際、Ｓｉ基板２に形成された拡散層４を保護するための保護膜である。また、窒化膜６の表面には、酸化膜８が形成されている。酸化膜８は、実施の形態１において、コンタクトホールを形成する対象となる被加工膜である。
【００１９】
酸化膜８の表面には、多結晶シリコン膜１０が形成されている。多結晶シリコン膜１０の厚さは約３００ｎｍである。また、多結晶シリコン膜１０の表面には、窒化膜１２が形成されている。窒化膜１２の厚さは、約１００ｎｍ〜２００ｎｍである。さらに、窒化膜１２の表面には、レジスト膜１４が形成されている。
【００２０】
このようにして、被加工膜である酸化膜８の表面に形成された、多結晶シリコン膜１０、窒化膜１２及びレジスト膜１４が、実施の形態１において、酸化膜８にコンタクトホールを形成する際のマスクとしての役割を果たす。
【００２１】
図２は、この発明の実施の形態１における酸化膜８にコンタクトホール２２が形成された状態を示す断面模式図である。但し、図２においては、コンタクトホール２２を形成する際、マスクとして用いられ、コンタクトホール２２の形成後は、実際には除去されている膜をも表している。さらに、図２においては、各膜のエッチングの際、マスクとして用いられる膜のホール部分が、左右方向にもエッチングされて後退することによる、ホールの大きさの広がりについては、無視して表されている。
【００２２】
図２において、レジスト膜１４には、ホール１６が形成されている。ホール１６は、実際に要求されるコンタクトホール２２よりも大きく形成されている。なお、ホール１６の形成されたレジスト膜１４は、その下層の窒化膜１２をエッチングする際に、マスクとして用いられた後、除去される膜である。
【００２３】
窒化膜１２には、ホール１６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして形成されたホール１８が設けられている。ホール１８は、側壁に斜度を設けたテーパー形状のホールである。即ち、ホール１８は、窒化膜１２がレジスト膜１４に接する部分においては、コンタクトホール２２よりも大きなレジスト膜１４のホール１６と同じ大きさに開口している。一方、多結晶シリコン膜１０に接する部分においては、実際に酸化膜に形成されるコンタクトホール２２の大きさと、後に続くエッチングの際、ホール部分が左右方向にエッチングされる量とを考慮して、要求されるコンタクトホール２２より小さく開口している。
なお、窒化膜１２は、多結晶シリコン膜１０のエッチングの際、マスクとして用いられた後、除去される膜である。
【００２４】
多結晶シリコン膜１０には、窒化膜１２をマスクとして形成されたホール２０が形成されている。ホール２０は、エッチングの際に左右方向にエッチングされる量を考慮して、実際のコンタクトホール２２の大きさより小さく開口されている。また、ホール２０は、Ｓｉ基板２表面に対して、側壁の垂直な通常のホール形状を有する。なお、多結晶シリコン膜１０は、酸化膜８のエッチングの際、マスクとして用いられた後、除去される膜である。
【００２５】
酸化膜８及び窒化膜６には、レジスト膜１４に形成されたホール２４より微細なコンタクトホール２２及び２４が形成されている。
【００２６】
図３（ａ）〜（ｅ）、図４（ａ）〜（ｄ）は、この発明の実施の形態１におけるパターン形成の各工程を示す断面模式図であり、図３（ａ）〜（ｅ）は、ホール形成のため、各膜を積層する工程を示し、図４（ａ）〜（ｄ）は、各膜に、パターニングを行う工程を示す。また、図５は、実施の形態１により、コンタクトホール２２の形成された酸化膜８を含む基板を示す断面模式図であり、図６は、コンタクトホール形成方法を説明するためのフロー図である。
以下、図３〜図６を用いて、この発明の実施の形態１におけるホール形成方法について説明する。
【００２７】
まず、図３（ａ）に示すように、拡散層４の形成されたＳｉ基板２の表面に、ＣＶＤ法により、窒化膜６を形成する（ステップＳ２）。この窒化膜６は、多結晶シリコン膜１０の除去の際、拡散層４を保護する保護膜となる。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、窒化膜６の表面に、ＣＶＤ法により、酸化膜８を形成する（ステップＳ４）。この酸化膜８は、コンタクトホールを形成する被加工膜となる。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すように、酸化膜８の表面に、多結晶シリコン膜１０を形成する（ステップＳ６）。多結晶シリコン膜１０は、３００ｎｍ厚さに、ＣＶＤ法を用いて形成される。
【００３０】
次に、図３（ｄ）に示すように、多結晶ポリシリコン膜１０の表面に、窒化膜１２を形成する（ステップＳ８）。窒化膜１２は、約１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さに、ＣＶＤ法を用いて形成される。
【００３１】
次に、図３（ｅ）に示すように、窒化膜１２の表面に、レジスト膜１４を形成する（ステップＳ１０）。レジスト膜１４は、塗布機（コーター）により窒化膜１２の表面に塗布される。
【００３２】
続いて、図４（ａ）に示すように、ホール１６を形成する（ステップＳ１２）。ここでは、縮小投影露光装置を用いてレジスト膜１４を露光し、これを現像処理することにより、レジスト膜１４にマスクパターンを転写し、ホール１６を形成する。ここで形成するホール１６の径は、実際に要求されるコンタクトホール２２の径より大きくなっている。
【００３３】
次に、図４（ｂ）に示すように、ホール１６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして、窒化膜１２のエッチングを行う（ステップＳ１４）。これにより、側壁に斜度の設けられたテーパー形状のホール１８が形成される。即ち、窒化膜１２は、レジスト膜１４と接する上側部分においては、ホール１６と同じ大きさに開口され、一方、多結晶シリコン膜１０と接する下側部分においては、実際に要求されるコンタクトホール２２より小さく開口される。ホール１８の下側部分を、実際に形成するコンタクトホール２２の大きさより小さく開口するのは、続くエッチングにより、窒化膜１２が、ホール１８部分から、左右方向にエッチングされ、ホールが広がる量を考慮したためである。なお、ここでは、エッチングガスとして、ＣＨＦ_３、ＣＦ_４を用いる。また、レジスト膜１４のホール１６の大きさと、コンタクトホール２２の大きさ等を考慮して、エッチング中の電力や気圧等のエッチング条件を調整する。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、窒化膜１２にホール１８を形成した後、レジスト膜１４を除去する（ステップＳ１６）。
