JP3583382B2 - 半導体ダイの実装構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、より詳細には、大きさや接合パターンが異なる複数のダイが共通のダイパッドに固定され、もう1つのダイがもう1つのダイパッドに固定され、それらの全てが共通のパッケージまたはハウジング内に配置された新規な装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
多数の電気回路、例えば、DC−DCコンバータ、同期コンバータ、および、それに類するものは、MOSFETやショットキーダイオードのような多くの半導体部品を要する。これらの回路は、しばしば、携帯用電子装置において使用される。部品は、一般的に、別々に格納され、支持基板に個々に実装されなければならない。別々に格納された部品は、支持基板において広い領域を占有する。さらに、各々の部品は熱を発生し、もし、マイクロプロセッサのような他の部品が近くにあれば、そのマイクロプロセッサの動作を妨害する。
【0003】
図1には、時にステップダウンコンバータとして知られる従来のバック(buck)コンバータ回路が示されている。それは、一般的に、携帯用電子装置またはそれに類するものの回路基板上の集積回路およびプロセッサに供給される電圧を減じるために使用される。例えば、その回路は、集積回路または他の負荷(図示されない)を駆動させる目的で、12ボルトの直流入力電圧を5ボルトの直流電圧(場合によって、3.3ボルトまたは1.5ボルトの直流電圧)に減じるために使用できる。
【0004】
図1の回路は周知であり、適当な制御回路11の制御の下でスイッチング作用するNチャネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)10を使用する。その制御回路11は、MOSFETのゲートGに接続される。ショットキーダイオード12は、MOSFET10のドレインDに接続される。ショットキーダイオード12は、MOSFET10がオフされたときにインダクタ13やコンデンサ14に対して出力電流の再循環を可能にするために使用される。MOSFET10は、大抵、パルス周波数変調制御で動作する。
【0005】
米国特許第5814884号は、支持基板の領域、部品数、および、費用を削減するために、MOSFETとショットキーダイオードが共通のダイパッドに実装されたパッケージを開示する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
複数の半導体装置に必要とされる支持基板の領域を減じること、および、そのような電力コンバータや高密度用途の他の電力サブシステムにおいて部品数とアセンブリ費用とを減じることが望まれる。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る第1の半導体装置は、少なくとも第1、第2および第3の半導体ダイと、前記の第1および第2の半導体ダイが配置される第1のダイパッド領域と前記の第3の半導体ダイが配置される別の第2のダイパッド領域とを備えた導電性リードフレームと、前記の第1のダイパッド領域の一端に統合され、かつ、その一端から引き出される複数の第1ピンと、前記の第2のダイパッド領域の一端に統合され、かつ、その一端から引き出される複数の第2ピンと、互いに分離され、かつ、前記の第1および第2のダイパッド領域から分離される複数の第3ピンと、前記の第1の半導体ダイにおける一方の表面を前記の第3ピンのうち少なくとも1つのピンに接続する複数の第1ボンディングワイヤと、前記の第3の半導体ダイにおける一方の表面を前記の第3ピンのうち少なくとも1つのピン、または、前記の第1のダイパッド領域に接続する複数の第2ボンディングワイヤと、前記のリードフレーム、前記の第1、第2および第3の半導体ダイ、並びに、前記の第1および第2ボンディングワイヤを覆うハウジングとを備える。前記の第1、第2および第3の半導体ダイは、それぞれ、向かい合う上部表面と底部表面とを有し、その上部表面および底部表面は、それぞれ、上部パワー電極および底部パワー電極を有する。また、前記の第1、第2および第3ピンは、外部接続のために、前記のハウジングの周囲から引き出される。前記の第1の半導体ダイと前記の第2の半導体ダイが、並列に接続されるように、前記の第1の半導体ダイの前記の底部パワー電極が、前記の第1のダイパッド領域に電気的に接続され、前記の第2の半導体ダイの前記の底部パワー電極が、前記の第1のダイパッド領域に電気的に接続され、かつ前記の第1の半導体ダイの前記の上部パワー電極が、前記の第2の半導体ダイの前記の上部パワー電極に電気的に接続される。
【0008】
前記のハウジングと前記の第1、第2および第3ピンは、SO−8パッケージ基準に従うものであってよい。前記の第1および第2ピンは、前記のハウジングの一方の共通エッジに沿って配置されてもよい。好ましくは、そのハウジングの向かい合う他方の共通エッジに沿って、第3ピンが配置されてもよい。
【0009】