その後、テーパー形状のホール１８の形成された窒化膜１２をマスクとして、多結晶シリコン膜１０のエッチングを行う（ステップ１８）。これにより、多結晶シリコン膜１０には、窒化膜１２に形成されたテーパー形状のホール２０の、先端の細くなっている部分と同じ大きさのホール２０が形成される。なお、ここでは、エッチングガスとして、ＨＢｒ、Ｃｌ_２を用いる。また、窒化膜２０とのエッチング選択比は、１０である。
【００３５】
次に、図４（ｄ）に示すように、多結晶シリコン膜１０にホール２０を形成した後、窒化膜１２を除去する（ステップＳ２０）。ここでは、エッチングガスとして、高温のリン酸液あるいはＣＦ_４、Ｎ_２、Ｏ_２ガスを用いたケミカルドライエッチング装置により、窒化膜１２のみを選択的に除去する。
その後、酸化膜８のエッチングを行う（ステップ２２）。これにより、酸化膜８にコンタクトホール２２が形成される。ここでは、ホール２０の形成された多結晶シリコン膜１０をマスクとして、酸化膜８のエッチングを行う。エッチングガスとしては、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２ガスを用いる。また、多結晶シリコンとの選択比は、１５〜２０である。
【００３６】
次に、図５に示すように、多結晶シリコン膜１０を除去する（ステップＳ２４）。ここでは、ＨＢｒ、Ｃｌ_２をエッチングガスとして、コンタクトホール２２の底の窒化膜６とのエッチング選択比を１０として、エッチングを行って、多結晶シリコン膜を除去する。なお、多結晶シリコン膜１０の除去の際、窒化膜６により、拡散層４を傷つけるのを防ぐことができる。
続いて、酸化膜８に形成されたパターン１２の開口部の底にある窒化膜６をエッチングする（ステップ２６）。これによって、窒化膜６に、ホール２４が形成される。
【００３７】
以上のようにして、コンタクトホール２２を形成することができる。このように、酸化膜８とレジスト膜１４との間に形成された窒化膜１２を、テーパー形状にパターニングすれば、露光装置の解像度Ｒによって決まるホールの寸法の限界よりも、さらに微細なコンタクトホールを形成することができる。
【００３８】
また、多結晶シリコン膜１０を直接テーパー形状にパターニングして、これをマスクとして酸化膜８をエッチングすると、テーパー形状の下側部分である酸化膜８と接する部分の厚さは薄くなっているため、エッチングの際、後退してしまう。このため、多結晶シリコン膜１０を直接マスクとして、酸化膜８をエッチングすると、酸化膜８に形成されるコンタクトホール２２の大きさが大きくなってしまうことが考えられる。
しかし、上述した方法によれば、多結晶シリコン膜１０の上に、さらに、窒化膜１２を設けて、窒化膜１２をテーパー形状にパターニングし、これをマスクに多結晶シリコン膜１０に、側壁が基板に対して垂直な、通常の形状のホール２０を形成する。さらに、この多結晶シリコン膜１０をマスクとして、酸化膜８にコンタクトホール２２を形成する。従って、多結晶シリコン膜１０のホール２０部分からの左右方向への大きな後退を抑え、微細なコンタクトホールを形成することができる。
【００３９】
なお、実施の形態１においては、窒化膜１２のエッチング後、レジスト膜を除去し、多結晶シリコン膜１０のエッチング後、窒化膜１２を除去する場合について説明した。しかし、例えば、多結晶シリコン膜１０のエッチングの後、レジスト膜１４及び窒化膜１２を除去する等、マスクとして用いた膜の除去のタイミングは、実施の形態１において説明したものに限るものではない。
【００４０】
また、実施の形態１において、拡散層４を保護するための保護膜として、窒化膜６を用いたが、多結晶シリコン１０との選択比を考慮し、多結晶シリコン膜１０の除去の際拡散層４を保護できるものであれば、窒化膜に限るものではない。また、窒化膜６を形成しないものであってもよい。
【００４１】
また、コンタクトホール２２を形成する被加工対象膜として、酸化膜８を用いて説明したが、被加工対象膜は、酸化膜に限るものではない。また、テーパー形状のホール１８を形成するマスク用の膜として、窒化膜を用いて説明したが、この膜は、窒化膜に限らず、他の絶縁膜であってもよい。
【００４２】
また、ここでは、窒化膜１２は、約１００〜２００ｎｍ、多結晶シリコン膜１０は、３００ｎｍの厚さを備える。窒化膜１２の厚さＸは、多結晶シリコン膜の厚さＹと以下の式（１）の関係にあることが望ましいと考えられる。
Ｘ＞Ｙ／Ｓ・・・・（１）
なお、ここで、Ｓは、選択比、即ち、多結晶シリコンのエッチレートを窒化膜のエッチレートで割った値である。
しかし、必ずしもこの数値にかぎるものではなく、レジスト膜１４のホール１６の大きさや、窒化膜１２に形成すべきテーパー形状等を考慮して厚さを決定するものであればよい。
【００４３】
また、実施の形態１においては、窒化膜６、１２、酸化膜８、多結晶シリコン膜１０を全てＣＶＤ法により形成した。しかし、これらの形成方法に限るものでなく、正確に各膜を形成するものであれば、例えば多結晶シリコン膜を、スパッタ法で形成するなど、他の方法により形成するものであってもよい。
【００４４】
また、実施の形態１において、各エッチングの条件について説明したが、ホールを形成できるものであれば、エッチングの条件は、実施の形態１において説明したものに限るものではない。
【００４５】
実施の形態２．
図７は、この発明の実施の形態２における酸化膜８にコンタクトホール２２が形成された状態を示す断面模式図である。但し、図７においては、コンタクトホール２２を形成する際、マスクとして用いられ、コンタクトホール２２の形成後は、実際には除去されている膜をも表している。さらに、図７においては、各膜のエッチングの際、マスクとして用いられる膜がホール部分から、左右方向にエッチングされて後退することによる、ホールの大きさの広がりについては、無視して表されている。
【００４６】
実施の形態２における、コンタクトホール２２の形成方法は、実施の形態１において説明したものと類似している。ただし、図７に示すように、この実施の形態においては、多結晶シリコン膜１０と窒化膜１４との間に、酸化膜２６を形成する。この酸化膜２６も、被加工膜である酸化膜８にコンタクトホール２２を形成するためのマスクとして用いられる。
【００４７】
図８は、この発明の実施の形態２におけるコンタクトホール２２の形成方法を説明するためのフロー図である。
以下、図８を用いて、実施の形態２におけるコンタクトホールの形成方法を説明する。
【００４８】
まず、実施の形態１と同様に、Ｓｉ基板２に形成された拡散層４の上に、窒化膜６、酸化膜８、多結晶シリコン膜１０を形成する（ステップＳ２〜Ｓ６）。
【００４９】
次に、実施の形態２においては、多結晶シリコン膜１０の表面に、まず、酸化膜２６を形成する（ステップＳ２８）。酸化膜２６は、約５０ｎｍの厚さに、ＣＶＤ法により形成される。
【００５０】
次に、酸化膜２６の上に、実施の形態１と同様に、窒化膜１２、レジスト膜１４を形成する（ステップＳ８〜Ｓ１０）。続けて、レジスト膜１４にホール１６を形成し（ステップＳ１２）、レジスト膜１４をマスクに窒化膜１２をエッチングして、テーパー形状のホール１８を形成する（ステップ１４）。
【００５１】
次に、実施の形態２においては、窒化膜１２をマスクとして、酸化膜２６のエッチングを行う（ステップＳ３０）。これによって、酸化膜２６には、コンタクトホール２２の大きさと、エッチングの際左右方向にエッチングされる量とを考慮して、実際に形成するコンタクトホール２２より小さなホール２８が形成される。なお、ここでは、Ｃ_５Ｆ_８とＯ_２の雰囲気中、選択比１０〜２０の条件下でエッチングを行う。
【００５２】
次に、実施の形態１と同様に、レジスト膜１４を除去し（ステップＳ１６）、窒化膜１２及び酸化膜２６をマスクとして、多結晶シリコン膜１０のエッチングを行う（ステップＳ１８）。その後、窒化膜１２を除去する（ステップＳ２０）。
【００５３】
次に、実施の形態２においては、酸化膜２６の除去を行う（ステップＳ３２）。
【００５４】
さらに、実施の形態１と同様に、多結晶シリコン膜１０をマスクとして、酸化膜８のエッチング（ステップＳ２２）、多結晶シリコン膜１０の除去（ステップＳ２４）、窒化膜６のエッチング（ステップＳ２６）を行い、実施の形態２におけるコンタクトホール形成方法によるコンタクトホール２２が形成される。
【００５５】
以上のように、酸化膜８とレジスト膜１４との間に形成された窒化膜１２を、テーパー形状にパターニングすれば、露光装置の解像度Ｒによって決まるホールの寸法の限界よりも、さらに微細なコンタクトホール２２を形成することができる。
【００５６】
また、実施の形態２によれば、窒化膜１２と多結晶シリコン膜１０との間に酸化膜２６を設ける。これにより、多結晶シリコン膜１０をエッチングする際、酸化膜２６はほとんどエッチングされないため、エッチングのプラズマ方式や条件によっては、多結晶シリコン膜１０のエッチングの際、１００以上の選択比をとることができる。
【００５７】
なお、酸化膜２６の形成方法や、エッチング条件は、実施の形態２において説明したものに限るものではない。例えば、エッチングは、Ｃ_４Ｆ_８とＯ_２ガスの雰囲気中や、ＣＨＦ_３とＣＦ_４とＯ_２ガスの雰囲気中で行うもの等であってもよい。
【００５８】
なお、この発明において、基板には、例えば、実施の形態１、２におけるＳｉ基板２が該当し、被加工対象膜には、例えば、酸化膜８が該当し、保護用の絶縁膜には、例えば、窒化膜６が該当する。また、この発明において、マスク用の絶縁膜には、例えば、実施の形態１、２における窒化膜１２が該当する。
【００５９】
また、例えば、実施の形態１、２においてステップＳ４を実施することにより、この発明における被加工対象膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ６を実施することにより、多結晶シリコン膜形成工程が実施される。また、例えば、実施の形態１においてステップＳ８、あるいは、実施の形態２においてステップＳ２８及びステップＳ８を実施することにより、この発明における絶縁膜形成工程が実施される。また、例えば、実施の形態１、２においてステップＳ１０を実施することにより、この発明におけるレジスト膜形成工程が実施される。
【００６０】
また、例えば、実施の形態１、２において、ステップＳ１２を実施することにより、この発明におけるホール形成工程が実施され、例えば、ステップＳ１４を実施することにより、絶縁膜エッチング工程が実施され、例えば、ステップＳ１８を実施することにより、多結晶シリコン膜エッチング工程が実施される。また、例えば実施の形態１、２においてステップＳ２２を実施することにより、この発明におけるコンタクトホール形成工程が実施される。
【００６１】
また、例えば、この実施の形態１、２においてステップＳ２を実施することにより、この発明における保護用絶縁膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ２６を実施することにより、保護用絶縁膜除去工程が実施される。
【００６２】
また、例えば、この実施の形態２においてステップＳ２８を実施することにより、この発明における酸化膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ３０を実施することにより、酸化膜エッチング工程が実施される。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、レジスト膜と被加工対象膜との間にマスク用の絶縁膜を形成し、この絶縁膜に、側壁部に斜度を設けたホールを形成し、これを基に、被加工対象膜にコンタクトホールを形成する。従って、露光装置の解像度によって決定される、ホールの微細化の限界を超えて、さらに微小なコンタクトホールを形成することができる。
【００６４】
また、この発明によれば、多結晶シリコン膜の上に、さらに、マスク用の絶縁膜を設けて、絶縁膜に、側壁部に斜度を設けたホールを形成するようにエッチングし、この絶縁膜をマスクとして多結晶シリコン膜に、側壁が基板に対して垂直な、通常の形状のホールを形成する。さらに、この多結晶シリコン膜をマスクとして、被加工対象膜にコンタクトホールを形成する。従って、多結晶シリコン膜のホール部分からの左右方向への大きな後退を抑え、より微細なコンタクトホールを形成することができる。
【００６５】