好ましくは、前記の第1および第3の半導体ダイは、各々、ソース電極、ドレイン電極、および、ゲート電極を備えたMOSFETダイである。前記の第1のダイパッド領域に接触する第1の半導体ダイの表面と前記の第2のダイパッド領域に接触する第3の半導体ダイの表面はドレイン電極である。第1の半導体ダイのゲート電極、第3の半導体ダイのゲート電極、および、第1の半導体ダイのソース電極は、各々、前記の第3ピンのうち1つのピンに接続される。
【0010】
好ましくは、前記の第2の半導体ダイは、ショットキーダイオードダイである。前記の第2の半導体ダイにおける一方の表面は、前記のショットキーダイオードダイのカソード電極を備え、前記の第2の半導体ダイにおける他方の表面は、アノード電極を備える。前記のショットキーダイオードダイのカソード電極は、前記の第1の半導体ダイのドレイン電極、および、前記の第1ピンに電気的に接続されるように前記の第1のダイパッド領域に結合される。好ましくは、前記のショットキーダイオードダイのアノード電極は、ボンディングワイヤを介して、前記の第1の半導体ダイのソース電極に結合される。
【0011】
好ましくは、前記の第3ピンにおける各々のピンは、他のピンおよび各々のダイパッド領域と同一平面上にある拡張されたボンディングパッド領域を有する。
【0013】
本発明に係る第2の半導体装置は、ドレイン電極、ソース電極、および、ゲート電極を備えた向かい合う表面をもつ第1および第2のMOSFETダイと、アノード電極およびカソード電極を備えた向かい合う表面をもつショットキーダイオードダイと、前記の第1のMOSFETダイと前記のショットキーダイオードダイが配置される第1のダイパッド領域と前記の第2のMOSFETダイが配置される別の第2のダイパッド領域とを備えた導電性リードフレームと、前記の第1のダイパッド領域の一端に統合され、その一端から引き出される複数の第1ピンと、前記の第2のダイパッド領域の一端に統合され、その一端から引き出される複数の第2ピンと、互いに分離され、かつ、第1および第2のダイパッド領域から分離される複数の第3ピンと、前記の第1のMOSFETダイのソース電極を前記の第3ピンのうち少なくとも1つに接続する複数の第1ボンディングワイヤと、前記の第2のMOSFETダイのソース電極を前記の第3ピンのうち別の1つ、または、前記の第1のダイパッド領域に接続する複数の第2ボンディングワイヤと、前記のリードフレーム、前記のMOSFETダイおよびショットキーダイオードダイ、前記のボンディングワイヤを覆うハウジングとを備える。また、前記の第1のMOSFETダイとショットキーダイオードダイは、前記の第1のMOSFETダイのドレイン電極と前記のショットキーダイオードダイのカソード電極が前記第1のダイパッド領域に電気的に結合されるように、前記第1のダイパッド領域に配置される。また、前記の第2のMOSFETダイは、前記の第2のMOSFETダイのドレイン電極が前記の第2のダイパッド領域に電気的に結合されるように、前記の第2のダイパッド領域に配置される。さらに、前記の第1、第2および第3ピンは、外部接続のために、前記ハウジングの周囲から引き出される。
【0014】
好ましくは、前記のショットキーダイオードダイのアノード電極は、ボンディングワイヤを介して、前記の第1のMOSFETダイのソース電極に結合される。
【0015】
好ましくは、前記のハウジング、並びに、前記の第1、第2および第3ピンは、SO−8パッケージ基準に従う。
【0016】
好ましくは、前記の第1および第2ピンは、前記のハウジングの一方の共通エッジに沿って配置される。
【0017】
好ましくは、前記の第3ピンは、前記のハウジングの向かい合う他方の共通エッジに沿って配置される。
【0018】
好ましくは、前記の第3ピンにおける各々のピンは、他のピンおよび各々のダイパッド領域と同一平面上にある拡張されたボンディングパッド領域を有する。
【0020】
ダイ間の電力接続は、ピンの出力よりもむしろハウジングの内部でなされ、雑音を減じ、基板実装を簡単にする。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に、添付の図面を参照して、本発明による実施の形態を説明する。
図2は、スイッチング素子または制御素子としてNチャネルMOSFET20を使用する同期バックコンバータ回路である。この回路は、「同期整流」のために、図1のダイオード12に代わって、並列接続されたNチャネルMOSFET21とショットキーダイオード22を使用する。MOSFET21は、制御FET20がオフされる間にオンされる。
【0022】
本発明によると、MOSFET20、MOSFET21、および、ショットキーダイオード22は、図2において点線ブロック23で示されるように、共通のハウジング内に共に実装されるダイである。この回路は、図1のダイオード12の順方向電圧降下による損失を防ぐために有効である。また、この回路は、ショットキーダイオード22が縦伝導MOSFET21固有のボディダイオード(図示されない)よりも低い順方向電圧でオンされるので、ボディダイオードの影響を排除する。