また、この発明において、マスク用の絶縁膜としての窒化膜と、多結晶シリコン膜との間に酸化膜を設けるものについては、多結晶シリコン膜のエッチングの際、１００以上の選択比を取ることができる。従って、より微細なコンタクトホールを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１におけるホール形成前の積層状態を示す断面模式図である。
【図２】この発明の実施の形態１において、酸化膜にコンタクトホールが形成された状態を示す断面模式図である。
【図３】この発明の実施の形態１におけるホール形成の各工程を示す断面模式図である。
【図４】この発明の実施の形態１におけるホール形成の各工程を示す断面模式図である。
【図５】この発明の実施の形態１において、コンタクトホールの形成された酸化膜を含む基板を示す断面模式図である。
【図６】この発明の実施の形態１におけるコンタクトホールの形成方法を説明するためのフロー図である。
【図７】この発明の実施の形態２において、酸化膜にコンタクトホールが形成された状態を示す断面模式図である。
【図８】この発明の実施の形態２におけるコンタクトホールの形成方法を説明するためのフロー図である。
【図９】従来のコンタクトホール形成方法の各工程を説明するための断面模式図である。
【図１０】従来のコンタクトホール形成方法を説明するためのフロー図である。
【符号の説明】
２基板
４拡散層
６保護用の窒化膜
８酸化膜
１０多結晶シリコン膜
１２窒化膜
１４レジスト膜
１６〜２０ホール
２２コンタクトホール
２４ホール
２６酸化膜
２８ホール
３０コンタクトホール[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a hole forming method. More specifically, the present invention relates to a method for forming fine contact holes by etching an insulating film formed on a substrate.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor devices have been highly integrated and miniaturized, miniaturization of holes such as contact holes formed in a semiconductor device manufacturing process has been required.
[0003]
9A to 9C are schematic cross-sectional views illustrating each step of a conventional contact hole forming method, and FIG. 10 is a flowchart illustrating the conventional contact hole forming method. .
Hereinafter, a conventional method for forming a contact hole will be described with reference to FIGS.
[0004]
First, as shown in FIG. 9A, a resist film 14 is formed on the surface of the oxide film 8 formed on the substrate 2 having the diffusion layer 4 (Step S40). Thereafter, as shown in FIG. 9B, the resist film 14 is exposed and developed to form a hole 16 (Step S42).
[0005]
Next, as shown in FIG. 9C, the oxide film 8 is etched using the resist film 14 in which the holes 16 are formed as a mask (step S44). After that, the resist film 14 is removed (Step S46). Thus, contact hole 30 can be formed in oxide film 8.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the contact hole 30 is formed by etching. Here, the resist film 14 in which the hole 16 is formed is used as a mask. Therefore, the size of the contact hole 30 depends on the size of the hole 16 formed in the resist film 14, so that the contact hole 30 cannot be made smaller than the hole 16. Therefore, in order to form the fine contact hole 26 by the method described above, a hole finer than the required contact hole must be formed in the resist film.
[0007]
Further, the limitation on the size of the hole 16 is determined by the resolution R of the exposure apparatus used when forming the resist pattern 16 on the resist film 14. Therefore, in order to form a fine resist pattern, it is necessary to increase the resolution R of the exposure device.