【0023】
図2のMOSFET20およびMOSFET21は、インターナショナルレクティファイアー社から販売されている30V、35ミリオームのダイであってよい。代わりに、ダイ20およびダイ21は、各々、0.102インチ×0.070インチ×0.008インチ、および、0.071インチ×0.070インチ×0.008インチの大きさを有するIRFC社の73XXB型 MOSFETであってもよい。ショットキーダイオード22は、0.021インチ×0.050インチ×0.010インチの大きさを有する5SKMXXX型であってもよい。
【0024】
ハウジング23は、図3および図4に示される既知のSO−8型パッケージの形式をとってもよい。従って、図3は、プラスチック絶縁体ハウジング30から引き出される8つのインラインピン(ピン1からピン8:図4)を備えたSO−8表面実装ハウジングを示す。図4で示されるように、MOSFETダイ20、MOSFETダイ21、および、ショットキーダイオード22は、共通のパッケージ30(後に述べられる)に実装され、図2または他の回路構成等について、それらの外部接続を可能にするように相互接続される。しかし、好ましくは、回路インダクタンスを減ずるために、できるだけ内部接続がなされる。従って、図6に示されるように、多くの電力接続がパッケージ30内でなされる。
【0025】
図4において、MOSFET21のドレインとショットキーダイオードのカソードは互いに接続され、かつ、後に述べられるように、共通リードフレームセクションのピン7およびピン8に接続される。MOSFET21のソースおよびゲートは、各々、ワイヤボンドによって、分離されたピン1およびピン2に接続される。ショットキーダイオード22のアノードは、ワイヤボンドによって、MOSFET21のソースに接続される。
【0026】
図5は、MOSFET20、MOSFET21、および、ショットキーダイオード22を備えたリードフレーム40をより詳細に示す。リードフレーム40は、ピン7とピン8が共に引き出される第1のダイパッド41Aを備える。第1のダイパッド41Aは、MOSFET21とショットキーダイオード22の両方が実装できるように、通常のリードフレームの主用パッド本体よりも大きくてよい。また、リードフレーム40は、MOSFET20を受け入れ、かつ、ピン5およびピン6が共に引き出される第2のダイパッド41Bを備える。本発明の新規な側面によると、プラスチック絶縁体ハウジング30のウォールは従来のハウジングよりも薄く、湿気に対する抵抗力をあまり減ずることなくより大きなダイパッド41Aおよびダイパッド41Bを収容する。
【0027】
また、リードフレームは、実装されたハウジング30内において、ピン1からピン4、および、各々のボンドパッドの拡張部分を含む。これらは、元来、(実装途中に)リードフレーム本体40に統合されるが、図において、ピン1からピン4を、互いに、かつ、ダイパッド41Aおよび41Bから分離する分離状態で示される。一般的に、ピン1からピン4は、互いに、かつ、ダイパッド41Aおよび41Bと同一平面にある。
【0028】
リードフレーム40は導電性フレームであり、一般的なリードフレーム半田仕上げを有してもよい。ショットキーダイオード22の底部カソード表面とMOSFET21の底部ドレイン表面は、導電性エポキシ樹脂ダイ接着部品を介してダイパッド41Aに接続され、従って、ピン7およびピン8に接続される。代わりに、ショットキーダイオード22のカソード表面とMOSFET21のドレイン表面が、ダイパッド41Aに半田付けされてもよい。または、銀粒子を含む導電性ガラスを用いてダイパッド41Aに接続されてもよい。
【0029】
ショットキーダイオード22のアノード電極は、金のボンディングワイヤ50および51によって、MOSFET21のソース電極にワイヤ結合される。MOSFET21のソース電極およびゲート電極は、各々、金のワイヤ52および53によって、ピン1およびピン2の内部ボンディング拡張部分に接続される。代わりに、アルミニウムボンディングワイヤが使用されてもよい。
【0030】
MOSFET20のドレインは導電性エポキシ樹脂ダイ接着部品を介して、ダイパッド41Bに接続される。よって、リードフレーム40のピン5およびピン6にも接続される。代わりに、MOSFET20のドレイン面が、ダイパッド41Bに半田付けされてもよい。または、銀粒子を含む導電性ガラスを用いてパッド41Bに伝導されてもよい。
【0031】
MOSFET20のソース電極は、金のボンディングワイヤ54によって、ピン3の内部ボンディング拡張部分にワイヤ結合される。MOSFET20のゲート電極は、金のボンディングワイヤ55によって、ピン4の内部ボンディング拡張部分に結合される。代わりに、アルミニウムボンディングワイヤが使用されてもよい。
【0032】
ピン1からピン8の内部ボンディング拡張部分は、一般的に、銀めっきまたは金めっきされる。ボンディングワイヤは、一般的に、従来技術において既知であるサーモソニックボールボンディングを用いて、ダイ表面および内部ボンディング拡張部分に結合される。しかし、本発明の範囲を逸脱することなく、他の処理も使用できる。
【0033】
その後、ハウジング30が従来の成形作業で形成される。ハウジング30は、NITTO MP7400のような成形化合物であってよい。しかし、セラミック、気密材料、または、射出成形金属のような他の種類の材料が使用されてもよい。
【0034】
図6は本発明による第2の実施の形態を示す。図5における部品と同じ部品には、同じ符号が付されている。図6の部品は、図5におけるその部品の位置から移動させられている。MOSFET20はパッド41Aに固定され、MOSFET21とショットキーダイオード22は、パッド41Bに固定される。MOSFET20およびMOSFET21のゲートは、各々、ピン2およびピン4に結合され、MOSFET21のソース電極は、ピン3に接続される。図6に示されたさらなる発明によると、MOSFET20のソース電極は、ハウジング30内のワイヤボンド100によって、パッド41Bにワイヤ結合される。従って、MOSFET20のソースは、通常、MOSFET21のドレイン電極およびショットキーダイオード22のカソード電極に内部で接続される。これらの接続は、図5において、外部でなされた。さらに、本発明によると、MOSFET20のソース電極は、ワイヤボンド101により、ピン1にワイヤ結合される。
【0035】
他の実装形式も使用できるが、表面実装パッケージ(好ましくは、SO−8)における共通実装は相当の基板領域を節約することに注目すべきである。結果として得られる装置は、通常の量産半田付け技術を用いて、プリント基板にまで半田付けできる。
【0036】
本発明は、特定の実施の形態に関して述べられているけれども、他の多くの変形や修正、および、他の用途が、当業者に明らかである。それ故、本発明は、本明細書における特定の開示によっては制限されず、添付の特許請求の範囲によってのみ制限されることが好ましい。
【0037】
【発明の効果】
本発明による半導体装置により、実装される支持基板の領域を節約できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】既知のバックコンバータ回路の回路図。
【図2】制御MOSFET、および、並列に接続されたMOSFETとショットキーダイオードとからなる同期整流器を採用した本発明の回路図。
【図3】本発明の実施の形態において、図2のMOSFETダイとショットキーダイの両方を格納するために使用できる8ピンSO−8型パッケージの斜視図。
【図4】図3のパッケージと図2の回路の図式的な上面図。
【図5】一定の間隔が開けられたリードフレームパッドに固定され、かつ、ダイとリードフレームピン出力との間にワイヤボンドを備えるMOSFETとショットキーダイオードダイの実装を示す、図3および図4で示されたパッケージのリードフレームの上面図、および、拡大挿入図。
【図6】本発明のさらなる実施の形態を示す図。
【符号の説明】
1、2、3、4、5、6、7、8 ピン
20、21 MOSFETダイ
22 ショットキーダイオードダイ
30 ハウジング
40 リードフレーム
41A、41B ダイパッド
50、51、52、53、54、55、100、101 ボンディングワイヤ
Claims (13)
- 少なくとも第1、第2および第3の半導体ダイと、
前記第1および第2の半導体ダイが配置される第1のダイパッド領域と前記第3の半導体ダイが配置される別の第2のダイパッド領域とを備えた導電性リードフレームと、
前記第1のダイパッド領域の一端に統合され、かつ、その一端から引き出される複数の第1ピンと、
前記第2のダイパッド領域の一端に統合され、かつ、その一端から引き出される複数の第2ピンと、
互いに分離され、かつ、前記第1および第2のダイパッド領域から分離される複数の第3ピンと、
前記第1の半導体ダイにおける一方の表面を前記第3ピンのうち少なくとも1つのピンに接続する複数の第1ボンディングワイヤと、
前記第3の半導体ダイにおける一方の表面を前記第3ピンのうち少なくとも1つのピン、または、前記第1のダイパッド領域に接続する複数の第2ボンディングワイヤと、
前記リードフレーム、前記第1、第2および第3の半導体ダイ、並びに、前記第1および第2ボンディングワイヤを覆うハウジングと
を備え、
前記第1、第2および第3の半導体ダイは、それぞれ、向かい合う上部表面と底部表面とを有し、その上部表面および底部表面は、それぞれ、上部パワー電極および底部パワー電極を有し、
前記第1、第2および第3ピンは、外部接続のために、前記ハウジングの周囲から引き出され、
前記第1の半導体ダイと前記第2の半導体ダイが、並列に接続されるように、前記第1の半導体ダイの前記底部パワー電極が、前記第1のダイパッド領域に電気的に接続され、前記第2の半導体ダイの前記底部パワー電極が、前記第1のダイパッド領域に電気的に接続され、かつ前記第1の半導体ダイの前記上部パワー電極が、前記第2の半導体ダイの前記上部パワー電極に電気的に接続される半導体装置。 - 前記第1および第3の半導体ダイが、各々、ソース電極、ドレイン電極、および、ゲート電極を備えたMOSFETダイであり、