[0008]
The resolution R of the exposure apparatus is generally expressed as R = k · λ / NA, and is determined by the resist used, the light source, and the numerical aperture of the lens. Here, k is a coefficient determined by the resist, λ is the wavelength of the light source, and NA is the numerical aperture of the lens. Therefore, in order to increase the resolution R, it is necessary to change the resist, the light source, and the numerical aperture of the lens. However, since there is a limit in increasing the resolution R due to changes in the wavelength of the resist or the light source or the numerical aperture of the lens, it may not always be possible to form a fine hole in the resist film that can cope with the formation of a contact hole to be miniaturized. is there.
[0009]
Therefore, the present invention proposes an improved contact hole forming method for the purpose of forming a finer contact hole beyond the limit of miniaturization of the contact hole due to the limitation of the resolution of the exposure apparatus. is there.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The hole forming method according to the present invention includes a target film forming step of forming a target film on a substrate;
A polycrystalline silicon film forming step of forming a polycrystalline silicon film on the surface of the film to be processed;
An oxide film forming step of forming an oxide film on the surface of the polycrystalline silicon film,
An insulating film forming step of forming an insulating film for a mask on the surface of the oxide film ;
A resist film forming step of forming a resist film on the surface of the insulating film for the mask,
A hole forming step of forming a hole in the resist film;
An insulating film etching step of etching the insulating film for the mask using the resist film in which the hole is formed in the hole forming step as a mask so that a hole having a slope on a side wall is formed.
Using the insulating film for the mask etched in the insulating film etching step as a mask, an oxide film etching step of etching the oxide film;
The oxide film is etched as a mask in at least the oxide film etching step, the polycrystalline silicon film etching step of etching the polycrystalline silicon film,
A contact hole forming step of forming a contact hole in the processing target film using the etched polycrystalline silicon film as a mask in the polycrystalline silicon film etching step;
It is provided with.
[0011]
Further, the method of forming a hole according to the present invention includes a step of forming a protective insulating film on the substrate before the processing target film forming step,
After the contact hole forming step, a protective insulating film removing step of removing the protective insulating film exposed at the bottom of the contact hole by etching,
It is provided with.
[0012]
Further, in the hole forming method according to the present invention, the insulating film for the mask is a nitride film.
[0014]
Further, in the hole forming method according to the present invention, the film to be processed is an oxide film.
[0015]
In the hole forming method according to the present invention, the insulating film for protection is a nitride film.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each of the drawings, the same or corresponding portions have the same reference characters allotted, and description thereof will be omitted or simplified.
[0017]
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a stacked state before holes are formed in the first embodiment of the present invention.
[0018]
In FIG. 1, a nitride film 6 is formed on the surface of Si substrate 2 on which diffusion layer 4 is formed. The nitride film 6 is a protective film for protecting the diffusion layer 4 formed on the Si substrate 2 when removing the polycrystalline silicon film 10 described later. An oxide film 8 is formed on the surface of the nitride film 6. The oxide film 8 is a film to be processed in which a contact hole is formed in the first embodiment.
[0019]
Polycrystalline silicon film 10 is formed on the surface of oxide film 8. The thickness of the polycrystalline silicon film 10 is about 300 nm. A nitride film 12 is formed on the surface of polycrystalline silicon film 10. The thickness of the nitride film 12 is about 100 nm to 200 nm. Further, a resist film 14 is formed on the surface of the nitride film 12.
[0020]
The polycrystalline silicon film 10, the nitride film 12, and the resist film 14 formed on the surface of the oxide film 8, which is the film to be processed, form contact holes in the oxide film 8 in the first embodiment. It plays a role as a mask at the time.
[0021]
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state where contact hole 22 is formed in oxide film 8 in the first embodiment of the present invention. However, FIG. 2 also shows a film that is used as a mask when forming the contact hole 22 and is actually removed after the formation of the contact hole 22. Further, in FIG. 2, when each film is etched, the hole portion of the film used as a mask is also etched in the left-right direction and recedes, so that the spread of the hole size is ignored. ing.
[0022]
In FIG. 2, holes 16 are formed in the resist film 14. The hole 16 is formed larger than the actually required contact hole 22. The resist film 14 in which the holes 16 are formed is a film which is removed after being used as a mask when the underlying nitride film 12 is etched.
[0023]
The nitride film 12 is provided with a hole 18 formed using the resist film 14 in which the hole 16 is formed as a mask. The hole 18 is a tapered hole having a slope on the side wall. That is, the hole 18 has the same size as the hole 16 of the resist film 14 which is larger than the contact hole 22 at the portion where the nitride film 12 is in contact with the resist film 14. On the other hand, in the portion that is in contact with the polycrystalline silicon film 10, the size of the contact hole 22 actually formed in the oxide film and the amount by which the hole portion is etched in the left-right direction during the subsequent etching are taken into consideration. The opening is smaller than the required contact hole 22.
Note that the nitride film 12 is a film which is removed after being used as a mask when the polycrystalline silicon film 10 is etched.
[0024]
Holes 20 are formed in polycrystalline silicon film 10 using nitride film 12 as a mask. The hole 20 is formed to be smaller than the actual size of the contact hole 22 in consideration of the amount etched in the left-right direction during the etching. The hole 20 has a normal hole shape whose side wall is perpendicular to the surface of the Si substrate 2. The polycrystalline silicon film 10 is a film that is used as a mask when the oxide film 8 is etched and then removed.
[0025]
Contact holes 22 and 24 finer than holes 24 formed in resist film 14 are formed in oxide film 8 and nitride film 6.
[0026]
3 (a) to 3 (e) and 4 (a) to 4 (d) are schematic cross-sectional views showing respective steps of pattern formation in the first embodiment of the present invention. 4) shows a step of laminating each film to form a hole, and FIGS. 4A to 4D show a step of patterning each film. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a substrate including an oxide film 8 in which a contact hole 22 is formed according to the first embodiment, and FIG. 6 is a flowchart for explaining a contact hole forming method. .
Hereinafter, the hole forming method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0027]
First, as shown in FIG. 3A, a nitride film 6 is formed by a CVD method on the surface of the Si substrate 2 on which the diffusion layer 4 is formed (Step S2). This nitride film 6 serves as a protective film for protecting diffusion layer 4 when polycrystalline silicon film 10 is removed.
[0028]
Next, as shown in FIG. 3B, an oxide film 8 is formed on the surface of the nitride film 6 by a CVD method (Step S4). This oxide film 8 becomes a film to be processed for forming a contact hole.
[0029]
Next, as shown in FIG. 3C, a polycrystalline silicon film 10 is formed on the surface of the oxide film 8 (Step S6). The polycrystalline silicon film 10 is formed to a thickness of 300 nm using a CVD method.
[0030]
Next, as shown in FIG. 3D, a nitride film 12 is formed on the surface of the polycrystalline polysilicon film 10 (Step S8). The nitride film 12 is formed to a thickness of about 100 nm to 200 nm using a CVD method.
[0031]
Next, as shown in FIG. 3E, a resist film 14 is formed on the surface of the nitride film 12 (Step S10). The resist film 14 is applied to the surface of the nitride film 12 by a coating machine (coater).
[0032]
Subsequently, as shown in FIG. 4A, a hole 16 is formed (Step S12). Here, by exposing the resist film 14 using a reduction projection exposure apparatus and developing the resist film 14, a mask pattern is transferred to the resist film 14 and holes 16 are formed. The diameter of the hole 16 formed here is larger than the diameter of the contact hole 22 actually required.
[0033]
Next, as shown in FIG. 4B, the nitride film 12 is etched using the resist film 14 in which the holes 16 are formed as a mask (step S14). As a result, a tapered hole 18 having a slope on the side wall is formed. That is, the nitride film 12 is opened to the same size as the hole 16 in the upper part in contact with the resist film 14, while the contact hole 22 actually required in the lower part in contact with the polycrystalline silicon film 10 is formed. Opened smaller. The reason that the lower portion of the hole 18 is opened to be smaller than the size of the contact hole 22 actually formed is that the nitride film 12 is etched leftward and rightward from the hole 18 by the subsequent etching, and the amount by which the hole spreads is considered. That's because Here, CHF ₃ and CF ₄ are used as an etching gas. In addition, the etching conditions such as power and pressure during the etching are adjusted in consideration of the size of the hole 16 of the resist film 14 and the size of the contact hole 22.
[0034]
Next, as shown in FIG. 4C, after forming holes 18 in the nitride film 12, the resist film 14 is removed (Step S16).
Thereafter, the polysilicon film 10 is etched using the nitride film 12 having the tapered holes 18 as a mask (step 18). As a result, a hole 20 having the same size as the tapered portion of the tapered hole 20 formed in the nitride film 12 is formed in the polycrystalline silicon film 10. Here, HBr and Cl ₂ are used as an etching gas. The etching selectivity with respect to the nitride film 20 is 10.
[0035]
Next, as shown in FIG. 4D, after forming holes 20 in the polycrystalline silicon film 10, the nitride film 12 is removed (step S20). Here, only the nitride film 12 is selectively removed by a chemical dry etching apparatus using a high-temperature phosphoric acid solution or CF ₄ , N ₂ , or O ₂ gas as an etching gas.
Thereafter, the oxide film 8 is etched (step 22). Thereby, contact hole 22 is formed in oxide film 8. Here, the oxide film 8 is etched using the polycrystalline silicon film 10 in which the holes 20 are formed as a mask. C ₅ F ₈ and O ₂ gas are used as an etching gas. The selectivity with respect to polycrystalline silicon is 15 to 20.
[0036]
Next, as shown in FIG. 5, the polycrystalline silicon film 10 is removed (Step S24). Here, the etching is performed using HBr and Cl ₂ as an etching gas with an etching selectivity of 10 with respect to the nitride film 6 at the bottom of the contact hole 22 to remove the polycrystalline silicon film. In removing the polycrystalline silicon film 10, the nitride film 6 can prevent the diffusion layer 4 from being damaged.
Subsequently, the nitride film 6 at the bottom of the opening of the pattern 12 formed on the oxide film 8 is etched (step 26). As a result, holes 24 are formed in nitride film 6.
[0037]
As described above, the contact hole 22 can be formed. As described above, if the nitride film 12 formed between the oxide film 8 and the resist film 14 is patterned into a tapered shape, the contact hole is finer than the limit of the hole size determined by the resolution R of the exposure apparatus. Can be formed.
[0038]
Further, when the polycrystalline silicon film 10 is directly patterned into a tapered shape and the oxide film 8 is etched using the same as a mask, the thickness of the portion in contact with the oxide film 8 which is the lower portion of the tapered shape is small. , During etching, it recedes. Therefore, when the oxide film 8 is etched using the polycrystalline silicon film 10 directly as a mask, the size of the contact hole 22 formed in the oxide film 8 may be increased.