前記第1のダイパッド領域に接触する前記第1の半導体ダイの表面と前記第2のダイパッド領域に接触する前記第3の半導体ダイの表面がドレイン電極であり、
前記第1の半導体ダイのゲート電極、前記第3の半導体ダイのゲート電極、および、前記第1の半導体ダイのソース電極が、各々、前記第3ピンのうち1つのピンに接続される請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2の半導体ダイがショットキーダイオードダイであって、
前記第2の半導体ダイにおける一方の表面は、前記ショットキーダイオードダイのカソード電極を備え、
前記第2の半導体ダイにおける他方の表面は、前記ショットキーダイオードダイのアノード電極を備え、
前記ショットキーダイオードダイの前記カソード電極は、前記第1の半導体ダイのドレイン電極、および、前記第1ピンに電気的に接続されるように、前記第1のダイパッド領域に結合される請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ショットキーダイオードダイの前記アノード電極が、ボンディングワイヤを介して、前記第1の半導体ダイの前記ソース電極に結合される請求項3に記載の半導体装置。
- 前記ハウジング、並びに、前記第1、第2および第3ピンが、SO−8パッケージ基準に従う請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第3ピンが、前記ハウジングの一方の共通エッジに沿って配置される請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第3ピンにおける各々のピンが、他のピンおよび各々のダイパッド領域と同一平面上にある拡張されたボンディングパッド領域を有する請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置。
- ドレイン電極、ソース電極、および、ゲート電極を備えた向かい合う表面をもつ第1および第2のMOSFETダイと、
アノード電極およびカソード電極を備えた向かい合う表面をもつショットキーダイオードダイと、
前記第1のMOSFETダイと前記ショットキーダイオードダイが配置される第1のダイパッド領域と、前記第2のMOSFETダイが配置される別の第2のダイパッド領域とを備えた導電性リードフレームと、
前記第1のダイパッド領域の一端に統合され、その一端から引き出される複数の第1ピンと、
前記第2のダイパッド領域の一端に統合され、その一端から引き出される複数の第2ピンと、
互いに分離され、かつ、第1および第2のダイパッド領域から分離される複数の第3ピンと、
前記第1のMOSFETダイのソース電極を、前記第3ピンのうち少なくとも1つに接続する複数の第1ボンディングワイヤと、
前記第2のMOSFETダイのソース電極を、前記第3ピンのうち別の1つ、または、前記第1のダイパッド領域に接続する複数の第2ボンディングワイヤと、
前記リードフレーム、前記MOSFETダイおよびショットキーダイオードダイ、並びに、前記ボンディングワイヤを覆うハウジングと
を備え、
前記第1のMOSFETダイとショットキーダイオードダイは、前記第1のMOSFETダイのドレイン電極と前記ショットキーダイオードダイのカソード電極が前記第1のダイパッド領域に電気的に結合されるように、前記第1のダイパッド領域に配置され、
前記第2のMOSFETダイは、前記第2のMOSFETダイのドレイン電極が前記第2のダイパッド領域に電気的に結合されるように、前記第2のダイパッド領域に配置され、
前記第1、第2および第3ピンは、外部接続のために、前記ハウジングの周囲から引き出される半導体装置。 - 前記ショットキーダイオードダイのアノード電極が、ボンディングワイヤを介して、前記第1のMOSFETダイのソース電極に結合される請求項8に記載の半導体装置。
- 前記ハウジング、並びに、前記第1、第2および第3ピンが、SO−8パッケージ基準に従う請求項8または請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1および第2ピンが、前記ハウジングの一方の共通エッジに沿って配置される請求項8、請求項9、または、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第3ピンが、前記ハウジングの向かい合う他方の共通エッジに沿って配置される請求項8から請求項11のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第3ピンにおける各々のピンが、他のピンおよび各々のダイパッド領域と同一平面上にある拡張されたボンディングパッド領域を有する請求項8から請求項12のいずれかに記載の半導体装置。
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