However, according to the above-described method, a nitride film 12 is further provided on the polycrystalline silicon film 10, and the nitride film 12 is patterned into a tapered shape. A hole 20 of a normal shape perpendicular to the substrate is formed. Further, contact holes 22 are formed in oxide film 8 using polycrystalline silicon film 10 as a mask. Therefore, a large retreat in the left-right direction from the hole 20 portion of the polycrystalline silicon film 10 can be suppressed, and a fine contact hole can be formed.
[0039]
In the first embodiment, the case where the resist film is removed after the etching of the nitride film 12 and the nitride film 12 is removed after the etching of the polycrystalline silicon film 10 has been described. However, the timing of removing the film used as a mask, for example, removing the resist film 14 and the nitride film 12 after the etching of the polycrystalline silicon film 10 is not limited to that described in the first embodiment. .
[0040]
In the first embodiment, the nitride film 6 is used as a protective film for protecting the diffusion layer 4. However, considering the selectivity with respect to the polycrystalline silicon 10, the diffusion The material is not limited to a nitride film as long as it can protect the layer 4. Further, the nitride film 6 may not be formed.
[0041]
Further, although the oxide film 8 has been described as the target film for forming the contact hole 22, the target film is not limited to the oxide film. Also, the nitride film has been described as a mask film for forming the tapered hole 18, but this film is not limited to the nitride film and may be another insulating film.
[0042]
Further, here, the nitride film 12 has a thickness of about 100 to 200 nm, and the polycrystalline silicon film 10 has a thickness of 300 nm. It is considered that the thickness X of the nitride film 12 desirably has a relationship of the following formula (1) with the thickness Y of the polycrystalline silicon film.
X> Y / S (1)
Here, S is a selection ratio, that is, a value obtained by dividing the etch rate of polycrystalline silicon by the etch rate of the nitride film.
However, the thickness is not necessarily limited to this value, and the thickness may be determined in consideration of the size of the hole 16 in the resist film 14, the tapered shape to be formed in the nitride film 12, and the like.
[0043]
In the first embodiment, nitride films 6, 12, oxide film 8, and polycrystalline silicon film 10 are all formed by the CVD method. However, the present invention is not limited to these forming methods, and any other method may be used as long as each film can be formed accurately, for example, a polycrystalline silicon film is formed by a sputtering method. .
[0044]
In the first embodiment, the conditions of each etching are described. However, as long as holes can be formed, the etching conditions are not limited to those described in the first embodiment.
[0045]
Embodiment 2 FIG.
FIG. 7 is a schematic sectional view showing a state where contact hole 22 is formed in oxide film 8 according to the second embodiment of the present invention. However, FIG. 7 also shows a film which is used as a mask when forming the contact hole 22 and is actually removed after the formation of the contact hole 22. Further, in FIG. 7, when the films used as masks are etched from the hole portions in the etching of the respective films and then receded from the hole portions and receded, the spread of the hole size is ignored. I have.
[0046]
The method for forming the contact hole 22 in the second embodiment is similar to that described in the first embodiment. However, as shown in FIG. 7, in this embodiment, an oxide film 26 is formed between polycrystalline silicon film 10 and nitride film 14. The oxide film 26 is also used as a mask for forming the contact hole 22 in the oxide film 8 to be processed.
[0047]
FIG. 8 is a flowchart for illustrating a method of forming contact hole 22 according to the second embodiment of the present invention.
Hereinafter, a method for forming a contact hole in the second embodiment will be described with reference to FIG.
[0048]
First, as in the first embodiment, a nitride film 6, an oxide film 8, and a polycrystalline silicon film 10 are formed on the diffusion layer 4 formed on the Si substrate 2 (Steps S2 to S6).
[0049]
Next, in the second embodiment, first, oxide film 26 is formed on the surface of polycrystalline silicon film 10 (step S28). Oxide film 26 is formed to a thickness of about 50 nm by a CVD method.
[0050]
Next, the nitride film 12 and the resist film 14 are formed on the oxide film 26 as in the first embodiment (Steps S8 to S10). Subsequently, holes 16 are formed in the resist film 14 (step S12), and the nitride film 12 is etched using the resist film 14 as a mask to form tapered holes 18 (step 14).
[0051]
Next, in the second embodiment, the oxide film 26 is etched using the nitride film 12 as a mask (step S30). As a result, a hole 28 smaller than the actually formed contact hole 22 is formed in the oxide film 26 in consideration of the size of the contact hole 22 and the amount etched in the left-right direction during etching. Here, the etching is performed in an atmosphere of C ₅ F ₈ and O ₂ at a selectivity of 10 to 20.
[0052]
Next, as in the first embodiment, the resist film 14 is removed (step S16), and the polycrystalline silicon film 10 is etched using the nitride film 12 and the oxide film 26 as masks (step S18). After that, the nitride film 12 is removed (Step S20).
[0053]
Next, in the second embodiment, the oxide film 26 is removed (Step S32).
[0054]
Further, similarly to the first embodiment, etching of oxide film 8 (step S22), removal of polycrystalline silicon film 10 (step S24), and etching of nitride film 6 (step S26) using polycrystalline silicon film 10 as a mask. The contact hole 22 is formed by the contact hole forming method in the second embodiment.
[0055]
As described above, if the nitride film 12 formed between the oxide film 8 and the resist film 14 is patterned into a tapered shape, the contact size is smaller than the limit of the hole size determined by the resolution R of the exposure apparatus. The hole 22 can be formed.
[0056]
According to the second embodiment, oxide film 26 is provided between nitride film 12 and polycrystalline silicon film 10. As a result, when the polycrystalline silicon film 10 is etched, the oxide film 26 is hardly etched. Therefore, depending on the plasma method and conditions of the etching, a selectivity of 100 or more may be obtained when the polycrystalline silicon film 10 is etched. it can.
[0057]
Note that the method for forming the oxide film 26 and the etching conditions are not limited to those described in the second embodiment. For example, the etching may be performed in an atmosphere of C ₄ F ₈ and O ₂ gas or in an atmosphere of CHF ₃ , CF ₄ and O ₂ gas.
[0058]
In the present invention, the substrate corresponds to, for example, the Si substrate 2 in the first and second embodiments, the target film corresponds to, for example, the oxide film 8, and the protective insulating film corresponds to, for example. For example, the nitride film 6 corresponds thereto. In the present invention, the nitride film 12 in the first and second embodiments corresponds to the mask insulating film, for example.
[0059]
Also, for example, by performing step S4 in the first and second embodiments, the process target film forming step in the present invention is performed. For example, by performing step S6, the polycrystalline silicon film forming step is performed. Is done. Further, for example, by performing step S8 in the first embodiment or steps S28 and S8 in the second embodiment, the insulating film forming step of the present invention is performed. Further, for example, by performing step S10 in the first and second embodiments, the resist film forming step of the present invention is performed.
[0060]
Further, for example, in the first and second embodiments, by performing step S12, the hole forming step in the present invention is performed. For example, by performing step S14, the insulating film etching step is performed. By performing step S18, a polycrystalline silicon film etching step is performed. Further, for example, by performing step S22 in the first and second embodiments, the contact hole forming step in the present invention is performed.
[0061]
Also, for example, by performing step S2 in the first and second embodiments, the protective insulating film forming step in the present invention is performed. For example, by performing step S26, the protective insulating film removing step is performed. Will be implemented.
[0062]
Further, for example, by performing step S28 in the second embodiment, the oxide film forming step of the present invention is performed, and for example, by performing step S30, the oxide film etching step is performed.
[0063]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, an insulating film for a mask is formed between a resist film and a film to be processed, and a hole having a sidewall with a slope is formed in the insulating film. Based on this, a contact hole is formed in the film to be processed. Therefore, it is possible to form a finer contact hole beyond the limit of miniaturization of the hole determined by the resolution of the exposure apparatus.
[0064]
Further, according to the present invention, an insulating film for a mask is further provided on the polycrystalline silicon film, and the insulating film is etched so as to form a hole having a slope on a side wall portion. Using the film as a mask, a hole having a normal shape with a side wall perpendicular to the substrate is formed in the polycrystalline silicon film. Further, using this polycrystalline silicon film as a mask, a contact hole is formed in the film to be processed. Therefore, a large receding in the left-right direction from the hole portion of the polycrystalline silicon film can be suppressed, and a finer contact hole can be formed.
[0065]
Further, in the present invention, when an oxide film is provided between a nitride film as a mask insulating film and a polycrystalline silicon film, a selectivity of 100 or more is required when etching the polycrystalline silicon film. Can be. Therefore, a finer contact hole can be formed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a stacked state before holes are formed in Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state where a contact hole is formed in an oxide film in the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing each step of hole formation in the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing each step of hole formation in the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a substrate including an oxide film in which a contact hole is formed in the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a flowchart illustrating a method for forming a contact hole according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a state where a contact hole is formed in an oxide film in the second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a flowchart illustrating a method for forming a contact hole according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining each step of a conventional contact hole forming method.
FIG. 10 is a flowchart for explaining a conventional contact hole forming method.
[Explanation of symbols]
2 substrate 4 diffusion layer 6 protective nitride film 8 oxide film 10 polycrystalline silicon film 12 nitride film 14 resist film 16-20 hole 22 contact hole 24 hole 26 oxide film 28 hole 30 contact hole

Claims

A processing target film forming step of forming a processing target film on the substrate;
A polycrystalline silicon film forming step of forming a polycrystalline silicon film on the surface of the film to be processed;
An oxide film forming step of forming an oxide film on the surface of the polycrystalline silicon film,
An insulating film forming step of forming an insulating film for a mask on the surface of the oxide film ;
A resist film forming step of forming a resist film on the surface of the insulating film for the mask,
A hole forming step of forming a hole in the resist film;
An insulating film etching step of etching the insulating film for the mask using the resist film in which the hole is formed in the hole forming step as a mask so that a hole having a slope on a side wall is formed.
Using the insulating film for the mask etched in the insulating film etching step as a mask, an oxide film etching step of etching the oxide film;
The oxide film is etched as a mask in at least the oxide film etching step, the polycrystalline silicon film etching step of etching the polycrystalline silicon film,
A contact hole forming step of forming a contact hole in the processing target film using the etched polycrystalline silicon film as a mask in the polycrystalline silicon film etching step;
A hole forming method, comprising:

Prior to the process film forming step, a protective insulating film forming step of forming a protective insulating film on the substrate,
After the contact hole forming step, a protective insulating film removing step of removing the protective insulating film exposed at the bottom of the contact hole by etching,
The hole forming method according to claim 1, further comprising:

3. The method according to claim 1, wherein the insulating film for the mask is a nitride film.

The object to be the object film, the hole forming method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the oxide film.

The insulating film for protection, hole forming method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is a nitride film.